CN114497320B - 发光基板的制备方法、驱动方法及装置 - Google Patents

发光基板的制备方法、驱动方法及装置 Download PDF

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Abstract

本公开实施例提供的发光基板的制备方法、驱动方法及装置，包括：获取待形成的发光基板的基准参数；根据待形成的发光基板的基准参数，确定待形成的发光基板的目标制备参数；根据确定出的目标制备参数，形成对应的发光基板。

Description

发光基板的制备方法、驱动方法及装置
技术领域
本公开涉及显示技术领域，特别涉及发光基板的制备方法、驱动方法及装置。
背景技术
液晶显示面板本身是透明的且不会发光，需要发光基板来辅助。发光基板的亮度、均匀度等一些指标对液晶显示面板的相关性能有着直接的影响。现有技术中发光基板由：电路基板(例如PCB)、设置有微型发光二极管的灯条，驱动板等组件构成。
发明内容
本公开实施例提供的发光基板的制备方法，包括：
获取待形成的发光基板的基准参数；
根据待形成的所述发光基板的基准参数，确定待形成的所述发光基板的目标制备参数；
根据确定出的所述目标制备参数，形成对应的发光基板。
在一些实施例中，所述基准参数包括：所述待形成的发光基板的尺寸、灯条数和固定孔规格；所述目标制备参数包括所述待形成的发光基板中的灯区的数量；
所述根据待形成的所述发光基板的基准参数，确定待形成的所述发光基板的目标制备参数，包括：根据所述待形成发光基板的尺寸、灯条数和固定孔规格，确定所述待形成的发光基板中的灯区的数量；
所述根据确定出的所述目标制备参数，形成对应的发光基板，包括：根据确定出的所述灯区的数量，在待形成的发光基板中的每个灯条上划分出灯区。
在一些实施例中，所述基准参数还包括：预先确定的每个灯区中包含的微型发光二极管的数量和微型发光二极管的型号：所述目标制备参数还包括待形成的所述发光基板中每个灯区设置的微型发光二极管的数量以及每个灯区中的微型发光二极管的连接关系；
所述根据待形成的所述发光基板的基准参数，确定待形成的所述发光基板的目标制备参数，包括：根据所述预先确定的每个灯区中包含的微型发光二极管的数量，确定待形成的所述发光基板中每个灯区设置的微型发光二极管的数量以及每个灯区中的微型发光二极管的连接关系；
所述根据确定出的所述目标制备参数，形成对应的发光基板，还包括：
根据确定出的每个灯区设置的微型发光二极管的数量以及每个灯区中的微型发光二极管的连接关系，在待形成的发光基板中的每个灯条上划分出的灯区中，形成相应的微型发光二极管。
在一些实施例中，所述每个灯区中的微型发光二极管的连接关系包括：
各所述灯区包括M行N列的微型发光二极管，且同一灯区中的微型发光二极管串联连接；其中，M为大于0的整数，N为大于0的整数。
在一些实施例中，所述基准参数还包括：待形成的所述发光基板的目标亮度；所述目标制备参数还包括与待形成的所述发光基板相连的驱动芯片的数量及每个所述驱动芯片对应连接的灯区的数量；
所述根据待形成的所述发光基板的基准参数，确定待形成的所述发光基板的目标制备参数，包括：
根据待形成的所述发光基板的目标亮度，确定待形成的所述发光基板工作时的工作功率；
根据一个所述灯区中包含的微型发光二极管的数量及微型发光二极管的型号对应的发光电压，确定一个所述灯区所需的供电电压；
根据确定出的所述工作功率和所述供电电压，确定与待形成的所述发光基板相连的驱动芯片的数量及每个所述驱动芯片对应连接的灯区的数量；
所述根据确定出的所述目标制备参数，形成对应的发光基板，还包括：
根据确定出的驱动芯片的数量及每个所述驱动芯片对应连接的灯区的数量，将发光基板连接上驱动芯片。
在一些实施例中，所述根据确定出的所述工作功率和所述供电电压，确定与待形成的所述发光基板相连的驱动芯片的数量及每个所述驱动芯片对应连接的灯区的数量，包括：
根据所述工作功率和所述供电电压，确定供电电流；
根据所述供电电流、所述驱动芯片的输出电流以及待形成的所述发光基板的灯区的数量，确定一个所述驱动芯片对应连接的灯区的数量及与待形成的所述发光基板相连的驱动芯片的数量。
在一些实施例中，所述目标制备参数还包括所需的供电电源的输出电压和数量；
在所述确定一个所述灯区所需的供电电压之后，还包括：
根据所述供电电压，确定所需的供电电源的输出电压和所需的供电电源的数量；
所述根据确定出的所述目标制备参数，形成对应的发光基板，还包括：
根据确定出的所需的供电电源的输出电压和数量，将发光基板连接上供电电源。
在一些实施例中，在确定预先获取的供电电源的输出电压与所述供电电压相同时，将与所述供电电压相同的输出电压确定为所需的供电电源的输出电压，且所需的供电电源的数量为至少一个；
在确定预先获取的供电电源的输出电压与所述供电电压不相同时，从预先获取的供电电源中选取一个供电电源，并同时获取电压转换电路的转换电压，以将选取的所述供电电源的输出电压和获取的所述电压转换电路的转换电压，确定为所需的供电电源的输出电压，且所需的供电电源的数量为至少两个。
在一些实施例中，所述基准参数还包括：微控制芯片的型号和主控芯片的型号；所述目标制备参数还包括微控制芯片的数量和主控芯片的数量；
所述根据待形成的所述发光基板的基准参数，确定待形成的所述发光基板的目标制备参数，包括：根据所述微控制芯片的型号和主控芯片的型号，确定待形成的所述发光基板所需的微控制芯片的数量和主控芯片的数量；
所述根据确定出的所述目标制备参数，形成对应的发光基板，包括：
根据确定出的所述微控制芯片的数量和所述主控芯片的数量，将所述发光基板连接上所述微控制芯片和所述主控芯片。
本公开实施例提供的发光基板的驱动方法，包括：
驱动所述发光基板中的至少部分灯区分时发光；
其中，所述发光基板采用上述的制备方法制备完成的。
本公开实施例提供的发光基板，所述发光基板采用上述的制备方法制备完成。
本公开实施例提供的显示装置，包括：显示面板和上述的发光基板。
附图说明
图1为本公开实施例中的发光基板的制备方法的流程图；
图2为本公开实施例中形成的发光基板的一些结构示意图；
图3a为本公开实施例中形成的发光基板的又一些结构示意图；
图3b为本公开实施例中形成的发光基板的又一些结构示意图；
图3c为本公开实施例中形成的发光基板的又一些结构示意图；
图3d为本公开实施例中形成的发光基板的又一些结构示意图；
图4a为本公开实施例中的驱动芯片的一些结构示意图；
图4b为本公开实施例中的驱动芯片的另一些结构示意图；
图4c为本公开实施例中的驱动芯片的又一些结构示意图；
图5a为本公开实施例中形成的发光基板的又一些结构示意图；
图5b为本公开实施例中形成的发光基板的又一些结构示意图；
图5c为本公开实施例中形成的发光基板的又一些结构示意图；
图6为本公开实施例中发光基板的结构示意图；
图7a为本公开实施例中线路板的第一面的结构示意图；
图7b为本公开实施例中线路板的第二面的结构示意图；
图8为本公开实施例中的驱动方法的一些流程图。
具体实施方式
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。并且在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。
需要注意的是，附图中各图形的尺寸和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本公开内容。并且自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。
在大尺寸的显示屏幕开发过程中，背光板需要满足发光亮度的要求，但是大尺寸的整机结构开模费相当高，为了节省成本需要采用公模去进行显示屏幕背板等材料的生产，进而实现整机的开发。由于公模生产出的是已经成型的结构，利用公模进行背板生产时与之匹配的背光板的灯条的固定孔，灯条的条数都是受限的。因此设计就要考虑到公模所生产的大尺寸整机结构组件的固有结构，根据组件的固有结构来匹配设计。
通常，需要在发光基板上连接供电电源，以通过供电电源为发光基板提供微型发光二极管所需的供电电压。然而，为发光基板进行供电的供电电源基本上已经具有了固有的结构，且供电电源的输出电压基本也固定了。这样使得发光基板上的微型发光二极管所需的供电电压与供电电源的输出电压不能对应上，若将供电电源的结构进行改变，会导致需要改动的方面较多，投入的成本也较大。
如图1所示，本公开实施例提供的发光基板的制备方法，可以包括如下步骤：
S100、获取待形成的发光基板的基准参数。
S200、根据待形成的发光基板的基准参数，确定待形成的发光基板的目标制备参数。
S300、根据确定出的目标制备参数，形成对应的发光基板。
本公开实施例提供的发光基板的制备方法，可以通过获取相关的基准参数，得到用于制作发光基板需要组装的一些非显示组件的模具，其生产的非显示组件限定了发光基板的灯条数，尺寸，灯区的数量，灯条的固定孔等参数。这样根据待形成的发光基板的基准参数，可以确定出待形成的发光基板的目标制备参数。从而可以根据确定出的目标制备参数，形成对应的发光基板，以使形成的发光基板的结构可以尽可能的降低设计改动，降低成本。
在一些实施方式中，可以根据一些现有的专用模具制作显示装置的结构中所需组装的一些非显示组件，这些非显示组件例如可以包括但不限定于盖板、光学膜片等。示例性地，可以通过这些非显示组件至少确定发光基板的尺寸、灯条数、固定孔规格，以使基准参数可以包括：待形成的发光基板的尺寸、灯条数、固定孔规格。这样可以使根据待形成的发光基板的基准参数，确定待形成的发光基板的目标制备参数，可以包括：根据基准参数包括的发光基板的尺寸、灯条数、固定孔规格，确定待形成的发光基板中的灯区的数量，并将确定出的灯区的数量添加入目标制备参数中。这样可以使目标制备参数中具有待形成的发光基板中所具有的灯区的数量。这样可以使根据确定出的目标制备参数，形成对应的发光基板，包括：根据确定出的灯区的数量，在待形成的发光基板中的每个灯条上划分出灯区。例如，可以根据上述发光基板的尺寸、灯条数、固定孔规格，确定待形成的发光基板中所具有的灯区的数量为336个，即该待形成的发光基板的灯区数量可以为336个，从而在制备该发光基板时，可以将发光基板的灯区划分为336个。例如，如图2所示，发光基板具有336个灯区：第一行灯区L11、L12……L127、L128，第二行灯区L21、L22……L227、L228，第三行灯区L31、L32……L327、L328，第十二行灯区L121、L122……L1227、L1228。
在一些实施方式中，可以从现有的一些微型发光二极管中选取出，待形成的发光基板上所需的微型发光二极管的型号，以及灯区中所包含的微型发光二极管的数量。这样可以使基准参数还包括：预先确定的每个灯区中包含的微型发光二极管的数量及微型发光二极管的型号。需要说明的是，微型发光二极管的型号确定后，可以根据微型发光二极管的型号确定该微型发光二极管的电流范围和电压范围。这样可以使根据待形成的发光基板的基准参数，确定待形成的发光基板的目标制备参数，可以包括：根据基准参数包括的预先确定的每个灯区中包含的微型发光二极管的数量，确定待形成的发光基板中每个灯区设置的微型发光二极管的数量以及每个灯区中的微型发光二极管的连接关系，并将确定出的待形成的发光基板中每个灯区设置的微型发光二极管的数量以及微型发光二极管的连接关系添加入目标制备参数中。这样可以使目标制备参数中具有待形成的发光基板中每一个灯区中所需要设置的微型发光二极管的数量及每个灯区中的微型发光二极管的连接关系(例如串联，串并联结合等)。这样可以使根据确定出的目标制备参数，形成对应的发光基板，还包括：根据确定出的每个灯区设置的微型发光二极管的数量以及每个灯区中的微型发光二极管的连接关系，在待形成的发光基板中的每个灯条上划分出的灯区中，形成相应的微型发光二极管。例如，可以使每一个灯区中所需要设置的微型发光二极管的数量为两个，其连接关系为串联，这样在形成发光基板时，可以在划分出的每一个灯区中形成串联连接的两个微型发光二极管。或者，也可以使每一个灯区中所需要设置的微型发光二极管的数量为三个，其连接关系为串联。这样在形成发光基板时，可以在划分出的每一个灯区中形成串联连接的三个微型发光二极管。或者，也可以使每一个灯区中所需要设置的微型发光二极管的数量为四个，这样在形成发光基板时，可以在划分出的每一个灯区中形成串联连接的四个微型发光二极管。或者，也可以使每一个灯区中所需要设置的微型发光二极管的数量为六个、八个或更多且其连接关系为串联，在此不作限定。
在一些实施方式中，每个灯区中的微型发光二极管的连接关系包括：各灯区包括M行N列的微型发光二极管，且同一灯区中的微型发光二极管串联连接；其中，M为大于0的整数，N为大于0的整数。示例性地，如图2以及图3a所示，可以使M＝1，N＝2，则每一个灯区中具有两个微型发光二极管。例如，灯区L11～L1228分别包括微型发光二极管1和2，且微型发光二极管1和2依次串联，即这样在形成发光基板时，可以在划分出的每一个灯区中形成串联连接的两个微型发光二极管。示例性地，如图2以及图3b所示，可以使M＝2，N＝2，则每一个灯区中具有四个微型发光二极管。例如，灯区L11～L1228分别包括微型发光二极管1～4，且微型发光二极管1至4依次串联，即这样在形成发光基板时，可以在划分出的每一个灯区中形成串联连接的四个微型发光二极管。示例性地，如图2以及图3c所示，可以使M＝2，N＝3，则每一个灯区中具有六个微型发光二极管。例如，灯区L11～L1228分别包括微型发光二极管1～6，且微型发光二极管1至6依次串联，即这样在形成发光基板时，可以在划分出的每一个灯区中形成串联连接的六个微型发光二极管。示例性地，如图2以及图3d所示，可以使M＝2，N＝4，则每一个灯区中具有八个微型发光二极管。例如，灯区L11～L1228分别包括微型发光二极管1～8，且微型发光二极管1至8依次串联，即这样在形成发光基板时，可以在划分出的每一个灯区中形成串联连接的八个微型发光二极管。当然，在实际应用中，可以根据实际应用的需求设置M和N的具体数值，在此不作限定。
在一些实施方式中，以105英寸(2449.92*1033.56*10-6m2)屏幕的显示装置的发光面积为例，其需要的光强为10000nit*2449.92*1033.56*10-6m2＝25321.4cd，10000nit＝500nit/0.05，500nit即为发光基板的目标亮度，0.05为显示装置中的液晶显示面板的透过率。这样使得显示装置对发光基板具有亮度要求，则需要发光基板具有目标亮度。示例性地，基准参数还包括：待形成的发光基板的目标亮度。以及，根据待形成的发光基板的基准参数，确定待形成的发光基板的目标制备参数，可以包括：根据待形成的发光基板的目标亮度，可以确定待形成的发光基板工作时的工作功率。这样可以根据一个灯区中包含的微型发光二极管的数量及微型发光二极管的型号对应的发光电压，确定一个灯区所需的供电电压。从而可以根据确定出的工作功率和供电电压，确定与待形成的发光基板相连的驱动芯片的数量及每个驱动芯片对应连接的灯区的数量，并将确定出的驱动芯片的数量及每个驱动芯片对应连接的灯区的数量添加入目标制备参数中。这样可以使目标制备参数中具有与待形成的发光基板相邻的驱动芯片的数量及每个驱动芯片对应连接的灯区的数量。这样可以使根据确定出的目标制备参数，形成对应的发光基板，还包括：根据确定出的驱动芯片的数量及每个驱动芯片对应连接的灯区的数量，将发光基板连接上驱动芯片。示例性地，以336个灯区为例，如图4a所示，在每一个灯区中具有两个微型发光二极管时，其所需的驱动芯片的数量可以为42，且每一个驱动芯片对应连接的灯区的数量为8。即包括驱动芯片Q1～Q42，驱动芯片Q1对应连接的灯区L1～L8，驱动芯片Q2对应连接的灯区L9～L16，……驱动芯片Q42对应连接的灯区L9～L336。这样在形成发光基板时，可以使发光基板连接上42个驱动芯片，并使每一个驱动芯片连接8个灯区。如图4b所示，在每一个灯区中具有四个微型发光二极管时，其所需的驱动芯片的数量可以为21，且每一个驱动芯片对应连接的灯区的数量为16。即包括驱动芯片Q1～Q21，驱动芯片Q1对应连接的灯区L1～L16，驱动芯片Q2对应连接的灯区L17～L32，……驱动芯片Q21对应连接的灯区L321～L336。这样在形成发光基板时，可以使发光基板连接上21个驱动芯片，并使每一个驱动芯片连接16个灯区。如图4c所示，在每一个灯区中具有六个微型发光二极管时，其所需的驱动芯片的数量可以为14，且每一个驱动芯片对应连接的灯区的数量为24。即包括驱动芯片Q1～Q14，驱动芯片Q1对应连接的灯区L1～L24，驱动芯片Q2对应连接的灯区L25～L48，……驱动芯片Q14对应连接的灯区L313～L336。这样在形成发光基板时，可以使发光基板连接上14个驱动芯片，并使每一个驱动芯片连接24个灯区。在每一个灯区中具有两个微型发光二极管时，依次类推，在此不作赘述。
在一些实施方式中，根据确定出的工作功率和供电电压，确定与待形成的发光基板相连的驱动芯片的数量及每个驱动芯片对应连接的灯区的数量，可以包括：根据工作功率和供电电压，确定供电电流。以及，根据供电电流、驱动芯片的输出电流以及待形成的发光基板的灯区的数量，确定一个驱动芯片对应连接的灯区的数量及与待形成的发光基板相连的驱动芯片的数量。示例性地，以工作效率为600W，336个灯区为例，若一个灯区具有两个微型发光二极管，这两个微型发光二极管串联后所需的供电电压为6V，电流为300mA。一个驱动芯片的输出电流可以为2400mA，则2400mA/300mA＝8，即可以使一个驱动芯片最多驱动8个灯区，驱动芯片的数量为42个。若一个灯区具有四个微型发光二极管，这四个微型发光二极管串联后所需的供电电压为12V，电流为150mA。一个驱动芯片的输出电流可以为2400mA，则2400mA/150mA＝16，即可以使一个驱动芯片最多驱动16个灯区，驱动芯片的数量为21。若一个灯区具有六个微型发光二极管，这六个微型发光二极管串联后所需的供电电压为18V，电流为100mA。一个驱动芯片的输出电流可以为2400mA，则2400mA/100mA＝24，即可以使一个驱动芯片最多驱动24个灯区，驱动芯片的数量为14。若一个灯区具有八个微型发光二极管，这八个微型发光二极管串联后所需的供电电压为24V，电流为75mA。此时所需的驱动芯片的数量和一个驱动芯片连接的灯区的数量可以依次类推，在此不作赘述。
在一些实施方式中，在确定一个灯区所需的供电电压之后，还可以包括：根据供电电压，确定所需的供电电源的输出电压和所需的供电电源的数量。这样可以使目标制备参数还具有所需的供电电源的输出电压和数量。这样可以使根据确定出的目标制备参数，形成对应的发光基板，还包括：根据确定出的所需的供电电源的输出电压和数量，将发光基板连接上供电电源。在实际应用中，供电电源可以为交流-直流(Alternating Current-Direct Current，AC-DC)电源模块，其具有输出电压(Output Voltage)，进一步地，供电电源还可以具有：负载调整率(Load Regulation)、最小负载电流(Minimum Load Current)、额定负载电流(Rated Load Current)以及峰值电流(Peak Current)中的至少一种。示例性地，如表一所示，示意出了6个不同供电电源的输出电压、负载调整率、最小负载电流、额定负载电流以及峰值电流。其中，分别为：供电电源GV1的输出电压(+5V)、负载调整率(±5％)、最小负载电流(0.02)、额定负载电流(1.0A)以及峰值电流(1.5A)；供电电源GV2的输出电压(+5V)、负载调整率(±5％)、最小负载电流(0.1A)、额定负载电流(6.0A)以及峰值电流(7.0A)；供电电源GV3的输出电压(+12V)、负载调整率(±10％)、最小负载电流(0.1A)、额定负载电流(12.0A)以及峰值电流(13.0A)；供电电源GV4的输出电压(+18V)、负载调整率(±10％)、最小负载电流(0.1A)、额定负载电流(5.0A)以及峰值电流(6.0A)；供电电源GV5的输出电压(+24V)、负载调整率(±10％)、最小负载电流(0.1A)、额定负载电流(3.0A)以及峰值电流(4.0A)；供电电源GV6的输出电压(+19V)、负载调整率(±10％)、最小负载电流(--)、额定负载电流(28.0A)以及峰值电流(30.0A)。需要说明的是，供电电源的电源数据可以根据实际应用的需求进行确定，在此不作限定。
供电电源 输出电压 负载调整率 最小负载电流 额定负载电流 峰值电流
GV1 +5V ±5％ 0.02 1.0A 1.5A
GV2 +5V ±5％ 0.1A 6.0A 7.0A
GV3 +12V ±10％ 0.1A 12.0A 13.0A
GV4 +18V ±10％ 0.1A 5.0A 6.0A
GV5 +24V ±10％ 0.1A 3.0A 4.0A
GV6 +19V ±10％ -- 28.0A 30.0A
表一
在一些实施方式中，可以在确定预先获取的供电电源的输出电压与供电电压相同时，将与供电电压相同的输出电压确定为所需的供电电源的输出电压，且所需的供电电源的数量为至少一个。示例性地，可以使确定出的供电电源的数量为一个、两个、三个或更多个，在此不作赘述。示例性地，可以将确定出的供电电源通过连接板与发光基板上设置的端子通过焊接或板间连接器进行电连接。示例性地，在一个灯区包括4个串联的微型发光二极管时，可以使供电电压为12V，则可以选取一个供电电源GV3。这样在制备发光基板使，可以将供电电源GV3直接通过连接板与发光基板上设置的端子通过焊接或板间连接器进行电连接。在一个灯区包括6个串联的微型发光二极管时，可以使供电电压为18V，则可以选取一个供电电源GV4。这样在制备发光基板使，可以将供电电源GV4直接通过连接板与发光基板上设置的端子通过焊接或板间连接器进行电连接。在一个灯区包括8个串联的微型发光二极管时，可以使供电电压为24V，则可以选取一个供电电源GV5。这样在制备发光基板使，可以将供电电源GV5直接通过连接板与发光基板上设置的端子通过焊接或板间连接器进行电连接。
在一些实施方式中，可以在确定预先获取的供电电源的输出电压与供电电压不相同时，从预先获取的供电电源中选取一个供电电源，并同时获取电压转换电路的转换电压，以将选取的供电电源的输出电压和获取的电压转换电路的转换电压，确定为所需的供电电源的输出电压，且所需的供电电源的数量为至少两个。示例性地，可以使确定出的供电电源的数量为两个、三个或更多个，在此不作赘述。示例性地，可以将确定出的供电电源通过电压转换电路限于连接板连接，再将连接板与发光基板上设置的端子通过焊接或板间连接器进行电连接。示例性地，在一个灯区包括2个串联的微型发光二极管时，可以使供电电压为6V，则可以选取两个供电电源GV1和两个电压转换电路。这样在制备发光基板使，可以将一个供电电源GV1通过一个电压转换电路先与一个连接板连接，再将该连接板与发光基板上设置的端子通过焊接或板间连接器进行电连接。以及，可以将另一个供电电源GV1通过另一个电压转换电路先与另一个连接板连接，再将该连接板与发光基板上设置的端子通过焊接或板间连接器进行电连接。示例性地，电压转换电路可以为直流-直流(Direct Current-Direct Current)转换电路。
在一些实施方式中，为了实现对发光基板的控制，基准参数还可以包括：微控制芯片的型号和主控芯片的型号。根据待形成的发光基板的基准参数，确定待形成的发光基板的目标制备参数，可以包括：根据微控制芯片的型号和主控芯片的型号，确定待形成的发光基板所需的微控制芯片的数量和主控芯片的数量。这样可以使目标制备参数还具有微控制芯片的数量和主控芯片的数量。从而可以使根据确定出的目标制备参数，形成对应的发光基板，包括：根据确定出的微控制芯片的数量和主控芯片的数量，将发光基板连接上微控制芯片和主控芯片。示例性地，在制备发光基板时，可以将主控芯片与微控制芯片连接，以及将微控制芯片与各驱动芯片连接。示例性地，微控制芯片例如可以为但不限于微控制单元(Microcontroller Unit；MCU)。主控芯片例如可以为但不限于系统级芯片(System onChip，SoC)。
在一些实施方式中，以设定型号的微型发光二极管为例，确定出该微型发光二极管的电流范围为0～300mA，电压范围为6v～6.7v。发光基板的目标亮度为500nit，显示面板的透过率为5.0％。背光亮度为：500/0.05＝104nit(1nit＝1cd/m2)。光强为：104*2449.92*1033.56*10-6＝25321.4cd(2449.92*1033.56*10-6为105英寸屏幕的发光面积)。等效光通量：Φ＝4π*120°/360°*25321.4＝106012.3lm(120°是微型发光二极管的发光角度)。微型发光二极管的光通量：ΦLED＝106012.3/1.78＝59557lm(1.78为膜材增益系数，反射片98％，扩散板90％，扩散片90％，CPP224％)。单颗微型发光二极管的光通量：ΦLED＝59557/336(EA)＝177.3lm(单颗微型发光二极管177lm/300mA，max6.7V min6.0V)，所需高色域(NTSC为85％以上)，亮度450nit以上。
在一些实施例中，基于上述描述，结合图3a、图4a以及图5a所示，将发光基板10划分为336个灯区L1～L336，每个灯区中具有串联连接的2个微型发光二极管1和2，需要42个驱动芯片Q1～Q42、两个供电电源GV2(如110-1、110-2)，两个电压转换电路(如120-1、120-2)，两个微控制芯片(如130-1、130-2)以及一个主控芯片140。并且，每个驱动芯片Q1～Q42可以连接8个灯区。主控芯片140通过一个信号接口SPI与微控制芯片130-1连接，微控制芯片130-1与驱动芯片Q1～Q21连接。主控芯片140通过另一个信号接口SPI与微控制芯片130-2连接，微控制芯片130-2与驱动芯片Q22～Q42连接。供电电源GV2 110-1与电压转换电路120-1连接，电压转换电路120-1通过一个电源接口PWR与灯区L1～L168连接，为灯区L1～L168中的微型发光二极管1-2供电。以及，供电电源GV2 110-2与电压转换电路120-2连接，电压转换电路120-2通过另一个电源接口PWR与灯区L169～L336连接，为灯区L169～L336中的微型发光二极管1～2供电。也就是说，图5a即为制备完成的发光基板的结构。
在一些实施例中，基于上述描述，结合图3b、图4b以及图5b所示，将发光基板10划分为336个灯区L1～L336，每个灯区中具有串联连接的4个微型发光二极管1～4，需要21个驱动芯片Q1～Q21、一个供电电源GV3 110，一个电压转换电路120，一个微控制芯片130以及一个主控芯片140。并且，每个驱动芯片Q1～Q21可以连接16个灯区。其中，主控芯片140通过信号接口SPI与微控制芯片130连接，微控制芯片130与驱动芯片Q1～Q21连接。供电电源GV3110通过电源接口PWR与灯区L1～L336连接，为灯区L1～L336中的微型发光二极管1～4供电。
在一些实施例中，基于上述描述，结合图3b、图4b以及图5b所示，将发光基板10划分为336个灯区L1～L336，每个灯区中具有串联连接的4个微型发光二极管1～4，需要21个驱动芯片Q1～Q21、一个供电电源GV3 110，一个电压转换电路120，一个微控制芯片130以及一个主控芯片140。并且，每个驱动芯片Q1～Q21可以连接16个灯区。其中，主控芯片140通过信号接口SPI与微控制芯片130连接，微控制芯片130与驱动芯片Q1～Q21连接。供电电源GV3110通过电源接口PWR与灯区L1～L336连接，为灯区L1～L336中的微型发光二极管1～4供电。
在一些实施例中，基于上述描述，结合图3c、图4c以及图5c所示，将发光基板10划分为336个灯区L1～L336，每个灯区中具有串联连接的6个微型发光二极管1～6，需要14个驱动芯片Q1～Q14、一个供电电源GV3 110，一个电压转换电路120，一个微控制芯片130以及一个主控芯片140。并且，每个驱动芯片Q1～Q14可以连接24个灯区。其中，主控芯片140通过信号接口SPI与微控制芯片130连接，微控制芯片130与驱动芯片Q1～Q14连接。供电电源GV3110通过电源接口PWR与灯区L1～L336连接，为灯区L1～L336中的微型发光二极管1～6供电。
需要说明的是，在灯区中具有8个微型发光二极管1～8时，制备的发光基板的结构可以根据上述实施例进行类推，在此不作赘述。
需要说明的是，如图6所示，在背光基板背离微尺寸发光二极管一侧设置有端子区210。该端子区210中设置有供电端子和信号传输端子。其中，供电端子可以作为电源接口PWR的连接位置，信号传输端子可以作为信号接口SPI的连接位置。在供电电源采用线路板与背光基板电连接时，如图7a与图7b所示，线路板310具有第一面S1和第二面S2，第一面S1中设置有24个pin脚，第二面中设置有50个pin脚。在实际应用中，SOC和供电电源通常设置在背光驱动板上，且背光驱动板上设置有与电源接口PWR对应的端子以及与信号接口SPI对应的端子。这样可以使线路板310第一面S1中设置的24个pin脚中的部分pin脚与背光基板中对应电源接口PWR的端子的连接上，第二面S2中设置的50个pin脚中的部分pin脚与背光驱动板上对应电源接口PWR的端子的连接上，从而可以使供电电源输出的输出电压可以通过线路板传输到背光基板上。以及，使线路板310第一面S1中设置的24个pin脚中的部分pin脚与背光基板中对应信号接口SPI的端子的连接上，第二面S2中设置的50个pin脚中的部分pin脚与背光驱动板上对应信号接口SPI的端子的连接上，从而可以使SOC输出的信号可以通过线路板传输到背光基板上。
本公开实施例还提供了发光基板的驱动方法，包括：驱动发光基板中的至少部分灯区分时发光；其中，发光基板采用上述制备方法制备完成的。示例性地，如图8所示，例如：软件层(NovaLCT、LED MPlayer等基板控制软件)可以获取存储单元中存储的控制信息，从而通过控制信息实现对灯区L1～L336发光的控制。
本公开实施例还提供了发光基板，该发光基板采用上述的制备方法制备完成。示例性地，发光基板的结构可以如5a至图5c所示，具体可以参照上述描述，在此不作赘述。
本公开实施例还提供了显示装置，该显示装置包括：显示面板和以及上述发光基板。示例性地，显示面板可以为液晶显示面板，并且该显示面板可以设置于发光基板的出光侧。
在一些实施方式中，该显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。对于该显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本公开的限制。
本领域内的技术人员应明白，本公开的实施例可提供为方法、系统、或计算机程序产品。因此，本公开可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本公开可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器和光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。
本领域内的技术人员应明白，本申请的实施例可提供为方法、系统、或计算机程序产品。因此，本申请可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本申请可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器、CD-ROM、光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。
本申请是参照根据本申请的方法、设备(系统)、和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。上述描述中的方法的步骤和序号，可以根据需要调整顺序，在某些情况下也可以省略其中的一些步骤。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。
这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。
这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理设备上，使得在计算机或其他可编程设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。
显然，本领域的技术人员可以对本申请进行各种改动和变型而不脱离本申请的精神和范围。这样，倘若本申请的这些修改和变型属于本申请权利要求及其等同技术的范围之内，则本申请也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (12)

1.一种发光基板的制备方法，其特征在于，包括：
获取待形成的发光基板的基准参数；
根据待形成的所述发光基板的基准参数，确定待形成的所述发光基板的目标制备参数；
根据确定出的所述目标制备参数，形成对应的发光基板。
2.如权利要求1所述的发光基板的制备方法，其特征在于，所述基准参数包括：所述待形成的发光基板的尺寸、灯条数和固定孔规格；所述目标制备参数包括所述待形成的发光基板中的灯区的数量；
所述根据待形成的所述发光基板的基准参数，确定待形成的所述发光基板的目标制备参数，包括：根据所述待形成发光基板的尺寸、灯条数和固定孔规格，确定所述待形成的发光基板中的灯区的数量；
所述根据确定出的所述目标制备参数，形成对应的发光基板，包括：根据确定出的所述灯区的数量，在待形成的发光基板中的每个灯条上划分出灯区。
3.如权利要求2所述的发光基板的制备方法，其特征在于，所述基准参数还包括：预先确定的每个灯区中包含的微型发光二极管的数量和微型发光二极管的型号：所述目标制备参数还包括待形成的所述发光基板中每个灯区设置的微型发光二极管的数量以及每个灯区中的微型发光二极管的连接关系；
所述根据待形成的所述发光基板的基准参数，确定待形成的所述发光基板的目标制备参数，包括：根据所述预先确定的每个灯区中包含的微型发光二极管的数量，确定待形成的所述发光基板中每个灯区设置的微型发光二极管的数量以及每个灯区中的微型发光二极管的连接关系；
所述根据确定出的所述目标制备参数，形成对应的发光基板，还包括：
根据确定出的每个灯区设置的微型发光二极管的数量以及每个灯区中的微型发光二极管的连接关系，在待形成的发光基板中的每个灯条上划分出的灯区中，形成相应的微型发光二极管。
4.如权利要求3所述的发光基板的制备方法，其特征在于，所述每个灯区中的微型发光二极管的连接关系包括：
各所述灯区包括M行N列的微型发光二极管，且同一灯区中的微型发光二极管串联连接；其中，M为大于0的整数，N为大于0的整数。
5.如权利要求3所述的发光基板的制备方法，其特征在于，所述基准参数还包括：待形成的所述发光基板的目标亮度；所述目标制备参数还包括与待形成的所述发光基板相连的驱动芯片的数量及每个所述驱动芯片对应连接的灯区的数量；
所述根据待形成的所述发光基板的基准参数，确定待形成的所述发光基板的目标制备参数，包括：
根据待形成的所述发光基板的目标亮度，确定待形成的所述发光基板工作时的工作功率；
根据一个所述灯区中包含的微型发光二极管的数量及微型发光二极管的型号对应的发光电压，确定一个所述灯区所需的供电电压；
根据确定出的所述工作功率和所述供电电压，确定与待形成的所述发光基板相连的驱动芯片的数量及每个所述驱动芯片对应连接的灯区的数量；
所述根据确定出的所述目标制备参数，形成对应的发光基板，还包括：
根据确定出的驱动芯片的数量及每个所述驱动芯片对应连接的灯区的数量，将发光基板连接上驱动芯片。
6.如权利要求5所述的发光基板的制备方法，其特征在于，所述根据确定出的所述工作功率和所述供电电压，确定与待形成的所述发光基板相连的驱动芯片的数量及每个所述驱动芯片对应连接的灯区的数量，包括：
根据所述工作功率和所述供电电压，确定供电电流；
根据所述供电电流、所述驱动芯片的输出电流以及待形成的所述发光基板的灯区的数量，确定一个所述驱动芯片对应连接的灯区的数量及与待形成的所述发光基板相连的驱动芯片的数量。
7.如权利要求5所述的发光基板的制备方法，其特征在于，所述目标制备参数还包括所需的供电电源的输出电压和数量；
在所述确定一个所述灯区所需的供电电压之后，还包括：
根据所述供电电压，确定所需的供电电源的输出电压和所需的供电电源的数量；
所述根据确定出的所述目标制备参数，形成对应的发光基板，还包括：
根据确定出的所需的供电电源的输出电压和数量，将发光基板连接上供电电源。
8.如权利要求7所述的发光基板的制备方法，其特征在于，在确定预先获取的供电电源的输出电压与所述供电电压相同时，将与所述供电电压相同的输出电压确定为所需的供电电源的输出电压，且所需的供电电源的数量为至少一个；
在确定预先获取的供电电源的输出电压与所述供电电压不相同时，从预先获取的供电电源中选取一个供电电源，并同时获取电压转换电路的转换电压，以将选取的所述供电电源的输出电压和获取的所述电压转换电路的转换电压，确定为所需的供电电源的输出电压，且所需的供电电源的数量为至少两个。
9.如权利要求8所述的发光基板的制备方法，其特征在于，所述基准参数还包括：微控制芯片的型号和主控芯片的型号；所述目标制备参数还包括微控制芯片的数量和主控芯片的数量；
所述根据待形成的所述发光基板的基准参数，确定待形成的所述发光基板的目标制备参数，包括：根据所述微控制芯片的型号和主控芯片的型号，确定待形成的所述发光基板所需的微控制芯片的数量和主控芯片的数量；
所述根据确定出的所述目标制备参数，形成对应的发光基板，包括：
根据确定出的所述微控制芯片的数量和所述主控芯片的数量，将所述发光基板连接上所述微控制芯片和所述主控芯片。
10.一种发光基板的驱动方法，其特征在于，包括：
驱动所述发光基板中的至少部分灯区分时发光；
其中，所述发光基板采用如权利要求1-9任一项所述的制备方法制备完成的。
11.一种发光基板，其特征在于，所述发光基板采用如权利要求1-9任一项所述的制备方法制备完成。
12.一种显示装置，其特征在于，包括：显示面板和如权利要求11所述的发光基板。
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