CN114388403A - 批量晶圆的处理方法、蚀刻系统及存储介质 - Google Patents

批量晶圆的处理方法、蚀刻系统及存储介质 Download PDF

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CN114388403A CN202111363920.6A CN202111363920A CN114388403A CN 114388403 A CN114388403 A CN 114388403A CN 202111363920 A CN202111363920 A CN 202111363920A CN 114388403 A CN114388403 A CN 114388403A
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Abstract

本申请公开了一种批量晶圆的处理方法、蚀刻系统及存储介质，属于半导体加工技术领域。所述方法包括：在批量晶圆的处理之前，使用无晶圆清洗基线对反应室的腔室进行无晶圆清洗，在清洗后对批量晶圆中的第一个产品晶圆进行蚀刻并检测工艺性能是否符合工艺规范；若不符合，对无晶圆清洗基线的清洗强度进行调整，使用调整后的无晶圆清洗基线对腔室进行无晶圆清洗后，对第二个产品晶圆进行蚀刻并检测工艺性能是否符合工艺规范；若符合，根据调整后的无晶圆清洗基线对批量晶圆依次进行蚀刻。如此，可以预先优化无晶圆清洗强度，使得优化后的无晶圆清洗能够平衡腔室的聚合物沉积，批量晶圆处理过程中聚合物状态保持稳定，减小对蚀刻速率影响。

Description

批量晶圆的处理方法、蚀刻系统及存储介质
技术领域
本申请涉及半导体加工技术领域，特别涉及一种批量晶圆的处理方法、蚀 刻系统及存储介质。
背景技术
在半导体加工技术领域，为了提高加工效率，通常采用相同的蚀刻工艺对 批量晶圆进行连续加工。其中，蚀刻工艺可以采用轻聚合蚀刻工艺或重聚合蚀 刻工艺。轻聚合蚀刻工艺是指在加工过程中不会产生聚合物沉积，或者产生的 聚合物沉积较少、不会对工艺性能产生影响的蚀刻工艺。重聚合蚀刻工艺是指 在加工过程中产生的聚合物沉积较多，会对工艺性能产生影响的蚀刻工艺。其 中，典型的重聚合蚀刻工艺是博世工艺。
由于在采用重聚合蚀刻工艺对晶圆进行加工的过程中，反应室的腔壁会产 生聚合物沉积，如果沉积的聚合物过多将会严重影响后续晶圆的工艺性能，因 此在各种批量晶圆的连续加的工过程中，在对批量晶圆中的晶圆进行蚀刻之前， 均使用统一的无晶圆清洗基线工艺对反应室的腔室进行无晶圆清洗，在无晶圆 清洗之后再将晶圆放置在反应室内进行加工。
但是，在批量晶圆的连续加工过程中，聚合物沉积状态可能会根据蚀刻工 艺、工艺时长或腔室条件的变化而发生变化，因此如果使用统一的无晶圆清洗 基线进行无晶圆清洗，则在清洗后腔室沉积的聚合物状态可能不一致，从而导 致连续加工的批量晶圆的蚀刻速率发生漂移，进而导致反应室中产生不合规格 的产品。
发明内容
本申请提供了一种批量晶圆的处理方法、蚀刻系统及存储介质，可以解决 相关技术中在腔室沉积的聚合物状态不一致，导致连续加工的批量晶圆的蚀刻 速率发生漂移，进而导致反应室中产生不合规格的产品的问题。所述技术方案 如下：
第一方面，提供了一种批量晶圆的处理方法，所述方法包括：
对反应室进行腔室调节，以及对蚀刻工艺的工艺参数进行校验；
使用无晶圆清洗基线对所述反应室的腔室进行无晶圆清洗，在无晶圆清洗 后对所述批量晶圆中的第一个产品晶圆进行蚀刻，并检测对所述第一个产品晶 圆进行蚀刻的工艺性能是否符合工艺规范；
若对所述第一个产品晶圆进行蚀刻的工艺性能不符合工艺规范，则对所述 无晶圆清洗基线的清洗强度进行调整；
使用调整后的无晶圆清洗基线对所述反应室的腔室进行无晶圆清洗，在无 晶圆清洗后对所述批量晶圆的第二个产品晶圆进行蚀刻，并检测对所述第二个 产品晶圆进行蚀刻的工艺性能是否符合工艺规范；
若对所述第二个产品晶圆进行蚀刻的工艺性能符合工艺规范，则根据调整 后的无晶圆清洗基线对所述批量晶圆中未处理的产品晶圆依次进行蚀刻。
可选地，所述若对所述第二个产品晶圆进行蚀刻的工艺性能符合工艺规范， 则根据调整后的无晶圆清洗基线对所述批量晶圆中未处理的产品晶圆依次进行 蚀刻，包括：
若对所述第二个产品晶圆进行蚀刻的工艺性能符合工艺规范，则使用调整 后的无晶圆清洗基线对所述反应室的腔室进行无晶圆清洗，在无晶圆清洗后对 所述批量晶圆中的第三个产品晶圆进行时刻，并检测对所述第三个产品晶圆进 行蚀刻的工艺性能是否符合工艺规范；
若对所述第三个产品晶圆进行蚀刻的工艺性能符合工艺规范，则根据调整 后的无晶圆清洗基线对所述批量晶圆中未处理的产品晶圆依次进行蚀刻。
可选地，所述检测对所述第二个产品晶圆进行蚀刻的工艺性能是否符合工 艺规范之后，还包括：
若对所述第二个产品晶圆进行蚀刻的工艺性能不符合工艺规范，则将所述 第二个产品晶圆作为目标产品晶圆，将调整后的无晶圆清洗基线作为目标无晶 圆清洗基线，对目标无晶圆清洗基线的清洗强度进行调整；
使用调整后的目标无晶圆清洗基线对所述反应室的腔室进行无晶圆清洗， 在无晶圆清洗后将目标产品晶圆的下一个产品晶圆作为目标产品晶圆进行蚀 刻，并检测对目标处理晶圆进行蚀刻的工艺性能是否符合工艺规范；
若对目标处理晶圆进行蚀刻的工艺性能符合工艺规范，则根据调整后的目 标无晶圆清洗基线对所述批量晶圆中未处理的产品晶圆依次进行蚀刻；
若对目标处理晶圆进行蚀刻的工艺性能不符合工艺规范，则将调整后的目 标无晶圆清洗基线作为目标无晶圆清洗基线，并返回至对目标无晶圆清洗基线 的清洗强度进行调整的步骤，直至根据调整后的目标无晶圆清洗基线对所述反 应室的腔室进行无晶圆清洗后，对目标产品晶圆的下一个产品晶圆进行蚀刻的 工艺性能符合工艺规范后，根据调整后的无晶圆清洗基线对所述批量晶圆中未 处理的产品晶圆依次进行蚀刻。
可选地，所述对无晶圆清洗基线的清洗强度进行调整，包括以下方式中的 一种或多种：
对所述无晶圆清洗基线的清洗配方进行调整；
对所述无晶圆清洗基线的清洗时长进行调整；
对所述无晶圆清洗基线的射频性能或微波性能进行调整；
对所述无晶圆清洗基线的气体压力进行调整；
对所述无晶圆清洗基线的气体流量进行调整。
可选地，所述对所述无晶圆清洗基线的清洗配方进行调整，包括：
若对所述第一个产品晶圆进行蚀刻的蚀刻深度大于蚀刻深度规格，则将所 述无晶圆清洗基线的第一清洗配方调整为第二清洗配方，所述第二清洗配方的 清洗强度小于所述第一清洗配方的清洗强度；
若对所述第一个产品晶圆进行蚀刻的蚀刻深度小于蚀刻深度规格，则将所 述无晶圆清洗基线的第一清洗配方调整为第三清洗配方，所述第三清洗配方的 清洗强度大于所述第一清洗配方的清洗强度。
可选地，所述对所述无晶圆清洗基线的清洗时长进行调整，包括：
根据晶圆处理的工艺时长与无晶圆清洗时长之间的对应关系，将所述无晶 圆清洗基线的清洗时长调整为对所述批量晶圆连续处理的工艺时长对应的无晶 圆清洗时长。
可选地，所述晶圆处理的工艺时长与无晶圆清洗时长之间的对应关系是预 先根据样本产品晶圆处理的不同工艺时长与对应的饱和清洗时长进行统计得 到，所述饱和清洗时长是指按照相同无晶圆清洗配方进行无晶圆清洗使得所述 样本产品晶圆在对应工艺时长下沉积的聚合物状态处于饱和状态的清洗时长。
可选地，所述根据调整后的无晶圆清洗基线对所述批量晶圆中未处理的产 品晶圆依次进行蚀刻，包括：
对于所述批量晶圆中未处理的产品晶圆中的第一产品晶圆，在对所述第一 产品晶圆的上一个产品晶圆处理完成后，使用调整后的无晶圆清洗基线对所述 反应室的腔室进行无晶圆清洗，在无晶圆清洗后对所述第一产品晶圆进行蚀刻， 所述第一产品晶圆为所述未处理的产品晶圆中的任一个。
可选地，所述对反应室进行腔室调节，以及对蚀刻工艺的工艺参数进行校 验，包括：
在所述反应室的腔室内放置第一硅晶圆的情况下，使用腔室清洗基线对所 述反应室的腔室进行清洗；
处理至少一个第一调节晶圆，以对所述反应室进行腔室调节；
对第二硅晶圆分别执行重聚合蚀刻工艺基线的各个工艺步骤，以校验重聚 合蚀刻工艺基线中各个步骤的工艺参数；
按照重聚合蚀刻工艺基线对图案化晶圆进行蚀刻，以校验重聚合蚀刻工艺 基线的工艺参数。
可选地，所述重聚合蚀刻工艺基线为博世工艺基线，所述对第二硅晶圆分 别执行重聚合蚀刻工艺基线的各个工艺步骤，以校验重聚合蚀刻工艺基线中各 个步骤的工艺参数，包括：
对所述第二硅晶圆进行聚合物沉积，以校验聚合物沉积步骤的沉积速率和 均匀性；
对聚合物沉积后的第二硅晶圆进行各向同性蚀刻，以校验各向同性蚀刻步 骤的蚀刻速率和均匀性；
对聚合物沉积后的第二硅晶圆进行单向蚀刻，以校验单向蚀刻步骤的蚀刻 速率和均匀性。
可选地，所述按照重聚合蚀刻工艺基线对图案化晶圆进行蚀刻，以校验重 聚合蚀刻工艺基线的工艺参数，包括：
按照重聚合蚀刻工艺基线对图案化晶圆或结构化晶圆进行蚀刻，以校验重 聚合蚀刻工艺的蚀刻深度、尺寸、轮廓、条纹、表面粗糙度和残留物。
可选地，所述批量晶圆的蚀刻工艺采用重聚合蚀刻工艺。
可选地，所述重聚合蚀刻工艺为博世工艺。
可选地，所述方法还包括：
若所述批量晶圆的蚀刻工艺采用轻聚合蚀刻工艺，则在所述反应室的腔室 内放置第三硅晶圆的情况下，使用腔室清洗基线对所述反应室的腔室进行清洗；
处理至少一个第二调节晶圆，以对所述反应室的进行腔室调节；
按照轻聚合蚀刻工艺基线分别对氧化物覆盖晶圆和图案化晶圆进行蚀刻， 以校验轻聚合蚀刻工艺基线的工艺参数；
按照校验后的轻聚合蚀刻工艺基线，对所述批量晶圆依次进行蚀刻。
可选地，所述对反应室的腔室条件进行调节，包括：
从与所述反应室连接的光学发射光谱系统获取光学发射谱；
根据获取的光学发射谱，对所述反应室的腔室条件进行调节。
可选地，所述根据调整后的无晶圆清洗基线对所述批量晶圆中未处理的产 品晶圆进行连续蚀刻，包括：
从与所述反应室连接的光学发射光谱系统获取光学发射谱；
根据获取的光学发射谱和调整后的无晶圆清洗基线，对所述批量晶圆中未 处理的产品晶圆依次进行蚀刻。
第二方面，提供了一种批量晶圆的处理装置，所述批量晶圆的处理装置具 有实现上述第一方面中批量晶圆的处理方法行为的功能。所述批量晶圆的处理 装置包括至少一个模块，所述至少一个模块用于实现上述第一方面所提供的批 量晶圆的处理方法。
第三方面，提供了一种蚀刻系统，所述蚀刻系统包括控制器、反应室、清 洗系统和蚀刻工具，所述控制器分别与所述反应室、所述清洗系统和所述蚀刻 工具连接，所述清洗系统用于对所述反应室进行清洗，所述蚀刻工具用于对放 置在所述反应室内的晶圆进行蚀刻，所述控制器用于分别对所述反应室、所述 清洗系统和所述蚀刻工具进行控制；
其中，所述控制器包括存储器、处理器以及存储在所述存储器中并可在所 述处理器上运行的计算机程序，所述计算机程序被所述处理器执行时以使所述 蚀刻系统实现上述第一方面所述的任一种批量晶圆的处理方法。
可选地，所述蚀刻系统还包括光学发射光谱系统，所述光学发射光谱系统 分别与所述控制器和所述反应室连接；
所述控制器用于从与所述反应室连接的光学发射光谱系统获取所述反应室 的光学发射谱，根据获取的光学发射谱，对所述反应室的腔室条件进行调节。
可选地，所述控制器还用于从与所述反应室连接的光学发射光谱系统获取 所述反应室的光学发射谱，根据获取的光学发射谱，控制所述反应室和所述蚀 刻工具对批量晶圆进行连续蚀刻。
第四方面，提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存 储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述第一方面所述的任 一种批量晶圆的处理方法。
第五方面，提供了一种计算机设备，所述计算机设备包括存储器、处理器 以及存储在所述存储器中并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述计算机 程序被所述处理器执行时实现上述第一方面所述的任一种批量晶圆的处理方 法。
第六方面，提供了一种包含指令的计算机程序产品，当其在计算机上运行 时，使得计算机执行上述第一方面所述的任一种批量晶圆的处理方法。
本申请实施例提供的有益效果：
本申请实施例中，可以先对反应室进行腔室调节，以及对蚀刻工艺的工艺 参数进行校验。然后，使用无晶圆清洗基线对反应室的腔室进行无晶圆清洗， 在无晶圆清洗后对批量晶圆中的第一个产品晶圆进行蚀刻，并检测到对第一个 产品晶圆进行蚀刻的工艺性能是否符合工艺规范。若不符合，则对无晶圆清洗 基线的清洗强度进行调整，使用调整后的无晶圆清洗基线对反应室的腔室进行 无晶圆清洗后，对第二个产品晶圆进行蚀刻并检测蚀刻的工艺性能是否符合工 艺规范。若符合，则根据调整后的无晶圆清洗基线对批量晶圆中未处理的产品 晶圆依次进行蚀刻。如此，可以在批量晶圆的处理之前，通过对产品晶圆进行 预蚀刻处理，来优化无晶圆清洗强度，使得优化后的无晶圆清洗强度不会影响 产品晶圆的工艺性能，也即是优化后的无晶圆清洗能够平衡腔室的聚合物沉积， 保证清洗后腔室沉积的聚合物状态保持稳定，不会引发产品晶圆的蚀刻速率发 生漂移，从而避免产生不合规格的产品。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所 需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请 的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下， 还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例提供的一种蚀刻系统的示意图；
图2是本申请实施例提供的另一种蚀刻系统的示意图；
图3是本申请实施例提供的一种批量晶圆的处理方法的流程图；
图4是本申请实施例提供的一种反应室的腔室聚合物状态的变化示意图；
图5是本申请实施例提供的一种晶圆处理的工艺时长与无晶圆清洗时长之 间的对应关系的示意图；
图6是本申请实施例提供的一种轻聚合工艺流程和重聚合蚀刻工艺流程的 示意图；
图7是本申请实施例提供的一种轻聚合蚀刻工艺中晶圆处理顺序的示意图；
图8是本申请实施例提供的一种重聚合蚀刻工艺中晶圆处理顺序的示意图；
图9是本申请实施例提供的一种计算机设备的结构示意图。
具体实施方式
为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本申请 实施方式作进一步地详细描述。
应当理解的是，本申请提及的“多个”是指两个或两个以上。在本申请的 描述中，除非另有说明，“/”表示或的意思，比如，A/B可以表示A或B；本 文中的“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系， 比如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三 种情况。另外，为了便于清楚描述本申请的技术方案，采用了“第一”、“第 二”等字样对功能和作用基本相同的相同项或相似项进行区分。本领域技术人 员可以理解“第一”、“第二”等字样并不对数量和执行次序进行限定，并且 “第一”、“第二”等字样也并不限定一定不同。
在对本申请实施例进行详细地解释说明之前，先对本申请实施例的应用场 景予以说明。
在批量晶圆的连续加工过程中，各个晶圆加工的腔室条件可能不一致，比 如各个晶圆加工时腔室沉积的聚合物状态不一致，将会导致蚀刻速率发生漂移， 即各个晶圆的蚀刻速率不一致，进而导致反应室中产生不合规格的产品。这种 现象在重聚合蚀刻工艺(尤其是博世工艺)过程中经常出现。
本申请实施例为了保证批量晶圆的连续加工过程中的腔室条件保持一致， 提出了一种能够优化无晶圆清洗强度的批量晶圆的处理方法，通过优化无晶圆 清洗强度来平衡聚合物生成和去除这两种驱动力，以平衡产品晶圆蚀刻中的聚 合物沉积，使得连续晶圆加工过程中腔室内的聚合物状态可以保持在稳定水平， 避免产品晶圆的蚀刻速率发生漂移。
本申请实施例提供的批量晶圆的处理方法可以优化无晶圆清洗强度，并通 过较短的周转时间使反应室的聚合物状态保持稳定，这种方法可以逻辑地插入 到各种蚀刻工艺流程中。比如，可以适应于半导体芯片制造中的轻聚合蚀刻工 艺和重聚合蚀刻工艺。具体可以包括：1、半导体晶圆生产线中的介质蚀刻工艺。 2、使用轻聚合化学或重聚合化学的硅蚀刻工艺。3、单步和多回路工艺(比如 博世工艺)。4、蚀刻深度与线宽的低纵横比(比如2:1)至高纵横比(比如10:1)。 5、通孔和沟槽蚀刻图案。另外，本申请实施例提供的技术方案可以实施到各种 半导体应用中，比如硅光子学、MEMS(Micro-Electro-MechanicalSystem，微机 电系统)、CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物 半导体)、以及微型LED(Light-Emitting Diode，发光二极管)等其他功率器 件应用中。
接下来，对本申请实施例涉及的实施环境进行介绍。
图1是本申请实施例提供的一种蚀刻系统100的示意图，该蚀刻系统100 可以用于对批量晶圆进行连续处理。如图1所示，该蚀刻系统100包括控制器 10、反应室20、清洗系统30和蚀刻工具40，控制器分别与反应室20、清洗系 统30和蚀刻工具40连接。
其中，清洗系统30用于对反应室20进行清洗，比如对反应室20进行无晶 圆清洗。蚀刻工具40位于反应室20内，用于对放置在反应室20内的晶圆进行 蚀刻。比如，采用轻聚合蚀刻工艺或者重聚合蚀刻工艺对放置在反应室20内的 晶圆进行蚀刻。控制器10用于分别对反应室20、清洗系统30和蚀刻工具40进 行控制，以通过对反应室20、清洗系统30和蚀刻工具40进行控制，实现本申 请实施例提供的批量晶圆的连续处理方法。
另外，如图1所示，该蚀刻系统100还可以包括OES(Optical EmissionSpectroscopy，光学发射光谱)系统50，OES系统50分别与控制器10和反应室 20连接。OES系统50可以辅助蚀刻系统100自动对批量晶圆进行连续处理，或 者辅助蚀刻系统100自动对反应室20的腔室条件进行调节。
比如，OES系统50用于获取反应室20的光学发射谱，将获取的光学发射 谱发送给控制器10，由控制器10根据OES系统50发送的光学发射谱对反应室 20的腔室条件进行调节，或者根据OES系统50发送的光学发射谱对批量晶圆 进行连续处理。
作为一个示例，控制器10可以根据OES系统50发送的光学发射谱，采用 EPD(Endpoint Detection，端点检测)算法检测蚀刻工艺端点，当检测到蚀刻端 点时控制蚀刻工具40停止当前蚀刻工艺。其中，EPD算法可以为光谱阈值法、 强度梯度法或信号模式网络等，本申请实施例对此不做限定。另外，OES系统 50获取反应室20的光学发射谱后，还可以由OES系统50采用EPD(Endpoint Detection，端点检测)算法检测蚀刻端点，当检测到蚀刻端点时向控制器10发 送控制指令，由控制器10根据该控制指令控制蚀刻工具40停止当前蚀刻工艺。 或者，OES系统50也可以在检测到蚀刻端点时向蚀刻工具40发送控制指令， 以控制蚀刻工具40停止当前蚀刻工艺。
作为一个示例，控制器10可以在自动模式下，根据蚀刻系统100的辅助自 动对批量晶圆进行连续处理，或者自动对反应室20的腔室条件进行调节。
作为一个示例，请参考图2，OES系统50包括EPD算法程序51、接口程 序52和外部通讯程序53，控制器10包括控制面板11。为了实现批量晶圆的自 动连续处理，操作员可以点击控制面板中的“远程控制标志”，响应于对控制 面板中的“远程控制标志”的点击操作，控制器10将蚀刻系统100的工作模式 切换至自动模式。在自动模式下，OES系统50采集反应室20的光学发射谱并 生成OES信号，通过EPD算法程序51对OES信号进行分析，将分析结果通过 接口程序52和外部通讯程序53发送给蚀刻工具40，以控制蚀刻工具40自动对 批量晶圆进行连续处理。
接下来，对本申请实施例提供的批量晶圆的处理方法进行详细介绍。
图3是本申请实施例提供的一种批量晶圆的处理方法的流程图，该方法可 以应用于图3所示的蚀刻系统100中，如图3所示，该方法可以包括如下步骤：
步骤301：蚀刻系统对反应室进行腔室调节，以及对蚀刻工艺的工艺参数进 行校验。
在蚀刻工艺开始之前，需要预先对反应室进行腔室调节，以及对蚀刻工艺 的工艺参数进行校验，以使反应室的腔室条件和工艺参数符合规范。
其中，腔室调节可以包括气体管线泄漏率、LBR(Chamber leak rate，腔室 回漏率)和MFC(Mass flow controller，质量流量控制器)精度等腔室条件的 调节，当然也可以包括其他腔室条件的调节，本申请实施例对此不做限定。
通过对反应室进行腔室调节，能够保证批量晶圆的各个批次之间保持一致 的腔室条件，减小批量晶圆的批次之间的工艺漂移和不稳定问题。
作为一个示例，以蚀刻工艺为重聚合蚀刻工艺为例，对反应室进行腔室调 节，以及对蚀刻工艺的工艺参数进行校验的实现流程可以包括如下流程：
1)在反应室的腔室内放置第一硅晶圆的情况下，使用腔室清洗基线对反应 室的腔室进行清洗。
其中，第一硅晶圆可以为裸硅晶圆(Bare Si wafer)。可以在反应室的晶圆 挡片上放置第一硅晶圆，然后使用腔室清洗基线对反应室的腔室进行清洗。其 中，晶圆挡片用于放置待处理的晶圆。
其中，腔室清洗基线是指预先设置的用于对腔室进行清洗的标准清洗基线。 腔室清洗基线采用标准清洗配方按照标准清洗强度对反应室的腔室进行清洗。 标准清洗配方可以为标准等离子体。比如，腔室清洗基线可以为POR(Process Of Record，现有制程)等离子清洁。清洗配方可以为SF6或O2。
作为一个示例，可以在蚀刻工艺采用RIE(Reactive Ion Etching，反应离子 蚀刻)时，在反应室的腔室内放置第一硅晶圆的情况下，使用腔室清洗基线对 反应室的腔室进行清洗。比如，对反应室的腔室进行POR等离子清洁。另外， 在蚀刻工艺采用DRIE(DeepReactive Ion Etching，深反应离子蚀刻)时，还可 以对反应室的腔室进行无晶圆清洁，比如进行POR无晶圆清洁。
2)处理至少一个第一调节晶圆，以对反应室进行腔室调节。
其中，第一调节晶圆的处理用于对反应室进行腔室调节。第一调节晶圆可 以为PR(photoresist，光阻)或其他类似晶圆。
在处理至少一个第一调节晶圆的过程中，可以对反应室的室壁进行聚合物 预涂，即预先在室壁上涂一层保护性聚合物，然后对这至少一个第一调节晶圆 分别进行处理，以对反应室进行腔室调节，保证调节后的腔室条件满足工艺要 求。
其中，至少一个第一调节晶圆的数量和调节时间取决于可以薄膜堆栈、工 艺化学和腔室条件等，本申请实施例对至少一个第一调节晶圆的数量和调节时 间不做限定。
3)对第二硅晶圆分别执行重聚合蚀刻工艺基线的各个工艺步骤，以校验重 聚合蚀刻工艺基线中各个步骤的工艺参数。
其中，第二硅晶圆为裸硅晶圆，与第一硅晶圆可以为相同晶圆，也可以为 不同晶圆。重聚合蚀刻工艺基线为预先配置的标准重聚合蚀刻工艺。
通过校验重聚合蚀刻工艺基线中各个步骤的工艺参数，可以检测重聚合蚀 刻工艺基线中各个步骤的工艺参数是否符合工艺规范，若不符合，则可以返回 步骤1)，以对工艺参数进行优化，直至工艺参数满足工艺规范为止。
以重聚合蚀刻工艺为博世工艺为例，可以分别校验博世工艺中D1、E1和E2这3个步骤的工艺参数。其中，D1为聚合物沉积步骤，E1为各向同性蚀刻步骤， E2为单向蚀刻步骤。E1和E2的处理对象相同，均为D1的处理结果。
比如，对第二硅晶圆分别执行博世工艺基线的各个工艺步骤，以校验博世 工艺基线中各个步骤的工艺参数可以包括：对第二硅晶圆进行聚合物沉积，以 校验聚合物沉积步骤的沉积速率和均匀性。对聚合物沉积后的第二硅晶圆进行 各向同性蚀刻，以校验各向同性蚀刻步骤的蚀刻速率和均匀性。对聚合物沉积 后的第二硅晶圆进行单向蚀刻，以校验单向蚀刻步骤的蚀刻速率和均匀性。
4)按照重聚合蚀刻工艺基线对图案化晶圆进行蚀刻，以校验重聚合蚀刻工 艺基线的工艺参数。
比如，可以按照重聚合蚀刻工艺基线对图案化晶圆或结构化晶圆进行蚀刻， 以校验重聚合蚀刻工艺的蚀刻深度、尺寸、轮廓、条纹、表面粗糙度、残留物 等工艺参数。
其中，校验重聚合蚀刻工艺基线的工艺参数是指检测重聚合蚀刻工艺基线 的工艺参数是否符合工艺规范，若不符合，则返回至步骤1)，以对工艺参数进 行优化，直至工艺参数满足工艺规范为止。
步骤302：蚀刻系统使用无晶圆清洗基线对反应室的腔室进行无晶圆清洗， 在无晶圆清洗后对批量晶圆中的第一个产品晶圆进行蚀刻。
本申请实施例中，为了与其他晶圆进行区分，将批量晶圆中待加工的晶圆 称为产品晶圆。为了优化无晶圆清洗强度，以使连续晶圆加工过程中腔室内的 聚合物状态保持在稳定水平，可以先根据无晶圆清洗基线对批量晶圆中的第一 个产品晶圆进行加工，并检测加工后的工艺性能是否符合工艺规范。
步骤303：蚀刻系统检测对第一个产品晶圆进行蚀刻的工艺性能是否符合工 艺规范。
比如，可以检测对第一个产品晶圆进行蚀刻的蚀刻深度是否符合蚀刻深度 规格。
步骤304：若对第一个产品晶圆进行蚀刻的工艺性能不符合工艺规范，则蚀 刻系统对无晶圆清洗基线的清洗强度进行调整。
如果对第一个产品晶圆进行蚀刻的工艺性能不符合工艺规范，则表示使用 无晶圆清洗基线对反应室的腔室进行无晶圆清洗，无法保证该批量晶圆加工过 程中聚合物状态保持稳定，这种情况下，可以对无晶圆清洗基线的清洗强度进 行调整，以使调整后的无晶圆清洗基线的清洗强度能够满足工艺要求。
在批量晶圆的连续处理过程中，聚合物会不断产生和累积，过多的聚合物 沉积可能会导致工艺不稳定，通过在对产品晶圆进行处理之前使用无晶圆清洗 工艺对腔室进行清洗，有助于去除腔室的聚合物以减少聚合物沉积。
本申请实施例中，对无晶圆清洗基线的清洗强度进行调整，即对无晶圆清 洗强度进行优化，是为了平衡聚合物生成和去除的这两种驱动力，以使调整后 的无晶圆清洗基线的清洗强度能够平衡产品晶圆蚀刻中的聚合物沉积，即使得 产品晶圆蚀刻中的聚合物状态处于饱和状态，在后续批量晶圆的每个产品晶圆 加工过程中聚合物状态能够保持在相同的水平，腔室条件变得稳定，来自工艺 环境的干扰较少，从而能够最大程度地减小对产品晶圆的蚀刻速率的影响，这 种情况下，产品晶圆蚀刻的工艺性能能够满足工艺规范。
请参考图4，图4是本申请实施例提供的一种反应室的腔室聚合物状态的变 化示意图。其中，图4中的(a)图为腔室中无聚合物沉积的示意图。图4中的 (b)图为腔室的腔壁进行聚合物预涂的示意图。图4中的(c)图为腔室的腔 壁沉积的聚合物状态处于不饱和状态的示意图。图4中的(d)图为腔室的腔壁 沉积的聚合物状态处于饱和状态的示意图。如图4所示，在批量晶圆的处理过 程中，当腔室的腔壁沉积的聚合物状态一直处于由图4中的(d)图所示的饱和 状态时，能够最大程度地减小对产品晶圆的蚀刻速率的影响。
作为一个示例，可以通过调整无晶圆清洗基线的以下参数中的一种或多种 来调整无晶圆清洗基线的清洗强度：清洗配方、清洗时长、射频性能或微波性 能、气体压力、以及气体流量。其中，射频性能可以包括射频功率、射频脉冲 频率、射频脉冲占空比中的一种或多种。微波性能可以包括微波功率、微波脉 冲频率、微波脉冲占空比中的一种或多种。
作为本申请的一个实施例，可以对无晶圆清洗基线的清洗配方进行调整， 来调整无晶圆清洗基线的清洗强度。
比如，若对第一个产品晶圆进行蚀刻的蚀刻深度大于蚀刻深度规格，则将 无晶圆清洗基线的第一清洗配方调整为第二清洗配方，第二清洗配方的清洗强 度小于第一清洗配方的清洗强度。
若第一个产品晶圆进行蚀刻的蚀刻深度大于蚀刻深度规格，说明过多的聚 合物沉积会导致过高的蚀刻速率，这种情况下，可以通过将无晶圆清洗基线的 第一清洗配方调整为第二清洗配方，来降低无晶圆清洗基线的清洗强度。
示例地，第二清洁配方可以为强O2、SF6或O2等更积极的无晶圆清洗工艺 配方。
再比如，若对第一个产品晶圆进行蚀刻的蚀刻深度小于蚀刻深度规格，则 将无晶圆清洗基线的第一清洗配方调整为第三清洗配方，第三清洗配方的清洗 强度大于第一清洗配方的清洗强度。
若第一个产品晶圆进行蚀刻的蚀刻深度小于蚀刻深度规格，说明过少的聚 合物沉积会导致过低的蚀刻速率，这种情况下，可以通过将无晶圆清洗基线的 第一清洗配方调整为第三清洗配方，来提高无晶圆清洗基线的清洗强度。
作为本申请的另一个实施例，可以对无晶圆清洗基线的清洗时长进行调整， 来调整无晶圆清洗基线的清洗强度。无晶圆清洗基线的清洗时长越大，则无晶 圆清洗基线的清洗强度越大。
比如，可以根据晶圆处理的工艺时长与无晶圆清洗时长之间的对应关系， 将无晶圆清洗基线的清洗时长调整为对批量晶圆连续处理的工艺时长对应的无 晶圆清洗时长。
其中，晶圆处理的工艺时长对应的无晶圆清洗时长是按照相应无晶圆清洗 时长进行无晶圆清洗能够使得产品晶圆在对应工艺时长下沉积的聚合物状态处 于饱和状态的清洗时长。
其中，晶圆处理的工艺时长与无晶圆清洗时长之间的对应关系可以预先根 据样本产品晶圆处理的不同工艺时长与对应的饱和清洗时长进行统计得到，饱 和清洗时长是指按照相同无晶圆清洗配方进行无晶圆清洗使得样本产品晶圆在 对应工艺时长下沉积的聚合物状态处于饱和状态的清洗时长。
请参考图5，图5是本申请实施例提供的一种晶圆处理的工艺时长与无晶圆 清洗时长之间的对应关系的示意图。如图5所示，晶圆处理的工艺时长越长， 清洗聚合物所需的无晶圆清洗时长越长。
步骤305：蚀刻系统使用调整后的无晶圆清洗基线对反应室的腔室进行无晶 圆清洗，在无晶圆清洗后对批量晶圆的第二个产品晶圆进行蚀刻。
步骤306：蚀刻系统检测对第二个产品晶圆进行蚀刻的工艺性能是否符合工 艺规范。
步骤307：若对第二个产品晶圆进行蚀刻的工艺性能符合工艺规范，则蚀刻 系统根据调整后的无晶圆清洗基线对批量晶圆中未处理的产品晶圆依次进行蚀 刻。
如果在使用调整后的无晶圆清洗基线对反应室的腔室进行无晶圆清洗后， 对第二个产品晶圆进行蚀刻的工艺性能符合工艺规范，则说明使用调整后的无 晶圆清洗基线对反应室的腔室进行无晶圆清洗，可以保证该批量晶圆加工过程 中聚合物状态保持稳定。这种情况下，不需要进行二次调整，可以直接根据一 次调整后的无晶圆清洗基线对批量晶圆中未处理的产品晶圆进行连续蚀刻。
另外，为了进一步验证调整后的无晶圆清洗基线满足工艺要求，在检测到 对第二个产品晶圆进行蚀刻的工艺性能符合工艺规范之后，还可以使用调整后 的无晶圆清洗基线对反应室的腔室进行无晶圆清洗，在无晶圆清洗后对批量晶 圆中的第三个产品晶圆进行时刻，并检测对第三个产品晶圆进行蚀刻的工艺性 能是否符合工艺规范。若对第三个产品晶圆进行蚀刻的工艺性能符合工艺规范， 则表示调整后的无晶圆清洗基线通过第三个产品晶圆的验证，后续可以根据调 整后的无晶圆清洗基线对批量晶圆中未处理的产品晶圆进行连续蚀刻。
在重聚合蚀刻工艺中，为了减少聚合物沉积，批量晶圆中每个产品晶圆的 加工流程包括无晶圆清洁和蚀刻这两个流程。也即是，批量晶圆的加工是无晶 圆清洁和蚀刻这两个流程的不断循环。
相应地，根据调整后的无晶圆清洗基线对批量晶圆中未处理的产品晶圆进 行连续蚀刻包括：对于批量晶圆中未处理的产品晶圆中的第一产品晶圆，在对 第一产品晶圆的上一个产品晶圆处理完成后，使用调整后的无晶圆清洗基线对 反应室的腔室进行无晶圆清洗，在无晶圆清洗后对所述第一产品晶圆进行蚀刻。
其中，第一产品晶圆为未处理的产品晶圆中的任一个。也即是，对于任一 个未处理的产品晶圆均按照上述过程依次进行处理。
一般来说，对无晶圆清洗基线的清洗强度进行一次调整，即可将无晶圆清 洗基线的清洗强度调整至符合工艺要求。这种情况下，使用2-3个产品晶圆即可 将无晶圆清洗基线的清洗强度调整至符合工艺要求，调整周期较短。特殊情况 下，可能需要两次调整。
步骤308：若对第二个产品晶圆进行蚀刻的工艺性能不符合工艺规范，则蚀 刻系统将第二个产品晶圆作为目标产品晶圆，将调整后的无晶圆清洗基线作为 目标无晶圆清洗基线。
步骤309：蚀刻系统对目标无晶圆清洗基线的清洗强度进行调整。
比如，如果在使用调整后的无晶圆清洗基线对反应室的腔室进行无晶圆清 洗后，对第二个产品晶圆进行蚀刻的工艺性能不符合工艺规范，则可以继续对 调整后的无晶圆清洗基线进行二次调整。
步骤310：蚀刻系统使用调整后的目标无晶圆清洗基线对反应室的腔室进行 无晶圆清洗，在无晶圆清洗后将目标产品晶圆的下一个产品晶圆作为目标产品 晶圆进行蚀刻。
比如，蚀刻系统使用二次调整的无晶圆清洗基线对反应室的腔室进行无晶 圆清洗，并在无晶圆清洗后对下一个产品晶圆进行蚀刻。
步骤311：蚀刻系统检测对目标处理晶圆进行蚀刻的工艺性能是否符合工艺 规范。
比如，蚀刻系统可以检测对下一个产品晶圆进行蚀刻的工艺性能是否符合 工艺规范。
步骤312：若对目标处理晶圆进行蚀刻的工艺性能符合工艺规范，则蚀刻系 统根据调整后的目标无晶圆清洗基线对批量晶圆中未处理的产品晶圆依次进行 蚀刻。
比如，如果对下一个产品晶圆进行蚀刻的工艺性能符合工艺规范，则说明 使用二次调整的无晶圆清洗基线对反应室的腔室进行无晶圆清洗，可以保证该 批量晶圆加工过程中聚合物状态保持稳定。这种情况下，不需要进行三次调整， 可以直接根据二次调整后的无晶圆清洗基线对批量晶圆中未处理的产品晶圆进 行连续蚀刻。
另外，若对目标处理晶圆进行蚀刻的工艺性能不符合工艺规范，则蚀刻系 统将调整后的目标无晶圆清洗基线作为目标无晶圆清洗基线，并返回至步骤 307，继续对目标无晶圆清洗基线的清洗强度进行调整，直至根据调整后的目标 无晶圆清洗基线对反应室的腔室进行无晶圆清洗后，对目标产品晶圆的下一个 产品晶圆进行处理的工艺性能符合工艺规范为止。
比如，如果对下一个产品晶圆进行蚀刻的工艺性能符合工艺规范，则说明 使用二次调整的无晶圆清洗基线对反应室的腔室进行无晶圆清洗，无法保证该 批量晶圆加工过程中聚合物状态保持稳定。这种情况下，需要继续进行三次调 整，然后使用三次调整的无晶圆清洗基线对反应室的腔室进行无晶圆清洗，在 无晶圆清洁后对下一个产品晶圆进行蚀刻，并检测蚀刻的工艺性能是否符合工 艺规范。若不符合，停止调整，根据调整后的无晶圆清洗基线对批量晶圆中未 处理的产品晶圆依次进行蚀刻。若不符合，则继续进行四次调整，循环往复， 直至根据调整后的无晶圆清洗基线对反应室的腔室进行无晶圆清洗后，对下一 个产品晶圆进行处理的工艺性能符合工艺规范时，停止调整，根据调整后的无 晶圆清洗基线对批量晶圆中未处理的产品晶圆依次进行蚀刻。
另外，若匹配晶圆的蚀刻工艺采用轻聚合蚀刻工艺，则轻聚合蚀刻工艺可 以包括如下步骤：
1)在反应室的腔室内放置第三硅晶圆的情况下，使用腔室清洗基线对反应 室的腔室进行清洗。
其中，第三硅晶圆可以为裸硅晶圆。第三硅晶圆与上述第一硅晶圆和第二 硅晶圆可以相同也可以不同，本申请实施例对此不做限定。
其中，在反应室的腔室内放置第三硅晶圆的情况下，使用腔室清洗基线对 反应室的腔室进行清洗的实现过程与上述在反应室的腔室内放置第一硅晶圆的 情况下，使用腔室清洗基线对反应室的腔室进行清洗的实现过程同理，具体过 程可以参见上述步骤301的相关描述，本申请实施例在此不再赘述。
2)处理至少一个第二调节晶圆，以对反应室的进行腔室调节。
其中，第二调节晶圆可以为PR晶圆或其他类似晶圆。
其中，处理至少一个第二调节晶圆，以对反应室的进行腔室调节的实现过 程与上述处理至少一个第一调节晶圆，以对反应室进行腔室调节的实现过程同 理，具体过程可以参见上述步骤301的相关描述，本申请实施例在此不再赘述。
3)按照轻聚合蚀刻工艺基线分别对氧化物覆盖晶圆和图案化晶圆进行蚀 刻，以校验轻聚合蚀刻工艺基线的工艺参数。
其中，校验轻聚合蚀刻工艺基线的工艺参数是指检测轻聚合蚀刻工艺基线 的工艺参数是否符合工艺规范，若不符合，则返回至步骤1)，以对工艺参数进 行优化，直至工艺参数满足工艺规范为止。
比如，可以按照轻聚合蚀刻工艺基线对氧化物覆盖晶圆进行蚀刻，以校验 轻聚合蚀刻工艺基线的蚀刻速率和均匀性。然后，按照轻聚合蚀刻工艺基线对 图案化晶圆进行蚀刻，以校验轻聚合蚀刻工艺基线的蚀刻深度、尺寸、轮廓、 条纹、表面粗糙度、残留物等工艺参数。
4)按照校验后的轻聚合蚀刻工艺基线，对批量晶圆依次进行蚀刻。
作为一个示例，对于批量晶圆中的每个产品晶圆，可以均按照校验后的轻 聚合蚀刻工艺基线对该产品晶圆进行蚀刻。
作为另一个示例，对于批量晶圆中的每个产品晶圆，可以先使用无晶圆清 洗基线对反应室的腔室进行清洗，再按照校验后的轻聚合蚀刻工艺基线对该产 品晶圆进行蚀刻。
由于轻聚合蚀刻工艺中不会产生聚合物沉积，或者产生的聚合物沉积较少、 不会对工艺性能产生影响的蚀刻工艺，因此在对每个产品晶圆进行蚀刻之前可 以不对反应室的腔室进行无晶圆清洗或者直接使用无晶圆清洗基线对反应室的 腔室进行清洗。
本申请实施例中，可以先对反应室进行腔室调节，以及对蚀刻工艺的工艺 参数进行校验。然后，使用无晶圆清洗基线对反应室的腔室进行无晶圆清洗， 在无晶圆清洗后对批量晶圆中的第一个产品晶圆进行蚀刻，并检测到对第一个 产品晶圆进行蚀刻的工艺性能是否符合工艺规范。若不符合，则对无晶圆清洗 基线的清洗强度进行调整，使用调整后的无晶圆清洗基线对反应室的腔室进行 无晶圆清洗后，对第二个产品晶圆进行蚀刻并检测蚀刻的工艺性能是否符合工 艺规范。若符合，则根据调整后的无晶圆清洗基线对批量晶圆中未处理的产品 晶圆依次进行蚀刻。如此，可以在批量晶圆的处理之前，通过对产品晶圆进行 预蚀刻处理，来优化无晶圆清洗强度，使得优化后的无晶圆清洗强度不会影响 产品晶圆的工艺性能，也即是优化后的无晶圆清洗能够平衡腔室的聚合物沉积， 保证清洗后腔室沉积的聚合物状态保持稳定，不会引发产品晶圆的蚀刻速率发 生漂移，从而避免产生不合规格的产品。
为了便于理解，接下来结合附图对应用了上述批量晶圆的处理方法的轻聚 合蚀刻工艺流程和重聚合蚀刻工艺流程进行举例说明。
请参考图6，图6是本申请实施例提供的一种轻聚合工艺流程和重聚合蚀刻 工艺流程的示意图，其中，图6中的左侧流程为轻聚合工艺流程，图6中的右 侧流程为重聚合蚀刻工艺流程。
如图6中的左侧流程所示，轻聚合蚀刻工艺流程包括如下步骤：
1)在反应室的腔室内放置裸硅晶圆的情况下，使用腔室清洗基线对反应室 的腔室进行清洗。
请参考图7，图7是本申请实施例提供的一种轻聚合蚀刻工艺中晶圆处理顺 序的示意图。图7是以蚀刻系统一批次可以处理25个晶圆为例进行说明，这25 个晶圆分别以#1-#25进行编号。
比如，#1(第一个晶圆)为裸硅晶圆，对于#1，可以在反应室的腔室内放 置#1的情况下，使用腔室清洗基线对反应室的腔室进行清洗。
2)处理至少一个PR晶圆或类似晶圆，以对反应室的进行腔室调节。
比如，#2(第二个晶圆)至#N-1(第N-1个晶圆)为PR晶圆或类似晶圆， 可以对#2至#N-1依次进行处理，以对反应室的进行腔室调节。其中，N大于或 等于3，也即是，至少一个PR的数量大于或等于1。
3)按照轻聚合蚀刻工艺基线对氧化物覆盖晶圆进行蚀刻，以校验轻聚合蚀 刻工艺基线的蚀刻速率和均匀性是否符合工艺规范。
若符合，则跳转至步骤4)；若不符合，则跳转至步骤1)，继续进行腔室 清洗、腔室调节和工艺校验。
比如，#N(第N个晶圆)为氧化物覆盖晶圆，可以按照轻聚合蚀刻工艺基 线对#N进行蚀刻，以校验轻聚合蚀刻工艺基线的蚀刻速率和均匀性。
4)按照轻聚合蚀刻工艺基线对图案化晶圆进行蚀刻，以校验轻聚合蚀刻工 艺基线的蚀刻深度、尺寸、轮廓、条纹、表面粗糙度、残留物等工艺参数是否 符合工艺规范。
若符合，则跳转至步骤5)；若不符合，则跳转至步骤1)，继续进行腔室 清洗、腔室调节和工艺校验。
比如，#N+1(第N+1个晶圆)为图案化晶圆，可以按照轻聚合蚀刻工艺基 线对#N+1进行蚀刻，以校验轻聚合蚀刻工艺基线的蚀刻深度、尺寸、轮廓、条 纹、表面粗糙度、残留物等工艺参数。
5)对批量晶圆依次进行蚀刻。
比如，#N+2(第N+2个晶圆)-#25(第25个晶圆)均为产品晶圆。其中， #N+2为第一个产品晶圆，#N+3为第二个产品晶圆。
6)批量晶圆处理结束。
另外，如图6中的右侧流程所示，重聚合蚀刻工艺流程包括如下步骤：
1)在反应室的腔室内放置裸硅晶圆的情况下，使用腔室清洗基线对反应室 的腔室进行清洗。
请参考图8，图8是本申请实施例提供的一种重聚合蚀刻工艺中晶圆处理顺 序的示意图。图8是以蚀刻系统一批次可以处理25个晶圆为例进行说明，这25 个晶圆分别以#1-#25进行编号。
比如，#1为裸硅晶圆，对于#1，可以在反应室的腔室内放置#1的情况下， 使用腔室清洗基线对反应室的腔室进行清洗。
2)处理至少一个PR晶圆或类似晶圆，以对反应室进行腔室调节。
比如，#2至#N-1为PR晶圆或类似晶圆，可以对#2至#N-1依次进行处理， 以对反应室的进行腔室调节。其中，N大于或等于3，也即是，至少一个PR的 数量大于或等于1。
3)对裸硅晶圆分别执行重聚合蚀刻工艺基线的D1、E1和E2步骤，以校验 重聚合蚀刻工艺基线中D1、E1和E2步骤的蚀刻速率和均匀性是否符合工艺规范。
若符合，则跳转至步骤4)；若不符合，则跳转至步骤1)，继续进行腔室 清洗、腔室调节和工艺校验。
比如，#N为裸硅晶圆，先对#N执行D1(聚合物沉积)，以校验聚合物沉 积速率和均匀性。#N+1和#N+2均为D1处理后的裸硅晶圆。然后，对#N+1执 行E1(各向同性蚀刻)，以校验各向同性蚀刻的蚀刻速率和均匀性。对#N+2执 行E2(各向同性蚀刻)，以校验各向同性蚀刻的蚀刻速率和均匀性。
4)按照重聚合蚀刻工艺基线对图案化晶圆进行蚀刻，以校验重聚合蚀刻工 艺基线的蚀刻深度、尺寸、轮廓、条纹、表面粗糙度、残留物等工艺参数是否 符合工艺规范。
若符合，则跳转至步骤5)；若不符合，则跳转至步骤1)，继续进行腔室 清洗、腔室调节和工艺校验。
比如，#N+3为图案化晶圆，可以按照重聚合蚀刻工艺基线对#N+3进行蚀 刻，以校验重聚合蚀刻工艺基线的蚀刻深度、尺寸、轮廓、条纹、表面粗糙度、 残留物等工艺参数。
5)对批量晶圆中的第一个产品晶圆进行蚀刻，以检测蚀刻的工艺性能是否 符合工艺规范。
若符合，则跳转至步骤6)，若不符合，则对无晶圆清洗强度进行优化，并 对下一个产品晶圆进行蚀刻，以检测蚀刻的工艺性能是否符合工艺规范。
#N+4至#25均为产品晶圆。比如，#N+4为第一个产品晶圆，可以对#N+4 进行蚀刻，以检测蚀刻的工艺性能是否符合工艺规范。
6)对下一个产品晶圆进行蚀刻，以检测蚀刻的工艺性能是否符合工艺规范。
若符合，则跳转至步骤7)，若不符合，则对无晶圆清洗强度进行优化，并 对下一个产品晶圆进行蚀刻，以检测蚀刻的工艺性能是否符合工艺规范。
比如，#N+5为第二个产品晶圆，可以对#N+5进行蚀刻，以检测蚀刻的工 艺性能是否符合工艺规范，进而检测优化后的无晶圆清洗强度是否符合工艺要 求。
7)对下一个产品晶圆进行蚀刻，以检测蚀刻的工艺性能是否符合工艺规范。
若符合，则跳转至步骤8)，若不符合，则对无晶圆清洗强度进行优化，并 对下一个产品晶圆进行蚀刻，以检测蚀刻的工艺性能是否符合工艺规范。
比如，#N+6为第三个产品晶圆，可以对#N+6进行蚀刻，以检测蚀刻的工艺性能是否符合工艺规范，进而验证优化后的无晶圆清洗强度是否符合工艺要求。
8)对批量晶圆依次进行蚀刻。
比如，按照优化后的无晶圆清洗强度，对#N+7至#25依次进行蚀刻。
请参考图8，图8是本申请实施例提供的一种重聚合蚀刻工艺中晶圆处理顺 序的示意图。
图9是本申请实施例提供的一种计算机设备的结构示意图，该计算机设备 可以为图1所示的控制器10。如图9所示，计算机设备包括：处理器90、存储 器91以及存储在存储器91中并可在处理器90上运行的计算机程序92，处理器 90执行计算机程序92时实现上述实施例中的批量晶圆的处理方法中的步骤。
计算机设备可以是一个通用计算机设备或一个专用计算机设备。在具体实 现中，计算机设备可以是台式机、便携式电脑、网络服务器、掌上电脑、移动 手机、平板电脑、无线终端设备、通信设备或嵌入式设备，本申请实施例不限 定计算机设备的类型。本领域技术人员可以理解，图9仅仅是计算机设备的举 例，并不构成对计算机设备的限定，可以包括比图示更多或更少的部件，或者 组合某些部件，或者不同的部件，比如还可以包括输入输出设备、网络接入设 备等。
处理器90可以是中央处理单元(Central Processing Unit，CPU)，处理器 90还可以是其他通用处理器、数字信号处理器(Digital Signal Processor，DSP)、 专用集成电路(Application Specific Integrated Circuit，ASIC)、现成可编程门阵 列(Field-Programmable Gate Array，FPGA)或者其他可编程逻辑器件、分立门 或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件等。通用处理器可以是微处理器或者也可 以是任何常规的处理器。
存储器91在一些实施例中可以是计算机设备的内部存储单元，比如计算机 设备的硬盘或内存。存储器91在另一些实施例中也可以是计算机设备的外部存 储设备，比如计算机设备上配备的插接式硬盘、智能存储卡(Smart Media Card， SMC)、安全数字(SecureDigital，SD)卡、闪存卡(Flash Card)等。进一步 地，存储器91还可以既包括计算机设备的内部存储单元也包括外部存储设备。 存储器91用于存储操作系统、应用程序、引导装载程序(Boot Loader)、数据 以及其他程序等。存储器91还可以用于暂时地存储已经输出或者将要输出的数 据。
本申请实施例还提供了一种计算机设备，该计算机设备包括：至少一个处 理器、存储器以及存储在该存储器中并可在该至少一个处理器上运行的计算机 程序，该处理器执行该计算机程序时实现上述任意各个方法实施例中的步骤。
本申请实施例还提供了一种计算机可读存储介质，该计算机可读存储介质 存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时可实现上述各个方法实施例 中的步骤。
本申请实施例提供了一种计算机程序产品，当其在计算机上运行时，使得 计算机执行上述各个方法实施例中的步骤。
集成的单元如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用 时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本申请实现 上述方法实施例中的全部或部分流程，可以通过计算机程序来指令相关的硬件 来完成，该计算机程序可存储于一计算机可读存储介质中，该计算机程序在被 处理器执行时，可实现上述各个方法实施例的步骤。其中，该计算机程序包括 计算机程序代码，该计算机程序代码可以为源代码形式、对象代码形式、可执 行文件或某些中间形式等。该计算机可读介质至少可以包括：能够将计算机程 序代码携带到拍照装置/终端设备的任何实体或装置、记录介质、计算机存储器、 ROM(Read-Only Memory，只读存储器)、RAM(Random Access Memory，随 机存取存储器)、CD-ROM(Compact Disc Read-Only Memory，只读光盘)、 磁带、软盘和光数据存储设备等。本申请提到的计算机可读存储介质可以为非 易失性存储介质，换句话说，可以是非瞬时性存储介质。
应当理解的是，实现上述实施例的全部或部分步骤可以通过软件、硬件、 固件或者其任意结合来实现。当使用软件实现时，可以全部或部分地以计算机 程序产品的形式实现。该计算机程序产品包括一个或多个计算机指令。该计算 机指令可以存储在上述计算机可读存储介质中。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详 述或记载的部分，可以参见其它实施例的相关描述。
本领域普通技术人员可以意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示 例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、或者计算机软件和电子硬件的结合来 实现。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，取决于技术方案的特定应用 和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现 所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本申请的范围。
在本申请所提供的实施例中，应该理解到，所揭露的装置/计算机设备和方 法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置/计算机设备实施例仅 仅是示意性的，例如，模块或单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实 现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另 一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之 间的耦合或直接耦合或通讯连接可以是通过一些接口，装置或单元的间接耦合 或通讯连接，可以是电性，机械或其它的形式。
作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元 显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可 以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元 来实现本实施例方案的目的。
以上所述实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照 前述实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其 依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特 征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申 请各实施例技术方案的精神和范围，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (20)

1.一种批量晶圆的处理方法，其特征在于，所述方法包括：
对反应室进行腔室调节，对蚀刻工艺的工艺参数进行校验；
使用无晶圆清洗基线对所述反应室的腔室进行无晶圆清洗，在无晶圆清洗后对所述批量晶圆中的第一个产品晶圆进行蚀刻，并检测对所述第一个产品晶圆进行蚀刻的工艺性能是否符合工艺规范；
若对所述第一个产品晶圆进行蚀刻的工艺性能不符合工艺规范，则对所述无晶圆清洗基线的清洗强度进行调整；
使用调整后的无晶圆清洗基线对所述反应室的腔室进行无晶圆清洗，在无晶圆清洗后对所述批量晶圆的第二个产品晶圆进行蚀刻，并检测对所述第二个产品晶圆进行蚀刻的工艺性能是否符合工艺规范；
若对所述第二个产品晶圆进行蚀刻的工艺性能符合工艺规范，则根据调整后的无晶圆清洗基线对所述批量晶圆中未处理的产品晶圆依次进行蚀刻。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述若对所述第二个产品晶圆进行蚀刻的工艺性能符合工艺规范，则根据调整后的无晶圆清洗基线对所述批量晶圆中未处理的产品晶圆依次进行蚀刻，包括：
若对所述第二个产品晶圆进行蚀刻的工艺性能符合工艺规范，则使用调整后的无晶圆清洗基线对所述反应室的腔室进行无晶圆清洗，在无晶圆清洗后对所述批量晶圆中的第三个产品晶圆进行蚀刻，并检测对所述第三个产品晶圆进行蚀刻的工艺性能是否符合工艺规范；
若对所述第三个产品晶圆进行蚀刻的工艺性能符合工艺规范，则根据调整后的无晶圆清洗基线对所述批量晶圆中未处理的产品晶圆依次进行蚀刻。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述检测对所述第二个产品晶圆进行蚀刻的工艺性能是否符合工艺规范之后，还包括：
若对所述第二个产品晶圆进行蚀刻的工艺性能不符合工艺规范，则将所述第二个产品晶圆作为目标产品晶圆，将调整后的无晶圆清洗基线作为目标无晶圆清洗基线，对目标无晶圆清洗基线的清洗强度进行调整；
使用调整后的目标无晶圆清洗基线对所述反应室的腔室进行无晶圆清洗，在无晶圆清洗后将目标产品晶圆的下一个产品晶圆作为目标产品晶圆进行蚀刻，并检测对目标处理晶圆进行蚀刻的工艺性能是否符合工艺规范；
若对目标处理晶圆进行蚀刻的工艺性能符合工艺规范，则根据调整后的目标无晶圆清洗基线对所述批量晶圆中未处理的产品晶圆依次进行蚀刻；
若对目标处理晶圆进行蚀刻的工艺性能不符合工艺规范，则将调整后的目标无晶圆清洗基线作为目标无晶圆清洗基线，并返回至对目标无晶圆清洗基线的清洗强度进行调整的步骤，直至根据调整后的目标无晶圆清洗基线对所述反应室的腔室进行无晶圆清洗后，对目标产品晶圆的下一个产品晶圆进行蚀刻的工艺性能符合工艺规范后，根据调整后的无晶圆清洗基线对所述批量晶圆中未处理的产品晶圆依次进行蚀刻。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述无晶圆清洗基线的清洗强度进行调整包括以下方式中的一种或多种：
对所述无晶圆清洗基线的清洗配方进行调整；
对所述无晶圆清洗基线的清洗时长进行调整；
对所述无晶圆清洗基线的射频性能或微波性能进行调整；
对所述无晶圆清洗基线的气体压力进行调整；
对所述无晶圆清洗基线的气体流量进行调整。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述对所述无晶圆清洗基线的清洗配方进行调整，包括：
若对所述第一个产品晶圆进行蚀刻的蚀刻深度大于蚀刻深度规格，则将所述无晶圆清洗基线的第一清洗配方调整为第二清洗配方，所述第二清洗配方的清洗强度小于所述第一清洗配方的清洗强度；
若对所述第一个产品晶圆进行蚀刻的蚀刻深度小于蚀刻深度规格，则将所述无晶圆清洗基线的第一清洗配方调整为第三清洗配方，所述第三清洗配方的清洗强度大于所述第一清洗配方的清洗强度。
6.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述对所述无晶圆清洗基线的清洗时长进行调整，包括：
根据晶圆处理的工艺时长与无晶圆清洗时长之间的对应关系，将所述无晶圆清洗基线的清洗时长调整为对所述批量晶圆连续处理的工艺时长对应的无晶圆清洗时长。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述晶圆处理的工艺时长与无晶圆清洗时长之间的对应关系是预先根据样本产品晶圆处理的不同工艺时长与对应的饱和清洗时长进行统计得到，所述饱和清洗时长是指按照相同无晶圆清洗配方进行无晶圆清洗使得所述样本产品晶圆在对应工艺时长下沉积的聚合物状态处于饱和状态的清洗时长。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据调整后的无晶圆清洗基线对所述批量晶圆中未处理的产品晶圆依次进行蚀刻，包括：
对于所述批量晶圆中未处理的产品晶圆中的第一产品晶圆，在对所述第一产品晶圆的上一个产品晶圆处理完成后，使用调整后的无晶圆清洗基线对所述反应室的腔室进行无晶圆清洗，在无晶圆清洗后对所述第一产品晶圆进行蚀刻，所述第一产品晶圆为所述未处理的产品晶圆中的任一个。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对反应室进行腔室调节，对蚀刻工艺的工艺参数进行校验，包括：
在所述反应室的腔室内放置第一硅晶圆的情况下，使用腔室清洗基线对所述反应室的腔室进行清洗；
处理至少一个第一调节晶圆，以对所述反应室进行腔室调节；
对第二硅晶圆分别执行重聚合蚀刻工艺基线的各个工艺步骤，以校验重聚合蚀刻工艺基线中各个步骤的工艺参数；
按照重聚合蚀刻工艺基线对图案化晶圆进行蚀刻，以校验重聚合蚀刻工艺基线的工艺参数。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述重聚合蚀刻工艺基线为博世工艺基线，所述对第二硅晶圆分别执行重聚合蚀刻工艺基线的各个工艺步骤，以校验重聚合蚀刻工艺基线中各个步骤的工艺参数，包括：
对所述第二硅晶圆进行聚合物沉积，以校验聚合物沉积步骤的沉积速率和均匀性；
对聚合物沉积后的第二硅晶圆进行各向同性蚀刻，以校验各向同性蚀刻步骤的蚀刻速率和均匀性；
对聚合物沉积后的第二硅晶圆进行单向蚀刻，以校验单向蚀刻步骤的蚀刻速率和均匀性。
11.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述按照重聚合蚀刻工艺基线对图案化晶圆进行蚀刻，以校验重聚合蚀刻工艺基线的工艺参数，包括：
按照重聚合蚀刻工艺基线对图案化晶圆或结构化晶圆进行蚀刻，以校验重聚合蚀刻工艺的蚀刻深度、尺寸、轮廓、条纹、表面粗糙度和残留物。
12.如权利要求1-11任一所述的方法，其特征在于，所述批量晶圆的蚀刻工艺采用重聚合蚀刻工艺。
13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述重聚合蚀刻工艺为博世工艺。
14.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
若所述批量晶圆的蚀刻工艺采用轻聚合蚀刻工艺，则在所述反应室的腔室内放置第三硅晶圆的情况下，使用腔室清洗基线对所述反应室的腔室进行清洗；
处理至少一个第二调节晶圆，以对所述反应室的进行腔室调节；
按照轻聚合蚀刻工艺基线分别对氧化物覆盖晶圆和图案化晶圆进行蚀刻，以校验轻聚合蚀刻工艺基线的工艺参数；
按照校验后的轻聚合蚀刻工艺基线，对所述批量晶圆依次进行蚀刻。
15.如权利要求1-11任一所述的方法，其特征在于，所述对反应室的腔室条件进行调节，包括：
从与所述反应室连接的光学发射光谱系统获取光学发射谱；
根据获取的光学发射谱，对所述反应室的腔室条件进行调节。
16.如权利要求1-11任一所述的方法，其特征在于，所述根据调整后的无晶圆清洗基线对所述批量晶圆中未处理的产品晶圆依次进行蚀刻，包括：
从与所述反应室连接的光学发射光谱系统获取光学发射谱；
根据获取的光学发射谱和调整后的无晶圆清洗基线，对所述批量晶圆中未处理的产品晶圆依次进行蚀刻。
17.一种蚀刻系统，其特征在于，所述蚀刻系统包括控制器、反应室、清洗系统和蚀刻工具，所述控制器分别与所述反应室、所述清洗系统和所述蚀刻工具连接，所述清洗系统用于对所述反应室进行清洗，所述蚀刻工具用于对放置在所述反应室内的晶圆进行蚀刻，所述控制器用于分别对所述反应室、所述清洗系统和所述蚀刻工具进行控制；
其中，所述控制器包括存储器、处理器以及存储在所述存储器中并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述计算机程序被所述处理器执行时以使所述蚀刻系统实现如权利要求1至16任一项所述的方法。
18.如权利要求17所述的系统，其特征在于，所述蚀刻系统还包括光学发射光谱系统，所述光学发射光谱系统分别与所述控制器和所述反应室连接；
所述控制器用于从与所述反应室连接的光学发射光谱系统获取所述反应室的光学发射谱，根据获取的光学发射谱，对所述反应室的腔室条件进行调节。
19.如权利要求18所述的系统，其特征在于，所述控制器还用于从与所述反应室连接的光学发射光谱系统获取所述反应室的光学发射谱，根据获取的光学发射谱，控制所述反应室和所述蚀刻工具对批量晶圆依次进行蚀刻。
20.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至16任一项所述的方法。
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