CN114488624B - 一种硅基液晶及光波长选择开关 - Google Patents

一种硅基液晶及光波长选择开关 Download PDF

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Abstract

本发明涉及半导体光通信技术领域，公开了一种硅基液晶及光波长选择开关，CMOS基板；像素金属层，所述像素金属层设于CMOS基板上；液晶盒，所述液晶盒还包括：边框胶、第一取向层、液晶层和第二取向层，所述液晶盒厚度为2.4‑2.8μm，所述第一取向层与第二取向层厚度相同，所述边框胶内部混合有衬垫珠，本发明通过控制液晶盒的厚度以及液晶的预倾角，使得硅基液晶能够在较低的光透过率的情况下，得到较高的对比度，使得在硅基液晶处于开启状态时，对比度达到500以上，保证了硅基液晶能够得到良好的显示颜色，同时在硅基液晶处于关闭状态时，减少了硅基液晶的漏光。

Description

一种硅基液晶及光波长选择开关
技术领域
本发明涉及半导体光通信技术领域，具体为一种硅基液晶及光波长选择开关。
背景技术
硅基液晶是一种新型的反射式微液晶投影技术，它采用涂有液晶硅的CMOS集成电路芯片作为反射式LCD的基片。波长选择开关（WSS）它的端口结构为1×K（1进K出），拥有一个输入端口和K个输出端口。WSS采用光开关阵列，可以将波长信号分插到任意通道进行传输。目前主流的WSS光开关方案有三种，分别是MEMS（微机电系统）、LC（液晶）和LCoS（硅基液晶）。其中硅基液晶方案支持灵活栅格功能，支持可变channel宽度以及超级通道。
在硅基液晶处于开启状态时，为保证良好的颜色显示性能，对比度较高，但是当对比度较高时，光的透过率增加，这时硅基液晶处于关闭状态时，硅基液晶会出现漏光现象，硅基液晶的开态与关态之间难以达到平衡，从而影响硅基液晶的对比度和显示颜色性能。
发明内容
本发明的目的在于提供一种硅基液晶及光波长选择开关，以解决上述背景技术中提出的硅基液晶的开态与关态之间难以达到平衡，从而影响硅基液晶的对比度和显示颜色性能的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种硅基液晶，包括：
CMOS基板；
像素金属层，所述像素金属层设于CMOS基板上；
液晶盒，所述液晶盒位于像素金属层上方，所述液晶盒还包括：边框胶、第一取向层、液晶层和第二取向层，所述液晶盒厚度为2.4微米～2.8微米，所述第一取向层与第二取向层厚度相同，所述边框胶内部混合有衬垫珠，所述衬垫珠的直径为2.4微米～2.8微米，所述液晶层的预倾角为3度-6度；
ITO玻璃，所述ITO玻璃设于液晶盒上。
优选的，所述ITO玻璃上刻有金光栅，所述ITO玻璃与金光栅之间设有薄钛层。
优选的，硅基液晶其制备方法包括以下步骤：
S1：ITO玻璃处理，通过电子束光刻在ITO玻璃上金光栅；
S2：CMOS基板处理，在下玻璃基板上溅射一层与其面积相等、厚度为50nm的铝电极，在铝层上面涂覆二氧化硅氧化物；
S3：涂覆光控取向剂SD1，将CMOS基板放在匀胶机托盘中心，然后滴入适量取向剂，启动匀胶机，在800r/min的转速下旋涂5〜10s,使溶液均匀铺开；然后在3000r/min的转速下旋涂5min，同样的方法进行ITO玻璃底部取向剂的涂覆；
S4：将旋涂后的CMOS基板以及ITO玻璃水平置于控温热台上，进行退火，退火的温度为100°C，时间为10〜12min；
S5：液晶取向，通过摩擦使液晶分子的取向完全一致；
S6：静电除尘；
S7：调配边框胶；通过搅拌器对衬垫珠与边框胶进行混合，混合完成后装入真空箱中进行抽真空去除气泡；
S8：涂覆边框胶，通过涂胶机对ITO玻璃底部边缘进行涂覆上述步骤中的边框胶，涂覆完成后放置在加热板上50-60℃初步固化；
S9：ITO玻璃与CMOS基板贴合，涂胶完成后将CMOS基板对准贴合；贴合完成后放入真空箱中真空压合，压力70Kpa加压15分钟；
S10：边框胶固化，真空压合后的CMOS基板与ITO玻璃放入紫外固化仪器中固化；
S11：液晶灌装，液晶盒与液晶材料置于真空环境，将液晶盒封口处接触液晶面，然后恢复到大气压状态，利用液晶的毛细现象和压力差，平缓地将液晶注入液晶盒内。
优选的，所述薄钛层厚度为8纳米～12纳米。
优选的，所述CMOS基板由硅晶圆、CMOS驱动电路层和二氧化硅氧化物层组成，硅晶圆位于底层，CMOS驱动电路层位于硅晶圆与二氧化硅氧化物层之间。
优选的，所述衬垫珠与边框胶的质量配比为1：100。
优选的，所述CMOS基板上二氧化硅氧化物层的厚度为600纳米～800纳米。
优选的，所述第一取向层与第二取向层均采用含硅PI材料制成。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
本发明通过设置的CMOS基板、ITO玻璃以及液晶盒，通过控制液晶盒的厚度以及液晶的预倾角，使得硅基液晶能够在较低的光透过率的情况下，得到较高的对比度，使得在硅基液晶处于开启状态时，对比度达到500以上，保证了硅基液晶能够得到良好的显示颜色，同时在硅基液晶处于关闭状态时，减少了硅基液晶的漏光。
附图说明
图1为本发明硅基液晶轴测结构图；
图2为本发明光波长选择开关原理图；
图3为本发明硅基液晶剖视结构示意图；
图4为本发明硅基液晶相位控制示意图；
图5为本发明盒厚变化对液晶盒对比度的影响折线图；
图6为本发明预倾角变化对阈值电压、关断电压以及对比度的影响折线图。
图中：1-CMOS基板；2-像素金属层；3-边框胶；4-ITO玻璃；5-第一取向层；6-第二取向层；7-液晶层；8-衬垫珠。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1-图6，本发明提供一种技术方案：一种硅基液晶及光波长选择开关，一种硅基液晶，包括：
CMOS基板1；
像素金属层2，所述像素金属层设于CMOS基板上；
液晶盒，所述液晶盒位于像素金属层2上方，所述液晶盒还包括：边框胶3、第一取向层5、液晶层7和第二取向层6，所述液晶盒厚度为2.4微米～2.8微米，所述第一取向层5与第二取向层6厚度相同，所述边框胶3内部混合有衬垫珠8，所述衬垫珠8的直径为2.4微米～2.8微米，所述液晶层7的预倾角为3度～6度。
ITO玻璃4，所述ITO玻璃4设于液晶盒上，所述ITO玻璃4上刻有金光栅，所述ITO玻璃4与金光栅之间设有薄钛层。通过在ITO玻璃4上电刻金光栅，代替原有的一个反光镜，在进行光波长选择开关使用时，通过施加电场，改变液晶的倾角，从而改变不同波长射入硅基液晶上的折射角，使得不同波长的光折射路径发生改变，实现光波长的选择，信号输入光纤后，无需再经过一光栅基的波分复用器，将各个波长按空间不同位置解复用开，直接利用ITO玻璃4上的光栅进行波长的分解复用，节省空间，减少信号的传输路径，反应更加迅速。
硅基液晶制备方法包括以下步骤：
S1：ITO玻璃4处理，通过电子束光刻在ITO玻璃4上金光栅，使用10nm厚的薄钛层来增加金和ITO玻璃4之间的黏附力；
S2：CMOS基板1处理，在下玻璃基板上溅射一层与其面积相等、厚度为50nm的铝电极，在铝层上面涂覆二氧化硅氧化物；
S3：涂覆光控取向剂SD1，将CMOS基板1放在匀胶机托盘中心，然后滴入适量取向剂，启动匀胶机，在800r/min的转速下旋涂5〜10s,使溶液均匀铺开；然后在3000r/min的转速下旋涂5min，同样的方法进行ITO玻璃4底部取向剂的涂覆，为了能有足够薄的取向层厚度，可适当降低SD1浓度，增加转速；
S4：将旋涂后的CMOS基板1以及ITO玻璃4水平置于控温热台上，进行退火，退火的温度为100°C，时间为10〜12min；
S5：液晶取向，通过摩擦使液晶分子的取向完全一致；
S6：静电除尘；
S7：调配边框胶3；通过搅拌器对衬垫珠8与边框胶3进行混合，混合完成后装入真空箱中进行抽真空去除气泡；
S8：涂覆边框胶3，通过涂胶机对ITO玻璃4底部边缘进行涂覆上述步骤中的边框胶3，涂覆完成后放置在加热板上50-60℃初步固化；
S9：ITO玻璃4与CMOS基板1贴合，涂胶完成后将CMOS基板1对准贴合；贴合完成后放入真空箱中真空压合，压力70Kpa加压15分钟；
S10：边框胶3固化，真空压合后的CMOS基板1与ITO玻璃4放入紫外固化仪器中固化；
S11：液晶灌装，液晶盒与液晶材料置于真空环境，将液晶盒封口处接触液晶面，然后恢复到大气压状态，利用液晶的毛细现象和压力差，平缓地将液晶注入液晶盒内。
ITO玻璃4上薄钛层厚度为8-12nm，CMOS基板1由硅晶圆、CMOS驱动电路层以及二氧化硅氧化物层组成，硅晶圆位于底层，CMOS驱动电路层位于硅晶圆与二氧化硅氧化物层之间，衬垫珠8与边框胶3的质量配比为1：100，CMOS基板1上二氧化硅氧化物的厚度为600-800nm，第一取向层5与第二取向层6材质为含硅PI（聚酰亚胺）。
请一并参阅图5：图5为本发明盒厚变化对液晶盒对比度的影响折线图；
由图5中看出液晶盒厚度即盒厚在2.1〜3.1微米变化时，随着盒厚的增加，对比度呈先增大后减小的趋势，盒厚在2.6微米时对比度出现最大值。盒厚选择2.4微米～2.8微米可以得到较高对比度，由此硅基液晶能够在开启状态下得到较好的颜色显示效果。
请一并参阅图6：图6为本发明预倾角变化对阈值电压、关断电压以及对比度的影响折线图；
光线垂直液晶面入射本发明的硅基液晶相对透过率(以不加电场时的透过率为100%)。
阈值电压：透过率为90%时的驱动电压；
关断电压：透过率为10%时的驱动电压。
由图6中看出随着预倾角的增加，关断电压和阈值电压同时变小，对比度增大。预倾角从２°增加至８°时，关断电压降低了5％，阈值电压降低了13.5％，而同电压下的对比度则提高了100，预倾角在3-6度时，阈值电压与关断电压的差值较小。
本发明通过控制液晶盒厚度为2.4微米～2.8微米，控制液晶层7的预倾角为3度～6度，在硅基液晶处于开启状态时，对比度达到了500以上，对于硅基液晶关闭状态来说，硅基液晶对光的反射率减小，在关闭状态下硅基液晶的漏光减小，使得硅基液晶的开态与关态之间达到平衡，从而同时保证硅基液晶的对比度和显示颜色性能。
需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。

Claims (7)

1.一种硅基液晶，其特征在于：包括：
CMOS基板；
像素金属层，所述像素金属层设于CMOS基板上；
液晶盒，所述液晶盒位于像素金属层上方，所述液晶盒还包括：边框胶、第一取向层、液晶层和第二取向层，所述液晶盒厚度为2.4微米～2.8微米，所述第一取向层与第二取向层厚度相同，所述边框胶内部混合有衬垫珠，所述衬垫珠的直径为2.4微米～2.8微米，所述液晶层的预倾角为3度-6度；
ITO玻璃，所述ITO玻璃设于液晶盒上，
所述ITO玻璃上刻有金光栅，所述ITO玻璃与金光栅之间设有薄钛层，
其制备方法包括以下步骤：
S1：ITO玻璃处理，通过电子束在ITO玻璃光刻上金光栅；
S2：CMOS基板处理，在下玻璃基板上溅射一层与其面积相等、厚度为50nm的铝电极，在铝层上面涂覆二氧化硅氧化物；
S3：涂覆光控取向剂SD1，将CMOS基板放在匀胶机托盘中心，然后滴入适量取向剂，启动匀胶机，在800r/min的转速下旋涂5〜10s,使溶液均匀铺开；然后在3000r/min的转速下旋涂5min，同样的方法进行ITO玻璃底部取向剂的涂覆；
S4：将旋涂后的CMOS基板以及ITO玻璃水平置于控温热台上，进行退火，退火的温度为100°C，时间为10〜12min；
S5：液晶取向，通过摩擦使液晶分子的取向完全一致；
S6：静电除尘；
S7：调配边框胶；通过搅拌器对衬垫珠与边框胶进行混合，混合完成后装入真空箱中进行抽真空去除气泡；
S8：涂覆边框胶，通过涂胶机对ITO玻璃底部边缘进行涂覆上述步骤中的边框胶，涂覆完成后放置在加热板上50-60℃初步固化；
S9：ITO玻璃与CMOS基板贴合，涂胶完成后将CMOS基板对准贴合；贴合完成后放入真空箱中真空压合，压力70Kpa加压15分钟；
S10：边框胶固化，真空压合后的CMOS基板与ITO玻璃放入紫外固化仪器中固化；
S11：液晶灌装，液晶盒与液晶材料置于真空环境，将液晶盒封口处接触液晶面，然后恢复到大气压状态，利用液晶的毛细现象和压力差，平缓地将液晶注入液晶盒内。
2.根据权利要求1所述的一种硅基液晶，其特征在于：所述薄钛层厚度为8纳米～12纳米。
3.根据权利要求1所述的一种硅基液晶，其特征在于：所述CMOS基板由硅晶圆、CMOS驱动电路层和二氧化硅氧化物层组成，硅晶圆位于底层，CMOS驱动电路层位于硅晶圆与二氧化硅氧化物层之间。
4.根据权利要求1所述的一种硅基液晶，其特征在于：所述衬垫珠与边框胶的质量配比为1：100。
5.根据权利要求1所述的一种硅基液晶，其特征在于：所述CMOS基板上二氧化硅氧化物层的厚度为600纳米～800纳米。
6.根据权利要求1所述的一种硅基液晶，其特征在于：所述第一取向层与第二取向层均采用含硅PI材料制成。
7.一种光波长选择开关，其特征在于：包括如权利要求1至6任一项所述的硅基液晶。
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004038202A (ja) * 2001-06-26 2004-02-05 Sony Corp プロジェクション光学システム及びプロジェクションディスプレイシステム
JP2004102297A (ja) * 2001-06-26 2004-04-02 Sony Corp プロジェクションディスプレイシステム及び表示装置
CN201707522U (zh) * 2010-05-07 2011-01-12 河北工业大学 一种高对比度和快速响应的液晶光阀
CN107238961A (zh) * 2017-07-21 2017-10-10 京东方科技集团股份有限公司 一种触摸显示面板及显示装置
CN110729372A (zh) * 2019-09-29 2020-01-24 苏州大学 一种基于嵌入式光栅结构的窄带近红外热电子光电探测器
CN211123547U (zh) * 2019-12-30 2020-07-28 鞍山晶诚电子有限公司 一种无偏光片tn型液晶显示器

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7106401B2 (en) * 2001-06-26 2006-09-12 Sony Corporation Reflex liquid crystal display device, display apparatus, projection optical system, and projection display system
US20040165128A1 (en) * 2003-02-26 2004-08-26 Three-Five Systems, Inc. Vertically aligned nematic mode liquid crystal display having large tilt angles and high contrast
EP3677959A4 (en) * 2017-09-26 2020-08-26 Huawei Technologies Co., Ltd. WAVELENGTH SELECTIVE SWITCH, METHOD OF DETECTING ORIENTATION, LIQUID CRYSTAL ON SILICON AND MANUFACTURING METHOD

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004038202A (ja) * 2001-06-26 2004-02-05 Sony Corp プロジェクション光学システム及びプロジェクションディスプレイシステム
JP2004102297A (ja) * 2001-06-26 2004-04-02 Sony Corp プロジェクションディスプレイシステム及び表示装置
CN201707522U (zh) * 2010-05-07 2011-01-12 河北工业大学 一种高对比度和快速响应的液晶光阀
CN107238961A (zh) * 2017-07-21 2017-10-10 京东方科技集团股份有限公司 一种触摸显示面板及显示装置
CN110729372A (zh) * 2019-09-29 2020-01-24 苏州大学 一种基于嵌入式光栅结构的窄带近红外热电子光电探测器
CN211123547U (zh) * 2019-12-30 2020-07-28 鞍山晶诚电子有限公司 一种无偏光片tn型液晶显示器

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