CN114481026A - 择优取向的氮化铝薄膜的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种择优取向的氮化铝薄膜的制备方法，该择优取向的氮化铝薄膜的制备方法包括：提供一Si(111)衬底；将Si(111)衬底依次置入丙酮、酒精和去离子水中进行超声波水浴清洗，并将超声波水浴清洗后的Si(111)衬底置入氟化氢溶液中浸泡；将浸泡后的Si(111)衬底置入磁控溅射仪腔室中，并对磁控溅射仪腔室进行抽真空处理；将Si(111)衬底的温度提升至预设温度，并向磁控溅射仪腔室通入氮气和氩气；利用预设铝靶对Si(111)衬底进行溅射处理，以在Si(111)衬底生成AlN(110)薄膜。通过本方案可以制备择优取向的AlN(110)薄膜，进而提高声表面波器件的性能。
Description
技术领域
本申请实施例涉及压电薄膜材料技术领域，具体涉及一种择优取向的氮化铝薄膜的制备方法。
背景技术
声表面波(SAW)器具有体积小、质量轻、信号处理能力优异、稳定性好等特点，被广泛用于移动通信、电视广播以及各种军用通讯中。随着4G网络以及频率更高的通讯网络的出现和发展，声表面波器件的使用频率不断提高，而AlN薄膜具有所有无机非压电材料中最高的声表面波速度，因此可以成为有效提高声表面波器件中心频率的压电材料。
目前，AlN薄膜一般生长在异质衬底上。由于AlN与衬底存在较大的晶格失配度和热膨胀失配度，导致AlN薄膜晶体质量差，存在较高的位错密度和较大的应力，严重影响了声表面波器件的性能。
发明内容
本申请实施例提供一种择优取向的氮化铝薄膜的制备方法，可以得到择优取向的AlN(110)薄膜，进而提高声表面波器件的性能。
本申请实施例提供了一种择优取向的氮化铝薄膜的制备方法，包括：
提供一Si(111)衬底；
将所述Si(111)衬底依次置入丙酮、酒精和去离子水中进行超声波水浴清洗，并将超声波水浴清洗后的所述Si(111)衬底置入氟化氢溶液中浸泡；
将浸泡后的所述Si(111)衬底置入磁控溅射仪腔室中，并对所述磁控溅射仪腔室进行抽真空处理；
将所述Si(111)衬底的温度提升至预设温度，并向所述磁控溅射仪腔室通入氮气和氩气；
利用预设铝靶对所述Si(111)衬底进行溅射处理，以在所述Si(111)衬底生成AlN(110)薄膜。
在本申请实施例提供的择优取向的氮化铝薄膜的制备方法中，所述超声波水浴清洗的时长为5～10分钟。
在本申请实施例提供的择优取向的氮化铝薄膜的制备方法中，所述氟化氢溶液的浓度为3％～8％，浸泡的时长为20～40秒。
在本申请实施例提供的择优取向的氮化铝薄膜的制备方法中，所述磁控溅射仪腔室的真空度为1×10-4Pa～4×10-4Pa。
在本申请实施例提供的择优取向的氮化铝薄膜的制备方法中，所述预设温度为200℃～300℃。
在本申请实施例提供的择优取向的氮化铝薄膜的制备方法中，所述溅射处理的溅射气压为0.4～0.9Pa。
在本申请实施例提供的择优取向的氮化铝薄膜的制备方法中，其特征在于，所述预设铝靶与所述Si(111)衬底距离为50mm～80mm。
在本申请实施例提供的择优取向的氮化铝薄膜的制备方法中，所述预设铝靶的直径为125mm，所述预设铝靶的纯度为4N。
在本申请实施例提供的择优取向的氮化铝薄膜的制备方法中，所述氩气为溅射气体，所述氮气为反应气体。
在本申请实施例提供的择优取向的氮化铝薄膜的制备方法中，所述氩气和所述氮气的浓度均为99.995％。
本申请实施例提供的择优取向的氮化铝薄膜的制备方法包括：提供一Si(111)衬底；将所述Si(111)衬底依次置入丙酮、酒精和去离子水中进行超声波水浴清洗，并将超声波水浴清洗后的所述Si(111)衬底置入氟化氢溶液中浸泡；将浸泡后的所述Si(111)衬底置入磁控溅射仪腔室中，并对所述磁控溅射仪腔室进行抽真空处理；将所述Si(111)衬底的温度提升至预设温度，并向所述磁控溅射仪腔室通入氮气和氩气；利用预设铝靶对所述Si(111)衬底进行溅射处理，以在所述Si(111)衬底生成AlN(110)薄膜。通过本方案可以制备择优取向的AlN(110)薄膜，进而提高声表面波器件的性能。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的择优取向的氮化铝薄膜的制备方法的流程示意图。
图2为本申请实施例提供的不同溅射气压以及氮氩比样品的XRD图谱。
图3为本申请实施例提供的不同溅射气压样品XRD(110)峰的峰位及半高宽的示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
本申请中的术语“第一”和“第二”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或模块的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或模块，而是可选地还包括没有列出的步骤或模块，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或模块。
在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。
本申请实施例提供了一种择优取向的氮化铝薄膜的制备方法，以下将进行详细说明，以下各个实施例的描述先后顺序并不构成对具体实施先后顺序的限定。
请参照图1，图1为本申请的择优取向的氮化铝薄膜的制备方法的流程示意图。该择优取向的氮化铝薄膜的制备方法的具体流程可以如下：
101、提供一Si(111)衬底。
102、将Si(111)衬底依次置入丙酮、酒精和去离子水中进行超声波水浴清洗，并将超声波水浴清洗后的Si(111)衬底置入氟化氢溶液中浸泡。
其中，超声波水浴清洗的时长为5～10分钟。
其中，氟化氢溶液的浓度可以为3％～8％。在具体实施过程中，该氟化氢溶液的浓度为5％。
其中，超声波水浴清洗后的Si(111)衬底置入氟化氢溶液中浸泡的时长为20～40秒。
可以理解的是，将超声波水浴清洗后的Si(111)衬底置入氟化氢溶液中浸泡的目的是除去Si(111)衬底表层非晶态SiOx。
103、将浸泡后的Si(111)衬底置入磁控溅射仪腔室中，并对磁控溅射仪腔室进行抽真空处理。
其中，磁控溅射仪腔室的真空度为1×10-4Pa～4×10-4Pa。
104、将Si(111)衬底的温度提升至预设温度，并向磁控溅射仪腔室通入氮气和氩气。
其中，该预设温度可以为200℃～300℃。在具体实施过程中，该预设温度为250℃。
需要说明的是，氩气为溅射气体，氮气为反应气体。该氩气和氮气的浓度均为99.995％。该氩气和氮气的氮氩比可以为1：5或1：2等。
105、利用预设铝靶对Si(111)衬底进行溅射处理，以在Si(111)衬底生成AlN(110)薄膜。
其中，该溅射处理的溅射气压可以为0.4～0.9Pa。比如，该该溅射处理的溅射气压可以为0.6Pa、0.9Pa等。该溅射处理的溅射功率为190w，平均功率密度为1.55W/cm2。
其中，预设铝靶与Si(111)衬底距离为50mm～80mm。在具体实施过程中，预设铝靶与Si(111)衬底距离可以为65mm。
其中，该预设铝靶的直径为125mm，预设铝靶的纯度为4N。
在本申请实施中，进一步的为了反映溅射气压对AlN薄膜组织结构的影响，可以设计两个实验对照组。第一组对氮氩比相同(1:2)，总气压不同的AlN薄膜结构进行比较；第二组则对溅射气压保持0.9Pa，具有不同氮氩比的AlN薄膜结构进行比较，可以得到如图2和图3所示信息。
并且通过设置实验对照组分别分析和验证了溅射总气压和氮氩比对AlN(110)压电薄膜结晶质量的影响。实验表明在较低的溅射气压下AlN薄膜倾向于形成AlN(110)择优取向，衍射峰的增强也说明薄膜晶体质量的提升。从(110)的峰位上看，氮氩比的变化也不会引起显著的峰位移动，薄膜的内应力较小。从(110)峰的半高宽上看，氮气含量较高时，半高宽有所增加，晶粒尺寸略有下降。由此，通过本申请实施例提供的择优取向的氮化铝薄膜的制备方法可以制备出结晶取向良好，且薄膜内应力较小的AlN(110)薄膜。
需要说明的是，在本申请实施例中，对于不同工艺条件下制备的AlN薄膜，主要采用Bragg-Bretano X射线衍射(XRD)的θ-2θ联动的对称扫描方式对这些样品的组织结构进行表征。
上述所有的技术方案，可以采用任意结合形成本申请的可选实施例，在此不再一一赘述。
综上，本申请实施例提供的择优取向的氮化铝薄膜的制备方法包括提供一Si(111)衬底；将Si(111)衬底依次置入丙酮、酒精和去离子水中进行超声波水浴清洗，并将超声波水浴清洗后的Si(111)衬底置入氟化氢溶液中浸泡；将浸泡后的Si(111)衬底置入磁控溅射仪腔室中，并对磁控溅射仪腔室进行抽真空处理；将Si(111)衬底的温度提升至预设温度，并向磁控溅射仪腔室通入氮气和氩气；利用预设铝靶对Si(111)衬底进行溅射处理，以在Si(111)衬底生成AlN(110)薄膜。通过本方案可以制备择优取向的AlN(110)薄膜，进而提高声表面波器件的性能。
以上对本申请实施例所提供的择优取向的氮化铝薄膜的制备方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (10)
1.一种择优取向的氮化铝薄膜的制备方法，其特征在于，包括：
提供一Si(111)衬底；
将所述Si(111)衬底依次置入丙酮、酒精和去离子水中进行超声波水浴清洗，并将超声波水浴清洗后的所述Si(111)衬底置入氟化氢溶液中浸泡；
将浸泡后的所述Si(111)衬底置入磁控溅射仪腔室中，并对所述磁控溅射仪腔室进行抽真空处理；
将所述Si(111)衬底的温度提升至预设温度，并向所述磁控溅射仪腔室通入氮气和氩气；
利用预设铝靶对所述Si(111)衬底进行溅射处理，以在所述Si(111)衬底生成AlN(110)薄膜。
2.如权利要求1所述的择优取向的氮化铝薄膜的制备方法，其特征在于，所述超声波水浴清洗的时长为5～10分钟。
3.如权利要求1所述的择优取向的氮化铝薄膜的制备方法，其特征在于，所述氟化氢溶液的浓度为3％～8％，浸泡的时长为20～40秒。
4.如权利要求1所述的择优取向的氮化铝薄膜的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射仪腔室的真空度为1×10-4Pa～4×10-4Pa。
5.如权利要求1所述的择优取向的氮化铝薄膜的制备方法，其特征在于，所述预设温度为200℃～300℃。
6.如权利要求1所述的择优取向的氮化铝薄膜的制备方法，其特征在于，所述溅射处理的溅射气压为0.4～0.9Pa。
7.如权利要求1所述的择优取向的氮化铝薄膜的制备方法，其特征在于，所述预设铝靶与所述Si(111)衬底距离为50mm～80mm。
8.如权利要求1所述的择优取向的氮化铝薄膜的制备方法，其特征在于，所述预设铝靶的直径为125mm，所述预设铝靶的纯度为4N。
9.如权利要求1所述的择优取向的氮化铝薄膜的制备方法，其特征在于，所述氩气为溅射气体，所述氮气为反应气体。
10.如权利要求1所述的择优取向的氮化铝薄膜的制备方法，其特征在于，所述氩气和所述氮气的浓度均为99.995％。
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|---|---|
| CN (1) | CN114481026A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN118147578A (zh) * | 2023-12-28 | 2024-06-07 | 华南理工大学 | 一种含有不同择优取向的氮化铝涂层及制备方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104862659A (zh) * | 2015-05-22 | 2015-08-26 | 电子科技大学 | 一种氮化铝薄膜的中频磁控反应溅射方法 |
| CN107385394A (zh) * | 2017-06-26 | 2017-11-24 | 深圳大学 | ZnO/AlN/Si多层结构薄膜及制备方法与应用 |
| CN112877657A (zh) * | 2021-01-12 | 2021-06-01 | 有研工程技术研究院有限公司 | 一种AlN薄膜的制备方法 |
-
2022
- 2022-01-21 CN CN202210072472.2A patent/CN114481026A/zh active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104862659A (zh) * | 2015-05-22 | 2015-08-26 | 电子科技大学 | 一种氮化铝薄膜的中频磁控反应溅射方法 |
| CN107385394A (zh) * | 2017-06-26 | 2017-11-24 | 深圳大学 | ZnO/AlN/Si多层结构薄膜及制备方法与应用 |
| CN112877657A (zh) * | 2021-01-12 | 2021-06-01 | 有研工程技术研究院有限公司 | 一种AlN薄膜的制备方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 陈璞 等: ""中频磁控反应溅射制备硅基氮化铝薄膜"" * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN118147578A (zh) * | 2023-12-28 | 2024-06-07 | 华南理工大学 | 一种含有不同择优取向的氮化铝涂层及制备方法 |
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