CN114360454B - 发光单元控制电路、方法、阵列基板及显示面板 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种发光单元控制电路、方法、阵列基板及显示面板，发光单元控制电路包括：与第二薄膜晶体管的栅极或发光单元连接的预充电源；预充电源在接收到前端控制芯片输出的预充信号时，将第二薄膜晶体管的栅极或发光单元的电压调节至预充电压；驱动电路在接收到前端控制芯片输出的驱动信号时，将第二薄膜晶体管的栅极或发光单元的预充电压调节至目标电压。本发明中通过将第二薄膜晶体管的栅极或发光单元进行预充电，在对发光单元进行驱动时降低第二薄膜晶体管或发光单元内电流变化率，解决了有机发光二极管出现灰阶残影的技术问题。

Description

发光单元控制电路、方法、阵列基板及显示面板

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种发光单元控制电路、方法、阵列基板及显示面板。

背景技术

有机发光显示二极管作为一种电流型发光器件已越来越多地被应用于高性能显示中。由于它自发光的特性，与LCD相比，具有高对比度、超轻薄、可弯曲等诸多优点。

然而，亮度均匀性和残影是它目前面临的两个主要难题。造成OLED亮度均匀性差和残像问题的一个重要原因是铟镓锌氧化物半导体的迟滞特性，在薄膜晶体管正向扫面和反向扫描时，通过薄膜晶体管的电流并不相同。例如在扫描过程中出现发光显示二极管的面板上的灰阶变化过程从L255→L127和L0→L127两种不同变化过程，薄膜晶体管会出现正向和反向扫描的状况，这时候发光显示二极管的电流不相同，会直接导致L127灰阶出现残影。

上述内容仅用于辅助理解本发明的技术方案，并不代表承认上述内容是现有技术。

申请内容

本发明的主要目的在于提供一种发光单元控制电路、方法、阵列基板及显示面板，旨在解决了有机发光二极管出现灰阶残影的技术问题。

为解决上述技术问题，本发明提供了一种发光单元控制电路，所述发光单元控制电路包括驱动电路，所述驱动电路与前端控制芯片以及发光单元连接，所述驱动电路包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述发光单元控制电路还包括：与第二薄膜晶体管的栅极或发光单元连接的预充电源；

所述预充电源，用于在接收到所述前端控制芯片输出的预充信号时，将所述第二薄膜晶体管的栅极或所述发光单元的电压调节至预充电压；

所述驱动电路，用于在接收到所述前端控制芯片输出的驱动信号时，将所述第二薄膜晶体管的栅极或所述发光单元的预充电压调节至目标电压。

可选地，所述发光单元控制电路还包括：第三薄膜晶体管；

所述第三薄膜晶体管的栅极与所述前端控制芯片连接，所述第三薄膜晶体管的漏极与所述预充电源连接，所述第三薄膜晶体管的源极与所述第二薄膜晶体管的栅极或所述发光单元连接。

可选地，所述第三薄膜晶体管的源极与第二薄膜晶体管的栅极和所述发光单元连接。

可选地，所述发光单元控制电路还包括：第三薄膜晶体管和第四薄膜晶体管；

其中，所述第三薄膜晶体管的栅极与所述前端控制芯片连接，所述第三薄膜晶体管的漏极与所述预充电源连接，所述第三薄膜晶体管的源极与所述第二薄膜晶体管的栅极连接；所述第四薄膜晶体管的栅极与所述前端控制芯片连接，所述第四薄膜晶体管的漏极与所述预充电源连接，所述第四薄膜晶体管的源极与所述发光单元连接。

可选地，所述发光单元控制电路还包括：第五薄膜晶体管；

其中，所述第五薄膜晶体管的栅极与所述前端控制芯片连接，所述第五薄膜晶体管的漏极与所述第二薄膜晶体管的源极连接，所述第五薄膜晶体管的源极与所述前端控制芯片连接。

此外，为实现上述目的，本发明还提供了一种基于发光单元控制电路的发光单元控制方法，所述发光单元控制方法包括：

在接收到所述前端控制芯片输出的预充信号时，将所述第二薄膜晶体管的栅极或所述发光单元的电压调节至预充电压；

在接收到所述前端控制芯片输出的驱动信号时，将所述第二薄膜晶体管的栅极或所述发光单元的预充电压调节至目标电压。

可选地，所述在接收到所述前端控制芯片输出的预充信号时，将所述第二薄膜晶体管的栅极或所述发光单元的电压调节至预充电压的步骤包括：

在接收到所述前端控制芯片输出的预充信号时，导通所述预充电源与所述第二薄膜晶体管的栅极之间的第一回路或所述预充电源与所述发光单元之间的第二回路；

在所述第一回路导通时，将所述第二薄膜晶体管的栅极的电压调节至预充电压；

在所述第二回路导通时，将所述发光单元的电压调节至预充电压。

可选地，所述在所述第一回路导通时，将所述第二薄膜晶体管的栅极的电压调节至预充电压的步骤之前，还包括：

在接收到所述前端控制芯片输出的预充信号时，导通所述预充电源与所述第二薄膜晶体管的栅极之间的第一回路和所述预充电源与所述发光单元之间的第二回路。

此外，为实现上述目的，本发明还提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括：发光单元和所述的发光单元控制电路。

此外，为实现上述目的，本发明还提供了一种显示面板，所述显示面板包括发光层、封装层和上述的阵列基板，所述发光层位于所述阵列基板和所述封装层之间。

本发明中提供一种发光单元控制电路、方法、阵列基板及显示面板，所述发光单元控制电路包括驱动电路，所述驱动电路分别与前端控制芯片以及发光单元连接，所述驱动电路包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述发光单元控制电路还包括：与第二薄膜晶体管的栅极或发光单元连接的预充电源；所述预充电源，用于在接收到所述前端控制芯片输出的预充信号时，将所述第二薄膜晶体管的栅极或所述发光单元的电压调节至预充电压；所述驱动电路，用于在接收到所述前端控制芯片输出的驱动信号时，将所述第二薄膜晶体管的栅极或所述发光单元的预充电压调节至目标电压。本发明中通过将第二薄膜晶体管的栅极或发光单元进行预充电，在对发光单元进行驱动时降低第二薄膜晶体管或发光单元内电流变化率，解决了有机发光二极管出现灰阶残影的技术问题。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的阵列基板的实施例一、实施例二、实施例三、显示面板的实施例以及显示器实施例对应的附图，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。

图1为薄膜晶体管迟滞效应正向扫描与反向扫面通过薄膜晶体管的电流变化图；

图2为本发明发光单元控制电路实施例一的第一种电路结构图；

图3为本发明发光单元控制电路实施例一的第二种电路结构图；

图4为本发明发光单元控制电路实施例二的第一种电路结构图；

图5为本发明发光单元控制电路实施例二的第二种电路结构图；

图6为本发明发光单元控制电路实施例二的控制时序图；

图7为本发明发光单元控制电路实施例二的第三种电路结构图；

图8为本发明发光单元控制电路实施例三的第一种电路结构图；

图9为本发明发光单元控制电路实施例四的第一种电路结构图；

图10为本发明发光单元控制电路实施例四的第二种电路结构图；

图11为本发明发光单元控制方法实施例一的流程示意图；

图12为本发明发光单元控制方法实施例二的流程示意图；

图13为本发明发光单元控制方法实施例三的流程示意图；

图14为本申请显示面板实施例的结构示意图。

附图标号说明：

标号	名称	标号	名称
				Vdata	扫描电压	Vref	预充电源
Scan1	预充信号	PVEE	接地
				Scan2	驱动信号	T1～T5	第一至第五薄膜晶体管
PVDD	驱动电压	10	驱动电路
				D1	第一有机发光二极管	20	阵列基板
C1～C2	第一至第二电容	30	发光层
				40	封装层

本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。

参照图1、图2和图3，图1为薄膜晶体管迟滞效应正向扫描与反向扫面通过薄膜晶体管的电流变化图，图2为本发明发光单元控制电路实施例一中发光单元控制电路的第一种电路结构图，图3为本发明发光单元控制电路实施例一中发光单元控制电路的第二种电路结构图。

在本实施例中，所述发光单元控制电路包括驱动电路10，所述驱动电路分别与前端控制芯片以及发光单元连接，所述驱动电路10包括第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2，所述发光单元控制电路还包括：与第二薄膜晶体管T2的栅极或发光单元连接的预充电源Vref。

应理解的是，在对像素进行扫描过程中，很可能出现两端同时扫描的情况，例如一端从灰阶值为255开始扫描，另一端从灰阶值为0开始扫描，扫面过程最终在灰阶值为127时结束。针对两端同时扫描的过程，用于驱动发光单元的驱动电路中的第二薄膜晶体管T2内的电流并不相同，在短时间内第二薄膜晶体管内的电流变化过大或输入发光单元内的电流变化过大会直接导致发光单元出现残影。参照图1，由于薄膜晶体管具有一定的迟滞效应，正向扫描和反向扫描通过薄膜晶体管的电流会发生变化，而通过薄膜晶体管的电流在发生变化过程中，通常是从上一个时刻的电流值直接变化到下一时刻的电流值，导致短时间内电流值变化过大引起残影。

需要说明的是，预充电源Vref是用于将第二薄膜晶体管T2的栅极或发光单元的输入端维持在一个恒定的电压值的电源。其中，灰阶变化过程中，初始灰阶值对应一个初始电压，目标灰阶值对应一个目标电压。预充电源Vref提供的预充电压处于初始电压与目标电压的范围内。预充电源Vref提供的预充电压可以根据灰阶值变化的范围进行设定。例如在灰阶值从255变化至127时，该预充电压应当处于灰阶值255对应的初始电压值与灰阶值127对应的目标电压值之间。预充电源Vref提供的预充电压并不能改变第二薄膜晶体管T2以及发光单元的工作状态，即第二薄膜晶体管T2的工作状态根据扫描电压Vdata进行变化，发光单元的工作状态根据驱动电压PVDD进行变化。前端控制芯片是用于对发光单元的驱动过程进行控制的芯片，该前端控制芯片可以是单片机芯片、ARM芯片等具有相同功能的芯片。在本实施例中，前端控制芯片为现有技术中的芯片，在说明书附图中并未示出。在本实施例中发光单元通过第一有机发光二极管D1、第二电容C2和其他相关元器件组成，此处并不对其他元件的连接做具体限定。

参照图2，可以理解的是，在流经第二薄膜晶体管T2内的电流或输入至发光单元的电流出现变化时，该第二薄膜晶体管T2的栅极电压或发光单元输入端的电压的变化过程是从预充电源的预充电压变化至目标电压值，从而降低流经薄膜晶体管T2的电流变化率或输入发光单元的电流变化率。例如在将一个发光单元的灰阶值从0调节至127的过程中，现有技术中的第二薄膜晶体管T2的栅极电压会直接从灰阶值为0对应的电压值调节至灰阶值为127对应的电压值，变回导致第二薄膜晶体管T2内出现较大的电流变化率导致残影发生。而在本实施例中，第二薄膜晶体T2的栅极电压是从预充电源Vref提供的预充电压调节至灰阶值127对应的电压，从而降低通过第二薄膜晶体管T2的电流变化率。参照图3，在图3中对输入发光单元输入端的电压进行预充。图3中的输入发光单元的电流变化率的调节具体过程可以参照图2中第二薄膜晶体管T2的调节过程，此处不再赘述。

在具体实施中，所述预充电源Vref可以在接收到所述前端控制芯片输出的预充信号时，将所述第二薄膜晶体管T2的栅极或所述发光单元的电压调节至预充电压，该预充信号在发光单元的驱动信号之前发出。当然，本实施例中，也可以将预充电源Vref持续的为第二薄膜晶体管T2的栅极或所述发光单元提供预充电压，使第二薄膜晶体管T2的栅极或所述发光单元的输入端一直保持在预充电压状态。参照图2，在具体驱动过程中，前端控制芯片可以输出驱动信号Scan2至驱动电路中第一薄膜晶体管T1的栅极，控制第一薄膜晶体管T1导通，此时扫描信号Vdata可以通过所述驱动电路中的第一薄膜晶体管T1为所述第二薄膜晶体管T2的栅极提供一定的目标电压，此时第二薄膜晶体管T2的栅极已经存在预充电压，将所述第二薄膜晶体管T2的栅极调节至目标电压即可。在第二薄膜晶体管T2导通时，驱动电源可以通过输出驱动电压PVDD驱动发光单元。参照图3，在图3中的驱动过程，前端控制芯片可以输出驱动信号Scan2至驱动电路中第一薄膜晶体管T1的栅极，控制第一薄膜晶体管T1导通，此时扫描信号Vdata可以通过所述驱动电路中的第一薄膜晶体管T1为所述第二薄膜晶体管T2的栅极提供一定的目标电压导通第二薄膜晶体管T2，驱动电源可以通过输出驱动电压PVDD驱动发光单元，而此时发光单元的输入端已经存在预充电压，将发光单元输入端的预设电压调节至驱动电压PVDD即可。

在发光单元控制电路实施例一中，所述发光单元控制电路包括驱动电路，所述驱动电路分别与前端控制芯片以及发光单元连接，所述驱动电路包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述发光单元控制电路还包括：与第二薄膜晶体管的栅极或发光单元连接的预充电源；所述预充电源，用于在接收到所述前端控制芯片输出的预充信号时，将所述第二薄膜晶体管的栅极或所述发光单元的电压调节至预充电压；所述驱动电路，用于在接收到所述前端控制芯片输出的驱动信号时，将所述第二薄膜晶体管的栅极或所述发光单元的预充电压调节至目标电压。本实施例一中通过将第二薄膜晶体管的栅极或发光单元进行预充电，在对发光单元进行驱动时降低第二薄膜晶体管或发光单元内电流变化率，解决了发光单元出现灰阶残影的技术问题。

参照图4和图5提出本发明发光单元控制电路实施例二，图4为本发明发光单元控制电路实施例二中发光单元控制电路的第一种电路结构图，图5为本发明发光单元控制电路实施例二中发光单元控制电路的第二种电路结构图。

在本实施例中，所述发光单元控制电路还包括：第三薄膜晶体管T3；

所述第三薄膜晶体管T3的栅极与所述前端控制芯片连接，所述第三薄膜晶体管T3的漏极与所述预充电源Vref连接，所述第三薄膜晶体管T3的源极与所述第二薄膜晶体管T2的栅极或所述发光单元连接。

需要说明的是，在本实施例中通过第三薄膜晶体管T3控制预充电源Vref与第二薄膜晶体管T2的栅极或发光单元之间的连接。第三薄膜晶体管T3主要用于根据前端控制芯片输出的预充信号Scan1导通与断开预充电源Vref与第二薄膜晶体管T2的栅极或发光单元之间的回路作用，其他具有相同功能的功率管同样适用，例如将采用MOS管、三极管、IGBT等均可，此处不做具体限定。

应理解的是，在该发光单元短时间内不需要驱动时，通过预充电源Vref一直输出预充电压至第二薄膜晶体管T2的栅极或发光单元会造成大量资源的浪费。因此仅需要在对发光单元进行驱动之前为第二薄膜晶体管T2的栅极或发光单元提供预设电压即可。

参照图4和图6，前端控制芯片可以在对发光单元进行驱动之前输出预充信号Scan1至所述第三薄膜晶体管T3的栅极，从而导通第三薄膜晶体管T3，预充电源Vref可以为第二薄膜晶体管T2的栅极提供预充电压。在第二薄膜晶体管T2的栅极达到预充电压时，前端控制芯片输出驱动信号Scan2至所述第一薄膜晶体管T1的栅极对所述发光单元进行驱动。参照图5，同理前端控制芯片可以在对发光单元进行驱动之前输出预充信号Scan1至所述第三薄膜晶体管T3的栅极，从而导通第三薄膜晶体管T3，预充电源Vref可以为发光单元的输出端提供预充电压。在发光单元的输入端的达到预充电压时前端控制芯片输出驱动信号Scan2至所述第一薄膜晶体管T1的栅极对发光单元进行驱动。

参照图7，在本实施例中，前端控制芯片还可以同时控制第一回路和第二回路的情况，可以直接采用一个第三薄膜晶体管T3，将第三薄膜晶体管T3的源极同时与第二薄膜晶体管T2的栅极以及发光单元连接。前端控制芯片输出一个预充信号Scan1时，第三薄膜晶体管T3导通，预充电源Vref可以同时为第二薄膜晶体管T2的栅极以及发光单元的输入端提供预充电压。

在发光单元控制电路实施例二中，通过设置第三薄膜晶体管T3对预设电源Vref与第二薄膜晶体管T2栅极之间的第一回路或预设电源Vref与发光单元之间的第二回路进行控制；在第一回路导通时，预设电源Vref为所述第二薄膜晶体管T2的栅极提供预充电压；在第二回路导通时，预设电源Vref为所述发光单元的输入端提供预充电压。在实施例二中，可以在更加精确地消除发光单元出现灰阶残影的情况下降低预充电源Vref有效的避免资源浪费。

参照图8，图8为本发明发光单元控制电路实施例三中发光单元控制电路的第一种电路结构图；提出本发明发光单元控制电路实施例三；基于上述实施例一提出本发明阵列基板的实施例三。

在实施例三中，所述发光单元控制电路还包括：第三薄膜晶体管T3和第四薄膜晶体管T4；

其中，所述第三薄膜晶体管T3的栅极与所述前端控制芯片连接，所述第三薄膜晶体管T3的漏极与所述预充电源Vref连接，所述第三薄膜晶体管T3的源极与所述第二薄膜晶体管T2的栅极连接；所述第四薄膜晶体管T4的栅极与所述前端控制芯片连接，所述第四薄膜晶体管T4的漏极与所述预充电源Vref连接，所述第四薄膜晶体管T4的源极与所述发光单元连接。

需要说明的是，第三薄膜晶体管T3和第四薄膜晶体管T4可以利用其他具有相同功能的功率管代替，例如三极管、MOS管、IGBT等。其中第三薄膜晶体管T3用于控制预充电源Vref与第二薄膜晶体管T2栅极之间的第一回路的通断。第四薄膜晶体管T4用于控制预充电源Vref与发光单元之间的第二回路的通断。

在本实施例中，通过设置第三薄膜晶体管T3和第四薄膜晶体管T4可以分别对第二薄膜晶体管T2与预充电源Vref之间的第一回路以及预充电源Vref与闪光单元之间的第二回路。前端控制芯片可以输出预充信号Scan1至第三薄膜晶体管T3或第四薄膜晶体管T4中的任一个的栅极，单独对一个回路进行控制；前端控制芯片也可以同时输出两个预充信号Scan1至第三薄膜晶体管T3和第四薄膜晶体管T4的栅极，同时对两个回路进行控制。

在发光单元控制电路实施例三中，通过设置第三薄膜晶体管T3和第四薄膜晶体管T4可以同时对预充电源Vref与第二薄膜晶体管T2栅极之间的第一回路以及预充电源Vref与发光单元之间的第二回路。在实施例三中，既可以单独对第一回路或第二回路中的一个回路进行控制，也可以同时对连个回路进行控制，在同时对两个回路进行控制的情况下，可以更加准确解决发光单元出现的残影问题。

参照图9和图10提出本发明发光单元控制电路实施例四，图9为本发明发光单元控制电路实施例四中发光单元控制电路的第一种电路结构图；图10为本发明发光单元控制电路实施例四中发光单元控制电路的第二种电路结构图。

在本实施例中，所述发光单元控制电路还包括：第五薄膜晶体管T5；

其中，所述第五薄膜晶体管T5的栅极与所述前端控制芯片连接，所述第五薄膜晶体管T5的漏极与所述第二薄膜晶体管T2的源极连接，所述第五薄膜晶体管T5的源极与所述前端控制芯片连接。

应理解的是，发光单元会随着点亮时间的增加亮度逐渐衰减导致发光单元的亮度并不满足需求，在此情况下需要对驱动发光单元的驱动电流或驱动电压进行补偿。第五薄膜晶体管T5是用于对驱动电源PVDD提供的驱动电流进行采集的晶体管。在第五薄膜晶体管T5导通时，前端控制芯片可以对驱动电流进行采集，并根据该驱动电流对发光单元的亮度进行补偿。

需要说明的是，第五薄膜晶体管T5还可以使用其他具有控制端的功率管代替。第五薄膜晶体管T5与第二薄膜晶体管T2串联设置，第五薄膜晶体管T5处于驱动电源PVDD与发光单元之间即可。

在具体实施中，前端控制芯片可以输出采集信号至第五薄膜晶体管T5的栅极控制第五薄膜晶体管T5导通，在第五薄膜晶体管T5导通的情况下，前端控制芯片可以对发光单元的驱动电流进行采集，并在驱动电流低于额定驱动电流的情况下，输出相应的补偿信号控制驱动电源PVDD输出更高的驱动电流对发光单元的亮度进行补偿。

在发光单元控制电路实施例四中，在实施例一的基础上通过设置第五薄膜晶体管T5对驱动电流进行采集，并在驱动电流不满足额定驱动电流的情况下对发光单元的亮度进行补偿。在实施例五中在能够准确的发光单元残影情况下，还能够有效的对发光单元的亮度进行补偿。

参照图11，图11为本发明发光单元控制方法实施例一的流程示意图。基于提11提出本发明发光单元控制方法实施例一。

参照图11，在发光单元控制方法实施例一中所述发光单元控制方法包括：

步骤S10：在接收到所述前端控制芯片输出的预充信号时，将所述第二薄膜晶体管的栅极或所述发光单元的电压调节至预充电压；

步骤S20：在接收到所述前端控制芯片输出的驱动信号时，将所述第二薄膜晶体管的栅极或所述发光单元的预充电压调节至目标电压。

需要说明的是，预充电源是用于将第二薄膜晶体管的栅极或发光单元的输入端维持在一个恒定的电压值的电源。其中，灰阶变化过程中，初始灰阶值对应一个初始电压，目标灰阶值对应一个目标电压。预充电源提供的预充电压处于初始电压与目标电压的范围内。预充电源提供的预充电压可以根据灰阶值变化的范围进行设定。例如在灰阶值从255变化至127时，该预充电压应当处于灰阶值255对应的初始电压值与灰阶值127对应的目标电压值之间。预充电源Vref提供的预充电压并不能改变第二薄膜晶体管以及发光单元的工作状态，即第二薄膜晶体管的工作状态根据扫描电压进行变化，发光单元的工作状态根据驱动电压进行变化。前端控制芯片是用于对发光单元的驱动过程进行控制的芯片，该前端控制芯片可以是单片机芯片、ARM芯片等具有相同功能的芯片。在本实施例中，前端控制芯片为现有技术中的芯片，在说明书附图中并未示出。在本实施例中发光单元通过第一有机发光二极管、第二电容和其他相关元器件组成，此处并不对其他元件的连接做具体限定。

可以理解的是，在流经第二薄膜晶体管内的电流或输入至发光单元的电流出现变化时，该第二薄膜晶体管的栅极电压或发光单元输入端的电压的变化过程是从预充电源的预充电压变化至目标电压值，从而降低流经薄膜晶体管的电流变化率或输入发光单元的电流变化率。例如在将一个发光单元的灰阶值从0调节至127的过程中，现有技术中的第二薄膜晶体管的栅极电压会直接从灰阶值为0对应的电压值调节至灰阶值为127对应的电压值，变回导致第二薄膜晶体管内出现较大的电流变化率导致残影发生。而在本实施例中，第二薄膜晶体的栅极电压是从预充电源提供的预充电压调节至灰阶值127对应的电压，从而降低通过第二薄膜晶体管的电流变化率。输入发光单元的电流变化率的调节具体过程可以参照第二薄膜晶体管的调节过程，此处不再赘述。

在具体实施中，所述预充电源可以在接收到所述前端控制芯片输出的预充信号时，将所述第二薄膜晶体管的栅极或所述发光单元的电压调节至预充电压，该预充信号在发光单元的驱动信号之前发出。当然，本实施例中，也可以将预充电源持续的为第二薄膜晶体管的栅极或所述发光单元提供预充电压，使第二薄膜晶体管栅极或所述发光单元的输入端一直保持在预充电压状态。参在具体驱动过程中，前端控制芯片可以输出驱动信号至驱动电路中第一薄膜晶体管的栅极，控制第一薄膜晶体管导通，此时扫描信号可以通过所述驱动电路中的第一薄膜晶体管为所述第二薄膜晶体管的栅极提供一定的目标电压，此时第二薄膜晶体管的栅极已经存在预充电压，将所述第二薄膜晶体管的栅极调节至目标电压即可。在第二薄膜晶体管导通时，驱动电源可以通过输出驱动电压驱动发光单元。在驱动过程中，前端控制芯片可以输出驱动信号至驱动电路中第一薄膜晶体管的栅极，控制第一薄膜晶体管导通，此时扫描信号可以通过所述驱动电路中的第一薄膜晶体管为所述第二薄膜晶体管的栅极提供一定的目标电压导通第二薄膜晶体管，驱动电源可以通过输出驱动电压驱动发光单元，而此时发光单元的输入端已经存在预充电压，将发光单元输入端的预设电压调节至驱动电压即可。

在发光单元控制方法实施例一中，所述发光单元控制方法通过在接收到所述前端控制芯片输出的预充信号时，将所述第二薄膜晶体管的栅极或所述发光单元的电压调节至预充电压；在接收到所述前端控制芯片输出的驱动信号时，将所述第二薄膜晶体管的栅极或所述发光单元的预充电压调节至目标电压。本实施例一中通过将第二薄膜晶体管的栅极或发光单元进行预充电，在对发光单元进行驱动时降低第二薄膜晶体管或发光单元内电流变化率，解决了发光单元出现灰阶残影的技术问题。

参照图12，图12为本发明发光单元控制方法实施例二的流程示意图。基于上述发光单元控制方法实施例一提出本发明发光单元控制方法实施例二。

在发光单元控制方法实施例二中，所述步骤S101具体包括：

步骤S101：在接收到所述前端控制芯片输出的预充信号时，导通所述预充电源与所述第二薄膜晶体管的栅极之间的第一回路或所述预充电源与所述发光单元之间的第二回路；

步骤S102：在所述第一回路导通时，将所述第二薄膜晶体管的栅极的电压调节至预充电压；

步骤S103：在所述第二回路导通时，将所述发光单元的电压调节至预充电压。

应理解的是，在该发光单元短时间内不需要驱动时，通过预充电源一直输出预充电压至第二薄膜晶体管的栅极或发光单元会造成大量资源的浪费。因此仅需要在对发光单元进行驱动之前为第二薄膜晶体管的栅极或发光单元提供预设电压即可。

在具体实施中，前端控制芯片可以在对发光单元进行驱动之前输出预充信号至所述第三薄膜晶体管的栅极，从而导通第三薄膜晶体管，预充电源可以为第二薄膜晶体管的栅极提供预充电压。在第二薄膜晶体管的栅极达到预充电压时，前端控制芯片输出驱动信号至所述第一薄膜晶体管的栅极对所述发光单元进行驱动。同理前端控制芯片可以在对发光单元进行驱动之前输出预充信号至所述第三薄膜晶体管的栅极，从而导通第三薄膜晶体管，预充电源可以为发光单元的输出端提供预充电压。在发光单元的输入端的达到预充电压时前端控制芯片输出驱动信号至所述第一薄膜晶体管的栅极对发光单元进行驱动。

在发光单元控制方法实施例二中，通过设置第三薄膜晶体管对预设电源与第二薄膜晶体管栅极之间的第一回路或预设电源与发光单元之间的第二回路进行控制；在第一回路导通时，预设电源为所述第二薄膜晶体管的栅极提供预充电压；在第二回路导通时，预设电源为所述发光单元的输入端提供预充电压。在实施例二中，可以在更加精确地消除发光单元出现灰阶残影的情况下降低预充电源有效的避免资源浪。

参照图13，图13为本发明发光单元控制方法实施例三的流程示意图。基于上述发光单元控制方法实施例一提出本发明发光单元控制方法实施例三。

在发光单元控制方法实施例三中，所述步骤S101之前还包括：

步骤S10'：在接收到所述前端控制芯片输出的预充信号时，导通所述预充电源与所述第二薄膜晶体管的栅极之间的第一回路和所述预充电源与所述发光单元之间的第二回路。

相应的，步骤S20为步骤S20'：在接收到所述前端控制芯片输出的驱动信号时，将所述第二薄膜晶体管的栅极和所述发光单元的预充电压调节至目标电压。

应理解的是，通过设置第三薄膜晶体管和第四薄膜晶体管可以分别对第二薄膜晶体管与预充电源之间的第一回路以及预充电源与闪光单元之间的第二回路。前端控制芯片可以输出预充信号至第三薄膜晶体管或第四薄膜晶体管中的任一个的栅极，单独对一个回路进行控制；前端控制芯片也可以同时输出两个预充信号至第三薄膜晶体管和第四薄膜晶体管的栅极，同时对两个回路进行控制。

在发光单元控制方法实施例三中，通过设置第三薄膜晶体管和第四薄膜晶体管可以同时对预充电源与第二薄膜晶体管栅极之间的第一回路以及预充电源与发光单元之间的第二回路。在实施例三中，既可以单独对第一回路或第二回路中的一个回路进行控制，也可以同时对连个回路进行控制，在同时对两个回路进行控制的情况下，可以更加准确解决发光单元出现的残影问题。

此外，本发明还提出一种阵列基板，所述阵列基板包括发光单元和上述发光单元控制电路。由于本阵列基板采用了上述所有实施例的全部技术方案，因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。

此外，本发明还提出一种显示面板，参照图14，图14为本申请显示面板实施例的结构示意图，所述显示面板包括发光层30、封装层40和上述的阵列基板20，所述发光层30位于所述阵列基板20和所述封装层40之间。

以上仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

需要说明，本发明实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。

另外，在本发明中涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当人认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种发光单元控制电路，所述发光单元控制电路包括驱动电路，所述驱动电路与前端控制芯片以及发光单元连接，所述驱动电路包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，其特征在于，所述发光单元控制电路还包括：与第二薄膜晶体管的栅极或发光单元连接的预充电源；

所述预充电源，用于在接收到所述前端控制芯片输出的预充信号时，将所述第二薄膜晶体管的栅极或所述发光单元的电压调节至预充电压，所述预充电压处于所述第二薄膜晶体管的栅极或所述发光单元的初始电压与目标电压范围内；

所述驱动电路，用于在接收到所述前端控制芯片输出的驱动信号时，将所述第二薄膜晶体管的栅极或所述发光单元的预充电压调节至目标电压。

2.如权利要求1所述的发光单元控制电路，其特征在于，所述发光单元控制电路还包括：第三薄膜晶体管；

所述第三薄膜晶体管的栅极与所述前端控制芯片连接，所述第三薄膜晶体管的漏极与所述预充电源连接，所述第三薄膜晶体管的源极与所述第二薄膜晶体管的栅极或所述发光单元连接。

3.如权利要求2所述的发光单元控制电路，其特征在于，所述第三薄膜晶体管的源极与第二薄膜晶体管的栅极和所述发光单元连接。

4.如权利要求1所述的发光单元控制电路，其特征在于，所述发光单元控制电路还包括：第三薄膜晶体管和第四薄膜晶体管；

其中，所述第三薄膜晶体管的栅极与所述前端控制芯片连接，所述第三薄膜晶体管的漏极与所述预充电源连接，所述第三薄膜晶体管的源极与所述第二薄膜晶体管的栅极连接；所述第四薄膜晶体管的栅极与所述前端控制芯片连接，所述第四薄膜晶体管的漏极与所述预充电源连接，所述第四薄膜晶体管的源极与所述发光单元连接。

5.如权利要求1所述的发光单元控制电路，其特征在于，所述发光单元控制电路还包括：第五薄膜晶体管；

其中，所述第五薄膜晶体管的栅极与所述前端控制芯片连接，所述第五薄膜晶体管的漏极与所述第二薄膜晶体管的源极连接，所述第五薄膜晶体管的源极与所述前端控制芯片连接。

6.一种基于权利要求1-5任一项所述发光单元控制电路的发光单元控制方法，其特征在于，所述发光单元控制方法包括：

在接收到所述前端控制芯片输出的预充信号时，将所述第二薄膜晶体管的栅极或所述发光单元的电压调节至预充电压，所述预充电压处于所述第二薄膜晶体管的栅极或所述发光单元的初始电压与目标电压范围内；

在接收到所述前端控制芯片输出的驱动信号时，将所述第二薄膜晶体管的栅极或所述发光单元的预充电压调节至目标电压。

7.如权利要求6所述的发光单元控制方法，其特征在于，所述在接收到所述前端控制芯片输出的预充信号时，将所述第二薄膜晶体管的栅极或所述发光单元的电压调节至预充电压的步骤包括：

在接收到所述前端控制芯片输出的预充信号时，导通所述预充电源与所述第二薄膜晶体管的栅极之间的第一回路或所述预充电源与所述发光单元之间的第二回路；

在所述第一回路导通时，将所述第二薄膜晶体管的栅极的电压调节至预充电压；

在所述第二回路导通时，将所述发光单元的电压调节至预充电压。

8.如权利要求7所述的发光单元控制方法，其特征在于，所述在所述第一回路导通时，将所述第二薄膜晶体管的栅极的电压调节至预充电压的步骤之前，还包括：

在接收到所述前端控制芯片输出的预充信号时，导通所述预充电源与所述第二薄膜晶体管的栅极之间的第一回路和所述预充电源与所述发光单元之间的第二回路。

9.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：发光单元和权利要求1-5任一项所述的发光单元控制电路。

10.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括发光层、封装层和权利要求9中所述的阵列基板，所述发光层设置在所述阵列基板和所述封装层之间。

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