CN114300507A - 显示装置 - Google Patents

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申光植
金泰旭
徐柱洪
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Abstract

一种显示装置可以包括：基板，包括显示区域和围绕显示区域的至少一部分的非显示区域；第一有机绝缘层，设置在非显示区域中的基板上；第一导电层，设置在第一有机绝缘层上并且包括第一排放孔；第二有机绝缘层，设置在第一导电层上；以及透明导电层，设置在第二有机绝缘层上，并且包括分别与第一排放孔重叠的第二排放孔。

Description

显示装置
技术领域
本发明的实施例总体上涉及一种显示装置。
背景技术
显示装置可以包括发光元件，发光元件包括空穴注入电极、电子注入电极和设置在它们之间的发射层。当通过从空穴注入电极注入的空穴和从电子注入电极注入的电子在发射层中结合而产生的激子从激发态下降到基态时，发光元件可以发光。
显示装置可以包括用于在堆叠的导电层之间绝缘的无机绝缘层和/或有机绝缘层。由于包含在有机绝缘层中的有机材料的短期或长期化学分解，有机绝缘层可能产生气体。当有机绝缘层中产生的气体流入发光元件时，可能引起像素收缩或黑点等。
在本背景技术部分中公开的以上信息仅用于理解本发明构思的背景，并且因此，其可以包含不构成现有技术的信息。
发明内容
实施例提供了一种被配置为防止发光元件被损坏的显示装置。
本发明构思的附加特征将在下面的描述中阐述，并且部分地将通过描述显而易见，或者可以通过实践本发明构思来获知。
根据实施例的显示装置可以包括：基板，包括显示区域和围绕显示区域的至少一部分的非显示区域；第一有机绝缘层，设置在非显示区域中的基板上；第一导电层，设置在第一有机绝缘层上并且包括第一排放孔；第二有机绝缘层，设置在第一导电层上；以及透明导电层，设置在第二有机绝缘层上，并且包括分别与第一排放孔重叠的第二排放孔。
在实施例中，第二排放孔中的每一个的宽度可以基本上等于第一排放孔中的每一个的宽度。
在实施例中，第一导电层可以包括铝(Al)和钛(Ti)。
在实施例中，透明导电层可以包括银(Ag)和氧化铟锡(ITO)。
在实施例中，第一有机绝缘层和第二有机绝缘层中的每一个可以包括聚酰亚胺(PI)。
在实施例中，显示装置可以进一步包括：像素，设置在显示区域中的基板上；和电力线，设置在非显示区域中的基板上，将电力电压提供给像素，并且包括第一导电层和透明导电层。
在实施例中，电力线可以包括与显示区域间隔开第一距离的第一部分以及与显示区域间隔开大于第一距离的第二距离的第二部分。第一排放孔和第二排放孔可以设置在第一部分中。
在实施例中，第一导电层可以进一步包括第三排放孔。透明导电层可以进一步包括分别不与第三排放孔重叠的第四排放孔。第三排放孔和第四排放孔可以设置在第二部分中。
在实施例中，在平面图中，第三排放孔和第四排放孔可以交替设置。
在实施例中，非显示区域可以包括设置有连接到电力线的焊盘的第一侧部、从第一侧部延伸并且具有弯曲形状的角部和从角部延伸并且具有直线形状的第二侧部。第一部分可以设置在第一侧部中。
在实施例中，第二部分可以设置在角部中。
在实施例中，第二部分可以设置在第二侧部中。
在实施例中，显示装置可以进一步包括：设置在显示区中的基板上的晶体管；设置在晶体管上的第一平坦化层；设置在第一平坦化层上并且连接到晶体管的第一连接电极；设置在第一连接电极上的第二平坦化层；设置在第二平坦化层上并且连接到第一连接电极的像素电极；设置在像素电极上的发射层；以及设置在发射层上的对电极。
在实施例中，第一有机绝缘层可以与第一平坦化层设置在同一层上。第一导电层可以与第一连接电极设置在同一层上。第二有机绝缘层可以与第二平坦化层设置在同一层上。透明导电层可以与像素电极设置在同一层上。
在实施例中，显示装置可以进一步包括：第二导电层，设置在第二有机绝缘层和透明导电层之间，并且包括分别与第一排放孔重叠的第五排放孔；以及第三有机绝缘层，设置在第二导电层和透明导电层之间。
在实施例中，第二导电层可以包括铝(Al)和钛(Ti)。
在实施例中，第三有机绝缘层可以包括聚酰亚胺(PI)。
在实施例中，显示装置可以进一步包括：第二连接电极，设置在第二平坦化层和像素电极之间，并且连接第一连接电极和像素电极；以及第三平坦化层，设置在第二连接电极和像素电极之间。
在实施例中，第二导电层可以与第二连接电极设置在同一层上。第三有机绝缘层可以与第三平坦化层设置在同一层上。
在实施例中，透明导电层可以连接到对电极。
在根据实施例的显示装置中，透明导电层的第二排放孔可以分别与第一导电层的第一排放孔重叠，使得在设置于非显示区域中的第一有机绝缘层中产生的气体可以通过第一排放孔和第二排放孔被顺利地排放。相应地，设置在显示区域中的发光元件可以不被从第一有机绝缘层排放的气体损坏。
应理解，前面的一般描述和下面的详细描述都是例示性和解释性的，并且旨在提供对所要求保护的本发明的进一步说明。
附图说明
被包括以提供对本发明的进一步理解并且被并入本说明书且构成本说明书的一部分的附图，示出了本发明的例示性实施例，并且与描述一起用于说明本发明构思。
图1是示出根据实施例的显示装置的平面图。
图2是示出图1中的显示区域的截面图。
图3是示出图1中的非显示区域的平面图。
图4是示出沿图3中的线I-I’截取的显示装置的截面图。
图5是示出根据实施例的显示装置的平面图。
图6是示出图5中的区域II的平面图。
图7是示出图5中的非显示区域的平面图。
图8是示出沿图7中的线III-III’截取的显示装置的截面图。
图9和图10是示出根据另一实施例的显示装置的截面图。
具体实施方式
在下面的描述中，出于说明的目的，阐述了许多具体细节，以便提供对本发明的各种实施例或实施方式的透彻理解。如本文中所使用的，“实施例”和“实施方式”是可互换的词，其是采用本文中公开的发明构思中的一个或多个的装置或方法的非限制性示例。然而，显而易见的是，各种实施例可以在没有这些具体细节的情况下或者利用一个或多个等同布置来实践。在其他实例中，以框图形式示出了公知的结构和装置，以便避免不必要地模糊各种示例性实施例。进一步，各种实施例可以是不同的，但不必是排他的。例如，在不脱离本发明构思的情况下，实施例的特定形状、配置和特性可以在另一实施例中使用或实施。
除非另外指定，否则所例示的实施例应理解为提供可在实践中实施本发明构思的某些方式的变化的细节的例示性特征。因此，除非另外指定，否则在不脱离本发明构思的情况下，各种实施例的特征、部件、模块、层、膜、面板、区域和/或方面等(下文中，单独或共同称为“元件”)可以以其他方式组合、分离、互换和/或重新布置。
附图中交叉影线和/或阴影的使用通常被提供以阐明相邻元件之间的边界。因此，除非指定，否则交叉影线或阴影的存在或缺失都不会传达或指示对特定材料、材料性质、尺寸、比例、图示元件之间的共性和/或元件的任何其他特性、属性、性质等的任何偏好或要求。进一步，在附图中，为了清楚和/或描述的目的，可能夸大元件的尺寸和相对尺寸。当实施例可以不同地实施时，特定工艺可以以与所描述的顺序不同的顺序进行。例如，两个连续地描述的工艺可以基本上同时进行或者以与所描述的顺序相反的顺序进行。而且，相同的附图标记表示相同的元件。
当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“耦接到”另一元件或层时，它可以直接在另一元件或层上、直接连接到或耦接到另一元件或层，或者可以存在居间元件或层。然而，当元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接耦接到”另一元件或层时，不存在居间元件或层。为此，术语“连接”可以指具有或不具有居间元件的物理连接、电连接和/或流体连接。进一步，D1轴、D2轴和D3轴不限于直角坐标系的三个轴，例如x、y和z轴，并且可以在更广泛的意义上进行解释。例如，D1轴、D2轴和D3轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。如本文中所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关列出的项目的任何和所有组合。
尽管术语“第一”、“第二”等可以在本文中使用来描述各种类型的元件，但是这些元件不应受这些术语限制。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开来。因此，在不脱离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可以被称为第二元件。
诸如“在……下面”、“在……下方”、“在……底部”、“下”、“在……上方”、“上”、“在……上面”、“较高的”和“侧”(例如，如“侧壁中的)等的空间相对术语可以在本文中使用用于描述性目的，并且从而描述如图中所示的一个元件与另一(些)元件的关系。除了图中描绘的方位之外，空间相对术语旨在涵盖使用、操作和/或制造中的设备的不同方位。例如，如果图中的设备被翻转，则被描述为在其他元件或特征“下方”或“下面”的元件随之将被定向在其他元件或特征“上方”。因此，术语“在……下方”可以包括上方和下方两种方位。此外，设备可以以其他方式定向(例如，旋转90度或处于其他方位)，并且因此，本文中使用的空间相对描述语应被相应地解释。
本文中使用的术语用于描述特定实施例的目的，而不旨在是限制。如本文中所使用的，单数形式“一”、“所述”和“该”旨在也包括复数形式，除非上下文另外清楚地指出。此外，当在本说明书中使用时，术语“包括”、“包含”及其变体指定所述特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在，但不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在或添加。还应注意，如本文中所使用的，术语“基本上”、“大约”和其他类似术语用作近似的术语而不是用作程度的术语，并且因此用于解释本领域普通技术人员将认识到的测量值、计算值和/或提供的值的固有偏差。
本文中参考截面图示和/或分解图示来描述各种实施例，截面图示和/或分解图示是理想化的实施例和/或中间结构的示意图示。因此，作为例如制造技术和/或公差的结果的图示的形状的变化将被预期。因此，本文中公开的实施例不必一定被解释为限于特定示出的区域的形状，而是包括由例如制造导致的形状的偏差。以此方式，图中示出的区域本质上可以是示意性的，并且这些区域的形状可能不反映装置的区域的实际形状，并且因此，不一定旨在进行限制。
除非另外定义，否则本文中使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。诸如在常用词典中定义的那些术语的术语应当被解释为具有与其在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且不应该以理想化或过于正式的意义来解释，除非在本文中明确地如此定义。
在下文中，将参考附图详细说明根据实施例的显示装置。
图1是示出根据实施例的显示装置的平面图。
参考图1，根据实施例的显示装置100可以包括基板110，基板110包括显示区域DA和非显示区域NDA。显示区域DA可以是显示图像的区域。
非显示区域NDA可以围绕显示区域DA的至少一部分。在实施例中，非显示区域NDA可以完全围绕显示区域DA。非显示区域NDA可以是不显示图像的区域。
图2是示出图1中的显示区域DA的截面图。
参考图1和图2，显示装置100可以包括设置在显示区域DA中的基板110上的缓冲层120、有源层130、第一栅绝缘层140、第一栅电极150、第二栅绝缘层160、第二栅电极170、层间绝缘层180、源电极191、漏电极192、第一平坦化层200、第一连接电极210、第二平坦化层220、像素电极250、像素限定层260、发射层270和对电极280。
基板110可以是透明绝缘基板。在实施例中，基板110可以具有刚性特性。在这样的实施例中，基板110可以包括例如玻璃、石英或金属等。在另一实施例中，基板110可以具有柔性特性。在这样的另一实施例中，基板110可以包括聚合物树脂，例如聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯(PAR)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)或醋酸丙酸纤维素(CAP)等。
缓冲层120可以设置在基板110上。缓冲层120可以阻挡流过基板110的杂质。进一步，缓冲层120可以在基板110上提供平坦的上表面。缓冲层120可以包括诸如氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等的无机绝缘材料。
有源层130可以设置在缓冲层120上。在实施例中，有源层130可以包括非晶硅或多晶硅等。在另一实施例中，有源层130可以包括氧化物半导体。例如，氧化物半导体可以包括铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)、锡(Sn)、钛(Ti)、锆(Zr)和铪(Hf)中的至少一种氧化物。
第一栅绝缘层140可以设置在有源层130上。第一栅绝缘层140可以覆盖缓冲层120上的有源层130。在实施例中，第一栅绝缘层140可以沿着有源层130的轮廓具有均匀的厚度。在另一实施例中，第一栅绝缘层140可以具有平坦的上表面。第一栅绝缘层140可以包括诸如氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等的无机绝缘材料。
第一栅电极150可以设置在第一栅绝缘层140上。第一栅电极150可以与有源层130重叠。第一栅电极150可以包括诸如钼(Mo)、铜(Cu)、铝(Al)或钛(Ti)等的导电材料。
第二栅绝缘层160可以设置在第一栅电极150上。第二栅绝缘层160可以覆盖第一栅绝缘层140上的第一栅电极150。在实施例中，第二栅绝缘层160可以沿着第一栅绝缘层140和第一栅电极150的轮廓具有均匀的厚度。在另一实施例中，第二栅绝缘层160可以具有平坦的上表面。第二栅绝缘层160可以包括诸如氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等的无机绝缘材料。
第二栅电极170可以设置在第二栅绝缘层160上。第二栅电极170可以与第一栅电极150重叠。第二栅电极170可以包括诸如钼(Mo)、铜(Cu)、铝(Al)或钛(Ti)等的导电材料。第一栅电极150和第二栅电极170可以形成电容器CAP。
层间绝缘层180可以设置在第二栅电极170上。层间绝缘层180可以覆盖第二栅绝缘层160上的第二栅电极170。在实施例中，层间绝缘层180可以沿着第二栅绝缘层160和第二栅电极170的轮廓具有均匀的厚度。在另一实施例中，层间绝缘层180可以具有平坦的上表面。层间绝缘层180可以包括诸如氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等的无机绝缘材料。
源电极191和漏电极192可以设置在层间绝缘层180上。源电极191和漏电极192中的每一个可以通过形成在第一栅绝缘层140、第二栅绝缘层160和层间绝缘层180中的接触孔连接到有源层130。源电极191和漏电极192中的每一个可以包括诸如钼(Mo)、铜(Cu)、铝(Al)或钛(Ti)等的导电材料。有源层130、第一栅电极150、源电极191和漏电极192可以形成晶体管TR。
在实施例中，如图2中所示，晶体管TR可以具有其中第一栅电极150设置在有源层130上的顶栅型结构。然而，本发明不限于此，并且在另一实施例中，晶体管TR可以具有其中栅电极设置在有源层底部的底栅型结构。
第一平坦化层200可以设置在源电极191和漏电极192上。第一平坦化层200可以覆盖层间绝缘层180上的源电极191和漏电极192。第一平坦化层200可以具有平坦的上表面。第一平坦化层200可以包括诸如聚酰亚胺(PI)等的有机绝缘材料。
第一连接电极210可以设置在第一平坦化层200上。第一连接电极210可以通过形成在第一平坦化层200中的接触孔连接到源电极191或漏电极192。在实施例中，如图2中所示，第一连接电极210可以连接到漏电极192。然而，本发明不限于此，并且在另一实施例中，第一连接电极210可以连接到源电极191。
第一连接电极210可以包括诸如钼(Mo)、铜(Cu)、铝(Al)或钛(Ti)等的导电材料。在实施例中，第一连接电极210可以包括铝(Al)和钛(Ti)。例如，第一连接电极210可以具有包括顺序地堆叠的钛(Ti)层、铝(Al)层和钛(Ti)层的多层结构。
第二平坦化层220可以设置在第一连接电极210上。第二平坦化层220可以覆盖第一平坦化层200上的第一连接电极210。第二平坦化层220可以具有平坦的上表面。
第二平坦化层220可以包括诸如聚酰亚胺(PI)等的有机绝缘材料。
像素电极250可以设置在第二平坦化层220上。像素电极250可以通过形成在第二平坦化层220中的接触孔连接到第一连接电极210。像素电极250可以包括诸如金属、合金或透明导电氧化物等的导电材料。在实施例中，像素电极250可以包括银(Ag)和氧化铟锡(ITO)。例如，像素电极250可以具有包括顺序地堆叠的氧化铟锡(ITO)层、银(Ag)层和氧化铟锡(ITO)层的多层结构。
像素限定层260可以设置在像素电极250上。像素限定层260可以部分地覆盖第二平坦化层220上的像素电极250。像素限定层260可以具有暴露像素电极250的至少一部分的像素开口。在实施例中，像素开口可以暴露像素电极250的中心部分，并且像素限定层260可以覆盖像素电极250的外围部分。像素限定层260可以具有平坦的上表面。像素限定层260可以包括诸如聚酰亚胺(PI)等的有机绝缘材料。
发射层270可以设置在像素电极250上。发射层270可以设置在像素电极250的由像素开口暴露的至少一部分上。发射层270可以包括有机发光材料和量子点中的至少一种。
在实施例中，有机发光材料可以包括低分子量有机化合物或高分子量有机化合物。例如，低分子量有机化合物可包括铜酞菁、二苯基联苯胺(N，N'-二苯基联苯胺)或三-(8-羟基喹啉)铝等。高分子量有机化合物可以包括聚乙烯二氧噻吩、聚苯胺、聚对苯撑乙烯或聚芴等。
在实施例中，量子点可以包括核，核包括II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素、IV族化合物和其组合。在实施例中，量子点可以具有包括核和围绕核的壳的核-壳结构。壳可以用作用于通过防止核的化学改性来保持半导体特性的保护层，并且用作被配置为将电泳特性赋予量子点的充电层。
对电极280可以设置在发射层270上。在实施例中，对电极280还可以设置在像素限定层260上。对电极280可以包括诸如金属、合金或透明导电氧化物等的导电材料。例如，导电材料可以包括铝(Al)、铂(Pt)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、铬(Cr)、钨(W)或钛(Ti)等。像素电极250、发射层270和对电极280可以形成发光元件EL。
图3是示出图1中的非显示区域NDA的平面图。图4是示出沿图3中的线I-I’截取的显示装置100的截面图。
参考图1、图3和图4，显示装置100可以包括设置在非显示区域NDA中的基板110上的第一无机绝缘层125、第二无机绝缘层145、第三无机绝缘层165、第四无机绝缘层185、第一有机绝缘层205、第一导电层215、第二有机绝缘层225和透明导电层255。
第一无机绝缘层125可以设置在基板110上。第一无机绝缘层125可以包括诸如氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等的无机绝缘材料。在实施例中，第一无机绝缘层125可以与缓冲层120设置在同一层上。在这样的实施例中，第一无机绝缘层125的材料可以与缓冲层120的材料基本相同。
第二无机绝缘层145可以设置在第一无机绝缘层125上。第二无机绝缘层145可以包括诸如氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等的无机绝缘材料。在实施例中，第二无机绝缘层145可以与第一栅绝缘层140设置在同一层上。在这样的实施例中，第二无机绝缘层145的材料可以与第一栅绝缘层140的材料基本相同。
第三无机绝缘层165可以设置在第二无机绝缘层145上。第三无机绝缘层165可以包括诸如氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等的无机绝缘材料。在实施例中，第三无机绝缘层165可以与第二栅绝缘层160设置在同一层上。在这样的实施例中，第三无机绝缘层165的材料可以与第二栅绝缘层160的材料基本相同。
第四无机绝缘层185可以设置在第三无机绝缘层165上。第四无机绝缘层185可以包括诸如氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等的无机绝缘材料。在实施例中，第四无机绝缘层185可以与层间绝缘层180设置在同一层上。在这样的实施例中，第四无机绝缘层185的材料可以与层间绝缘层180的材料基本相同。
第一有机绝缘层205可以设置在第四无机绝缘层185上。第一有机绝缘层205可以包括诸如聚酰亚胺(PI)等的有机绝缘材料。在实施例中，第一有机绝缘层205可以与第一平坦化层200设置在同一层上。在这样的实施例中，第一有机绝缘层205的材料可以与第一平坦化层200的材料基本相同。
第一导电层215可以设置在第一有机绝缘层205上。第一导电层215可以包括诸如钼(Mo)、铜(Cu)、铝(Al)或钛(Ti)等的导电材料。在实施例中，第一导电层215可以包括铝(Al)和钛(Ti)。例如，第一导电层215可以具有包括顺序地堆叠的钛(Ti)层、铝(Al)层和钛(Ti)层的多层结构。
在实施例中，第一导电层215可以与第一连接电极210设置在同一层上。在这样的实施例中，第一导电层215的材料可以与第一连接电极210的材料基本相同。
第一导电层215可以包括第一排放孔DH1。第一排放孔DH1可以穿过第一导电层215。在平面图中，第一排放孔DH1可以在第一方向DR1以及与第一方向DR1交叉的第二方向DR2上以恒定间隔布置。在实施例中，第一排放孔DH1中的每一个可以具有矩形平面形状。然而，本发明不限于此，并且在另一实施例中，除了矩形形状之外，第一排放孔DH1中的每一个的平面形状可以是多边形形状、圆形形状等。
第一排放孔DH1可以用作用于排放在第一有机绝缘层205中产生的气体的通道。在包括有机绝缘材料的第一有机绝缘层205中，由于湿气等的短期或长期化学分解，可能产生气体。如果气体不被适当地排放，设置在显示区域DA中的发光元件EL可能被气体损坏，这可能导致像素收缩和发光元件EL的寿命缩短。第一排放孔DHl可以形成在第一导电层215中，使得在第一有机绝缘层205中产生的气体可以通过第一排放孔DHl并且通过第一导电层215上方的层被排放。
第二有机绝缘层225可以设置在第一导电层215上。第二有机绝缘层225可以覆盖第一有机绝缘层205上的第一导电层215。第二有机绝缘层225可以包括诸如聚酰亚胺(PI)等的有机绝缘材料。在实施例中，第二有机绝缘层225可以与第二平坦化层220设置在同一层上。在这样的实施例中，第二有机绝缘层225的材料可以与第二平坦化层220的材料基本相同。
透明导电层255可以设置在第二有机绝缘层225上。透明导电层255可以包括诸如金属、合金或透明导电氧化物等的导电材料。在实施例中，透明导电层255可以包括银(Ag)和氧化铟锡(ITO)。例如，透明导电层255可以具有包括顺序地堆叠的氧化铟锡(ITO)层、银(Ag)层和氧化铟锡(ITO)层的多层结构。
在实施例中，透明导电层255可以与像素电极250设置在同一层上。在这样的实施例中，透明导电层255的材料可以与像素电极250的材料基本相同。
透明导电层255可以包括第二排放孔DH2。第二排放孔DH2可以穿过透明导电层255。在平面图中，第二排放孔DH2可以在第一方向DR1和第二方向DR2上以恒定间隔布置。在实施例中，第二排放孔DH2中的每一个可以具有矩形平面形状。然而，本发明不限于此，并且在另一实施例中，除了矩形形状之外，第二排放孔DH2中的每一个的平面形状可以是多边形形状、圆形形状等。
第二排放孔DH2可以用作用于排放从第一有机绝缘层205和/或第二有机绝缘层225产生的气体的通道。在包括有机绝缘材料的第二有机绝缘层225中，由于湿气等的短期或长期化学分解，可能产生气体。如果气体不被适当地排放，设置在显示区域DA中的发光元件EL可能被气体损坏，这可能导致像素收缩和发光元件EL的寿命缩短。第二排放孔DH2可以形成在透明导电层255中，使得在第一有机绝缘层205和/或第二有机绝缘层225中产生的气体可以通过第二排放孔DH2被排放。
第二排放孔DH2可以分别与第一排放孔DH1重叠。在实施例中，第二排放孔DH2中的每一个的宽度可以基本上等于第一排放孔DH1中的每一个的宽度。
在先前的设计中，形成在透明导电层中的第二排放孔可以分别不与形成在第一导电层中的第一排放孔重叠，或者可以分别与形成在第一导电层中的第一排放孔部分地重叠。在这种情况下，排放气体的路径可能是弯曲的，并且因此，在第一有机绝缘层中产生的气体可能不通过第一排放孔和第二排放孔被顺利地排放。相应地，设置在显示区域中的发光元件可能被气体损坏。
然而，在本发明的实施例中，形成在透明导电层255中的第二排放孔DH2可以分别与形成在第一导电层215中的第一排放孔DH1基本上完全对齐地重叠。在这种情况下，排放气体的路径可以形成在垂直方向上，并且相应地，在第一有机绝缘层205中产生的气体可以通过第一排放孔DH1和第二排放孔DH2被顺利地排放。相应地，设置在显示区域DA中的发光元件EL可以不被气体损坏。
图5是示出根据实施例的显示装置的平面图。图6是示出图5中的区域II的平面图。
参考图5和图6，根据实施例的显示装置100可以包括设置在显示区域DA中的基板110上的像素PX以及设置在非显示区域NDA中的基板110上的焊盘PD和电力线PL。
像素PX可以以基本上矩阵的形式布置在显示区域DA中的基板110上。在实施例中，像素PX中的每一个可以包括图2中示出的晶体管TR、电容器CAP和发光元件EL。
非显示区域NDA可以包括第一侧部SP1、从第一侧部SP1延伸的角部CP和从角部CP延伸的第二侧部SP2。第一侧部SP1和第二侧部SP2中的每一个可以具有直线形状，并且角部CP可以具有弯曲形状。在实施例中，第一侧部SP1可以对应于基板110的短边，并且第二侧部SP2可以对应于基板110的长边。
焊盘PD可以设置在第一侧部SP1中的基板110上。焊盘PD可以连接到柔性印刷电路板等以从柔性印刷电路板接收电力电压。
电力线PL可以设置在非显示区域NDA中的基板110上，并且可以完全围绕显示区域DA。电力线PL可以连接到焊盘PD，并且可以沿着第一侧部SP1、角部CP和第二侧部SP2延伸。在实施例中，电力线PL可以包括图3和图4中示出的第一导电层215和透明导电层255。
电力线PL可以从焊盘PD接收电力电压，并且可以将电力电压提供给像素PX。电力线PL可以在第二侧部SP2中连接到像素PX。在实施例中，电力线PL的透明导电层255可以连接到像素PX中的每一个像素PX的发光元件EL的图2中的对电极280。
在实施例中，电力线PL可以包括第一部分PL1和第二部分PL2。第一部分PL1可以与显示区域DA间隔开第一距离D1，而第二部分PL2可以与显示区域DA间隔开大于第一距离D1的第二距离D2。换句话说，第二部分PL2可以比第一部分PL1离显示区域DA更远。第一部分PL1在与第二部分PL2的边界附近可以基本上是直的并且略微弯曲。第二部分PL2可以基本上是弯曲的并且朝向第二侧部SP2延伸。
在实施例中，第一部分PL1可以设置在第一侧部SP1中的基板110上。进一步，第二部分PL2可以设置在角部CP和/或第二侧部SP2中的基板110上。
图7是示出图5中的包括第一侧部SP1、角部CP和第二侧部SP2的非显示区域NDA的平面图。例如，图7可以示出图5中的角部CP或第二侧部SP2。图8是示出沿图7中的线III-III’截取的显示装置100的截面图。
参考图5、图6、图7和图8，第一导电层215可以进一步包括第三排放孔DH3。第三排放孔DH3可以穿过第一导电层215。在平面图中，第三排放孔DH3可以在第一方向DR1和第二方向DR2上以恒定间隔布置。在实施例中，第三排放孔DH3中的每一个可以具有矩形平面形状。然而，本发明不限于此，并且在另一实施例中，除了矩形形状之外，第三排放孔DH3中的每一个的平面形状可以是多边形形状、圆形形状等。
第三排放孔DH3可以用作用于排放在第一有机绝缘层205中产生的气体的通道。第三排放孔DH3可以形成在第一导电层215中，使得在第一有机绝缘层205中产生的气体可以通过第三排放孔DH3被排放。
透明导电层255可以进一步包括第四排放孔DH4。第四排放孔DH4可以穿过透明导电层255。在平面图中，第四排放孔DH4可以在第一方向DR1和第二方向DR2上以恒定间隔布置。在实施例中，第四排放孔DH4中的每一个可以具有矩形平面形状。然而，本发明不限于此，并且在另一实施例中，除了矩形形状之外，第四排放孔DH4中的每一个的平面形状可以是多边形形状、圆形形状等。
第四排放孔DH4可以用作用于排放在第一有机绝缘层205和/或第二有机绝缘层225中产生的气体的通道。第四排放孔DH4可以形成在透明导电层255中，使得在第一有机绝缘层205和/或第二有机绝缘层225中产生的气体可以通过第四排放孔DH4被排放。
第四排放孔DH4可以分别不与第三排放孔DH3重叠。意思是，第四排放孔DH4不如图4中所示与第三排放孔DH3基本上对齐。在实施例中，在平面图中，第三排放孔DH3和第四排放孔DH4可以交替设置。例如，第三排放孔DH3和第四排放孔DH4可以沿第一方向DR1交替布置。如图8中所示，透明导电层255的边缘部分E1可以与第一导电层215的边缘部分E2重叠。
在实施例中，图3中的第一排放孔DH1和图3中的第二排放孔DH2可以设置在电力线PL的第一部分PL1中，并且第三排放孔DH3和第四排放孔DH4可以设置在电力线PL的第二部分PL2中。
与电力线PL的其中如图3和图4中设置有彼此重叠的第一排放孔DH1和第二排放孔DH2的第一部分PL1相比，在电力线PL的其中如图7和图8中设置有彼此不重叠的第三排放孔DH3和第四排放孔DH4的第二部分PL2中，第一有机绝缘层205中产生的气体可能不通过第三排放孔DH3和第四排放孔DH4被相对顺利地排放。然而，因为第二部分PL2比第一部分PL1离显示区域DA更远，所以在第二部分PL2中产生的气体对设置在显示区域DA中的发光元件EL的影响可以相对小，使得非重叠布置也被证明是有效的。
与电力线PL的其中设置有彼此重叠的第一排放孔DH1和第二排放孔DH2的第一部分PL1相比，电力线PL的其中设置有彼此不重叠的第三排放孔DH3和第四排放孔DH4的第二部分PL2的表面积可以相对大。相应地，当电力线PL的第二部分PL2接触发光元件EL的对电极280时，电力线PL与发光元件EL的对电极280之间的接触电阻可以减小，并且相应地，可以防止由电力线PL提供给发光元件EL的对电极280的电力电压的电压降和延迟。
图9和图10是示出根据另一实施例的显示装置的截面图。图9和图10可以分别示出图1中的显示装置100的显示区域DA和非显示区域NDA的实施例。
将不重复参考图9和图10描述的显示装置中的与参考图2和图4描述的显示装置的元件基本相同或相似的元件的描述。
参考图1和图9，显示装置100可以进一步包括设置在显示区域DA中的第二连接电极230和第三平坦化层240。
第二连接电极230可以设置在第二平坦化层220与像素电极250之间。第二连接电极230可以连接第一连接电极210和像素电极250。第二连接电极230可以通过形成在第二平坦化层220中的接触孔连接到第一连接电极210。
第二连接电极230可以包括诸如钼(Mo)、铜(Cu)、铝(Al)或钛(Ti)等的导电材料。在实施例中，第二连接电极230可以包括铝(Al)和钛(Ti)。例如，第二连接电极230可以具有包括顺序地堆叠的钛(Ti)层、铝(Al)层和钛(Ti)层的多层结构。
第三平坦化层240可以设置在第二连接电极230与像素电极250之间。第三平坦化层240可以覆盖第二平坦化层220上的第二连接电极230。第三平坦化层240可以具有平坦的上表面。第三平坦化层240可以包括诸如聚酰亚胺(PI)等的有机绝缘材料。
参考图1、图9和图10，显示装置100可以进一步包括设置在非显示区域NDA中的第二导电层235和第三有机绝缘层245。
第二导电层235可以设置在第二有机绝缘层225与透明导电层255之间。第二导电层235可以包括诸如钼(Mo)、铜(Cu)、铝(Al)或钛(Ti)等的导电材料。在实施例中，第二导电层235可以包括铝(Al)和钛(Ti)。例如，第二导电层235可以具有包括顺序地堆叠的钛(Ti)层、铝(Al)层和钛(Ti)层的多层结构。
在实施例中，第二导电层235可以与第二连接电极230设置在同一层上。在这样的实施例中，第二导电层235的材料可以与第二连接电极230的材料基本相同。
第二导电层235可以包括第五排放孔DH5。第五排放孔DH5可以穿过第二导电层235。在实施例中，第五排放孔DH5中的每一个可以具有矩形平面形状。然而，本发明不限于此，并且在另一实施例中，除了矩形形状之外，第五排放孔DH5中的每一个的平面形状可以是多边形形状、圆形形状等。
第五排放孔DH5可以用作用于排放从第一有机绝缘层205和/或第二有机绝缘层225产生的气体的通道。第五排放孔DH5可以形成在第二导电层235中，使得在第一有机绝缘层205和/或第二有机绝缘层225中产生的气体可以通过第五排放孔DH5被排放。
第五排放孔DH5可以分别与第一排放孔DH1重叠。在实施例中，第五排放孔DH5中的每一个的宽度可以基本上等于第一排放孔DH1中的每一个的宽度。在这样的实施例中，第五排放孔DH5可以分别与第二排放孔DH2重叠，并且第五排放孔DH5中的每一个的宽度可以基本上等于第二排放孔DH2中的每一个的宽度。
第三有机绝缘层245可以设置在第二导电层235与透明导电层255之间。第三有机绝缘层245可以覆盖第二有机绝缘层225上的第二导电层235。第三有机绝缘层245可以包括诸如聚酰亚胺(PI)等的有机绝缘材料。在实施例中，第三有机绝缘层245可以与第三平坦化层240设置在同一层上。在这样的实施例中，第三有机绝缘层245的材料可以与第三平坦化层240的材料基本相同。
根据实施例的显示装置可以应用于计算机、笔记本、移动电话、智能电话、智能平板、PMP、PDA或MP3播放器等中包括的显示装置。
尽管已经参考附图描述了根据实施例的显示装置，但是所示出的实施例是示例，并且可以由相关技术领域中的普通技术人员进行修改和改变，而不脱离所附权利要求书中描述的技术精神。

Claims (10)

1.一种显示装置，包括：
基板，包括显示区域和围绕所述显示区域的至少一部分的非显示区域；
第一有机绝缘层，设置在所述非显示区域中的所述基板上；
第一导电层，设置在所述第一有机绝缘层上并且包括第一排放孔；
第二有机绝缘层，设置在所述第一导电层上；以及
透明导电层，设置在所述第二有机绝缘层上，并且包括分别与所述第一排放孔重叠的第二排放孔。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述第二排放孔中的每一个的宽度等于所述第一排放孔中的每一个的宽度。
3.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括：
像素，设置在所述显示区域中的所述基板上；和
电力线，设置在所述非显示区域中的所述基板上，将电力电压提供给所述像素，并且包括所述第一导电层和所述透明导电层。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中所述电力线包括与所述显示区域间隔开第一距离的第一部分以及与所述显示区域间隔开大于所述第一距离的第二距离的第二部分，并且
其中所述第一排放孔和所述第二排放孔设置在所述第一部分中。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中所述第一导电层进一步包括第三排放孔，
其中所述透明导电层进一步包括分别不与所述第三排放孔重叠的第四排放孔，并且
其中所述第三排放孔和所述第四排放孔设置在所述第二部分中。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中所述非显示区域包括设置有连接到所述电力线的焊盘的第一侧部、从所述第一侧部延伸并且具有弯曲形状的角部以及从所述角部延伸并且具有直线形状的第二侧部，并且
其中所述第一部分设置在所述第一侧部中。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中所述第二部分设置在所述角部中。
8.根据权利要求6所述的显示装置，其中所述第二部分设置在所述第二侧部中。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的显示装置，进一步包括：
设置在所述显示区域中的所述基板上的晶体管；
设置在所述晶体管上的第一平坦化层；
设置在所述第一平坦化层上并且连接到所述晶体管的第一连接电极；
设置在所述第一连接电极上的第二平坦化层；
设置在所述第二平坦化层上并且连接到所述第一连接电极的像素电极；
设置在所述像素电极上的发射层；以及
设置在所述发射层上的对电极。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中所述第一有机绝缘层与所述第一平坦化层设置在同一层上，
其中所述第一导电层与所述第一连接电极设置在同一层上，
其中所述第二有机绝缘层与所述第二平坦化层设置在同一层上，并且
其中所述透明导电层与所述像素电极设置在同一层上。
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