CN114486814A - 一种基于光电探测器的浊度测试系统的构建方法 - Google Patents
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- 238000012360 testing method Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 238000010276 construction Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims abstract description 7
- 229910016001 MoSe Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 25
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims description 14
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 11
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 11
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 8
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 7
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 claims description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 claims description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 4
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 4
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 claims description 4
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 7
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- FRIKWZARTBPWBN-UHFFFAOYSA-N [Si].O=[Si]=O Chemical compound [Si].O=[Si]=O FRIKWZARTBPWBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 4
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 4
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910017299 Mo—O Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000003651 drinking water Substances 0.000 description 2
- 235000020188 drinking water Nutrition 0.000 description 2
- 241000894006 Bacteria Species 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 230000008094 contradictory effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000313 electron-beam-induced deposition Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 230000003203 everyday effect Effects 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000008239 natural water Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000000790 scattering method Methods 0.000 description 1
- 239000013049 sediment Substances 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- -1 silt Substances 0.000 description 1
- 238000004659 sterilization and disinfection Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 239000008399 tap water Substances 0.000 description 1
- 235000020679 tap water Nutrition 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- 238000004879 turbidimetry Methods 0.000 description 1
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/47—Scattering, i.e. diffuse reflection
- G01N21/49—Scattering, i.e. diffuse reflection within a body or fluid
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
本发明公开了一种基于光电探测器的浊度测试系统的构建方法，属于浊度测试技术领域，目的在于提供一种基于光电探测器的浊度测试系统的构建方法，解决现有浊度测试系统检测不便、检测时间地点受控制的问题。其包括MoSe2‑O2光电探测器、照明源、激光驱动器、探测器驱动器、低噪声放大器，所述低噪声放大器和探测器驱动器均与MoSe2‑O2光电探测器电信号连接，所述激光驱动器与照明源电信号连接。本发明适用于光电探测器浊度测试系统。
Description
技术领域
本发明属于浊度测试技术领域，具体涉及一种基于光电探测器的浊度测试系统的构建方法。
背景技术
天然水的浊度是由于水中含有泥沙、粘土、细微的有机物、无机物以及浮游生物等悬浮物所造成。而饮用水的浊度多是由水源水中悬浮颗粒物未经适当滤除或者是配水系统中沉积物重新悬浮起来而造成的。浊度为感官性指标，浊度过高会引起用户对自来水的不信任感。另外，浊度过高容易促进细菌的生长繁殖，并影响消毒效果，从而对饮用水安全造成威胁。因此对浊度的测量在日常生活中发挥着越来越重要的作用。常用的浊度检测方法有90°散射法与目视比浊法。其中90°散射法人为误差更小，检测更精确，被广泛地应用在水体浊度的检测当中。在相同条件下用福尔马肼标准混悬液散射光的强度和水样散射光的强度进行比较。散射光的强度越大，表示浑浊度越高。这种检测方法需要对测试样品进行比较，且检测时间和地点需要严格控制。另外对光散射的检测条件又提出更高的要求，需要在封闭的暗室下进行测量。因此需要制备更加方便的系统用于浊度的检测。
发明内容
本发明的目的在于：提供一种基于光电探测器的浊度测试系统的构建方法，解决现有浊度测试系统检测不便、检测时间地点受控制的问题。
本发明采用的技术方案如下：
一种基于光电探测器的浊度测试系统的构建方法，包括以下步骤：
S1、使用透明胶带将机械剥离的MoSe2薄片转移到衬底上，首先通过光刻对衬底进行图案化处理，然后通过电子束在衬底上沉积金电极，并通过丙酮洗去未图案化电极部分，得到MoSe2光电器件，光刻时采用反刻胶对衬底进行图案化处理，分别进行4.5秒的前曝和90秒的泛曝，电子束沉积在衬底上金电极厚度为60nm，沉积速率为20nm/h；
S2、将步骤1将所制备的光电器件在氩气气氛中进行退火处理，退火温度300℃，退火时间3个小时，升温速率20℃/min；
S3、再通过反应离子刻蚀机在MoSe2光电器件的MoSe2薄片上进行O2等离子体处理，为了防止在MoSe2纳米片上过度蚀刻，MoSe2薄片被处理两次，每次O2等离子体处理15秒，间隔10秒，最终制得MoSe2-O2光电探测器；
S4、再将照明源、激光驱动器、MoSe2-O2光电探测器、探测器驱动器和低噪声放大器联合搭建浊度测试系统。
在上述方案中，所述步骤S2中，进行O2等离子体处理时，控制反应离子刻蚀机的压力为470m Torr，氧气流量为5sccm，功率为20mW。
在上述方案中，所述衬底为二氧化硅-硅衬底(SiO2/Si)。
在上述方案中，所述步骤S4中，低噪声放大器和探测器驱动器均与MoSe2-O2光电探测器电信号连接，所述激光驱动器与照明源电信号连接。
综上所述，由于采用了上述技术方案，本发明的有益效果是：
1、本发明中，对MoSe2薄片进行O2等离子体处理后，氧原子被化学吸附在MoSe2的表面上形成Mo-O和Se-O键，键合的氧原子提供富电子的气氛，可以有效地减少本征硒空位，调节MoSe2的本征性质，从而降低带隙，增强光吸收。得益于Se-Mo亚晶格中O原子的微扰,收缩了带隙能量，MoSe2-O2光电探测器具有更好的近红外响应，除了可见光检测外，MoSe2-O2光电探测器的响应光谱可以进一步扩展到近红外(λ＝980nm)，使其可以在近红外(NI R)区域工作。
2、本发明中，将所制备的器件在300℃的氩气气氛中退火，有效改善了金电极和MoSe2之间的欧姆接触。
3、本发明中，MoSe2-O2光电探测器得益于Se-Mo亚晶格中O原子的微扰，MoSe2-O2光电探测器的响应光谱可以进一步扩展到近红外，由于近红外穿光穿透能力相对于较强，可极好的用于浊度的探测，尤其是在高浓度的情况下。利用入射光通过不同浓度的浊度溶液时的光散射现象，基于MoSe2-O2光电探测器的浊度测试系统可以精确测量浊度，探测浊度的浓度范围为0～4000NTU，在高浊度浓度下实现了约100NTU的更高分辨率测量，具有很大的应用潜力。
附图说明
图1为本发明MoSe2-O2光电探测器件图；
图2为本发明浊度测试系统的示意图；
图3为本发明浊度测试系统实物演示图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
应注意到：标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该发明产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明的简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
此外，术语“水平”、“竖直”等术语并不表示要求部件绝对水平或悬垂，而是可以稍微倾斜。如“水平”仅仅是指其方向相对“竖直”而言更加水平，并不是表示该结构一定要完全水平，而是可以稍微倾斜。
在本发明的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接或一体地连接；可以使机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个原件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
一种基于光电探测器的浊度测试系统的构建方法，包括以下步骤：
S1、使用透明胶带将机械剥离的MoSe2薄片转移到衬底上，首先通过光刻对衬底进行图案化处理，然后通过电子束在衬底上沉积金电极，并通过丙酮洗去未图案化电极部分，得到MoSe2光电器件，光刻时采用反刻胶对衬底进行图案化处理，分别进行4.5秒的前曝和90秒的泛曝，电子束沉积在衬底上金电极厚度为60nm，沉积速率为20nm/h；
S2、将步骤1将所制备的光电器件在氩气气氛中进行退火处理，退火温度300℃，退火时间3个小时，升温速率20℃/min；
S3、再通过反应离子刻蚀机在MoSe2光电器件的MoSe2薄片上进行O2等离子体处理，为了防止在MoSe2纳米片上过度蚀刻，MoSe2薄片被处理两次，每次O2等离子体处理15秒，间隔10秒，最终制得MoSe2-O2光电探测器；
S4、再将照明源、激光驱动器、MoSe2-O2光电探测器、探测器驱动器和低噪声放大器联合搭建浊度测试系统。
进一步地，所述步骤S2中，进行O2等离子体处理时，控制反应离子刻蚀机的压力为470m Torr，氧气流量为5sccm，功率为20mW。
进一步地，所述衬底为二氧化硅-硅衬底(SiO2/Si)。
进一步地，所述步骤S4中，低噪声放大器和探测器驱动器均与MoSe2-O2光电探测器电信号连接，所述激光驱动器与照明源电信号连接。
本发明在实施过程中，使用透明胶带将机械剥离的MoSe2薄片转移到二氧化硅-硅衬底上，然后分别通过光刻和电子束沉积对金电极进行图案化和沉积。为了改善金电极和MoSe2之间的欧姆接触，将所制备的器件在300℃的氩气气氛中退火。最后通过反应离子刻蚀机在MoSe2薄片上进行O2等离子体处理。反应离子刻蚀机的压力、氧气流量和功率分别为470m Torr、5sccm和20mW。压力、氧流量和功率的控制可以保证MoSe2不被过度刻蚀，而是对MoSe2内部缺陷的钝化。由于Mo-O和Se-O键形成的氧化层还起到保护层的作用，防止空气中的氧气和水分与内部MoSe2发生反应。，防止空气中的氧气和水分与内部MoSe2发生反应。同时，得益于Se-Mo亚晶格中O原子的微扰收缩的带隙能量，MoSe2-O2光电探测器具有更好的近红外响应，除了可见光检测外，MoSe2-O2光电探测器的响应光谱可以进一步扩展到近红外(λ＝980nm)，使其可以在近红外(NI R)区域工作。
MoSe2-O2光电探测器得益于Se-Mo亚晶格中O原子的微扰，MoSe2-O2光电探测器的响应光谱可以进一步扩展到近红外，由于近红外穿光穿透能力相对于较强，可极好的用于浊度的探测，尤其是在高浓度的情况下。利用入射光通过不同浓度的浊度溶液时的光散射现象，基于MoSe2-O2光电探测器的浊度测试系统可以精确测量浊度，探测浊度的浓度范围为0～4000NTU，在高浊度浓度下实现了约100NTU的更高分辨率测量，具有很大的应用潜力。
实施例1
一种基于光电探测器的浊度测试系统的构建方法，包括以下步骤：
S1、使用透明胶带将机械剥离的MoSe2薄片转移到衬底上，首先通过光刻对衬底进行图案化处理，然后通过电子束在衬底上沉积金电极，并通过丙酮洗去未图案化电极部分，得到MoSe2光电器件，光刻时采用反刻胶对衬底进行图案化处理，分别进行4.5秒的前曝和90秒的泛曝，电子束沉积在衬底上金电极厚度为60nm，沉积速率为20nm/h；
S2、将步骤1将所制备的光电器件在氩气气氛中进行退火处理，退火温度300℃，退火时间3个小时，升温速率20℃/min；
S3、再通过反应离子刻蚀机在MoSe2光电器件的MoSe2薄片上进行O2等离子体处理，为了防止在MoSe2纳米片上过度蚀刻，MoSe2薄片被处理两次，每次O2等离子体处理15秒，间隔10秒，最终制得MoSe2-O2光电探测器；
S4、再将照明源、激光驱动器、MoSe2-O2光电探测器、探测器驱动器和低噪声放大器联合搭建浊度测试系统。
实施例2
在实施例1的基础上，所述步骤S2中，进行O2等离子体处理时，控制反应离子刻蚀机的压力为470m Torr，氧气流量为5sccm，功率为20mW。
实施例3
在实施例1的基础上，所述衬底为二氧化硅-硅衬底(SiO2/Si)。
实施例4
在实施例1的基础上，所述步骤S4中，低噪声放大器和探测器驱动器均与MoSe2-O2光电探测器电信号连接，所述激光驱动器与照明源电信号连接。
如上所述即为本发明的实施例。前文所述为本发明的各个优选实施例，各个优选实施例中的优选实施方式如果不是明显自相矛盾或以某一优选实施方式为前提，各个优选实施方式都可以任意叠加组合使用，所述实施例以及实施例中的具体参数仅是为了清楚表述发明人的发明验证过程，并非用以限制本发明的专利保护范围，本发明的专利保护范围仍然以其权利要求书为准，凡是运用本发明的说明书及附图内容所作的等同结构变化，同理均应包含在本发明的保护范围内。
Claims (4)
1.一种基于光电探测器的浊度测试系统的构建方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、使用透明胶带将机械剥离的MoSe2薄片转移到衬底上，首先通过光刻对衬底进行图案化处理，然后通过电子束在衬底上沉积金电极，并通过丙酮洗去未图案化电极部分，得到MoSe2光电器件，光刻时采用反刻胶对衬底进行图案化处理，分别进行4.5秒的前曝和90秒的泛曝，电子束沉积在衬底上金电极厚度为60nm，沉积速率为20nm/h；
S2、将步骤1将所制备的光电器件在氩气气氛中进行退火处理，退火温度300℃，退火时间3个小时，升温速率20℃/min；
S3、再通过反应离子刻蚀机在MoSe2光电器件的MoSe2薄片上进行O2等离子体处理，为了防止在MoSe2纳米片上过度蚀刻，MoSe2薄片被处理两次，每次O2等离子体处理15秒，间隔10秒，最终制得MoSe2-O2光电探测器；
S4、再将照明源、激光驱动器、MoSe2-O2光电探测器、探测器驱动器和低噪声放大器联合搭建浊度测试系统。
2.按照权利要求1所述的一种基于光电探测器的浊度测试系统的构建方法，其特征在于，所述步骤S2中，进行O2等离子体处理时，控制反应离子刻蚀机的压力为470m Torr，氧气流量为5sccm，功率为20mW。
3.按照权利要求1所述的一种基于光电探测器的浊度测试系统的构建方法，其特征在于，所述衬底为SiO2/Si衬底。
4.按照权利要求1所述的一种基于光电探测器的浊度测试系统的构建方法，所述步骤S4中，低噪声放大器和探测器驱动器均与MoSe2-O2光电探测器电信号连接，所述激光驱动器与照明源电信号连接。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN202210035563.9A CN114486814B (zh) | 2022-01-13 | 2022-01-13 | 一种基于光电探测器的浊度测试系统的构建方法 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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Citations (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103499539A (zh) * | 2013-09-25 | 2014-01-08 | 中国农业大学 | 基于光学原理的水产养殖浊度探测仪以及方法 |
| CA2835397A1 (en) * | 2012-12-19 | 2014-06-19 | Mabe, S.A. De C.V. | Easy clean coating applied on stainless steel metallic surfaces used in the manufacture of household appliances |
| CN106053391A (zh) * | 2016-07-22 | 2016-10-26 | 深圳市绿恩环保技术有限公司 | 一种浊度测量方法、装置及浊度计 |
| CN107091820A (zh) * | 2017-06-27 | 2017-08-25 | 成都上甲光电科技有限公司 | 激光散射式水浊度测量仪 |
| WO2018077870A1 (en) * | 2016-10-25 | 2018-05-03 | Trinamix Gmbh | Nfrared optical detector with integrated filter |
| CN108281509A (zh) * | 2018-01-30 | 2018-07-13 | 电子科技大学 | 氧化物半导体基光电探测器及提高其性能的方法 |
| CN108918366A (zh) * | 2018-05-11 | 2018-11-30 | 中国电子科技集团公司第四十九研究所 | 一种基于锁相放大技术的浊度传感器 |
| CN109920863A (zh) * | 2019-01-28 | 2019-06-21 | 电子科技大学 | 窄禁带半导体薄膜、光敏二极管及制备方法 |
| CN110060929A (zh) * | 2019-04-25 | 2019-07-26 | 中南大学 | 一种MoSe2面内同质p-n结的制备方法 |
| CN110887814A (zh) * | 2019-11-28 | 2020-03-17 | 威海诚悦光电科技有限公司 | 一种基于光谱分析的水下浊度检测方法 |
| CN111341918A (zh) * | 2020-03-06 | 2020-06-26 | 电子科技大学 | 一种光电探测器阵列制备方法 |
| CN213580647U (zh) * | 2020-04-28 | 2021-06-29 | 海南聚能科技创新研究院有限公司 | 一种可调节量程双光源水质cod检测传感器 |
| CN113066905A (zh) * | 2021-04-12 | 2021-07-02 | 山东大学 | 一种通过光刻技术制备硒化铟光电探测器的方法 |
| CN113097315A (zh) * | 2021-03-30 | 2021-07-09 | 电子科技大学 | 利用MXene-GaN肖特基结的MSM多量子阱光电探测器及其制备方法 |
-
2022
- 2022-01-13 CN CN202210035563.9A patent/CN114486814B/zh active Active
Patent Citations (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA2835397A1 (en) * | 2012-12-19 | 2014-06-19 | Mabe, S.A. De C.V. | Easy clean coating applied on stainless steel metallic surfaces used in the manufacture of household appliances |
| CN103499539A (zh) * | 2013-09-25 | 2014-01-08 | 中国农业大学 | 基于光学原理的水产养殖浊度探测仪以及方法 |
| CN106053391A (zh) * | 2016-07-22 | 2016-10-26 | 深圳市绿恩环保技术有限公司 | 一种浊度测量方法、装置及浊度计 |
| WO2018077870A1 (en) * | 2016-10-25 | 2018-05-03 | Trinamix Gmbh | Nfrared optical detector with integrated filter |
| CN107091820A (zh) * | 2017-06-27 | 2017-08-25 | 成都上甲光电科技有限公司 | 激光散射式水浊度测量仪 |
| CN108281509A (zh) * | 2018-01-30 | 2018-07-13 | 电子科技大学 | 氧化物半导体基光电探测器及提高其性能的方法 |
| CN108918366A (zh) * | 2018-05-11 | 2018-11-30 | 中国电子科技集团公司第四十九研究所 | 一种基于锁相放大技术的浊度传感器 |
| CN109920863A (zh) * | 2019-01-28 | 2019-06-21 | 电子科技大学 | 窄禁带半导体薄膜、光敏二极管及制备方法 |
| CN110060929A (zh) * | 2019-04-25 | 2019-07-26 | 中南大学 | 一种MoSe2面内同质p-n结的制备方法 |
| CN110887814A (zh) * | 2019-11-28 | 2020-03-17 | 威海诚悦光电科技有限公司 | 一种基于光谱分析的水下浊度检测方法 |
| CN111341918A (zh) * | 2020-03-06 | 2020-06-26 | 电子科技大学 | 一种光电探测器阵列制备方法 |
| CN213580647U (zh) * | 2020-04-28 | 2021-06-29 | 海南聚能科技创新研究院有限公司 | 一种可调节量程双光源水质cod检测传感器 |
| CN113097315A (zh) * | 2021-03-30 | 2021-07-09 | 电子科技大学 | 利用MXene-GaN肖特基结的MSM多量子阱光电探测器及其制备方法 |
| CN113066905A (zh) * | 2021-04-12 | 2021-07-02 | 山东大学 | 一种通过光刻技术制备硒化铟光电探测器的方法 |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| JING XIA 等: "CVD synthesis of large-area, highly crystalline MoSe2 atomic layers on diverse substrates and application to photodetectors", 《NANOSCALE》, vol. 06, no. 15, pages 8949 - 8955 * |
| 刘明雪等: "温和氧气等离子体对薄层二硒化钼的荧光调控", 《原子与分子物理学报》, vol. 35, no. 4, pages 531 - 536 * |
| 刘瑞鹏;刘桥;祁志美;: "基于散射光功率比值测量的抗扰浊度探测器", 《光学精密工程》, vol. 19, no. 06, pages 1221 - 1223 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN114486814B (zh) | 2023-10-27 |
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