CN114459525B - 适用于霍尔传感器的校准方法、装置及存储介质 - Google Patents

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CN114459525B CN202210384310.2A CN202210384310A CN114459525B CN 114459525 B CN114459525 B CN 114459525B CN 202210384310 A CN202210384310 A CN 202210384310A CN 114459525 B CN114459525 B CN 114459525B
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Abstract

本发明提供一种适用于霍尔传感器的校准方法、装置及存储介质，包括：选取一基准霍尔传感器，对基准霍尔传感器进行校准，获取校准后的基准霍尔传感器在多个第一预设温度下的第一电能信息集合；选取一待测霍尔传感器，确定待测霍尔传感器在目标温度下的第二电能信息集合；选取目标温度下的第一电能信息集合，将目标温度下的第二电能信息集合与第一电能信息集合比较生成电能变化率集合；选取多个第一预设温度中与目标温度信息不同的第一预设温度作为第二预设温度；基于电能变化率集合、第一预设温度对应的第一电能信息集合对待测霍尔传感器校准生成多个第二电能信息集合，第二电能信息集合包括多个相同温度下不同磁场的第二电能信息。

Description

适用于霍尔传感器的校准方法、装置及存储介质
技术领域
本发明涉及霍尔传感器技术领域，尤其涉及一种适用于霍尔传感器的校准方法、装置及存储介质。
背景技术
随着时代的发展、科技的逐渐进步，在对于霍尔传感器的检测精度上要求越来越严格。传感器的检测精度，一方面取决于其制造工艺，另外方面是取决于其校准的精准度。
一般来说，会存在以下几种校准模式：
校准模式1：在对于霍尔传感器精度要求不高的场景下，对某一个型号、类型的霍尔传感器进行一次集中的校准得到所有霍尔传感器统一相对应的校准对应表，即在不同温度、不同磁场强度下输出不同的电流，后续再次依照同样的工艺所生产的霍尔传感器即按照相应的校准对应表进行数据的对应，该种方式具有霍尔传感器出厂效率高的优势。
校准模式2：在对于霍尔传感器精度要求较高的场景下，对某一个型号、类型的霍尔传感器在每出厂一个时需要进行单独的校准得到每一个霍尔传感器分别对应的校准对应表，即在不同温度、不同磁场强度下输出不同的电流，该种方式具有霍尔传感器出厂时校准精准的优势，但是效率较低。
所以，亟需一种既能够保障霍尔传感器校准精度的同时，还能够提高霍尔传感器的出厂效率。
发明内容
本发明实施例提供一种适用于霍尔传感器的校准方法、装置及存储介质，在对霍尔传感器进行批量的校准时，能够在保障霍尔传感器校准精度的前提下，快速对霍尔传感器进行批量的校准，提高了霍尔传感器的出厂效率。
本发明实施例的第一方面，提供一种适用于霍尔传感器的校准方法，包括：
选取一基准霍尔传感器，对所述基准霍尔传感器进行校准，获取校准后的基准霍尔传感器在多个第一预设温度下的第一电能信息集合，每个预设温度对应一个第一电能信息集合，所述第一电能信息集合包括多个相同温度下不同磁场的第一电能信息；
选取一待测霍尔传感器，确定待测霍尔传感器在目标温度下的第二电能信息集合，所述第二电能信息集合包括多个目标温度下不同磁场的第二电能信息；
选取目标温度下的第一电能信息集合，将目标温度下的第二电能信息集合与第一电能信息集合比较生成电能变化率集合；
选取多个第一预设温度中与目标温度信息不同的第一预设温度作为第二预设温度；
基于所述电能变化率集合、第一预设温度对应的第一电能信息集合对待测霍尔传感器校准生成每个第二预设温度所对应的多个第二电能信息集合，所述第二电能信息集合包括多个相同温度下不同磁场的第二电能信息。
可选地，在第一方面的一种可能实现方式中，选取一基准霍尔传感器，对所述基准霍尔传感器进行校准，获取校准后的基准霍尔传感器在多个第一预设温度下的第一电能信息集合，每个预设温度对应一个第一电能信息集合，所述第一电能信息集合包括多个相同温度下不同磁场的第一电能信息包括：
根据第一选取信息选定一基准霍尔传感器；
获取在测试场景中基准霍尔传感器处于不同温度下所对应的基础电能信息集合
Figure 5031DEST_PATH_IMAGE001
，其中，
Figure 476464DEST_PATH_IMAGE002
为第
Figure 203112DEST_PATH_IMAGE003
个第一预设温度下的基础电能信息集合，
Figure 836218DEST_PATH_IMAGE004
为第
Figure 546685DEST_PATH_IMAGE003
个温度下第1个磁场强度下的电能信息，
Figure 352967DEST_PATH_IMAGE005
为第
Figure 199701DEST_PATH_IMAGE003
个第一预设温度下的第2个磁场强度下的 电能信息，
Figure 3708DEST_PATH_IMAGE006
为第
Figure 935892DEST_PATH_IMAGE003
个第一预设温度下的第
Figure 247663DEST_PATH_IMAGE007
个磁场强度下的电能信息；
接收用户的校准信息，基于所述校准信息对基础电能信息集合
Figure 11219DEST_PATH_IMAGE008
进行校准调整得到第一电能信息集合
Figure 986129DEST_PATH_IMAGE009
，其中，
Figure 671188DEST_PATH_IMAGE010
为第
Figure 756956DEST_PATH_IMAGE003
个第一预设温度 下的第一电能信息集合，
Figure 578281DEST_PATH_IMAGE011
为第
Figure 520829DEST_PATH_IMAGE003
个温度下第1个磁场强度下的电能信息，
Figure 427605DEST_PATH_IMAGE012
为第
Figure 582643DEST_PATH_IMAGE003
个第一 预设温度下的第2个磁场强度下的电能信息，
Figure 992896DEST_PATH_IMAGE013
为第
Figure 73722DEST_PATH_IMAGE003
个第一预设温度下的第
Figure 264532DEST_PATH_IMAGE007
个磁场强度 下的电能信息。
可选地，在第一方面的一种可能实现方式中，选取一待测霍尔传感器，确定待测霍尔传感器在目标温度下的第二电能信息集合，所述第二电能信息集合包括多个目标温度下不同磁场的第二电能信息包括：
根据第二选取信息选定一待测霍尔传感器；
获取在测试场景中待测霍尔传感器处于目标温度下所对应的第二电能信息集合
Figure 957682DEST_PATH_IMAGE014
，其中，
Figure 488020DEST_PATH_IMAGE015
为目标温度下的第二电能信息集合，
Figure 241212DEST_PATH_IMAGE016
为目标温度下第 1个磁场强度下的电能信息，
Figure 653739DEST_PATH_IMAGE017
为目标温度下第2个磁场强度下的电能信息，
Figure 150580DEST_PATH_IMAGE018
为目标温 度下的第
Figure 801004DEST_PATH_IMAGE007
个磁场强度下的电能信息。
可选地，在第一方面的一种可能实现方式中，选取目标温度下的第一电能信息集合，将目标温度下的第二电能信息集合与第一电能信息集合比较生成电能变化率集合包括：
确定多个第一电能信息集合中目标温度下的第一电能信息集合
Figure 459518DEST_PATH_IMAGE019
，
将第一电能信息集合和第二电能信息集合比对，获取第一电能信息集合和第二电能信息集合在每个磁场强度下的磁场变化率；
统计所有磁场强度下的磁场变化率生成电能变化率集合。
可选地，在第一方面的一种可能实现方式中，将第一电能信息集合和第二电能信息集合比对，获取第一电能信息集合和第二电能信息集合在每个磁场强度下的磁场变化率包括：
通过以下公式得到每个磁场强度下的磁场变化率，
Figure 828183DEST_PATH_IMAGE020
其中，
Figure 361670DEST_PATH_IMAGE021
为第
Figure 866601DEST_PATH_IMAGE007
个磁场强度下的磁场变化率，
Figure 961596DEST_PATH_IMAGE022
为第
Figure 551977DEST_PATH_IMAGE007
个磁场强度下的磁场权重 值。
可选地，在第一方面的一种可能实现方式中，还包括：
若判断所述磁场变化率的绝对值大于阈值变化率，则生成第一标记；
在对第一数量的待测霍尔传感器完成校准后，统计所有第一标记的数量得到第二数量；
基于所述第一数量、第二数量、磁场变化率以及阈值变化率生成评价画像，对所述评价画像输出；
通过以下公式得到相应霍尔传感器的评价画像，
Figure 187358DEST_PATH_IMAGE023
其中，
Figure 812374DEST_PATH_IMAGE024
为霍尔传感器的评价画像，
Figure 78270DEST_PATH_IMAGE025
为第一数量，
Figure 890369DEST_PATH_IMAGE026
为第二数量，
Figure 267123DEST_PATH_IMAGE027
为第一系数 权重值，
Figure 543384DEST_PATH_IMAGE028
为第二系数权重值，
Figure 478716DEST_PATH_IMAGE029
为第
Figure 778111DEST_PATH_IMAGE030
个磁场强度下的磁场变化率，
Figure 958556DEST_PATH_IMAGE031
为阈值变化率，
Figure 558165DEST_PATH_IMAGE032
为 磁场强度的上限值，
Figure 962602DEST_PATH_IMAGE033
为画像权重值。
可选地，在第一方面的一种可能实现方式中，还包括：
接收用户输入的画像数据，所述画像数据为用户对评价画像进行修改后所得到的评价画像；
通过以下公式对画像权重值进行更新，
Figure 483713DEST_PATH_IMAGE034
其中，
Figure 467849DEST_PATH_IMAGE035
为修改后的评价画像，
Figure 718702DEST_PATH_IMAGE036
为更新后的画像权重值，
Figure 497302DEST_PATH_IMAGE037
为基础常数值，
Figure 771289DEST_PATH_IMAGE038
为归 一化值，
Figure 792072DEST_PATH_IMAGE039
为正向权重值，
Figure 835114DEST_PATH_IMAGE040
为负向权重值。
可选地，在第一方面的一种可能实现方式中，基于所述电能变化率集合、第一预设温度对应的第一电能信息集合对待测霍尔传感器校准生成每个第二预设温度所对应的多个第二电能信息集合，所述第二电能信息集合包括多个相同温度下不同磁场的第二电能信息包括：
选取第
Figure 784616DEST_PATH_IMAGE041
个第一预设温度的第一电能信息集合
Figure 608215DEST_PATH_IMAGE042
，其中，
Figure 668575DEST_PATH_IMAGE043
为 第
Figure 831703DEST_PATH_IMAGE041
个第一预设温度下的第一电能信息集合，
Figure 952106DEST_PATH_IMAGE043
为第
Figure 997423DEST_PATH_IMAGE041
个温度下第1个磁场强度下的电能 信息，
Figure 861473DEST_PATH_IMAGE044
为第
Figure 144687DEST_PATH_IMAGE041
个第一预设温度下的第2个磁场强度下的电能信息，
Figure 668947DEST_PATH_IMAGE045
为第
Figure 201560DEST_PATH_IMAGE041
个第一预设 温度下的第
Figure 869301DEST_PATH_IMAGE007
个磁场强度下的电能信息；
通过以下公式得到第
Figure 7022DEST_PATH_IMAGE041
个第二电能信息集合中每个磁场强度下的电能信息，
Figure DEST_PATH_IMAGE046
其中，
Figure 672489DEST_PATH_IMAGE047
为第
Figure 895660DEST_PATH_IMAGE041
个第二预设温度的第二电能信息集合中第
Figure 163831DEST_PATH_IMAGE048
个磁场强度下的电能 信息，
Figure 156057DEST_PATH_IMAGE049
为第
Figure 523585DEST_PATH_IMAGE041
个第一电能信息集合中第一电能信息集合中第
Figure 756024DEST_PATH_IMAGE048
个磁场强度下的电能信 息，
Figure 562306DEST_PATH_IMAGE050
为第
Figure 409040DEST_PATH_IMAGE048
个磁场强度下的磁场变化率，
Figure 478627DEST_PATH_IMAGE051
为第
Figure 145232DEST_PATH_IMAGE052
个第二预设温度的温度权重值；
统计第
Figure 755204DEST_PATH_IMAGE041
个第二预设温度的第二电能信息集合中所有的电能信息生成第二电能 信息集合
Figure 456444DEST_PATH_IMAGE053
。
本发明实施例的第二方面，提供一种适用于霍尔传感器的校准装置，包括：
基准信息获取模块，用于选取一基准霍尔传感器，对所述基准霍尔传感器进行校准，获取校准后的基准霍尔传感器在多个第一预设温度下的第一电能信息集合，每个预设温度对应一个第一电能信息集合，所述第一电能信息集合包括多个相同温度下不同磁场的第一电能信息；
待测信息获取模块，用于选取一待测霍尔传感器，确定待测霍尔传感器在目标温度下的第二电能信息集合，所述第二电能信息集合包括多个目标温度下不同磁场的第二电能信息；
信息比较模块，用于选取目标温度下的第一电能信息集合，将目标温度下的第二电能信息集合与第一电能信息集合比较生成电能变化率集合；
温度选取模块，用于选取多个第一预设温度中与目标温度信息不同的第一预设温度作为第二预设温度；
校准模块，用于基于所述电能变化率集合、第一预设温度对应的第一电能信息集合对待测霍尔传感器校准生成每个第二预设温度所对应的多个第二电能信息集合，所述第二电能信息集合包括多个相同温度下不同磁场的第二电能信息。
本发明实施例的第三方面，提供一种存储介质，所述存储介质中存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时用于实现本发明第一方面及第一方面各种可能设计的所述方法。
本发明提供的一种适用于霍尔传感器的校准方法、装置及存储介质。在对某一个批次的霍尔传感器进行校对时，会选取一个基准霍尔传感器，将基准霍尔传感器的校准后的第一电能信息集合作为基准，选取待测霍尔传感器在某一个温度下、不同磁场中的第二电能信息集合，将相同温度下的第一电能信息集合和第二电能信息集合进行比对，此时即可以得到待测霍尔传感器相较于基准霍尔传感器的磁场变化率，由于霍尔传感器随着温度的变化其输出的电压信息也是相似、相同的，所以本发明可以将某一个温度下待测霍尔传感器相较于基准霍尔传感器的电能变化率作为所有温度下待测霍尔传感器相较于基准霍尔传感器的电能变化率，进而根据不同温度的第一电能信息集合得到不同温度的第一电能信息集合，此时所得到的第一电能信息集合考虑到了待测霍尔传感器与基准霍尔传感器的电能变化区别，使得此时所得到的第二电能信息集合中每个第二电能信息集合都较为准确。在本发明提供的技术方案中，无需对待测霍尔传感器在每个温度下都对其电能信息进行测试校准，可以根据电能变化率、基准霍尔传感器的第一电能信息确定相对应的第二电能信息，节省了测试的步骤，在保障待测霍尔传感器校准精确度的同时，提高了待测霍尔传感器的校准效率。
本发明提供的技术方案，会得到每个待测霍尔传感器相较于基准霍尔传感器的磁场变化率，并且根据磁场变化率与阈值变化率的关系生成评价画像，使得本发明提供的技术方案不仅能够对待测霍尔传感器进行校准，并且在对待测霍尔传感器进行校准时，会对待测霍尔传感器的磁场变化率与阈值变化率的关系进行记录，根据该批次霍尔传感器的磁场变化率与阈值变化率生成评价画像。使得管理者可以根据评价画像了解该批次霍尔传感器的制造工艺精准度。并且，本发明可以根据用户的主动输入对画像权重值进行更新，使得本发明能够采取主动学习的方式，对计算评价画像的公式进行持续更新，提高了评价画像计算的准确度。
附图说明
图1为适用于霍尔传感器的校准方法的第一种实施方式的流程图；
图2为适用于霍尔传感器的校准方法的第二种实施方式的流程图；
图3为适用于霍尔传感器的校准装置的第一种实施方式的结构图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”“第四”等（如果存在）是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。
应当理解，在本发明的各种实施例中，各过程的序号的大小并不意味着执行顺序的先后，各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定，而不应对本发明实施例的实施过程构成任何限定。
应当理解，在本发明中，“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
应当理解，在本发明中，“多个”是指两个或两个以上。“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。字符“/”一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。“包含A、B和C”、“包含A、B、C”是指A、B、C三者都包含，“包含A、B或C”是指包含A、B、C三者之一，“包含A、B和/或C”是指包含A、B、C三者中任1个或任2个或3个。
应当理解，在本发明中，“与A对应的B”、“与A相对应的B”、“A与B相对应”或者“B与A相对应”，表示B与A相关联，根据A可以确定B。根据A确定B并不意味着仅仅根据A确定B，还可以根据A和/或其他信息确定B。A与B的匹配，是A与B的相似度大于或等于预设的阈值。
取决于语境，如在此所使用的“若”可以被解释成为“在……时”或“当……时”或“响应于确定”或“响应于检测”。
下面以具体地实施例对本发明的技术方案进行详细说明。下面这几个具体的实施例可以相互结合，对于相同或相似的概念或过程可能在某些实施例不再赘述。
本发明提供一种适用于霍尔传感器的校准方法，如图1所示，包括：
步骤S110、选取一基准霍尔传感器，对所述基准霍尔传感器进行校准，获取校准后的基准霍尔传感器在多个第一预设温度下的第一电能信息集合，每个预设温度对应一个第一电能信息集合，所述第一电能信息集合包括多个相同温度下不同磁场的第一电能信息。本发明在进行霍尔传感器校准时，可以对同一个批次、同一个型号的所有霍尔传感器进行校准，第一预设温度可以是零下十度、零上十度等等。
本发明提供的技术方案，步骤S110具体包括：
根据第一选取信息选定一基准霍尔传感器。在确定基准霍尔传感器时，可以是根据用户的第一选取信息进行基准霍尔传感器的选取，基准霍尔传感器可以是校准人员认为制造精度较高的霍尔传感器。
获取在测试场景中基准霍尔传感器处于不同温度下所对应的基础电能信息集合
Figure 696933DEST_PATH_IMAGE008
，其中，
Figure 850833DEST_PATH_IMAGE054
为第
Figure 202180DEST_PATH_IMAGE003
个第一预设温度下的基础电能信息集合，
Figure 820244DEST_PATH_IMAGE004
为第
Figure 730168DEST_PATH_IMAGE003
个 温度下第1个磁场强度下的电能信息，
Figure 371365DEST_PATH_IMAGE005
为第
Figure 526403DEST_PATH_IMAGE003
个第一预设温度下的第2个磁场强度下的电 能信息，
Figure 202235DEST_PATH_IMAGE006
为第
Figure 581264DEST_PATH_IMAGE003
个第一预设温度下的第
Figure 975336DEST_PATH_IMAGE007
个磁场强度下的电能信息。
本发明提供的技术方案，可以首先通过测试场景对基准霍尔传感器在不同温度 下，不同磁场强度时所处的电能信息，公开号为CN107797080A的中国专利公开了一种采用 NMR设备实现霍尔传感器校准标定的方法，可以通过以上的技术方案实现测试场景的构建， 得到基准霍尔传感器处于不同温度下所对应的基础电能信息集合
Figure 402906DEST_PATH_IMAGE008
，在 每个温度下，不同强度的磁场下会具有不同的基础电能信息。
通过以上的技术方案，可以得到基准霍尔传感器不同温度下、不同强度的磁场时所输出的不同的基础电能信息。
接收用户的校准信息，基于所述校准信息对基础电能信息集合
Figure 198824DEST_PATH_IMAGE008
进行校准调整得到第一电能信息集合
Figure 686437DEST_PATH_IMAGE009
，其中，
Figure 364543DEST_PATH_IMAGE010
为第
Figure 359919DEST_PATH_IMAGE003
个第一预设温度 下的第一电能信息集合，
Figure 744764DEST_PATH_IMAGE011
为第
Figure 668857DEST_PATH_IMAGE003
个温度下第1个磁场强度下的电能信息，
Figure 568680DEST_PATH_IMAGE012
为第
Figure 603632DEST_PATH_IMAGE003
个第一 预设温度下的第2个磁场强度下的电能信息，
Figure 374142DEST_PATH_IMAGE013
为第
Figure 469137DEST_PATH_IMAGE003
个第一预设温度下的第
Figure 793939DEST_PATH_IMAGE007
个磁场强度 下的电能信息。
本发明在得到不同温度下的基础电能信息集合后，也需要对基础电能信息集合进 行校准，校准操作可以是根据计量、测算直接将电能信息
Figure 632582DEST_PATH_IMAGE004
修改为电能信息
Figure 54336DEST_PATH_IMAGE011
，也可以是 预先设置不同的倍率，将电能信息
Figure 818768DEST_PATH_IMAGE004
乘相应的倍率得到电能信息
Figure 896445DEST_PATH_IMAGE011
。在某种情况下，如果 认为基础电能信息集合较为准确，可以不对基础电能信息集合进行校准，则此时校准信息 可以为0，此时第一电能信息集合
Figure 7621DEST_PATH_IMAGE009
可以与基础电能信息集合
Figure 487144DEST_PATH_IMAGE008
相同。
通过以上的技术方案，使得本发明可以得到基准霍尔传感器在不同温度下，不同磁场强度时的电能信息，此时的电能信息可以看做是基准，根据基准霍尔传感器的电能信息确定待测霍尔传感器的电能信息。
步骤S120、选取一待测霍尔传感器，确定待测霍尔传感器在目标温度下的第二电能信息集合，所述第二电能信息集合包括多个目标温度下不同磁场的第二电能信息。待测霍尔传感器可以是多个，本发明在对待测霍尔传感器进行校准时，可以是通过多个设备对多个不同的霍尔传感器并行处理、校准的。目标温度可以是零下十度，即此时需要通过设备对待测霍尔传感器在目标温度下进行测试得到第二电能信息集合，此时的第二电能信息集合可以是经过校准后的第二电能信息集合，此时的第二电能信息集合只存在一个，第二电能信息集合即在目标温度下待测霍尔传感器在所有磁场强度分别对应的电能信息。磁场强度可以是预先设置的，可以包括多个磁场强度点，对于磁场强度点强度点本发明不做任何限定。
本发明提供的技术方案，步骤S120具体包括：
根据第二选取信息选定一待测霍尔传感器。本发明提供的技术方案，会根据用户的选择确定第二选取信息，第二选取信息为选定一个待测霍尔传感器，每个待测霍尔传感器、基准霍尔传感器分别具有与其对应的身份标识。
获取在测试场景中待测霍尔传感器处于目标温度下所对应的第二电能信息集合
Figure 923941DEST_PATH_IMAGE014
，其中，
Figure 285652DEST_PATH_IMAGE015
为目标温度下的第二电能信息集合，
Figure 466098DEST_PATH_IMAGE016
为目标温度下第 1个磁场强度下的电能信息，
Figure 534548DEST_PATH_IMAGE017
为目标温度下第2个磁场强度下的电能信息，
Figure 142247DEST_PATH_IMAGE018
为目标温 度下的第
Figure 693052DEST_PATH_IMAGE007
个磁场强度下的电能信息。在选定某一个待测霍尔传感器后，本发明会对待测 霍尔传感器进行测试，得到待测霍尔传感器处于目标温度下所对应的第二电能信息集合
Figure 677188DEST_PATH_IMAGE014
。
步骤S130、选取目标温度下的第一电能信息集合，将目标温度下的第二电能信息集合与第一电能信息集合比较生成电能变化率集合。本发明提供的技术方案，会将目标温度下的第二电能信息集合与第一电能信息集合比较进行比较，目标温度下的第二电能信息集合和第一电能信息集合都是进行人工校准后的电能信息，此时本发明会根据目标温度下的第二电能信息集合与第一电能信息集合比较生成电能变化率集合，通过电能变化率集合能够反映出基准霍尔传感器和待测霍尔传感器之间的磁场变化率关系。
本发明提供的技术方案，步骤S130具体包括：
确定多个第一电能信息集合中目标温度下的第一电能信息集合
Figure 662462DEST_PATH_IMAGE019
。
将第一电能信息集合和第二电能信息集合比对，获取第一电能信息集合和第二电能信息集合在每个磁场强度下的磁场变化率。本发明会将相同磁场强度下第一电能信息集合中的电能信息与第二电能信息集合中的电能信息进行比对，进而得到第一电能信息集合和第二电能信息集合在每个磁场强度下的磁场变化率，每个磁场强度下的磁场变化率能够反映出在该磁场环境、条件下待测霍尔传感器与基准霍尔传感器之间的磁场变化、电能比率关系。
统计所有磁场强度下的磁场变化率生成电能变化率集合。本发明会统计所有磁场强度下的磁场变化率生成电能变化率集合，通过电能变化率集合能够反映出所有磁场强度，每个磁场强度时待测霍尔传感器与基准霍尔传感器之间的磁场变化、电能比率关系。
本发明提供的技术方案，将第一电能信息集合和第二电能信息集合比对，获取第一电能信息集合和第二电能信息集合在每个磁场强度下的磁场变化率包括：
通过以下公式得到每个磁场强度下的磁场变化率，
Figure 441062DEST_PATH_IMAGE055
其中，
Figure 715049DEST_PATH_IMAGE021
为第
Figure 237297DEST_PATH_IMAGE007
个磁场强度下的磁场变化率，
Figure 545918DEST_PATH_IMAGE022
为第
Figure 495420DEST_PATH_IMAGE007
个磁场强度下的磁场权重 值。
磁场权重值可以是预先设置的，不同的磁场强度下可能会具有不同的磁场权重 值，磁场权重值可以是根据磁强长度的增强逐渐增大。通过
Figure 522282DEST_PATH_IMAGE056
可以反应出在第
Figure 379379DEST_PATH_IMAGE007
个磁场强 度下第一电能信息集合中的电能信息
Figure 41043DEST_PATH_IMAGE057
与第二电能信息集合中的电能信息
Figure 161445DEST_PATH_IMAGE018
之间的关 系，当电能信息
Figure 410024DEST_PATH_IMAGE018
大于电能信息
Figure 274075DEST_PATH_IMAGE057
时，则
Figure 354026DEST_PATH_IMAGE021
大于1，此时第二电能信息集合中的电能信息
Figure 645330DEST_PATH_IMAGE018
相较于第一电能信息集合中的电能信息
Figure 381205DEST_PATH_IMAGE057
具有增加的趋势；当电能信息
Figure 783368DEST_PATH_IMAGE018
小于电能 信息
Figure 921088DEST_PATH_IMAGE057
时，则
Figure 147408DEST_PATH_IMAGE021
小于1，此时第二电能信息集合中的电能信息
Figure 370579DEST_PATH_IMAGE018
相较于第一电能信息集合 中的电能信息
Figure 576432DEST_PATH_IMAGE057
具有减少的趋势。
通过以上的方案，可以得到每个磁场强度下的磁场变化率，进而得到相应的电能变化率集合。
步骤S140、选取多个第一预设温度中与目标温度信息不同的第一预设温度作为第二预设温度。本发明提供的技术方案，第一预设温度即为霍尔传感器所需要进行校准的所有温度，目标温度信息时待测霍尔传感器经过实际测试、校准的温度，此时本发明需要选取待测霍尔传感器没有经过实际测试、校准的温度，例如说第一预设温度包括零下10度、零上10度、零上30度，目标温度信息为零下10度，则此时第二预设温度即包括了零上10度和零上30度。
步骤S150、基于所述电能变化率集合、第一预设温度对应的第一电能信息集合对待测霍尔传感器校准生成每个第二预设温度所对应的多个第二电能信息集合，所述第二电能信息集合包括多个相同温度下不同磁场的第二电能信息。本发明提供的技术方案，会对待测霍尔传感器在每个第二预设温度下的第二电能信息集合进行预测，预测结果是根据电能变化率集合、第一预设温度对应的第一电能信息集合得到的，由于相同的两个传感器，在不同的温度下，其电能变化率是相同、相似的，所以本发明会根据相同温度下的电能变化率集合来确定其他温度时的第二电能信息集合。
本发明提供的技术方案，步骤S150具体包括：
选取第
Figure 303080DEST_PATH_IMAGE041
个第一预设温度的第一电能信息集合
Figure 201765DEST_PATH_IMAGE042
，其中，
Figure 708970DEST_PATH_IMAGE043
为 第
Figure 452935DEST_PATH_IMAGE041
个第一预设温度下的第一电能信息集合，
Figure 565248DEST_PATH_IMAGE043
为第
Figure 103676DEST_PATH_IMAGE041
个温度下第1个磁场强度下的电能 信息，
Figure 799975DEST_PATH_IMAGE044
为第
Figure 347631DEST_PATH_IMAGE041
个第一预设温度下的第2个磁场强度下的电能信息，
Figure 111187DEST_PATH_IMAGE045
为第
Figure 351676DEST_PATH_IMAGE041
个第一预设 温度下的第
Figure 505577DEST_PATH_IMAGE007
个磁场强度下的电能信息；
通过以下公式得到第
Figure 856924DEST_PATH_IMAGE041
个第二电能信息集合中每个磁场强度下的电能信息，
Figure 678249DEST_PATH_IMAGE046
其中，
Figure 886377DEST_PATH_IMAGE047
为第
Figure 793153DEST_PATH_IMAGE041
个第二预设温度的第二电能信息集合中第
Figure 384409DEST_PATH_IMAGE048
个磁场强度下的电能 信息，
Figure 591399DEST_PATH_IMAGE049
为第
Figure 376953DEST_PATH_IMAGE041
个第一电能信息集合中第一电能信息集合中第
Figure 36604DEST_PATH_IMAGE048
个磁场强度下的电能信 息，
Figure 464174DEST_PATH_IMAGE050
为第
Figure 994513DEST_PATH_IMAGE048
个磁场强度下的磁场变化率，
Figure 747705DEST_PATH_IMAGE051
为第
Figure 425811DEST_PATH_IMAGE052
个第二预设温度的温度权重值。
本发明提供的技术方案，在计算每个第二预设温度中相应磁场强度下的电能信息时，会考虑温度变化对磁场强度的影响，因为温度都是固定的，所以温度对磁场的变化可以事先确定，并且在制造霍尔传感器的过程中，造成同一批次霍尔传感器出现精度不同的情况大多是因为制造工艺出现了偏差，而不是霍尔元件的尺寸出现问题，所以温度对于不同的霍尔元器件所产生电能信息偏差、影响较少。温度权重值可以是1，也可以是用户设置的一个数值。
本发明，通过
Figure 155607DEST_PATH_IMAGE058
可以得到与基准霍尔传感器的电能信息
Figure 806032DEST_PATH_IMAGE049
在相同条件 下的电能信息
Figure 464546DEST_PATH_IMAGE047
，在得到电能信息
Figure 629948DEST_PATH_IMAGE047
时，无需进行实际的测试，只需要进行计算即可得 到，方便、快捷，效率高。
统计第
Figure 664900DEST_PATH_IMAGE041
个第二预设温度的第二电能信息集合中所有的电能信息生成第二电能 信息集合
Figure 169831DEST_PATH_IMAGE053
。本发明会对所有第二预设温度的所有第二电能信息进行 统计，进而得到待测霍尔传感器所对应的所有温度、所有磁场强度下的电能信息，得到待测 霍尔传感器相应的校准值。
在一个可能的实施例中，本发明提供的技术方案，如图2所示，还包括：
步骤S210、若判断所述磁场变化率的绝对值大于阈值变化率，则生成第一标记。当磁场变化率的绝对值大于所述阈值变化率时，则证明待测霍尔传感器与基准霍尔传感器相差较大，可能会将该待测霍尔传感器设置为残次品，此时则生成一次第一标记，对该批次的残次品进行一次记录。
步骤S220、在对第一数量的待测霍尔传感器完成校准后，统计所有第一标记的数量得到第二数量。本发明提供的技术方案，在所有的待测霍尔传感器完成校准后会统计所有第一标记的数量得到第二数量，例如待测霍尔传感器共计1000个，此时第一数量即为1000，其中磁场变化率大于阈值变化率的待测霍尔传感器共计3个，则此时第二数量即为3。
步骤S230、基于所述第一数量、第二数量、磁场变化率以及阈值变化率生成评价画像，对所述评价画像输出；
通过以下公式得到相应霍尔传感器的评价画像，
Figure 999247DEST_PATH_IMAGE023
其中，
Figure 651945DEST_PATH_IMAGE024
为霍尔传感器的评价画像，
Figure 490588DEST_PATH_IMAGE025
为第一数量，
Figure 850025DEST_PATH_IMAGE026
为第二数量，
Figure 614457DEST_PATH_IMAGE027
为第一系数 权重值，
Figure 692134DEST_PATH_IMAGE028
为第二系数权重值，
Figure 334468DEST_PATH_IMAGE029
为第
Figure 548412DEST_PATH_IMAGE030
个磁场强度下的磁场变化率，
Figure 781947DEST_PATH_IMAGE031
为阈值变化率，
Figure 346920DEST_PATH_IMAGE032
为 磁场强度的上限值，
Figure 527366DEST_PATH_IMAGE033
为画像权重值。
本发明提供的技术方案，会根据第一数量、第二数量、磁场变化率以及阈值变化率 生成评价画像，
Figure 595816DEST_PATH_IMAGE059
可以反应出磁场变化率与阈值变化率之间的关系，当
Figure 203515DEST_PATH_IMAGE060
越大时，则证明此时磁场变化率与阈值变化率之间相差越大，则证明待测霍尔传感器和基 准霍尔传感器的属性相差较多，此时的生产工艺可能误差较大，本发明会设置第一系数权 重值
Figure 754320DEST_PATH_IMAGE027
和第二系数权重值
Figure 269615DEST_PATH_IMAGE028
，其中第一系数权重值
Figure 723730DEST_PATH_IMAGE027
优选大于第二系数权重值
Figure 236751DEST_PATH_IMAGE028
，
Figure 776316DEST_PATH_IMAGE026
为所 有待测霍尔传感器中残次品的数量，该部分待测霍尔传感器是无法正常出厂的，
Figure 298565DEST_PATH_IMAGE060
所对应的待测霍尔传感器是标准误差之内的待测霍尔传感器，该部分待测霍尔传感器是可 以出厂的，所以此时会分配不同的第一系数权重值
Figure 607186DEST_PATH_IMAGE027
和第二系数权重值
Figure 353425DEST_PATH_IMAGE028
。
Figure 114708DEST_PATH_IMAGE033
可以是预先 设置的。
评价画像所对应的数值越高，则相应批次的霍尔传感器的制造工艺所生产的霍尔传感器的误差越大。所以，通过画像数据可以直观的使用户确定生产工艺的误差情况。
本发明提供的技术方案，还包括：
接收用户输入的画像数据，所述画像数据为用户对评价画像进行修改后所得到的评价画像。在输出一个画像数据给用户后，用户可能会认为所输出的评价画像并不适合当前的场景，不够准确，所以此时其可能会输入一个准确的评价画像，即画像数据为用户对评价画像进行修改后所得到的评价画像。
通过以下公式对画像权重值进行更新，
Figure 175068DEST_PATH_IMAGE034
其中，
Figure 102310DEST_PATH_IMAGE035
为修改后的评价画像，
Figure 222713DEST_PATH_IMAGE036
为更新后的画像权重值，
Figure 471292DEST_PATH_IMAGE037
为基础常数值，
Figure 335343DEST_PATH_IMAGE038
为归 一化值，
Figure 149715DEST_PATH_IMAGE039
为正向权重值，
Figure 706598DEST_PATH_IMAGE040
为负向权重值。
本发明提供的技术方案，会根据画像数据对画像权重值进行更新，
Figure 442473DEST_PATH_IMAGE061
或
Figure 110215DEST_PATH_IMAGE062
越大，则证明所输出的画像数据越不准确，更新后的画像权重值
Figure 982356DEST_PATH_IMAGE036
与更新前的画像权重值
Figure 208676DEST_PATH_IMAGE033
相差越大。基础常数值
Figure 166267DEST_PATH_IMAGE037
可以是预先设置的，基础常数值
Figure 372121DEST_PATH_IMAGE037
优选为1，
Figure 364347DEST_PATH_IMAGE038
为预先设置的，用于 对
Figure 59771DEST_PATH_IMAGE061
的数值进行归一化处理，正向权重值
Figure 504659DEST_PATH_IMAGE039
和负向权重值
Figure 248624DEST_PATH_IMAGE040
优选设置为不同的数值， 可以根据实际的场景进行调整，例如说需要严格要求质量时，则可以将正向权重值
Figure 360936DEST_PATH_IMAGE039
调高。
为了实施本发明提供的适用于霍尔传感器的校准方法，本发明还提供了一种适用于霍尔传感器的校准装置。
本发明提供的一种适用于霍尔传感器的校准装置，如图3所示，包括：
基准信息获取模块，用于选取一基准霍尔传感器，对所述基准霍尔传感器进行校准，获取校准后的基准霍尔传感器在多个第一预设温度下的第一电能信息集合，每个预设温度对应一个第一电能信息集合，所述第一电能信息集合包括多个相同温度下不同磁场的第一电能信息；
待测信息获取模块，用于选取一待测霍尔传感器，确定待测霍尔传感器在目标温度下的第二电能信息集合，所述第二电能信息集合包括多个目标温度下不同磁场的第二电能信息；
信息比较模块，用于选取目标温度下的第一电能信息集合，将目标温度下的第二电能信息集合与第一电能信息集合比较生成电能变化率集合；
温度选取模块，用于选取多个第一预设温度中与目标温度信息不同的第一预设温度作为第二预设温度；
校准模块，用于基于所述电能变化率集合、第一预设温度对应的第一电能信息集合对待测霍尔传感器校准生成每个第二预设温度所对应的多个第二电能信息集合，所述第二电能信息集合包括多个相同温度下不同磁场的第二电能信息。
本发明还提供一种存储介质，所述存储介质中存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时用于实现上述的各种实施方式提供的方法。
其中，存储介质可以是计算机存储介质，也可以是通信介质。通信介质包括便于从一个地方向另一个地方传送计算机程序的任何介质。计算机存储介质可以是通用或专用计算机能够存取的任何可用介质。例如，存储介质耦合至处理器，从而使处理器能够从该存储介质读取信息，且可向该存储介质写入信息。当然，存储介质也可以是处理器的组成部分。处理器和存储介质可以位于专用集成电路(Application Specific IntegratedCircuits，简称：ASIC)中。另外，该ASIC可以位于用户设备中。当然，处理器和存储介质也可以作为分立组件存在于通信设备中。存储介质可以是只读存储器（ROM）、随机存取存储器（RAM）、CD-ROM、磁带、软盘和光数据存储设备等。
本发明还提供一种程序产品，该程序产品包括执行指令，该执行指令存储在存储介质中。设备的至少一个处理器可以从存储介质读取该执行指令，至少一个处理器执行该执行指令使得设备实施上述的各种实施方式提供的方法。
在上述终端或者服务器的实施例中，应理解，处理器可以是中央处理单元（英文：Central Processing Unit，简称：CPU），还可以是其他通用处理器、数字信号处理器（英文：Digital Signal Processor，简称：DSP）、专用集成电路（英文：Application SpecificIntegrated Circuit，简称：ASIC）等。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等。结合本发明所公开的方法的步骤可以直接体现为硬件处理器执行完成，或者用处理器中的硬件及软件模块组合执行完成。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (7)

1.一种适用于霍尔传感器的校准方法，其特征在于，包括：
选取一基准霍尔传感器，对所述基准霍尔传感器进行校准，获取校准后的基准霍尔传感器在多个第一预设温度下的第一电能信息集合，每个预设温度对应一个第一电能信息集合，所述第一电能信息集合包括多个相同温度下不同磁场的第一电能信息；
根据第一选取信息选定一基准霍尔传感器；
获取在测试场景中基准霍尔传感器处于不同温度下所对应的基础电能信息集合
Figure DEST_PATH_IMAGE001
，其中，
Figure 823569DEST_PATH_IMAGE002
为第
Figure DEST_PATH_IMAGE003
个第一预设温度下的基础电能信息集合，
Figure 493585DEST_PATH_IMAGE004
为第
Figure 608171DEST_PATH_IMAGE003
个温度下第1个磁场强度下的电能信息，
Figure DEST_PATH_IMAGE005
为第
Figure 654624DEST_PATH_IMAGE003
个第一预设温度下的第2个磁场强度下的电能信息，
Figure 374319DEST_PATH_IMAGE006
为第
Figure 713771DEST_PATH_IMAGE003
个第一预设温度下的第
Figure DEST_PATH_IMAGE007
个磁场强度下的电能信息；
接收用户的校准信息，基于所述校准信息对基础电能信息集合
Figure 315654DEST_PATH_IMAGE001
进行校准调整得到第一电能信息集合
Figure 165798DEST_PATH_IMAGE008
，其中，
Figure DEST_PATH_IMAGE009
为第
Figure 536736DEST_PATH_IMAGE003
个第一预设温度下的第一电能信息集合，
Figure 751817DEST_PATH_IMAGE010
为第
Figure 840996DEST_PATH_IMAGE003
个温度下第1个磁场强度下的电能信息，
Figure DEST_PATH_IMAGE011
为第
Figure 229252DEST_PATH_IMAGE003
个第一预设温度下的第2个磁场强度下的电能信息，
Figure 657959DEST_PATH_IMAGE012
为第
Figure 106258DEST_PATH_IMAGE003
个第一预设温度下的第
Figure 885995DEST_PATH_IMAGE007
个磁场强度下的电能信息；
选取一待测霍尔传感器，确定待测霍尔传感器在目标温度下的第二电能信息集合，所述第二电能信息集合包括多个目标温度下不同磁场的第二电能信息；
根据第二选取信息选定一待测霍尔传感器；
获取在测试场景中待测霍尔传感器处于目标温度下所对应的第二电能信息集合
Figure DEST_PATH_IMAGE013
，其中，
Figure 812363DEST_PATH_IMAGE014
为目标温度下的第二电能信息集合，
Figure DEST_PATH_IMAGE015
为目标温度下第1个磁场强度下的电能信息，
Figure 190517DEST_PATH_IMAGE016
为目标温度下第2个磁场强度下的电能信息，
Figure DEST_PATH_IMAGE017
为目标温度下的第
Figure 809717DEST_PATH_IMAGE007
个磁场强度下的电能信息；
选取目标温度下的第一电能信息集合，将目标温度下的第二电能信息集合与第一电能信息集合比较生成电能变化率集合；
确定多个第一电能信息集合中目标温度下的第一电能信息集合
Figure 607909DEST_PATH_IMAGE018
，
将第一电能信息集合和第二电能信息集合比对，获取第一电能信息集合和第二电能信息集合在每个磁场强度下的磁场变化率；
统计所有磁场强度下的磁场变化率生成电能变化率集合；
选取多个第一预设温度中与目标温度信息不同的第一预设温度作为第二预设温度；
基于所述电能变化率集合、第一预设温度对应的第一电能信息集合对待测霍尔传感器校准生成每个第二预设温度所对应的多个第二电能信息集合，所述第二电能信息集合包括多个相同温度下不同磁场的第二电能信息。
2.根据权利要求1所述的适用于霍尔传感器的校准方法，其特征在于，
将第一电能信息集合和第二电能信息集合比对，获取第一电能信息集合和第二电能信息集合在每个磁场强度下的磁场变化率包括：
通过以下公式得到每个磁场强度下的磁场变化率，
Figure 541230DEST_PATH_IMAGE020
其中，
Figure DEST_PATH_IMAGE021
为第
Figure 475688DEST_PATH_IMAGE007
个磁场强度下的磁场变化率，
Figure 531368DEST_PATH_IMAGE022
为第
Figure 20119DEST_PATH_IMAGE007
个磁场强度下的磁场权重值。
3.根据权利要求2所述的适用于霍尔传感器的校准方法，其特征在于，还包括：
若判断所述磁场变化率的绝对值大于阈值变化率，则生成第一标记；
在对第一数量的待测霍尔传感器完成校准后，统计所有第一标记的数量得到第二数量；
基于所述第一数量、第二数量、磁场变化率以及阈值变化率生成评价画像，对所述评价画像输出；
通过以下公式得到相应霍尔传感器的评价画像，
Figure 553868DEST_PATH_IMAGE024
其中，
Figure DEST_PATH_IMAGE025
为霍尔传感器的评价画像，
Figure 342833DEST_PATH_IMAGE026
为第一数量，
Figure DEST_PATH_IMAGE027
为第二数量，
Figure 599108DEST_PATH_IMAGE028
为第一系数权重值，
Figure DEST_PATH_IMAGE029
为第二系数权重值，
Figure 106313DEST_PATH_IMAGE030
为第
Figure DEST_PATH_IMAGE031
个磁场强度下的磁场变化率，
Figure 178174DEST_PATH_IMAGE032
为阈值变化率，
Figure DEST_PATH_IMAGE033
为磁场强度的上限值，
Figure 352803DEST_PATH_IMAGE034
为画像权重值。
4.根据权利要求3所述的适用于霍尔传感器的校准方法，其特征在于，还包括：
接收用户输入的画像数据，所述画像数据为用户对评价画像进行修改后所得到的评价画像；
通过以下公式对画像权重值进行更新，
Figure 422391DEST_PATH_IMAGE036
其中，
Figure DEST_PATH_IMAGE037
为修改后的评价画像，
Figure 479208DEST_PATH_IMAGE038
为更新后的画像权重值，
Figure DEST_PATH_IMAGE039
为基础常数值，
Figure 823602DEST_PATH_IMAGE040
为归一化值，
Figure DEST_PATH_IMAGE041
为正向权重值，
Figure 150940DEST_PATH_IMAGE042
为负向权重值。
5.根据权利要求2所述的适用于霍尔传感器的校准方法，其特征在于，
基于所述电能变化率集合、第一预设温度对应的第一电能信息集合对待测霍尔传感器校准生成每个第二预设温度所对应的多个第二电能信息集合，所述第二电能信息集合包括多个相同温度下不同磁场的第二电能信息包括：
选取第
Figure DEST_PATH_IMAGE043
个第一预设温度的第一电能信息集合
Figure 188166DEST_PATH_IMAGE044
，其中，
Figure DEST_PATH_IMAGE045
为第
Figure 669963DEST_PATH_IMAGE043
个第一预设温度下的第一电能信息集合，
Figure 349206DEST_PATH_IMAGE045
为第
Figure 436111DEST_PATH_IMAGE043
个温度下第1个磁场强度下的电能信息，
Figure 175397DEST_PATH_IMAGE046
为第
Figure 347752DEST_PATH_IMAGE043
个第一预设温度下的第2个磁场强度下的电能信息，
Figure DEST_PATH_IMAGE047
为第
Figure 299528DEST_PATH_IMAGE043
个第一预设温度下的第
Figure 568835DEST_PATH_IMAGE007
个磁场强度下的电能信息；
通过以下公式得到第
Figure 151126DEST_PATH_IMAGE043
个第二电能信息集合中每个磁场强度下的电能信息，
Figure DEST_PATH_IMAGE049
其中，
Figure 902788DEST_PATH_IMAGE050
为第
Figure 861517DEST_PATH_IMAGE043
个第二预设温度的第二电能信息集合中第
Figure DEST_PATH_IMAGE051
个磁场强度下的电能信息，
Figure 516489DEST_PATH_IMAGE052
为第
Figure 535261DEST_PATH_IMAGE043
个第一电能信息集合中第一电能信息集合中第
Figure 744525DEST_PATH_IMAGE051
个磁场强度下的电能信息，
Figure DEST_PATH_IMAGE053
为第
Figure 38103DEST_PATH_IMAGE051
个磁场强度下的磁场变化率，
Figure 954107DEST_PATH_IMAGE054
为第
Figure DEST_PATH_IMAGE055
个第二预设温度的温度权重值
统计第
Figure 940517DEST_PATH_IMAGE043
个第二预设温度的第二电能信息集合中所有的电能信息生成第二电能信息集合
Figure 371499DEST_PATH_IMAGE056
。
6.一种适用于霍尔传感器的校准装置，其特征在于，包括：
基准信息获取模块，用于选取一基准霍尔传感器，对所述基准霍尔传感器进行校准，获取校准后的基准霍尔传感器在多个第一预设温度下的第一电能信息集合，每个预设温度对应一个第一电能信息集合，所述第一电能信息集合包括多个相同温度下不同磁场的第一电能信息；
根据第一选取信息选定一基准霍尔传感器；
获取在测试场景中基准霍尔传感器处于不同温度下所对应的基础电能信息集合
Figure 235812DEST_PATH_IMAGE001
，其中，
Figure 6322DEST_PATH_IMAGE002
为第
Figure 429213DEST_PATH_IMAGE003
个第一预设温度下的基础电能信息集合，
Figure 550752DEST_PATH_IMAGE004
为第
Figure 451712DEST_PATH_IMAGE003
个温度下第1个磁场强度下的电能信息，
Figure 139046DEST_PATH_IMAGE005
为第
Figure 670521DEST_PATH_IMAGE003
个第一预设温度下的第2个磁场强度下的电能信息，
Figure 76095DEST_PATH_IMAGE006
为第
Figure 984008DEST_PATH_IMAGE003
个第一预设温度下的第
Figure 791427DEST_PATH_IMAGE007
个磁场强度下的电能信息；
接收用户的校准信息，基于所述校准信息对基础电能信息集合
Figure 493804DEST_PATH_IMAGE001
进行校准调整得到第一电能信息集合
Figure 386673DEST_PATH_IMAGE008
，其中，
Figure 567119DEST_PATH_IMAGE009
为第
Figure 494624DEST_PATH_IMAGE003
个第一预设温度下的第一电能信息集合，
Figure 367902DEST_PATH_IMAGE010
为第
Figure 4461DEST_PATH_IMAGE003
个温度下第1个磁场强度下的电能信息，
Figure 50914DEST_PATH_IMAGE011
为第
Figure 770609DEST_PATH_IMAGE003
个第一预设温度下的第2个磁场强度下的电能信息，
Figure 877105DEST_PATH_IMAGE012
为第
Figure 682250DEST_PATH_IMAGE003
个第一预设温度下的第
Figure 532394DEST_PATH_IMAGE007
个磁场强度下的电能信息；
待测信息获取模块，用于选取一待测霍尔传感器，确定待测霍尔传感器在目标温度下的第二电能信息集合，所述第二电能信息集合包括多个目标温度下不同磁场的第二电能信息；
根据第二选取信息选定一待测霍尔传感器；
获取在测试场景中待测霍尔传感器处于目标温度下所对应的第二电能信息集合
Figure 106595DEST_PATH_IMAGE013
，其中，
Figure 118413DEST_PATH_IMAGE014
为目标温度下的第二电能信息集合，
Figure 410854DEST_PATH_IMAGE015
为目标温度下第1个磁场强度下的电能信息，
Figure 64690DEST_PATH_IMAGE016
为目标温度下第2个磁场强度下的电能信息，
Figure 290135DEST_PATH_IMAGE017
为目标温度下的第
Figure 676117DEST_PATH_IMAGE007
个磁场强度下的电能信息；
信息比较模块，用于选取目标温度下的第一电能信息集合，将目标温度下的第二电能信息集合与第一电能信息集合比较生成电能变化率集合；
确定多个第一电能信息集合中目标温度下的第一电能信息集合
Figure 518171DEST_PATH_IMAGE018
，
将第一电能信息集合和第二电能信息集合比对，获取第一电能信息集合和第二电能信息集合在每个磁场强度下的磁场变化率；
统计所有磁场强度下的磁场变化率生成电能变化率集合；
温度选取模块，用于选取多个第一预设温度中与目标温度信息不同的第一预设温度作为第二预设温度；
校准模块，用于基于所述电能变化率集合、第一预设温度对应的第一电能信息集合对待测霍尔传感器校准生成每个第二预设温度所对应的多个第二电能信息集合，所述第二电能信息集合包括多个相同温度下不同磁场的第二电能信息。
7.一种存储介质，其特征在于，所述存储介质中存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时用于实现权利要求1至5任一所述的方法。
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