CN114300929A - 电子装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种电子装置。电子装置包含一基板、一半导体单元、一围墙及一透光件。半导体单元安装于基板上。围墙设置于基板上且围绕半导体单元。围墙包含两个外墙构件及两个内墙构件。两个外墙构件彼此间隔地配置,使两个外墙构件之间形成两个间隙。两个间隙连通两个外墙构件所共同围绕的一安装区域。两个内墙构件彼此间隔地配置于安装区域内。两个内墙构件所在位置分别对应两个间隙的位置,并且两个内墙构件分别部分遮挡两个间隙。透光件设置于围墙上,并且透光件覆盖半导体单元。据此,电子装置能通过两个外墙构件及两个内墙构件之间的交错配置,使电子装置能确保其为非密封状态且具阻隔污染的效果。
Description
技术领域
本发明涉及一种电子装置,尤其涉及一种能确保为非密封状态且具阻隔污染效果的电子装置。
背景技术
现有电子装置为了确保气体能于其内部空间与外部之间流通,所以现有电子装置大多会于上表面预留间隙。然而,现有电子装置于实际制作时,用来固定各组件之间的固定胶经常会不慎渗入间隙之间,而导致间隙被填满,让现有电子装置的内部成为密封状态。
于是,本发明人认为上述缺陷可改善,乃特潜心研究并配合科学原理的运用,终于提出一种设计合理且有效改善上述缺陷的本发明。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于,针对现有技术的不足提供一种电子装置。
本发明实施例公开一种电子装置,包括一基板;一半导体单元,安装于所述基板上;一围墙,设置于所述基板上并围绕所述半导体单元,并且所述围墙包含:两个外墙构件,彼此间隔地配置,使两个所述外墙构件之间形成两个间隙,并且两个所述间隙连通两个所述外墙构件所共同围绕的一安装区域;及两个内墙构件,彼此间隔地配置于所述安装区域内,两个所述内墙构件所在位置分别对应两个所述间隙的位置,并且两个所述内墙构件分别部分遮挡两个所述间隙;以及一透光件,设置于所述围墙上,并且所述透光件覆盖所述半导体单元。
优选地,所述半导体单元为一发光单元。
优选地,所述透光件支撑于两个所述内墙构件上。
优选地,两个所述内墙构件为金属材质制成或其表面覆有金属层。
优选地,所述透光件具有一内检测回路,所述内检测回路电性耦接两个所述内墙构件。
优选地,每个所述外墙构件的部分呈阶梯状且包含一第一阶体;及一第二阶体,位于所述第一阶体的内侧,并且所述第二阶体的顶面与所述基板之间的最短距离小于所述第一阶体的顶面与所述基板之间的最短距离。
优选地,所述透光件同时支撑于两个所述外墙构件的所述第二阶体上。
优选地,两个所述外墙构件为金属材质制成或其表面覆有金属层。
优选地,所述透光件具有一外检测回路,所述外检测回路电性耦接两个所述外墙构件。
优选地,两个所述内墙构件不接触两个所述外墙构件。
优选地,两个所述间隙的最小宽度介于0.05毫米至2毫米之间。
优选地,所述电子装置还包含一检测单元,所述检测单元安装于所述基板上。
综上所述,本发明实施例所公开的电子装置,其通过“两个所述间隙连通两个所述外墙构件所共同围绕的所述安装区域”以及“两个所述内墙构件所在位置分别对应两个所述间隙的位置,并且两个所述内墙构件分别部分遮挡两个所述间隙”的技术方案,使电子装置能确保其为非密封状态且具阻隔污染的效果。
为能更进一步了解本发明的特征及技术内容,请参阅以下有关本发明的详细说明与附图,但是此等说明与附图仅用来说明本发明,而非对本发明的保护范围作任何的限制。
附图说明
图1为本发明第一实施例的电子装置的立体示意图。
图2为本发明第一实施例的电子装置的另一视角的立体示意图。
图3为本发明第一实施例的电子装置的分解示意图。
图4为本发明第一实施例的电子装置不包含透光件与检测回路时的俯视示意图。
图5为图1的沿V-V剖线的剖面示意图。
图6为图1的沿VI-VI剖线的剖面示意图。
图7为本发明第二实施例的电子装置的立体示意图。
图8为本发明第二实施例的电子装置的分解示意图。
图9为图7的沿IX-IX剖线的剖面示意图。
图10为图7的沿X-X剖线的剖面示意图。
图11为本发明第三实施例的电子装置的剖面示意图。
图12为本发明第四实施例的电子装置的剖面示意图。
图13为本发明第四实施例的电子装置不包含透光件与检测回路时的俯视示意图。
图14为本发明第五实施例的电子装置的剖面示意图。
图15为本发明第六实施例的电子装置的分解示意图。
图16为本发明第六实施例的电子装置的剖面示意图。
具体实施方式
以下是通过特定的具体实施例来说明本发明所公开的实施方式,本领域技术人员可由本说明书所公开的内容了解本发明的优点与效果。本发明可通过其他不同的具体实施例加以施行或应用,本说明书中的各项细节也可基于不同观点与应用,在不悖离本发明的构思下进行各种修改与变更。另外,本发明的附图仅为简单示意说明,并非依实际尺寸的描绘,事先声明。以下的实施方式将进一步详细说明本发明的相关技术内容,但所公开的内容并非用以限制本发明的保护范围。
应当可以理解的是,虽然本文中可能会使用到“第一”、“第二”、“第三”等术语来描述各种组件或者信号,但这些组件或者信号不应受这些术语的限制。这些术语主要是用以区分一组件与另一组件,或者一信号与另一信号。另外,本文中所使用的术语“或”,应视实际情况可能包括相关联的列出项目中的任一个或者多个的组合。再者,本文中所使用的述语“电性耦接”指的是“间接电性连接”及“直接电性连接”的其中之一。
[第一实施例]
参阅图1至图6所示,本发明第一实施例提供一种电子装置100A。配合图1至图3所示,所述电子装置100A包括:一基板1、安装于所述基板1的一半导体单元、设置于所述基板1上且围绕所述半导体单元的一围墙3、设置于所述围墙3上并覆盖所述半导体单元的一透光件4、形成于所述透光件4的一检测回路5以及用来电性耦接所述检测回路5与所述围墙3的一导电胶体6。以下将分别说明所述电子装置的各个组件构造及其连接关系。
如图1至图3所示,所述基板1于本实施例中大致呈方形(如:长方形或正方形)。其中,本实施例的基板1包含有位于相反侧的一第一板面11与一第二板面12,所述基板1是以一种陶瓷基板来说明,使其具有较佳的散热效果,本发明并不以此限。
如图3及图4所示,所述半导体单元于本实施例中选用一发光单元2,并且所述发光单元2于此是以一种垂直腔面发射激光器(Vertical-CavitySurface-Emitting Laser,VCSEL)来说明,但本发明不以此为限。举例来说,本发明于其他未示出的实施例中,所述半导体单元也可以是金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET),且当所述半导体单元为金属氧化物半导体场效晶体管时,所述电子装置100A可以省略所述检测回路5。
所述发光单元2安装于所述基板1(的大致中央部位),并且所述发光单元2通过所述基板1的一电极层13实现彼此电性耦接的关系。其中,所述电极层13是设置于所述第一板面11与所述第二板面12上,并且能用来电性耦接各个组件。于本实施例中,上述发光单元2是打线连接至所述电极层13,以使所述发光单元2能用来通过所述电极层13电性耦接其他电子模块(例如:控制模块),但本发明不受限于此。
复参图3及图4所示,所述围墙3设置于所述基板1的所述第一板面11上、并围绕于所述发光单元2的外侧。所述围墙3于本实施例中包含两个外墙构件31及两个内墙构件32,两个所述外墙构件31能电性耦接所述基板1的所述电极层13,并且两个所述外墙构件31于其内侧配置有两个所述内墙构件32。
具体来说,如图4及图5所示,两个所述外墙构件31于本实施例中各别为U字状的导电结构,并且彼此间隔地配置于所述第一板面11上,使两个所述外墙构件31能共同围绕形成一安装区域A。于优选情况下,两个所述外墙构件31是选用金属材质来制成,使两个所述外墙构件31具备导电功能而能用来供所述检测回路5电性耦接。当然,在本发明于其他未示出的实施例中,两个所述外墙构件31与所述基板1也可以是一体成形的单件式构件,也就是两个所述外墙构件31各别为陶瓷材料,并且两个所述外墙构件31的表面覆有导电层(例如金属层)。
值得注意的是,两个所述外墙构件31在由金属材质制成或其表面覆有金属层的架构下,两个所述外墙构件31不仅能作为所述检测回路5的连接导体之外,更能有效避免设置于所述安装区域A内的电子组件受到电磁干扰(Electromagnetic Interference,EMI)的情况。
此外,当两个所述外墙构件31间隔地配置于所述第一板面11时,两个所述外墙构件31之间会形成两个间隙S,并且两个所述间隙S能连通所述安装区域A。也就是说,两个所述间隙S于此是作为连通两个所述外墙构件31的内侧及外侧之间的逃气孔,据以用来供气体往来流通所述安装区域A。
于优选情况下,两个所述外墙构件31之间的最小间隔距离D31较佳为不小于0.05毫米(意即两个所述间隙S的最小宽度),这使得被作为正负极导体之用时的两个所述外墙构件31之间不容易发生短路现象。此外,在前述最小间隔距离D31不小于0.05毫米的架构下,两个所述间隙S的最小宽度较佳为介于0.05毫米(mm)至2毫米(mm)之间,这能让两个所述间隙S在配合两个所述内墙构件32时,能有效避免水气及污染物进入所述安装区域A。
如图3、图5及图6所示,于一实施例中,两个所述外墙构件31的部分呈阶梯状,并且呈阶梯状的前述部分所在位置是与两个所述间隙S所在位置的不同侧,据以能支撑所述透光件4。
详细地说,每个所述外墙构件31具有呈阶梯状的一第一部位311、连接所述第一部位311的两个第二部位312以及设置于所述第一部位311的一凹槽313,使每个所述外墙构件31大致呈U字状。其中,两个所述第一部位311包含一第一阶体3111及连接所述第一阶体3111的一第二阶体3112,所述第一阶体3111上形成有用来收容上述导电胶体6部分的所述凹槽313,所述第二阶体3112位于所述第一阶体3111的内侧。所述第二阶体3112的顶面与所述基板1之间的最短距离D3112小于所述第一阶体3111的顶面与所述基板1之间的最短距离D3111,并且大于所述发光单元2的顶面与所述基板1之间的最短距离D2。
也就是说,于每个所述外墙构件31中,所述第一阶体3111是相对于所述基板1的高度是高于所述第二阶体3112的高度,而所述第二阶体3112的所述顶面相对所述基板1则是高于所述发光单元2(或所述半导体单元)的高度。据此,两个所述第二阶体3112能用来支撑所述透光件4,使所述透光件4能不接触所述发光单元2,据以用来控制所述透光件4相对于所述发光单元2的混光高度,但本发明不受限于此。
举例来说,在本发明于其他未示出的实施例中,每个所述外墙构件31的所述第一部位311及两个所述第二部位312也可以共同形成上述第一阶体及第二阶体(也就是,两个所述外墙构件31的整体分别为阶梯状)、又或者两个所述第二部位312呈阶梯状而具有上述第一阶体及第二阶体(也就是,两个所述外墙构件31只有两个所述第二部位312为阶梯状)。
复参图4至图6所示,两个所述内墙构件32于本实施例中为长形结构(例如:长方体),并且彼此间隔地配置于所述安装区域A内。进一步地说,两个所述内墙构件32是位于所述安装区域A内且对应两个所述间隙S位置的两侧,并且两个所述内墙构件32邻近且不接触两个所述外墙构件31(的两个所述第二部位312),使两个所述内墙构件32能分别部分遮挡两个所述间隙S。据此,两个所述外墙构件31与两个所述内墙构件32之间能形成会曲折的一气体通道,并且所述气体通道是以两个所述间隙S为出入口而通过所述安装区域A。
配合图5及图6所示,于此实施例中,两个所述内墙构件32可以被用来与两个所述外墙构件31共同支撑所述透光件4。具体来说,两个所述内墙构件32的顶面与所述基板1之间的最短距离D32大致等于两个所述第二阶体3112的所述顶面与所述基板1之间的最短距离D3112,也就是两个所述内墙构件32相对所述基板1的高度与两个所述第二阶体3112的高度相同,使两个所述内墙构件32与两个所述外墙构件31能稳固地支撑所述透光件4,但本发明不受限于此。举例来说,在本发明于其他未示出的实施例中,两个所述内墙构件32也可以不接触所述透光件4,意即所述透光件4仅被两个所述外墙构件31所支撑。
需强调的是,为了能确保两个所述第二阶体3112于支撑所述透光件4时,所述透光件4不会发生错位或掉落等情形,故于一优选情况下,所述电子装置100A能更进一步地包含一黏着胶体7(例如:UV胶),并且所述黏着胶体7设置于两个所述第二阶体3112的所述顶面与两个所述内墙构件32的顶面上而能固定所述透光件4。
另外,两个所述内墙构件32于本实施例中可是由金属材质制成、或者在其表面覆有金属层,使两个所述内墙构件32能分别遮挡两个所述间隙S所在位置的电磁干扰,但本发明不受限于此。举例来说,在本发明于其他未示出的实施例中,设计者也可以依据需求将每个所述内墙构件32调整为由绝缘材质制成或其表面覆有绝缘层。
如图3、图5及图6所示,所述透光件4设置于两个所述第二阶体3112及两个所述内墙构件32上、并与所述外墙构件31的顶面之间呈间隔设置(也就是,所述透光件4未接触于两个所述外墙构件31的所述第一阶体3111及两个所述第二部位312的顶面)。其中,所述透光件4于本实施例中定义有一中心区块42及围绕于所述中心区块42的一外围区块41,所述发光单元2位于中心区块42的正下方,所述外围区块41对应所述围墙3上方设置。再者,所述透光件4包含有位于相反侧的一外表面43与一内表面44,并且所述内表面44面向上述发光单元2(或所述半导体单元),所述透光件4外表面43低于两个所述外墙构件31的顶面,但本发明不以此为限。举例来说,在本发明未示出的其他实施例中,所述透光件4的外表面43可以伸出两个所述外墙构件31的顶面。
更详细地说,所述透光件4于本实施例中为透明玻璃板,但本发明不受限于此。举例来说,本发明于其他未示出的实施例中,所述透光件4可以由透明玻璃板及光扩散聚合物(light-diffusing polymer)所组成。所述透光件4的外围区块41的内表面44能通过所述黏着胶体7固定于两个所述外墙构件31及两个所述内墙构件32上,并且被两个所述第二阶体3112的所述顶面与两个所述内墙构件32的顶面所支撑。
配合图3、图5及图6所示,所述检测回路5形成于上述透光件4上,而本实施例中所述检测回路5形成于所述透光件4的外表面43。也就是说,所述检测回路5于本实施例中是位在所述电子装置100A的外侧,故所述检测回路5又可称为外检测回路5A,以下将以所述外检测回路5A继续介绍。
所述外检测回路5A于本实施例中是位于所述透光件4的中心区块42上,并且所述外检测回路5A较佳是呈透光状(如:透明的导电膜,氧化铟锡ITO)、且包含有两个接点51A及连接上述两个接点51A的一检测导线52A。所述外检测回路5A的所述检测导线52A是形成于所述中心区块42上且其所在位置对应所述安装区域A。也就是,所述检测导线52A正投影于所述基板1的区域位在所述安装区域A内,并且所述检测导线52A能用来检测所述透光件4是否破损。其中,所述检测导线52A检测所述透光件4的方法为现有技术(例如:利用电阻变化检测)且非本发明的重点,故于此则不再赘述。
另外,所述外检测回路5A的两个所述接点51A间隔地设置在所述透光件4的两侧,并且两个所述接点51A所在位置对应两个所述凹槽313。再者,两个所述外墙构件31的所述凹槽313能用来收容部分的所述导电胶体6,而其余部分的所述导电胶体6则溢出于上述两个接点51A上,使所述导电胶体6能确保两个所述外墙构件31与所述外检测回路5A之间的电性关系,也能同时用来固定。
需特别说明的是,在本发明于其他未示出的实施例中,位于所述第一阶体3111上的两个所述凹槽313是可以适当地省略,意即所述导电胶体6是直接设置于两个所述第一阶体3111的顶面与两个所述接点51A上。
另外,当所述外检测回路5A在电性耦接两个所述外墙构件31时,两个所述接点51A能分别以两个所述外墙构件31的所述第一阶体3111为导体连接至所述基板1的所述电极层13,使所述外检测回路5A进一步地电性耦接其他组件(例如:所述发光单元2、电子模块等),但本发明不受限于此。
举例来说,在本发明于其他未示出的实施例中,在所述外检测回路5A(的两个所述接点51A)能保持接触两个所述第一阶体3111而电性耦接所述基板1的情形下,所述电子装置100A也可以省略所述导电胶体6以及位于两个所述第一阶体3111上的所述凹槽313。
另外,于一优选情况,所述电子装置100A能更进一步地包含一检测单元8(如图3所示),所述检测单元8安装于所述基板1的所述第一板面11上,并且所述检测单元8能通过所述基板1(的所述电极层13)电性耦接其他组件,使所述检测单元8能检测所述透光件4是否破损。其中,所述检测单元8检测所述透光件4是否破损的方法于实务上可以是利用感测光线变化量或其他方式实现,前述方法为现有技术且非本发明重点,故于此则不再详述。
[第二实施例]
如图7至图10所示,其为本发明的第二实施例,本实施例的电子装置100B类似于上述第一实施例的电子装置100A,两个实施例的相同处则不再加以赘述,而本实施例的电子装置100B与第一实施例的差异主要在于:所述透光件4被两个所述第二阶体3112支撑,并且形成于所述透光件4上的所述检测回路5于本实施例中是一内检测回路5B,所述内检测回路5B能通过两个所述内墙构件32而电性耦接所述基板1。
具体来说,如图7及图8所示,所述检测回路5于本实施例中是形成于所述透光件4的内表面44。也就是说,所述检测回路5于本实施例中是位在所述电子装置100B的内侧,故所述检测回路5又可称为所述内检测回路5B。所述内检测回路5B包含有两个接点51B及连接上述两个接点51B的一检测导线52B,并且两个所述接点51B间隔地设置在所述透光件4邻近两个所述内墙构件32的两侧,而所述检测导线52B则位于所述透光件的中心区块42的内表面44。
如图9及图10所示,两个所述内墙构件32于本实施例中是作为所述内检测回路5B的导体,故两个所述内墙构件32被限定为金属材质制成或其表面覆有金属层。
再者,于本实施例中,两个所述内墙构件32的顶面与所述基板1之间的最短距离D32’大致小于两个所述第二阶体3112的所述顶面与所述基板1之间的最短距离D3112。也就是,两个所述内墙构件32相较于所述基板1的高度是小于两个所述第二阶体3112的高度,使所述透光件4于本实施例中只被两个所述第二阶体3112所支撑。
如图9及图10所示,所述导电胶体6则是设置于两个所述内墙构件32的顶面,并且所述导电胶体6的厚度为两个所述内墙构件32与两个所述第二阶体3112之间的高度差,使所述导电胶体6能作为两个所述内墙构件32与所述内检测回路5B之间的导体。
另外,当所述内检测回路5B在电性耦接两个所述内墙构件32时,两个所述接点51B能分别以两个所述内墙构件32为导体经由所述导电胶体6连接至所述基板1的所述电极层13,使所述内检测回路5B进一步地电性耦接其他组件(例如:所述发光单元2、电子模块等)。据此,所述内检测回路5B在具备检测功能的前提下,更能有效延长其使用寿命。
[第三实施例]
如图11所示,其为本发明的第三实施例,本实施例的电子装置100C类似于上述第二实施例的电子装置100B,两个实施例的相同处则不再加以赘述,而本实施例的电子装置100C与第二实施例的差异主要在于:所述透光件4是被两个所述第二阶体3112及两个所述内墙构件32支撑。
具体来说,两个所述内墙构件32相较于所述基板1的高度是与两个所述第二阶体3112的高度相等,并且两个所述内墙构件32的顶面各别形成有一凹槽321。两个所述凹槽321能用来收容部分的所述导电胶体6,而其余部分的所述导电胶体6则溢出于上述两个接点51B上,使所述导电胶体6能确保两个所述内墙构件32与所述内检测回路5B之间的电性关系,也能同时用来固定,但本发明不受限于此。
举例来说,在本发明于其他未示出的实施例中,在所述内检测回路5B(的两个所述接点51B)能保持接触两个所述内墙构件32而电性耦接所述基板1的情形下,所述电子装置100C也可以省略所述导电胶体6及两个所述内墙构件32的所述凹槽321。
需额外说明的是,两个所述内墙构件32在本实施例中能支撑所述透光件4、且作为所述内检测回路5B的导体。因此,在本发明于另一未示出的实施例中,两个所述外墙构件31的所述第一部位311是可以省略所述第二阶体3112,意即所述透光件4是只有被两个所述内墙构件32所支撑。
[第四实施例]
如图12及图13所示,其为本发明的第四实施例,本实施例的电子装置100D类似于上述第二实施例的电子装置100B,两个实施例的相同处则不再加以赘述,而本实施例的电子装置100D与第二实施例的差异主要在于:两个所述内墙构件32于本实施例中更进一步地包含一导电部位322及一绝缘部位323。
具体来说,如图12及图13所示,两个所述内墙构件32的所述导电部位322及所述绝缘部位323于本实施例中彼此间隔地配置于所述安装区域A内,并且所述导电部位322的所在位置对应所述间隙S而能部分遮挡两个所述间隙S。当然,于实务上,两个所述内墙构件32的所述导电部位322及所述绝缘部位323任一者的所在位置对应所述间隙S即可。
此外,于每个所述内墙构件32中,所述导电部位322是由金属材质制成或其表面覆有金属层,使所述导电部位322能用来供所述内检测回路5B电性耦接所述基板1,而所述导电部位322则由为绝缘材质制成或其表面覆有绝缘层,使所述绝缘部位323不导通所述内检测回路5B,且能用来配合所述导电部位322协助形成所述气体通道。
需特别强调的是,于每个所述内墙构件32中,所述导电部位322的顶面与所述基板1之间的最短距离D322大致等于所述绝缘部位323的顶面与所述基板1之间的最短距离D323,并且小于两个所述第二阶体3112的顶面与所述基板1之间的最短距离D3112。也就是说,每个所述内墙构件32的所述导电部位322与所述绝缘部位323相较于所述基板1的高度是彼此等高,但小于两个所述第二阶体3112的高度,使所述透光件4只能被两个所述外墙构件31的所述第二阶体3112所支撑,但本发明不受限于此。
举例来说,在本发明于其他未示出的实施例中,两个所述内墙构件32的所述导电部位322及所述绝缘部位323也可以相对于所述基板1的高度是彼此不等高,但原则上前述两者的高度必须不影响两个所述第二阶体3112支撑所述透光件4,意即两个所述内墙构件32的所述导电部位322及所述绝缘部位323都需小于两个所述第二阶体3112的高度。
此外,在本发明于其他未示出的实施例中,两个所述内墙构件32的所述导电部位322各具有所述凹槽,所述凹槽能用来收容部分的所述导电胶体6,而其余部分的所述导电胶体6则溢出于上述内检测回路5B的两个所述接点51A上(也就是,所述导电胶体6的厚度为两个所述导电部位322与两个所述第二阶体3112之间的高度差),使所述导电胶体6能供所述内检测回路5B通过两个所述导电部位322电性耦接所述基板1。
[第五实施例]
如图14所示,其为本发明的第五实施例,本实施例的电子装置100E类似于上述第四实施例的电子装置100D,两个实施例的相同处则不再加以赘述,而本实施例的电子装置100E与第四实施例的差异主要在于:所述透光件4被两个所述第二阶体3112以及两个所述内墙构件32的所述导电部位322与所述绝缘部位323所共同支撑。
具体来说,于每个所述内墙构件32中,所述导电部位322的顶面与所述基板1之间的最短距离D322’大致等于所述绝缘部位323的顶面与所述基板1之间的最短距离D323’,并且也大致等于两个所述第二阶体3112的顶面与所述基板1之间的最短距离D3112。也就是说,每个所述内墙构件32的所述导电部位322与所述绝缘部位323以及两个所述第二阶体3112相较于所述基板1的高度是彼此等高,使所述透光件4能被两个所述内墙构件32的所述导电部位322与所述绝缘部位323以及两个所述第二阶体3112所支撑。
另外,两个所述内墙构件32的所述导电部位322可以设置有所述导电胶体6,使所述导电胶体6能确保两个所述内墙构件32的所述导电部位322能电性耦接所述内检测回路5B。当然,在两个所述内墙构件32的所述导电部位322能维持接触所述内检测回路5B(的两个所述接点51A)的情形下,则可省略所述导电胶体6。
再者,两个所述内墙构件32的所述绝缘部位323可以设置有所述黏着胶体7,使所述黏着胶体7能固定所述透光件4于两个所述内墙构件32上。当然,所述黏着胶体7也可以根据设计者需求省略。
需例外说明的是,两个所述内墙构件32的所述导电部位322及所述绝缘部位323在本实施例中能支撑所述透光件4、且作为所述内检测回路5B的导体。因此,在本发明于另一未示出的实施例中,两个所述外墙构件31的所述第一部位311是可以省略所述第二阶体3112,意即所述透光件4是只有被两个所述内墙构件32的所述导电部位322及所述绝缘部位323所支撑。
[第六实施例]
如图15及图16所示,其为本发明的第六实施例,本实施例的电子装置100F类似于上述第一实施例的电子装置100A,两个实施例的相同处则不再加以赘述,而本实施例的电子装置100F与第一实施例的差异主要在于:所述透光件4上更进一步地形成有一内检测回路5B。
具体来说,于本实施例中,所述透光件4于其内表面进一步地形成有一检测回路5,并且前述检测回路5是位在所述电子装置100F的内侧,故前述检测回路5又可称为所述内检测回路5B。所述内检测回路5B各别包含有两个接点51B及连接上述两个接点51B的一检测导线52B。所述内检测回路5B的两个所述接点51B彼此间隔地位于所述透光件4邻近两个所述内墙构件32的两侧上,并且两个所述接点51B能通过两个所述内墙构件32电性耦接所述基板1。
换句话说,本实施例中的所述透光件4是同时形成有所述外检测回路5A及所述内检测回路5B,并且所述外检测回路5A能通过两个所述外墙构件31电性耦接所述基板1,所述内检测回路5B则能通过两个所述内墙构件32电性耦接所述基板1,据以让使用者可以选择同时使用所述外检测回路5A及所述内检测回路5B,又或者选择一者使用。
需额外说明的是,由本实施例与第一实施例的检测回路的数量可以发现,所述电子装置的检测回路数量为至少一个,并且于实务上是所述检测回路5的数量可以依据设计需求而加以调整变化,故本发明的所述电子装置是可以包含至少一个所述检测回路即可。
[本发明实施例的技术效果]
综上所述,本发明实施例所公开的电子装置,其通过“两个所述间隙连通两个所述外墙构件所共同围绕的所述安装区域”以及“两个所述内墙构件所在位置分别对应两个所述间隙的位置,并且两个所述内墙构件分别部分遮挡两个所述间隙”的技术方案,使电子装置能确保其为非密封状态且具阻隔污染的效果。
以上所述仅为本发明的优选可行实施例,并非用来局限本发明的保护范围,凡依本发明权利要求所做的均等变化与修饰,皆应属本发明的权利要求书的保护范围。
Claims (12)
1.一种电子装置,其特征在于,所述电子装置包括:
一基板;
一半导体单元,安装于所述基板上;
一围墙,设置于所述基板上并围绕所述半导体单元,并且所述围墙包含:
两个外墙构件,彼此间隔地配置,使两个所述外墙构件之间形成两个间隙,并且两个所述间隙连通两个所述外墙构件所共同围绕的一安装区域;及
两个内墙构件,彼此间隔地配置于所述安装区域内,两个所述内墙构件所在位置分别对应两个所述间隙的位置,并且两个所述内墙构件分别部分遮挡两个所述间隙;以及
一透光件,设置于所述围墙上,并且所述透光件覆盖所述半导体单元。
2.依据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,所述半导体单元为一发光单元。
3.依据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,所述透光件支撑于两个所述内墙构件上。
4.依据权利要求3所述的电子装置,其特征在于,所述内墙构件为金属材质制成或其表面覆有金属层。
5.依据权利要求4所述的电子装置,其特征在于,所述透光件具有一内检测回路,所述内检测回路电性耦接两个所述内墙构件。
6.依据权利要求3所述的电子装置,其特征在于,每个所述外墙构件的部分呈阶梯状且包含:
一第一阶体;及
一第二阶体,位于所述第一阶体的内侧,并且所述第二阶体的顶面与所述基板之间的最短距离小于所述第一阶体的顶面与所述基板之间的最短距离。
7.依据权利要求6所述的电子装置,其特征在于,所述透光件同时支撑于两个所述外墙构件的所述第二阶体上。
8.依据权利要求5所述的电子装置,其特征在于,两个所述外墙构件为金属材质制成或其表面覆有金属层。
9.依据权利要求7所述的电子装置,其特征在于,所述透光件具有一外检测回路,所述外检测回路电性耦接两个所述外墙构件。
10.依据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,两个所述内墙构件不接触两个所述外墙构件。
11.依据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,两个所述间隙的最小宽度介于0.05毫米至2毫米之间。
12.依据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,所述电子装置还包含一检测单元,所述检测单元安装于所述基板上。
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