CN114430044B - 一种双极性集流体及其制备方法、电池 - Google Patents

Abstract

本申请涉及电池领域，具体而言，涉及一种双极性集流体及其制备方法、电池。制备方法包括：先在绝缘层的第一表面采用磁控溅射的方式形成第一粘结层，采用水电镀镀膜的方式在第一粘结层表面形成金属工艺层，使用磁控溅射的方式在金属工艺层表面形成金属过渡层，采用水电镀的方式在金属过渡层表面形成金属功能层；然后采用蒸发镀膜的方式在绝缘层的第二表面形成铝层；其中，第一表面与第二表面为绝缘层相对的两面；金属工艺层为铜金属层、银金属层或者镍金属层；金属过渡层为铜金属层、银金属层或者镍金属层；金属功能层为铜金属层、银金属层。本申请提供一种新的双极性集流体的制备方法。

Description

一种双极性集流体及其制备方法、电池

技术领域

本申请涉及电池领域，具体而言，涉及一种双极性集流体及其制备方法、电池。

背景技术

双极性集流体涂覆正极活性材料的一面必须耐氧化，例如采用铝材料；而涂覆负极活性材料的一面必须耐还原，例如采用铜材料。双极性集流体起到电子导电作用的同时，必须阻隔锂离子在相邻电池单元之间的迁移。

本申请旨在提供一种双极性集流体。

发明内容

本申请实施例的目的在于提供一种双极性集流体及其制备方法、电池，其旨在提供一种新的双极性集流体的制备方法。

本申请第一方面提供一种双极性集流体的制备方法，主要包括：

先在绝缘层的第一表面采用磁控溅射的方式形成第一粘结层，采用水电镀镀膜的方式在第一粘结层表面形成金属工艺层，使用磁控溅射的方式在金属工艺层表面形成金属过渡层，采用水电镀的方式在金属过渡层表面形成金属功能层；

然后采用蒸发镀膜的方式在绝缘层的第二表面形成铝层；

其中，第一表面与第二表面为绝缘层相对的两面；

金属工艺层为铜金属层、银金属层或者镍金属层；

金属过渡层为铜金属层、银金属层或者镍金属层；

金属功能层为铜金属层、银金属层或者镍金属层。

在本申请第一方面的一些实施例中，所述第一粘结层的导电性为0.1-50Ω/□；

可选地，所述第一粘结层的导电性为1-10Ω/□；可选地，第一粘结层的厚度为3-40nm。

在本申请第一方面的一些实施例中，在金属过渡层表面形成金属功能层之后，在绝缘层的第二表面形成铝层之前还包括：

在绝缘层的第二表面形成第二粘结层；第二粘结层的材料为金属化合物或非金属的化合物；

可选地，第二粘结层的材料为硅氧化物、铝氧化物、钛氧化物以及钛的氮化物中的至少一种；

可选地，第二粘结层的厚度为3-40nm。

在本申请第一方面的一些实施例中，在金属过渡层表面形成金属功能层之后，在绝缘层的第二表面形成铝层之前还包括：

在金属功能层表面形成第一保护层；所述第一保护层的材料为可导电的非金属或惰性金属。

在本申请第一方面的一些实施例中，还包括：

在铝层表面形成第二保护层；第二保护层的材料为氧化铝；

可选地，第二保护层的厚度为0.5-10nm。

在本申请第一方面的一些实施例中，绝缘层的含水量为2-5％；

可选地，绝缘层的厚度为1.2-12μm。

在本申请第一方面的一些实施例中，金属工艺层的厚度为10-200nm；

可选地，金属工艺层的厚度为50-110nm。

在本申请第一方面的一些实施例中，金属过渡层的厚度为5-100nm；

可选地，金属过渡层的厚度为10-30nm。

本申请第二方面提供一种双极性集流体，双极性集流体通过第一方面的制备方法制得。

本申请第三方面提供一种电池，电池包括正极、负极以及与正极、负极连接的集流体；

其中，集流体为第二方面提供的双极性集流体。

本申请实施例提供的双极性集流体及其制备方法、电池的有益效果是：

本申请实施例提供的制备方法与现有的集流体相比，其厚度更薄，能量密度更高，该制备方法的成本较低。先采用水电镀的方式形成金属工艺层和金属功能层，然后再采用真空蒸发镀膜的方式形成铝层。在形成铝层的过程中不会影响之前形成的各个膜层的性能。如果先形成铝层再以水电镀的形成金属铜工艺层和金属铜功能层，会导致铝层被电镀镀液侵蚀破坏。本申请提供的制备方法能够降低成本。本申请提供的制备方法能够在保持基膜绝缘性的前提下，实现一面为导电铜层另一面为导电铝层的双极性集流体的制备。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1示出了本申请实施例提供的双极性集流体的主要结构示意图。

图2示出了本申请实施例4提供的双极性集流体的结构示意图。

图3示出了对比例提供的双极性集流体的结构示意图。

图标：100-双极性集流体；101-金属工艺层；102-金属过渡层；103-金属功能层；104-第一粘结层；105-第一保护层；110-绝缘层；201-铝层；202-第二粘结层；203-第二保护层。

具体实施方式

为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。实施例中未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市售购买获得的常规产品。

下面对本申请实施例的双极性集流体及其制备方法、电池进行具体说明。

图1示出了本申请实施例提供的双极性集流体100的主要结构示意图。

请参阅图1，本申请实施例提供的双极性集流体100包括绝缘层110和设置于绝缘层110相对两面的膜层；绝缘层110相对的两面包括第一表面和第二表面。

详细地，绝缘层110第一表面包括依次叠层设置的金属工艺层101、金属过渡层102以及金属功能层103。

绝缘层110第二表面设置有铝层201。

在绝缘层110第一表面与金属工艺层101之间还包括第一粘结层104。

在本申请的一些实施例中，绝缘层110第二表面与铝层201之间还包括第二粘结层202。

或者，在本申请的其他实施例中，双极性集流体100可以均不设置第二粘结层202。

在本申请的一些实施例中，金属功能层103远离第一表面的一面还设置有第一保护层105。

在本申请的一些实施例中，铝层201远离绝缘层110第二表面的一面还设置有第二保护层203。

或者，在本申请的其他实施例中，第一保护层105和第二保护层203可以仅设置一个，或者第一保护层105和第二保护层203均不设置。

在本申请中，双极性集流体100的制备方法主要包括：先在绝缘层110的第一表面依次设置第一粘结层104、金属工艺层101、金属过渡层102、金属功能层103以及第一保护层105。可以理解的是，双极性集流体100也可以不设置第一保护层105。

然后再在绝缘层110的第二表面依次设置第二粘结层202、铝层201以及第二保护层203。

承上所述，双极性集流体100也可以不设置第二粘结层202、第二保护层203。

在本申请的实施例中，绝缘层110的材料可以为邻苯基苯酚、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚苯乙烯、聚苯硫醚、流延聚丙烯薄膜、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚氯乙烯、聚醚醚酮、聚醚砜树脂、聚亚苯基砜树脂、聚乙烯以及无纺布中的至少一种。

绝缘层110的厚度可以为1.1-11μm，例如可以为1.1μm、1.2μm、5μm、8μm、10μm或者11μm等等。

进一步地，在本身的实施例中，绝缘层110的含水量可以为2-5％，例如可以为2％、3％或者5％等等。

控制绝缘层110的含水量为2-5％，可以提高绝缘层110与第一粘结层104、第二粘结层202之间的附着力，避免绝缘层110与第一粘结层104、第二粘结层202分离。例如，采用烘烤的方式控制绝缘层110的含水量。

绝缘层110可以进行市购或者制作。绝缘层110制备好后，先在绝缘层110第一表面形成第一粘结层104。

作为示例性地，第一粘结层104形成方式为磁控溅射。

例如，第一粘结层104的材料为Ti、W、Cr、Ni、Cu及其合金中的至少一种。可以理解的是，第一粘结层104并不仅限于一层，可以是两层或者更多层；每层的材料可以相同也可以不相同，每层的厚度可以相同也可以不完全相同。在本申请的其他实施例中，第一粘结层104的材料可以为其他金属材料。

进一步地，第一粘结层104的厚度为3-40nm；例如可以为3nm、5nm、10nm、15nm、22nm、26nm、31nm或者40nm等等。

金属材质的第一粘结层104可以使绝缘层110与金属工艺层101之间具有较好的结合力，避免金属工艺层101与绝缘层110分离。

第一粘结层104制备完成后在第一粘结层104背离绝缘层110第一表面的一面设置金属工艺层101。

金属工艺层101的材料可以为铜金属、银金属或者镍金属。

金属工艺层101的厚度为10-200nm，例如可以为10nm、50nm、100nm、150nm、162nm、176nm、181nm或者200nm等等。

采用真空水电镀镀膜形成金属工艺层101。水电镀的方式有利于降低制备成本。

金属工艺层101具有较佳的导电性，其有利于形成均匀的金属过渡层102与金属功能层103。

金属工艺层101形成之后在金属工艺层101的表面形成金属过渡层102。

在本申请中，采用磁控溅射的方式在金属工艺层101的表面形成金属过渡层102。

磁控溅射的方式可以使金属过渡层102均匀地分布于金属工艺层101的表面，且磁控溅射的方式有利于提高金属过渡层102的致密性，使覆盖于金属过渡层102的金属功能层103更均匀。

金属过渡层102的厚度为5-20nm，例如可以为5nm、7nm、9nm、13nm或20nm等等。

金属过渡层102的材料为铜、银或者镍。

金属过渡层102形成之后形成金属功能层103。金属功能层103位于金属过渡层102远离绝缘层110第一表面的一面。

在本申请中，采用水电镀的方式形成金属功能层103。

金属功能层103的材料为铜、银或者镍。

作为示例性地，金属功能层103的厚度可以为50-2300nm，例如可以为50nm、110nm、450nm、670nm、850nm、1200nm、1800nm、2000nm或2300nm等等。

水电镀的方式可以使得到的金属功能层103具有良好的致密性；有利于提高金属功能层103的导电性。

金属功能层103形成后，在金属功能层103背离绝缘层110第一表面的一面形成第一保护层105，第一保护层105用于保护金属功能层103，避免金属功能层103被氧化或者损坏。

在本实施例中，第一保护层105的材料为可导电的非金属或惰性金属。

例如，第一保护层105的材料可以为Cr、Ni及其合金中的至少一种。Cr、Ni及其合金不易被氧化，有利于保护金属功能层103。

或者，第一保护层105的材料也可以为重铬酸钾、葡萄糖络合物等非金属材料。

在本申请的实施例中，第一保护层105的厚度可以为1-80nm，例如可以为1nm、5nm、10nm、35nm、50nm或80nm。

在本申请的其他实施例中，也可以不设置第一保护层105。

在绝缘层110的第一表面形成完所有的层结构后再于绝缘层110的第二表面形成层结构。

在绝缘层110的第二表面形成第二粘结层202，第二粘结层202的材料可以为金属化合物或非金属的化合物；例如可以为硅氧化物、铝氧化物、钛氧化物以及钛的氮化物中的至少一种。

第二粘结层的厚度为3-40nm，例如可以为3nm、5nm、12nm、19nm、25nm或40nm。

作为示例性地，可以采用真空蒸发或者磁控溅射的方式在绝缘层110的第二表面形成第二粘结层202。

第二粘结层202有利于提高铝层201与绝缘层110的粘结能力，避免绝缘层110与铝层201之间形成缝隙或者裂痕。

可以理解的是，在本申请的其他实施例中，也可以不在绝缘层110的第二表面设置第二粘结层202，直接在绝缘层110的第二表面设置铝层201。

在本申请中，采用蒸发镀膜的方式在绝缘层110的第二表面形成铝层201。

作为示例性地，铝层201的厚度为100-1500nm，例如可以为100nm、15 0nm、300nm、550nm、600nm、1300nm或1500nm。

铝层201形成后在铝层201背离绝缘层110的一面设置第二保护层203。

作为示例性地，第二保护层203的材料为氧化铝，氧化铝可以避免铝层201被氧化。

采用真空蒸发反应镀膜的方式在铝层201背离绝缘层110的一面设置第二保护层203。

或者，直接将铝层201熟化形成第二保护层203。

第二保护层203的厚度为1-8nm，例如可以为1nm、2nm、4nm、5nm或8nm等等。

可以理解的是，在本申请的其他实施例中，可以不采用其他步骤在铝层201表面形成第二保护层203，例如铝层201的表层在空气中会形成氧化铝。

本申请实施例提供的双极性集流体100的制备方法至少具有以下优点：

采用在磁控溅射的方法在绝缘层110的表面形成第一粘结层104和第二粘结层202，其作用是增加绝缘层110和金属铜或铝层的粘结力，由于绝缘层110和金属层的内应力不同，直接镀膜或复合时很容易脱落分层，无法形成一体化的复合膜。

在第一粘结层104完成后，才可以采用水电镀的方式形成金属工艺层101，第一粘结层104的导电性为0.1-50Ω/□时，可以降低第一粘结层104的厚度，金属工艺层101进一步增加导电性，金属过渡层102提高金属功能层103的致密性。

金属过渡层102的主要作用就是增强金属功能层103的致密性，采用磁控溅射的方式形成金属过渡层102，其生长方式为层状，结构较为致密。由于金属过渡层102的工艺方法和金属成分成本较高，因此需要控制适当的厚度，既可以满足后续功能层生长致密性的需求有可以尽量降本。

作为示例性地，第一粘结层104的导电性为0.1-50Ω/□，金属工艺层101进一步增加导电性至0.05-1Ω/□，通过多层设置使第一表面的导电性为10-30mΩ/□，第二表面的导电性为10-50mΩ/□，具备良好的导电性。

保护层的作用就是保护功能层金属不被氧化，同时又不影响功能层的导电性。

先采用水电镀的方式形成金属工艺层和金属功能层，然后再形成铝层。在形成铝层的过程中不会影响之前形成的各个膜层的性能。如果先形成铝层再形成金属工艺层和金属功能层，会导致铝层被破坏。本申请提供的制备方法能够降低成本。

本申请实施例提供的制备方法得到的双极性集流体与现有的复合导电膜集流体、传统集流体的比较结果见表1。

表1多种集流体比较

与每一层都采用磁控溅射工艺相比，本申请提供的方法可以降低百分之五十左右的成本。

本申请的实施例还提供一种双极性集流体100，该双极性集流体通过上述双极性集流体100的制备方法制得。

本申请的实施例提供的双极性集流体100具有较小的厚度。双极性集流体100的第一面以铜为主要导电材料，导电性＜22mΩ，第二面以铝为主要导电材料，导电性＜50mΩ；可在锂离子电池中作为极片使用。

本申请还提供一种电池，该电池包括正极、负极以及与所述正极、所述负极连接的集流体；其中，所述集流体为上述的双极性集流体。

以下结合实施例对本申请的特征和性能作进一步的详细描述。

实施例1

请参阅图1，本实施例提供一种如图1所示的双极性集流体100，主要通过以下方法制得：

将厚度约为6μm的邻苯基苯酚绝缘层在温度为75℃的条件下烘干，使绝缘层的含水量约为3％。

通过磁控溅射的方法在绝缘层的第一面形成8nm的NiCu合金粘结层，通过水电镀的方式在NiCu合金粘结层表面形成厚度约为120nm的铜工艺层，通过磁控溅射的方式在铜工艺层的表面形成两层厚度约为15nm的铜过渡层，通过水电镀的方式在过渡层的表面形成层厚度约为900nm的铜功能层，通过水电镀的方式在功能层的表面形成厚度约为30nm的铬保护层。

然后采用真空蒸发反应镀膜的方式在邻苯基苯酚绝缘层的第二表面形成Al₂O₃的粘结层12nm，通过蒸发镀膜的方式Al₂O₃的粘结层表面上形成厚度约为850nm的铝层，通过自然熟化的方式在铝层的表面形成两厚度约为4nm的Al₂O₃的钝化保护层。

实施例2

请参阅图1，本实施例提供一种如图1所示的双极性集流体100，主要通过以下方法制得：

取含水量为2％的厚度约为8μm的PET绝缘层。PET绝缘层具有相对的第一表面和第二表面。

通过磁控溅射的方法在PET绝缘层第一表面形成金属Ni粘结层20nm，通过水电镀的方式在Ni粘结层表面上形成厚度约为150nm的铜工艺层，通过磁控溅射的方式在铜工艺层的表面形成两层厚度约为15nm的Ni过渡层，通过水电镀的方式在过渡层的表面形成层厚度约为950nm的铜功能层，通过磁控溅射的方式在铜功能层的表面形成厚度约为20nm的NiCr合金保护层。

然后再采用磁控溅射反应镀膜的方式在PET绝缘层的第二表面形成Al₂O₃的粘结层10nm，通过蒸发镀膜的方式在Al₂O₃的粘结层表面上形成厚度约为1000nm的铝层，通过真空蒸发反应镀膜的方式在铝层的表面形成两厚度约为6nm的Al₂O₃的钝化保护层。

实施例3

请参阅图1，本实施例提供一种如图1所示的双极性集流体100，主要通过以下方法制得：

选用厚度约为4μm的PET绝缘层；PET绝缘层具有相对的第一表面和第二表面。

通过真空蒸发镀膜的方法在PET绝缘层的第一表面形成15nm的NiCr金属合金粘结层，通过水电镀的方式在NiCr金属合金粘结层表面上形成厚度约为100nm的铜工艺层，通过水电镀的方式在铜工艺层的表面形成一层厚度约为30nm的Cr金属过渡层，通过水电镀的方式在过渡层的表面形成层厚度约为1000nm的铜功能层，通过水电镀的方式在铜功能层的表面形成厚度约为40nm的铬保护层。

然后在采用真空蒸发反应镀膜的方式在PET绝缘层的第二表面形成Al₂O₃的粘结层10nm，通过蒸发镀膜的方式在Al₂O₃的粘结层表面上形成厚度约为1000nm的铝层，通过真空磁控溅射反应镀膜的方式在铝层的表面形成两厚度约为6nm的Al₂O₃的钝化保护层。

图2示出了本申请实施例4提供的双极性集流体100的结构示意图，请一并参阅图1与图2，在图2中，双极性集流体100未设置第一粘结层104和第二粘结层202。

实施例4

请参阅图2，本实施例提供一种如图2所示的双极性集流体100，本实施例提供的双极性集流体100的制备方法与实施例3的区别在于，本实施例的制备方法中PET绝缘层的第一表面未制备NiCr金属合金粘结层，直接在PET绝缘层的第一表面制备厚度约为100nm的铜工艺层。

然后在采用真空蒸发反应镀膜的方式在PET绝缘层的第二表面直接制备厚度约为1000nm的铝功能层。

图3示出了对比例提供的双极性集流体100的结构示意图，请一并参阅图1与图3，在图3中，双极性集流体100未设置第一粘结层104、第二粘结层202以及金属过渡层102。

对比例1

请参阅图3，本对比例提供一种如图3所示的双极性集流体100，本对比例提供的双极性集流体100的制备方法与实施例4的区别在于，本实施例的制备方法中PET绝缘层的第一表面制备厚度约为100nm的铜工艺层。直接通过真空蒸发镀膜的方式在铜工艺层的表面形成层厚度约为1000nm的铜功能层。

对比例2

请参阅实施例1与图1，本对比例提供一种如图1所示的双极性集流体100，其制备方法与实施例1的区别在于：

通过蒸发镀膜的方式在NiCu合金粘结层表面形成厚度约为120nm的铜工艺层。

对比例3

请参阅实施例1与图1，本对比例提供一种如图1所示的双极性集流体100，其制备方法与实施例1的区别在于：

通过蒸发镀膜的方式在过渡层的表面形成层厚度约为900nm的铜功能层。

试验例

对实施例1-4以及对比例1-3的粘接性和致密性进行测试。

粘结力的测试方法为：取双面胶带，宽度20mm，长100mm，粘于桌面上备用，取测试样品，将其粘于双面胶表面以覆盖双面胶，然后将多余的样品切去，用不同粘结力的胶带对样品进行剥离测试，一般选用300-100N/m的不同梯度的胶带进行测试，不剥离时确认粘结力等级。

致密性的测试方法为：取宽度10cm，长10cm的测试样品，将样品置于CCD测试仪器样品台，样品台有效检测区域长50mm，宽50mm，采用暗场背光的方法，打开CCD测试仪器，CCD分辨率为40μ，设定光源亮度255，二值化阈值为100，相机曝光时间为20000us，即可得到样品对应的透光点个数，即为致密性。A等级：检测值≤2000，B等级：检测值＞1000且≤10000，C等级：检测值＞10000。测试结果如表2。

表2实施例和对比例的测试结果

实施例	粘结性(N/m)	致密性	材料成本
				实施例1	＞200	A等级	100％
实施例2	＞200	A等级	120％
				实施例3	＞150	C等级	110％
实施例4	＜100	C等级	105％
				对比例1	＜100	差于C等级	130％
对比例2	＞200	A等级	105％
				对比例3	＞200	B等级	130％

从表1可以看出：本申请的制备方法增加了金属过渡层，有效提高了铜镀层的致密性。

综上可以看出，本申请实施例提供的方法不仅具有较优的致密性，其材料成本以及工艺成本也较低。

以上所述仅为本申请的优选实施例而已，并不用于限制本申请，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (18)

1.一种双极性集流体的制备方法，其特征在于，主要包括：

先在绝缘层的第一表面采用磁控溅射的方式形成第一粘结层，采用水电镀镀膜的方式在所述第一粘结层表面形成金属工艺层，使用磁控溅射的方式在所述金属工艺层表面形成金属过渡层，采用水电镀的方式在所述金属过渡层表面形成金属功能层；

然后采用蒸发镀膜的方式在所述绝缘层的第二表面形成铝层；

其中，所述第一表面与所述第二表面为所述绝缘层相对的两面；

所述第一粘结层为铜金属层、银金属层、镍金属层及其合金金属层；

所述金属工艺层为铜金属层、银金属层或者镍金属层；

所述金属过渡层为铜金属层、银金属层或者镍金属层；

所述金属功能层为铜金属层、银金属层。

2.根据权利要求1所述的双极性集流体的制备方法，其特征在于，

所述第一粘结层的导电性为0.1-50Ω/□。

3.根据权利要求2所述的双极性集流体的制备方法，其特征在于，所述第一粘结层的厚度为3-40nm。

4.根据权利要求2所述的双极性集流体的制备方法，其特征在于，所述第一粘结层的导电性为1-10Ω/□。

5.根据权利要求1所述的双极性集流体的制备方法，其特征在于，在所述金属过渡层表面形成金属功能层之后，在所述绝缘层的第二表面形成铝层之前还包括：

在所述绝缘层的第二表面形成第二粘结层；所述第二粘结层的材料为金属化合物或非金属的化合物。

6.根据权利要求5所述的双极性集流体的制备方法，其特征在于，所述第二粘结层的厚度为3-40nm。

7.根据权利要求5所述的双极性集流体的制备方法，其特征在于，所述第二粘结层的材料为硅氧化物、铝氧化物、钛氧化物以及钛的氮化物中的至少一种。

8.根据权利要求1所述的双极性集流体的制备方法，其特征在于，在所述金属过渡层表面形成金属功能层之后，在所述绝缘层的第二表面形成铝层之前还包括：

在所述金属功能层表面形成第一保护层；所述第一保护层的材料为可导电的非金属或惰性金属。

9.根据权利要求1所述的双极性集流体的制备方法，其特征在于，还包括：

在所述铝层表面形成第二保护层；所述第二保护层的材料为氧化铝。

10.根据权利要求9所述的双极性集流体的制备方法，其特征在于，所述第二保护层的厚度为0.5-10nm。

11.根据权利要求1-10任一项所述的双极性集流体的制备方法，其特征在于，

所述绝缘层的含水量为2-5％。

12.根据权利要求11所述的双极性集流体的制备方法，其特征在于，所述绝缘层的厚度为1.2-12μm。

13.根据权利要求12所述的双极性集流体的制备方法，其特征在于，所述金属工艺层的厚度为10-200nm。

14.根据权利要求1-10任一项所述的双极性集流体的制备方法，其特征在于，所述金属工艺层的厚度为50-110nm。

15.根据权利要求1所述的双极性集流体的制备方法，其特征在于，

所述金属过渡层的厚度为5-100nm。

16.根据权利要求1-10任一项所述的双极性集流体的制备方法，其特征在于，所述金属过渡层的厚度为10-30nm。

17.一种双极性集流体，其特征在于，所述双极性集流体通过权利要求1-16任一项所述的制备方法制得。

18.一种电池，其特征在于，所述电池包括正极、负极以及与所述正极、所述负极连接的集流体；

其中，所述集流体为权利要求17所述的双极性集流体。

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