CN114485734B - 一种漫反射式光电传感器抗干扰方法、设备及介质 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种漫反射式光电传感器抗干扰方法、设备及介质，所述方法包括：目标传感器获取相邻光电传感器的发射端频率，根据相邻光电传感器的发射端频率，目标光电传感器设置自身的发射端频率，使其与相邻光电传感器的发射端频率不一致；可知，本发明能够控制光电传感器的发射端频率以不同的频率工作，能够避免光电传感器的发射端频率异常，导致信号频率相互干扰，提高工作准确性和效率。

Description

一种漫反射式光电传感器抗干扰方法、设备及介质
技术领域
本发明涉及智能传感器技术领域，具体涉及一种漫反射式光电传感器抗干扰方法、设备及介质。
背景技术
目前，光电传感器在许多的场景中，往往会控制安装间距，避免多个光电传感器的相互干扰。
现有技术中，漫反射式光电传感器为发射器和接收器在同一侧的光电产品，主要是以光为媒体，对发光体与受光体间的光进行接收与转换，通过对相邻的两个漫反射式光电传感器采用不同的信号频率，避免相互干扰，但是存在如下问题：
（1）需要对每一个漫反射式光电传感器的信号频率进行设置，才能避免信号频率相互干扰，但会导致计复杂性且调试复杂性，工作效率低；
（2）当相邻的两个漫反射式光电传感器的检测的时间片差，影响到相邻的两个对射式光电传感器的信号频率差，使得两个漫反射式光电传感器的信号频率相互干扰时，导致工作准确性和效率降低。
发明内容
针对上述技术问题，本发明提供一种漫反射式光电传感器抗干扰方法、设备及介质，将相邻的光电传感器设置为不同的发射端频率，能够使得漫反射式光电传感器，避免信号频率相互干扰时，以提高工作准确性和效率。
本发明采用的技术方案为一种漫反射式光电传感器抗干扰方法，所述方法包括如下步骤：
S100、获取目标光电传感器对应的初始发射端频率K0，K0符合如下条件：
Figure 406002DEST_PATH_IMAGE002
，T是指目标光电传感器对应的发射端信号周期；
S200、基于K0和预设发射端频率K={K1，K2，……，Km}，获取目标光电传感器对应的目标发射端频率，Kj是指第j个预设发射端频率，j=1……m，m为预设发射端频率；
S300、从K中删除目标光电传感器对应的目标发射端频率，构建成中间发射端频率列表；
S400、从中间发射端频率列表中获取任一中间发射端频率作为指定光电传感器的发射端频率，其中，所述指定光电传感器是指与目标光电传感器相邻的光电传感器。
本发明还保护了一种非瞬时性计算机可读存储介质，所述存储介质中存储有至少一条指令或至少一段程序，所述至少一条指令或所述至少一段程序由处理器加载并执行以实现上述的漫反射式光电传感器抗干扰方法。
本发明还保护了一种电子设备，包括处理器和上述的非瞬时性计算机可读存储介质。
本发明至少具有以下技术效果：
（1）通过控制不同光电传感器的发射端频率，实现避免信号频率相互干扰，且降低了设计复杂性且调试复杂性，提高了工作效率低；
（2）在控制不同光电传感器的发射端频率的基础上，还可以结合控制不同光电传感器的检测时间片，一方面，能够避免光电传感器的发射端频率异常，导致信号频率相互干扰，另一方面，实现优化光电传感器的发射光信号，保证在需要大量的光电传感器的场景中，只需要少量的发射端频率，就能够避免光电传感器的发射端频率异常，导致信号频率相互干扰，提高工作准确性和效率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例一提供的一种漫反射式光电传感器抗干扰方法的流程图；
图2为本发明实施例二提供的另一种漫反射式光电传感器抗干扰方法的流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例一
如图1所示，本实施例一提供了一种漫反射式光电传感器抗干扰方法，所述方法包括如下步骤：
S100、获取目标光电传感器对应的初始发射端频率K0，K0符合如下条件：
Figure 797538DEST_PATH_IMAGE004
，T是指目标光电传感器对应的发射端信号周期；目标光电传感器对应的 发射端信号周期为任一目标光电传感器中发射端发射的光信号的周期。
具体地，目标光电传感器是指n个光电传感器中任意一个，每一光电传感器为漫反射式光电传感器，所述漫反射式光电传感器至少包括：位于同一侧的发射端和接收端，以及检测电路，其中，所述发射端用于发射光信号，所述接收端用于接收到经被测物反射回来的光信号，所述检测电路用于将接收端接收的光信号转换成电信号。
优选地，所述目标光电感器中发射端发射的光信号为调制信号。
优选地，n个光电传感器对应的初始发射端频率均相同；能够保证漫反射式光电传感器的采用统一的发射端频率，有利于通过控制漫反射式光电传感器检测的时间片，实现相邻的漫反射式光电传感器的信号频率互不干扰。
具体地，T符合如下条件：
Figure 151159DEST_PATH_IMAGE006
，W为目标光电传感器对应的光信号的角频率。
具体地，在S100步骤中还通过如下步骤获取W：
S101、获取目标光电传感器对应的相位值列表B={B1，B2，……，Bp}，Bq是指目标光电传感器对应的第q个相位值，q=1……p，p为相位值数量且p≥3，Bq符合如下条件：
Bq=H×f(W×Tq+Фq)，其中，H为目标光电传感器对应的光信号的振幅，Фq为目标光电传感器对应的正弦量的初相角，f（）为目标光电传感器对应的相位函数，Tq为Bq对应的时间点；
S103、根据B，获取W，其中，W符合如下条件：
Figure 683772DEST_PATH_IMAGE008
，其中，T1为B1对应的时间点，f '（）为f（）的反函数。
优选地，T1=0ms且B1=0°。
优选地，Фq=0。
S200、基于K0和预设发射端频率K={K1，K2，……，Km}，获取目标光电传感器对应的目标发射端频率，Kj是指第j个预设发射端频率，j=1……m，m为预设发射端频率个数。
具体地，K中所有预设发射端频率互不相同；优选地，K中每一预设发射端频率之间呈非倍数关系，可以理解为：Kj与K中除Kj之外的其他预设发射端频率均不呈倍数关系。
具体地，在S200步骤中还通过如下步骤获取目标光电传感器对应的目标发射端频率：
S201、根据K0和K，获取目标光电传感器对应的发射端频率差列表D={D1，D2，……，Dm}，Dj符合如下条件：
Dj=│K 0- Kj│。
S203、遍历D且当D中最小频率差值的数量≤预设的数量阈值Z0时，获取D中最小频率差值对应的预设发射端频率作为目标光电传感器对应的目标发射端频率。
具体地，Z0=1。
S205、当D中最小频率差值的数量＞Z0时，获取D对应的关键发射端频率列表K'，其中，K'中关键发射端频率是指在D中最小频率差值对应的任一预设发送端频率。
S207、将K'中任一关键发射端频率作为目标光电传感器对应的目标发射端频率，可以理解为：目标传感器将自身的发射端频率设置为K'中任一关键发射端频率。
在另一个具体的实施例中，在S200步骤中还通过如下步骤获取目标光电传感器对应的目标发射端频率：
S201、根据K0和K，获取目标光电传感器对应的发射端频率差列表D={D1，D2，……，Dm}，Dj符合如下条件：
Dj=│K 0- Kj│。
S203、遍历D且当D中最小频率差值的数量≤预设的数量阈值Z0时，获取D中最小频率差值对应的预设发射端频率作为目标光电传感器对应的目标发射端频率。
具体地，Z0=1。
S205、当D中最小频率差值的数量＞Z0时，获取D对应的关键发射端频率列表K'，其中，K'中关键发射端频率是指在D中最小频率差值对应的任一预设发送端频率。
S207、获取指定光电传感器对应的关键发射端频率列表，其中，所述指定光电传感器对应的关键发射端频率列表至少包括第一关键发射端频率列表K'1和第二关键发射端频率列表K'2；优选地，所述第一关键发射端频率列表和第二关键发射端频率列表分别为目标光电传感器两侧的光电传感器的关键发射端频率列表，目标光电传感器两侧的光电传感器为指定光电传感器，即所述指定光电传感器是指与目标光电传感器相邻的光电传感器，所述指定光电传感器对应的关键发射端频率列表的获取方式与目标光电传感器对应的关键发射端频率列表一致，在此不再赘述。
S209、根据指定光电传感器对应的关键发射端频率列表和K'，获取目标光电传感 器对应的目标发射端频率，可以理解为：当指定光电传感器对应的关键发射端频率列表包 括K'1和K'2时，将
Figure 164563DEST_PATH_IMAGE010
中任一关键关键发射端频率作为目标光电传感器对应的目标发射端 频率，可以理解为：目标传感器将自身的发射端频率设置为
Figure 364600DEST_PATH_IMAGE012
中任一关键发射端频率，其 中，
Figure DEST_PATH_IMAGE014
；能够准确的确定出目标光电传感器对应的目标发射端频 率，有利于确定时间间隔，使得相邻的目标光电传感器检测的时间片错开，实现避免信号频 率相互干扰，提高工作效率。
S300、从K中删除目标光电传感器对应的目标发射端频率，构建成中间发射端频率列表。
S400、从中间发射端频率列表中获取任一中间发射端频率作为指定光电传感器的发射端频率。
实施例一提供了一种漫反射式光电传感器抗干扰方法，通过控制不同光电传感器的频率，使得两个不同信号频率的漫反射式光电传感器的信号频率相不干扰，进而提高工作准确性和效率。
实施例二
如图2所示，实施例二提供了一种漫反射式光电传感器抗干扰方法，所述方法除S100-S400之外，还包括如下步骤：
S500、将目标光电传感器对应的指定光电传感器作为中间光电传感器且获取中间光电传感器的关键发射端频率；可以理解为：指定光电传感器的关键发射端频率为中间光电传感器的关键发射端频率。
S600、根据中间光电传感器的关键发射端频率，获取中间光电传感器对应的时间间隔∆T，其中，∆T符合如下条件：
Figure 420281DEST_PATH_IMAGE016
，其中，S为预设参数，T'为中间光电传感器对应的时间段。
具体地，在S600步骤中，中间光电传感器对应的时间段是指基于中间光电传感器对应的关键发射端频率，确定的中间光电传感器对应的发射端信号的发光时间周期。
具体地，在S600步骤中还通过如下步骤获取预设参数：
S601、获取关键时间差
Figure 751774DEST_PATH_IMAGE018
，其中，
Figure 19944DEST_PATH_IMAGE020
符合如下条件：
Figure 74488DEST_PATH_IMAGE022
；
S603、获取初始参数S0且根据S0和
Figure 786223DEST_PATH_IMAGE024
，获取中间光电传感器对应的初始时间间隔 ∆T0，∆T0符合如下条件：
Figure 293428DEST_PATH_IMAGE026
；
S605、当∆T0≤预设的时间间隔阈值∆Ts时，确定S=S0；
S607、当∆T0＞∆Ts时，获取S0=S0+1，以使得当∆T0≤∆T时，确定S=S0。可以理解为：以S0为基础累加1，使得累加后的S0对应的∆T0≤∆Ts，将累加后的S0作为S；能够避免因时间间隔过长，无法错开相邻的目标光电传感器的检测的时间片，导致信号频率相互干扰。
优选地，∆Ts的取值范围为5~15ms，优选地，∆Ts为10ms。
S700、获取中间光电传感器的时间片T0且根据T0和∆T，设置指定关键光电传感的时间片。
具体地，所述中间光电传感器的时间片是指中间光电传感器检测到其他光电传感器的间歇时间周期，其中，所述间歇时间周期是指中间光电传感器对应的发射端频率中除发光时间周期之外的时间周期。
具体地，关键光电传感器是指设置在中间光电传感器上与目标光电传感器相对的一侧的光电传感器。
关键光电传感器的时间片包括：关键光电传感器的第一检测的时间片T0 1和关键光电传感器的第二检测的时间片T0 2。
进一步地，T0 1符合如下条件：
T0 1=T0+∆T。
进一步地，T0 2符合如下条件：
T0 2=T0-∆T。
具体地，n个光电传感器中相邻的光电传感器的检测的时间片间隔均为∆T0。
本实施例二提供了一种漫反射式光电传感器抗干扰方法，在控制不同光电传感器的发射端频率的基础上，还可以结合控制不同光电传感器的检测时间片，一方面，能够避免光电传感器的发射端频率异常，导致信号频率相互干扰，另一方面，实现优化光电传感器的发射光信号，保证在需要大量的光电传感器的场景中，只需要少量的发射端频率，就能够避免光电传感器的发射端频率异常，导致信号频率相互干扰，提高工作准确性和效率。
本发明的实施例还提供了一种非瞬时性计算机可读存储介质，该存储介质可设置于电子设备之中以保存用于实现方法实施例中一种方法相关的至少一条指令或至少一段程序，该至少一条指令或该至少一段程序由该处理器加载并执行以实现上述实施例提供的方法。
本发明的实施例还提供了一种电子设备，包括处理器和前述的非瞬时性计算机可读存储介质。
虽然已经通过示例对本发明的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上示例仅是为了进行说明，而不是为了限制本发明的范围。本领域的技术人员还应理解，可以对实施例进行多种修改而不脱离本发明的范围和精神。本发明公开的范围由所附权利要求来限定。

Claims (6)

1.一种漫反射式光电传感器抗干扰方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
S100、获取目标光电传感器对应的初始发射端频率K0，K0符合如下条件：
Figure DEST_PATH_IMAGE001
，T是指目标光电传感器对应的发射端信号周期，其中，T符合如下条件：
Figure 971554DEST_PATH_IMAGE002
，W为目标光电传感器对应的光信号的角频率，其中，在S100步骤中还通过如下步骤获取W：
S101、获取目标光电传感器对应的相位值列表B={B1，B2，……，Bp}，Bq是指目标光电传感器对应的第q个相位值，q=1……p，p为相位值数量且p≥3，Bq符合如下条件：
Bq=H×f(W×Tq+Фq)，其中，H为目标光电传感器对应的光信号的振幅，Фq为目标光电传感器对应的正弦量的初相角，f（）为目标光电传感器对应的相位函数，Tq为Bq对应的时间点；
S103、根据B，获取W，其中，W符合如下条件：
Figure DEST_PATH_IMAGE003
，其中，T1为B1对应的时间点，
Figure DEST_PATH_IMAGE005
为f（）的反函数；
S200、基于K0和预设发射端频率K={K1，K2，……，Km}，获取目标光电传感器对应的目标发射端频率，Kj是指第j个预设发射端频率，j=1……m，m为预设发射端频率个数；
S300、从K中删除目标光电传感器对应的目标发射端频率，构建成中间发射端频率列表；
S400、从中间发射端频率列表中获取任一中间发射端频率作为指定光电传感器的发射端频率，其中，所述指定光电传感器是指与目标光电传感器相邻的光电传感器。
2.根据权利要求1所述的漫反射式光电传感器抗干扰方法，其特征在于，所述目标光电传感器为漫反射式光电传感器。
3.根据权利要求1所述的漫反射式光电传感器抗干扰方法，其特征在于，在S200步骤中还通过如下步骤获取目标光电传感器对应的目标发射端频率：
S201、根据K0和K，获取目标光电传感器对应的发射端频率差列表D={D1，D2，……，Dm}，Dj符合如下条件：
Dj=│K 0- Kj│；
S203、遍历D且当D中最小频率差值的数量≤预设的数量阈值Z0时，获取D中最小频率差值对应的预设发射端频率作为目标光电传感器对应的目标发射端频率；
S205、当D中最小频率差值的数量＞Z0时，获取D对应的关键发射端频率列表K'，其中，K'中关键发射端频率是指在D中最小频率差值对应的任一预设发送端频率；
S207、将K'中任一关键发射端频率作为目标光电传感器对应的目标发射端频率。
4.根据权利要求1所述的漫反射式光电传感器抗干扰方法，其特征在于，在S200步骤中还通过如下步骤获取目标光电传感器对应的目标发射端频率：
S201、根据K0和K，获取目标光电传感器对应的发射端频率差列表D={D1，D2，……，Dm}，Dj符合如下条件：
Dj=│K 0- Kj│；
S203、遍历D且当D中最小频率差值的数量≤预设的数量阈值Z0时，获取D中最小频率差值对应的预设发射端频率作为目标光电传感器对应的目标发射端频率；
S205、当D中最小频率差值的数量＞Z0时，获取D对应的关键发射端频率列表K'，其中，K'中关键发射端频率是指在D中最小频率差值对应的任一预设发送端频率；
S207、获取指定光电传感器的发送端关键发射端频率列表；
S209、根据指定光电传感器对应的关键发射端频率列表和K'，获取目标光电传感器对应的目标发射端频率。
5.一种非瞬时性计算机可读存储介质，其特征在于，所述存储介质中存储有至少一条指令或至少一段程序，所述至少一条指令或所述至少一段程序由处理器加载并执行以实现如权利要求1~4中任意一项的所述的漫反射式光电传感器抗干扰方法。
6.一种电子设备，其特征在于，包括处理器和权利要求5中的非瞬时性计算机可读存储介质。
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