CN114324980B - 带扩展功能的多通道霍尔传感器多参数测试方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种带扩展功能的多通道霍尔传感器多参数测试方法，包括：基于第一拓展功能接口接收第一测试环境参数，控制器基于所述第一测试环境参数控制所述温度控制装置和磁场控制装置构建第一测试环境；基于第二拓展功能接口接收标准相位差值数据；判断在第一测试环境下多通道霍尔传感器的所有通道分别输出电能信息，则获取多通道霍尔传感器所包括的每个双输出感应芯片的第一测试相位差信息；判断第一测试相位差信息与相对应的第一标准相位差信息相比满足预设要求，则获取多通道霍尔传感器中不同感应芯片的第二测试相位差信息，若所述第二测试相位差信息与第二标准相位差信息相比满足预设要求，则输出多参数测试结果。

Description

带扩展功能的多通道霍尔传感器多参数测试方法

技术领域

本发明涉及霍尔传感器测试技术领域，尤其涉及一种带扩展功能的多通道霍尔传感器多参数测试方法。

背景技术

列车在运行过程中，多是通过多通道霍尔传感器对其进行速度的检测。市场上的多通道霍尔传感器较多，不同的多通道霍尔传感器其组成方式也存在不同，有的多通道霍尔传感器中的感应元件分别为单输出感应芯片，有的多通道霍尔传感器中的感应元件分别为双输出感应芯片，有的多通道霍尔传感器中即存在单输出感应芯片又存在双输出感应芯片，所以对于多通道霍尔传感器的多个参数进行测试时需要进行根据多通道霍尔传感器的不同组成选取不同的测试方式，该种定制化的测试才能够实现对不同的多通道霍尔传感器进行精准的测试。

发明内容

本发明实施例提供一种带扩展功能的多通道霍尔传感器多参数测试方法，能够通过拓展功能实现定制化的对多通道霍尔传感器的多个参数进行测试，满足多通道霍尔传感器对不同通道之间的相位差的测量需求。

本发明实施例的第一方面，提供一种带扩展功能的多通道霍尔传感器多参数测试方法，包括控制器以及与所述控制器分别连接的温度控制装置和磁场控制装置，所述温度控制装置和磁场控制装置用于控制多通道霍尔传感器所处环境的温度和磁场，所述控制器分别连接有第一拓展功能接口和第二拓展功能接口，通过以下步骤进行测试，包括：

基于第一拓展功能接口接收第一测试环境参数，控制器基于所述第一测试环境参数控制所述温度控制装置和磁场控制装置构建第一测试环境，所述第一测试环境参数包括第一温度参数和第一磁场参数；

基于第二拓展功能接口接收标准相位差值数据，所述标准相位差值数据包括第一标准相位差信息和/或第二标准相位差信息，所述第一标准相位差信息为双输出感应芯片的标准相位差，所述第二标准相位差信息为不同感应芯片之间的标准相位差；

判断在第一测试环境下多通道霍尔传感器的所有通道分别输出电能信息，则获取多通道霍尔传感器所包括的每个双输出感应芯片的第一测试相位差信息；

判断第一测试相位差信息与相对应的第一标准相位差信息相比满足预设要求，则获取多通道霍尔传感器中不同感应芯片的第二测试相位差信息，若所述第二测试相位差信息与第二标准相位差信息相比满足预设要求，则输出多参数测试结果。

可选地，在第一方面的一种可能实现方式中，基于第一拓展功能接口接收第一测试环境参数，控制器基于所述第一测试环境参数控制所述温度控制装置和磁场控制装置构建第一测试环境，所述第一测试环境参数包括第一温度参数和第一磁场参数包括：

控制器获取所述第一温度参数，基于所述温度控制装置改变多通道霍尔传感器所处的温度直至第一温度参数；

控制器获取所述第一磁场参数，基于所述温度控制装置改变多通道霍尔传感器所处的磁场强度直至第一磁场参数。

可选地，在第一方面的一种可能实现方式中，基于第二拓展功能接口接收标准相位差值数据，所述标准相位差值数据包括第一标准相位差信息和/或第二标准相位差信息，所述第一标准相位差信息为双输出感应芯片的标准相位差，所述第二标准相位差信息为不同感应芯片之间的标准相位差包括：

所述标准相位差值数据包括多通道霍尔传感器中每个通道的第一维度标识和第二维度标识，所述第一维度标识为相应通道属于双输出感应芯片或单输出感应芯片中的任意一个，所述第二维度标识为相应通道的通道身份标识；

获取标准相位差值数据中具有相同第一维度标识的两个相应通道的标准相位差得到第一标准相位差信息，所述第一标准相位差信息至少包括第一维度标识；

获取标准相位差值数据中具有不同第一维度标识的两个相应通道的标准相位差得到第二标准相位差信息，所述第二标准相位差信息至少包括两个相应通道的第二维度标识。

可选地，在第一方面的一种可能实现方式中，判断在第一测试环境下多通道霍尔传感器的所有通道分别输出电能信息，则获取多通道霍尔传感器所包括的每个双输出感应芯片的第一测试相位差信息包括：

若第一测试环境下多通道霍尔传感器的所有通道输出的电能信息大于预设值，则判断第一测试环境下多通道霍尔传感器的所有通道分别输出电能信息；

获取具有相同第一维度标识所对应的两个通道的电能信息，根据所述所对应的两个通道的电能信息得到第一测试相位差信息。

可选地，在第一方面的一种可能实现方式中，判断第一测试相位差信息与相对应的第一标准相位差信息相比满足预设要求包括：

基于所述第一测试相位差信息以及相对应的第一标准相位差信息得到第一差值；

若所述第一差值小于等于第一预设值，则第一测试相位差信息与相对应的第一标准相位差信息相比满足预设要求。

可选地，在第一方面的一种可能实现方式中，获取多通道霍尔传感器中不同感应芯片的第二测试相位差信息，若所述第二测试相位差信息与第二标准相位差信息相比满足预设要求，则输出多参数测试结果包括：

获取两个感应芯片的两个相应通道的第二维度标识，根据所述第二维度标识确定两个相应通道的电能信息；

将所确定的两个相应通道的电能信息进行比对得到第二测试相位差信息；

基于所述第二测试相位差信息以及相对应的第二标准相位差信息得到第二差值；

若所述第二差值小于等于第二预设值，则第二测试相位差信息与相对应的第二标准相位差信息相比满足预设要求，此时所述多参数测试结果为多通道霍尔传感器通过测试。

可选地，在第一方面的一种可能实现方式中，还包括：

若所述第一差值大于第一预设值，则获取相应的第一维度标识，对相应的第一维度标识输出。

可选地，在第一方面的一种可能实现方式中，还包括：

若所述第二差值大于第二预设值，则获取第二差值大于第二预设值的两个相应通道的电能信息，将第二差值大于第二预设值的两个相应通道做为第一通道和第二通道；

若判断所述第一通道与其他通道所形成的第一测试相位差信息和\或第二测试相位差信息满足预设要求，则将第二通道所对应的第一维度标识和第二维度标识输出；

若判断所述第二通道与其他通道所形成的第一测试相位差信息和\或第二测试相位差信息满足预设要求，则将第一通道所对应的第一维度标识和第二维度标识输出；

若判断所述第一通道与其他通道所形成的第一测试相位差信息和\或第二测试相位差信息、第二通道与其他通道所形成的第一测试相位差信息和\或第二测试相位差信息均不满足预设要求，则将第一通道和第二通道分别所对应的第一维度标识和第二维度标识输出。

可选地，在第一方面的一种可能实现方式中，接收用户输入的多通道霍尔传感器评价系数，所述多通道霍尔传感器评价系数包括霍尔传感器的精密度评价系数、每个感应芯片的精密度评价系数以及误差权重；

基于所述第一测试相位差信息以及相对应的第一标准相位差信息得到第一差值包括：

通过以下公式计算第一差值，

其中，

为第一差值，

为误差权重，

为霍尔传感器的精密度评价系数，

为单 输出芯片误差权重，

为第

个单输出芯片的精密度评价系数，

为单输出芯片的数量，

为单输出芯片的数量上限值，

为双输出芯片误差权重，

为第

个双输出芯片的精密度 评价系数，

为双输出芯片的数量，

为双输出芯片的数量上限值，

为第一测试相位差 信息，

为第一标准相位差信息，

为第一权重值，

为常数值。

可选地，在第一方面的一种可能实现方式中，接收用户输入的多通道霍尔传感器评价系数，所述多通道霍尔传感器评价系数包括霍尔传感器的精密度评价系数、每个感应芯片的精密度评价系数以及误差权重；

基于所述第二测试相位差信息以及相对应的第二标准相位差信息得到第二差值包括：

通过以下公式计算第二差值，

其中，

为第二差值，

为误差权重，

为霍尔传感器的精密度评价系数，

为第

个感应芯片的精密度评价系数，

为感应芯片的数量上限值，

为感应芯片的数量，

为第 二测试相位差信息，

为第二标准相位差信息，

为第二权重值，

为常数值。

本发明实施例的第二方面，提供一种存储介质，所述存储介质中存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时用于实现本发明第一方面及第一方面各种可能设计的所述方法。

本发明提供的一种带扩展功能的多通道霍尔传感器多参数测试方法。可以通过第一拓展功能接口接收多种环境参数的数据，通过多种环境参数得到相应的第一测试环境，通过第二拓展功能接口可以接收用户主动输入的第一标准相位差信息和/或第二标准相位差信息，本发明在进行多参数环境的测试过程中，会首先判断所有通道是否具有电能信息，当所有通道都具有电能信息后，则证明此时所有通道都是正常的，不存在断的情况，此时本发明会首先确定双输出感应芯片的第一测试相位差信息，判断双输出感应芯片是否存在相位差较大、误差较大的情况，因为在对多通道霍尔传感器进行测试时，每个双输出感应芯片一般都会具有相应的相位差，所以先对双输出感应芯片的相位差进行比对、再对不同感应芯片的相位差进行比对，确定不同感应芯片的相位差需要调取相应的通道的电能信息。通过本发明提供的技术方案，当双输出感应芯片的相位差较大、不满足预设要求时，本发明即可快速确认到相应的双输出感应芯片、并将该多通道霍尔传感器确定为不合格产品，该种方式具有对多通道霍尔传感器进行多参数定制化测试、以及测试效率高的优点。

本发明提供的技术方案，发明提供的技术方案，在确定第一差值和第二差值时，会根据所产生的第一测试相位差信息和第二测试相位差信息得到，并且会根据霍尔传感器的精密度评价系数、每个感应芯片的精密度评价系数以及误差权重采取不同的计算方式得到相对应的第一差值和第二差值，使得本发明可以对不同感应芯片的误差设定不同的要求。

由于第一差值是双输出感应芯片输出的电能信息的误差值，由于双输出感应芯片相较于两个不同的单输出感应芯片在集成于传感器上时不会产生安装误差，所以对于双输出芯片的误差值要求要高于单输出感应芯片，所以对于第一差值和第二差值的计算时，会采取不同的计算方式，第一差值的计算时会调高双输出芯片的精密度评价系数所对应的双输出芯片误差权重，将双输出芯片误差对第一差值的影响调高，进而使第一差值更能反映出双输出芯片的误差情况。

由于第二差值是不同感应芯片输出的电能信息的误差值，所以其无需重点考虑双输出感应芯片精密度评价系数，只需要综合考量霍尔传感器的精密度评价系数、每个感应芯片的精密度评价系数即可，该种方式所计算的第二差值更适合不同感应芯片的输出场景。

附图说明

图1为本发明提供的技术方案中控制器的连接结构示意图；

图2为带扩展功能的多通道霍尔传感器多参数测试方法的第一种实施方式的流程图；

图3为带扩展功能的多通道霍尔传感器多参数测试方法的第二种实施方式的流程图；

图4为带扩展功能的多通道霍尔传感器多参数测试方法的第三种实施方式的流程图。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”“第四”等（如果存在）是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。

应当理解，在本发明的各种实施例中，各过程的序号的大小并不意味着执行顺序的先后，各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定，而不应对本发明实施例的实施过程构成任何限定。

应当理解，在本发明中，“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

应当理解，在本发明中，“多个”是指两个或两个以上。“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。字符“/”一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。“包含A、B和C”、“包含A、B、C”是指A、B、C三者都包含，“包含A、B或C”是指包含A、B、C三者之一，“包含A、B和/或C”是指包含A、B、C三者中任1个或任2个或3个。

应当理解，在本发明中，“与A对应的B”、“与A相对应的B”、“A与B相对应”或者“B与A相对应”，表示B与A相关联，根据A可以确定B。根据A确定B并不意味着仅仅根据A确定B，还可以根据A和/或其他信息确定B。A与B的匹配，是A与B的相似度大于或等于预设的阈值。

取决于语境，如在此所使用的“若”可以被解释成为“在……时”或“当……时”或“响应于确定”或“响应于检测”。

下面以具体地实施例对本发明的技术方案进行详细说明。下面这几个具体的实施例可以相互结合，对于相同或相似的概念或过程可能在某些实施例不再赘述。

如图1所示，本发明提供的技术方案包括控制器以及与所述控制器分别连接的温度控制装置和磁场控制装置，所述温度控制装置和磁场控制装置用于控制多通道霍尔传感器所处环境的温度和磁场，所述控制器分别连接有第一拓展功能接口和第二拓展功能接口。

还包括用于采集多通道霍尔传感器的温度以及所处磁场强度的温度传感器和磁场强度传感器，控制器通过第一拓展功能接口接收第一测试环境参数，控制器基于温度传感器和磁场强度传感器反馈的环境数据控制温度控制装置和磁场控制装置建立第一测试环境，通过第一测试环境对多通道霍尔传感器进行测试。

本发明提供的带扩展功能的多通道霍尔传感器多参数测试方法，通过以下步骤进行测试，如图2所示，包括：

步骤S110、基于第一拓展功能接口接收第一测试环境参数，控制器基于所述第一测试环境参数控制所述温度控制装置和磁场控制装置构建第一测试环境，所述第一测试环境参数包括第一温度参数和第一磁场参数。

在对多通道霍尔传感器进行测试时，一般会包括温度参数和磁场参数，例如需要在第一温度、第一磁场的环境下对某一个多通道霍尔传感器进行测试，则此时可以通过控制器对温度控制装置和磁场控制装置进行控制，达到第一温度和第一磁场的第一测试环境。当需要在第二温度、第二磁场的环境下对某一个多通道霍尔传感器进行测试，则此时可以通过控制器对温度控制装置和磁场控制装置进行控制，达到第二温度和第二磁场的第二测试环境。通过第一拓展功能接口，可以实现不同的测试环境的建立，满足对不同多通道霍尔传感器的不同测试需求。并且通过温度传感器和磁场强度传感器可以对所建立的测试环境的温度和磁场进行监测，对测试环境的温度和磁场进行相应的调整。

本发明提供的技术方案，步骤S110具体包括：

控制器获取所述第一温度参数，基于所述温度控制装置改变多通道霍尔传感器所处的温度直至第一温度参数。一般来说，使温度达到第一温度参数的时间相较于磁场达到第一磁场参数的时间更长，所以本发明所提供的技术方案会优先对测试场景的温度进行调整，第一温度参数可以是10度。

控制器获取所述第一磁场参数，基于所述温度控制装置改变多通道霍尔传感器所处的磁场强度直至第一磁场参数。在温度达到第一温度参数后，本发明会控制测试环境达到第一磁场参数，第一磁场参数的单位可以是高斯、也可以是特斯拉，例如说2000高斯等等。

步骤S120、基于第二拓展功能接口接收标准相位差值数据，所述标准相位差值数据包括第一标准相位差信息和/或第二标准相位差信息，所述第一标准相位差信息为双输出感应芯片的标准相位差，所述第二标准相位差信息为不同感应芯片之间的标准相位差。本发明提供的技术方案，可以通过第二拓展功能接口接收标准相位差值数据，不同的多通道霍尔传感器可能会具有不同的标准相位差值数据，标准相位差值数据可以是用户、管理员主动输入的，标准相位差值数据可以认为是在理想工艺条件下，多通道霍尔传感器所具有的第一标准相位差信息和/或第二标准相位差信息。

本发明提供的技术方案，步骤S120具体包括：

所述标准相位差值数据包括多通道霍尔传感器中每个通道的第一维度标识和第二维度标识，所述第一维度标识为相应通道属于双输出感应芯片或单输出感应芯片中的任意一个，所述第二维度标识为相应通道的通道身份标识。本发明提供的技术方案，为了方便将多通道霍尔传感器中所包括的双输出感应芯片、单输出感应芯片采取区分比较，本发明会为每个通道设置第一维度标识和第二维度标识，例如一个多通道霍尔传感器包括由3个通道，其中包括一个双输出感应芯片和一个单输出感应芯片，则此时双输出感应芯片的2个通道的第一维度标签即为其属于双输出感应芯片，第一维度标签可以是双输出，单输出感应芯片的1个通道的第一维度标签即为其属于单输出感应芯片，第一维度标签可以是单输出。通道身份标识可以是阿拉伯数字，例如说1、2、3等等，本发明会对多通道霍尔传感器所有的通道进行统一标号，具有3个通道的多通道霍尔传感器其即包括了通道1、通道2以及通道3。第二维度标识即可以是通道1、通道2以及通道3等等。

获取标准相位差值数据中具有相同第一维度标识的两个相应通道的标准相位差得到第一标准相位差信息，所述第一标准相位差信息至少包括第一维度标识。由于每个双输出感应芯片的制作工艺可能存在不同，所以对于不同的双输出感应芯片所包括的两个通道的相位差是不同的，本发明会根据预先输入的标准相位差值数据得到相应的第一标准相位差信息，此时的第一标准相位差信息即为理想工艺条件下双输出感应芯片的两个通道的相位差。

获取标准相位差值数据中具有不同第一维度标识的两个相应通道的标准相位差得到第二标准相位差信息，所述第二标准相位差信息至少包括两个相应通道的第二维度标识。具有不同第一维度标识的两个相应通道即为两个不同的感应芯片的通道，在多通道霍尔传感器中，会存在不同的感应芯片的相位差，本发明中的第二标准相位差信息会包括两个相应通道的第二维度标识，例如说第二维度标识包括通道2以及通道3，即此时的第二标准相位差信息即为在理想制造工艺、安装工艺的前提下，通道2以及通道3具有的相位差。

步骤S130、判断在第一测试环境下多通道霍尔传感器的所有通道分别输出电能信息，则获取多通道霍尔传感器所包括的每个双输出感应芯片的第一测试相位差信息。本发明提供的技术方案，在进行测试时，如果正常情况下多通道霍尔传感器的所有通道都输出相应的电能信息，则本发明会首先判断在第一测试环境下多通道霍尔传感器的所有通道是否分别输出电能信息，如果存在不输出电能信息的通道，则证明此时该通道可能出现断开的情况，此时直接输出报错提醒。

可以这样理解，本发明将多通道分别输出电能信息作为第一步检测的标准，当存在不输出电能信息的通道时即进行报错提醒。因为在多通道霍尔传感器的使用过程中，某一个通道出现为是比较常见的因素，所以先进行该步骤筛选能够快速定位到不合格的产品，使得批量测试的场景、流程中效率较高。

当多通道霍尔传感器的所有通道分别输出电能信息，则证明多通道处于通路，此时再进行第二步的检测。即获取多通道霍尔传感器所包括的每个双输出感应芯片的第一测试相位差信息。一般来说，多通道霍尔传感器只要包含有双输出感应芯片，就会对有双输出感应芯片的相位差进行测试。

本发明提供的技术方案，步骤S130具体包括：

若第一测试环境下多通道霍尔传感器的所有通道输出的电能信息大于预设值，则判断第一测试环境下多通道霍尔传感器的所有通道分别输出电能信息。预设值可以是0、0.1等等，当存在某一个通道输出的电能信息不大于预设值时，则证明此时多通道霍尔传感器存在断路的通道。

获取具有相同第一维度标识所对应的两个通道的电能信息，根据所述所对应的两个通道的电能信息得到第一测试相位差信息。本发明会在所有通道输出的电能信息大于预设值时，确定具有相同第一维度标识所对应的两个通道的电能信息，所确定的两个通道的电能信息即为双输出感应芯片的两个通道输出的电能信息，此时可以根据双输出感应芯片的两个通道输出的电能信息得到相应的第一测试相位差信息，第一测试相位差信息可以是双输出感应芯片两个通道的电能信息的差值的绝对值。

步骤S140、判断第一测试相位差信息与相对应的第一标准相位差信息相比满足预设要求，则获取多通道霍尔传感器中不同感应芯片的第二测试相位差信息，若所述第二测试相位差信息与第二标准相位差信息相比满足预设要求，则输出多参数测试结果。当第一测试相位差信息与相对应的第一标准相位差信息相比满足预设要求时，则证明所有双输出感应芯片的两个通道的相位差满足要求，可以进行第三步的检测，此时需要确定单输出感应芯片与单输出感应芯片、单输出感应芯片与双输出感应芯片、双输出感应芯片与双输出感应芯片之间的第二测试相位差信息，当第二测试相位差信息满足预设要求时，此时认为在多参数的测试场景下，多通道霍尔传感器的测试结果是满足误差要求的。

本发明提供的技术方案，在一个可能的实施方式中，如图3所示，步骤S140具体包括：

步骤S1401、基于所述第一测试相位差信息以及相对应的第一标准相位差信息得到第一差值。第一测试相位差信息时在测试场景下所得到的相位差，第一标准相位差信息是在理想条件下的相位差，理想条件下的相位差可以是管理员测算得到的，可以是个额定值。通过第一测试相位差信息与相对应的第一标准相位差信息的差值可以反映出测试场景下的多通道感应芯片与理想条件下多通道感应芯片的电能信息偏差范围，第一差值越大，则电能信息偏差范围越大。

步骤S1402、若所述第一差值小于等于第一预设值，则第一测试相位差信息与相对应的第一标准相位差信息相比满足预设要求。本发明会预先设置一个第一预设值，第一预设值可以理解是该多通道霍尔传感器所能够接收的最大的电能信息偏差范围越大，当第一预设值超过第一预设值时，则相应的多通道霍尔传感器即为残次品。

本发明提供的技术方案，可以基于第二拓展功能接口接收用户输入的多通道霍尔传感器评价系数，所述多通道霍尔传感器评价系数包括霍尔传感器的精密度评价系数、每个感应芯片的精密度评价系数以及误差权重。

通过霍尔传感器的精密度评价系数可以反应出用户对于该霍尔传感器整体的精密度要求，通过每个感应芯片的精密度评价系数可以反应出用户对于每一个感应芯片的精密度要求，不同的感应芯片可以是不用的精密度要求，当霍尔传感器的精密度评价系数、每个感应芯片的精密度评价系数越高时，则相对应的第一差值就越大。误差权重是不同数量的感应芯片可能出现的误差情况，当感应芯片越多时，制造工艺越复杂，所对应的误差权重可能越小，其可以是一个小数值，用来降低计算的第一差值。

基于所述第一测试相位差信息以及相对应的第一标准相位差信息得到第一差值包括：

通过以下公式计算第一差值，

其中，

为第一差值，

为误差权重，

为霍尔传感器的精密度评价系数，

为单 输出芯片误差权重，

为第

个单输出芯片的精密度评价系数，

为单输出芯片的数量，

为单输出芯片的数量上限值，

为双输出芯片误差权重，

为第

个双输出芯片的精密度 评价系数，

为双输出芯片的数量，

为双输出芯片的数量上限值，

为第一测试相位差 信息，

为第一标准相位差信息，

为第一权重值，

为常数值。

通过

可以得到所有单输出芯片平均的精密度评价系数，通过

可以得到所有双输出芯片平均的精密度评价系数，双输出芯片误差权重

优 选大于单输出芯片误差权重

。通过

可以得到第一测试相位差信息和第一标准相 位差信息之间的距离、差值，当误差权重越小的时候，第一差值越小，当精密度评价系数越 高时，第一差值越大，通过以上的方案，可以根据多通道霍尔传感器不同的精度需求、通道 的不同数量得到相对应的第一差值，使得所计算的第一差值更适宜当前的多通道霍尔传感 器的测试场景。通过以上方式，使得所计算的第一差值会考虑到所有感应芯片的通道数量， 进而使得不同多通道霍尔传感器的第一差值的计算方式也会存在不同，提高了第一差值计 算的准确度。通过

可以反映出多通道 霍尔传感器的精密度与第一差值的关系。

本发明提供的技术方案，在一个可能的实施方式中，如图4所示，步骤S140具体包括：

步骤S1403、获取两个感应芯片的两个相应通道的第二维度标识，根据所述第二维度标识确定两个相应通道的电能信息。

本发明提供的技术方案，在多通道感应芯片的相位差满足要求后，本发明会获取两个感应芯片的两个相应通道的第二维度标识，此时的两个感应芯片可以是两个单通道感应芯片、两个双通道感应芯片、也可以是一个单通道感应芯片和一个双通道感应芯片。

当两个感应芯片都为双通道感应芯片时，则此时所确定的两个相应通道为每个双通道感应芯片中的一个感应通道；当两个感应芯片为一个双通道感应芯片、一个单通道感应芯片时，则此时确定双通道感应芯片中的一个感应通道，以及单通道感应芯片所对应的通道。

步骤S1404、将所确定的两个相应通道的电能信息进行比对得到第二测试相位差信息。本发明提供的技术方案，会将所确定的两个相应通道的电能信息进行比对，第二测试相位差信息可以是两个相应通道的电能信息的差值。

步骤S1405、基于所述第二测试相位差信息以及相对应的第二标准相位差信息得到第二差值。

本发明提供的技术方案，接收用户输入的多通道霍尔传感器评价系数，所述多通道霍尔传感器评价系数包括霍尔传感器的精密度评价系数、每个感应芯片的精密度评价系数以及误差权重。

本发明提供的技术方案，步骤S1405具体包括：

通过以下公式计算第二差值，

其中，

为第二差值，

为误差权重，

为霍尔传感器的精密度评价系数，

为第

个感应芯片的精密度评价系数，

为感应芯片的数量上限值，

为感应芯片的数量，

为第 二测试相位差信息，

为第二标准相位差信息，

为第二权重值，

为常数值。通过

可以得到所有的感应芯片的精密度评价系数的平均值，

为第二测试相 位差信息和第二标准相位差信息的差值，当

越大时，则第二差值越大，当霍尔传感 器的精密度评价系数、感应芯片的精密度评价系数越高时，第二差值也越大，即对于精密度 要求高的多通道霍尔传感器所对应的第二差值即更大。通过

可以反 映出多通道霍尔传感器的精密度与第二差值的关系。

步骤S1406、若所述第二差值小于等于第二预设值，则第二测试相位差信息与相对应的第二标准相位差信息相比满足预设要求，此时所述多参数测试结果为多通道霍尔传感器通过测试。第二差值小于等于第二预设值时，则相应的多通路霍尔传感器经过的3步测试分别满足相应的要求，此时输出多通道霍尔传感器通过测试的多参数测试结果。

本发明提供的技术方案，还包括：

若所述第一差值大于第一预设值，则获取相应的第一维度标识，对相应的第一维度标识输出。当第一差值大于第一预设值时，则此时双通路感应芯片存在为，此时对相应的第一维度标识输出，用户可以根据相应的第一维度标识确定存在误差的双通路感应芯片。

本发明提供的技术方案，还包括：

若所述第二差值大于第二预设值，则获取第二差值大于第二预设值的两个相应通道的电能信息，将第二差值大于第二预设值的两个相应通道作为第一通道和第二通道。当第二差值大于第二预设值时，则证明此时两个相应通道中存在至少一个错误的通道，此时将第二差值大于第二预设值的两个相应通道作为第一通道和第二通道。

若判断所述第一通道与其他通道所形成的第一测试相位差信息和\或第二测试相位差信息满足预设要求，则将第二通道所对应的第一维度标识和第二维度标识输出。本发明会得到第一通道与其他通道所形成的第一测试相位差信息和\或第二测试相位差信息，如果第一通道与其他通道所形成的第一测试相位差信息和\或第二测试相位差信息满足预设要求，则证明第一通道所输出的电能信息是正确的，此时即判断第二通道所输出的电能信息是错误的，此时将与第二通道对应的第一维度标识和第二维度标识输出，通过第一维度标识和第二维度标识能够确定相对应的第二通道，进而快速确定问题通道。

若判断所述第二通道与其他通道所形成的第一测试相位差信息和\或第二测试相位差信息满足预设要求，则将第一通道所对应的第一维度标识和第二维度标识输出。本发明会得到第二通道与其他通道所形成的第一测试相位差信息和\或第二测试相位差信息，如果第二通道与其他通道所形成的第一测试相位差信息和\或第二测试相位差信息满足预设要求，则证明第二通道所输出的电能信息是正确的，此时即判断第一通道所输出的电能信息是错误的，此时将与第一通道对应的第一维度标识和第二维度标识输出，通过第一维度标识和第二维度标识能够确定相对应的第一通道，进而快速确定问题通道。

在多通道霍尔传感器中，可能会存在某一个通道与其他1个通道存在相位差，也可能是某一个通道与其他2个通道存在相位差，所以本发明在确定第一通道和第二通道后，会将与其他2个通道存在相位差的第一通道或第二通道进行判断，实现问题通道的快速确定。

若判断所述第一通道与其他通道所形成的第一测试相位差信息和\或第二测试相位差信息、第二通道与其他通道所形成的第一测试相位差信息和\或第二测试相位差信息均不满足预设要求，则将第一通道和第二通道分别所对应的第一维度标识和第二维度标识输出。如果第一通道与其他通道所形成的第一测试相位差信息和\或第二测试相位差信息、第二通道与其他通道所形成的第一测试相位差信息和\或第二测试相位差信息均不满足预设要求，则证明此时第一通道和第二通道可能都出现问题，此时将第一通道和第二通道分别所对应的第一维度标识和第二维度标识输出。

通过以上的技术方案，可以根据每个第一通道和第二通道的不同场景，快速确定问题通道，方便快捷、效率较高。

本发明还提供一种存储介质，所述存储介质中存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时用于实现上述的各种实施方式提供的方法。

其中，存储介质可以是计算机存储介质，也可以是通信介质。通信介质包括便于从一个地方向另一个地方传送计算机程序的任何介质。计算机存储介质可以是通用或专用计算机能够存取的任何可用介质。例如，存储介质耦合至处理器，从而使处理器能够从该存储介质读取信息，且可向该存储介质写入信息。当然，存储介质也可以是处理器的组成部分。处理器和存储介质可以位于专用集成电路(Application Specific IntegratedCircuits，简称：ASIC)中。另外，该ASIC可以位于用户设备中。当然，处理器和存储介质也可以作为分立组件存在于通信设备中。存储介质可以是只读存储器（ROM）、随机存取存储器（RAM）、CD-ROM、磁带、软盘和光数据存储设备等。

本发明还提供一种程序产品，该程序产品包括执行指令，该执行指令存储在存储介质中。设备的至少一个处理器可以从存储介质读取该执行指令，至少一个处理器执行该执行指令使得设备实施上述的各种实施方式提供的方法。

在上述终端或者服务器的实施例中，应理解，处理器可以是中央处理单元（英文：Central Processing Unit，简称：CPU），还可以是其他通用处理器、数字信号处理器（英文：Digital Signal Processor，简称：DSP）、专用集成电路（英文：Application SpecificIntegrated Circuit，简称：ASIC）等。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等。结合本发明所公开的方法的步骤可以直接体现为硬件处理器执行完成，或者用处理器中的硬件及软件模块组合执行完成。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种带扩展功能的多通道霍尔传感器多参数测试方法，其特征在于，包括控制器以及与所述控制器分别连接的温度控制装置和磁场控制装置，所述温度控制装置和磁场控制装置用于控制多通道霍尔传感器所处环境的温度和磁场，所述控制器分别连接有第一拓展功能接口和第二拓展功能接口，通过以下步骤进行测试，包括：

基于第一拓展功能接口接收第一测试环境参数，控制器基于所述第一测试环境参数控制所述温度控制装置和磁场控制装置构建第一测试环境，所述第一测试环境参数包括第一温度参数和第一磁场参数；

基于第二拓展功能接口接收标准相位差值数据，所述标准相位差值数据包括第一标准相位差信息和/或第二标准相位差信息，所述第一标准相位差信息为双输出感应芯片的标准相位差，所述第二标准相位差信息为不同感应芯片之间的标准相位差；

判断在第一测试环境下多通道霍尔传感器的所有通道分别输出电能信息，则获取多通道霍尔传感器所包括的每个双输出感应芯片的第一测试相位差信息；

判断第一测试相位差信息与相对应的第一标准相位差信息相比满足预设要求，则获取多通道霍尔传感器中不同感应芯片的第二测试相位差信息，若所述第二测试相位差信息与第二标准相位差信息相比满足预设要求，则输出多参数测试结果。

2.根据权利要求1所述的带扩展功能的多通道霍尔传感器多参数测试方法，其特征在于，

基于第一拓展功能接口接收第一测试环境参数，控制器基于所述第一测试环境参数控制所述温度控制装置和磁场控制装置构建第一测试环境，所述第一测试环境参数包括第一温度参数和第一磁场参数包括：

控制器获取所述第一温度参数，基于所述温度控制装置改变多通道霍尔传感器所处的温度直至第一温度参数；

控制器获取所述第一磁场参数，基于所述温度控制装置改变多通道霍尔传感器所处的磁场强度直至第一磁场参数。

3.根据权利要求1所述的带扩展功能的多通道霍尔传感器多参数测试方法，其特征在于，

基于第二拓展功能接口接收标准相位差值数据，所述标准相位差值数据包括第一标准相位差信息和/或第二标准相位差信息，所述第一标准相位差信息为双输出感应芯片的标准相位差，所述第二标准相位差信息为不同感应芯片之间的标准相位差包括：

所述标准相位差值数据包括多通道霍尔传感器中每个通道的第一维度标识和第二维度标识，所述第一维度标识为相应通道属于双输出感应芯片或单输出感应芯片中的任意一个，所述第二维度标识为相应通道的通道身份标识；

获取标准相位差值数据中具有相同第一维度标识的两个相应通道的标准相位差得到第一标准相位差信息，所述第一标准相位差信息至少包括第一维度标识；

获取标准相位差值数据中具有不同第一维度标识的两个相应通道的标准相位差得到第二标准相位差信息，所述第二标准相位差信息至少包括两个相应通道的第二维度标识。

4.根据权利要求3所述的带扩展功能的多通道霍尔传感器多参数测试方法，其特征在于，

判断在第一测试环境下多通道霍尔传感器的所有通道分别输出电能信息，则获取多通道霍尔传感器所包括的每个双输出感应芯片的第一测试相位差信息包括：

若第一测试环境下多通道霍尔传感器的所有通道输出的电能信息大于预设值，则判断第一测试环境下多通道霍尔传感器的所有通道分别输出电能信息；

获取具有相同第一维度标识所对应的两个通道的电能信息，根据所述所对应的两个通道的电能信息得到第一测试相位差信息。

5.根据权利要求3所述的带扩展功能的多通道霍尔传感器多参数测试方法，其特征在于，

判断第一测试相位差信息与相对应的第一标准相位差信息相比满足预设要求包括：

基于所述第一测试相位差信息以及相对应的第一标准相位差信息得到第一差值；

若所述第一差值小于等于第一预设值，则第一测试相位差信息与相对应的第一标准相位差信息相比满足预设要求。

6.根据权利要求5所述的带扩展功能的多通道霍尔传感器多参数测试方法，其特征在于，

获取多通道霍尔传感器中不同感应芯片的第二测试相位差信息，若所述第二测试相位差信息与第二标准相位差信息相比满足预设要求，则输出多参数测试结果包括：

获取两个感应芯片的两个相应通道的第二维度标识，根据所述第二维度标识确定两个相应通道的电能信息；

将所确定的两个相应通道的电能信息进行比对得到第二测试相位差信息；

基于所述第二测试相位差信息以及相对应的第二标准相位差信息得到第二差值；

若所述第二差值小于等于第二预设值，则第二测试相位差信息与相对应的第二标准相位差信息相比满足预设要求，此时所述多参数测试结果为多通道霍尔传感器通过测试。

7.根据权利要求5所述的带扩展功能的多通道霍尔传感器多参数测试方法，其特征在于，还包括：

若所述第一差值大于第一预设值，则获取相应的第一维度标识，对相应的第一维度标识输出。

8.根据权利要求6所述的带扩展功能的多通道霍尔传感器多参数测试方法，其特征在于，还包括：

若所述第二差值大于第二预设值，则获取第二差值大于第二预设值的两个相应通道的电能信息，将第二差值大于第二预设值的两个相应通道做为第一通道和第二通道；

若判断所述第一通道与其他通道所形成的第一测试相位差信息和\或第二测试相位差信息满足预设要求，则将第二通道所对应的第一维度标识和第二维度标识输出；

若判断所述第二通道与其他通道所形成的第一测试相位差信息和\或第二测试相位差信息满足预设要求，则将第一通道所对应的第一维度标识和第二维度标识输出；

若判断所述第一通道与其他通道所形成的第一测试相位差信息和\或第二测试相位差信息、第二通道与其他通道所形成的第一测试相位差信息和\或第二测试相位差信息均不满足预设要求，则将第一通道和第二通道分别所对应的第一维度标识和第二维度标识输出。

9.根据权利要求5所述的带扩展功能的多通道霍尔传感器多参数测试方法，其特征在于，

接收用户输入的多通道霍尔传感器评价系数，所述多通道霍尔传感器评价系数包括霍尔传感器的精密度评价系数、每个感应芯片的精密度评价系数以及误差权重；

基于所述第一测试相位差信息以及相对应的第一标准相位差信息得到第一差值包括：

通过以下公式计算第一差值，

其中，

为第一差值，

为误差权重，

为霍尔传感器的精密度评价系数，

为单输出 芯片误差权重，

为第

个单输出芯片的精密度评价系数，

为单输出芯片的数量，

为单 输出芯片的数量上限值，

为双输出芯片误差权重，

为第

个双输出芯片的精密度评价 系数，

为双输出芯片的数量，

为双输出芯片的数量上限值，

为第一测试相位差信息，

为第一标准相位差信息，

为第一权重值，

为常数值。

10.根据权利要求6所述的带扩展功能的多通道霍尔传感器多参数测试方法，其特征在于，

接收用户输入的多通道霍尔传感器评价系数，所述多通道霍尔传感器评价系数包括霍尔传感器的精密度评价系数、每个感应芯片的精密度评价系数以及误差权重；

基于所述第二测试相位差信息以及相对应的第二标准相位差信息得到第二差值包括：

通过以下公式计算第二差值，

其中，

为第二差值，

为误差权重，

为霍尔传感器的精密度评价系数，

为第

个感 应芯片的精密度评价系数，

为感应芯片的数量上限值，

为感应芯片的数量，

为第二测 试相位差信息，

为第二标准相位差信息，

为第二权重值，

为常数值。

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