CN114375821A - 一种沉水植物种植装置和污染底泥的修复方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供的沉水植物种植装置和污染底泥的修复方法，该种沉水植物种植装置底部具有锥形结构，顶部具有中空帽形结构，其内设置有用于放置第一控氮材料的第一容置腔室和用于放置第二控氮材料的第二容置腔室，且第一容置腔室靠近底部一侧，第二容置腔室靠近顶部一侧，所述第一控氮材料的粒径小于等于所述第二控氮材料的粒径。使用该沉水植物种植装置不仅可以解决高有机质疏松淤泥沉水植被定植困难，高氮污染底泥毒性大，沉水植被生长受限等技术难题，而且可显著削减间隙水和上覆水溶解性氮浓度，抑制底泥累积性氮污染物的释放，有效改善水质，可实现退化水生态系统的快速修复。

Description

一种沉水植物种植装置和污染底泥的修复方法
技术领域
本发明涉及水环境污染控制技术领域，具体涉及一种沉水植物种植装置和污染底泥的修复方法。
背景技术
水体富营养化是普遍存在的生态问题，富营养化是水中氮磷等营养物质的富集而使水质恶化的过程，表现出水生植物生长繁殖能力提高、藻类异常增殖等现象。受湖泊富营养化和草型-藻型转换等影响，水生植被和藻类残体产生的内源负荷在湖内大量富集，导致底泥累积性内源污染较重。对于底泥总氮和有机质高污染水平的浅水湖泊，沉水植被栖息地生境受到严重破坏，尤其是沉积物有机氮可矿化大量铵态氮，导致沉水植被根系受损。残存草根和植物凋落物混杂着底栖生物残体在湖底形成厚重的草渣层，阻断泥-水界面的物质交换、营养循环，破坏水生生物的生境。此外，大量细微的有机颗粒物的存在改变了湖泊水体的理化性质，使水体的粘度提高，透明度较低，增加生态修复的难度。
水生植被是阻止底泥污染释放的有效手段，如何在水质、透明度等尚未有根本好转的情况下利用水生植被对底泥内负荷进行有效截留和净化，是需要研究的重要课题。水生植物占据浅水水体生态系统的关键界面，通过茎叶和根系吸附水体和沉积物间隙水中氮磷营养盐进而影响湖泊水体氮磷循环，为满足根部吸收需要，通过体内发达的通气系统使氧气从茎叶向根部转移，而呼吸消耗剩余的氧气则会释放到水中，在根际区构成有氧环境，同时水生植物根系生长及根系分泌物为好氧微生物大量繁殖提供了有利的栖息环境和营养来源，使氮的硝化反硝化成为影响间隙水中氮磷浓度变化的主要原因。
然而，高有机质疏松淤泥，通常含水率较高，沉水植被着根困难，高氮污染底泥毒性大，沉水植被生长受限，因此高有机质高氮污染底泥沉水植被修复仍是目前难以解决的技术瓶颈。
发明内容
因此，本发明要解决的技术问题在于克服现有技术中高有机质、高氮污染底泥环境中沉水植物生长有限而导致无法自然修复的缺陷，从而提供一种沉水植物种植装置和沉水植物的修复方法。
本发明提供了一种沉水植物种植装置其底部具有锥形结构，顶部具有中空帽形结构，其内设置有用于放置第一控氮材料的第一容置腔室和用于放置第二控氮材料和沉水植物的第二容置腔室，且第一容置腔室靠近底部一侧，第二容置腔室靠近顶部一侧，，所述第一控氮材料的粒径小于等于所述第二控氮材料的粒径。
进一步地，第一控氮材料和第二控氮材料可以独立地选自申请号为CN201510770507.X或CN201510771749.0公开的控氮材料。
进一步地，所述沉水植物种植装置包括第一锥形体和设置于所述第一锥形体顶部的第二锥形体，第一容置腔室位于所述第一锥形体内；还包括：第二锥形体，位于第一锥形体的顶部，第二容置腔室位于第二锥形体内，所述第二锥形体的顶端向远离第一锥形体的方向延伸设置有中空帽形结构的第二罩体。
进一步地，所述沉水植物种植装置包括第一锥形体和设置于所述第一锥形体顶部的第二锥形体，第一容置腔室位于所述第一锥形体内；还包括：具有中空帽形结构的第一罩体，所述第一锥形体的顶端设置有隔离板，所述第一罩体的内侧壁与第一锥形体的顶端抵接且第一罩体与隔离板之间形成第二容置腔室。
进一步地，所述沉水植物种植装置的第一锥形体、第二锥形体、第二罩体的侧壁上均设置有若干网孔。或者，所述沉水植物种植装置的的第一锥形体、第一罩体的侧壁上以及隔离板上均设置有若干网孔。
进一步地，网孔的孔径为0.1-0.5mm。
进一步地，所述第一锥形体、第二锥形体和罩体的侧壁上均设置有若干网孔，孔径为0.1-0.5mm。
优选地，所述第一控氮材料的粒径为0.5-1cm，所述第二控氮材料的粒径为0.8-2cm。
所述的沉水植物种植装置的制备方法包括如下步骤：
S1步骤：将底泥和红土分别经干燥、焙烧和过筛，得到底泥粉体和红土粉体；
S2步骤：将沸石粉体与S1步骤得到的底泥粉体和红土粉体混合，加水，制得泥浆；
S3步骤：将S2步骤得到的泥浆注入模具中成型，干燥，去除模具，得到沉水植物种植装置的初步制品；
S4步骤：将S3步骤得到的沉水植物种植装置的初步制品焙烧，得到沉水植物种植装置。
其中，模具为采用本领域常规工艺制作而成。
进一步地，S2步骤中，底泥粉体、红土粉体与沸石粉体的质量比为40-60:30-40:10-20，优选为50:35:15。
进一步地，S1步骤和/或S4步骤中，焙烧步骤的温度为500-800℃，优选为600℃。焙烧时间为1-3h。
进一步地，S3步骤中，成型工艺的温度为300-600℃，优选为400℃。成型时间为1-3h。
进一步地，S1步骤中，过筛步骤可以是过60-100目筛。
进一步地，S3步骤中，在避光、通风的条件下进行干燥。
进一步地，所述湖泊底泥中包括SiO2、Al2O3、Fe2O3、CaO、MgO和/或K2O的成分。优选的，所述湖泊底泥中的SiO2含量为20-25％，Al2O3含量为20-30％，Fe2O3含量为15-20％，CaO含量为3-8％，MgO含量为1-4％，K2O含量为0.1-1％。
本发明还提供了一种污染底泥的修复方法，采用本发明任一所述的沉水植物种植装置进行修复。
在某些优选的实施方式中，使用前先将第一控氮材料置于沉水植物装置的第一容置腔室，将第二控氮材料置于沉水植物种植装置的第二容置腔室，将沉水植物定植于第二控氮材料之间，然后将沉水植物种植装置的底部伸入修复底泥中。
进一步地，所述沉水植物选自菹草、狐尾藻、金鱼藻、苦草、黑藻、微齿眼子菜、竹叶眼子菜、篦齿眼子菜中的一种或几种。
1.本发明提供的沉水植物种植装置，其底部具有锥形结构，顶部具有中空帽形结构，其内设置有用于放置第一控氮材料的第一容置腔室和用于放置第二控氮材料的第二容置腔室，且第一容置腔室靠近底部一侧，第二容置腔室靠近顶部一侧，所述第一控氮材料的粒径小于等于所述第二控氮材料的粒径。通过第一控氮材料和第二控氮材料的加入，通过控制两者加入位置使污泥先与较小粒径的第一控氮材料接触、再与较大粒径的第二控氮材料接触，最后通过沉水植物修复，增加了底泥溶解氧，有利于附着微生物和底栖生物，有利于改善底栖生境条件，促进营养物质循环，抑制底泥累积性氮污染物的释放，有效改善水质。锥形空腔可增加锥形体配重，装置的下部锥形有利于装置下放插入底泥，上部帽形，可增加装置与底泥的嵌套面积，有利于稳定装置，避免风浪和水流冲击，实现高有机质底泥沉水植被辅助定植，增强对氨氮的固定性能，解决了高氮污染底泥沉水植被根系受损，生长受限等问题。
2.本发明提供的沉水植物种植装置，沉水植物种植装置包括具有锥形结构的第一锥形体，第一容置腔室位于所述第一锥形体内；还包括：第二锥形体，位于第一锥形体的顶部，第二容置腔室位于第二锥形体内，所述第二锥形体的顶端向远离第一锥形体的方向延伸设置有中空帽形结构的第二罩体；或者，还包括：具有中空帽形结构的第一罩体，所述第一锥形体的顶端设置有隔离板，所述第一罩体的内侧壁与第一锥形体的顶端抵接且第一罩体与隔离板之间形成第二容置腔室，采用该结构的沉水植物种植装置不仅可以解决高有机质疏松淤泥沉水植被定植困难，高氮污染底泥毒性大，沉水植被生长受限等技术难题，而且可显著削减间隙水和上覆水溶解性氮浓度，抑制底泥累积性氮污染物的释放，有效改善水质，可实现退化水生态系统的快速修复。
4.本发明提供的沉水植物种植装置，所述沉水植物种植装置为多孔结构，其内设置有供沉水植物容置的腔室，该种沉水植物种植装置使用操作方便，多孔结构可有实现间隙水和底泥分离，减少底泥的含水率，提高沉水植植物种子的发芽率，进一步促进沉水植物生长。
5.该种沉水植物种植装置是通过底泥粉体、红土粉体和沸石粉体组合后经成型、干燥、焙烧后得到，三者搭配使用，得到的沉水植物种植装置应用于污染底泥处理中不仅明显抑制了高有机质、高氮污染底泥中有机质的释放，而且明显提高了对污染底泥的氨氮吸附功能，可以实现高污染底泥铵离子的固定，减少沉水植被氨氮的毒害作用，促进沉水植物的生长。
6.本发明提供的沉水植物种植装置的制造方法，通过控制底泥粉体、红土粉体与沸石粉体的质量比为40-60:30-40:10-20，优选为50:35:15，能够进一步提高对污染底泥的氨氮吸附功能和抑制底泥中有机质的释放，使得沉水植物生长状态更佳。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明的实施例1中提供的沉水植物种植装置的示意图；
图2为本发明的实施例2中提供的沉水植物种植装置的示意图。
附图标记：
1、沉水植物；2、第一网孔；3、第二控氮材料；4、第二锥形体；5、第二网孔；6、开口；7、第一罩体；8、第一锥形体；9、第一控氮材料；10、第三网孔；11、网板；12、第二罩体。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
此外，下面所描述的本发明不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
下述各实施例湖泊底泥为采集于滇池重污染区域表层(0-15cm)(24°54'29.00”N和102°41'25.00”E)，所述湖泊底泥的烧失量为29.32％，以滇池沉积物的质量计，所述滇池沉积物中的SiO2含量为21.24％，Al2O3含量为25.67％，Fe2O3含量为15.23％，CaO含量为5.31％，MgO含量为3.2％，K2O含量为0.9％；
沸石粉体购自荷兰天然沸石。
红土：采自滇池东岸24°49'53.77"N，102°48'57.24"E采样。取表层10cm土壤作为试验样品，运回实验室将沉积物风干，研磨过100目筛后放于自封袋保存。以红土的质量计，烧失量为10.21％，含42.55％SiO2、27.38％Al2O3、15.63％Fe2O3、0.25％CaO、1.07％MgO、0.15％Na2O、2.01％K2O、0.75％TiO2。
实施例1
本实施例提供了一种沉水植物种植装置及其制造方法，如图1所示，该沉水植物种植装置包括第一锥形体8和第二锥形体4，第二锥形体4镶嵌设置于第一锥形体8的上部，第一锥形体8内设置有用于容置第一控氮材料9的第一容置腔室，第二锥形体4内设置有用于容置第二控氮材料3和定植沉水植物1的第二容置腔室。第一控氮材料的粒径小于等于第二控氮材料，第二锥形体4的底端设置有开口6，第一控氮材料的粒径小于该开口大小，方便第一控氮材料从开口流入第一锥形体内。第二锥形体的顶部还向下向外侧设置有第二罩体12，罩体为中空帽形结构。第一锥形体、第二锥形体和第二罩体的侧壁上均设置有若干网孔分别为第三网孔10、第一网孔2和第二网孔5，孔径为0.1-0.5mm，本实施例均为0.3mm。
开口6的设置还能够增加两个锥形结构间的水体流通，另外部分植物根系还可以通过开孔向下延伸固定。第一锥形体(即下部锥形结构)的设置有利于插入底泥。第二罩体(即帽型结构)与底泥嵌套设置，有利于装置稳固和固定植物根系，避免风浪扰动对沉水植被定植的影响。整体装置设置网孔的目的有利于底泥间隙水向装置内侧渗，进而减少周边底泥含水率，有利于底泥固化和沉水植被自然修复。
上述沉水植物种植装置的制造方法包括如下步骤：
(1)采集湖泊底泥经干燥后，置于500℃下焙烧1h，然后粉碎过60目筛得到底泥粉体；取干燥后的红土，置于500℃下焙烧1h，然后粉碎过60目筛得到红土粉体；
(2)取底泥粉体50kg、红土粉体35kg和过60目筛的沸石粉体15kg混合，加入适量水，搅拌，得到泥浆。
(3)将泥浆注入1个帽形结构和2个锥形结构的模具中在400℃下静置3h成型，干燥，去除模具，经常规粘结剂粘结，得到沉水植物种植装置的初步制品；
(4)将沉水植物种植装置的初步制品在500℃下焙烧1h，制得沉水植物种植装置。
本实施例还提供了一种采用上述沉水植物种植装置进行污染底泥修复的方法，包括如下步骤：
采用第一控氮材料(粒径0.8cm)充满沉水植物种植装置的第一容置腔室，采用第二控氮材料(粒径0.8cm)充满沉水植物种植装置的第二容置腔室，将沉水植物(狐尾藻)定植于第二控氮材料之间，种植密度为50株/m2，然后将沉水植物种植装置插入待修复污染底泥中。
其中第一控氮材料和第二控氮材料均采用CN201510770507.X中按照实施例1的方法制得的控氮材料。
实施例2
本实施例提供了一种沉水植物种植装置，如图2所示，该沉水植物种植装置包括第一锥形体8，第一锥形体8内设置有用于容置第一控氮材料9的第一容置腔室，第一锥形体8的顶部还向下向外测延伸设置有第一罩体7，第一罩体7为中空帽形结构。第一锥形体8的顶部设置有隔板，该隔板为网板11，第一罩体7与网板11之间形成容置第二控氮材料3和定植沉水植物1的第二容置腔室。网板11位于第一容置腔室与第二容置腔室之间，第一控氮材料的粒径小于网板的孔径，方便第一控氮材料从开口流入第一锥形体内，第一控氮材料的粒径小于或者等于第二控氮材料。第一锥形体和第一罩体的侧壁上均设置有若干网孔，分别为第三网孔10和第二网孔5，孔径为0.1-0.5mm，网板的孔径也为0.1-0.5mm，本实施例均为0.3mm。
上述沉水植物种植装置的制造方法包括如下步骤：
(1)采集湖泊底泥经干燥后，置于500℃下焙烧1h，然后粉碎过60目筛得到底泥粉体；取干燥后的红土，置于500℃下焙烧1h，然后粉碎过60目筛得到红土粉体；
(2)取底泥粉体50kg、红土粉体35kg和过60目筛的沸石粉体15kg混合，加入适量水，搅拌，得到泥浆。
(3)将泥浆注入1个帽形结构的模具和1个锥形结构的模具中，在400℃下静置3h成型，干燥，去除模具，经常规粘结剂粘结，得到沉水植物种植装置的初步制品；
(4)将沉水植物种植装置的初步制品在500℃下焙烧1h，制得沉水植物种植装置。
本实施例还提供了一种采用上述沉水植物种植装置进行污染底泥修复的方法，同实施例1，区别仅在于采用本实施例的沉水植物种植装置。
实施例3
本实施例提供了一种沉水植物种植装置及其制造方法，沉水种植装置结构与实施例1相同，区别仅在于制造方法不同，本实施例的制造方法包括如下步骤：
(1)采集湖泊底泥经干燥后，置于800℃下焙烧2h，然后粉碎过60目筛得到底泥粉体；取干燥后的红土，置于800℃下焙烧3h，然后粉碎过60目筛得到红土粉体；
(2)取底泥粉体40kg、红土粉体30kg和过60目筛的沸石粉体20kg混合，加入适量水，搅拌，得到泥浆。
(3)将泥浆注入1个帽形结构的模具和2个锥形结构的模具中，在300℃下静置2h成型，干燥，去除模具，经常规粘结剂粘结，得到沉水植物种植装置的初步制品；
(4)将沉水植物种植装置的初步制品在300℃下焙烧1h，制得沉水植物种植装置。
本实施例还提供了一种采用上述沉水植物种植装置进行污染底泥修复的方法，包括如下步骤：
采用第一控氮材料(粒径0.5cm)充满沉水植物种植装置的第一容置腔室，采用第二控氮材料(粒径2cm)充满沉水植物种植装置的第二容置腔室，将沉水植物(狐尾藻)定植于第二控氮材料之间，种植密度为50株/m2，然后将沉水植物种植装置插入待修复污染底泥中。
其中第一控氮材料和第二控氮材料均采用CN201510770507.X中按照实施例2的方法制得的控氮材料。
实验例1
分别取两份不同位置的滇池污染底泥(位置分别为24°59'9.82"N和102°37'51.90"E，表层0-10cm以及24°40'38.89"N和102°39'9.45"E，表层0-10cm)，记为污染底泥1和污染底泥2，将两者各均分为2份，分别置于4个长×宽×高为1m×1m×2m的玻璃钢内，底泥铺设厚度均为50cm，底泥上部注入采自抚仙湖的湖水，水深约1.3m，取预先培养的同一批沉水植物穗花狐尾藻顶枝，顶枝在8-10cm之间，分别种植在污染底泥1和污染底泥2的玻璃钢湖水底部的底泥中，记为对照组1和对照组2。取同一批沉水植物穗花狐尾藻顶枝(顶枝在8-10cm之间)、第一控氮材料和第二控氮材料按照实施例1的方法添加到实施例1的种植装置内，然后将该装置分别插入装有污染底泥1和污染底泥2的玻璃钢湖水底部的底泥中，记为试验组1和试验组2。所有实验处理沉水植物种植密度均为50株/m2，对照组和试验组同条件下处理60d，实验结束。
实验30天以及结束当天测量各组沉水植物的生物量(鲜重)计算实验前的增加值(单位：g/m2)，计算各试验组相比于对照组在生物量上的提高率(％)，实验结束当天测量各组上覆水和沉积物间隙水的溶解性总氮含量，计算各试验组相比于对照组在总氮含量上的削减率(％)，结果见下表1-3所示。
其中，取覆盖层(或沉积物层)上方5cm处水样100mL，即得上覆水。取表层0-20cm底泥，于5000r/min离心10min后，取上清液通过0.45μm微孔滤膜，即得沉积物间隙水。
表1不同处理沉水植被生物量变化(单位：g/m2)
Figure BDA0003401853150000121
表2沉水植被修复情况结果表
Figure BDA0003401853150000122
由上表可知，相比于对照组来说，对于不同污染底泥，采用本发明的沉水植物种植装置能够明显促进沉水植物生长其使用效果因底泥污染程度和性质不同存在一定差异。
表3不同处理上覆水和沉积物间隙水溶解性总氮浓度变化(mg/L)
对照组1 试验组1 对照组2 试验组2
间隙水 4.97 3.67 0.37 0.23
上覆水 0.38 0.29 0.35 0.29
表4对上覆水和沉积物间隙水溶解性总氮的削减率(％)
试验组1 试验组2
间隙水 26.21 39.12
上覆水 21.93 17.87
由上表可知，采用本发明的沉水植物种植装置能够明显提高上覆水和底泥间隙水中溶解性总氮浓度，削减效果因污染底泥类型不同存在一定差异。
显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。

Claims (10)

1.一种沉水植物种植装置，其特征在于，其底部具有锥形结构，顶部具有中空帽形结构，其内设置有用于放置第一控氮材料的第一容置腔室和用于放置第二控氮材料和沉水植物的第二容置腔室，且第一容置腔室靠近底部一侧，第二容置腔室靠近顶部一侧，所述第一控氮材料的粒径小于等于所述第二控氮材料的粒径。
2.根据权利要求1所述的沉水植物种植装置，其特征在于，所述沉水植物种植装置包括具有锥形结构的第一锥形体，第一容置腔室位于所述第一锥形体内；还包括：第二锥形体，位于第一锥形体的顶部，第二容置腔室位于第二锥形体内，所述第二锥形体的顶端向远离第一锥形体的方向延伸设置有中空帽形结构的第二罩体；或者，
还包括：具有中空帽形结构的第一罩体，所述第一锥形体的顶端设置有隔离板，所述第一罩体的内侧壁与第一锥形体的顶端抵接且第一罩体与隔离板之间形成第二容置腔室。
3.根据权利要求2所述的沉水植物种植装置，其特征在于，所述沉水植物种植装置的第一锥形体、第二锥形体、第二罩体的侧壁上或者所述沉水植物种植装置的第一锥形体、第一罩体的侧壁上以及隔离板上均设置有若干网孔，优选地，网孔的孔径为0.1-0.5mm。
4.根据权利要求1-3中任一所述的沉水植物种植装置，其特征在于，所述第一控氮材料的粒径为0.5-1cm，所述第二控氮材料的粒径为0.8-2cm。
5.根据权利要求1-4中任一所述的沉水植物种植装置，其特征在于，所述的沉水植物种植装置的制备方法包括如下步骤：
S1步骤：将底泥和红土分别经干燥、焙烧和过筛得到底泥粉体和红土粉体；
S2步骤：将沸石粉体与S1步骤得到的底泥粉体和红土粉体混合，加水，制得泥浆；
S3步骤：将S2步骤得到的泥浆注入模具中成型，干燥，去除模具，得到沉水植物种植装置的初步制品；
S4步骤：将S3步骤得到的沉水植物种植装置的初步制品焙烧，组装，制得沉水植物种植装置。
6.根据权利要求5所述的沉水植物种植装置，其特征在于，S2步骤中，底泥粉体、红土粉体与沸石粉体的质量比为40-60:30-40:10-20，优选为50:35:15。
7.根据权利要求5或6所述的沉水植物种植装置，其特征在于，S1步骤和/或S4步骤中，焙烧工艺的温度为500-800℃，优选为600℃。
8.根据权利要求5或6所述的沉水植物种植装置，其特征在于，S3步骤中，成型工艺的温度为300-600℃，优选为400℃。
9.一种污染底泥的修复方法，其特征在于，采用权利要求1-8中任一所述的沉水植物种植装置进行修复；优选地，使用前将第一控氮材料置于沉水植物种植装置的第一容置腔室，将第二控氮材料置于沉水植物种植装置的第二容置腔室，将沉水植物定植于第二控氮材料之间，然后将沉水植物种植装置的底部伸入待修复底泥中。
10.根据权利要求9所述的污染底泥的修复方法，其特征在于，所述沉水植物选自菹草、狐尾藻、金鱼藻、苦草、黑藻、微齿眼子菜、竹叶眼子菜、篦齿眼子菜中的一种或几种。
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