CN114389544B - 一种Doherty功率放大器及电子器件 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种Doherty功率放大器及电子器件。所述放大器包括功率分配器、主放大器、效率峰值放大器、线性峰值放大器、两级合路器、输出匹配网络和移相网络,主放大器、效率峰值放大器、线性峰值放大器分别接功率分配器的三个输出端,两级合路器中一级合路器连接主放大器、效率峰值放大器,另一级合路器连接效率峰值放大器和线性峰值放大器,输出匹配网络接放大器的合路点,移相网络设置于峰值放大器和功率放大器之间。本发明在不损失效率的前提下提供优于常规两路非对称Doherty放大器的线性度,大大缓解了Doherty功放的效率和线性度之间的矛盾。
Description
技术领域
本发明属于功率放大器技术领域,具体涉及一种Doherty功率放大器及电子器件。
背景技术
Doherty功放作为常见的功放架构,能够针对高峰均比的调制信号提供高效率放大。如图1所示,为传统的一个Doherty放大器的结构,其包括主放大器M、峰值放大器P、功率分配器1、合路器2、输出匹配网络3、移相网络4,功率分配器1用于分离待放大的射频输入信号,分别用于主放大器M和峰值放大器P;合路器2用于在合路点合成被主放大器M和峰值放大器P分别放大的信号;合成之后的信号通过输出匹配网络3连接到负载。移相网络4设置在峰值放大器P之前,以保证在合路点两路放大器输出信号的相位是对齐的。
上述Doherty放大器中,合路器2应该同时满足从合路点到主放大器在回退状态的阻抗匹配和90度或者(90+n*180)度(n为整数1,2,…)的相移。输出匹配网络3应该满足从负载到合路点的阻抗匹配。移相网络4应该满足它的相移大致相等于主放大器和峰值放大器的相位之差。
图2给出了图1中所展示的Doherty放大器的等效电路。在该图中,主放大器M由电流源IM表示,峰值放大器由电流源IP表示。此外,图1中的合路器2和输出匹配网络3分别由两段90度的传输线1和传输线2代替。合路点阻抗ZL*等于主放大器和峰值放大器的最佳负载的并联阻抗。
参考图2,在低输入功率的情况下,峰值放大器关闭(IP=0),只有主放大器工作。在此条件下,偏置为AB类的主放大器M的视在阻抗处于高阻状态从而实现高效率放大。随着输入信号的增大,峰值放大器慢慢由关闭状态到饱和状态。在这个过程中,峰值放大器的输出电流IP不断增大,并且通过传输线1产生有源负载牵引作用,逐渐降低主放大器和峰值放大器的视在负载,并且使主放大器一直保持在饱和状态。最终,主放大器和峰值放大器的视在负载等于各自的最佳负载,同时达到饱和状态。
需要注意的是,理想的Doherty放大器的在回退状态下的高效率来源于两个方面。一是主放大器的负载牵引比例LPR,即其最佳阻抗相对于其高阻阻抗的比例,ROPT_M/RHL_M。二是主放大器相对于Doherty放大器整体的功率比例,即POUT_M/(POUT_M+POUT_P)。实际上,对于两路Doherty放大器POUT_M/(POUT_M+POUT_P)等效于LPR。所以,Doherty放大器的回退范围BO为:
在现代无线通信系统中,因为调制信号峰均比的不断增加,传统的两路对称Doherty放大器逐渐不能胜任越来越严苛的效率要求,随之而生的是两路非对称Doherty放大器,其思路就是减小主放大器相对于Doherty放大器整体的功率比例,从而通过增大回退范围BO来提高Doherty放大器的效率。
但是,这种方法也有缺陷,其中之一是主放大器的负载阻抗的动态范围[ROPT_M,RHL_M]随之变大,导致了线性度的恶化。具体包括两个方面:首先是主放大器的负载阻抗的动态范围越大,从高阻到饱和的增益落差就越大,表现在AMAM曲线的非线性上。其次是主放大器进入饱和状态越早,其漏极寄生电容的非线性就越早出现,表现在AMPM曲线在低功率区域的非线性上。在基站应用中,这两方面因素叠加在一起不利于线性化算法的模型拟合,尤其是数字预失真算法,最终常常会以牺牲功率放大器的效率为代价来追求可校正的线性度。总之,线性度和效率的矛盾是传统两路非对称Doherty放大器难以克服的缺陷。
如何提供一种在不损失效率的前提下增强线性度的Doherty功率放大器,是一个急需解决的问题。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种Doherty功率放大器,从而克服现有技术的不足。
本发明的另一目的在于提供包括上述Doherty功率放大器的电子器件。
为实现前述发明目的,本发明采用的技术方案包括:一种Doherty功率放大器,包括:
功率分配器,其包括一个输入端、第一输出端、第二输出端及第三输出端,所述输入端接入射频输入信号,用于分离待放大的射频输入信号;
主放大器,其输入端接所述功率分配器的所述第一输出端,用于放大经功率分配器分离后的射频输入信号;
峰值放大器,所述峰值放大器包括效率峰值放大器和线性峰值放大器,
所述效率峰值放大器的输入端接所述功率分配器的所述第二输出端,用于放大经功率分配器分离后的射频输入信号;
所述线性峰值放大器,其输入端接所述功率分配器的所述第三输出端,用于放大经功率分配器分离后的射频输入信号;
第一合路器,其两个输入端分别接所述主放大器的输出端及所述效率峰值放大器的输出端,用于合成被主放大器和效率峰值放大器分别放大后的信号;
第二合路器,其两个输入端分别接所述第一合路器的输出端及所述线性峰值放大器的输出端,用于合成被第一合路器合成后的信号和线性峰值放大器放大后的信号;
输出匹配网络,其输入端接所述第二合路器的输出端,另一端接地;及
移相网络,连接于所述峰值放大器和功率分配器之间。
在一优选实施例中,所述功率分配器为三路功率分配器,所述主放大器、效率峰值放大器和线性峰值放大器均为LDMOS器件。
在一优选实施例中,所述第一合路器和第二合路器分别用π型LCL网络和π型CLC网络实现。
在一优选实施例中,所述第一合路器包括主寄生电容、第一并联电感、第一去耦电容、第一串联电容、效率寄生电容的一部分,
所述主寄生电容的一端接主放大器的漏极和第一并联电感的一端,另一端接地;
所述第一并联电感的另一端接第一去耦电容的一端及第一电源;
所述第一去耦电容的另一端接地;
所述第一串联电容的一端接于主放大器和第一并联电感之间,另一端接效率峰值放大器的漏极;
所述效率寄生电容的一端接效率峰值放大器的漏极,另一端接地。
在一优选实施例中,所述第二合路器包括效率寄生电容的一部分、第一并联电容、第一串联电感、线性寄生电容和第二并联电容,
所述效率寄生电容一端接效率峰值放大器的漏极和第一并联电容的一端,另一端接地;
所述第一并联电容的另一端接地;
所述第一串联电感的一端接效率峰值放大器的漏极和第一并联电容之间,另一端接第二并联电容的一端;
所述第二并联电容的另一端接地;
所述线性寄生电容的一端接线性峰值放大器的漏极及第二并联电容,另一端接地。
在一优选实施例中,所述输出匹配网络包括第一电感、第一电容、第二电容和第二电感,
所述第一电感一端接效率峰值放大器和线性峰值放大器的合路点,另一端接第二电容的一端;
所述第一电容的一端接第一电感和第二电容之间,另一端接地;
所述第二电容的另一端接一接地的负载;
所述第二电感的一端接于第二电容和负载之间,另一端接地。
在一优选实施例中,所述移相网络由π型LCL网络实现。
在一优选实施例中,所述放大器还包括用于给效率峰值放大器和线性峰值放大器供电的λ/4传输线、第二去耦电容和第二电源,所述λ/4传输线的一端接第一电感和第二电容之间,另一端接第二电源的一端,第二电源的另一端接地,第二去耦电容的一端接λ/4传输线和第二电源之间,另一端接地。
本发明还提出了另外一种技术方案:一种电子器件,包括上述Doherty功率放大器。
在一优选实施例中,所述电子器件还包括印刷电路板、封装、单片微波集成电路,所述单片微波集成电路封装于封装内,所述封装设置于印刷电路板上,所述Doherty功率放大器的至少部分元件设置于所述印刷电路板或封装或单片微波集成电路上。
与现有技术相比较,本发明的有益效果至少在于:本发明通过在原有的常规两路Doherty功放架构上,额外引入一个线性峰值放大器和与之配合的合路器,用于提升Doherty功放中主路放大器的负载牵引比例,从而优化传统Doherty功放因为负载牵引比例的动态范围过大带来的非线性失真。另外,本发明的Doherty功率放大器能够在不损失效率的前提下提供优于常规两路非对称Doherty放大器的线性度,大大缓解了Doherty功放的效率和线性度之间的矛盾。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明中记载的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是传统两路Doherty放大器的结构示意图;
图2是图1的等效电路示意图;
图3是本发明一实施例的Doherty放大器结构示意图;
图4是图3的等效电路示意图;
图5是本发明具体实施例的电路原理图;
图6是根据图5所示原理图的具体实施案例。
具体实施方式
通过应连同所附图式一起阅读的以下具体实施方式将更完整地理解本发明。本文中揭示本发明的详细实施例;然而,应理解,所揭示的实施例仅具本发明的示范性,本发明可以各种形式来体现。因此,本文中所揭示的特定功能细节不应解释为具有限制性,而是仅解释为权利要求书的基础且解释为用于教示所属领域的技术人员在事实上任何适当详细实施例中以不同方式采用本发明的代表性基础。
本发明所揭示的一种Doherty功率放大器,通过在原有的常规两路Doherty功放架构上,额外引入一个线性峰值放大器和与之配合的合路器,用于提升Doherty功放中主路放大器的负载牵引比例,从而优化传统Doherty功放因为负载牵引比例的动态范围过大带来的非线性失真。本发明的Doherty功率放大器能够在不损失效率的前提下提供优于常规两路非对称Doherty放大器的线性度,大大缓解了Doherty功放的效率和线性度之间的矛盾。
如图3所示,本发明实施例所揭示的一种Doherty功率放大器,包括:功率分配器1、主放大器M、效率峰值放大器PEFF、线性峰值放大器PLIN、第一合路器2、第二合路器5、输出匹配网络3和移相网络4,其中,功率分配器1为三路功率分配器,即具有一个输入端和三个输出端(分别定义为第一输出端、第二输出端和第三输出端),其输入端接入射频输入信号,用于分离待放大的射频输入信号,分别给主放大器1、效率峰值放大器PEFF和线性峰值放大器PLIN。
主放大器M、效率峰值放大器PEFF和线性峰值放大器PLIN均为LDMOS管,其中,主放大器M的栅极接功率分配器1的第一输出端,漏极接第一合路器2,源极接地。
效率峰值放大器PEFF和功率分配器1的第二输出端之间接一移相网络4,移相网络4的一端接功率分配器1的第二输出端,另一端接效率峰值放大器PEFF的栅极,效率峰值放大器PEFF的漏极接第一合路器2和第二合路器5之间,源极接地。
线性峰值放大器PLIN和功率分配器1的第三输出端之间接一移相网络4,移相网络4的一端接功率分配器1的第三输出端,另一端接线性峰值放大器PLIN的栅极,线性峰值放大器PLIN的漏极接第二合路器5,且连接形成一合路点,源极接地。
输出匹配网络3的一端接上述合路点,另一端接一负载,该负载接地。
如图4所示,为图3中本发明Doherty功率放大器的工作原理示意图。
对于一个给定的应用场景,将主放大器M,效率峰值放大器PEFF和线性峰值放大器PLIN的输出功率按照1:X:XY的比例进行分配。对于第一合路器2所包含的传输线1,它的特征阻抗等于其左侧所接的主放大器M的最佳负载ROPT_M,对于第二合路器5所包含的传输线2,它的特征阻抗等于其左侧所接的主放大器M和效率峰值放大器PEFF共同的最佳负载,即ROPT_M//ROPT_PEFF。根据这些基本信息,一方面,主放大器的负载牵引比例可以确定为:
而另一方面,主放大器M相对于Doherty放大器整体的功率比例就是1:(1+X+XY),所以,本发明所示Doherty放大器的回退范围BO是:
由此可知,本发明所示Doherty放大器的回退范围BO只和效率峰值放大器PEFF的输出效率X相关,即主放大器M和效率峰值放大器PEFF的比例。因此,相比于两路1:2非对称Doherty放大器,本发明所示Doherty放大器只要使主放大器M和效率峰值放大器PEFF的比例保持在1:2,就可以获得与之相同的回退范围,保持与之相同的效率。但是,因为引入了线性峰值放大器PLIN,主放大器M的负载牵引比例LPR从1:2两路非对称放大器的1/3,提升到本发明所提Doherty放大器的(1/3+2Y/9)。例如,当Y=2.5时,负载牵引比例上升到8/9,这意味着主放大器的负载仅仅变化了1/9。所以,可以确定本发明所示的Doherty放大器在不影响效率的情况下可以显著改善由负载变化带来的非线性失真。
如图5所示,在一具体实施例中,第一合路器2和第二合路器5可以分别用π型LCL网络和π型CLC网络实现,这样有利于抵消相邻元件,降低电路损耗。具体地,在该实施例中,第一合路器2主要包括主寄生电容Cds_M、第一并联电感LP、第一去耦电容Cdecoup1、第一串联电容CS、效率寄生电容Cds_PEFF的一部分,其中,主寄生电容Cds_M的一端接主放大器的漏极和第一并联电感LP的一端,另一端接地;第一并联电感LP的另一端接第一去耦电容Cdecoup1的一端及第一电源VDD1,第一电源VDD1接地,即主放大器M的漏极供电直接通过第一并联电感LP由第一电源VDD1馈电;第一去耦电容Cdecoup1的另一端接地;第一串联电容CS的一端接于主放大器M的漏极和第一并联电感LP之间,另一端接效率峰值放大器PEFF的漏极;效率寄生电容Cds_PEFF的一端接效率峰值放大器PEFF的漏极,另一端接地。
第二合路器5包括效率寄生电容Cds_PEFF的一部分、第一并联电容CP1、第一串联电感LS、线性寄生电容Cds_PLIN和第二并联电容CP2,其中,效率寄生电容Cds_PEFF一端接效率峰值放大器PEFF的漏极和第一并联电容CP1的一端,另一端接地;第一并联电容CP1的另一端接地;第一串联电感LS的一端接效率峰值放大器PEFF的漏极和第一并联电容CP1之间,另一端接第二并联电容CP2的一端;第二并联电容CP2的另一端接地;线性寄生电容Cds_PLIN的一端接线性峰值放大器PLIN的漏极及第二并联电容CP2,另一端接地。
另外,每一路放大器各自的漏极寄生电容Cds_M,Cds_PEFF,和Cds_PLIN均被吸收进各自对应的合路器中。
输出匹配网络3包括第一电感L1、第一电容C1、第二电容C2和第二电感L2,第一电感L1一端接效率峰值放大器PEFF和线性峰值放大器PLIN的合路点,另一端接第二电容C2的一端;第一电容C1的一端接第一电感L1和第二电容C2之间,另一端接地;第二电容C2的另一端接一接地的负载;第二电感L2的一端接于第二电容C2和负载之间,另一端接地。
另外,效率峰值放大器PEFF和线性峰值放大器PLIN的漏极供电,具体是通过一段λ/4传输线TL1和第二去耦电容Cdecoup2由第二电源VDD2馈电。具体地,λ/4传输线TL1的一端接第一电感L1和第二电容C2之间,另一端接第二电源VDD2的一端,第二电源VDD2的另一端接地,第二去耦电容Cdecoup2的一端接λ/4传输线TL1和第二电源VDD2之间,另一端接地。
根据Doherty功率放大器输出端的相位差,其输入端的功率分配器1和效率峰值放大器PEFF之间接一移相网络。该实施例中,移相网络用一π型LCL网络实现,具体包括第一输入电感Lin1、输入电容Cin1和第二输入电感Lin2,其中,输入电容Cin1的一端接功率分配器1的第二输出端,第一输入电感Lin1的一端接功率分配器1的第二输出端和输入电容Cin1之间,输入电容Cin1的另一端接效率峰值放大器PEFF的栅极,第二输入电感Lin2一端接输入电容Cin1和效率峰值放大器PEFF的栅极之间,另一端接地。
在另一具体实施例中,本发明的Doherty功率放大器被应用在一个2GHz的Doherty放大器上,如图6所示,为该实施例的具体布板示意图。该实施例中,Doherty功率放大器包括一印刷电路板100、封装101和单片微波集成电路102,其中,单片微波集成电路(MMIC)102基于横向扩散金属氧化物半导体LDMOS或氮化镓GaN工艺,其封装在封装101内,封装101可以是QFN(Quad Flat No-leadPackage,方形扁平无引脚封装)封装或者Laminate封装。封装101设置于印刷电路板(PCB)100上。且在图6中,细线用于表示PCB 100,封装101和MMIC102上的轨迹线,粗线用于表示金属键合线,而图6中表示粗线所画出的单线可表示单根键合线或者平行并联的多根键合线。
具体地,在该实施例中,Doherty功率放大器的功率分配器121、主放大器103、效率峰值放大器104、线性峰值放大器105和移相网络集成于单片微波集成电路102内,其中,移相网络包括到地螺旋电感123A、到地螺旋电感123B和一隔直电容122。在其他实施例中,功率分配器121和移相网络也可以选择在PCB 100上通过表贴元件和微带线实现。
在该实施例中,第一合路器包括主寄生电容、第一并联电感、第一去耦电容113、第一串联电容106、效率寄生电容的一部分。其中,主寄生电容被吸收进主放大器103中,第一并联电感通过在PCB 100上通过表贴元件112和键合线110A来实现,键合线110A连接主放大器103的漏极和表贴元件112的一端,第一去耦电容113与表贴元件112及第一电源VDD1相连,用于为表贴元件112提供去耦。第一串联电容106一端连接主放大器103的漏极,另一端接效率峰值放大器104的漏极。
第二合路器包括效率寄生电容的一部分、第一并联电容107、第一串联电感、线性寄生电容Cds_PLIN和第二并联电容108,其中,效率寄生电容被吸收进效率峰值放大器104中,第一并联电容107接效率峰值放大器104的漏极,第一串联电感通过表贴元件114、键合线110B和键合线110C来实现,其中,表贴元件114的一端通过键合线110B连接效率峰值放大器104的漏极,另一端通过键合线110C连接线性峰值放大器105的漏极。线性寄生电容Cds_PLIN被吸收进线性峰值放大器105中,第二并联电容108接线性峰值放大器105的漏极。
输出匹配网络包括第一电感、第一电容、第二电容和第二电感,其中,第一电感可采用表贴元件115和键合线110D实现,第一电容为接地电容,可采用表贴元件118实现,第二电容为隔直电容,可采用表贴元件119实现,第二电感为接地电感,可采用表贴元件120实现。其中,表贴元件115的一端通过键合线110D接线性峰值放大器105的漏极,表贴元件118接于表贴元件115和表贴元件119之间,表贴元件119的另一端接放大器输出端,表贴元件120接于表贴元件119和输出端之间。
另外,图5中的λ/4传输线TL1通过微带线116实现,微带线116一端接于表贴元件115和表贴元件119之间,另一端接第二去耦电容117,微带线116用于提供效率峰值放大器104的漏极馈电,第二去耦电容117和微带线116均接第二电源VDD2。
另外,上述键合线的两端通过焊盘焊接,其中,键合线110A两端的焊盘分别为109A和111A,键合线110B两端的焊盘分别为109B和111B,键合线110C两端的焊盘分别为109C和111C,键合线110D两端的焊盘分别为109C和111D。
其中,上述焊盘109A、第一串联电容106、焊盘109B、第一并联电容107、焊盘109C、第二并联电容108均集成于单片微波集成电路102内。焊盘111A、焊盘111B、焊盘111C和焊盘111D均集成于封装101内,表贴元件112、第一去耦电容113、表贴元件114、表贴元件115、表贴元件118、表贴元件119、表贴元件120、微带线116、第二去耦电容117均集成于PCB100上。上述第一串联电容106、第一并联电容107、第二并联电容108可以通过金属-氧化物-金属电容或者边缘电容实现。
本发明的各方面、实施例、特征及实例应视为在所有方面为说明性的且不打算限制本发明,本发明的范围仅由权利要求书界定。在不背离所主张的本发明的精神及范围的情况下,所属领域的技术人员将明了其它实施例、修改及使用。
在本发明案中标题及章节的使用不意味着限制本发明;每一章节可应用于本发明的任何方面、实施例或特征。
除非另外具体陈述,否则术语“包含(include、includes、including)”、“具有(have、has或having)”的使用通常应理解为开放式的且不具限制性。
尽管已参考说明性实施例描述了本发明,但所属领域的技术人员将理解,在不背离本发明的精神及范围的情况下可做出各种其它改变、省略及/或添加且可用实质等效物替代所述实施例的元件。另外,可在不背离本发明的范围的情况下做出许多修改以使特定情形或材料适应本发明的教示。因此,本文并不打算将本发明限制于用于执行本发明的所揭示特定实施例,而是打算使本发明将包含归属于所附权利要求书的范围内的所有实施例。此外,除非具体陈述,否则术语第一、第二等的任何使用不表示任何次序或重要性。
Claims (10)
1.一种Doherty功率放大器,其特征在于,包括:
功率分配器,其包括一个输入端、第一输出端、第二输出端及第三输出端,所述输入端接入射频输入信号,用于分离待放大的射频输入信号;
主放大器,其输入端接所述功率分配器的所述第一输出端,用于放大经功率分配器分离后的射频输入信号;
峰值放大器,所述峰值放大器包括效率峰值放大器和线性峰值放大器,
所述效率峰值放大器的输入端接所述功率分配器的所述第二输出端,用于放大经功率分配器分离后的射频输入信号;
所述线性峰值放大器,其输入端接所述功率分配器的所述第三输出端,用于放大经功率分配器分离后的射频输入信号;
第一合路器,其两个输入端分别接所述主放大器的输出端及所述效率峰值放大器的输出端,用于合成被主放大器和效率峰值放大器分别放大后的信号;
第二合路器,其两个输入端分别接所述第一合路器的输出端及所述线性峰值放大器的输出端,用于合成被第一合路器合成后的信号和线性峰值放大器放大后的信号;
输出匹配网络,其输入端接所述第二合路器的输出端,另一端接地;及
移相网络,连接于所述峰值放大器和功率分配器之间。
2.根据权利要求1所述的一种Doherty功率放大器,其特征在于:所述功率分配器为三路功率分配器,所述主放大器、效率峰值放大器和线性峰值放大器均为LDMOS器件。
3.根据权利要求1所述的一种Doherty功率放大器,其特征在于:所述第一合路器和第二合路器分别用π型LCL网络和π型CLC网络实现。
4.根据权利要求1或3所述的一种Doherty功率放大器,其特征在于:所述第一合路器包括主寄生电容、第一并联电感、第一去耦电容、第一串联电容、效率寄生电容的一部分,
所述主寄生电容的一端接主放大器的漏极和第一并联电感的一端,另一端接地;
所述第一并联电感的另一端接第一去耦电容的一端及第一电源;
所述第一去耦电容的另一端接地;
所述第一串联电容的一端接于主放大器和第一并联电感之间,另一端接效率峰值放大器的漏极;
所述效率寄生电容的一端接效率峰值放大器的漏极,另一端接地。
5.根据权利要求1或3所述的一种Doherty功率放大器,其特征在于:所述第二合路器包括效率寄生电容的一部分、第一并联电容、第一串联电感、线性寄生电容和第二并联电容,
所述效率寄生电容一端接效率峰值放大器的漏极和第一并联电容的一端,另一端接地;
所述第一并联电容的另一端接地;
所述第一串联电感的一端接效率峰值放大器的漏极和第一并联电容之间,另一端接第二并联电容的一端;
所述第二并联电容的另一端接地;
所述线性寄生电容的一端接线性峰值放大器的漏极及第二并联电容,另一端接地。
6.根据权利要求1所述的一种Doherty功率放大器,其特征在于,所述输出匹配网络包括第一电感、第一电容、第二电容和第二电感,
所述第一电感一端接效率峰值放大器和线性峰值放大器的合路点,另一端接第二电容的一端;
所述第一电容的一端接第一电感和第二电容之间,另一端接地;
所述第二电容的另一端接一接地的负载;
所述第二电感的一端接于第二电容和负载之间,另一端接地。
7.根据权利要求1所述的一种Doherty功率放大器,其特征在于,所述移相网络由π型LCL网络实现。
8.根据权利要求6所述的一种Doherty功率放大器,其特征在于,所述放大器还包括用于给效率峰值放大器和线性峰值放大器供电的λ/4传输线、第二去耦电容和第二电源,所述λ/4传输线的一端接第一电感和第二电容之间,另一端接第二电源的一端,第二电源的另一端接地,第二去耦电容的一端接λ/4传输线和第二电源之间,另一端接地。
9.一种电子器件,其特征在于,包括上述权利要求1~8任意一项所述的Doherty功率放大器。
10.根据权利要求9所述的一种电子器件,其特征在于,所述电子器件还包括印刷电路板、封装、单片微波集成电路,所述单片微波集成电路封装于封装内,所述封装设置于印刷电路板上,所述Doherty功率放大器的至少部分元件设置于所述印刷电路板或封装或单片微波集成电路上。
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