CN114473241A - 一种适用于Micro OLED的亮点修复方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种适用于Micro OLED的亮点修复方法，包括以下步骤：1)在需要进行亮点修复的Micro OLED显示器正面做好亮点标记；2)将该显示器转移至聚焦离子束扫描隧道显微镜中；3)使用聚焦离子束扫描隧道显微镜的同轴光定位功能，将正面的标记转移至背板处，并背板上标记定位；4)使用离子源分步骤快速切割背板；5)使用飞秒激光，将异常的CMOS结构破坏；6)使用离子源进行背板沉积，将背板填补完成。通过引入同轴光定位、离子源切割、飞秒激光以及离子源沉积技术，实现Micro OLED硅基不透光背板的背面激光修复，提升了激光修复效率，保护了显示器件结构，从而保证了产品的可靠性。
Description
技术领域
本发明涉及Micro OLED显示技术领域，尤其是涉及一种适用于Micro OLED的亮点修复方法。
背景技术
随着科技的进步与科技的发展，人们在追求显示效果的体验上也有着更高的需求，加之穿戴配套显示设备使其物理意义上的方法路径可行，5G时代的到来会解决数据量传输的问题，因此近年来Micro OLED(Organic Light Emitting Display)被称为下一代显示技术的黑马，现已广泛应用于机戴头盔、枪瞄、夜视仪等军用市场，并且随着AR/VR以及自动驾驶等新技术的应用，Micro OLED微显示器将迎来爆发式的增长。
在显示领域，由与制造步骤繁多，制作工艺精细，往往会发生由驱动电路异常导致的显示亮点；而从人眼视觉感受来看，暗点会更容易接受。如图3至6所示，为了提高显示效果及生产良率，常用的手法是使用激光的方式，破坏亮点的驱动电路结构，人为地将其转换为暗点。在传统显示领域，由于背板是透明的玻璃，激光可以很容易的穿透背板，定位到驱动电路，而在Micro OLED显示中，背板为不透光的硅，在该领域，只能从正面进行激光修复，人为地破环OLED层，或阳极结构将亮点转变为暗点。而这一过程中，由于Micro OLED像素很小，该方法有如下的缺点：1.对激光能量的稳定性要求极高，2.容易损坏较大范围内的OLED材料，3.对封装层有一定程度的损失从而进一步影响产品的可靠性。
发明内容
针对现有技术不足，本发明是提供一种适用于Micro OLED的亮点修复方法，其可实现Micro OLED硅基不透光背板的背面激光修复，提升了激光修复效率，保证了产品的可靠性。
为了解决上述技术问题，本发明所采用的技术方案为：
该适用于Micro OLED的亮点修复方法，包括以下步骤：
1)在需要进行亮点修复的Micro OLED显示器正面做好亮点标记；
2)将该显示器转移至聚焦离子束扫描隧道显微镜中；
3)使用聚焦离子束扫描隧道显微镜的同轴光定位功能，将正面的标记转移至背板处，并背板上标记定位；
4)使用离子源分步骤快速切割背板；
5)使用飞秒激光，将异常的CMOS结构破坏；
6)使用离子源进行背板沉积，将背板填补完成。
其中，
所述步骤3)中，使用激光进行标记定位。
所述步骤4)中，使用离子源分n个步骤快速切割背板，其中n＝1,2,3……，优选地n＝3；第一步，设置切割范围为3*8um,设置切割深度为500um,控制切割速度为10um/s；第二步，设置切割范围为2*6um,设置切割深度为200um,控制切割速度为5um/s；第三步，设置切割范围为1*4um,设置切割深度为50um,控制切割速度为1um/s。
所述步骤5)中，使用飞秒激光，波长范围为690-1040nm，能量范围为1mJ～150mJ，光斑大小设定为直径为0.8-1.2um；按照线性扫描的方式扫描1*4um范围，持续5-7s。
所述步骤6)中，使用离子源分n个步骤进行背板沉积，其中n＝1,2,3……，优选地n＝2；第一步，设置沉积范围为2*5um，设置沉积速率为1um/s，沉积时间为55s；第二部，设置沉积范围为3*7um，沉积速率为5um/s，沉积时间为45s。
所述背板沉积的物质可为SIN或SIO或SIC。
本发明与现有技术相比，具有以下优点：
该适用于Micro OLED的亮点修复方法设计合理，通过引入同轴光定位、离子源切割、飞秒激光以及离子源沉积技术，实现Micro OLED硅基不透光背板的背面激光修复，提升了激光修复效率，保护了显示器件结构，从而保证了产品的可靠性。
附图说明
下面对本说明书各幅附图所表达的内容及图中的标记作简要说明：
图1为本发明修复方法流程示意图。
图2为本发明修复过程示意图。
图3为Micro OLED显示器结构示意图。
图4为现有常规显示器结构修复亮点示意图。
图5为Micro OLED显示器现有亮点修复示意图。
图6为Micro OLED显示器现有亮点修复后存在风险示意图。
具体实施方式
下面对照附图，通过对实施例的描述，对本发明的具体实施方式作进一步详细的说明。
如图1和图2所示，该适用于Micro OLED的亮点修复方法，包括以下步骤：
1)在需要进行亮点修复的Micro OLED显示器正面做好亮点标记；
2)将该显示器转移至聚焦离子束扫描隧道显微镜中；
3)使用聚焦离子束扫描隧道显微镜的同轴光定位功能，将正面的标记转移至背板处，并背板上标记定位；
4)使用离子源分步骤快速切割背板；
5)使用飞秒激光，将异常的CMOS结构破坏；
6)使用离子源进行背板沉积，将背板填补完成。
优选具体实例为：
1、在需要进行亮点修复的Micro OLED显示器正面做好亮点标记(如第123行，第687列亮点需要修复)；
2、将改显示器转移至聚焦离子束扫描隧道显微镜(FIB-SEM)中，该FIB-SEM设备具备同轴光转移、离子源快速切割，离子源沉积飞秒激光等功能；
3、使用同轴光定位功能，将正面的标记(如第123行，第687列亮点需要修复)转移至背板处，并使用激光标记定位；
4、使用离子源分n个步骤快速切割背板，其中n＝1,2,3……，优选地n＝3；
第一步，设置切割范围为3*8um，设置切割深度为500um，控制切割速度为10um/s；第二步，设置切割范围为2*6um，设置切割深度为200um，控制切割速度为5um/s；第三步，设置切割范围为1*4um，设置切割深度为50um，控制切割速度为1um/s；此时，硅背板被切割完成；
5、使用设备飞秒激光，波长范围为690-1040nm，优选地为532nm；其能量范围为1mJ～150mJ，优选地为2mJ；光斑大小设定为直径为1um；按照线性扫描的方式扫描1*4um范围，持续6s；此时，异常的CMOS结构已经被破坏；
6、使用离子源分n个步骤进行背板沉积，其中n＝1,2,3……，优选地n＝2；其中位置信息仍根据步骤2的同轴光提供。沉积的物质可选(SIN、SIO、SIC)，其中优选地为SIC。
第一步，设置沉积范围为2*5um，设置沉积速率为1um/s，沉积时间为55s；第二部，设置沉积范围为3*7um，沉积速率为5um/s，沉积时间为45s；此时，硅背板填补完成。
本发明通过引入同轴光定位、离子源切割、飞秒激光以及离子源沉积技术，实现Micro OLED硅基不透光背板的背面激光修复，提升了激光修复效率，保护了显示器件结构，从而保证了产品的可靠性。
上面结合附图对本发明进行了示例性描述，显然本发明具体实现并不受上述方式的限制，只要采用了本发明的构思和技术方案进行的各种非实质性的改进，或未经改进将本发明的构思和技术方案直接应用于其它场合的，均在本发明的保护范围之内。
Claims (6)
1.一种适用于Micro OLED的亮点修复方法，其特征在于：所述修复方法包括以下步骤：
1)在需要进行亮点修复的Micro OLED显示器正面做好亮点标记；
2)将该显示器转移至聚焦离子束扫描隧道显微镜中；
3)使用聚焦离子束扫描隧道显微镜的同轴光定位功能，将正面的标记转移至背板处，并背板上标记定位；
4)使用离子源分步骤快速切割背板；
5)使用飞秒激光，将异常的CMOS结构破坏；
6)使用离子源进行背板沉积，将背板填补完成。
2.如权利要求1所述适用于Micro OLED的亮点修复方法，其特征在于：所述步骤3)中，使用激光进行标记定位。
3.如权利要求1所述适用于Micro OLED的亮点修复方法，其特征在于：所述步骤4)中，使用离子源分n个步骤快速切割背板，其中n＝1,2,3……，优选地n＝3；第一步，设置切割范围为3*8um,设置切割深度为500um,控制切割速度为10um/s；第二步，设置切割范围为2*6um,设置切割深度为200um,控制切割速度为5um/s；第三步，设置切割范围为1*4um,设置切割深度为50um,控制切割速度为1um/s。
4.如权利要求1所述适用于Micro OLED的亮点修复方法，其特征在于：所述步骤5)中，使用飞秒激光，波长范围为690-1040nm，能量范围为1mJ～150mJ，光斑大小设定为直径为0.8-1.2um；按照线性扫描的方式扫描1*4um范围，持续5-7s。
5.如权利要求1所述适用于Micro OLED的亮点修复方法，其特征在于：所述步骤6)中，使用离子源分n个步骤进行背板沉积，其中n＝1,2,3……，优选地n＝2；第一步，设置沉积范围为2*5um，设置沉积速率为1um/s，沉积时间为55s；第二部，设置沉积范围为3*7um，沉积速率为5um/s，沉积时间为45s。
6.如权利要求5所述适用于Micro OLED的亮点修复方法，其特征在于：所述背板沉积的物质可为SIN或SIO或SIC。
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