CN114296506A

CN114296506A - 一种适应于高精度太赫兹时域光谱系统的可调制偏压源

Info

Publication number: CN114296506A
Application number: CN202111656593.3A
Authority: CN
Inventors: 秦政飞; 朱新勇; 张朝惠; 管玉超; 何徽; 刘永利; 初文怡
Original assignee: Qingdao Qingyuan Fengda Terahertz Technology Co ltd
Current assignee: Qingdao Qingyuan Fengda Terahertz Technology Co ltd
Priority date: 2021-12-30
Filing date: 2021-12-30
Publication date: 2022-04-08
Anticipated expiration: 2041-12-30
Also published as: CN114296506B

Abstract

本发明公开了一种适应于高精度太赫兹时域光谱系统的可调制偏压源，信号反向电路用于将输入的调制信号反向，输出反向调制信号；高边信号上升延时电路用于对输入的调制信号进行延时；低边信号上升延时电路与信号反向电路连接，用于对反向调制信号进行延时；半桥驱动输出电路第2引脚和第3引脚分别与高边信号上升延时电路和低边信号上升延时电路连接，将输入的调制信号和反向调制信号作为高低边的输入信号，输出信号分别控制两个N‑MOS管的导通和截至，保证调制信号的正常输出，电压转换电路分别与信号反向电路、信号上升延时电路和半桥驱动输出电路连接，用于提供所需的电压。提升了可调制偏压源信号在电压输出强度、高速调制下占空比不准确的问题。

Description

一种适应于高精度太赫兹时域光谱系统的可调制偏压源

技术领域：

本发明属于太赫兹光谱和成像技术领域，具体涉及一种适应于高精度太赫兹时域光谱系统的可调制偏压源。

背景技术：

太赫兹波是介于微波和红外波段的一种穿透能力强、光子能量低的电磁波，其频率在0.1～10THz(1THz＝10¹²Hz)之间。太赫兹光谱和成像系统是利用太赫兹波进行光电导采样，广泛应用于物质识别、安全检查、材料与结构的无损探伤、生物组织的活体检查、无线通信等领域。

太赫兹波产生的主要方式是利用光电导天线来产生太赫兹波。当有光照射状态时，其作为基地的半导体材料的电导率增加，使光电流产生。光电导天线产生太赫兹辐射主要是利用光生载流子在外电场作用下的加速运动效应而获得太赫兹波，外加电场的大小通常为几十伏到上百伏左右。

而为实现太赫兹的有效探测，需要在太赫兹脉冲的产生过程中加入一定的调制频率，便于锁相放大器等高精度信号探测设备应用。通常的做法，是使用特定频率的调制信号，调节光电导天线的外加电场。因此可调制偏压源已经成为高精度太赫兹时域光谱系统的关键器件。

可调制偏压源，在高精度太赫兹时域光谱系统内，是将锁相放大器产生的基于TTL电平的一定频率的信号，放大产生相同频率的高电压调制信号。

目前大部分高压调制的设计方式如图1所示，使用2只NPN三极管、1只PNP三极管、1只N沟道-MOS、1只P沟道-MOS外加配置电阻搭建。该设计可以满足部分对调制输出要求不高的场合，但当在使用高速调制信号时，由于调制电压较高，因此R4的电阻阻值要求较大，从而造成Q4三极管的导通时间较长，导致调制后的输出信号上升速率较慢，调制后的输出信号与理想信号相比严重失真。

除此之外，有部分调制偏压设备，使用高压运算放大器作为信号输出端，但是运算放大器的压摆率大部分都在20V/us以内，在100V左右的信号波动下，信号的上升下降时间在5us左右，依然无法满足高频率信号调制时，对信号完整性的要求。

目前调制偏压源主要在满足基本应用的前提下，存在输出电压范围小、高速调制下信号占空比不准确、信号边沿变化速率低等方面的问题。

发明内容：

本发明大大提升了可调制偏压源信号在电压输出强度、高速调制下占空比不准确、信号边沿速率低等方面的问题。最大输出电压可达135V；调制输入信号占空比为50％时，100Hz-200kHz频率下输出信号占空比达49.5％以上；高压信号在100V时，输出信号上升下降沿时间小于100ns。

为了实现上述目的，本发明涉及的一种适应于高精度太赫兹时域光谱系统的可调制偏压源，包括信号反向电路、信号上升延时电路、半桥驱动输出电路和电压转换电路，信号上升延时电路分为高边信号上升延时电路和低边信号上升延时电路；信号反向电路用于将输入的调制信号反向，输出与输入的调制信号逻辑相反的调制信号——反向调制信号；高边信号上升延时电路用于对输入的调制信号进行延时；低边信号上升延时电路与信号反向电路连接，用于对反向调制信号进行延时；半桥驱动输出电路第2引脚和第3引脚分别与高边信号上升延时电路和低边信号上升延时电路连接，将输入的调制信号和反向调制信号作为高低边的输入信号，输出信号分别控制两个N-MOS管的导通和截至，保证调制信号的正常输出，电压转换电路用于产生直流电源电压为信号反向电路和信号上升延时电路供电，同时用于产生高输出直流电压为半桥输出电路的供电，电压转换电路分别与信号反向电路、信号上升延时电路和半桥驱动输出电路连接，用于提供所需的电压。

具体地，信号反向电路包括信号反向电路芯片U1、电阻R11、电阻R17、电阻R18、电阻R20、电容C3、电容C4、电容C5和发光二极管LED1和发光二极管LED2，反向电路芯片U1的第1引脚分别与信号输入端、电容C3一端、电阻R11一端、电阻R18一端连接，电容C3另一端与电阻R18另一端连接后接地，电阻R11另一端与直流电源电压连接，反向电路芯片U1的第2引脚接地，反向电路芯片U1的第3引脚和第1引脚连接，反向电路芯片U1的第4引脚与电阻R19连接，反向电路芯片U1的第5引脚分别连接电容C4一端、电容C5一端和直流电源电压，电容C4一端和电容C5一端连接后接地，反向电路芯片U1的第6引脚与电阻R17一端连接，电阻R17另一端与发光二极管LED1阴极连接，发光二极管LED1阳极与直流电源电压连接，发光二极管LED2阳极与直流电源电压连接，发光二极管LED2阴极与电阻R20连接后接地。

具体地，信号反向电路芯片U1为SN74LVC2G04DCK。

具体地，半桥驱动输出电路包括双边栅极驱动芯片U2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R23、电阻R26、二极管D1、电容C1、N-MOS管Q3和N-MOS管Q4；双边栅极驱动芯片U2的第1引脚分别与电阻R3一端、外部电源连接，电阻R3另一端与二极管D1阳极连接，二极管D1阴极连接在双边栅极驱动芯片U2的第8引脚；双边栅极驱动芯片U2的第2引脚与低边信号上升延时电路芯片连接；双边栅极驱动芯片U2的第3引脚与高边信号上升延时电路芯片连接；双边栅极驱动芯片U2的第4引脚接地；双边栅极驱动芯片U2的第5引脚与电阻R5一端连接，电阻R5另一端分别与电阻R7一端和N-MOS管Q4栅极连接，N-MOS管Q4源极和电阻R7另一端均与电阻26一端连接，电阻26另一端接地；双边栅极驱动芯片U2的第6引脚和第8引脚之间并联电容C1，双边栅极驱动芯片U2的第6引脚还分别与电阻R6一端、N-MOS管Q4漏极和N-MOS管Q3源极连接；双边栅极驱动芯片U2的第7引脚与电阻R4一端连接，电阻R4另一端分别与电阻R6另一端、N-MOS管Q3栅极连接，N-MOS管Q3漏极与电阻R23一端连接，电阻R3另一端与高输出直流电压连接。

具体地，所述双边栅极驱动芯片U2的型号均为FAN7842，FAN7842兼容TTL电平输入；信号双端输入，双端输出；信号延变时间最块可达50V/ns。

具体地，所述低边信号上升延时电路包括低边信号上升延时电路芯片U5、电容C28、电容C39、电阻R19、电阻R12、电阻R129和N-MOS管Q1；低边信号上升延时电路芯片U5的第1引脚和第5引脚之间并联电阻R129；电阻R19一端与信号反向电路芯片连接，电阻R19另一端分别连接电容C28一端、N-MOS管Q1的栅极连接，电容C28另一端接地，N-MOS管Q1的源极接地，N-MOS管Q1的漏极分别连接电阻R12一端和低边信号上升延时电路芯片U5的第2引脚，R12另一端与直流电源电压连接；低边信号上升延时电路芯片U5的第3引脚接地；低边信号上升延时电路芯片U5的第4引脚连接双边栅极驱动芯片U2的第2引脚连接；低边信号上升延时电路芯片U5的第5引脚分别与直流电源电压、电容C39一端连接，电容C39另一端接地。

具体地，所述高边信号上升延时电路包括高边信号上升延时电路芯片U6、电容C29、电容C38、电阻R1、电阻R9、电阻R128和N-MOS管Q2；高边信号上升延时电路芯片U6的第1引脚和第5引脚之间并联电阻R128；电阻R9一端与信号输入端连接，电阻R9另一端分别与电容C29一端、N-MOS管Q2栅极连接，电容C29另一端接地，N-MOS管Q2源极接地，N-MOS管Q2漏极分别与电阻R1一端、高边信号上升延时电路芯片U6的第2引脚连接，电阻R1另一端与直流电源电压连接；高边信号上升延时电路芯片U6的第3引脚接地；高边信号上升延时电路芯片U6的第4引脚连接半桥驱动输出电路3的第3引脚；高边信号上升延时电路芯片U6的第5引脚一端分别与直流电源电压、电容C38一端连接，电容C38另一端接地。

具体地，稳压电路包括稳压芯片U3、电容C8、电容C9、电容C17和磁珠B1，稳压芯片U3的输入端分别与外部电源、电容C17一端和磁珠B1一端连接，电容C17另一端接地，磁珠B1另一端与外部电源输入端子DC1的第1脚连接，稳压芯片U3的输出端通过电容C9接地，稳压芯片U3的输出端产生高输出直流电压。

升压电路包括升压芯片U13，升压芯片U13输入端与外部输入电源连接，升压芯片U13输出端输出较高电源电压。

具体地，稳压芯片U3为UA78M05IDCY，升压芯片U13为R12-100B，外部电源为10-14V直流电压。

优选地，外部电源为12V，直流电源电压为5V。

本发明与现有技术相比具有以下有益效果：提升高速调制后的占空比准确性；提升高速调制后的信号延变速率；可满足50V-135V调制电压输出。

附图说明：

图1为现有可调制偏压源基本原理图。

图2为实施例1涉及的适应于高精度太赫兹时域光谱系统的可调制偏压源的基本工作流程图。

图3为实施例1涉及的适应于高精度太赫兹时域光谱系统的可调制偏压源的原理图。

图4为实施例1涉及的适应于高精度太赫兹时域光谱系统的可调制偏压源的功能框图。

图5为实施例1涉及的FAN7842内部框图。

具体实施方式：

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例，基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

实施例1：

如图2-4所示，本发明涉及的一种适应于高精度太赫兹时域光谱系统的可调制偏压源，包括信号反向电路1、信号上升延时电路2、半桥驱动输出电路3和电压转换电路4，信号上升延时电路2分为高边信号上升延时电路和低边信号上升延时电路。

信号反向电路1用于将输入的调制信号反向，输出与输入的调制信号逻辑相反的调制信号(反向调制信号)；高边信号上升延时电路2用于对输入的调制信号进行延时；低边信号上升延时电路与信号反向电路1连接，用于对反向调制信号进行延时；半桥驱动输出电路3HIN端(第2引脚)和LIN端(第3引脚)分别与高边信号上升延时电路和低边信号上升延时电路连接，将输入的调制信号和反向调制信号作为高低边的输入信号，输出信号分别控制两个N-MOS管的导通和截至，保证调制信号的正常输出，电压转换电路4用于产生5V直流电压为信号反向电路1和信号上升延时电路2供电，同时用于产生高压直流信号作为半桥输出电路3的输出电压源。电压转换电路4分别与信号反向电路1、信号上升延时电路2和半桥驱动输出电路3连接，用于提供所需的电压。

如图3所示，信号反向电路1包括信号反向电路芯片U1、电阻R11、电阻R17、电阻R18、电阻R20、电容C3、电容C4、电容C5和发光二极管LED1和发光二极管LED2，反向电路芯片U1的第1引脚分别与信号输入端、电容C3一端、电阻R11一端、电阻R18一端连接，电容C3另一端与电阻R18另一端连接后接地，电阻R11另一端与5V直流电源电压连接，反向电路芯片U1的第2引脚接地，反向电路芯片U1的第3引脚和第1引脚连接，反向电路芯片U1的第4引脚与电阻R19连接，反向电路芯片U1的第5引脚分别连接电容C4一端、电容C5一端和5V直流电源电压连接，电容C4一端和电容C5一端连接后接地，反向电路芯片U1的第6引脚与电阻R17一端连接，电阻R17另一端与发光二极管LED1阴极连接，发光二极管LED1阳极与5V直流电源电压连接，发光二极管LED2阳极与5V直流电源电压连接，发光二极管LED2阴极与电阻R20连接后接地。

具体地，信号反向电路芯片U1为SN74LVC2G04DCK。

如图3所示，所述半桥驱动输出电路3包括一个双边栅极驱动芯片，七个电阻、两个N-MOS管、一个二极管和一个电容。

具体地，半桥驱动输出电路3包括双边栅极驱动芯片U2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R23、电阻R26、二极管D1、电容C1、N-MOS管Q3和N-MOS管Q4；双边栅极驱动芯片U2的第1引脚分别与电阻R3一端、12V外部电源连接，电阻R3另一端与二极管D1阳极连接，二极管D1阴极连接在双边栅极驱动芯片U2的第8引脚；双边栅极驱动芯片U2的第2引脚与低边信号上升延时电路芯片连接；双边栅极驱动芯片U2的第3引脚与高边信号上升延时电路芯片连接；双边栅极驱动芯片U2的第4引脚接地；双边栅极驱动芯片U2的第5引脚与电阻R5一端连接，电阻R5另一端分别与电阻R7一端和N-MOS管Q4栅极连接，N-MOS管Q4源极和电阻R7另一端均与电阻26一端连接，电阻26另一端接地；双边栅极驱动芯片U2的第6引脚和第8引脚之间并联电容C1，双边栅极驱动芯片U2的第6引脚还分别与电阻R6一端、N-MOS管Q4漏极和N-MOS管Q3源极连接；双边栅极驱动芯片U2的第7引脚与电阻R4一端连接，电阻R4另一端分别与电阻R6另一端、N-MOS管Q3栅极连接，N-MOS管Q3漏极与电阻R23一端连接，电阻R3另一端与U13的12脚产生的高输出直流电压连接。

半桥驱动输出电路3中使用FAN7842双边栅极驱动器，作为N-MOS管驱动器。所述双边栅极驱动芯片U2的型号均为FAN7842，FAN7842兼容TTL电平输入；信号双端输入，双端输出；信号延变时间最块可达50V/ns。在输入端控制好前端的输入时序，和后端的MOS通段时序，便可以大大提高信号在高速率调制时的信号完整性。FAN7842的内部结构图如图5所示。FAN7842的HO(第7引脚)和LO(第5引脚)输出状态分别由HIN和LIN的输入状态决定。

在半桥驱动输出电路3中，当输入信号为IN为高时，FAN7842的HIN端口(第2引脚)为高电平，此时HO端(第7引脚)的电压接近等于VB端(第8引脚)电压，接近供电电压12V；“高”端N-MOS管Q3导通，VS端(第6引脚)电压迅速升高到接近HV端电压；由于C1电容的存在，VB端(第8引脚)电压短时间内迅速升高到接近“HV+12V”，HO端(第7引脚)电压同时被拉高且保持N-MOS管Q3持续导通。此时经过信号反向电路1的LIN端(第3引脚)输入信号为低电平信号，LO端(第5引脚)电压为低；“低”端N-MOS管Q4截止。综上过程，VS(第6引脚)在信号输入为高时输出高电压。

当输入信号IN为低时，FAN7842的HIN端口(第2引脚)为低电平，此时HO端口(第7引脚)电压为低，“高”端N-MOS管Q3截止。此时经过信号反向电路1的LIN端(第3引脚)输入信号为高电平信号，LO端(第5引脚)电压为高，“低”端N-MOS管Q4导通，VS端(第6引脚)电压迅速拉低为“零”电位。综上过程，VS(第6引脚)在信号输入为低时输出低电压。

具体地，所述低边信号上升延时电路包括低边信号上升延时电路芯片U5、电容C28、电容C39、电阻R19、电阻R12、电阻R129和N-MOS管Q1；低边信号上升延时电路芯片U5的第1引脚和第5引脚之间并联电阻R129；电阻R19一端与信号反向电路芯片U1的第4脚连接，电阻R19另一端分别连接电容C28一端、N-MOS管Q1的栅极连接，电容C28另一端接地，N-MOS管Q1的源极接地，N-MOS管Q1的漏极分别连接电阻R12一端和低边信号上升延时电路芯片U5的第2引脚，R12另一端与5V直流电源电压连接；低边信号上升延时电路芯片U5的第3引脚接地；低边信号上升延时电路芯片U5的第4引脚与双边栅极驱动芯片U2的第2引脚连接；低边信号上升延时电路芯片U5的第5引脚分别与5V直流电源电压、电容C39一端连接，电容C39另一端接地。

具体地，所述高边信号上升延时电路包括高边信号上升延时电路芯片U6、电容C29、电容C38、电阻R1、电阻R9、电阻R128和N-MOS管Q2；高边信号上升延时电路芯片U6的第1引脚和第5引脚之间并联电阻R128；电阻R9一端与信号输入端连接，电阻R9另一端分别与电容C29一端、N-MOS管Q2栅极连接，电容C29另一端接地，N-MOS管Q2源极接地，N-MOS管Q2漏极分别与电阻R1一端、高边信号上升延时电路芯片U6的第2引脚连接，电阻R1另一端与5V直流电源电压连接；高边信号上升延时电路芯片U6的第3引脚接地；高边信号上升延时电路芯片U6的第4引脚连接半桥驱动输出电路3的第3引脚；高边信号上升延时电路芯片U6的第5引脚一端分别与5V直流电源电压、电容C38一端连接，电容C38另一端接地。

电压转换电路4用于产生5V直流电源电压为信号反向电路1和信号上升延时电路2供电，同时用于产生高压直流信号作为半桥输出电路3的输出电压源。电路图3-4为电压转换电路的一种实现方式，电压转换电路4包括稳压电路和升压电路，稳压电路用于将外部电源(如12V)转换成信号反向电路1和信号上升延时电路2供电所需的直流电源电压(如5V)，升压电路用于将输入的电源信号(如12V)转换成较高的电压输出，将较高的电压供给半桥驱动输出电路3，作为输出电压源，通过半桥驱动输出电路3满足外围不同设备对高偏压信号的需求。

稳压电路包括稳压芯片U3、电容C8、电容C9、电容C17和磁珠B1，稳压芯片U3的输入端分别与外部电源、电容C17一端和磁珠B1一端连接，电容C17另一端接地，磁珠B1另一端与外部电源输入端子DC1的第1脚连接，稳压芯片U3的输出端通过电容C9接地，稳压芯片U3的输出端输出5V直流电源电压。具体地，稳压芯片U3为UA78M05IDCY，外部电源为10-14V直流电压，优选地，外部电源为12V。

升压电路包括升压芯片U13，升压芯片U13输入端与外部输入电源连接，升压芯片U13输出端输出较高电源电压。具体地，升压芯片U13为R12-100B，外部电源为10-14V直流电压，优选地，外部电源为12V。

如图3所示，较佳地，电压转换电路4整体采用外部直流12V供电，内部通过UA78M05IDCY稳压芯片转换成直流5V；通过R12-100B转化成高压信号，高压信号的大小可以通过调节接在R12-100B上的可调电位器RT1进行调节。

Claims

1.一种适应于高精度太赫兹时域光谱系统的可调制偏压源，其特征在于，包括信号反向电路、信号上升延时电路、半桥驱动输出电路和电压转换电路，信号上升延时电路分为高边信号上升延时电路和低边信号上升延时电路；信号反向电路用于将输入的调制信号反向，输出与输入的调制信号逻辑相反的调制信号——反向调制信号；高边信号上升延时电路用于对输入的调制信号进行延时；低边信号上升延时电路与信号反向电路连接，用于对反向调制信号进行延时；半桥驱动输出电路第2引脚和第3引脚分别与高边信号上升延时电路和低边信号上升延时电路连接，将输入的调制信号和反向调制信号作为高低边的输入信号，输出信号分别控制两个N-MOS管的导通和截至，保证调制信号的正常输出，电压转换电路用于产生直流电源电压为信号反向电路和信号上升延时电路供电，同时用于产生高输出直流电压为半桥输出电路的供电，电压转换电路分别与信号反向电路、信号上升延时电路和半桥驱动输出电路连接，用于提供所需的电压。

2.根据权利要求1所述的适应于高精度太赫兹时域光谱系统的可调制偏压源，其特征在于，信号反向电路包括信号反向电路芯片U1、电阻R11、电阻R17、电阻R18、电阻R20、电容C3、电容C4、电容C5和发光二极管LED1和发光二极管LED2，反向电路芯片U1的第1引脚分别与信号输入端、电容C3一端、电阻R11一端、电阻R18一端连接，电容C3另一端与电阻R18另一端连接后接地，电阻R11另一端与直流电源电压连接，反向电路芯片U1的第2引脚接地，反向电路芯片U1的第3引脚和第1引脚连接，反向电路芯片U1的第4引脚与电阻R19连接，反向电路芯片U1的第5引脚分别连接电容C4一端、电容C5一端和直流电源电压，电容C4一端和电容C5一端连接后接地，反向电路芯片U1的第6引脚与电阻R17一端连接，电阻R17另一端与发光二极管LED1阴极连接，发光二极管LED1阳极与直流电源电压连接，发光二极管LED2阳极与直流电源电压连接，发光二极管LED2阴极与电阻R20连接后接地。

3.根据权利要求2所述的适应于高精度太赫兹时域光谱系统的可调制偏压源，其特征在于，信号反向电路芯片U1为SN74LVC2G04DCK。

4.根据权利要求1所述的适应于高精度太赫兹时域光谱系统的可调制偏压源，其特征在于，半桥驱动输出电路包括双边栅极驱动芯片U2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R23、电阻R26、二极管D1、电容C1、N-MOS管Q3和N-MOS管Q4；双边栅极驱动芯片U2的第1引脚分别与电阻R3一端、外部电源连接，电阻R3另一端与二极管D1阳极连接，二极管D1阴极连接在双边栅极驱动芯片U2的第8引脚；双边栅极驱动芯片U2的第2引脚与低边信号上升延时电路芯片连接；双边栅极驱动芯片U2的第3引脚与高边信号上升延时电路芯片连接；双边栅极驱动芯片U2的第4引脚接地；双边栅极驱动芯片U2的第5引脚与电阻R5一端连接，电阻R5另一端分别与电阻R7一端和N-MOS管Q4栅极连接，N-MOS管Q4源极和电阻R7另一端均与电阻26一端连接，电阻26另一端接地；双边栅极驱动芯片U2的第6引脚和第8引脚之间并联电容C1，双边栅极驱动芯片U2的第6引脚还分别与电阻R6一端、N-MOS管Q4漏极和N-MOS管Q3源极连接；双边栅极驱动芯片U2的第7引脚与电阻R4一端连接，电阻R4另一端分别与电阻R6另一端、N-MOS管Q3栅极连接，N-MOS管Q3漏极与电阻R23一端连接，电阻R3另一端与高输出直流电压连接。

5.根据权利要求4所述的适应于高精度太赫兹时域光谱系统的可调制偏压源，其特征在于，所述双边栅极驱动芯片U2的型号均为FAN7842，FAN7842兼容TTL电平输入；信号双端输入，双端输出；信号延变时间最块可达50V/ns。

6.根据权利要求4所述的适应于高精度太赫兹时域光谱系统的可调制偏压源，其特征在于，所述低边信号上升延时电路包括低边信号上升延时电路芯片U5、电容C28、电容C39、电阻R19、电阻R12、电阻R129和N-MOS管Q1；低边信号上升延时电路芯片U5的第1引脚和第5引脚之间并联电阻R129；电阻R19一端与信号反向电路芯片连接，电阻R19另一端分别连接电容C28一端、N-MOS管Q1的栅极连接，电容C28另一端接地，N-MOS管Q1的源极接地，N-MOS管Q1的漏极分别连接电阻R12一端和低边信号上升延时电路芯片U5的第2引脚，R12另一端与直流电源电压连接；低边信号上升延时电路芯片U5的第3引脚接地；低边信号上升延时电路芯片U5的第4引脚连接双边栅极驱动芯片U2的第2引脚连接；低边信号上升延时电路芯片U5的第5引脚分别与直流电源电压、电容C39一端连接，电容C39另一端接地。

7.根据权利要求6所述的适应于高精度太赫兹时域光谱系统的可调制偏压源，其特征在于，所述高边信号上升延时电路包括高边信号上升延时电路芯片U6、电容C29、电容C38、电阻R1、电阻R9、电阻R128和N-MOS管Q2；高边信号上升延时电路芯片U6的第1引脚和第5引脚之间并联电阻R128；电阻R9一端与信号输入端连接，电阻R9另一端分别与电容C29一端、N-MOS管Q2栅极连接，电容C29另一端接地，N-MOS管Q2源极接地，N-MOS管Q2漏极分别与电阻R1一端、高边信号上升延时电路芯片U6的第2引脚连接，电阻R1另一端与直流电源电压连接；高边信号上升延时电路芯片U6的第3引脚接地；高边信号上升延时电路芯片U6的第4引脚连接半桥驱动输出电路3的第3引脚；高边信号上升延时电路芯片U6的第5引脚一端分别与直流电源电压、电容C38一端连接，电容C38另一端接地。

8.根据权利要求7所述的适应于高精度太赫兹时域光谱系统的可调制偏压源，其特征在于，稳压电路包括稳压芯片U3、电容C8、电容C9、电容C17和磁珠B1，稳压芯片U3的输入端分别与外部电源、电容C17一端和磁珠B1一端连接，电容C17另一端接地，磁珠B1另一端与外部电源输入端子DC1的第1脚连接，稳压芯片U3的输出端通过电容C9接地，稳压芯片U3的输出端产生高输出直流电压；升压电路包括升压芯片U13，升压芯片U13输入端与外部输入电源连接，升压芯片U13输出端输出较高电源电压。

9.根据权利要求1所述的适应于高精度太赫兹时域光谱系统的可调制偏压源，其特征在于，稳压芯片U3为UA78M05IDCY，升压芯片U13为R12-100B，外部电源为10-14V直流电压。

10.根据权利要求9所述的适应于高精度太赫兹时域光谱系统的可调制偏压源，其特征在于，外部电源为12V，直流电源电压为5V。