CN114341072B - 纹理化的玻璃制品及其制造方法 - Google Patents
纹理化的玻璃制品及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114341072B CN114341072B CN202080060292.1A CN202080060292A CN114341072B CN 114341072 B CN114341072 B CN 114341072B CN 202080060292 A CN202080060292 A CN 202080060292A CN 114341072 B CN114341072 B CN 114341072B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- silane
- propyl
- textured
- glass
- glass substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims abstract description 224
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 89
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 109
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 49
- 238000002386 leaching Methods 0.000 claims abstract description 47
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 claims abstract description 43
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 10
- -1 polyethylene Polymers 0.000 claims description 62
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 58
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 51
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 40
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 31
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 claims description 28
- UUJLHYCIMQOUKC-UHFFFAOYSA-N trimethyl-[oxo(trimethylsilylperoxy)silyl]peroxysilane Chemical compound C[Si](C)(C)OO[Si](=O)OO[Si](C)(C)C UUJLHYCIMQOUKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 26
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 25
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 claims description 22
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 claims description 16
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 11
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 11
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 125000001181 organosilyl group Chemical group [SiH3]* 0.000 claims description 9
- NHARPDSAXCBDDR-UHFFFAOYSA-N propyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCCOC(=O)C(C)=C NHARPDSAXCBDDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000004801 Chlorinated PVC Substances 0.000 claims description 8
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 claims description 8
- 229920001153 Polydicyclopentadiene Polymers 0.000 claims description 8
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 claims description 8
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 claims description 8
- 239000004433 Thermoplastic polyurethane Substances 0.000 claims description 8
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 claims description 8
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 8
- 229920000457 chlorinated polyvinyl chloride Polymers 0.000 claims description 8
- 125000001891 dimethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 claims description 8
- 229920002493 poly(chlorotrifluoroethylene) Polymers 0.000 claims description 8
- 229920002239 polyacrylonitrile Polymers 0.000 claims description 8
- 239000005023 polychlorotrifluoroethylene (PCTFE) polymer Substances 0.000 claims description 8
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 claims description 8
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 claims description 8
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 claims description 8
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 claims description 8
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 150000001343 alkyl silanes Chemical class 0.000 claims description 6
- DCFKHNIGBAHNSS-UHFFFAOYSA-N chloro(triethyl)silane Chemical compound CC[Si](Cl)(CC)CC DCFKHNIGBAHNSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- JQYKSDDVPXVEOL-UHFFFAOYSA-N chloro-hexyl-dimethylsilane Chemical compound CCCCCC[Si](C)(C)Cl JQYKSDDVPXVEOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- KQIADDMXRMTWHZ-UHFFFAOYSA-N chloro-tri(propan-2-yl)silane Chemical compound CC(C)[Si](Cl)(C(C)C)C(C)C KQIADDMXRMTWHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- IJOOHPMOJXWVHK-UHFFFAOYSA-N chlorotrimethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)Cl IJOOHPMOJXWVHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 claims description 6
- 229940017219 methyl propionate Drugs 0.000 claims description 6
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- PNXMTCDJUBJHQJ-UHFFFAOYSA-N propyl prop-2-enoate Chemical compound CCCOC(=O)C=C PNXMTCDJUBJHQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- PYJJCSYBSYXGQQ-UHFFFAOYSA-N trichloro(octadecyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC[Si](Cl)(Cl)Cl PYJJCSYBSYXGQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- PPDADIYYMSXQJK-UHFFFAOYSA-N trichlorosilicon Chemical group Cl[Si](Cl)Cl PPDADIYYMSXQJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 5
- FKASFBLJDCHBNZ-UHFFFAOYSA-N 1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=NN=CO1 FKASFBLJDCHBNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VSSAADCISISCOY-UHFFFAOYSA-N 1-(4-furo[3,4-c]pyridin-1-ylphenyl)furo[3,4-c]pyridine Chemical compound C1=CN=CC2=COC(C=3C=CC(=CC=3)C3=C4C=CN=CC4=CO3)=C21 VSSAADCISISCOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 claims description 4
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 claims description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 4
- 229920000292 Polyquinoline Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004760 aramid Substances 0.000 claims description 4
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 229920006217 cellulose acetate butyrate Polymers 0.000 claims description 4
- UUAGAQFQZIEFAH-UHFFFAOYSA-N chlorotrifluoroethylene Chemical group FC(F)=C(F)Cl UUAGAQFQZIEFAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims description 4
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 claims description 4
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 4
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 4
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 claims description 4
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 claims description 4
- 229920001084 poly(chloroprene) Polymers 0.000 claims description 4
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 claims description 4
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 claims description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 4
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 claims description 4
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- QWOVEJBDMKHZQK-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-tris(3-trimethoxysilylpropyl)-1,3,5-triazinane-2,4,6-trione Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCN1C(=O)N(CCC[Si](OC)(OC)OC)C(=O)N(CCC[Si](OC)(OC)OC)C1=O QWOVEJBDMKHZQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ACSJXAKDVNDMME-UHFFFAOYSA-N 11-azidoundecyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCCCCCCCCCN=[N+]=[N-] ACSJXAKDVNDMME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- LLNQRNOPJAFMFQ-UHFFFAOYSA-N 11-bromoundecyl(trichloro)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)CCCCCCCCCCCBr LLNQRNOPJAFMFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- FALRKNHUBBKYCC-UHFFFAOYSA-N 2-(chloromethyl)pyridine-3-carbonitrile Chemical compound ClCC1=NC=CC=C1C#N FALRKNHUBBKYCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OKQXCDUCLYWRHA-UHFFFAOYSA-N 3-[chloro(dimethyl)silyl]propyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCC[Si](C)(C)Cl OKQXCDUCLYWRHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- HXLAEGYMDGUSBD-UHFFFAOYSA-N 3-[diethoxy(methyl)silyl]propan-1-amine Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)CCCN HXLAEGYMDGUSBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ZYAASQNKCWTPKI-UHFFFAOYSA-N 3-[dimethoxy(methyl)silyl]propan-1-amine Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCN ZYAASQNKCWTPKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- IKYAJDOSWUATPI-UHFFFAOYSA-N 3-[dimethoxy(methyl)silyl]propane-1-thiol Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCS IKYAJDOSWUATPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ZCRUJAKCJLCJCP-UHFFFAOYSA-N 3-[methoxy(dimethyl)silyl]propyl prop-2-enoate Chemical compound CO[Si](C)(C)CCCOC(=O)C=C ZCRUJAKCJLCJCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- MEAIMCCQSLMUBK-UHFFFAOYSA-N 3-chloropropyl(ethoxy)silane Chemical compound CCO[SiH2]CCCCl MEAIMCCQSLMUBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- KSCAZPYHLGGNPZ-UHFFFAOYSA-N 3-chloropropyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCCl KSCAZPYHLGGNPZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OXYZDRAJMHGSMW-UHFFFAOYSA-N 3-chloropropyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCCl OXYZDRAJMHGSMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- KNTKCYKJRSMRMZ-UHFFFAOYSA-N 3-chloropropyl-dimethoxy-methylsilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCCl KNTKCYKJRSMRMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- NILZGRNPRBIQOG-UHFFFAOYSA-N 3-iodopropyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCI NILZGRNPRBIQOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- FMGBDYLOANULLW-UHFFFAOYSA-N 3-isocyanatopropyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCN=C=O FMGBDYLOANULLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- DCQBZYNUSLHVJC-UHFFFAOYSA-N 3-triethoxysilylpropane-1-thiol Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCS DCQBZYNUSLHVJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- URDOJQUSEUXVRP-UHFFFAOYSA-N 3-triethoxysilylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCOC(=O)C(C)=C URDOJQUSEUXVRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- LVNLBBGBASVLLI-UHFFFAOYSA-N 3-triethoxysilylpropylurea Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCNC(N)=O LVNLBBGBASVLLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- TZZGHGKTHXIOMN-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilyl-n-(3-trimethoxysilylpropyl)propan-1-amine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNCCC[Si](OC)(OC)OC TZZGHGKTHXIOMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCN SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropane-1-thiol Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCS UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PBHIWZGFSZBQJV-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropyl 2-bromo-2-methylpropanoate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOC(=O)C(C)(C)Br PBHIWZGFSZBQJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOC(=O)C(C)=C XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- KBQVDAIIQCXKPI-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropyl prop-2-enoate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOC(=O)C=C KBQVDAIIQCXKPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- LVACOMKKELLCHJ-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropylurea Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNC(N)=O LVACOMKKELLCHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BESKSSIEODQWBP-UHFFFAOYSA-N 3-tris(trimethylsilyloxy)silylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCC[Si](O[Si](C)(C)C)(O[Si](C)(C)C)O[Si](C)(C)C BESKSSIEODQWBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GPIARXZSVWTOMD-UHFFFAOYSA-N 4-[chloro(dimethyl)silyl]butanenitrile Chemical compound C[Si](C)(Cl)CCCC#N GPIARXZSVWTOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- HHKDWDAAEFGBAC-UHFFFAOYSA-N 5-bicyclo[2.2.1]hept-2-enyl(triethoxy)silane Chemical compound C1C2C([Si](OCC)(OCC)OCC)CC1C=C2 HHKDWDAAEFGBAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- CPLASELWOOUNGW-UHFFFAOYSA-N benzyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CC1=CC=CC=C1 CPLASELWOOUNGW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ABHNFDUSOVXXOA-UHFFFAOYSA-N benzyl-chloro-dimethylsilane Chemical compound C[Si](C)(Cl)CC1=CC=CC=C1 ABHNFDUSOVXXOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- CAURZYXCQQWBJO-UHFFFAOYSA-N bromomethyl-chloro-dimethylsilane Chemical compound C[Si](C)(Cl)CBr CAURZYXCQQWBJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- FQEKAFQSVPLXON-UHFFFAOYSA-N butyl(trichloro)silane Chemical compound CCCC[Si](Cl)(Cl)Cl FQEKAFQSVPLXON-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XGZGKDQVCBHSGI-UHFFFAOYSA-N butyl(triethoxy)silane Chemical compound CCCC[Si](OCC)(OCC)OCC XGZGKDQVCBHSGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229940068911 chloride hexahydrate Drugs 0.000 claims description 3
- JHCJWHBMXWOYDE-UHFFFAOYSA-N chloro-(3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10-heptadecafluorodecyl)-dimethylsilane Chemical compound C[Si](C)(Cl)CCC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F JHCJWHBMXWOYDE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ITKVLPYNJQOCPW-UHFFFAOYSA-N chloro-(chloromethyl)-dimethylsilane Chemical compound C[Si](C)(Cl)CCl ITKVLPYNJQOCPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- MEUXNEGJODESOX-UHFFFAOYSA-N chloro-cyclohexyl-dimethylsilane Chemical compound C[Si](C)(Cl)C1CCCCC1 MEUXNEGJODESOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ZLZGHBNDPINFKG-UHFFFAOYSA-N chloro-decyl-dimethylsilane Chemical compound CCCCCCCCCC[Si](C)(C)Cl ZLZGHBNDPINFKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PQRFRTCWNCVQHI-UHFFFAOYSA-N chloro-dimethyl-(2,3,4,5,6-pentafluorophenyl)silane Chemical compound C[Si](C)(Cl)C1=C(F)C(F)=C(F)C(F)=C1F PQRFRTCWNCVQHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- AKYGPHVLITVSJE-UHFFFAOYSA-N chloro-dimethyl-(3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-tridecafluorooctyl)silane Chemical compound C[Si](C)(Cl)CCC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F AKYGPHVLITVSJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ASSMBLOISZSMMP-UHFFFAOYSA-N chloro-dimethyl-(3-phenylpropyl)silane Chemical compound C[Si](C)(Cl)CCCC1=CC=CC=C1 ASSMBLOISZSMMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GZGREZWGCWVAEE-UHFFFAOYSA-N chloro-dimethyl-octadecylsilane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC[Si](C)(C)Cl GZGREZWGCWVAEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- DBKNGKYVNBJWHL-UHFFFAOYSA-N chloro-dimethyl-octylsilane Chemical compound CCCCCCCC[Si](C)(C)Cl DBKNGKYVNBJWHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- KWYZNESIGBQHJK-UHFFFAOYSA-N chloro-dimethyl-phenylsilane Chemical compound C[Si](C)(Cl)C1=CC=CC=C1 KWYZNESIGBQHJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- KMVZWUQHMJAWSY-UHFFFAOYSA-N chloro-dimethyl-prop-2-enylsilane Chemical compound C[Si](C)(Cl)CC=C KMVZWUQHMJAWSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- YCXVDEMHEKQQCI-UHFFFAOYSA-N chloro-dimethyl-propan-2-ylsilane Chemical compound CC(C)[Si](C)(C)Cl YCXVDEMHEKQQCI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- HXVPUKPVLPTVCQ-UHFFFAOYSA-N chloro-dimethyl-propylsilane Chemical compound CCC[Si](C)(C)Cl HXVPUKPVLPTVCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- DLLABNOCKQMTEJ-UHFFFAOYSA-N chloro-dodecyl-dimethylsilane Chemical compound CCCCCCCCCCCC[Si](C)(C)Cl DLLABNOCKQMTEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XSDCTSITJJJDPY-UHFFFAOYSA-N chloro-ethenyl-dimethylsilane Chemical compound C[Si](C)(Cl)C=C XSDCTSITJJJDPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ZDOBWJOCPDIBRZ-UHFFFAOYSA-N chloromethyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](CCl)(OCC)OCC ZDOBWJOCPDIBRZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- MEWFSXFFGFDHGV-UHFFFAOYSA-N cyclohexyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1CCCCC1 MEWFSXFFGFDHGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- YRMPTIHEUZLTDO-UHFFFAOYSA-N cyclopentyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1CCCC1 YRMPTIHEUZLTDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GNVPGBIHGALKRR-UHFFFAOYSA-N dichloro-methyl-propylsilane Chemical compound CCC[Si](C)(Cl)Cl GNVPGBIHGALKRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OTARVPUIYXHRRB-UHFFFAOYSA-N diethoxy-methyl-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)CCCOCC1CO1 OTARVPUIYXHRRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- WHGNXNCOTZPEEK-UHFFFAOYSA-N dimethoxy-methyl-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCOCC1CO1 WHGNXNCOTZPEEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- YGUFXEJWPRRAEK-UHFFFAOYSA-N dodecyl(triethoxy)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCC[Si](OCC)(OCC)OCC YGUFXEJWPRRAEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- SCPWMSBAGXEGPW-UHFFFAOYSA-N dodecyl(trimethoxy)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCC[Si](OC)(OC)OC SCPWMSBAGXEGPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C=C FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C=C NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- MBGQQKKTDDNCSG-UHFFFAOYSA-N ethenyl-diethoxy-methylsilane Chemical compound CCO[Si](C)(C=C)OCC MBGQQKKTDDNCSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ZLNAFSPCNATQPQ-UHFFFAOYSA-N ethenyl-dimethoxy-methylsilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)C=C ZLNAFSPCNATQPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- JEWCZPTVOYXPGG-UHFFFAOYSA-N ethenyl-ethoxy-dimethylsilane Chemical compound CCO[Si](C)(C)C=C JEWCZPTVOYXPGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- WOXXJEVNDJOOLV-UHFFFAOYSA-N ethenyl-tris(2-methoxyethoxy)silane Chemical compound COCCO[Si](OCCOC)(OCCOC)C=C WOXXJEVNDJOOLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- HOENFMGYUBYVDH-UHFFFAOYSA-N ethoxy-dimethyl-(2,3,4,5,6-pentafluorophenyl)silane Chemical compound CCO[Si](C)(C)C1=C(F)C(F)=C(F)C(F)=C1F HOENFMGYUBYVDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- VOAPTKOANCCNFV-UHFFFAOYSA-N hexahydrate;hydrochloride Chemical compound O.O.O.O.O.O.Cl VOAPTKOANCCNFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RUFRLNPHRPYBLF-UHFFFAOYSA-N methoxy-dimethyl-octadecylsilane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC[Si](C)(C)OC RUFRLNPHRPYBLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- JLUFWMXJHAVVNN-UHFFFAOYSA-N methyltrichlorosilane Chemical compound C[Si](Cl)(Cl)Cl JLUFWMXJHAVVNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N methyltrimethoxysilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)OC BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- INJVFBCDVXYHGQ-UHFFFAOYSA-N n'-(3-triethoxysilylpropyl)ethane-1,2-diamine Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCNCCN INJVFBCDVXYHGQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PHQOGHDTIVQXHL-UHFFFAOYSA-N n'-(3-trimethoxysilylpropyl)ethane-1,2-diamine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNCCN PHQOGHDTIVQXHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- AMVXVPUHCLLJRE-UHFFFAOYSA-N n'-(3-trimethoxysilylpropyl)hexane-1,6-diamine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNCCCCCCN AMVXVPUHCLLJRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- MYWJOHLSXLTXCV-UHFFFAOYSA-N n'-[(2-ethenylphenyl)methyl]-n-(3-trimethoxysilylpropyl)ethane-1,2-diamine;hydron;chloride Chemical compound Cl.CO[Si](OC)(OC)CCCNCCNCC1=CC=CC=C1C=C MYWJOHLSXLTXCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- MQWFLKHKWJMCEN-UHFFFAOYSA-N n'-[3-[dimethoxy(methyl)silyl]propyl]ethane-1,2-diamine Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCNCCN MQWFLKHKWJMCEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- QIOYHIUHPGORLS-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethyl-3-trimethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCN(C)C QIOYHIUHPGORLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N n-(3-trimethoxysilylpropyl)aniline Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNC1=CC=CC=C1 KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XCOASYLMDUQBHW-UHFFFAOYSA-N n-(3-trimethoxysilylpropyl)butan-1-amine Chemical compound CCCCNCCC[Si](OC)(OC)OC XCOASYLMDUQBHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- DVYVMJLSUSGYMH-UHFFFAOYSA-N n-methyl-3-trimethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CNCCC[Si](OC)(OC)OC DVYVMJLSUSGYMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 3
- SLYCYWCVSGPDFR-UHFFFAOYSA-N octadecyltrimethoxysilane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC[Si](OC)(OC)OC SLYCYWCVSGPDFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- MSRJTTSHWYDFIU-UHFFFAOYSA-N octyltriethoxysilane Chemical compound CCCCCCCC[Si](OCC)(OCC)OCC MSRJTTSHWYDFIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 claims description 3
- ZMASSMHNNATIBZ-UHFFFAOYSA-N prop-2-ynyl n-(3-triethoxysilylpropyl)carbamate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCNC(=O)OCC#C ZMASSMHNNATIBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 3
- 238000007764 slot die coating Methods 0.000 claims description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000935 solvent evaporation Methods 0.000 claims description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 3
- 229940014800 succinic anhydride Drugs 0.000 claims description 3
- GBXOGFTVYQSOID-UHFFFAOYSA-N trichloro(2-methylpropyl)silane Chemical compound CC(C)C[Si](Cl)(Cl)Cl GBXOGFTVYQSOID-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OOXSLJBUMMHDKW-UHFFFAOYSA-N trichloro(3-chloropropyl)silane Chemical compound ClCCC[Si](Cl)(Cl)Cl OOXSLJBUMMHDKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- SIPHWXREAZVVNS-UHFFFAOYSA-N trichloro(cyclohexyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)C1CCCCC1 SIPHWXREAZVVNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- HLWCOIUDOLYBGD-UHFFFAOYSA-N trichloro(decyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCC[Si](Cl)(Cl)Cl HLWCOIUDOLYBGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BNCXNUWGWUZTCN-UHFFFAOYSA-N trichloro(dodecyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCC[Si](Cl)(Cl)Cl BNCXNUWGWUZTCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GQIUQDDJKHLHTB-UHFFFAOYSA-N trichloro(ethenyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)C=C GQIUQDDJKHLHTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RYPYGDUZKOPBEL-UHFFFAOYSA-N trichloro(hexadecyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC[Si](Cl)(Cl)Cl RYPYGDUZKOPBEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- LFXJGGDONSCPOF-UHFFFAOYSA-N trichloro(hexyl)silane Chemical compound CCCCCC[Si](Cl)(Cl)Cl LFXJGGDONSCPOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RCHUVCPBWWSUMC-UHFFFAOYSA-N trichloro(octyl)silane Chemical compound CCCCCCCC[Si](Cl)(Cl)Cl RCHUVCPBWWSUMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- KWDQAHIRKOXFAV-UHFFFAOYSA-N trichloro(pentyl)silane Chemical compound CCCCC[Si](Cl)(Cl)Cl KWDQAHIRKOXFAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- DOEHJNBEOVLHGL-UHFFFAOYSA-N trichloro(propyl)silane Chemical compound CCC[Si](Cl)(Cl)Cl DOEHJNBEOVLHGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ALVYUZIFSCKIFP-UHFFFAOYSA-N triethoxy(2-methylpropyl)silane Chemical compound CCO[Si](CC(C)C)(OCC)OCC ALVYUZIFSCKIFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- IZRJPHXTEXTLHY-UHFFFAOYSA-N triethoxy(2-triethoxysilylethyl)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CC[Si](OCC)(OCC)OCC IZRJPHXTEXTLHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- NRYWFNLVRORSCA-UHFFFAOYSA-N triethoxy(6-triethoxysilylhexyl)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCCCC[Si](OCC)(OCC)OCC NRYWFNLVRORSCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- FZMJEGJVKFTGMU-UHFFFAOYSA-N triethoxy(octadecyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC[Si](OCC)(OCC)OCC FZMJEGJVKFTGMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- UMFJXASDGBJDEB-UHFFFAOYSA-N triethoxy(prop-2-enyl)silane Chemical compound CCO[Si](CC=C)(OCC)OCC UMFJXASDGBJDEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- NBXZNTLFQLUFES-UHFFFAOYSA-N triethoxy(propyl)silane Chemical compound CCC[Si](OCC)(OCC)OCC NBXZNTLFQLUFES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- QALDFNLNVLQDSP-UHFFFAOYSA-N triethoxy-(2,3,4,5,6-pentafluorophenyl)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C1=C(F)C(F)=C(F)C(F)=C1F QALDFNLNVLQDSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- JXUKBNICSRJFAP-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCOCC1CO1 JXUKBNICSRJFAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- JVAFDQZZUMUFSM-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[5,5,6,6,7,7,7-heptafluoro-4,4-bis(trifluoromethyl)heptyl]silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCC(C(F)(F)F)(C(F)(F)F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F JVAFDQZZUMUFSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- NKLYMYLJOXIVFB-UHFFFAOYSA-N triethoxymethylsilane Chemical compound CCOC([SiH3])(OCC)OCC NKLYMYLJOXIVFB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- UZIAQVMNAXPCJQ-UHFFFAOYSA-N triethoxysilylmethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)COC(=O)C(C)=C UZIAQVMNAXPCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- NMEPHPOFYLLFTK-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(octyl)silane Chemical compound CCCCCCCC[Si](OC)(OC)OC NMEPHPOFYLLFTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- LFRDHGNFBLIJIY-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(prop-2-enyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CC=C LFRDHGNFBLIJIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- HQYALQRYBUJWDH-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(propyl)silane Chemical compound CCC[Si](OC)(OC)OC HQYALQRYBUJWDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XFFHTZIRHGKTBQ-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-(2,3,4,5,6-pentafluorophenyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1=C(F)C(F)=C(F)C(F)=C1F XFFHTZIRHGKTBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- QYJYJTDXBIYRHH-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[8-(oxiran-2-ylmethoxy)octyl]silane Chemical compound C(C1CO1)OCCCCCCCC[Si](OC)(OC)OC QYJYJTDXBIYRHH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- JMCRETWEZLOFQT-UHFFFAOYSA-M trimethyl(3-triethoxysilylpropyl)azanium;chloride Chemical compound [Cl-].CCO[Si](OCC)(OCC)CCC[N+](C)(C)C JMCRETWEZLOFQT-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- FYZFRYWTMMVDLR-UHFFFAOYSA-M trimethyl(3-trimethoxysilylpropyl)azanium;chloride Chemical compound [Cl-].CO[Si](OC)(OC)CCC[N+](C)(C)C FYZFRYWTMMVDLR-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- GBQYMXVQHATSCC-UHFFFAOYSA-N 3-triethoxysilylpropanenitrile Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCC#N GBQYMXVQHATSCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- OSBPGFIPLLCQMO-UHFFFAOYSA-N chloro-diethyl-propan-2-ylsilane Chemical compound CC[Si](Cl)(CC)C(C)C OSBPGFIPLLCQMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- KQAHMVLQCSALSX-UHFFFAOYSA-N decyl(trimethoxy)silane Chemical compound CCCCCCCCCC[Si](OC)(OC)OC KQAHMVLQCSALSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- MABAWBWRUSBLKQ-UHFFFAOYSA-N ethenyl-tri(propan-2-yloxy)silane Chemical compound CC(C)O[Si](OC(C)C)(OC(C)C)C=C MABAWBWRUSBLKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims description 2
- ILMRJRBKQSSXGY-UHFFFAOYSA-N tert-butyl(dimethyl)silicon Chemical group C[Si](C)C(C)(C)C ILMRJRBKQSSXGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000001029 thermal curing Methods 0.000 claims description 2
- QQQSFSZALRVCSZ-UHFFFAOYSA-N triethoxysilane Chemical compound CCO[SiH](OCC)OCC QQQSFSZALRVCSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- MRYUZFHUXCUPQI-UHFFFAOYSA-N trimethyl(6-trimethylsilylhexyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)CCCCCC[Si](C)(C)C MRYUZFHUXCUPQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 83
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 41
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 35
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 35
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 21
- 230000004580 weight loss Effects 0.000 description 19
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 16
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 12
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 11
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 11
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 10
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 10
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 9
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 8
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 8
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 7
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000004313 glare Effects 0.000 description 7
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 7
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000005358 alkali aluminosilicate glass Substances 0.000 description 6
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 6
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 5
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 4
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 4
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002318 adhesion promoter Substances 0.000 description 3
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- OJVAMHKKJGICOG-UHFFFAOYSA-N 2,5-hexanedione Chemical compound CC(=O)CCC(C)=O OJVAMHKKJGICOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QQZOPKMRPOGIEB-UHFFFAOYSA-N 2-Oxohexane Chemical compound CCCCC(C)=O QQZOPKMRPOGIEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 2
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 2
- 238000000089 atomic force micrograph Methods 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- IDEKNJPMOJJQNQ-UHFFFAOYSA-N dichloro-methyl-(2-phenylethyl)silane Chemical compound C[Si](Cl)(Cl)CCC1=CC=CC=C1 IDEKNJPMOJJQNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MNFGEHQPOWJJBH-UHFFFAOYSA-N diethoxy-methyl-phenylsilane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)C1=CC=CC=C1 MNFGEHQPOWJJBH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CVQVSVBUMVSJES-UHFFFAOYSA-N dimethoxy-methyl-phenylsilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)C1=CC=CC=C1 CVQVSVBUMVSJES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 239000005360 phosphosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N potassium nitrate Chemical compound [K+].[O-][N+]([O-])=O FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004071 soot Substances 0.000 description 2
- 238000007655 standard test method Methods 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- UBOXGVDOUJQMTN-UHFFFAOYSA-N trichloroethylene Natural products ClCC(Cl)Cl UBOXGVDOUJQMTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- FKNQFGJONOIPTF-UHFFFAOYSA-N Sodium cation Chemical compound [Na+] FKNQFGJONOIPTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N Trichloroethylene Chemical group ClC=C(Cl)Cl XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005411 Van der Waals force Methods 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 229910001413 alkali metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000287 alkaline earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005407 aluminoborosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000004630 atomic force microscopy Methods 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000004397 blinking Effects 0.000 description 1
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- MXOSTENCGSDMRE-UHFFFAOYSA-N butyl-chloro-dimethylsilane Chemical compound CCCC[Si](C)(C)Cl MXOSTENCGSDMRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000003426 chemical strengthening reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- NEHMKBQYUWJMIP-NJFSPNSNSA-N chloro(114C)methane Chemical compound [14CH3]Cl NEHMKBQYUWJMIP-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- OCIDTPKJLONLEN-UHFFFAOYSA-N chloro-dimethyl-[3-(2,3,4,5,6-pentafluorophenyl)propyl]silane Chemical compound C[Si](C)(Cl)CCCC1=C(F)C(F)=C(F)C(F)=C1F OCIDTPKJLONLEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AVDUEHWPPXIAEB-UHFFFAOYSA-N chloro-ethyl-dimethylsilane Chemical compound CC[Si](C)(C)Cl AVDUEHWPPXIAEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013068 control sample Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000001548 drop coating Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 125000003709 fluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical group FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004811 fluoropolymer Substances 0.000 description 1
- 239000006112 glass ceramic composition Substances 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 238000010191 image analysis Methods 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- NQXWGWZJXJUMQB-UHFFFAOYSA-K iron trichloride hexahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.O.[Cl-].Cl[Fe+]Cl NQXWGWZJXJUMQB-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- BAXHQTUUOKMMGV-UHFFFAOYSA-N methoxy-dimethyl-octylsilane Chemical compound CCCCCCCC[Si](C)(C)OC BAXHQTUUOKMMGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 230000008520 organization Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- XAEFZNCEHLXOMS-UHFFFAOYSA-M potassium benzoate Chemical compound [K+].[O-]C(=O)C1=CC=CC=C1 XAEFZNCEHLXOMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000004323 potassium nitrate Substances 0.000 description 1
- 235000010333 potassium nitrate Nutrition 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000003847 radiation curing Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000002094 self assembled monolayer Substances 0.000 description 1
- 239000013545 self-assembled monolayer Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 229910001415 sodium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N sodium oxide Chemical compound [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001948 sodium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- ICJGKYTXBRDUMV-UHFFFAOYSA-N trichloro(6-trichlorosilylhexyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)CCCCCC[Si](Cl)(Cl)Cl ICJGKYTXBRDUMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYGYKEULCAINCL-UHFFFAOYSA-N triethoxy(hexadecyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC[Si](OCC)(OCC)OCC OYGYKEULCAINCL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UKRDPEFKFJNXQM-UHFFFAOYSA-N vinylsilane Chemical compound [SiH3]C=C UKRDPEFKFJNXQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C15/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by etching
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/28—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with organic material
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K5/00—Casings, cabinets or drawers for electric apparatus
- H05K5/0017—Casings, cabinets or drawers for electric apparatus with operator interface units
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K5/00—Casings, cabinets or drawers for electric apparatus
- H05K5/02—Details
- H05K5/0217—Mechanical details of casings
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K5/00—Casings, cabinets or drawers for electric apparatus
- H05K5/02—Details
- H05K5/03—Covers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2218/00—Methods for coating glass
- C03C2218/30—Aspects of methods for coating glass not covered above
- C03C2218/32—After-treatment
- C03C2218/328—Partly or completely removing a coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2218/00—Methods for coating glass
- C03C2218/30—Aspects of methods for coating glass not covered above
- C03C2218/34—Masking
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2218/00—Methods for coating glass
- C03C2218/30—Aspects of methods for coating glass not covered above
- C03C2218/355—Temporary coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2218/00—Methods for coating glass
- C03C2218/30—Aspects of methods for coating glass not covered above
- C03C2218/365—Coating different sides of a glass substrate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
Abstract
本文描述了一种制造纹理化的玻璃制品的方法,其中,所述方法包括:提供玻璃基材,所述玻璃基材具有初始主表面和相背的主表面;在初始主表面或相背的主表面中的至少一者上设置保护性涂层;以及用pH小于或等于约7的无氢氟酸的蚀刻剂蚀刻玻璃基材以在玻璃基材中形成沥滤层。
Description
优先权请求
本申请根据35 U.S.C.§119,要求2019年6月28日提交的第62/868,307号美国临时申请的优先权权益,其内容通过引用全文纳入本文。
技术领域
本公开一般涉及纹理化的玻璃制品及其制造方法,尤其涉及生产基本上透明、低闪光的纹理化玻璃制品的无氢氟酸的方法。
背景技术
防眩光表面常用于显示装置,例如LCD屏幕、OLED和触摸屏以避免或减少环境光的镜面反射。在许多显示装置中,这些防眩光表面通过向玻璃的一个或多个表面提供一定的粗糙度水平以传播和散射入射光来形成。粗糙化玻璃表面形式的防眩光表面常用在这些显示装置的前表面上,以减少显示器外反射的明显可见性并提高显示器在不同照明条件下的可读性。在一些显示装置应用(尤其是触摸屏)中还采用这些粗糙化表面来改进触感。
显示器“闪光”或“目眩”是在将防眩光或光散射表面并入到显示系统中时可发生的现象。闪光与极细的粒状外观相关,随着显示器的观看角改变,该极细的晶粒外观看上去具有颗粒图案的变化。当通过防眩光表面观看像素化显示器(例如LCD)时,观察到这种闪光。随着显示装置的分辨率不断增加,尤其是对于手持式电子装置,这些装置中所采用的像素阵列的像素间距不断减小,这加剧了不期望的闪光效应。
用于制造纹理化的玻璃表面的常规方法受到采用侵蚀性酸(例如氢氟酸)的处理的困扰,这些酸被认为是环境不友好的并且在制造中的使用成本高。更进一步,对玻璃进行纹理化以实现粗糙化防眩光表面的常规方法得到相对较大的特征,这可限制这些表面在最大程度地减少闪光方面的有效性。另外,建立防眩光表面的其他常规方法使用附加涂层,其可增加制造成本并产生不期望的光学效应。
鉴于这些考虑因素,需要具有更小特征的纹理化的玻璃制品及其制造方法,尤其是生产基本上透明、低闪光的纹理化玻璃制品的无氢氟酸的方法。
发明内容
在一些实施方式中,一种制造纹理化的玻璃制品的方法包括:提供玻璃基材,所述玻璃基材具有初始主表面和相背的主表面;在初始主表面或相背的主表面中的至少一者上设置保护性涂层;以及用pH小于或等于约7的无氢氟酸的蚀刻剂蚀刻玻璃基材以在玻璃基材中形成沥滤层。
在可与任何其他方面或实施方式组合的一个方面中,设置的步骤包括:在初始主表面上沉积图案化的保护性涂层。
在可与任何其他方面或实施方式组合的一个方面中,设置的步骤还包括:在相背的主表面上沉积保护性覆盖涂层。
在可与任何其他方面或实施方式组合的一个方面中,保护性涂层包括:附着力促进组分以及耐热和/或耐酸屏蔽组分的掺混物。
在可与任何其他方面或实施方式组合的一个方面中,附着力促进组分包括以下中的至少一种:丙烯酰氧基烷基硅烷、烷基硅烷、氨基烷基硅烷、芳基硅烷、芳烷基硅烷、氟烷基硅烷、氟芳基硅烷、缩水甘油氧基烷基硅烷、烯基硅烷或它们的组合。
在可与任何其他方面或实施方式组合的一个方面中,丙烯酰氧基烷基硅烷选自下组:丙烯酸3-(三甲氧基甲硅烷基)丙酯,甲基丙烯酸3-(氯二甲基甲硅烷基)丙酯,甲基丙烯酸3-[二乙氧基(甲基)甲硅烷基]丙酯,丙烯酸3-[二甲氧基(甲基)甲硅烷基]丙酯,甲基丙烯酸3-(三甲氧基甲硅烷基)丙酯,甲基丙烯酸3-[三(三甲基甲硅烷基氧基)甲硅烷基]丙酯,甲基丙烯酸3-[二甲氧基(甲基)甲硅烷基]丙酯,丙烯酸3-(甲氧基二甲基甲硅烷基)丙酯,甲基丙烯酸3-(三乙氧基甲硅烷基)丙酯,丙烯酸3-(三烯丙基甲硅烷基)丙酯,甲基丙烯酸3-(三烯丙基甲硅烷基)丙酯,甲基丙烯酸(三乙氧基甲硅烷基)甲酯;烷基硅烷选自下组:戊基三氯硅烷,丁基三氯硅烷、叔丁基二甲基氯硅烷[叔丁基二甲基甲硅烷基化试剂],丁基氯二甲基硅烷,1,2-双(三乙氧基甲硅烷基)乙烷,丁基三乙氧基硅烷,1,6-双(三氯甲硅烷基)己烷,1,6-双(三乙氧基甲硅烷基)己烷,氯三甲基硅烷,环己基三氯硅烷,氯(癸基)二甲基硅烷,氯(十二烷基)二甲基硅烷,环己基三甲氧基硅烷,氯(己基)二甲基硅烷,环戊基三甲氧基硅烷,氯环己基二甲基硅烷,氯(乙基)二甲基硅烷[二甲基乙基甲硅烷基化试剂],癸基三氯硅烷、十二烷基三氯硅烷、十二烷基三乙氧基硅烷,二甲基十八烷基氯硅烷、氯二甲基丙基硅烷[二甲基丙基甲硅烷基化试剂],二甲基异丙基氯硅烷[二甲基异丙基甲硅烷基化试剂]、二甲基-正辛基氯硅烷、氯二乙基异丙基硅烷,十二烷基三甲氧基硅烷,癸基三乙氧基硅烷,二氯(甲基)丙基硅烷,二甲氧基(甲基)-正辛基硅烷,乙基三氯硅烷、三乙氧基乙基硅烷,乙基三甲氧基硅烷,三氯己基硅烷,己基三甲氧基硅烷,己基三乙氧基硅烷,十六烷基三甲氧基硅烷,1,1,1,3,5,5,5-七甲基-3-[(三甲基甲硅烷基)氧基]三硅氧烷,十六烷基三乙氧基硅烷,异丁基三氯硅烷、三氯(甲基)硅烷,三乙氧基甲基硅烷,三甲氧基(甲基)硅烷,甲氧基(二甲基)十八烷基硅烷,三氯十八烷基硅烷,十八烷基三乙氧基硅烷,正辛基三氯硅烷、三乙氧基-正辛基硅烷,十八烷基三甲氧基硅烷,三氯(丙基)硅烷,氯三乙基硅烷,三异丙基甲硅烷基氯化物、三甲氧基(丙基)硅烷,氯(二甲基)己基硅烷,己基三氯硅烷、三乙氧基(丙基)硅烷,三甲氧基-正辛基硅烷,三氯(十六烷基)硅烷,三乙氧基(异丁基)硅烷,三氯十八烷基硅烷;所述氨基烷基硅烷选自下组:3-氨基丙基三乙氧基硅烷,3-(2-氨基乙基氨基)丙基三甲氧基硅烷,3-(2-氨基乙基氨基)丙基二甲氧基甲基硅烷,3-(2-氨基乙基氨基)丙基三乙氧基硅烷,3-氨基丙基二甲氧基甲基硅烷,[3-(6-氨基己基氨基)丙基]三甲氧基硅烷,双[3-(三甲氧基甲硅烷基)丙基]胺,3-氨基丙基二乙氧基甲基硅烷,[3-(N,N-二甲基氨基)丙基]三甲氧基硅烷,三甲氧基[3-(苯基氨基)丙基]硅烷,3-氨基丙基三甲氧基硅烷,三甲基[3-(三乙氧基甲硅烷基)丙基]氯化铵,三甲基[3-(三甲氧基甲硅烷基)丙基]氯化铵(约50%在甲醇中),三甲氧基[3-(甲基氨基)丙基]硅烷,N-[3-(三甲氧基甲硅烷基)丙基]丁-1-胺;芳基硅烷和芳基烷基硅烷选自下组:苄基氯二甲基硅烷,苄基三乙氧基硅烷,氯二甲基(3-苯基丙基)硅烷,氯二甲基苯基硅烷,二甲氧基甲基苯基硅烷,二乙氧基(甲基)苯基硅烷,二氯(甲基)(2-苯基乙基)硅烷;所述氟烷基硅烷和氟芳基硅烷选自下组:氯二甲基(3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-十三氟正辛基)硅烷,氯二甲基[3-(2,3,4,5,6-五氟苯基)丙基]硅烷,氯(3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10-十七氟癸基)二甲基硅烷,二氯(甲基)(3,3,3-三氟丙基)硅烷,二甲氧基(甲基)(3,3,3-三氟丙基)硅烷,五氟苯基二甲基氯硅烷[五氟苯基二甲基甲硅烷化试剂],五氟苯基乙氧基二甲基硅烷,三乙氧基-1H,1H,2H,2H-十三氟正辛基硅烷,三氯(1H,1H,2H,2H-十三氟正辛基)硅烷,三氯(1H,1H,2H,2H-十七氟癸基)硅烷,三甲氧基(3,3,3-三氟丙基)硅烷,三乙氧基(1H,1H,2H,2H-九氟己基)硅烷,三乙氧基-1H,1H,2H,2H-十七氟癸基硅烷,三甲氧基(1H,1H,2H,2H-十七氟癸基)硅烷,三甲氧基(1H,1H,2H,2H-九氟己基)硅烷,三氯[3-(五氟苯基)丙基]硅烷,三乙氧基(五氟苯基)硅烷,三乙氧基[5,5,6,6,7,7,7-七氟-4,4-双(三氟甲基)庚基]硅烷,三甲氧基(五氟苯基)硅烷,三氯(3,3,3-三氟丙基)硅烷,三甲氧基(1H,1H,2H,2H-十三氟正辛基)硅烷;缩水甘油氧基烷基硅烷选自下组:二乙氧基(3-缩水甘油氧基丙基)甲基硅烷,3-缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷,3-缩水甘油氧基丙基(二甲氧基)甲基硅烷,[8-(缩水甘油氧基)-正辛基]三甲氧基硅烷,三乙氧基(3-缩水甘油氧基丙基)硅烷;并且烯基硅烷选自下组:烯丙基三乙氧基硅烷,烯丙基氯二甲基硅烷,烯丙基三甲氧基硅烷,[双环[2.2.1]庚-5-烯-2-基]三乙氧基硅烷(异构体混合物),氯二甲基乙烯基硅烷,二乙氧基甲基乙烯基硅烷,二甲氧基甲基乙烯基硅烷,1,1,1,5,5,5-六甲基-3-[(三甲基甲硅烷基)氧基]-3-乙烯基三硅氧烷,三氯乙烯基硅烷,三异丙氧基(乙烯基)硅烷,乙烯基三甲氧基硅烷,三乙氧基乙烯基硅烷,二甲基乙氧基乙烯基硅烷,乙烯基三(2-甲氧基乙氧基)硅烷等),(11-叠氮基十一烷基)三甲氧基硅烷,(溴甲基)氯二甲基硅烷,(11-溴十一烷基)三氯硅烷,氯(氯甲基)二甲基硅烷,3-三甲氧基甲硅烷基丙基氯化物,3-氯丙基三氯硅烷,3-氯丙基二甲氧基甲基硅烷,(3-氰基丙基)二甲基氯硅烷,2-氰基乙基三乙氧基硅烷,(氯甲基)三乙氧基硅烷,(氯甲基)三甲氧基硅烷,(3-氯丙基)二乙氧基(甲基)硅烷,氯(3-氯丙基)二甲基硅烷,2-(3,4-环氧基环己基)乙基三甲氧基硅烷,三[3-(三甲氧基甲硅烷基)丙基]异氰脲酸酯,(3-碘丙基)三甲氧基硅烷,(3-巯基丙基)三甲氧基硅烷,3-巯基丙基(二甲氧基)甲基硅烷,(3-巯基丙基)三乙氧基硅烷,2-丙炔基[3-(三乙氧基甲硅烷基)丙基]氨基甲酸酯,3-氯丙基三乙氧基硅烷,1-[3-(三甲氧基甲硅烷基)丙基]脲,(3-异氰酸基丙基)三甲氧基硅烷,[(3-三乙氧基甲硅烷基)丙基]琥珀酐,3-(三氯甲硅烷基)丙基2-溴-2-甲基丙酸酯,3-(三甲氧基甲硅烷基)丙基2-溴-2-甲基丙酸酯,3-(三乙氧基甲硅烷基)丙基2-溴-2-甲基丙酸酯,1-[3-(三乙氧基甲硅烷基)丙基]脲,N-[2-(N-乙烯基苄氨基)乙基]-3-氨基丙基三甲氧基硅烷盐酸盐,三甲基甲硅烷氧基硅酸盐。
在可与任何其他方面或实施方式组合的一个方面中,耐热和/或耐酸屏蔽组分包括以下中的至少一种:聚苯乙烯(PS)、聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、聚氯乙烯(PVC)、聚酰胺、聚四氟乙烯、热塑性聚氨酯(TPU)、聚氯三氟乙烯(PCTFE)、酚醛树脂、对芳族聚酰胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚氯丁二烯、间-芳族聚酰胺聚合物、聚丙烯腈(PAN)、共聚酰胺、聚酰亚胺、芳族聚酯、聚对苯撑-2,6-苯并二噁唑(PBO)、乙烯和三氟氯乙烯的共聚物(ECTFE)、聚偏二氟乙烯(PVDF)、氯化聚氯乙烯(CPVC)、聚二环戊二烯(PDCPD)、聚(1,3,4-噁二唑)、聚喹喔啉、聚喹啉、含六氟亚异丙基(HFIP)的聚合物、含六氟异丙氧基(HFIP-O)基团的聚合物、乙酸纤维素、乙酸丁酸纤维素、或其单体。
在可与任何其他方面或实施方式组合的一个方面中,设置的步骤包括:将附着力促进组分以及耐热和/或耐酸屏蔽组分溶解在有机溶剂中以形成掺混物;通过下述中的至少一者将所述掺混物设置在初始主表面或相背的主表面中的至少一者上:旋涂、喷涂、丝网印刷、喷墨印刷、狭缝模头涂覆、下拉涂覆或浸涂,由此形成保护性涂层;以及通过溶剂蒸发、热固化或照射来固化保护性涂层。
在可与任何其他方面或实施方式组合的一个方面中,蚀刻步骤包括:在40℃至120℃的温度下,用包含氢氯酸(HCl)、柠檬酸、氯化铁(III)六水合物、氢氟酸(HF)、乙酸、硫酸(H2SO4)或硝酸(HNO3)中的至少一种的蚀刻剂蚀刻玻璃基材30分钟至3小时的时间。
在可与任何其他方面或实施方式组合的一个方面中,蚀刻步骤还包括:移除过量的蚀刻剂和沥滤的基材成分。
在可与任何其他方面或实施方式组合的一个方面中,蚀刻步骤包括:第一蚀刻步骤,其形成具有第一沥滤层的过渡性纹理化的玻璃基材,所述沥滤层具有平台化的顶表面;以及第二蚀刻步骤,其形成二级纹理化的玻璃基材,其具有第二沥滤层并且具有多个暴露特征,其中,所述多个暴露特征具有第一平均特征尺寸和第一平均粗糙度。
在可与任何其他方面或实施方式组合的一个方面中,所述多个暴露特征包括多个峰和谷;第一平均特征尺寸是相邻峰之间的距离,该距离在小于约10μm的范围内;并且第一平均粗糙度是峰到谷的距离,该距离在1nm至1000nm的范围内。
在可与任何其他方面或实施方式组合的一个方面中,所述方法还包括:移除保护性涂层和第二沥滤层以形成具有第二平均特征尺寸和第二平均粗糙度的纹理化的玻璃制品,其中,第二平均特征尺寸和第二平均粗糙度基本上等于第一平均特征尺寸和第一平均粗糙度。
在可与任何其他方面或实施方式组合的一个方面中,所述方法还包括:移除保护性涂层和沥滤层以形成具有平均特征尺寸和平均粗糙度的纹理化的玻璃制品。
在可与任何其他方面或实施方式组合的一个面中,所述纹理化的玻璃制品包含2%或更小的闪光。
在一些实施方式中,一种制造纹理化的玻璃制品的方法包括:提供玻璃基材,所述玻璃基材具有初始主表面和相背的主表面;在所述初始主表面或相背的主表面中的至少一者上设置保护性涂层;进行第一蚀刻步骤,以形成过渡性纹理化的玻璃基材,其具有第一沥滤层并且具有平台化的顶表面;以及进行第二蚀刻步骤,以形成二级纹理化的玻璃基材,其具有第二沥滤层并且具有多个暴露特征,其中,所述多个暴露特征具有第一平均特征尺寸和第一平均粗糙度。
在可与任何其他方面或实施方式组合的一个方面中,所述多个暴露特征包括多个峰和谷;第一平均特征尺寸是相邻峰之间的距离,该距离在小于约10μm的范围内;并且第一平均粗糙度是峰到谷的距离,该距离在1nm至1000nm的范围内。
在可与任何其他方面或实施方式组合的一个方面中,所述方法还包括:移除保护性涂层和第二沥滤层以形成具有第二平均特征尺寸和第二平均粗糙度的纹理化的玻璃制品,其中,第二平均特征尺寸和第二平均粗糙度基本上等于第一平均特征尺寸和第一平均粗糙度。
在可与任何其他方面或实施方式组合的一个方面中,一种消费电子产品包括:具有前表面、后表面和侧表面的壳体;至少部分位于所述壳体内的电学部件,所述电学部件至少包括控制器、存储器和显示器,所述显示器位于所述壳体的前表面处或者毗邻所述壳体的前表面;以及设置在所述显示器上方的盖板玻璃,其中,所述壳体的一部分或者所述盖板玻璃中的至少一者通过本文所述的方法形成。
在以下的具体实施方式中给出了其他特征和优点,这些特征和优点对本领域的技术人员而言,根据所作描述就容易看出,或者通过实施包括以下具体实施方式、权利要求书以及附图在内的本文所述的各个实施方式而被认识。
应当理解的是,前面的一般性描述和以下的详细描述都只是示例性的,且旨在提供理解要求保护的本发明的性质和特性的总体评述或框架。
包括的附图提供了对本公开原理的进一步理解,附图并入本说明书中并构成说明书的一部分。附图例示了一个或多个实施方式,并与说明书一起通过示例的方式用以解释本公开的原理和操作。应理解,在本说明书和附图中公开的本公开的各种特征可以任意组合和所有组合使用。作为非限制性实例,本公开的各个特征可以按照以下各个方面相互组合。
附图说明
参照附图阅读本公开的以下详述,可以更好地理解本公开的这些方面、特征和优点以及其他的方面、特征和优点,其中:
图1A和1B是根据一些实施方式所述的纹理化的玻璃制品的截面示意图,所述纹理化的玻璃制品包括:具有某种纹理化区域组合物的纹理化区域,该纹理化区域组合物包括比本体组合物中的二氧化硅更高量的二氧化硅(图1A);以及具有某种纹理化区域组合物的纹理化区域,该纹理化区域包括与本体组合物中包含的二氧化硅基本上相同量的二氧化硅(图1B)。
图2A至2C是根据一些实施方式,例示了用约40-80摩尔%的二氧化硅(图2A),小于40摩尔%的二氧化硅(图2B)和大于80摩尔%的二氧化硅(图2C)沥滤含二氧化硅的多组分玻璃基材的效果的示意图表。
图3A和3B是根据一些实施方式,描绘了使用双涂覆(图3A)和单涂覆(图3B)玻璃基材来制造纹理化的玻璃制品的方法的流程图。
图4例示了在用20重量%柠檬酸和1M FeCl3·6H2O蚀刻后,具有各种聚苯乙烯/三甲基甲硅烷氧基硅酸盐比值的保护性涂层的单侧雾度。
图5例示了在用20重量%柠檬酸和1M FeCl3·6H2O蚀刻后,具有各种聚苯乙烯/三甲基甲硅烷氧基硅酸盐比值的双侧和单侧纹理化的玻璃的玻璃重量损失比较。
图6例示了具有涂层保护的玻璃的单侧(SS)雾度和未经保护的玻璃的双侧(DS)雾度。
图7A是通过非HF过程蚀刻后,玻璃A的受保护表面的原子力显微镜(AFM)图像。
图7B是通过非HF过程蚀刻后,玻璃A的未经保护的表面的AFM图像。
图8A是在湿法蚀刻过程之前,经涂覆的表面的接触角。
图8B是在湿法蚀刻过程之后,经涂覆的表面的接触角。
图9例示了在用10重量%HCl和1M FeCl3·6H2O蚀刻后,在不同旋转速度(涂层厚度)下的双侧和单侧纹理化的玻璃的玻璃雾度%的比较(左)和玻璃重量损失比较(右)。
图10例示了在20重量%柠檬酸和1M FeCl3·6H2O中蚀刻125分钟后,样品A(左)、样品B(中)和样品C(右)的图像。
图11A是包含本文公开的任何制品的示例性电子装置的平面图。
图11B是图11A的示例性电子装置的透视图。
具体实施方式
在以下的详述中,出于解释而非限制的目的,给出了说明具体细节的示例性实施方式,以提供对本公开的各种原理的充分理解。但是,对于本领域普通技术人员显而易见的是,在从本说明书获益后,可以按照不同于本文所述具体细节的其他实施方式实施本公开。另外,本文可能省去对众所周知的装置、方法和材料的描述,以免干扰对本公开的各种原理的描述。最后,在任何适用的情况下,相同的附图标记表示相同的元件。
本文中,范围可以表示为从“约”一个具体值开始和/或至“约”另一个具体值终止。表述这样的范围时,另一种实施方式包括自所述一个具体值始和/或至所述另一具体值止。类似地,用先行词“约”将数值表示为近似值时,应理解该具体值构成另一个实施方式。还应理解的是,每个范围的端点值在与另一个端点值相结合以及独立于另一个端点值的情况下都是有意义的。
本文所用的方向术语,例如上、下、右、左、前、后、顶、底,仅仅是参照绘制的附图而言,并不用来表示绝对的取向。
除非另有表述,否则都不旨在将本文所述的任意方法理解为需要使其步骤以具体顺序进行。因此,在任何方面,当方法权利要求实际上没有陈述其步骤应遵循的顺序时,或者当权利要求或描述中没有另外具体说明所述步骤应限于特定顺序时,不应推断出任何特定顺序。这适用于解释上的任何可能的非表达性基础,包括:涉及步骤或操作流程的安排的逻辑问题;由语法组织或标点派生的明显含义问题;说明书中描述的实施方式的数量或类型问题。
除非上下文另外清楚地说明,否则,本文所用的单数形式的“一个”、“一种”以及“该/所述”包括复数指代。因此,例如,提到的一种“组件”包括具有两种或更多种这类组件的方面,除非文本中有另外的明确表示。
在一些实施方案中,粗糙度可以广义地定义为峰到谷距离的一半。
本公开的方面一般地涉及纹理化的玻璃制品,尤其是具有低闪光的透明纹理化的玻璃制品。本公开的方面包括制造这些制品的方法,特别是利用无氢氟酸的过程。更一般而言,本公开的制备纹理化的制品的方法在多组分玻璃基材上产生具有小于5微米的特征的细纹理化表面,该多组分玻璃基材具有包含可知量的二氧化硅以及一种或中附加组分的组成。一般来说,玻璃基材的不均一的性质允许用一种或多种无氢氟酸的蚀刻剂对基材进行选择性蚀刻,从而留下可用作纹理化的玻璃制品的纹理化区域的富二氧化硅多孔层。可采用附加的过程步骤来移除富二氧化硅的多孔层,从而留下组成与纹理化的玻璃制品的基材的本体组成相当的纹理化表面。
参考图1,纹理化的玻璃制品100a显示为包括玻璃基材10,所述玻璃基材10具有多个主表面12a和14、厚度13以及在厚度13的大致中点13a处的本体组合物。在一些实施方式中,本体组合物包含约40摩尔%至80摩尔%的二氧化硅。玻璃制品100a还包括纹理化区域30a,其具有含至少40摩尔%二氧化硅的组合物。在一些实施方式中,纹理化区域30a由基材10或基材10的部分形成,如图1A所示。在这样的实施方式中,纹理化区域30a被限定在主表面12a与基材10内的纹理化区域界面34a之间。在另一些实施方式(未示出)中,纹理化区域30a存在于基材10的上方,并且界面34a位于纹理化区域30a与基材10之间。
如图1A一般性示出的,纹理化区域30a包括在其主表面12a上的多个暴露特征,其具有平均特征尺寸36a和平均粗糙度38a。根据制品100a的一些实施方案,纹理化区域30a的暴露特征(包括其平均特征尺寸36a和平均粗糙度38a)被构造成当制品用于显示装置时,降低与制品相关的眩光水平。平均特征尺寸36a通过与纹理化区域30a相关的采样特征的最大尺寸的平均值给出,其根据本公开领域的普通技术人员理解的分析技术来测量,例如,通过在200倍放大倍数下用原子力显微镜拍摄主表面12a的图像,并且测量采样的至少十(10)个特征的最大尺寸来进行。因此,术语“平均特征尺寸”和“平均最大尺寸”在本公开中可互换使用。在一些实施方式中,所述多个特征中的至少一些特征具有峰和谷。暴露特征的“最大尺寸”是从特征的峰的一部分到特征的峰的另一部分的最大距离。在实施方式中,与制品100a的纹理化区域30a相关的平均特征尺寸36a小于约10微米。根据一些实施方式,与纹理化区域30a相关的平均特征尺寸36a小于约5微米,小于约1微米,或者在一些情况中小于约0.5微米。此外,平均特征尺寸36a可小于约10微米、9微米、8微米、7微米、6微米、5微米、4微米、3微米、2微米、1微米、0.9微米、0.8微米、0.7微米、0.6微米、0.5微米、0.4微米、0.3微米、0.2微米、0.1微米,以及这些上限之间的所有数值。
再次参考图1A所示的与纹理化的制品100a相关的纹理化区域30a,平均粗糙度38a可使用干涉仪以及采用200微米×200微米的样品面积,作为表面粗糙度Ra来测量。使用的干涉仪是由公司制造的/>NEWVIEWTM 7300光学表面轮廓仪。表面粗糙度以平均表面粗糙度来报告。在实施方式中,制品100a可采用平均粗糙度38a为约10纳米至约500纳米(Ra)的纹理化区域30a。根据一些实施方案,与纹理化区域30a相关的平均粗糙度38a为约10纳米至约500纳米(Ra),约20纳米至约400纳米(Ra),约30纳米至约300纳米(Ra),以及这些表面粗糙度水平之间的所有数值。进一步地,在纹理化的玻璃制品100a的一些实施方案中,纹理化区域30a拥有的平均粗糙度38a为约0.1纳米至约300纳米(Ra),以及这些表面粗糙度水平之间的所有数值。
当玻璃制品的纹理化区域具有相对较低的空间频率时,与其暴露特征相关的粗糙度可开始像多个透镜那样产生称为“闪光”的图像伪像。显示器“闪光”或“目眩”是在将防眩光或光散射表面引入到像素化显示系统(例如,LCD、OLED、触摸屏等)中时可能发生的一般不期望的副作用,并且显示器“闪光”或“目眩”在类型和起源上与在投影或激光系统中已经观察和表征的“闪光”或“散斑”的类型不同。闪光与显示器极细的粒状外观相关,随着显示器的观看角改变,该极细的晶粒外观看上去具有颗粒图案的变化。显示器闪光可以在近似像素级尺寸标度下表现为亮的和暗的或有色的斑点。
如本文中所使用的术语“像素功率偏差”和“PPD”是指显示器闪光的定量量度。进一步地,如本文中所使用的,术语“闪光”与“像素功率偏差”和“PPD”可互换使用。根据以下程序,通过显示像素的图像分析来计算PPD。围绕每个LCD像素绘制网格。然后根据CCD相机数据计算每个网格中的总功率,并将其指定为每个像素的总功率。每个LCD像素的总功率因此变为数组,可以计算其平均数和标准偏差。PPD值定义为每个像素的总功率除以每个像素的平均功率的标准偏差(乘以100)。测量通过眼睛模拟相机从每个LCD像素收集的总功率,并且计算测量区域(通常包括约30×30LCD像素)的总像素功率的标准偏差(PPD)。
用于获得PPD值的测量系统和图像处理计算的详细内容见述于题为“Apparatusand Method for Determining Sparkle”(用于确定闪光的设备和方法)的第9,411,180号美国专利,与PPD测量相关的内容通过引用全部纳入本文。PPD测量系统包括:包括多个像素的像素化源,其中,所述多个像素中的每个像素具有参考索引i和j;以及成像系统,其在光学上沿着源自像素化源的光路设置。所述成像系统包括:成像装置,其沿着光路设置并且具有像素化敏感区域,所述像素化敏感区域包括第二多个像素,其中,所述第二多个像素中的每个像素以索引m和n来参考;和设置在像素化源与成像装置之间的光路上的光圈,其中,所述光圈具有针对源自像素化源的图像的可调的收集角。图像处理计算包括:获取透明样品的像素化图像,所述像素化图像包括多个像素;确定像素化图像中的相邻像素之间的边界;在边界内积分以获得像素化图像中的每个源像素的积分能量;以及计算每个源像素的积分能量的标准偏差,其中,标准偏差是每个像素色散的功率。如本文中所使用的,所有“PPD”和“闪光”的数值、属性和极限是利用某种测试设置来计算和评估的,并且该测试设置采用像素密度为210像素/英寸(PPI)的显示装置。
如图1A一般性所示,纹理化的玻璃制品100a的纹理化区域30a可被构造成最大程度地减少闪光。在一些实施方式中,纹理化区域30a被构造成在维持适于显示装置应用的减小的眩光功能的同时,最大程度地减少闪光。根据一些实施方式,纹理化的玻璃制品100a的纹理化区域30a被构造成使得制品以2%或更小的闪光为特征。在另一些方面中,本公开的纹理化玻璃制品100a可被构造成闪光为2%或更小,1.5%或更小,1%或更小,0.5%或更小,以及这些上限之间的所有闪光水平。
再次参考图1,纹理化玻璃制品100a的玻璃基材10被构造成具有多组分玻璃组合物,其具有约40摩尔%至80摩尔%的二氧化硅,并且余量为一种或多种其他成分,例如氧化铝、氧化钙、氧化钠、氧化硼等。在一些实施方案中,玻璃基材10的本体组合物选自下组:铝硅酸盐玻璃、硼硅酸盐玻璃和磷硅酸盐玻璃。在另一些实施方案中,玻璃基材10的本体组合物选自下组:铝硅酸盐玻璃、硼硅酸盐玻璃、磷硅酸盐玻璃、钠钙玻璃、碱金属铝硅酸盐玻璃和碱金属铝硼硅酸盐玻璃。在另外的实施方案中,玻璃基材10是玻璃基基材,包括但不限于包含大于或等于约90重量%的玻璃组分和陶瓷组分的玻璃陶瓷材料。
在纹理化的玻璃制品100a的一个实施方式中,玻璃基材10具有包含碱金属铝硅酸盐玻璃的本体组合物,所述碱金属铝硅酸盐玻璃包含氧化铝、至少一种碱金属,并且在一些实施方式中包含大于50摩尔%的SiO2,在其他实施方式中包含至少58摩尔%的SiO2,以及在另一些实施方式中包含至少60摩尔%的SiO2,其中比值(Al2O3(摩尔%)+B2O3(摩尔%))/∑碱金属改性剂(摩尔%)>1,其中,改性剂是碱金属氧化物。在具体的实施方式中,该玻璃包括以下物质,基本上由以下物质组成,或者由以下物质组成:约58摩尔%至约72摩尔%SiO2;约9摩尔%至约17摩尔%Al2O3;约2摩尔%至约12摩尔%B2O3;约8摩尔%至约16摩尔%Na2O;和0摩尔%至约4摩尔%K2O,其中,比值(Al2O3(摩尔%)+B2O3(摩尔%))/∑碱金属改性剂(摩尔%)>1,其中,所述改性剂是碱金属氧化物。
在纹理化的玻璃制品100a的另一个实施方式中,如图1A所示,玻璃基材10具有包含碱金属铝硅酸盐玻璃的本体组合物,所述碱金属铝硅酸盐玻璃包含以下物质,基本上由以下物质组成,或者由以下物质组成:约61摩尔%至约75摩尔%SiO2;约7摩尔%至约15摩尔%Al2O3;0摩尔%至约12摩尔%B2O3;约9摩尔%至约21摩尔%Na2O;0摩尔%至约4摩尔%K2O;0摩尔%至约7摩尔%MgO;和0摩尔%至约3摩尔%CaO。
在另一个实施方式中,玻璃基材10具有包含碱金属铝硅酸盐玻璃的本体组合物,所述碱金属铝硅酸盐玻璃包含以下物质,基本上由以下物质组成,或者由以下物质组成:约60摩尔%至约70摩尔%SiO2;约6摩尔%至约14摩尔%Al2O3;0摩尔%至约15摩尔%B2O3;0摩尔%至约15摩尔%Li2O;0摩尔%至约20摩尔%Na2O;0摩尔%至约10摩尔%K2O;0摩尔%至约8摩尔%MgO;0摩尔%至约10摩尔%CaO;0摩尔%至约5摩尔%ZrO2;0摩尔%至约1摩尔%SnO2;0摩尔%至约1摩尔%CeO2;小于约50ppm As2O3;以及小于约50ppm Sb2O3;其中,12摩尔%≦Li2O+Na2O+K2O≦20摩尔%并且0摩尔%≦MgO+Ca≦10摩尔%。
在另一个实施方式中,玻璃基材10具有包含碱金属铝硅酸盐玻璃的本体组合物,所述碱金属铝硅酸盐玻璃包含以下物质,基本上由以下物质组成,或者由以下物质组成:约64摩尔%至约68摩尔%SiO2;约12摩尔%至约16摩尔%Na2O;约8摩尔%至约12摩尔%Al2O3;0摩尔%至约3摩尔%B2O3;约2摩尔%至约5摩尔%K2O;约4摩尔%至约6摩尔%MgO;和0摩尔%至约5摩尔%CaO,其中:66摩尔%≦SiO2+B2O3+CaO≦69摩尔%;Na2O+K2O+B2O3+MgO+CaO+SrO>10摩尔%;5摩尔%≦MgO+CaO+SrO≦8摩尔%;(Na2O+B2O3)—Al2O3≦2摩尔%;2摩尔%≦Na2O—Al2O3≦6摩尔%;且4摩尔%≦(Na2O+K2O)—Al2O3≦10摩尔%。
在另一些实施方式中,玻璃基材10具有本体组合物,其包含SiO2、Al2O3、P2O5和至少一种碱金属氧化物(R2O),其中0.75>[(P2O5(摩尔%)+R2O(摩尔%))/M2O3(摩尔%)]≦1.2,其中M2O3═Al2O3+B2O3。在一些实施方式中,[(P2O5(摩尔%)+R2O(摩尔%))/M2O3(摩尔%)]=1,并且在一些实施方式中,玻璃不包含B2O3且M2O3=Al2O3。在一些实施方式中,玻璃基材包含:约40至约70摩尔%SiO2;0至约28摩尔%B2O3;约0至约28摩尔%Al2O3;约1至约14摩尔%P2O5;和约12至约16摩尔%R2O。在一些实施方式中,玻璃基材包含:约40至约64摩尔%SiO2;0至约8摩尔%B2O3;约16至约28摩尔%Al2O3;约2至约12摩尔%P2O5;和约12至约16摩尔%R2O。玻璃基材10还可以包含至少一种碱土金属氧化物,例如但不限于MgO或CaO。
在一些实施方式中,玻璃基材10具有基本上不含锂的本体组合物;即,玻璃包含小于1摩尔%的Li2O,在另一些实施方式中,包含小于0.1摩尔%Li2O,在另一些实施方式中,0.01摩尔%Li2O,并且在另一些实施方式中,0摩尔%Li2O。在一些实施方式中,此类玻璃不含砷、锑和钡中的至少一种;即,玻璃包含小于1摩尔%的As2O3、Sb2O3和/或BaO,在另一些实施方式中,包含小于0.1摩尔%的As2O3、Sb2O3和/或BaO,并且在另一些实施方式中,包含0摩尔%的As2O3、Sb2O3和/或BaO。
在纹理化的玻璃制品100a的其他实施方式中,玻璃基材10具有本体组合物,其包含以下玻璃组合物,基本上由以下玻璃组合物组成或者由以下玻璃组合物组成:Eagle/>玻璃,/>玻璃,/> 玻璃2,玻璃3,/>玻璃4或/> 玻璃5。
同样如图1A所示,纹理化的制品100a的纹理化区域30a可由多孔沥滤层40a限定,其范围在玻璃基材10的主表面12a与纹理化区域界面34a之间。在一些实施方式中,多孔沥滤层40a包含比玻璃基材10的本体组合物中的二氧化硅含量更高的二氧化硅量。作为说明目的的一个实例,具有玻璃基材10并且所述玻璃基材10拥有的本体组合物包含约50摩尔%二氧化硅的纹理化玻璃制品100a可以包含纹理化区域30a,其具有含约70摩尔%二氧化硅的多孔沥滤层40a。如下文将更详细阐述的,多孔沥滤层40a可通过对玻璃基材10进行低pH处理来建立。这种处理可优先移除玻璃基材10的非二氧化硅组分,因此留下的多孔沥滤层40a具有比基材10的本体组合物更高的二氧化硅含量。
现在参考图1B,纹理化制品100b显示为包括玻璃基材10,其具有多个主表面12b和14、厚度13以及在厚度13的中点13a处的本体组合物。在一些实施方式中,本体组合物包含约40摩尔%至80摩尔%的二氧化硅。应理解,纹理化的制品100b在功能和属性方面基本上类似于纹理化的玻璃制品100a。进一步地,除非另有说明,否则与图1B所示的纹理化的玻璃制品100b相关的编号相似的元件具有与图1A所示和更早阐述的纹理化的玻璃制品100a相关的相同元件相同或同等的结构和功能。纹理化的玻璃制品100a和100b之间的主要不同之处是纹理化的玻璃制品100a的纹理化区域30a可包括多孔沥滤层40a,如图1A所示,而纹理化的玻璃制品100b的纹理化区域30b的特征基本上不在于与层40a相当的多孔沥滤层。
回到图1B,纹理化的玻璃制品100b包括纹理化区域30b,其具有含至少40摩尔%二氧化硅的组合物。纹理化区域30b由玻璃基材10的主表面12b和纹理化区域界面34b限定。如图1B中以示例性的方式所示,纹理化区域30b的纹理化区域界面34b基本上与玻璃基材10的主表面12b重合,这表明纹理化区域30b在基材10内几乎没有深度。在另一些方面中,基材10的主表面12b位于纹理化区域界面34b的上方,这表明纹理化区域30b在基材10内具有深度,例如,如从主表面12b到纹理化区域界面34b给出的深度所定义的(未示出)。
如图1B一般性示出的,纹理化区域30b包括在其主表面12b上的多个暴露特征,其具有平均特征尺寸36b和平均粗糙度38b。根据纹理化的玻璃制品100a的一些实施方案,纹理化区域30b的暴露特征(包括其平均特征尺寸36b和平均粗糙度38b)被构造成当制品用于显示装置时,降低与制品相关的眩光水平。平均特征尺寸36b通过与纹理化区域30b相关的采样特征的最大尺寸的平均值给出,其根据本公开领域的普通技术人员理解的分析技术来测量,例如,通过在200倍放大倍数下拍摄主表面12a的显微照片,并且测量采样的至少十(10)个特征的最大尺寸来进行。在实施方式中,与制品100b的纹理化区域30b相关的平均特征尺寸36b小于约10微米。根据一些实施方式,与纹理化区域30b相关的平均特征尺寸36b小于约5微米,小于约1微米,或者在一些情况中小于约0.5微米。此外,平均特征尺寸36b可小于约10微米、9微米、8微米、7微米、6微米、5微米、4微米、3微米、2微米、1微米、0.9微米、0.8微米、0.7微米、0.6微米、0.5微米、0.4微米、0.3微米、0.2微米、0.1微米,以及这些上限之间的所有数值。
再次参考图1B所示的与纹理化的制品100b相关的纹理化区域30b,平均粗糙度38b可使用上文关于图1A所述的技术,作为表面粗糙度Ra来测量。在实施方式中,制品100b可采用平均粗糙度38b为约10纳米至约500纳米(Ra)的纹理化区域30b。根据一些实施方案,与纹理化区域30b相关的平均粗糙度38b为约10纳米至约500纳米(Ra),约20纳米至约400纳米(Ra),约30纳米至约300纳米(Ra),以及这些表面粗糙度水平之间的所有数值。进一步地,在纹理化的玻璃制品100b的一些实施方案中,纹理化区域30b拥有的平均粗糙度38b为约0.1纳米至约300纳米(Ra),以及这些表面粗糙度水平之间的所有数值。
根据图1B所示的纹理化的玻璃制品100b的一些实施方式,纹理化区域30b的特征可以是其组成基本上与玻璃基材10的本体组合物相同,特别是就二氧化硅含量而言。如下文将更详细阐述的,纹理化区域30b可通过对玻璃基材10依次进行低pH和高pH处理来建立。低pH处理可优先移除基材10的非二氧化硅组分,因此留下的多孔沥滤层40a具有比基材10的本体组合物更高的二氧化硅含量。然而,随后的高pH处理可被构造用于移除多孔沥滤层,从而留下纹理化区域30b,其具有与玻璃基基材10的本体组合物大致相同的组成,尤其是就二氧化硅含量而言。
本文中所用的术语“透射雾度”和“雾度”是指根据标题为“Standard Test Methodfor Haze and Luminous Transmittance of Transparent Plastics(《透明塑料的雾度和光透射率的标准测试方法》)”的ASTM程序D1003,在约±2.5°的角锥以外散射的透射光的百分数,所述文献的全部内容通过引用纳入本文。对于光学平滑表面,透射雾度通常接近于零。根据纹理化的玻璃制品100a、100b(参见图1A和1B)的实施方案,制品的特征可以在于雾度为25%或更小。在另一些实施方式中,对于具体的应用,与本公开原理一致的纹理化玻璃制品100a、100b可被制造成具有高至100%的雾度水平,具有0%至100%的雾度水平,具有0%至50%的雾度水平,以及这些数值之间的所有雾度水平。例如,纹理化的玻璃制品100a、100b中的期望的雾度水平可通过控制与产生相应的纹理化区域30a、30b相关的蚀刻条件来获得。一般而言,较高的酸浓度和/或较长的蚀刻时间可增加与具体的纹理化的玻璃制品100a、100b相关的雾度的量。
根据另一些实施方式,纹理化的玻璃制品100a、100b的玻璃基材10(参见图1A和1B)可具有可离子交换的玻璃组合物,其通过本领域已知的化学或热手段而得到强化。在一个实施方式中,玻璃基材通过离子交换来进行化学强化。在该过程中,在玻璃基材10的主表面12a、12b(参见图1A和1B)处或附近的金属离子被交换为具有与玻璃基材中的金属离子相同价态的更大的金属离子。所述交换一般通过使玻璃基材10与离子交换介质接触来进行,所述离子交换介质例如含有更大金属离子的熔融盐浴。所述金属离子通常是一价金属离子,例如碱金属离子。在一个非限制性实例中,含有钠离子的玻璃基材10利用离子交换进行的化学强化通过下述实现:将玻璃基材10浸没在包含熔融钾盐,例如硝酸钾(KNO3)等的离子交换浴中。在一个具体的实施方式中,玻璃基材10的表面层中的离子以及更大的离子是一价碱金属阳离子,例如Li+(当玻璃中存在的时候)、Na+、K+、Rb+和Cs+。或者,玻璃基材10的表面层中的一价阳离子可以用除碱金属阳离子以外的一价阳离子,例如Ag+等替换。
在这些实施方式中,在离子交换过程中,小金属离子被更大的金属离子替换在玻璃基材10中形成了处于压缩应力下的压缩应力区域50,其从主表面12a、12b延伸到深度52(参见图1A和1B)(其被称为“层深度”)。玻璃基材的主表面处的这一压缩应力被玻璃基材内部中的拉伸应力(也被称为“中心张力”)平衡。在一些实施方式中,当通过离子交换来强化时,本文所述的玻璃基材10的主表面12a或12b具有至少350MPa的压缩应力,并且处于压缩应力下的区域延伸到在主表面12a或12b下方至少15μm的深度52,即,层深度。
离子交换过程通常这样进行:将玻璃基材10浸没在熔融盐浴中,该熔融盐浴含有将与玻璃中的较小离子进行交换的较大离子。本领域技术人员应理解,离子交换过程的参数包括但不限于浴的组成和温度,浸没时间,玻璃在一种或多种盐浴中的浸没次数,多个盐浴的使用,其他步骤(例如退火、洗涤等),这些参数一般通过玻璃的组成以及由强化操作得到的玻璃的所需的层深度和压缩应力来确定。例如,含碱金属的玻璃的离子交换可以通过浸没在至少一个包含盐的熔融浴中来实现,所述盐例如但不限于所述较大碱金属离子的硝酸盐、硫酸盐和氯化物。熔融盐浴的温度通常在约380℃至高达约450℃的范围内,同时,浸没时间在约15分钟至高达约16小时的范围内。但是,也可以采用与上述不同的温度和浸没时间。当这样的离子交换处理用于具有碱金属铝硅酸盐玻璃组合物的玻璃基材10时,其得到深度52(层深度)为约10μm至高达至少50μm,并且压缩应力为约200MPa至高达约800MPa且中心张力小于约100MPa的压缩应力区域50。
根据一些实施方式,由于可用于产生纹理化区域30a、30b的蚀刻和沥滤过程在一些情况下可从玻璃基材10移除碱金属离子,而这些碱金属离子原本会在离子交换过程期间被较大的碱金属离子替换,因此,优选在纹理化区域30a、30b形成和发展之后,在纹理化的玻璃制品100a、100b中发展压缩应力区域50。在另一些实施方式中,可先在玻璃基材10中发展压缩应力区域50,再使纹理化区域30a、30b发展到深度52,该深度52足以对与低pH处理或者低pH和高pH处理相关的压缩应力区域50中的层深度的一些损失负责,如下文所阐述的。
根据图1A和1B所示的纹理化的玻璃制品100a、100b的另一个实施方案,所术制品还包括设置在纹理化区域30a、30b上方的易清洁(ETC)涂层90。在大多数实施方式中,ETC涂层90沉积在纹理化区域30a、30b上方,以使得其表面形貌大致反映了下方的纹理化区域30a、30b的形貌。在一个实施方式中,纹理化的玻璃制品100a、100b还包括沉积在纹理化区域30a、30b的至少一部分上的基于氟的耐污ETC涂层。在实施方式中,ETC涂层90包括至少一种具有氟封端基团的双疏物质,其向纹理化区域30a、30b提供双疏性(即,疏水和疏油性,或者缺少对油和水的亲和力),因此最大程度地减少表面被水和/或油润湿。ETC涂层90的氟封端基团比具有-OH封端基团的表面的极性更小,因此最大程度地减小了颗粒与液体之间的氢键(即,范德华力)结合。对于指纹上的油以及与指纹相关的碎屑,最大程度地减少了其结合(和粘附)。由此,最大程度地减少了油和碎屑从手指到ETC涂层90的质量传输。在一个实施方式中,ETC涂层90通过在纹理化的玻璃制品100a、100b的纹理化区域30a、30b上的OH端基中的氢与基于氟的部分(例如,含氟单体,例如氟硅烷)交换来形成,由此形成具有末端氟化基团的玻璃。
在另一个实施方式中,纹理化的玻璃制品100a、100b的ETC涂层90包括氟封端的分子链的自组装单层。在另一个实施方式中,ETC涂层90包括含氟聚合物薄涂层,在另一个实施方式中,ETC涂层包括二氧化硅烟炱颗粒,其经过了处理以具有附接于烟炱颗粒的氟碳化合物侧基。通过浸涂、气相涂覆、喷涂、用辊施涂或本领域已知的其他合适方法可以将该ETC涂层90施涂于纹理化的玻璃制品100a、100b的纹理化区域30a、30b。在施涂了ETC涂层90后,可以在约25℃至高达约150℃的温度下“固化”,而在另一个实施方式中,可以在约40℃至高达约100℃的温度下“固化”。固化时间可以为约1至高达约4小时,并且可以在包含40-95%水分的气氛中进行。固化后,可用溶剂清洗具有ETC涂层90的纹理化的玻璃制品100a、100b以移除任何未结合的涂料,并且在使用前进行风干。
现在参考图2A至2C,示意图示出了使用本公开的低pH沥滤过程对含有二氧化硅且二氧化硅水平不同的多组分玻璃基材(例如,与玻璃基材10相当的玻璃基材)的影响。在图2A中,使组成具有约40摩尔%至约80摩尔%二氧化硅的玻璃基材经历低pH沥滤过程,并且移除非二氧化硅组分(在图2A至2C中表示为“其他组分”)。最终结果是,具有纹理化区域,并且该纹理化区域具有比基材的本体组合物更高二氧化硅含量的纹理化的玻璃制品(例如,与图1A所示的纹理化玻璃制品100a相当)。相较之下,图2B和2C代表了在玻璃基材组合物的二氧化硅含量在优选窗口之外的情况下,进行相同的低pH过程的影响。也就是说,图2B的基材具有小于40摩尔%的二氧化硅含量,由于在低pH处理期间移除了非二氧化硅组分,该基材基本上破碎或显著变差。另一方面,图2C中的基材具有大于80摩尔%的二氧化硅含量,该基材的表面与蚀刻之前的基材表面几乎难以区别;结果,在经受低pH处理后,图2C的基材不具有符合本公开原理的纹理化区域。
图3A和3B是根据一些实施方式,描绘了使用双涂覆(图3A)和单涂覆(图3B)的玻璃基材来制造纹理化的玻璃制品的方法的流程图。
如图所示,玻璃基材10(弯曲或平坦的)提供了初始主表面10b和相背的主表面10a,在该初始主表面10b上可以沉积图案化的保护性涂层22b(如在图3A中),并且在相背的主表面10a上设置有保护性覆盖涂层22a。
在一些实例中,保护性涂层可以是附着力促进组分(用于帮助粘附于玻璃基材)和耐热和/或耐酸屏蔽组分的掺混物(例如,基材-附着力促进组分-耐热和/或耐酸屏蔽组分)。
例如,对附着力促进剂进行选择,以促进基材与耐热和/或耐酸屏蔽组分之间的粘附,并且其包括以下中的至少一种:(1)丙烯酰氧基烷基硅烷(例如,丙烯酸3-(三甲氧基甲硅烷基)丙酯,甲基丙烯酸3-(氯二甲基甲硅烷基)丙酯,甲基丙烯酸3-[二乙氧基(甲基)甲硅烷基]丙酯,丙烯酸3-[二甲氧基(甲基)甲硅烷基]丙酯,甲基丙烯酸3-(三甲氧基甲硅烷基)丙酯,甲基丙烯酸3-[三(三甲基甲硅烷基氧基)甲硅烷基]丙酯,甲基丙烯酸3-[二甲氧基(甲基)甲硅烷基]丙酯,丙烯酸3-(甲氧基二甲基甲硅烷基)丙酯,甲基丙烯酸3-(三乙氧基甲硅烷基)丙酯,丙烯酸3-(三烯丙基甲硅烷基)丙酯,甲基丙烯酸3-(三烯丙基甲硅烷基)丙酯,甲基丙烯酸(三乙氧基甲硅烷基)甲酯等);(2)烷基硅烷(例如,戊基三氯硅烷,丁基三氯硅烷、叔丁基二甲基氯硅烷[叔丁基二甲基甲硅烷基化试剂],丁基氯二甲基硅烷,1,2-双(三乙氧基甲硅烷基)乙烷,丁基三乙氧基硅烷,1,6-双(三氯甲硅烷基)己烷,1,6-双(三乙氧基甲硅烷基)己烷,氯三甲基硅烷,环己基三氯硅烷,氯(癸基)二甲基硅烷,氯(十二烷基)二甲基硅烷,环己基三甲氧基硅烷,氯(己基)二甲基硅烷,环戊基三甲氧基硅烷,氯环己基二甲基硅烷,氯(乙基)二甲基硅烷[二甲基乙基甲硅烷基化试剂],癸基三氯硅烷、十二烷基三氯硅烷、十二烷基三乙氧基硅烷,二甲基十八烷基氯硅烷、氯二甲基丙基硅烷[二甲基丙基甲硅烷基化试剂],二甲基异丙基氯硅烷[二甲基异丙基甲硅烷基化试剂]、二甲基-正辛基氯硅烷、氯二乙基异丙基硅烷,十二烷基三甲氧基硅烷,癸基三乙氧基硅烷,二氯(甲基)丙基硅烷,二甲氧基(甲基)-正辛基硅烷,乙基三氯硅烷、三乙氧基乙基硅烷,乙基三甲氧基硅烷,三氯己基硅烷,己基三甲氧基硅烷,己基三乙氧基硅烷,十六烷基三甲氧基硅烷,1,1,1,3,5,5,5-七甲基-3-[(三甲基甲硅烷基)氧基]三硅氧烷,十六烷基三乙氧基硅烷,异丁基三氯硅烷、三氯(甲基)硅烷,三乙氧基甲基硅烷,三甲氧基(甲基)硅烷,甲氧基(二甲基)十八烷基硅烷,三氯十八烷基硅烷,十八烷基三乙氧基硅烷,正辛基三氯硅烷、三乙氧基-正辛基硅烷,十八烷基三甲氧基硅烷,三氯(丙基)硅烷,氯三乙基硅烷,三异丙基甲硅烷基氯化物、三甲氧基(丙基)硅烷,氯(二甲基)己基硅烷,己基三氯硅烷、三乙氧基(丙基)硅烷,三甲氧基-正辛基硅烷,三氯(十六烷基)硅烷,三乙氧基(异丁基)硅烷,三氯十八烷基硅烷等);(3)氨基烷基硅烷(例如,3-氨基丙基三乙氧基硅烷,3-(2-氨基乙基氨基)丙基三甲氧基硅烷,3-(2-氨基乙基氨基)丙基二甲氧基甲基硅烷,3-(2-氨基乙基氨基)丙基三乙氧基硅烷,3-氨基丙基二甲氧基甲基硅烷,[3-(6-氨基己基氨基)丙基]三甲氧基硅烷,双[3-(三甲氧基甲硅烷基)丙基]胺,3-氨基丙基二乙氧基甲基硅烷,[3-(N,N-二甲基氨基)丙基]三甲氧基硅烷,三甲氧基[3-(苯基氨基)丙基]硅烷,3-氨基丙基三甲氧基硅烷,三甲基[3-(三乙氧基甲硅烷基)丙基]氯化铵,三甲基[3-(三甲氧基甲硅烷基)丙基]氯化铵(约50%在甲醇中),三甲氧基[3-(甲基氨基)丙基]硅烷,N-[3-(三甲氧基甲硅烷基)丙基]丁-1-胺等);(4)芳基硅烷和芳基烷基硅烷(例如,苄基氯二甲基硅烷,苄基三乙氧基硅烷,氯二甲基(3-苯基丙基)硅烷,氯二甲基苯基硅烷,二甲氧基甲基苯基硅烷,二乙氧基(甲基)苯基硅烷,二氯(甲基)(2-苯基乙基)硅烷等);(5)氟烷基硅烷或氟芳基硅烷(例如,氯二甲基(3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-十三氟正辛基)硅烷,氯二甲基[3-(2,3,4,5,6-五氟苯基)丙基]硅烷,氯(3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10-十七氟癸基)二甲基硅烷,二氯(甲基)(3,3,3-三氟丙基)硅烷,二甲氧基(甲基)(3,3,3-三氟丙基)硅烷,五氟苯基二甲基氯硅烷[五氟苯基二甲基甲硅烷化试剂],五氟苯基乙氧基二甲基硅烷,三乙氧基-1H,1H,2H,2H-十三氟正辛基硅烷,三氯(1H,1H,2H,2H-十三氟正辛基)硅烷,三氯(1H,1H,2H,2H-十七氟癸基)硅烷,三甲氧基(3,3,3-三氟丙基)硅烷,三乙氧基(1H,1H,2H,2H-九氟己基)硅烷,三乙氧基-1H,1H,2H,2H-十七氟癸基硅烷,三甲氧基(1H,1H,2H,2H-十七氟癸基)硅烷,三甲氧基(1H,1H,2H,2H-九氟己基)硅烷,三氯[3-(五氟苯基)丙基]硅烷,三乙氧基(五氟苯基)硅烷,三乙氧基[5,5,6,6,7,7,7-七氟-4,4-双(三氟甲基)庚基]硅烷,三甲氧基(五氟苯基)硅烷,三氯(3,3,3-三氟丙基)硅烷,三甲氧基(1H,1H,2H,2H-十三氟正辛基)硅烷等);(6)缩水甘油氧基烷基硅烷(例如,二乙氧基(3-缩水甘油氧基丙基)甲基硅烷,3-缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷,3-缩水甘油氧基丙基(二甲氧基)甲基硅烷,[8-(缩水甘油氧基)-正辛基]三甲氧基硅烷,三乙氧基(3-缩水甘油氧基丙基)硅烷等);(7)烯基硅烷(例如,烯丙基三乙氧基硅烷,烯丙基氯二甲基硅烷,烯丙基三甲氧基硅烷,[双环[2.2.1]庚-5-烯-2-基]三乙氧基硅烷(异构体混合物),氯二甲基乙烯基硅烷,二乙氧基甲基乙烯基硅烷,二甲氧基甲基乙烯基硅烷,1,1,1,5,5,5-六甲基-3-[(三甲基甲硅烷基)氧基]-3-乙烯基三硅氧烷,三氯乙烯基硅烷,三异丙氧基(乙烯基)硅烷,乙烯基三甲氧基硅烷,三乙氧基乙烯基硅烷,二甲基乙氧基乙烯基硅烷,乙烯基三(2-甲氧基乙氧基)硅烷等),(11-叠氮基十一烷基)三甲氧基硅烷,(溴甲基)氯二甲基硅烷,(11-溴十一烷基)三氯硅烷,氯(氯甲基)二甲基硅烷,3-三甲氧基甲硅烷基丙基氯化物,3-氯丙基三氯硅烷,3-氯丙基二甲氧基甲基硅烷,(3-氰基丙基)二甲基氯硅烷,2-氰基乙基三乙氧基硅烷,(氯甲基)三乙氧基硅烷,(氯甲基)三甲氧基硅烷,(3-氯丙基)二乙氧基(甲基)硅烷,氯(3-氯丙基)二甲基硅烷,2-(3,4-环氧基环己基)乙基三甲氧基硅烷,三[3-(三甲氧基甲硅烷基)丙基]异氰脲酸酯,(3-碘丙基)三甲氧基硅烷,(3-巯基丙基)三甲氧基硅烷,3-巯基丙基(二甲氧基)甲基硅烷,(3-巯基丙基)三乙氧基硅烷,2-丙炔基[3-(三乙氧基甲硅烷基)丙基]氨基甲酸酯,3-氯丙基三乙氧基硅烷,1-[3-(三甲氧基甲硅烷基)丙基]脲,(3-异氰酸基丙基)三甲氧基硅烷,[(3-三乙氧基甲硅烷基)丙基]琥珀酐,3-(三氯甲硅烷基)丙基2-溴-2-甲基丙酸酯,3-(三甲氧基甲硅烷基)丙基2-溴-2-甲基丙酸酯,3-(三乙氧基甲硅烷基)丙基2-溴-2-甲基丙酸酯,1-[3-(三乙氧基甲硅烷基)丙基]脲,N-[2-(N-乙烯基苄氨基)乙基]-3-氨基丙基三甲氧基硅烷盐酸盐,三甲基甲硅烷氧基硅酸盐)或其组合。在一些实例中,附着力促进剂包括二氧化硅(或硅烷)并且在其结构中包括烷基。
在一些实例中,出于易获得性、低成本和耐久性选择耐热和/或耐酸屏蔽组分,并且其包括以下中的至少一种:聚苯乙烯(PS),聚乙烯(PE)(低密度和高密度),聚丙烯(PP),聚氯乙烯(PVC),聚酰胺(尼龙),聚四氟乙烯(特氟龙),热塑性聚氨酯(TPU),聚氯三氟乙烯(PCTFE),酚醛树脂,对芳族聚酰胺(例如,),聚对苯二甲酸乙二醇酯,聚氯丁二烯,间-芳族聚酰胺聚合物/>聚丙烯腈(PAN),共聚酰胺,聚酰亚胺,芳族聚酯,聚对苯撑-2,6-苯并二噁唑(PBO),乙烯和三氟氯乙烯的共聚物(ECTFE)(例如),聚偏二氟乙烯(PVDF),氯化聚氯乙烯(CPVC),聚二环戊二烯(PDCPD),聚(1,3,4-噁二唑),聚喹喔啉,聚喹啉,含六氟亚异丙基(HFIP)的聚合物,含六氟异丙氧基(HFIP-O)基团的聚合物,乙酸纤维素,乙酸丁酸纤维素,或其单体。
耐热和/或耐酸屏蔽组分的选择可以是测试组分在高热和/或酸环境中的响应的耐久性研究的结果。例如,可以使用傅里叶(Fourier)变换红外光谱(FT-IR)来确定暴露于高热和/或酸环境之前和之后的组分的结构完整性(即,化学组成的任何改变)。可以用接触角测量来确定表面润湿性的变化。
在一些实例中,可以将保护性涂料溶解在有机溶剂中,然后通过旋涂、喷涂、丝网印刷、油墨印刷、狭缝模头涂覆、下拉涂覆或浸涂而设置在干净的玻璃基材上。有机溶剂包括以下中的至少一种:甲苯、苯酚、苯、丙酮、甲基乙基酮(MEK)、甲基正丁基酮、己烷、乙醇、三氯乙烯、四氯化碳、2,5-己二酮、甲醛、三氯乙烯、1,1,1-三氯乙烷、氯甲烷等。
随后,通过溶剂蒸发和/或热或其他照射固化方法来使保护性涂层固体化。在固体化之前和之后,保护性涂层的厚度在以下厚度范围内:10nm至250nm,或10nm至100nm,或100nm至250nm,或50nm至100nm,或100nm至150nm,或150nm至200nm,或200nm至250nm,或者其中公开的任何数值或范围。在一些实例中,例如,当基材是弯曲的或三维(3D)的时,可以使用喷涂来产生单侧纹理以用于特定应用。通过常规的光刻过程(例如,光致抗蚀剂沉积、图案化、蚀刻穿过和移除),电子束(e束)光刻,激光烧蚀等也可以实现保护性涂层的图案化。
在沉积了保护性覆盖涂层22a和任选的图案化的保护性涂层22b之后,使基材10经受蚀刻步骤110、120、210、220,这些步骤包括用具有一定pH的无氢氟酸(HF)的蚀刻剂来蚀刻初始的主表面10b,所述pH小于或等于约7,或者小于或等于6,或者小于或等于5,或者小于或等于4,或者小于或等于3,或者小于或等于2,或者小于或等于1,或其中公开的任何数值或范围。在一些实例中,在步骤110、120、210、220期间,蚀刻剂包括氢氯酸(HCl)、柠檬酸、氯化铁(III)六水合物、氢氟酸(HF)、乙酸、硫酸(H2SO4)、硝酸(HNO3)等中的至少一种。在一些实例中,可以在比环境条件高的高温下进行步骤110、120、210、220,例如40℃至120℃,或40℃至110℃,或40℃至100℃,或50℃至100℃,或50℃至90℃,或60℃至90℃,低于100℃,或者公开的其中的任何数值或范围。在一些实例中,步骤110、120、210、220可以进行10分钟至10小时,10分钟至5小时,30分钟至5小时,30分钟至3小时,1小时至3小时,或者其中公开的任何数值或范围。根据一些实例,氢氯酸蚀刻剂的合适浓度在约0.5重量%至15重量%的范围内。根据一些实例,柠檬酸蚀刻剂的合适浓度在约1重量%至30重量%的范围内(例如,20重量%)。根据一些实例,氯化铁(III)六水合物蚀刻剂的合适浓度在约0.01M至约10M的范围内(例如,1M)。在一些实例中,在蚀刻步骤110、120、210、220之后,可以任选地进行额外的移除步骤,以移除过量的蚀刻剂和来自蚀刻步骤110、120、210、220的沥滤的基材成分。
具体地,蚀刻步骤110、210的完成得到了过渡性纹理化的玻璃制品,其具有纹理化区域20a以及具有平台化顶表面16的沥滤层14。由于玻璃在酸中的差异化蚀刻,可以形成沥滤层。在酸中,非二氧化硅玻璃组分通常比SiO2更快溶解,导致形成沥滤层(例如,多孔结构)。未被图案化的保护性涂层22b或保护性覆盖涂层22a覆盖的基材10的部分包括具有平台化顶表面16的沥滤层14。另外,在步骤120、220中使用步骤110、210的蚀刻剂进一步差异化沥滤和表面溶解使得得到了变换的纹理化区域20a,其包括多个暴露特征,并且该多个暴露特征具有平均特征尺寸18a和平均粗糙度16a。根据一些实施方案,纹理化区域20a的暴露特征(包括其平均特征尺寸18a和平均粗糙度16a)被构造成当制品用于显示装置时,降低与制品相关的眩光水平。平均特征尺寸18a通过与纹理化区域20a相关的特征样品的最大尺寸的平均值给出,所述最大尺寸根据上文所述的分析技术来测量。通过步骤110、120、210、220,沥滤出玻璃的非二氧化硅部分,在未受保护的玻璃表面上留下仅由二氧化硅组成的多孔沥滤层14a。被保护性涂层覆盖的区域保持完整并且包括玻璃的非二氧化硅部分。
在一些实例中,所述多个特征中的至少一些特征具有峰和谷。暴露特征的“最大尺寸”是从特征的峰的一部分到特征的峰的另一部分的最大距离。与纹理化区域20a相关的平均特征尺寸18a小于约10μm,或小于约5μm,或小于约1μm,或小于约0.5μm,或者其中公开的任何数值或范围。在一些实例中,与纹理化区域20a相关的平均特征尺寸18a小于约10μm,或小于约9μm,或小于约8μm,或小于约7μm,或小于约6μm,或小于约5μm,或小于约4μm,或小于约3μm,或小于约2μm,或小于约1μm,或小于约0.9μm,或小于约0.8μm,或小于约0.7μm,或小于约0.6μm,或小于约0.5μm,或小于约0.4μm,或小于约0.3μm,或小于约0.2μm,或小于约0.1μm,或者其中公开的任何数值或范围。
在一些实例中,与纹理化区域20a相关的平均粗糙度16a在以下范围内:1nm至1000nm,或5nm至750nm,或10nm至500nm,或25nm至250nm,或50nm至100nm,或10nm至250nm,或10nm至100nm,或500nm至1000nm,或500nm至750nm,或250nm至750nm,或250nm至500nm,或者其中公开的任何数值或范围。
一旦完成步骤110、120、210、220的酸处理,通过在水中清洗来移除保护性涂层22a和22b。通过将玻璃浸没在适当温度下的碱性溶液中30秒至30分钟,或1分钟至20分钟,或5分钟至15分钟(例如10分钟)或其中公开的任何数值或范围的时间,在步骤130、230中移除沥滤层14a和任何保护性涂层残余物。在一些实例中,利用pH大于或等于约10.0的蚀刻剂进行步骤130、230,以形成纹理化区域20b。例如,步骤130、230的蚀刻剂可以是pH在约10至约13范围内的碱性水溶液。具体地,在处理步骤130期间,沥滤层14a被移除,从而留下纹理化区域20b,该纹理化区域20b由具有平均特征尺寸18b和平均粗糙度16b的多个特征限定。用于步骤130、230的碱性蚀刻剂可以渗入在沥滤层14a中形成的孔和通道,并且在这些区域中比玻璃的更致密区域稍微更快地蚀刻玻璃,从而产生峰和谷,该峰和谷构成了玻璃上的纹理。一旦蚀刻完成,则可用去离子水清洗玻璃并储存用于之后的加工。
如上所述,在玻璃沥滤步骤110、210,差异化沥滤和表面溶解步骤120、220期间初始形成该多个特征,并且之后通过在水清洗/碱洗涤步骤130期间移除沥滤层14a而“展示”该多个特征。在一些实例中,平均特征尺寸18b和平均粗糙度16b的物理属性可以基本上分别等于平均特征尺寸18a和平均粗糙度16a。纹理化区域20b的组成基本上与玻璃基材10的本体组合物相同,特别是就二氧化硅而言。
实施例
以下实施例描述了本公开提供的各种特征和优点,并且决不旨在限制本发明和所附权利要求。
实施例1
在100℃的20重量%柠檬酸和1M FeCl3·6H2O的1L溶液中蚀刻六个玻璃A的样品(63.64摩尔%SiO2、2.34摩尔%B2O3、15.07摩尔%Al2O3、9.27摩尔%Na2O、5.93摩尔%Li2O、1.17摩尔%ZnO、0.045摩尔%SnO2、2.53摩尔%P2O5)[五个样品在一侧上涂覆有包含三甲基甲硅烷氧基硅酸盐附着力促进剂-聚苯乙烯耐热和/或耐酸屏蔽组分的保护性涂层(例如,图3B),一个样品在任一侧上均未涂覆],蚀刻125分钟。在沥滤后,用去离子(DI)水清洗玻璃,随后在60℃下进行10分钟的洗涤剂(4重量%Semi-clean洗涤剂)洗涤,接着在95℃下进行5分钟的10重量%NaOH洗涤,最后再次在DI水中进行5分钟的清洗。洗涤剂和/或碱清洗移除了过量蚀刻剂和沥滤的基材成分。
耐热和/或耐酸屏蔽组分(聚苯乙烯)在5重量%至20重量%之间变化,并且附着力促进剂(三甲基甲硅烷氧基硅酸盐)在0.5重量%至5重量%之间变化,以测试各种聚苯乙烯/三甲基甲硅烷氧基硅酸盐比值。例如,图4例示了在用20重量%柠檬酸和1M FeCl3·6H2O蚀刻后,具有各种聚苯乙烯(PS)/三甲基甲硅烷氧基硅酸盐(MQ)比值的保护性涂层的单侧雾度,以确定实现与通过机械抛光形成单侧纹理化玻璃相等的雾度所需的最佳涂层化学性质。作为参考,当用20重量%柠檬酸和1M FeCl3·6H2O蚀刻玻璃A时,测得双侧雾度为55.8%;计算的预计单侧雾度为33.5%。
当玻璃表面在一侧上完全被保护时,可以基于方程1的与双侧雾度的关系来估计预计的单侧雾度:
其中,x是单侧雾度值,以%计方程1
图5例示了在用20重量%柠檬酸和1M FeCl3·6H2O蚀刻后,具有各种聚苯乙烯/三甲基甲硅烷氧基硅酸盐比值的双侧和单侧纹理化的玻璃的玻璃重量损失比较。来自单侧纹理化的重量损失几乎是双侧纹理化的值的一半,这是由于当玻璃在一侧上受到保护时,表面积减小了几乎一半。当聚苯乙烯(PS)与三甲基甲硅烷氧基硅酸盐(MQ)的比值为20:1时,在相同的批次中蚀刻的玻璃的单侧雾度和双侧雾度接近方程1,单侧纹理化玻璃的重量损失接近于双侧纹理化玻璃的一半。因此,基于图4的期望雾度值和图5的预计重量损失,20:1的聚苯乙烯与三甲基甲硅烷氧基硅酸盐比值是保护性涂层的一个优选条件。
保护性涂层的聚苯乙烯与三甲基甲硅烷氧基硅酸盐的20:1的比值允许纹理化的玻璃的雾度和重量损失符合预计的单侧重量损失和雾度值。聚苯乙烯与三甲基甲硅烷氧基硅酸盐的20:5的比值也显示出具有前景,并且具有符合单侧预计值的低雾度和重量损失。其他组合物展现出比双侧对照更低的雾度,但是不足以低到符合预计的单侧雾度,即使大多数重量损失近似于预计的单侧重量损失。还考虑了符合预计的单侧重量损失和雾度值的具有更高聚苯乙烯含量或三甲基甲硅烷氧基硅酸盐的其他组合物,它们在本公开的范围内。
实施例2
在100℃的20重量%柠檬酸和1M FeCl3·6H2O的1L溶液中蚀刻四个玻璃A的样品(三个样品在一侧上涂覆有包含三甲基甲硅烷氧基硅酸盐附着力促进剂-聚苯乙烯耐热和/或耐酸屏蔽组分的保护性涂层,一个样品在任一侧上均未涂覆],蚀刻125分钟。在沥滤后,用去离子水清洗玻璃,随后在60℃下进行10分钟的洗涤剂(4重量%Semi-clean洗涤剂)洗涤,接着在95℃下进行5分钟的10重量%NaOH洗涤,最后再次在DI水中进行5分钟的清洗。
测量并记录雾度值为“周期1”。随后,在与周期1(或前个周期)中使用的相同的沥滤和碱洗涤溶液中,采用另外四个玻璃A的样品重复上述沥滤(使用柠檬酸/FeCl3·6H2O混合物)和碱洗涤(使用NaOH)步骤。重复该过程五次以收集五个周期的数据。由于每个周期中的溶解的玻璃差异,从不同的周期中获得了不同的初始雾度值。图6说明,无论雾度水平如何,具有涂层保护的玻璃的单侧(SS)雾度与相同批次的未经保护的玻璃的双侧(DS)雾度同步变化(即,随着增加浴周期,单侧雾度随着双侧雾度走向)。换言之,随着沥滤的成分在柠檬酸/FeCl3·6H2O溶液混合物和碱洗涤溶液中积聚,以及保护性涂料在碱洗涤溶液中积聚,无论雾度水平如何,具有涂层保护的玻璃的SS雾度与相同批次中的未经保护的玻璃的DS雾度同步变化。
实施例3
在一侧上用包含三甲基甲硅烷氧基硅酸盐附着力促进剂-聚苯乙烯耐热和/或耐酸屏蔽组分的保护性涂层涂覆玻璃A,并且在100℃的20重量%柠檬酸和1M FeCl3·6H2O的1L溶液中蚀刻125分钟。在沥滤后,用去离子水清洗玻璃,随后在60℃下进行10分钟的洗涤剂(4重量%Semi-clean洗涤剂)洗涤,接着在95℃下进行5分钟的10重量%NaOH洗涤,最后再次在DI水中进行5分钟的清洗。进行原子力显微镜法(AFM,通过Veeco/Brucker(维易柯/布鲁克公司)的Bioscope Catalyst和Bruker(布鲁克公司)的Dimension FastScan设备来测量)(图7A和7B)以及水接触角(如通过Krüss(克吕士公司)的DSA100 Sliding AngleGoniometer设备来测量)(图8A和8B)测量,以检查蚀刻后涂覆侧和未涂覆侧上的差异。转到图7A和7B,AFM结果指示,在蚀刻后,涂覆(即,受保护)侧上的表面粗糙度(Ra)为2.6nm,而未受保护侧上的表面粗糙度为90nm。来自图8A和8B的接触角结果指示,在蚀刻之前,涂层的接触角为约131°,在蚀刻(步骤130、230—碱洗涤)后,接触角减小到6.5°,表明从玻璃表面完全移除了涂层。作为对照,未经处理的玻璃A的接触角为13.7°。
实施例4
在一侧上用包含三甲基甲硅烷氧基硅酸盐附着力促进剂-聚苯乙烯耐热和/或耐酸屏蔽组分的保护性涂层涂覆玻璃B(67.37摩尔%SiO2、3.67摩尔%B2O3、12.73摩尔%Al2O3、13.77摩尔%Na2O、0.01摩尔%K2O、2.39摩尔%MgO、0.003摩尔%TiO2、0.01摩尔%Fe2O3、0.01摩尔%ZrO2、和0.09摩尔%SnO2),并且在100℃的10重量%HCl和1M FeCl3·6H2O的1L溶液中蚀刻150分钟。在沥滤后,用去离子水清洗玻璃,随后在60℃下进行10分钟的洗涤剂(4重量%Semi-clean洗涤剂)洗涤,最后再次在去离子水中进行5分钟的清洗。图9例示了在用10重量%HCl和1M FeCl3·6H2O蚀刻后,在不同旋转速度(涂层厚度)下的双侧和单侧纹理化的玻璃的玻璃雾度%的比较(左)和玻璃重量损失比较(右)。如在图9中见到的,经涂覆的样品的%雾度和重量损失密切匹配预计的单侧值。作为参考,当在相同条件下蚀刻玻璃B时,测得双侧重量损失为18.22mg,并且计算的预计单侧重量损失为9.11mg。类似地,参考的双侧雾度值为40.07%,并且计算的预计单侧雾度值为22.6%。
测量双侧重量损失/雾度,并且如上所述由它们相应的测得的双侧值来计算预计的计算的单侧雾度/重量损失。由受到双侧蚀刻的对照样品的双侧值计算单侧值,以便将从在单侧上使用保护性涂层的样品所测得的单侧雾度/重量损失与预计/计算的单侧值进行比较。
实施例5
使用包含三甲基甲硅烷氧基硅酸盐附着力促进剂-聚苯乙烯耐热和/或耐酸屏蔽组分的保护性涂料,以各种图案来涂覆玻璃A。例如,第一样品在两侧上完全涂覆(样品A),第二样品完全不涂覆(样品B),而第三样品在两侧上部分(一半)涂覆(样品C)。随后,在100℃的20重量%柠檬酸和1M FeCl3·6H2O的1L溶液中蚀刻样品A-C,蚀刻125分钟。图10例示了在20重量%柠檬酸和1M FeCl3·6H2O中蚀刻125分钟后,样品A(左)、样品B(中)和样品C(右)的图像。在沥滤后,用去离子水清洗样品A-C,随后在60℃下进行10分钟的洗涤剂(4重量%Semi-clean洗涤剂)洗涤,然后进行5分钟的去离子水清洗。
根据图10,显示出保护性涂层可以用于制造完全保护的图案。样品A(在两侧上完全涂覆)没有形成雾度,因为其看上去像透明的未经蚀刻的玻璃。样品B(完全未涂覆)在两侧上均被蚀刻。样品C(在两侧上部分涂覆)在两侧上以对角三角形图案掩蔽以制成三角形设计。
本文公开的玻璃制品可以被包含到另一个制品中,例如,具有显示器(或显示制品)的制品(例如,消费电子器件,包括手机、平板电脑、电脑、导航系统等);建筑制品;运输制品(例如汽车、火车、飞行器、船舶等);器具制品或需要一定的透明度、耐刮擦性、耐磨损性或以上性质的组合的任何制品。图11A和11B示出了包含本文公开的任何一种玻璃制品(包括玻璃制品100a、100b)的示例性制品。具体来说,图11A和11B示出了消费电子装置900,其包括壳体902,所述壳体902具有前表面904、后表面906和侧表面908;电学部件(未示出),其至少部分或完全位于所述壳体内并且在壳体的前表面处或与之相邻处至少包括控制器、存储器和显示器910;以及盖板基材212,其在壳体的前表面处或壳体前表面上方以使得盖板基材212在显示器上方。在一些实施方式中,盖板基材912或一部分壳体902中的至少一者可以包含本文公开的任一种玻璃制品。
可以对本公开的上述实施方式进行许多改变和调整而基本上不偏离本公开的精神和各种原理。所有这些变动和修改旨在包括在本公开和所附权利要求保护的范围内。
Claims (23)
1.一种制造纹理化的玻璃制品的方法,所述方法包括:
提供具有初始主表面和相背的主表面的玻璃基材;
在初始主表面或相背的主表面的至少一者上设置保护性涂层;以及
用pH小于或等于7的无氢氟酸的蚀刻剂蚀刻玻璃基材以在玻璃基材中形成沥滤层,
其中,保护性涂层包括:
附着力促进组分以及耐热和/或耐酸屏蔽组分的掺混物,
其中,附着力促进组分包括以下中的至少一种:丙烯酰氧基烷基硅烷、烷基硅烷、氨基烷基硅烷、芳基硅烷、芳烷基硅烷、氟烷基硅烷、氟芳基硅烷、缩水甘油氧基烷基硅烷、烯基硅烷或它们的组合,并且
其中,耐热和/或耐酸屏蔽组分包括以下中的至少一种:聚苯乙烯(PS)、聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、聚氯乙烯(PVC)、聚酰胺、聚四氟乙烯、热塑性聚氨酯(TPU)、聚氯三氟乙烯(PCTFE)、酚醛树脂、对芳族聚酰胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚氯丁二烯、间-芳族聚酰胺聚合物、聚丙烯腈(PAN)、共聚酰胺、聚酰亚胺、芳族聚酯、聚对苯撑-2,6-苯并二噁唑(PBO)、乙烯和三氟氯乙烯的共聚物(ECTFE)、聚偏二氟乙烯(PVDF)、氯化聚氯乙烯(CPVC)、聚二环戊二烯(PDCPD)、聚(1,3,4-噁二唑)、聚喹喔啉、聚喹啉、含六氟亚异丙基(HFIP)的聚合物、含六氟异丙氧基(HFIP-O)基团的聚合物、乙酸纤维素、乙酸丁酸纤维素、或其单体。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,设置的步骤包括:
在初始主表面上沉积图案化的保护性涂层。
3.根据权利要求1-2中任一项所述的方法,其中,设置的步骤还包括:
在相背的主表面上沉积保护性覆盖涂层。
4.根据权利要求1所述的方法,其中,所述耐热和/或耐酸屏蔽组分与附着力促进组分的比值在20:0.5至20:5的范围内。
5.根据权利要求1所述的方法,其中:
丙烯酰氧基烷基硅烷选自下组:丙烯酸3-(三甲氧基甲硅烷基)丙酯,甲基丙烯酸3-(氯二甲基甲硅烷基)丙酯,甲基丙烯酸3-[二乙氧基(甲基)甲硅烷基]丙酯,丙烯酸3-[二甲氧基(甲基)甲硅烷基]丙酯,甲基丙烯酸3-(三甲氧基甲硅烷基)丙酯,甲基丙烯酸3-[三(三甲基甲硅烷基氧基)甲硅烷基]丙酯,甲基丙烯酸3-[二甲氧基(甲基)甲硅烷基]丙酯,丙烯酸3-(甲氧基二甲基甲硅烷基)丙酯,甲基丙烯酸3-(三乙氧基甲硅烷基)丙酯,丙烯酸3-(三烯丙基甲硅烷基)丙酯,甲基丙烯酸3-(三烯丙基甲硅烷基)丙酯,甲基丙烯酸(三乙氧基甲硅烷基)甲酯;
烷基硅烷选自下组:戊基三氯硅烷,丁基三氯硅烷、叔丁基二甲基氯硅烷[叔丁基二甲基甲硅烷基化试剂],丁基氯二甲基硅烷,1,2-双(三乙氧基甲硅烷基)乙烷,丁基三乙氧基硅烷,1,6-双(三氯甲硅烷基)己烷,1,6-双(三乙氧基甲硅烷基)己烷,氯三甲基硅烷,环己基三氯硅烷,氯(癸基)二甲基硅烷,氯(十二烷基)二甲基硅烷,环己基三甲氧基硅烷,氯(己基)二甲基硅烷,环戊基三甲氧基硅烷,氯环己基二甲基硅烷,氯(乙基)二甲基硅烷[二甲基乙基甲硅烷基化试剂],癸基三氯硅烷、十二烷基三氯硅烷、十二烷基三乙氧基硅烷,二甲基十八烷基氯硅烷、氯二甲基丙基硅烷[二甲基丙基甲硅烷基化试剂],二甲基异丙基氯硅烷[二甲基异丙基甲硅烷基化试剂]、二甲基-正辛基氯硅烷、氯二乙基异丙基硅烷,十二烷基三甲氧基硅烷,癸基三乙氧基硅烷,二氯(甲基)丙基硅烷,二甲氧基(甲基)-正辛基硅烷,乙基三氯硅烷、三乙氧基乙基硅烷,乙基三甲氧基硅烷,三氯己基硅烷,己基三甲氧基硅烷,己基三乙氧基硅烷,十六烷基三甲氧基硅烷,1,1,1,3,5,5,5-七甲基-3-[(三甲基甲硅烷基)氧基]三硅氧烷,十六烷基三乙氧基硅烷,异丁基三氯硅烷、三氯(甲基)硅烷,三乙氧基甲基硅烷,三甲氧基(甲基)硅烷,甲氧基(二甲基)十八烷基硅烷,三氯十八烷基硅烷,十八烷基三乙氧基硅烷,正辛基三氯硅烷、三乙氧基-正辛基硅烷,十八烷基三甲氧基硅烷,三氯(丙基)硅烷,氯三乙基硅烷,三异丙基甲硅烷基氯化物、三甲氧基(丙基)硅烷,氯(二甲基)己基硅烷,己基三氯硅烷、三乙氧基(丙基)硅烷,三甲氧基-正辛基硅烷,三氯(十六烷基)硅烷,三乙氧基(异丁基)硅烷,三氯十八烷基硅烷;
氨基烷基硅烷选自下组:3-氨基丙基三乙氧基硅烷,3-(2-氨基乙基氨基)丙基三甲氧基硅烷,3-(2-氨基乙基氨基)丙基二甲氧基甲基硅烷,3-(2-氨基乙基氨基)丙基三乙氧基硅烷,3-氨基丙基二甲氧基甲基硅烷,[3-(6-氨基己基氨基)丙基]三甲氧基硅烷,双[3-(三甲氧基甲硅烷基)丙基]胺,3-氨基丙基二乙氧基甲基硅烷,[3-(N,N-二甲基氨基)丙基]三甲氧基硅烷,三甲氧基[3-(苯基氨基)丙基]硅烷,3-氨基丙基三甲氧基硅烷,三甲基[3-(三乙氧基甲硅烷基)丙基]氯化铵,三甲基[3-(三甲氧基甲硅烷基)丙基]氯化铵(50%在甲醇中),三甲氧基[3-(甲基氨基)丙基]硅烷,N-[3-(三甲氧基甲硅烷基)丙基]丁-1-胺;
芳基硅烷和芳基烷基硅烷选自下组:苄基氯二甲基硅烷,苄基三乙氧基硅烷,氯二甲基(3-苯基丙基)硅烷,氯二甲基苯基硅烷,
氟烷基硅烷和氟芳基硅烷选自下组:氯二甲基(3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-十三氟正辛基)硅烷,氯二甲基[3-(2,3,4,5,6-五氟苯基)丙基]硅烷,氯(3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10-十七氟癸基)二甲基硅烷,二氯(甲基)(3,3,3-三氟丙基)硅烷,二甲氧基(甲基)(3,3,3-三氟丙基)硅烷,五氟苯基二甲基氯硅烷[五氟苯基二甲基甲硅烷化试剂],五氟苯基乙氧基二甲基硅烷,三乙氧基-1H,1H,2H,2H-十三氟正辛基硅烷,三氯(1H,1H,2H,2H-十三氟正辛基)硅烷,三氯(1H,1H,2H,2H-十七氟癸基)硅烷,三甲氧基(3,3,3-三氟丙基)硅烷,三乙氧基(1H,1H,2H,2H-九氟己基)硅烷,三乙氧基-1H,1H,2H,2H-十七氟癸基硅烷,三甲氧基(1H,1H,2H,2H-十七氟癸基)硅烷,三甲氧基(1H,1H,2H,2H-九氟己基)硅烷,三氯[3-(五氟苯基)丙基]硅烷,三乙氧基(五氟苯基)硅烷,三乙氧基[5,5,6,6,7,7,7-七氟-4,4-双(三氟甲基)庚基]硅烷,三甲氧基(五氟苯基)硅烷,三氯(3,3,3-三氟丙基)硅烷,三甲氧基(1H,1H,2H,2H-十三氟正辛基)硅烷;
缩水甘油氧基烷基硅烷选自下组:二乙氧基(3-缩水甘油氧基丙基)甲基硅烷,3-缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷,3-缩水甘油氧基丙基(二甲氧基)甲基硅烷,[8-(缩水甘油氧基)-正辛基]三甲氧基硅烷,三乙氧基(3-缩水甘油氧基丙基)硅烷;并且
烯基硅烷选自下组:烯丙基三乙氧基硅烷,烯丙基氯二甲基硅烷,烯丙基三甲氧基硅烷,[双环[2.2.1]庚-5-烯-2-基]三乙氧基硅烷(异构体混合物),氯二甲基乙烯基硅烷,二乙氧基甲基乙烯基硅烷,二甲氧基甲基乙烯基硅烷,1,1,1,5,5,5-六甲基-3-[(三甲基甲硅烷基)氧基]-3-乙烯基三硅氧烷,三氯乙烯基硅烷,三异丙氧基(乙烯基)硅烷,乙烯基三甲氧基硅烷,三乙氧基乙烯基硅烷,二甲基乙氧基乙烯基硅烷,乙烯基三(2-甲氧基乙氧基)硅烷),(11-叠氮基十一烷基)三甲氧基硅烷,(溴甲基)氯二甲基硅烷,(11-溴十一烷基)三氯硅烷,氯(氯甲基)二甲基硅烷,3-三甲氧基甲硅烷基丙基氯化物,3-氯丙基三氯硅烷,3-氯丙基二甲氧基甲基硅烷,(3-氰基丙基)二甲基氯硅烷,2-氰基乙基三乙氧基硅烷,(氯甲基)三乙氧基硅烷,(氯甲基)三甲氧基硅烷,(3-氯丙基)二乙氧基(甲基)硅烷,氯(3-氯丙基)二甲基硅烷,2-(3,4-环氧基环己基)乙基三甲氧基硅烷,三[3-(三甲氧基甲硅烷基)丙基]异氰脲酸酯,(3-碘丙基)三甲氧基硅烷,(3-巯基丙基)三甲氧基硅烷,3-巯基丙基(二甲氧基)甲基硅烷,(3-巯基丙基)三乙氧基硅烷,2-丙炔基[3-(三乙氧基甲硅烷基)丙基]氨基甲酸酯,3-氯丙基三乙氧基硅烷,1-[3-(三甲氧基甲硅烷基)丙基]脲,(3-异氰酸基丙基)三甲氧基硅烷,[(3-三乙氧基甲硅烷基)丙基]琥珀酐,3-(三氯甲硅烷基)丙基2-溴-2-甲基丙酸酯,3-(三甲氧基甲硅烷基)丙基2-溴-2-甲基丙酸酯,3-(三乙氧基甲硅烷基)丙基2-溴-2-甲基丙酸酯,1-[3-(三乙氧基甲硅烷基)丙基]脲,N-[2-(N-乙烯基苄氨基)乙基]-3-氨基丙基三甲氧基硅烷盐酸盐,三甲基甲硅烷氧基硅酸盐。
6.根据权利要求1所述的方法,其中,耐热和/或耐酸屏蔽组分是聚苯乙烯,附着力促进组分是三甲基甲硅烷氧基硅酸盐,并且其中,聚苯乙烯与三甲基甲硅烷氧基硅酸盐的比值是20:1。
7.根据权利要求1所述的方法,其中,耐热和/或耐酸屏蔽组分是聚苯乙烯,附着力促进组分是三甲基甲硅烷氧基硅酸盐,并且其中,聚苯乙烯与三甲基甲硅烷氧基硅酸盐的比值是20:5。
8.根据权利要求1所述的方法,其中,设置的步骤包括:
在有机溶剂中溶解附着力促进组分以及耐热和/或耐酸屏蔽组分以形成掺混物;
通过以下中的至少一种在初始主表面或相背的主表面的至少一者上设置所述掺混物:旋涂、喷涂、丝网印刷、喷墨印刷、狭缝模头涂覆、下拉涂覆或浸涂,由此形成保护性涂层;以及
通过溶剂蒸发、热固化或照射来固化保护性涂层。
9.根据权利要求1-2中任一项所述的方法,其中,蚀刻的步骤包括:
在40℃至120℃的温度下,用包含氢氯酸(HCl)、柠檬酸、氯化铁(III)六水合物、氢氟酸(HF)、乙酸、硫酸(H2SO4)或硝酸(HNO3)中的至少一种的蚀刻剂蚀刻玻璃基材30分钟至3小时的时间。
10.根据权利要求9所述的方法,其中,蚀刻的步骤还包括:
移除过量的蚀刻剂和沥滤的基材成分。
11.根据权利要求1-2中任一项所述的方法,其中,蚀刻的步骤包括:
第一蚀刻步骤,其形成具有第一沥滤层的过渡性纹理化的玻璃基材,所述第一沥滤层具有平台化顶表面;以及
第二蚀刻步骤,其形成二级纹理化的玻璃基材,该二级纹理化的玻璃基材具有第二沥滤层并具有多个暴露特征,
其中,所述多个暴露特征具有第一平均特征尺寸和第一平均粗糙度。
12.根据权利要求11所述的方法,其中:
所述多个暴露特征包括多个峰和谷;
第一平均特征尺寸是相邻峰之间的距离,其在小于10μm的范围内;并且
第一平均粗糙度是峰到谷的距离,其在1nm至1000nm的范围内。
13.根据权利要求12所述的方法,所述方法还包括:
移除保护性涂层和第二沥滤层以形成具有第二平均特征尺寸和第二平均粗糙度的纹理化的玻璃制品,
其中,第二平均特征尺寸和第二平均粗糙度等于第一平均特征尺寸和第一平均粗糙度。
14.根据权利要求1-2中任一项所述的方法,所述方法还包括:
移除保护性涂层和沥滤层以形成具有平均特征尺寸和平均粗糙度的纹理化的玻璃制品。
15.根据权利要求1-2中任一项所述的方法,其中,纹理化的玻璃制品包括2%或更小的闪光。
16.一种制造纹理化的玻璃制品的方法,所述方法包括:
提供具有初始主表面和相背的主表面的玻璃基材;
在初始主表面或相背的主表面的至少一者上设置保护性涂层;
第一蚀刻步骤,其形成具有第一沥滤层的过渡性纹理化的玻璃基材,所述沥滤层具有平台化顶表面;以及
第二蚀刻步骤,其形成二级纹理化的玻璃基材,该二级纹理化的玻璃基材具有第二沥滤层并具有多个暴露特征,
其中,所述多个暴露特征具有第一平均特征尺寸和第一平均粗糙度,并且
其中,保护性涂层包括:
附着力促进组分以及耐热和/或耐酸屏蔽组分的掺混物,
其中,附着力促进组分包括以下中的至少一种:丙烯酰氧基烷基硅烷、烷基硅烷、氨基烷基硅烷、芳基硅烷、芳烷基硅烷、氟烷基硅烷、氟芳基硅烷、缩水甘油氧基烷基硅烷、烯基硅烷或它们的组合,并且
其中,耐热和/或耐酸屏蔽组分包括以下中的至少一种:聚苯乙烯(PS)、聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、聚氯乙烯(PVC)、聚酰胺、聚四氟乙烯、热塑性聚氨酯(TPU)、聚氯三氟乙烯(PCTFE)、酚醛树脂、对芳族聚酰胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚氯丁二烯、间-芳族聚酰胺聚合物、聚丙烯腈(PAN)、共聚酰胺、聚酰亚胺、芳族聚酯、聚对苯撑-2,6-苯并二噁唑(PBO)、乙烯和三氟氯乙烯的共聚物(ECTFE)、聚偏二氟乙烯(PVDF)、氯化聚氯乙烯(CPVC)、聚二环戊二烯(PDCPD)、聚(1,3,4-噁二唑)、聚喹喔啉、聚喹啉、含六氟亚异丙基(HFIP)的聚合物、含六氟异丙氧基(HFIP-O)基团的聚合物、乙酸纤维素、乙酸丁酸纤维素、或其单体。
17.根据权利要求16所述的方法,其中:
所述多个暴露特征包括多个峰和谷;
第一平均特征尺寸是相邻峰之间的距离,其在小于10μm的范围内;并且
第一平均粗糙度是峰到谷的距离,其在1nm至1000nm的范围内。
18.根据权利要求16-17中任一项所述的方法,所述方法还包括:
移除保护性涂层和第二沥滤层以形成具有第二平均特征尺寸和第二平均粗糙度的纹理化的玻璃制品,
其中,第二平均特征尺寸和第二平均粗糙度等于第一平均特征尺寸和第一平均粗糙度。
19.根据权利要求16所述的方法,耐热和/或耐酸屏蔽组分与附着力促进组分的比值在20:0.5至20:5的范围内。
20.根据权利要求16所述的方法,其中,耐热和/或耐酸屏蔽组分是聚苯乙烯,附着力促进组分是三甲基甲硅烷氧基硅酸盐,并且其中,聚苯乙烯与三甲基甲硅烷氧基硅酸盐的比值是20:1。
21.根据权利要求16所述的方法,其中,耐热和/或耐酸屏蔽组分是聚苯乙烯,附着力促进组分是三甲基甲硅烷氧基硅酸盐,并且其中,聚苯乙烯与三甲基甲硅烷氧基硅酸盐的比值是20:5。
22.一种消费电子产品,其包括:
壳体,所述壳体具有前表面、后表面和侧表面;
至少部分位于所述壳体内的电学部件,所述电学部件至少包含控制器、存储器和显示器,所述显示器位于所述壳体的前表面处或者毗邻所述壳体的前表面;以及
设置在所述显示器上方的盖板玻璃,
其中,所述壳体的一部分或者所述盖板玻璃中的至少一者包括通过如权利要求15所述的方法形成的制品。
23.一种消费电子产品,其包括:
壳体,所述壳体具有前表面、后表面和侧表面;
至少部分位于所述壳体内的电学部件,所述电学部件至少包含控制器、存储器和显示器,所述显示器位于所述壳体的前表面处或者毗邻所述壳体的前表面;以及
设置在所述显示器上方的盖板玻璃,
其中,所述壳体的一部分或者所述盖板玻璃中的至少一者包括通过如权利要求1所述的方法形成的制品。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201962868307P | 2019-06-28 | 2019-06-28 | |
US62/868,307 | 2019-06-28 | ||
PCT/US2020/039723 WO2020264232A2 (en) | 2019-06-28 | 2020-06-26 | Textured glass articles and methods of making the same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN114341072A CN114341072A (zh) | 2022-04-12 |
CN114341072B true CN114341072B (zh) | 2023-11-14 |
Family
ID=71728884
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202080060292.1A Active CN114341072B (zh) | 2019-06-28 | 2020-06-26 | 纹理化的玻璃制品及其制造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11485677B2 (zh) |
CN (1) | CN114341072B (zh) |
WO (1) | WO2020264232A2 (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11208344B2 (en) * | 2017-03-28 | 2021-12-28 | Corning Incorporated | Textured glass articles and methods of making the same |
CN116093506A (zh) * | 2023-03-07 | 2023-05-09 | 荣耀终端有限公司 | 膜材、壳体、电池盖、终端设备及膜材的制备方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102548922A (zh) * | 2009-09-15 | 2012-07-04 | 康宁股份有限公司 | 具有防眩光性的玻璃和显示器 |
CN104661976A (zh) * | 2012-07-12 | 2015-05-27 | 康宁股份有限公司 | 纹理化的玻璃表面及其制备方法 |
CN105829258A (zh) * | 2013-10-18 | 2016-08-03 | 康宁股份有限公司 | 提供基材和基材上保护性涂层的方法和设备 |
CN108290775A (zh) * | 2015-11-23 | 2018-07-17 | 康宁股份有限公司 | 从玻璃基材去除无机涂层 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3486655B2 (ja) | 1994-08-03 | 2004-01-13 | 住友化学工業株式会社 | 芳香族ポリアミドフィルムの製造方法 |
US20060246299A1 (en) | 2005-04-29 | 2006-11-02 | Brady Michael D | Methods for protecting glass |
KR100954989B1 (ko) | 2006-10-18 | 2010-04-30 | 주식회사 메디슨 | 대상체의 크기를 측정하기 위한 초음파 진단 장치 및 방법 |
US8992786B2 (en) | 2010-04-30 | 2015-03-31 | Corning Incorporated | Anti-glare surface and method of making |
US9411180B2 (en) | 2011-02-28 | 2016-08-09 | Corning Incorporated | Apparatus and method for determining sparkle |
BE1020757A3 (fr) * | 2012-06-19 | 2014-04-01 | Agc Glass Europe | Methode de fabrication d'une feuille de verre depolie selectivement. |
CN102786839B (zh) | 2012-07-31 | 2014-07-09 | 佛山市三求电子材料有限公司 | 玻璃保护油墨及其制备方法 |
JP6586092B2 (ja) * | 2013-12-19 | 2019-10-02 | コーニング インコーポレイテッド | ディスプレイ用途のための起伏加工表面 |
CN103979803A (zh) | 2014-03-19 | 2014-08-13 | 昆山瑞咏成精密设备有限公司 | 一种电子产品玻璃面板的制造工艺 |
CN105670382A (zh) | 2015-05-26 | 2016-06-15 | 华南农业大学 | 热固化可剥离油墨、其制备方法及其施工方法 |
CN105347691A (zh) | 2015-12-07 | 2016-02-24 | 常熟市赛蒂镶嵌玻璃制品有限公司 | 隔热保温玻璃保护膜 |
CN105348804A (zh) | 2015-12-07 | 2016-02-24 | 常熟市赛蒂镶嵌玻璃制品有限公司 | 隔热阻寒玻璃保护膜 |
CN105330996A (zh) | 2015-12-07 | 2016-02-17 | 常熟市赛蒂镶嵌玻璃制品有限公司 | 玻璃保护膜 |
US11208344B2 (en) | 2017-03-28 | 2021-12-28 | Corning Incorporated | Textured glass articles and methods of making the same |
CN107417871A (zh) | 2017-07-14 | 2017-12-01 | 合肥思敬齐化工材料有限责任公司 | 水性聚氨酯玻璃保护胶及其制备方法 |
US11548810B2 (en) | 2017-09-14 | 2023-01-10 | Corning Incorporated | Textured glass-based articles with scratch resistance and methods of making the same |
WO2020060955A1 (en) | 2018-09-21 | 2020-03-26 | Corning Incorporated | Patterned glass articles and methods of making the same |
JP2022527124A (ja) | 2019-04-09 | 2022-05-30 | コーニング インコーポレイテッド | 防眩特性および増加した耐引掻性を提供するために特定の高さ対幅比を有する表面特徴を備えたテクスチャ表面を有するガラス基板 |
US11306024B2 (en) | 2019-05-30 | 2022-04-19 | Corning Incorporated | Textured glass articles and methods of making the same |
-
2020
- 2020-06-25 US US16/912,601 patent/US11485677B2/en active Active
- 2020-06-26 WO PCT/US2020/039723 patent/WO2020264232A2/en active Application Filing
- 2020-06-26 CN CN202080060292.1A patent/CN114341072B/zh active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102548922A (zh) * | 2009-09-15 | 2012-07-04 | 康宁股份有限公司 | 具有防眩光性的玻璃和显示器 |
CN104661976A (zh) * | 2012-07-12 | 2015-05-27 | 康宁股份有限公司 | 纹理化的玻璃表面及其制备方法 |
CN105829258A (zh) * | 2013-10-18 | 2016-08-03 | 康宁股份有限公司 | 提供基材和基材上保护性涂层的方法和设备 |
CN108290775A (zh) * | 2015-11-23 | 2018-07-17 | 康宁股份有限公司 | 从玻璃基材去除无机涂层 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2020264232A3 (en) | 2021-02-04 |
US11485677B2 (en) | 2022-11-01 |
WO2020264232A2 (en) | 2020-12-30 |
US20200407270A1 (en) | 2020-12-31 |
CN114341072A (zh) | 2022-04-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN110678426B (zh) | 纹理化玻璃制品及其制造方法 | |
US12052835B2 (en) | Enclosures having an anti-fingerprint surface | |
CN100542689C (zh) | 防水表面处理和处理过的制品 | |
CN105143134B (zh) | 减反射玻璃制品及其制备和使用方法 | |
KR101945067B1 (ko) | 반사방지층을 갖는 유리 제품 및 이의 제조방법 | |
CN114341072B (zh) | 纹理化的玻璃制品及其制造方法 | |
WO2017127376A1 (en) | Enclosures having an improved tactile surface | |
WO2012074811A1 (en) | Anti-glare surface treatment method and articles thereof | |
JP2014500163A (ja) | 耐久性疎水性/疎油性表面を有する透明基板 | |
CN114502515B (zh) | 具纹理、防眩玻璃制品及其制作方法 | |
WO2022011068A1 (en) | Display articles with diffractive, antiglare surfaces and methods of making the same | |
CN111741935B (zh) | 图案化的玻璃制品及其制造方法 | |
JP2016536643A (ja) | 低反射率物品およびその方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |