CN114337579A - 谐振器件及其制备方法、集成有谐振器件的集成电路板 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种谐振器件及其制备方法、集成有谐振器件的集成电路板。利用布拉格反射层中的至少最外层完全包覆谐振结构的顶表面和侧壁，以实现对谐振结构的密封封装，从而可省去传统工艺中用于密封封装的封盖盖板，实现了谐振器件由晶圆级封装至芯片级封装的改进，大大优化了谐振器件的制备工艺，并降低了其制备成本，同时还能够实现谐振器件其尺寸的有效缩减。

Description

谐振器件及其制备方法、集成有谐振器件的集成电路板

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种谐振器件及其制备方法、集成有谐振器件的集成电路板。

背景技术

具备逆压电效应的压电材料制成的谐振结构被广泛应用于器件中，例如可进一步构成晶体振荡器和滤波器(例如，薄膜体声波滤波器)。通常而言，在初步制备出谐振结构之后还需要对其进行封装处理，以确保最终所形成的器件的使用性能和可靠性。

近年来，晶圆级封装(Wafer Level Package，WLP)技术逐步发展成熟，从而被大量应用于具有谐振结构的器件封装中，该封装工艺通常需要将两个衬底相互键合以密封形成密封腔体，并将谐振结构密封在该密封腔体内。然而，基于晶圆级封装技术进行封装的成本很高，而且为保证其密封腔体的密封强度，对工艺要求也十分严苛。

发明内容

本发明的目的在于提供一种谐振器件及其制备方法，以解决现有的谐振器件其封装工艺难度较大、成本较高的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种谐振器件，包括：谐振结构，所述谐振结构包括由下至上依次堆叠设置的第一电极、压电层和第二电极；和第二电极；布拉格反射层，所述布拉格反射层中堆叠设置的多层反射层至少形成在所述第二电极上，并且所述布拉格反射层中的最外层构成钝化层，所述钝化层完全包覆所述谐振结构的顶表面和侧壁。

可选的，所述布拉格反射层中位于钝化层下方的各个反射层的厚度等于四分之一的声波波长；所述布拉格反射层中的钝化层的厚度大于其下方的各个反射层的厚度。

可选的，所述布拉格反射层中堆叠设置有至少4层反射层。

可选的，所述钝化层的材料包括氮化硅。进一步的，所述布拉格反射层包括由下至上交替堆叠设置的氧化硅层和氮化硅层。

可选的，所述谐振器件还包括：至少两个电极引出垫，分别与所述第一电极和第二电极电性连接，并且和所述第一电极位于同一结构层中；以及，焊接凸块，贯穿所述压电层以和所述电极引出垫电性连接。

本发明的又一目的在于提供一种谐振器件的制备方法，包括：提供衬底，并在所述衬底上依次形成第一电极、压电层和第二电极；在所述衬底上形成布拉格反射层，所述布拉格反射层中堆叠设置的多层反射层至少形成在所述第二电极上，并且所述布拉格反射层中的最外层构成钝化层，所述钝化层完全包覆所述谐振结构的顶表面和侧壁。

可选的，所述布拉格反射层中位于钝化层下方的各个反射层的厚度等于四分之一的声波波长；所述布拉格反射层中的钝化层的厚度大于其下方的各个反射层的厚度。

可选的，所述布拉格反射层中堆叠设置有至少4层反射层。

可选的，所述布拉格反射层包括由下至上交替堆叠设置的氧化硅层和氮化硅层。

可选的，所述衬底中还形成有腔体，所述腔体的形成方法包括：在所述衬底中形成空腔，并在所述空腔内填充牺牲层；在形成所述布拉格反射层之后，刻蚀所述布拉格反射层以形成暴露出所述牺牲层的释放孔；通孔所述释放孔去除所述牺牲层，以释放出腔体；以及，形成绝缘材料以封堵所述释放孔。

可选的，在形成所述布拉格反射层后，还包括：修整所述布拉格反射层中的钝化层的厚度，以调整谐振器件的频率。

可选的，在形成所述第一电极时，还在所述衬底上形成至少两个电极引出垫，用于分别与所述第一电极和第二电极电性连接；在形成所述压电层后，还包括：刻蚀所述压电层以形成第一开窗，所述第一开窗暴露出所述电极引出垫；以及，在所述第一开窗内形成焊接凸块。

在本发明提供的谐振器件及其制备方法中，利用布拉格反射层中的至少最外层完全包覆谐振结构的顶表面和侧壁，以实现对谐振结构的密封封装，从而可省去传统工艺中用于密封封装的封盖盖板，实现了谐振器件由晶圆级封装至芯片级封装的改进，大大优化了谐振器件的制备工艺，并降低了其制备成本，同时还能够实现谐振器件其尺寸的有效缩减。

附图说明

图1是现有的谐振器件的结构示意图。

图2是现有的谐振器件集成于集成电路板上的结构示意图。

图3是本发明一实施例中的谐振器件的结构示意图。

图4是本发明一实施例中的谐振器件集成于集成电路板上的结构示意图。

图5-图9是本发明一实施例中的谐振器件在其制备过程中的结构示意图。

其中，附图标记如下：

10-基板；

11-谐振结构；

20-封装盖板；

21-焊接凸块；

30-集成电路板；

100-衬底；

100a-腔体；

111-第一电极；

112-压电层；

112a-第一开窗；

112b-第二开窗；

113-第二电极；

110a-第一电极引出垫；

110b-第二电极引出垫；

120-焊接凸块；

130-绝缘材料；

200-布拉格反射层；

210/220/230/240-反射层；

200a-释放孔；

300-集成电路板。

具体实施方式

承如背景技术所述，目前基于晶圆级封装技术进行谐振器件的封装时，其成本很高，且对工艺要求也十分严苛。具体可参考图1所示，图1为现有的谐振器件的结构示意图。

如图1所示，现有的谐振器件通常是基于晶圆级封装技术进行封装的。其封装方法具体包括：在基板10(例如，第一晶圆)上形成谐振结构11，之后，再将封装盖板20(例如第二晶圆)键合在所述基板10上，以实现对基板10上的谐振结构11的密封封装。其中，基板10和封装盖板20之间具体可采用金-金键合(Au-Au键合)。

在图1所示的谐振器件中，要求基板10和封装盖板20键合形成的密封圈应当具有较强的密封强度，以保证密封在内的密封腔体的气密性，并且该封装成本也较高。此外，基于晶圆级封装技术而封装形成的谐振器件虽然已经实现了封装尺寸的大幅缩减，但随着技术的不断发展，追求更小尺寸的封装结构仍是领域内的一个趋势。

此外，参考图2所示，在对谐振器件封装完成后，即可将封装后的谐振器件和其他器件一起焊接在一集成电路板30上，以应用于具体的场合内。具体结合图1和图2所示，在封装谐振器件时，通常会在谐振器件的封装盖板20上还形成有焊接凸块21，所述焊接凸块21和谐振结构内的电极电性连接，并用于焊接至与外部电路。在图2中，即将所述谐振器件的焊接凸块21焊接在集成电路板30上。应当认识到，当封装后的谐振器件的尺寸较大时，则在将该封装后的谐振器件应用于具体的场景中时，即会相应的占用较大的空间。

为此，本发明提供了一种可基于芯片级封装形成的谐振器件，包括：谐振结构，所述谐振结构包括由下至上依次堆叠设置的第一电极、压电层和第二电极；以及，布拉格反射层，所述布拉格反射层中堆叠设置的多层反射层至少形成在所述第二电极上，并且所述布拉格反射层中的最外层构成钝化层，所述钝化层完全包覆所述谐振结构的顶表面和侧壁。

本发明提供的谐振器件中，通过设置布拉格反射层在第二电极上，从而可利用该布拉格反射层对声波进行反射，进而可省略传统工艺中利用封装盖板所形成的顶部密封腔，消除了谐振器件对顶部密封腔的依赖，从而降低对封装的要求。并且，布拉格反射层中至少最外层完全包覆谐振结构的顶表面和侧壁，实现了对谐振结构的密封封装。可见，本发明提供的谐振器件通过设置布拉格反射层，以替代密封用的封装盖板，大大键合了封装工艺、降低封装成本，并有利于缩减封装后的谐振器件的尺寸，相应的减小该谐振器件所占用的空间。

以下结合附图和具体实施例对本发明提出的谐振器件及其制备方法、集成谐振器件的集成电路板作进一步详细说明。根据下面说明，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。

图3为本发明一实施例中的谐振器件的结构示意图。如图3所示，所述谐振器件包括：谐振结构和布拉格反射层200。

具体的，所述谐振结构形成在一衬底100上，并包括由下至上依次堆叠设置的第一电极111、压电层112和第二电极113。

其中，可以根据器件其具体的应用场合，对应调整所述衬底100。例如，器件可以为体声波滤波器(bulk acoustic wave，BAW)，此时衬底可以包括布拉格反射层以进一步构成固态装配型谐振器(SMR)；或者，所述衬底还可以包括腔体，以进一步构成薄膜体声谐振滤波器(film bulk acoustic resonator，FBAR)。本实施例中，以形成薄膜体声谐振滤波器为例。基于此，即在所述衬底100的谐振区域中形成有腔体100a。

进一步的，所述第一电极111、所述压电层112和所述第二电极113在腔体100a的上方至少部分相互重叠。具体的，所述第一电极111和第三电极113的材料可以相同，例如均包括钼。以及，所述压电层112的材料例如包括氧化锌(ZnO)、氮化铝(AlN)和锆钛酸铅(PZT)中的至少一种。

继续参考图3所示，所述布拉格反射层200包括堆叠设置的多层反射层，并且重叠设置的多层反射层至少部分位于所述第二电极113的上方，以用于将声波反射回谐振器中。

此外，所述布拉格反射层200中的最外层构成钝化层(即，本实施例中的反射层240)，所述钝化层完全包覆所述谐振结构的顶表面和侧壁。即，至少利用布拉格反射层200中的最外层包覆所述谐振结构，以实现对该谐振结构的密封封装，进而可省略例如传统工艺中还需要额外利用另一个衬底进行键合密封的工序，实现了芯片级封装，不仅可节省工艺，并且还能够降低加工成本。同时，由传统的晶圆级封装进一步调整为芯片级封装，将能够达到减小封装后的谐振器件的尺寸。

本实施例中，可使所述布拉格反射层200中的所有层均包覆所述谐振结构的顶表面和侧壁。进一步的，针对衬底100上形成有压电材料的区域，也可均覆盖有所述钝化层，或者均覆盖有所述布拉格反射层200。

具体的，所述布拉格反射层200中最外层的钝化层(即，反射层240)的材料具体可包括氮化硅(SiN)。需要说明的是，氮化硅(SiN)的化学性质稳定、对水汽不敏感，因此可作为钝化层的较佳选择，其能够很好的隔绝水汽并对谐振结构进行有效保护。尤其是，针对谐振结构中其压电层112采用氮化铝材料形成时，由于氮化铝(AlN)的抗蚀性较差、容易与空气中的水汽结合产生水解，因此谐振器件在封装时对封装的气密性要求十分高以保障谐振器件的性能。本实施例中，直接利用布拉格反射层200以全覆盖形式进行密封封装，其相对于传统工艺中以密封腔形式进行密封封装而言，本实施例中的密封方式其工艺难度更低。

进一步的，所述布拉格反射层200包括堆叠设置的多层反射层，例如，所述布拉格反射层200中的反射层的数量大于等于4，即，所述布拉格反射层200中堆叠设置有至少4层反射层。所述布拉格反射层200中具有较多层数的反射层，将有利于提高对声波的反射效果，使得封装后的谐振器件即使省略了传统工艺中所采用的顶部密封腔仍具备较高的反射效果而能够将声波反射回来，消除了谐振器件对顶部密封腔的依赖，从而降低对封装的要求。

其中，所述布拉格反射层200具体包括交替堆叠设置的低声阻抗材料层和高声阻抗材料层。本实施例中，以所述布拉格反射层200具有4层反射层为例，则其具体包括反射层210、反射层220、反射层230和反射层240，其中反射层210和反射层230即为低声阻抗材料层，反射层220和反射层240即为高声阻抗材料层。

具体的实施例中，所述低声阻抗材料层(例如反射层210和反射层230)的材料可包括氧化硅，所述高声阻抗材料层(例如反射层220和反射层240)的材料可包括氮化硅。即，所述布拉格反射层200可包括由下至上交替堆叠设置的氧化硅层和氮化硅层。需要说明的是，本实施例中的布拉格反射层200不仅用于对声波进行反射，并且还能够实现对谐振器件的密封封装，此外所述布拉格反射层200同时还具备温度补偿效果(例如，布拉格反射层200中的氧化硅为具有正温度系数的材料，从而可以实现温度补偿)。

具体而言，为了降低谐振器件(例如，FBAR滤波器)的温度系数，减小滤波器的频率因温度变化而产生漂移，通常会在压电层的中间或者压电层与底电极之间制备一层温度补偿层。压电层中间或者在压电层和底电极之间的这层温度补偿层通常为非晶材料，从而会影响压电层的生长，进而影响压电材料的机电耦合系数。然而本实施例中，将具有温度补偿效果的层(即，布拉格反射层200)设置在第二电极113的上方，避免了对压电层112的生长造成影响。

此外，所述布拉格反射层200中位于最外层下方的各个反射层(例如，反射层210、反射层220和反射层230)的厚度例如等于四分之一的声波波长，以及所述布拉格反射层200中位于最外层的钝化层(即，反射层240)的厚度可大于其下方的各个反射层的厚度，例如所述钝化层的厚度可加厚至大于2um。

继续参考图3所示，所述谐振器件还包括至少两个电极引出垫，所述至少两个电极引出垫中包括第一电极引出垫110a和第二电极引出垫110b，所述第一电极引出垫110a和所述第一电极111电性连接，所述第二电极引出垫110b和所述第二电极113电性连接。

本实施例中，所述第一电极引出垫110a和所述第二电极引出垫110b均与所述第一电极111同时形成，并和所述第一电极111在同一结构层内。因此，在形成所述压电层112后，还包括：刻蚀所述压电层112以形成暴露出所述电极引出垫的第一开窗，并在所述第一开窗内形成焊接凸块120。即，所述焊接凸块120贯穿所述压电层112以和电极引出垫连接，并通过所述焊接凸块120可和外部电路焊接，例如可焊接至与一集成电路版上。其中，所述焊接凸块120具体可以为铜凸块。以及，所述焊接凸块120还可包括：形成在所述铜凸块上方的锡银焊料。

如上所述，在形成有压电材料的区域可均覆盖有布拉格反射层200。本实施例中，可以在形成压电层112，并在压电层112中形成第一开窗之后，再形成所述布拉格反射层200，以使所述布拉格反射层200中至少钝化层可以覆盖所述压电层112暴露于第一开窗中的侧壁，实现对压电材料的全面封盖，使得后续工艺中压电层112仍能够在该布拉格反射层200的封盖下而避免暴露出。

继续参考图3所示，所述压电层112中还形成有第二开窗，所述第二开窗对应在所述腔体100a的边缘区域，以及所述布拉格反射层200覆盖所述第二开窗的底部和侧壁，并在所述布拉格反射层200对应于所述第二开窗底部的部分中形成有释放孔200a。在制备谐振器件的过程中，即可通过所述释放孔200a释放出所述腔体100a的空间。

本实施例中的谐振器件可基于芯片级封装技术封装形成，并在形成布拉格反射层200后可直接在衬底100上直接形成焊接凸块120，以实现谐振器件与外部电路的信息交互。相比于传统的谐振器件(例如图1所示的谐振器件)而言，本实施例中的谐振器件实现了由晶圆级封装至芯片级封装的改进，不仅能够简化工艺、节省陈本，还可以进一步缩减器件尺寸，使得封装后的器件的厚度可降低至80μm-100μm。在将如上所述的谐振器件应用于具体场景中时，即能够相应的减小所述谐振器件所占用的空间。

图4为本发明一实施例中的谐振器件集成于集成电路板上的结构示意图。如图4所示，具体可将谐振器件上的焊接凸块120焊接至集成电路板300上。所述集成电路板300例如为高温共烧陶瓷基板(HTCC)或者低温共烧陶瓷基板(LTCC)，以及在所述集成电路板300还可焊接有其他射频器件。

针对如上所述的谐振器件，以下结合图5-图9对其制备方法进行解释说明。图5-图9为本发明一实施例中的谐振器件在其制备过程中的结构示意图。

首先参考图5所示，提供衬底100，并在所述衬底100上依次形成第一电极111、压电层112和第二电极113，以构成谐振结构。

本实施例中，以形成薄膜体声谐振滤波器为例。基于此，则在形成所述第一电极111之前，还包括：在所述衬底100中均形成有腔体100a，并进一步在所述腔体100a中填充有牺牲层，所述牺牲层即在后续制备完成谐振结构之后被去除，以释放出所述腔体。

在填充所述牺牲层后，于所述衬底100上依次形成第一电极111、压电层112和第二电极113。其中，所述第一电极111和第三电极113的材料可以相同，例如均包括钼。以及，所述压电层112的材料例如包括氧化锌(ZnO)、氮化铝(AlN)和锆钛酸铅(PZT)中的至少一种。

进一步的，在形成所述第一电极111时，还在衬底100上形成至少两个电极引出垫。具体的，在所述衬底100上形成第一电极引出垫110a和第二电极引出垫110b，所述第一电极引出垫110a用于和第一电极111电性连接，第二电极引出垫110b用于和第二电极112电性连接。本实施例中，所述第一电极111的端部构成所述第一电极引出垫110a，以及与所述第一电极111分断的电极材料构成第二电极引出垫110b。

具体的，所述第一电极111和所述电极引出垫的形成方法包括：在衬底100上形成电极材料层，之后图形化所述电极材料层，以形成所述第一电极111以及与所述第一电极111分断的第二电极引出垫110b。即，所述第一电极111和所述电极引出垫同时形成而位于同一结构层中，后续工艺中可通过互连线实现第二电极引出垫和第二电极112电性连接。

在形成所述压电层112时，所述压电层112相应的覆盖所述第一电极111和所述电极引出垫。以及，在形成压电层112之后，还包括：刻蚀所述压电层112以形成至少两个第一开窗112a，所述第一开窗112a暴露出所述电极引出垫。本实施例中，所述至少两个第一开窗112a即暴露出所述第一电极引出垫110a和第二电极引出垫110b。

此外，在所述压电层112内还形成有第二开窗112b，所述第二开窗112b对应在所述腔体100a的边缘并暴露出所述牺牲层，用于在后续工艺中可通过所述第二开窗112b去除所述牺牲层。

接着参考图6所示，在所述衬底100上形成布拉格反射层200，所述布拉格反射层200中堆叠设置的多层反射层至少形成在所述第二电极113上。本实施例中，所述布拉格反射层200还覆盖所述第一开窗112a和第二开窗112b的底部和侧壁。

进一步的，所述布拉格反射层200可包括由下至上依次堆叠设置的至少4层反射层，以及所述至少4层反射层具体为由下至上交替堆叠的低声阻抗材料层和高声阻抗材料层。其中，所述低声阻抗材料层可以为氧化硅层，所述高声阻抗材料层可以为氮化硅层。

继续参考图6所示，所述布拉格反射层200中的最外层构成钝化层，所述钝化层完全包覆所述谐振结构的顶表面和侧壁。本实施例中，所述布拉格反射层200的各个发射层均包覆所述谐振结构的顶表面和侧壁。以及，所述布拉格反射层200中位于钝化层下方的其他反射层的厚度等于四分之一波长长度，而所述钝化层的厚度大于其下方的其他反射层的厚度。

进一步的方案中，在形成所述布拉格反射层200后，还包括：修整所述布拉格反射层200的厚度，以调整谐振器件的频率。本实施例中，通过设置布拉格反射层200中的钝化层的厚度较大，以便于对所述钝化层的厚度进行修整，进而调整谐振器件的频率。

接着参考图7所示，在形成所述布拉格反射层200后，还包括：刻蚀所述布拉格反射层200中对应于所述第一开窗和所述第二开窗的部分，以使得所述电极引出垫从所述第一开窗中暴露出，并在所述布拉格反射层200对应于第二开窗底部的部分中形成释放孔200a，所述释放孔200a暴露出所述牺牲层；之后，通过所述释放孔200a去除所述牺牲层，以释放出所述腔体100a。

接着参考图8所示，在释放出所述腔体100a之后，还包括：形成绝缘材料130以封堵所述释放孔200a，避免水汽和杂质侵入。所述绝缘材料130例如为聚酰亚胺(PI)和/或者PBO。本实施例中，在形成所述绝缘材料130时，可以保留部分区域的绝缘材料，并进一步去除谐振区域上的绝缘材料，以避免对谐振器件的频率造成影响，以及去除所述第一开窗内的绝缘材料。

接着参考图9所示，在所述第一开窗内形成焊接凸块120，所述焊接凸块120用于实现所述谐振器件焊接至外部电路。所述焊接凸块120包括铜凸块，以及还可包括形成在所述铜凸块上的锡银焊料。

具体的，可通过所述焊接凸块120焊接至集成电路板上，所述集成电路板例如为高温共烧陶瓷基板(High-temperature co-fired ceramic，HTCC)或者，低温共烧陶瓷基板(Low-temperature co-fired ceramic，LTCC)。

需要说明的是，虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以限定本发明。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围。

还应当理解的是，除非特别说明或者指出，否则说明书中的术语“第一”、“第二”、“第三”等描述仅仅用于区分说明书中的各个组件、元素、步骤等，而不是用于表示各个组件、元素、步骤之间的逻辑关系或者顺序关系等。

此外还应该认识到，此处描述的术语仅仅用来描述特定实施例，而不是用来限制本发明的范围。必须注意的是，此处的以及所附权利要求中使用的单数形式“一个”和“一种”包括复数基准，除非上下文明确表示相反意思。例如，对“一个步骤”或“一个装置”的引述意味着对一个或多个步骤或装置的引述，并且可能包括次级步骤以及次级装置。应该以最广义的含义来理解使用的所有连词。以及，词语“或”应该被理解为具有逻辑“或”的定义，而不是逻辑“异或”的定义，除非上下文明确表示相反意思。

Claims (14)

1.一种谐振器件，其特征在于，包括：

谐振结构，所述谐振结构包括由下至上依次堆叠设置的第一电极、压电层和第二电极；

布拉格反射层，所述布拉格反射层中堆叠设置的多层反射层至少形成在所述第二电极上，并且所述布拉格反射层中的最外层构成钝化层，所述钝化层完全包覆所述谐振结构的顶表面和侧壁。

2.如权利要求1所述的谐振器件，其特征在于，所述布拉格反射层中位于钝化层下方的各个反射层的厚度等于四分之一的声波波长；所述布拉格反射层中的钝化层的厚度大于其下方的各个反射层的厚度。

3.如权利要求1所述的谐振器件，其特征在于，所述布拉格反射层中堆叠设置有至少4层反射层。

4.如权利要求1所述的谐振器件，其特征在于，所述钝化层的材料包括氮化硅。

5.如权利要求1所述的谐振器件，其特征在于，所述布拉格反射层包括由下至上交替堆叠设置的氧化硅层和氮化硅层。

6.如权利要求1所述的谐振器件，其特征在于，还包括：

至少两个电极引出垫，分别与所述第一电极和第二电极电性连接，并且和所述第一电极位于同一结构层中；以及，

焊接凸块，贯穿所述压电层以和所述电极引出垫电性连接。

7.一种集成有谐振器件的集成电路板，其特征在于，包括如权利要求1-6任一项所述的谐振器件，所述谐振器件上形成有贯穿压电层的焊接凸块，所述谐振器件通过所述焊接凸块焊接至所述集成电路板。

8.一种谐振器件的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底，并在所述衬底上依次形成第一电极、压电层和第二电极；

在所述衬底上形成布拉格反射层，所述布拉格反射层中堆叠设置的多层反射层至少形成在所述第二电极上，并且所述布拉格反射层中的最外层构成钝化层，所述钝化层完全包覆所述谐振结构的顶表面和侧壁。

9.如权利要求8所述的谐振器件的制备方法，其特征在于，所述布拉格反射层中位于钝化层下方的各个反射层的厚度等于四分之一的声波波长；所述布拉格反射层中的钝化层的厚度大于其下方的各个反射层的厚度。

10.如权利要求8所述的谐振器件的制备方法，其特征在于，所述布拉格反射层中堆叠设置有至少4层反射层。

11.如权利要求8所述的谐振器件的制备方法，其特征在于，所述布拉格反射层包括由下至上交替堆叠设置的氧化硅层和氮化硅层。

12.如权利要求8所述的谐振器件的制备方法，其特征在于，所述衬底中还形成有腔体，所述腔体的形成方法包括：

在所述衬底中形成空腔，并在所述空腔内填充牺牲层；

在形成所述布拉格反射层之后，刻蚀所述布拉格反射层以形成暴露出所述牺牲层的释放孔；

通孔所述释放孔去除所述牺牲层，以释放出腔体；以及，

形成绝缘材料以封堵所述释放孔。

13.如权利要求8所述的谐振器件的制备方法，其特征在于，在形成所述布拉格反射层后，还包括：修整所述布拉格反射层中的钝化层的厚度，以调整谐振器件的频率。

14.如权利要求8所述的谐振器件的制备方法，其特征在于，在形成所述第一电极时，还在所述衬底上形成至少两个电极引出垫，用于分别与所述第一电极和第二电极电性连接；

在形成所述压电层后，还包括：刻蚀所述压电层以形成第一开窗，所述第一开窗暴露出所述电极引出垫；以及，在所述第一开窗内形成焊接凸块。

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