CN114452671A - 一种温度调整系统及提纯设备 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种温度调整系统及提纯设备,其中,提纯设备中的升华管包括多个温区,温度调整系统中的各个温度调整装置基于自身对应的温区的不同位置的温度进行检测和调节,保证是根据自身对应的温区中不同位置的温度对温区的温度进行调节,从而保证温区各个位置的温度均在各自对应的预设温度范围内。可见,本申请中通过对每个温区中各个位置的温度进行检测,保证每个温区中各个位置的温度均在该温区对应的预设温度范围内,避免由于单独根据一个位置的温度进行温度调整时导致同一温区中不同位置的温度不同,进而导致提纯后材料的纯度降低,保证了提纯设备中提纯后材料的高纯度和稳定性,且提高了待提纯材料的利用率。
Description
技术领域
本发明涉及真空升华提纯领域,特别是涉及一种温度调整系统及提纯设备。
背景技术
在对待提纯材料进行提纯时,通常需要对提纯设备的温度进行精确的控制,且提纯设备的升华管的不同位置的温度可能不同,也即升华管分为不同的温区,为了保证同一温区的温度相同且稳定,现有技术中通常在升华管的不同温区分别设置一个温度检测装置以及一个加热丝,加热丝在温度检测装置检测到自身对应的温区的温度并非期望温度时对自身对应的温区的温度进行调节。
但是,由于每个温区的长度较长,受环境影响,同一温区不同位置的温度可能不同,加热丝只能根据温度检测装置检测的位置的温度进行调节,只能保证各个温区中设置温度检测装置的位置的温度为该温区对应的期望温度,无法准确对升华管的温度进行控制,也就无法获得高纯度的提纯后材料,提纯后材料的稳定性较差,且会提高待提纯材料的损耗率。
发明内容
本发明的目的是提供一种温度调整系统及提纯设备,其中通过对每个温区中各个位置的温度进行调节,保证每个温区中各个位置的温度均在该温区对应的预设温度范围内,避免同一温区中不同位置的温度不同而导致提纯后材料的纯度降低,保证了提纯设备中提纯后材料的高纯度和稳定性,且提高了待提纯材料的利用率。
为解决上述技术问题,本发明提供了一种温度调整系统,应用于提纯设备,所述提纯设备中的升华管包括多个温区,所述温度调整系统包括与各个所述温区一一对应的多个温度调整装置;
所述温度调整装置用于检测与自身对应的所述温区中不同位置的温度,并基于不同位置的温度将所述温区中的各个位置的温度调整至所述预设温度范围内,所述预设温度范围为与自身对应的所述温区的预设温度范围。
优选地,所述温度调整装置包括多个温度探头和多个温度调节模块;
所述温度探头用于检测与自身对应的所述温区中预设位置的温度,各个所述温度探头对应的所述预设位置不同;
各个所述温度调节模块用于基于各个所述预设位置的温度和与自身对应的所述温区的所述预设温度范围调节所述温区的各个位置的温度至所述预设温度范围内。
优选地,所述温度调节模块包括数据分析系统、温度自动调节器和加热系统;
所述数据分析系统用于接收一个或多个所述温度探头检测的一个或多个所述预设位置的温度,并将所述温度转换为温度数据;
所述温度自动调节器用于基于所述温度数据和与自身对应的温区的所述预设温度范围对所述加热系统进行控制,以使所述加热系统将与自身对应的一个或多个所述预设位置的温度调节至所述预设温度范围。
优选地,所述加热系统包括加热丝;
同一所述温度调整装置中的各个所述加热丝沿所述升华管的轴线并排缠绕至自身对应的所述温区外侧;
所述加热丝用于基于自身对应的所述温度自动调节器的控制将与自身对应的一个或多个所述预设位置的温度调节至所述预设温度范围。
优选地,所述加热系统包括加热丝;
同一所述温度调整装置中的各个所述加热丝沿所述升华管的轴线依次缠绕在自身对应的所述温区外侧的不同位置;
所述加热丝用于基于自身对应的所述温度自动调节器的控制将与自身对应的一个或多个所述预设位置的温度调节至所述预设温度范围。
优选地,所述温度自动调节器具体用于基于所述温度数据和与自身对应的温区的所述预设温度范围调节所述加热系统的输出功率,以使所述加热系统将与自身对应的一个或多个所述预设位置的温度调节至所述预设温度范围。
优选地,相邻两个所述温度探头之间的距离为预设距离。
优选地,所述温度调整装置还用于基于与自身对应的所述温区中不同位置的温度确定不同位置的温度浮动数据,并根据不同位置的温度浮动数据将所述温区中的各个位置的温度调整至所述预设温度范围内。
优选地,还包括处理器;
所述处理器用于基于所述提纯设备内的待提纯材料生成所述升华管中各个所述温区对应的预设温度范围,并将各个所述温区对应的所述预设温度范围对应发送至各个所述温度调整装置。
为解决上述技术问题,本发明提供了一种提纯设备,包括如上述所述的温度调整系统,还包括升华管。
本申请提供了一种温度调整系统及提纯设备,其中,提纯设备中的升华管包括多个温区,温度调整系统中的各个温度调整装置基于自身对应的温区的不同位置的温度进行检测和调节,保证是根据自身对应的温区中不同位置的温度对温区的温度进行调节,从而保证温区各个位置的温度均在各自对应的预设温度范围内。可见,本申请中通过对每个温区中各个位置的温度进行检测,保证每个温区中各个位置的温度均在该温区对应的预设温度范围内,避免由于单独根据一个位置的温度进行温度调整时导致同一温区中不同位置的温度不同,进而导致提纯后材料的纯度降低,保证了提纯设备中提纯后材料的高纯度和稳定性,且提高了待提纯材料的利用率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对现有技术和实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明提供的一种温度调整系统的结构示意图;
图2为本发明提供的一种温度探头分布示意图。
具体实施方式
本发明的核心是提供一种温度调整系统及提纯设备,其中通过对每个温区中各个位置的温度进行调节,保证每个温区中各个位置的温度均在该温区对应的预设温度范围内,避免同一温区中不同位置的温度不同而导致提纯后材料的纯度降低,保证了提纯设备中提纯后材料的高纯度和稳定性,且提高了待提纯材料的利用率。
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
请参照图1,图1为本发明提供的一种温度调整系统的结构示意图,应用于提纯设备,提纯设备中的升华管包括多个温区,温度调整系统包括与各个温区一一对应的多个温度调整装置;
温度调整装置用于检测与自身对应的温区中不同位置的温度,并基于不同位置的温度将温区中的各个位置的温度调整至预设温度范围内,预设温度范围为与自身对应的温区的预设温度范围。
申请人考虑到由于有机发光二极管具有主动发光、响应快以及可柔性化等优点,在多个领域得到广泛应用,是公认的下一代显示和照明技术,随着有机发光二极管产能的提高,高纯度有机小分子材料的需求量逐年攀升,对高纯度材料产能市场提出更高的要求。然而,有机小分子材料中的杂质在所构成的器件中会形成不稳定的杂质陷阱,并且在器件工作过程中降低器件的效率和工作稳定性。目前绝大多数高纯度有机小分子材料的获取均来自于真空升华提纯,因此真空升华提纯工艺及设备的研发设计至关重要。
而现有技术中的提纯设备通常采用真空升华提纯技术,也即将待提纯材料通过控制提纯设备的温度、真空度使其由固体转换为气体从而和杂质分离,基于此,升华管被分为不同的温区,不同的温区的温度相同或不同,从而使提纯后材料从升华管中被分离,但是,现有技术中在对升华管的不同温区的温度进行控制时,通常仅在一个温区设置一个温度调整装置,而一个温度调整装置只能对一个温区中的一个位置的温度进行检测,从而根据一个位置的温度对整个温区的温度进行调整,但是同一温区中不同位置的温度可能会受到环境影响而不同,温度调整装置只能够保证自身所检测的位置的温度为自身对应温区的预设温度范围,自身对应温区的其他位置的温度无法检测,这就会导致升华管中同一温区的不同位置的温度不同,降低提纯后材料的纯度和稳定性,且对待提纯材料的利用率降低。
为了解决上述技术问题,本申请中在不同温区分别设置了温度调整装置,且每个温度调整装置均能够对自身对应温区的不同位置的温度进行检测和调节,从而将自身对应温区的各个位置的温度均调整至自身对应温区的预设温度范围,保证同一温区内各个位置的温度相同且均在各自温区对应的预设温度范围内,避免因为对各个温区的温度的不稳定控制降低提纯后材料的纯度,且能够提高待提纯材料的利用率。
其中,每个温度调整装置可以但不限定包括多个温度探头和多个温度调节模块,每个温度探头分别对应温区中的一个预设位置,各个温度探头对应的预设位置不同,各个温度调节模块根据多个预设位置的温度对自身对应的温区的温度进行调节,保证温区各个位置的温度均为各自对应的预设温度范围内。
由于每个温区的不同预设位置分别设置了温度探头,每个温区的不同预设位置的温度均能被检测且被调节,因此,每个温区的不同预设位置的温度均能够被温度调节模块调整为与自身对应的预设温度范围内,保证了当前提纯后材料的纯度,且温度检测效率较高,且检测得更灵敏,温度调整得也更灵敏。
此外,温度调节模块中可以但不限定包括数据分析系统、温度自动调节器和加热系统;数据分析系统用于接收一个或多个温度探头检测的一个或多个预设位置的温度,并将温度转换为温度数据;温度自动调节器用于基于温度数据和与自身对应的温区的预设温度范围对加热系统进行控制,以使加热系统将与自身对应的一个或多个预设位置的温度调节至预设温度范围。
其中,数据分析系统通过将温度探头检测到的温度进行数据转换,输出温度自动调节器能够识别的温度数据,使温度自动调节器基于温度数据和与自身对应的温区的预设温度范围对加热系统进行控制,保证自身对应的一个或多个预设位置的温度在预设温度范围内。通过多个加热系统的调节,使同一温区中各个位置的温度均在预设温度范围内。
进一步地,温度自动调节器在对加热系统进行调节时,具体可以但不限定为调整加热系统的输出功率,以实现对的温度的调高或调低,且操作较为简便。
此外,加热系统中可以包括加热丝;且同一温度调整装置中的各个加热丝沿升华管的轴线并排缠绕至自身对应的温区外侧,从而基于自身对应的温度自动调节器的控制将与自身对应的一个或多个预设位置的温度调节至预设温度范围。
申请人考虑到现有技术中一个温区通常设置一个加热丝,导致加热丝的长度较长,而使加热丝各个位置的温度不均匀,进一步导致同一温区的各个位置的温度不均匀,因此,本申请中通过多个加热丝并排缠绕至温区外侧,减小了加热丝的长度,避免了加热丝整体温度的不均匀导致整个温区不同位置的温度不均匀。
此外,为了解决上述技术问题,本申请中同一温度调整装置中的各个加热丝也可以沿升华管的轴线依次缠绕在自身对应的温区外侧的不同位置,从而基于自身对应的温度自动调节器的控制将与自身对应的一个或多个预设位置的温度调节至预设温度范围。基于此,每个加热丝的长度也可相应减小,从而仅对自身缠绕的位置的温度进行调整,保证温度调整时的精确度。
需要说明的是,本申请中的温度自动调节器可以但不限定为PID调节器,PID调节器基于温度数据和与自身对应的温区的预设温度范围调节自身的PID参数,实现对加热系统的输出功率的调节。基于此,通过负反馈调节,使同一温区中不同预设位置的温度相同且稳定于预设温度范围中。
此外,相邻两个温度探头之间的距离可以但不限定设置为预设距离,即相邻两个预设位置之间的距离可以但不限定为预设距离,从而各个温度探头在温区中的均匀分布,实现对同一温区中不同预设位置温度的均匀检测,保证对温区中不同预设位置的温度的均匀控制,也即同一温区中的温度的稳定且相同,避免当各个温度探头的设置较为集中时仍会有遗漏的位置未被检测到的情况。
还需要说明的是,本申请中的温度探头可以但不限定为精度为0.1摄氏度的高精度温度探头,以提高温度检测的精度,以及温度调节的响应速度,且各个温度探头在自身对应的温区分布时,可以多点位、多角度地交叉分布,以更大限度的对自身对应的温区的温度进行检查,具体请参照图2,图2为本发明提供的一种温度探头分布示意图,图2中表示出各个温度探头在设置时,可环绕升华管一圈,当然,本申请对此不作限定,各个温度探头也可设置为一条直线。
需要进一步说明的是,本申请中的待提纯材料为包含杂质的材料,而提纯后材料为从待提纯材料中和杂质分离后的目标材料,也即用户期望得到的高纯度的材料。
综上,本申请中通过对每个温区中各个位置的温度进行调节,保证每个温区中各个位置的温度均在该温区对应的预设温度范围内,避免同一温区中不同位置的温度不同而导致提纯后材料的纯度降低,保证了提纯设备中提纯后材料的高纯度和稳定性,且提高了待提纯材料的利用率。
在上述实施例的基础上:
作为一种优选的实施例,温度调整装置还用于基于与自身对应的温区中不同位置的温度确定不同位置的温度浮动数据,并根据不同位置的温度浮动数据将温区中的各个位置的温度调整至预设温度范围内。
本实施例中,在温度调整模块对自身对应的温区不同位置的温度进行调节时,还可以根据不同位置的温度确定不同位置的温度浮动数据,以根据温度浮动数据判断温度的变化情况,对温区各个位置的温度进行调节,实现为温度变化情况的预测和预调节,保证温区温度的稳定,以保证提纯后材料的稳定和高纯度。
作为一种优选的实施例,还包括处理器;
处理器用于基于提纯设备内的待提纯材料生成升华管中各个温区对应的预设温度范围,并将各个温区对应的预设温度范围对应发送至各个温度调整装置。
本实施例中通过设备处理器,处理器根据当前待提纯材料所需的温度设定各个温区对应的预设温度范围,以使各个温度调整装置根据自身对应温区的预设温度范围对温度进行调整,保证自身对应温区温度的稳定性,从而提高待提纯材料的利用率,和提纯后材料的高纯度。
本发明还提供了一种提纯设备,包括如上述的温度调整系统,还包括升华管。
对于本发明提供的一种提纯设备的介绍请参照上述温度调整系统实施例,本发明在此不再赘述。
还需要说明的是,在本说明书中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个……”限定的要素,并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
专业人员还可以进一步意识到,结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤,能够以电子硬件、计算机软件或者二者的结合来实现,为了清楚地说明硬件和软件的可互换性,在上述说明中已经按照功能一般性地描述了各示例的组成及步骤。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行,取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能,但是这种实现不应认为超出本发明的范围。
结合本文中所公开的实施例描述的方法或算法的步骤可以直接用硬件、处理器执行的软件模块,或者二者的结合来实施。软件模块可以置于随机存储器(RAM)、内存、只读存储器(ROM)、电可编程ROM、电可擦除可编程ROM、寄存器、硬盘、可移动磁盘、CD-ROM、或技术领域内所公知的任意其他形式的存储介质中。
对所公开的实施例的上述说明,使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的,本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下,在其他实施例中实现。因此,本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例,而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (10)
1.一种温度调整系统,其特征在于,应用于提纯设备,所述提纯设备中的升华管包括多个温区,所述温度调整系统包括与各个所述温区一一对应的多个温度调整装置;
所述温度调整装置用于检测与自身对应的所述温区中不同位置的温度,并基于不同位置的温度将所述温区中的各个位置的温度调整至所述预设温度范围内,所述预设温度范围为与自身对应的所述温区的预设温度范围。
2.如权利要求1所述的温度调整系统,其特征在于,所述温度调整装置包括多个温度探头和多个温度调节模块;
所述温度探头用于检测与自身对应的所述温区中预设位置的温度,各个所述温度探头对应的所述预设位置不同;
各个所述温度调节模块用于基于各个所述预设位置的温度和与自身对应的所述温区的所述预设温度范围调节所述温区的各个位置的温度至所述预设温度范围内。
3.如权利要求2所述的温度调整系统,其特征在于,所述温度调节模块包括数据分析系统、温度自动调节器和加热系统;
所述数据分析系统用于接收一个或多个所述温度探头检测的一个或多个所述预设位置的温度,并将所述温度转换为温度数据;
所述温度自动调节器用于基于所述温度数据和与自身对应的温区的所述预设温度范围对所述加热系统进行控制,以使所述加热系统将与自身对应的一个或多个所述预设位置的温度调节至所述预设温度范围。
4.如权利要求3所述的温度调整系统,其特征在于,所述加热系统包括加热丝;
同一所述温度调整装置中的各个所述加热丝沿所述升华管的轴线并排缠绕至自身对应的所述温区外侧;
所述加热丝用于基于自身对应的所述温度自动调节器的控制将与自身对应的一个或多个所述预设位置的温度调节至所述预设温度范围。
5.如权利要求3所述的温度调整系统,其特征在于,所述加热系统包括加热丝;
同一所述温度调整装置中的各个所述加热丝沿所述升华管的轴线依次缠绕在自身对应的所述温区外侧的不同位置;
所述加热丝用于基于自身对应的所述温度自动调节器的控制将与自身对应的一个或多个所述预设位置的温度调节至所述预设温度范围。
6.如权利要求3所述的温度调整系统,其特征在于,所述温度自动调节器具体用于基于所述温度数据和与自身对应的温区的所述预设温度范围调节所述加热系统的输出功率,以使所述加热系统将与自身对应的一个或多个所述预设位置的温度调节至所述预设温度范围。
7.如权利要求2所述的温度调整系统,其特征在于,相邻两个所述温度探头之间的距离为预设距离。
8.如权利要求1所述的温度调整系统,其特征在于,所述温度调整装置还用于基于与自身对应的所述温区中不同位置的温度确定不同位置的温度浮动数据,并根据不同位置的温度浮动数据将所述温区中的各个位置的温度调整至所述预设温度范围内。
9.如权利要求1-8任一项所述的温度调整系统,其特征在于,还包括处理器;
所述处理器用于基于所述提纯设备内的待提纯材料生成所述升华管中各个所述温区对应的预设温度范围,并将各个所述温区对应的所述预设温度范围对应发送至各个所述温度调整装置。
10.一种提纯设备,其特征在于,包括如权利要求1-9任一项所述的温度调整系统,还包括升华管。
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Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3591346A (en) * | 1965-03-03 | 1971-07-06 | Philips Corp | Method of manufacturing crystals and crystals manufactured by such methods |
CN2595803Y (zh) * | 2002-09-24 | 2003-12-31 | 赵霓虹 | 改进炉丝结构后的钢化玻璃电加热炉 |
DE10256882A1 (de) * | 2002-12-05 | 2004-06-24 | Technische Universität Darmstadt | Sublimationsofen und diesen verwendendes Verfahren |
CN108992962A (zh) * | 2018-09-30 | 2018-12-14 | 深圳普瑞材料技术有限公司 | 一种模块化升华提纯系统 |
CN110775456A (zh) * | 2019-10-28 | 2020-02-11 | 崔建 | 一种沥青加热罐及加热方法 |
CN212594082U (zh) * | 2020-05-29 | 2021-02-26 | 安徽贝意克智能科技有限公司 | 一种双泵500管径的升华仪 |
CN212662748U (zh) * | 2020-06-30 | 2021-03-09 | 浙江虹舞科技有限公司 | 一种可视化透明炉提纯装置 |
CN213515125U (zh) * | 2020-11-20 | 2021-06-22 | 苏州博能炉窑科技有限公司 | 一种用于工艺炉的集成温控装置 |
CN113916001A (zh) * | 2021-11-01 | 2022-01-11 | 无锡松煜科技有限公司 | 优化温控加热炉体 |
-
2022
- 2022-02-28 CN CN202210188855.6A patent/CN114452671A/zh active Pending
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3591346A (en) * | 1965-03-03 | 1971-07-06 | Philips Corp | Method of manufacturing crystals and crystals manufactured by such methods |
CN2595803Y (zh) * | 2002-09-24 | 2003-12-31 | 赵霓虹 | 改进炉丝结构后的钢化玻璃电加热炉 |
DE10256882A1 (de) * | 2002-12-05 | 2004-06-24 | Technische Universität Darmstadt | Sublimationsofen und diesen verwendendes Verfahren |
CN108992962A (zh) * | 2018-09-30 | 2018-12-14 | 深圳普瑞材料技术有限公司 | 一种模块化升华提纯系统 |
CN110775456A (zh) * | 2019-10-28 | 2020-02-11 | 崔建 | 一种沥青加热罐及加热方法 |
CN212594082U (zh) * | 2020-05-29 | 2021-02-26 | 安徽贝意克智能科技有限公司 | 一种双泵500管径的升华仪 |
CN212662748U (zh) * | 2020-06-30 | 2021-03-09 | 浙江虹舞科技有限公司 | 一种可视化透明炉提纯装置 |
CN213515125U (zh) * | 2020-11-20 | 2021-06-22 | 苏州博能炉窑科技有限公司 | 一种用于工艺炉的集成温控装置 |
CN113916001A (zh) * | 2021-11-01 | 2022-01-11 | 无锡松煜科技有限公司 | 优化温控加热炉体 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
复旦大学等: "物理化学实验 第3版", 高等教育出版社 * |
朱细敏等: "基于PLC的智能温控系统研究与设计", 《岳阳职业技术学院学报》 * |
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