CN114334744A - 晶圆气锁装置、晶圆处理装置及方法 - Google Patents

Abstract

本申请实施例公开一种晶圆气锁装置、晶圆处理装置及方法，晶圆气锁装置用于调整晶圆所经受的压力，且包括腔体、支撑组件和气源，腔体内部具有一中空腔室，腔体包括进气口和排气口，且进气口、排气口均与中空腔室连通；支撑组件设置在中空腔室内，用于支撑晶圆；气源连接于进气口，用于向中空腔室内提供清扫气体，以使清扫气体吹扫晶圆的背面，并由排气口排出。利用本申请实施例的晶圆气锁装置进行吹扫，无需将晶圆传输至指定的清扫机台，而在本机台内就可实现清扫，大幅提升了清扫效率。

Description

晶圆气锁装置、晶圆处理装置及方法

技术领域

本申请实施例涉及晶圆加工技术领域，具体而言，涉及一种晶圆气锁装置、晶圆处理装置及方法。

背景技术

将IC(Integrated Circuit，集成电路)形成在晶圆的过程中，会经历很多工艺步骤。在多工艺步骤的制造过程中，晶圆背面会出现异物，例如微粒，如不将异物及时清除，将影响工艺步骤的正常进行，甚至发生晶圆破片。然而，相关技术中晶圆背面异物的清除方法和装置存在作业效率低等问题。

发明内容

本申请实施例提供一种晶圆气锁装置、晶圆处理装置及方法，以改善相关技术中存在的作业效率低的问题。

本申请实施例的晶圆气锁装置，用于调整所述晶圆所经受的压力，包括腔体、支撑组件和气源，腔体内部具有一中空腔室，所述腔体包括进气口和排气口，且所述进气口、所述排气口均与所述中空腔室连通；支撑组件设置在所述中空腔室内，用于支撑晶圆；气源连接于所述进气口，用于向所述中空腔室内提供清扫气体，以使所述清扫气体吹扫所述晶圆的背面，并由所述排气口排出。

根据本申请的一些实施方式，所述进气口正对所述晶圆的背面。

根据本申请的一些实施方式，所述进气口在所述晶圆的正投影位于所述晶圆的圆心。

根据本申请的一些实施方式，所述支撑组件包括三个支撑脚，各所述支撑脚均与所述晶圆的背面形成一支撑点，各所述支撑点位于所述晶圆的边缘。

根据本申请的一些实施方式，三个所述支撑点形成一等边三角形。

根据本申请的一些实施方式，所述晶圆气锁装置还包括控制器和三个传感器，三个所述传感器分别设置在三个所述支撑脚上，且与所述控制器信号连接，用于检测与其对应的所述支撑脚是否支撑所述晶圆，所述控制器用于根据所述传感器的检测结果，判断出三个所述支撑脚是否均支撑所述晶圆。

根据本申请的一些实施方式，所述晶圆气锁装置还包括静电发生器，设置在所述支撑组件上，用以产生静电并吸附所述晶圆。

根据本申请的一些实施方式，所述晶圆气锁装置还包括抽气装置，连接于所述排气口，用于抽取所述中空腔室内的气体。

根据本申请的一些实施方式，所述清扫气体包括氮气。

根据本申请的一些实施方式，所述气源向所述中空腔室内提供的所述清扫气体的流量为200-5000sccm。

根据本申请的一些实施方式，所述清扫气体吹扫所述晶圆的时间为3-10min。

根据本申请的一些实施方式，所述腔体还包括进料口和出料口，所述进料口、所述出料口均与所述中空腔室连通，所述进料口用于供所述晶圆传送至所述中空腔室内，所述出料口用于供所述晶圆由所述中空腔室内传送出去。

根据本申请的一些实施方式，所述晶圆气锁装置还包括均流板，覆盖在所述进气口，用于使气体均匀扩散至所述中空腔室内。

本申请实施例的晶圆处理装置，包括上述任一项所述的晶圆气锁装置。

本申请实施例的晶圆处理方法，包括：

提供上述任一项所述的晶圆气锁装置；

利用大气传送模组，将所述晶圆传送至所述晶圆气锁装置，以对所述晶圆的背面进行吹扫以及调整所述晶圆的压力；

利用真空传送模组，将位于所述晶圆气锁装置内的所述晶圆传送至处理腔室。

根据本申请的一些实施方式，所述晶圆处理方法还包括：

利用所述真空传送模组，将经所述处理腔室处理完成的所述晶圆传送至所述晶圆气锁装置。

根据本申请的一些实施方式，所述晶圆气锁装置提供的清扫气体包括氮气。

根据本申请的一些实施方式，利用大气传送模组，将所述晶圆传送至所述晶圆气锁装置，以对所述晶圆的背面进行吹扫，包括：

所述清扫气体的流量为200-5000sccm，所述清扫气体吹扫所述晶圆的时间为3-10min。

利用了晶圆气锁装置具有转化大气和真空的功能，进而可对处理装置进行抽气和放气操作，最终实现吹扫晶圆背面以清除异物的效果。利用本申请实施例的晶圆气锁装置进行吹扫，无需将晶圆传输至指定的清扫机台，而在本机台内就可实现清扫，大幅提升了清扫效率。

附图说明

图1示出的是本申请实施例的晶圆处理装置的示意图。

图2示出的是本申请实施例的晶圆气锁装置的示意图。

图3和图4示出的是晶圆放置在晶圆气锁装置内的两个不同视角的示意图。

图5示出的是本申请实施例的静电发生器的示意图。

图6示出的是本申请实施例的支撑脚支撑完整晶圆的示意图。

图7示出的是本申请实施例的支撑脚支撑不完整晶圆的示意图。

其中，附图标记说明如下：

10、传送盒 20、大气传送模组

30、晶圆气锁装置 40、真空传送模组

50、处理腔室 60、校准装置

70、晶圆 100、腔体

101、中空腔室 102、进气口

103、排气口 104、进料口

105、出料口 110、顶板

120、底板 130、侧板

200、支撑组件 210、支撑脚

300、静电发生器 310、吸附部

320、导线 400、均流板

500、传感器

具体实施方式

现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本申请将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。

在晶圆的处理工序中，将晶圆从一个处理腔体转移至另一个处理腔体的过程中，需要大气传送模组(Atmosphere Transfer Module，ATM)、气锁(Airlock)、真空传送模组(Vacuum Transfer Module，VTM)等的协同作用实现。其中，气锁一端连接大气传送模组、另一端连接真空传送模组。在晶圆的制造过程中，处理腔体大多是在真空或近乎真空的条件下对晶圆进行处理。气锁是作为调整对待处理晶圆的压力的缓冲区。待处理的晶圆从所述大气传送模组被传输至所述气锁中后，所述气锁将待处理晶圆所经受的大气压力调整至所述真空传送模组所维持的压力范围内。之后，所述气锁将待处理的晶圆传输至所述真空传送模组，所述真空传送模组再将待处理的晶圆传输至处理腔体以进行处理工序。处理完毕后，再采用上述过程的逆过程，将晶圆从所述处理腔体传输至所述大气传送模组，以待下一步处理工序的进行。

正如背景技术中所述，晶圆在传输过程或者是在工艺过程中，晶圆背面容易附着异物，例如微粒。如不将异物及时从晶圆背面清除，那么在蚀刻过程中，这些异物会影响晶圆受热的稳定性和晶圆关键尺寸的均匀性，甚至导致蚀刻终止，更甚至造成晶圆在腔室内碎片。

在相关技术中，大多采用额外的机台对晶圆背面的异物进行清除。举例来说，当晶圆背面附着异物时，机台会发出报警。这时，需要先终止蚀刻制程，并将发生报警的晶圆传输至指定的清洗机台，该清洗机台例如采用水洗、酸洗、气体吹扫等方式对晶圆背面进行清扫。但是，从机台报警至清洗机台清洗完成再将晶圆传输至蚀刻腔室的这段时间，需要耗费较长的时间，一般来说需要耗费3～6h，这就导致清洗效率低下。并且，针对一些对时间有限制的制程，无疑会导致晶圆良率受损，报警机台复机效率慢等问题。

本申请的发明人在研究中发现，气锁作为调整对待处理晶圆的压力的缓冲区，当待处理的晶圆从大气传送模组被传输至气锁中后，气锁能够将待处理晶圆所经受的大气压力调整至真空传送模组所维持的压力范围内。反之，当待处理的晶圆从真空传送模组被传输至气锁中后，气锁能够将待处理晶圆所受的真空压力调整至大气传输模组所维持的压力范围内。换言之，气锁具有转换大气状态和真空状态的功能，那么对气锁进行抽气和放气操作，将会对待处理晶圆进行吹扫处理，达到清除异物的目的。这样，对晶圆背面的清扫处理可直接在机台内进行，而无需再将晶圆传输至指定的清洗机台，从而节省了清洗时间，进而提升了清洗效率，且减少不必要的产能消耗和报警机台复机效率。

如图1所示，图1示出的是本申请实施例的晶圆处理装置的示意图。本申请实施例的晶圆处理装置包括传送盒10、大气传送模组20、晶圆气锁装置30、真空传送模组40和处理腔室50。大气传送模组20能够在传送盒10和晶圆气锁装置30之间传送晶圆70，真空传送模组40能够在晶圆气锁装置30和处理腔室50之间传送晶圆70。晶圆气锁装置30不仅作为调整对待处理晶圆的压力的缓冲区，还能够对传输至气锁内的晶圆进行吹扫处理，以清除晶圆背面的异物。

本申请实施例的晶圆处理装置还包括校准装置60，晶圆70进入晶圆气锁装置30之前，可先经过校准装置60进行校准。

本申请实施例的晶圆处理装置包括两个晶圆气锁装置30，其中一个晶圆气锁装置30可以作为调整对待处理晶圆的压力的缓冲区，另一个晶圆气锁装置30可以对晶圆背面进行吹扫。具体来说，在工作时，先由大气传送模组20将待处理晶圆从传送盒10内取片，并放入校准装置60内进行校准。校准后，同样由大气传送模组20将待处理晶圆从校准装置60传输至其中一个晶圆气锁装置30，该其中一个晶圆气锁装置30将待处理晶圆所经受的大气压力调整至真空传送模组40所维持的压力范围内。之后，通过真空传送模组40将该晶圆气锁装置30内的待处理晶圆传输至处理腔室50内。当晶圆70进入处理腔室50进行蚀刻工艺后，若晶圆背面出现异物，则机台会触发报警。接到报警后，真空传送模组40将该待处理晶圆从处理腔室50内取出，并传输至另一个晶圆气锁装置30，该另一个晶圆气锁装置30可对晶圆背面进行吹扫处理，以清除晶圆背面的异物。吹扫完成后，再通过大气传送模组20将清扫处理后的晶圆传输至校准装置60再次进行校准。之后重复上述步骤，依次通过大气传送模组20和真空传送模组40将晶圆传输至处理腔室50内进行补蚀刻。

在一实施方式中，晶圆气锁装置30对晶圆背面进行吹扫处理的时间可以为3-10min，例如4min、5min、6min、7min、8min、9min。

在本实施例中，其中一个晶圆气锁装置30作为调整对待处理晶圆的压力的缓冲区，另一个晶圆气锁装置30对晶圆背面进行吹扫。可以理解的是，在其他实施方式中，晶圆处理装置包括一个晶圆气锁装置30，该晶圆气锁装置30既可以作为调整对待处理晶圆的压力的缓冲区，又可对晶圆背面进行吹扫。具体来说，晶圆通过该晶圆气锁装置30进入处理腔室50，当机台发生报警，真空传送模组40可将该晶圆传输至该晶圆气锁装置30进行清扫处理。

需要说明的是，本申请实施例的晶圆处理装置的传送盒10、校准装置60、大气传送模组20、真空传送模组40和处理腔室50可以采用现有技术中成熟的产品，此处不再赘述。

如图2所示，图2示出的是本申请实施例的晶圆气锁装置30的示意图。本申请实施例的晶圆气锁装置30，包括腔体100、支撑组件200和气源(图中未示出)。腔体100内部具有一中空腔室101，腔体100包括进气口102和排气口103，且进气口102、排气口103均与中空腔室101连通；支撑组件200设置在中空腔室101内，用于支撑晶圆；气源连接于进气口102，用于向中空腔室101内提供清扫气体，以使清扫气体吹扫晶圆的背面，并由排气口103排出。

在本实施例中，利用了晶圆气锁装置30具有转化大气和真空的功能，进而可对气锁装置进行抽气和放气操作，最终实现吹扫晶圆背面以清除异物的效果。利用本申请实施例的晶圆气锁装置30进行吹扫，无需将晶圆传输至指定的清扫机台，而在本机台内就可实现清扫，大幅提升了清扫效率。

需要说明的是，术语“相连”、“连接”等术语均应做广义理解，例如，“连接”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；“相连”可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在申请实施例中的具体含义。

可以理解的是，腔体100的形状可以是长方体、圆柱体或其他合适的形状。

在本实施例中，腔体100的形状为长方体，且包括顶板110、底板120和四块侧板130。顶板110和底板120相对设置，四块侧板130设置在顶板110和底板120之间，且两两相对设置。

腔体100内部的中空腔室101的形状不作限定，例如可以是圆柱体、长方体或其他形状，具体形状可根据实际设备需要而确定。

此外，由于晶圆制备过程中部分工艺需要在真空环境下进行，故腔体100需要为密封的。

腔体100还包括进料口104和出料口105，进料口104、出料口105均与中空腔室101连通，进料口104用于供晶圆传送至中空腔室101内，出料口105用于供晶圆由中空腔室101内传送出去。

在本实施例中，进料口104和出料口105分别设置在两个相对设置的侧板130上。这样，可方便晶圆进出腔体100。

进料口104和出料口105的具体形状不作特别限定，例如可以均为长方形，且长方形的长度大于晶圆的直径，长方形的宽度大于晶圆的厚度。

进料口104和出料口105的形状可以是相同的，也可以是不同的。

气源可以包括泵气装置。通过泵气装置向中空腔室101内提供气体，可提高清扫气体的吹扫力度，有利于清除附着在晶圆背面的异物。

气源提供的清扫气体可以包括净化的空气、氮气。当然，也可以是惰性气体，如氩气等。

在本实施例中，清扫气体包括氮气，且氮气的流量为200-5000sccm。

请继续参阅图2，进气口102的数量可以是一个或多个，其中多个是指两个或两个以上。

在本实施例中，进气口102的数量为一个，且设置在腔体100的底板120上。当晶圆设置在腔体100的中空腔室101内，且被支撑组件200支撑时，进气口102正对晶圆的背面。这样，气源通过进气口102向中空腔室101内提供的清扫气体，在接触晶圆之间，其流动方向大致是垂直于晶圆的背面，当气源向中空腔室101内提供清扫气体时，该清扫气体通过进气口102可直接吹向晶圆的背面，有助于提高吹扫效果。

本申请实施例的晶圆气锁装置30还包括均流板400，均流板400覆盖在进气口102，用于时气体均匀扩散至中空腔室101内。这样，气体经过均流板400均匀扩散之后，能够通过进气口102均匀进入中空腔室101内，避免在中空腔室101内产生气流扰动，影响吹扫效果。

可以理解的是，均流板400可以设置在中空腔室101内，并覆盖进气口102，也可以是设置在中空腔室101外，并覆盖进气口102。

同时，均流板400上开设有多个小孔或设有格栅结构，以使通过均流板400的气体均匀扩散。

结合图3和图4所示，图3和图4示出的是晶圆放置在晶圆气锁装置30内的两个不同视角的示意图。进气口102在晶圆70的正投影位于晶圆70的圆心。通过这样的设计，由进气口102进入中空腔室101内的清扫气体可直接吹向晶圆的圆心，并沿着晶圆的径向方向向四周呈辐射状扩散，最终从排气口103排出。清扫气体由晶圆圆心向四周呈辐射状扩散，可提升清扫气体流动的均匀性。

在本实施例中，腔体100的底板120可以为矩形，进气口102可以设置在该底板120的两条对角线的交点上，以使进气口102在晶圆的正投影位于晶圆70的圆心。

当然，在其他实施方式中，进气口102也可以设置在侧板130上，且进气口102位于晶圆的下方。进气口102的轴线也可以与晶圆背面呈角度设置，以使由进气口102进入中空腔室101内的清扫气体的流动方向与晶圆的背面呈角度设置。

排气口103的数量可以是一个或多个。

在本实施例中，排气口103的数量为两个，且设置在腔体100的另外两个相对设置的侧板130上。清扫气体沿着晶圆的背面流动，将附着的异物清除。同时，清扫气体裹挟着异物从排气口103排出。

排气口103的具体形状不作特别限定，例如可以为长方形。

晶圆气锁装置30还包括抽气装置(图中未示出)，连接于排气口103，用于抽取中空腔室101内的气体。通过设置抽气装置，可及时地将裹挟着异物的清扫气体从中空腔室101内排出，避免清扫气体滞留在腔体100内而再次附着在晶圆的正面。

需要说明的是，气源提供的清扫气体的流量与抽气装置的抽气速率的比值需要控制在一定范围内，避免清扫气体的流量过大，而抽气装置的抽气速率过小，造成晶圆被吹翻。

请继续参阅图4，当晶圆放置在中空腔室101内，且被支撑组件200支撑时，晶圆的背面与腔体100的底板120的上表面之间的距离为H1，排气口103的下边缘与底板120之间的距离为H2，排气口103的上边缘与底板120之间的距离为H3，那么H3≥H1≥H2。这样设计的好处在于，裹挟着异物的清扫气体沿着晶圆的背面呈辐射状扩散后，可直接从排气口103排出，而不会流动至晶圆的正面，避免在晶圆的正面形成新的缺陷。

若排气口103的下边缘与底板120之间的距离H2＞H1，或者排气口103的上边缘与底板120之间的距离H3＜H1，那么清扫气体沿着晶圆的背面呈辐射状扩散后会先撞向腔体100的侧板130，进而导致清扫气体沿着侧板130向上和/或向下流动，这不利于清扫气体及时排出。

需要说明的是，本申请实施例的描述中，术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述申请实施例和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或单元必须具有特定的方向、以特定的方位构造和操作，因此，不能理解为对申请实施例的限制。

请继续参阅图2至图4，支撑组件200包括三个支撑脚210，各支撑脚210均与晶圆70的背面形成一支撑点，各支撑点位于晶圆的边缘。

首先，各支撑脚210与晶圆70形成的支撑点位于晶圆的边缘，可预留出晶圆背面的大部分区域，有利于清扫气体沿着晶圆背面流动，避免由于支撑脚210设置在晶圆的背面的中心区域，而阻挡了清扫气体的流动。

另外，由于支撑脚210支撑于晶圆的背面后，支撑脚210与晶圆的背面之间会有重叠区域，若异物附着在该重叠区域，那么当支撑脚210支撑在晶圆背面后，会将异物夹在支撑脚210和晶圆70之间，影响清扫气体将异物清除。在本实施例中，各支撑脚210与晶圆之间均是点面接触，这样可尽可能地减小支撑脚210与晶圆的背面之间的接触面积，将支撑脚210对于异物清除的影响降到最低。

各支撑脚210的末端可以设置凸起部，使得凸起部与晶圆的背面形成点面接触。可以理解的是，凸起部可以包括弧面结构、半球面结构、球缺结构、圆台结构或截锥体结构等。

当然，凸起部还可以是上述不同结构之间的组合。

三个支撑脚210与晶圆接触后形成的三个支撑点两两相连后构成一等边三角形。通过等边三角形的设置，可使相邻的两个支撑点之间的距离均相等，确保晶圆的稳定性。

可以理解的是，三个支撑点也可以形成一等腰三角形、直角三角形或普通的三角形。

另外，支撑脚210的数量也可以为四个、五个或其他数量，各支撑脚210与晶圆形成的多个支撑点形成一多边形。

如图2和图5所示，图5示出的是本申请实施例的静电发生器300的示意图。晶圆气锁装置30还包括静电发生器300，设置在支撑组件200上，用以产生静电并吸附晶圆。

需要说明的是，当一个带有静电的物体靠近另一个不带静电的物体时，由于静电感应，没有静电的物体内部靠近带静电物体的一边会集聚与带电物体所携带电荷相反极性的电荷(另一侧产生相同数量的同极性电荷)，由于异性电荷互相吸引，就会表现出“静电吸附”现象。

具体到本申请实施例的晶圆气锁装置30，由于静电发生器300设置在支撑组件200上，当晶圆70传输至中空腔室101内，且被支撑组件200支撑时，静电发生器300会吸附晶圆70，使晶圆70能够稳定且牢固地吸附在支撑组件200上。在清扫气体对晶圆的背面进行吹扫时，由于静电吸附的作用，晶圆不会轻易地发生翻转。并且，在清扫步骤完成后，大气传送模组20可轻易地将晶圆取走。

如图2所示，各支撑脚210上均设置有静电发生器300。当然，在其他实施方式中，部分支撑脚210上可以设有静电发生器300，而其余支撑脚210不设置静电发生器300。

如图5所示，本申请实施例的静电发生器300包括吸附部310和导线320，吸附部310设置在支撑脚210上，导线320的一端与吸附部310电连接，导线320的另一端能够连接一电源(图中未示出)。当电源开启时，吸附部310通电而产生静电，从而吸附晶圆。当电源关闭时，吸附部310不产生静电，晶圆和吸附部310之间不会发生静电吸附作用。

值得一提的是，静电发生器300的吸附部310与支撑脚210的连接关系可以采用如下方式：支撑脚210的一外侧面可以开设有凹槽，吸附部310嵌设于凹槽内，且吸附部310的外表面与支撑脚210的该外侧面齐平。当支撑脚210支撑晶圆时，晶圆的背面与支撑脚210和吸附部310均接触，这样，支撑脚210起到支撑作用，吸附部310起到静电吸附和支撑作用。

当然，吸附部310还可以凸设于支撑脚210的外侧面。当支撑脚210支撑晶圆时，仅吸附部310与晶圆的背面接触，而支撑脚210不与晶圆的背面接触。这样，吸附部310既起到支撑作用，又起到静电吸附作用。

可以理解的是，为了确保吸附部310与晶圆之间是点面接触，以尽可能地减小支撑脚210与晶圆的背面之间的接触面积，吸附部310的形状可以包括弧面结构、半球面结构、球缺结构、圆台结构或截锥体结构等。当然，吸附部310的形状也可以上述结构的组合。

请继续参阅图5，晶圆气锁装置还包括控制器(图中未示出)和传感器500，传感器500设置在支撑脚210上，且与控制器信号连接，用于检测与其对应的支撑脚210上是否支撑晶圆70。控制器用于根据传感器500的检测结果，判断出支撑脚210是否均支撑晶圆70。

结合图6和图7所示，图6示出的是本申请实施例的支撑脚支撑完整晶圆的示意图。图7示出的是本申请实施例的支撑脚支撑不完整晶圆的示意图。在本实施例中，传感器500的数量为三个，且分别设置在三个支撑脚210上，均与控制器信号连接。三个传感器500分别用于检测与其对应的支撑脚210是否支撑晶圆70，并将检测结果发送至控制器。控制器根据该检测结果判断出三个支撑脚210是否均支撑晶圆70，即判断出晶圆70是否完整。通过判断出晶圆70是否完整，可避免因抓持不稳而造成晶圆掉落、碎片。

具体来说，如图6所示，晶圆70为完整晶圆，此时，三个传感器500均产生信号。控制器根据该三个传感器500的信号，进而判断出晶圆70为完整结构。再看图7所示，晶圆70为不完整结构，即存在缺口。此时，与该缺口位置对应的传感器500并未产生信号。控制器根据检测结果判断出至少存在一个支撑脚210未支撑晶圆70时，则可判断出该晶圆70是不完整结构。这时，控制器可控制气锁装置以及与气锁装置连接的大气传送模组和/或真空传送模组进行停机处理，避免晶圆发生碎片。

可以理解的是，传感器500的数量不作特别限定。例如，一个支撑脚210上可以设置一个或多个传感器500。同时，传感器500的类型不作特别限定，例如可以为压力传感器、红外传感器等。

本申请的另一方面，还提供一种晶圆处理方法，包括：

提供上述任一实施方式中的晶圆气锁装置30；

利用大气传送模组20，将晶圆传送至晶圆气锁装置30，以对晶圆的背面进行吹扫以及调整晶圆的压力；

利用真空传送模组40，将位于晶圆气锁装置30内的晶圆传送至处理腔室50。

由于采用了上述任一实施方式中的晶圆气锁装置30，本申请实施例的晶圆处理方法具有上述任一实施方式中的所有优点和有益效果，此处不在赘述。

在一实施方式中，晶圆处理方法还包括：

利用真空传送模组40，将经处理腔室50处理完成的晶圆传送至晶圆气锁装置30。

在本说明书的描述中，术语“一个实施例”、“一些实施例”、“具体实施例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或特点包含于申请实施例的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或实例。而且，描述的具体特征、结构、材料或特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

以上仅为申请实施例的优选实施例而已，并不用于限制申请实施例，对于本领域的技术人员来说，申请实施例可以有各种更改和变化。凡在申请实施例的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在申请实施例的保护范围之内。

Claims (18)

1.一种晶圆气锁装置，其特征在于，所述晶圆气锁装置用于调整所述晶圆经受的压力，包括：

腔体，内部具有一中空腔室，所述腔体包括进气口和排气口，且所述进气口、所述排气口均与所述中空腔室连通；

支撑组件，设置在所述中空腔室内，用于支撑晶圆；以及

气源，连接于所述进气口，用于向所述中空腔室内提供清扫气体，以使所述清扫气体吹扫所述晶圆的背面，并由所述排气口排出。

2.根据权利要求1所述的晶圆气锁装置，其特征在于，所述进气口正对所述晶圆的背面。

3.根据权利要求2所述的晶圆气锁装置，其特征在于，所述进气口在所述晶圆的正投影位于所述晶圆的圆心。

4.根据权利要求1所述的晶圆气锁装置，其特征在于，所述支撑组件包括三个支撑脚，各所述支撑脚均与所述晶圆的背面形成一支撑点，各所述支撑点位于所述晶圆的边缘。

5.根据权利要求4所述的晶圆气锁装置，其特征在于，三个所述支撑点形成一等边三角形。

6.根据权利要求4所述的晶圆气锁装置，其特征在于，所述晶圆气锁装置还包括控制器和三个传感器，三个所述传感器分别设置在三个所述支撑脚上，且与所述控制器信号连接，用于检测与其对应的所述支撑脚是否支撑所述晶圆，所述控制器用于根据所述传感器的检测结果，判断出三个所述支撑脚是否均支撑所述晶圆。

7.根据权利要求1所述的晶圆气锁装置，其特征在于，所述晶圆气锁装置还包括静电发生器，设置在所述支撑组件上，用以产生静电并吸附所述晶圆。

8.根据权利要求1所述的晶圆气锁装置，其特征在于，所述晶圆气锁装置还包括抽气装置，连接于所述排气口，用于抽取所述中空腔室内的气体。

9.根据权利要求1所述的晶圆气锁装置，其特征在于，所述清扫气体包括氮气。

10.根据权利要求9所述的晶圆气锁装置，其特征在于，所述气源向所述中空腔室内提供的所述清扫气体的流量为200-5000sccm。

11.根据权利要求9所述的晶圆气锁装置，其特征在于，所述清扫气体吹扫所述晶圆的时间为3-10min。

12.根据权利要求1所述的晶圆气锁装置，其特征在于，所述腔体还包括进料口和出料口，所述进料口、所述出料口均与所述中空腔室连通，所述进料口用于供所述晶圆传送至所述中空腔室内，所述出料口用于供所述晶圆由所述中空腔室内传送出去。

13.根据权利要求1所述的晶圆气锁装置，其特征在于，所述晶圆气锁装置还包括均流板，覆盖在所述进气口，用于使气体均匀扩散至所述中空腔室内。

14.一种晶圆处理装置，其特征在于，包括如权利要求1至13任一项所述的晶圆气锁装置。

15.一种晶圆处理方法，其特征在于，包括：

提供如权利要求1至13任一项所述的晶圆气锁装置；

利用大气传送模组，将所述晶圆传送至所述晶圆气锁装置，以对所述晶圆的背面进行吹扫以及调整所述晶圆的压力；

利用真空传送模组，将位于所述晶圆气锁装置内的所述晶圆传送至处理腔室。

16.根据权利要求15所述的晶圆处理方法，其特征在于，所述晶圆处理方法还包括：

利用所述真空传送模组，将经所述处理腔室处理完成的所述晶圆传送至所述晶圆气锁装置。

17.根据权利要求15所述的晶圆处理方法，其特征在于，所述晶圆气锁装置提供的清扫气体包括氮气。

18.根据权利要求17所述的晶圆处理方法，其特征在于，利用大气传送模组，将所述晶圆传送至所述晶圆气锁装置，以对所述晶圆的背面进行吹扫，包括：

所述清扫气体的流量为200-5000sccm，所述清扫气体吹扫所述晶圆的时间为3-10min。

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