CN114420538A - 一种可有效清洗晶圆表面的方法 - Google Patents

一种可有效清洗晶圆表面的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN114420538A
CN114420538A CN202111674388.XA CN202111674388A CN114420538A CN 114420538 A CN114420538 A CN 114420538A CN 202111674388 A CN202111674388 A CN 202111674388A CN 114420538 A CN114420538 A CN 114420538A
Authority
CN
China
Prior art keywords
wafer
nozzle
cleaning
cleaning solution
cleaning liquid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202111674388.XA
Other languages
English (en)
Inventor
廖世保
陈丁堃
邓信甫
毛明军
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Zhiwei Semiconductor Shanghai Co Ltd
Original Assignee
Zhiwei Semiconductor Shanghai Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Zhiwei Semiconductor Shanghai Co Ltd filed Critical Zhiwei Semiconductor Shanghai Co Ltd
Priority to CN202111674388.XA priority Critical patent/CN114420538A/zh
Publication of CN114420538A publication Critical patent/CN114420538A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • B08B3/022—Cleaning travelling work
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • B08B3/024—Cleaning by means of spray elements moving over the surface to be cleaned
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

本发明公开了一种可有效清洗晶圆表面的方法，涉及到半导体技术领域，包括S1、将晶圆夹持在晶圆承载平台上，驱动晶圆承载平台按照第一转速进行旋转；S2、通过喷嘴正对晶圆的中心部分，使喷嘴的轴线与晶圆表面垂直，通过喷嘴喷射第一清洗液；S3、旋转喷嘴，使喷嘴的轴线与晶圆表面呈30～45°夹角，并持续向晶圆表面喷射第二清洗液；S4、喷射第二清洗液时，保持喷嘴倾斜角度不变，并驱动喷嘴沿晶圆的半径方向往复移动。本发明中，能够将第二清洗液有效扩散至晶圆的边缘区域，能够有效去除晶圆表面的杂质并快速的移除第一清洗液残留物，且第一转速为线性增加，使得第一清洗液以及第二清洗液可以形成瑞流，便于更多的清洗液堆积在晶圆的边缘。

Description

一种可有效清洗晶圆表面的方法
技术领域
本发明涉及到半导体技术领域，尤其涉及到一种可有效清洗晶圆表面的方法。
背景技术
在半导体制造的工艺中，通常需要对晶圆的表面以及边缘进行清洗，以去除晶圆表面上的膜层以及杂质，保证后续工艺正常进行。
现有技术清洗晶圆清洗的方法为，向晶圆边缘及表面提供清洗溶液，但是晶圆边缘及表面膜层清洗不完全；且在清洗后容易形成残留物，造成半导体产品具有缺陷。
发明内容
本发明的目的在于提供一种可有效清洗晶圆表面的方法，用于解决上述技术问题。
本发明采用的技术方案如下：
一种可有效清洗晶圆表面的方法，包括：
S1、将晶圆夹持在晶圆承载平台上，并驱动所述晶圆承载平台按照第一转速进行旋转；
S2、通过喷嘴正对所述晶圆的中心部分，并使得所述喷嘴的轴线与所述晶圆表面垂直，通过所述喷嘴喷射第一清洗液；
S3、旋转所述喷嘴，使得所述喷嘴的轴线与所述晶圆表面呈30～45°夹角，并持续向晶圆表面喷射第二清洗液；
S4、喷射所述第二清洗液时，保持所述喷嘴倾斜角度不变，并驱动所述喷嘴沿所述晶圆的半径方向往复移动。
作为优选，所述第一转速呈线性增加至指定转速直至完成所述第二清洗液的清洗过程。
作为优选，所述第一清洗液清洗过程中，由所述晶圆的中心部分向所述晶圆表面通入热气流。
作为优选，所述晶圆承载平台上正对所述晶圆的中心部分设有氮气喷头。
作为优选，所述第一清洗液的喷射时间为13～17s。
作为优选，所述第二清洗液的喷射时间为32～35s。
上述技术方案具有如下优点或有益效果：
本发明中，向晶圆的表面喷射第一清洗液和第二清洗液，且喷射第二清洗液时，喷嘴旋转至倾斜状态并进行往复式的摆动，能够将第二清洗液有效扩散至晶圆的边缘区域，能够有效去除晶圆表面的杂质并快速的移除第一清洗液残留物，且第一转速为线性增加，使得第一清洗液以及第二清洗液可以形成瑞流，便于更多的清洗液堆积在晶圆的边缘，实现对晶圆的边缘位置的有效清洗。
附图说明
图1是本发明中可有效清洗晶圆表面的方法的流程图；
图2是本发明中的晶圆承载平台的结构示意图。
图中：1、晶圆承载平台；2、侧壁；3、腔体；4、晶圆；5、加热模块；6、氮气喷嘴；7、喷流孔。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要说明的是，如出现术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等，其所指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，如出现术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，如出现术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
图1是本发明中可有效清洗晶圆表面的方法的流程图；图2是本发明中的晶圆承载平台的结构示意图，请参见图1至图2所示，示出了一种较佳的实施例，示出的一种可有效清洗晶圆表面的方法，包括：
S1、将晶圆4夹持在晶圆承载平台1上，并驱动晶圆承载平台1按照第一转速进行旋转。
S2、通过喷嘴正对晶圆4的中心部分，并使得喷嘴的轴线与晶圆4表面垂直，通过喷嘴喷射第一清洗液。
S3、旋转喷嘴，使得喷嘴的轴线与晶圆4表面呈30～45°夹角，并持续向晶圆4表面喷射第二清洗液。
S4、喷射第二清洗液时，保持喷嘴倾斜角度不变，并驱动喷嘴沿晶圆4的半径方向往复移动。本实施例中，在晶圆承载平台1的外侧设有外壳，外壳与晶圆承载平台1之间形成腔体3，晶圆4通过非接触的方式被夹持在晶圆承载平台1上，可以避免晶圆4搬运过程中出现污染现象。而喷嘴的角度可以调整，喷嘴的轴线与晶圆4表面垂直时，喷射第一清洗液，第一清洗液由晶圆4的中心向外缘扩散，由晶圆4的中心部分向外缘开始清洗，且第一转速呈线性增加，可以使得第一清洗液和第二清洗液的流速由晶圆4中间向外缘方向逐渐增加，使得第一清洗液以及第二清洗液可以形成瑞流并堆积在晶圆4的边缘位置。便于清洗液与晶圆4的边缘充分反应，可以提高清洗效果。且通过第二清洗液清洗时，喷嘴呈倾斜状态，由晶圆4的中间向外缘摆动，并配合晶圆4本身的旋转，能够直接将晶圆4表面的第一清洗液直接移除。且通过第二清洗液清洗时，喷嘴的轴线与晶圆4表面的夹角可优先选用45°。
进一步，作为一种较佳的实施方式，第一转速呈线性增加至指定转速直至完成第二清洗液的清洗过程。本实施例中，用第一清洗液清洗时为晶圆4的第一清洗过程，用第二清洗液清洗时为晶圆4的第二清洗过程。其中，第一清洗过程中以及第二清洗过程中第一转速均是呈线性增加。且第二清洗过程中的晶圆4的转动速度大于第一清洗过程中的晶圆4的转动速度。
进一步，作为一种较佳的实施方式，第一清洗液清洗过程中，由晶圆4的中心部分向晶圆4表面通入热气流。本实施例中，由晶圆4的中心部分通入热气流，可以使得热气流均匀向晶圆4的外缘扩散，最后集中堆积在晶圆4的边缘区域，通入的热气流便于第一化学液以及第二化学液的反应，可以提高反应速率，提高清洗效果。
进一步，作为一种较佳的实施方式，晶圆承载平台1上正对晶圆4的中心部分设有氮气喷头。本实施例中，在晶圆承载平台1的上表面位于氮气喷头的外缘还设有一圈喷流孔7，且喷流孔7倾斜设置，喷流孔7由下至上向远离氮气喷头的方向倾斜设置，设置的喷流孔7用于通入热气流，由于喷流孔7的倾斜，使得热气流可以由晶圆4的底部中间部分向外均匀扩散并堆积在晶圆4的下表面的边缘位置，提高清洗液的反应速率。在晶圆承载平台1上设有至少两圈加热模块5，且加热模块5对应晶圆4的边缘区域位置，便于对扩散的热气流进行加热，保持晶圆4边缘位置的温度。
进一步，作为一种较佳的实施方式，第一清洗液的喷射时间为13～17s。
进一步，作为一种较佳的实施方式，第二清洗液的喷射时间为32～35s。
以上所述仅为本发明较佳的实施例，并非因此限制本发明的实施方式及保护范围，对于本领域技术人员而言，应当能够意识到凡运用本发明说明书及图示内容所作出的等同替换和显而易见的变化所得到的方案，均应当包含在本发明的保护范围内。

Claims (6)

1.一种可有效清洗晶圆表面的方法，其特征在于，包括：
S1、将晶圆夹持在晶圆承载平台上，并驱动所述晶圆承载平台按照第一转速进行旋转；
S2、通过喷嘴正对所述晶圆的中心部分，并使得所述喷嘴的轴线与所述晶圆表面垂直，通过所述喷嘴喷射第一清洗液；
S3、旋转所述喷嘴，使得所述喷嘴的轴线与所述晶圆表面呈30～45°夹角，并持续向晶圆表面喷射第二清洗液；
S4、喷射所述第二清洗液时，保持所述喷嘴倾斜角度不变，并驱动所述喷嘴沿所述晶圆的半径方向往复移动。
2.如权利要求1所述的可有效清洗晶圆表面的方法，其特征在于，所述第一转速呈线性增加至指定转速直至完成所述第二清洗液的清洗过程。
3.如权利要求1所述的可有效清洗晶圆表面的方法，其特征在于，所述第一清洗液清洗过程中，由所述晶圆的中心部分向所述晶圆表面通入热气流。
4.如权利要求1所述的可有效清洗晶圆表面的方法，其特征在于，所述晶圆承载平台上正对所述晶圆的中心部分设有氮气喷头。
5.如权利要求1所述的可有效清洗晶圆表面的方法，其特征在于，所述第一清洗液的喷射时间为13～17s。
6.如权利要求1所述的可有效清洗晶圆表面的方法，其特征在于，所述第二清洗液的喷射时间为32～35s。
CN202111674388.XA 2021-12-31 2021-12-31 一种可有效清洗晶圆表面的方法 Pending CN114420538A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111674388.XA CN114420538A (zh) 2021-12-31 2021-12-31 一种可有效清洗晶圆表面的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111674388.XA CN114420538A (zh) 2021-12-31 2021-12-31 一种可有效清洗晶圆表面的方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114420538A true CN114420538A (zh) 2022-04-29

Family

ID=81271024

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202111674388.XA Pending CN114420538A (zh) 2021-12-31 2021-12-31 一种可有效清洗晶圆表面的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN114420538A (zh)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6334902B1 (en) Method and apparatus for removing a liquid from a surface
EP0970511B1 (en) Method and apparatus for removing a liquid from a surface
US5584310A (en) Semiconductor processing with non-jetting fluid stream discharge array
JP4191009B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP3369418B2 (ja) 超音波振動子、超音波洗浄ノズル、超音波洗浄装置、基板洗浄装置、基板洗浄処理システムおよび超音波洗浄ノズル製造方法
US6899111B2 (en) Configurable single substrate wet-dry integrated cluster cleaner
JPH04171931A (ja) 基板回転式表面処理方法
JPH11233481A (ja) 回転基材の表面から液体を除去する方法および装置
TW201603136A (zh) 加熱器洗淨方法
US6536452B1 (en) Processing apparatus and processing method
US5958146A (en) Ultra-low particle semiconductor cleaner using heated fluids
US20210005465A1 (en) Etching apparatus and etching method
CN112997277B (zh) 基板处理装置和基板处理装置的清洗方法
CN114420538A (zh) 一种可有效清洗晶圆表面的方法
CN208848857U (zh) 一种单片晶圆湿式处理设备
CN210040143U (zh) 一种湿法工艺清洗腔室结晶的装置
US11798801B2 (en) Apparatus including light source supplying light to wafer and window protector receiving a portion of chemical liquid
TW434653B (en) Stackable processing chamber apparatus
CN114420539A (zh) 一种有效控制边缘蚀刻过程的晶圆清洗方法
JP2020170808A (ja) 処理液生成装置、基板処理装置、処理液生成方法および基板処理方法
TW202303815A (zh) 一種用於承載和清潔矽片的裝置
CN114405909B (zh) 一种有效达成单晶圆清洗过程旋转与喷淋的控制方法
US20040025901A1 (en) Stationary wafer spin/spray processor
JP2929861B2 (ja) 高精度エッチング方法と装置
JP2000003897A (ja) 基板洗浄方法及び基板洗浄装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination