CN114284446A - 蓝光发光器件、显示面板和显示装置 - Google Patents
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Abstract
本申请提供一种蓝光发光器件、显示面板和显示装置，涉及显示技术领域，用于解决现有的显示面板蓝光低灰阶效率较低的技术问题。该蓝光发光器件包括依次层叠设置的阳极、发光层、空穴阻挡层和阴极，所述发光层和空穴阻挡层之间设置有电子过渡层，所述电子过渡层包括蓝光主体材料和空穴阻挡材料。所述蓝光主体材料和所述空穴阻挡材料的LUMO能级差不大于0.3eV。本申请能够提高蓝光低灰阶时的电子注入数量，提高蓝光低灰阶效率，避免了显示面板低灰阶色偏，改善了显示面板和显示装置的显示效果。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种蓝光发光器件、显示面板和显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，简称OLED)显示技术具有成本低、视角宽、驱动电压低、响应速度快、发光色彩丰富、制备工艺简单、可实现大面积柔性显示等优点，被认为是最具发展前景的显示技术之一。
OLED显示面板包括衬底和多个有机发光单元，多个有机发光单元阵列排布在衬底上。其中，有机发光单元包括层叠设置的阳极层、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、有机发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极层。在电压的驱动下，电子从阴极注入到电子注入层，然后依次经过电子传输层和空穴阻挡层迁移到有机发光层，空穴从阳极注入到空穴注入层，然后依次经过空穴传输层和电子阻挡层迁移到有机发光层，空穴和电子相遇形成激子使有机发光层中的发光分子激发，发光分子发出可见光。
然而，上述的显示面板存在蓝光低灰阶效率较低的问题，导致显示面板存在低灰阶色偏，影响显示面板的显示效果。
发明内容
鉴于上述问题，本申请实施例提供一种蓝光发光器件、显示面板和显示装置，能够提高蓝光低灰阶时的电子注入数量，提高蓝光低灰阶效率，避免了显示面板低灰阶色偏，改善了显示面板和显示装置的显示效果。
为了实现上述目的，本申请实施例提供如下技术方案：
本申请实施例的第一方面提供一种蓝光发光器件，该蓝光发光器件包括依次层叠设置的阳极、发光层、空穴阻挡层和阴极，所述发光层和空穴阻挡层之间设置有电子过渡层，所述电子过渡层包括蓝光主体材料和空穴阻挡材料。
所述蓝光主体材料和所述空穴阻挡材料的LUMO能级差不大于0.3eV。
本申请实施例提供的蓝光发光器件，通过在发光层和空穴阻挡层之间设置电子过渡层，这样，一方面该电子过渡层与空穴阻挡层均具有空穴阻挡材料，使得电子过渡层和空穴阻挡层之间的LUMO能级差较小，有利于电子从空穴阻挡层迁移到电子过渡层。另一方面该电子过渡层与发光层均具有蓝光主体材料，使得发光层和电子过渡层之间的LUMO能级差较小，有利于电子从电子过渡层迁移到发光层。通过使电子过渡层中的蓝光主体材料和空穴阻挡材料的LUMO能级差不大于0.3eV，进一步降低了电子从空穴阻挡层向发光层迁移的能垒。上述设置提高了蓝光发光器件在蓝光低灰阶时的电子注入能力，从而提高电子注入数量，提高蓝光发光器件的蓝光低灰阶效率。
在一种可能的实现方式中，当电流密度从0.1mA/cm2增大到10mA/cm2时，所述空穴阻挡材料的电子迁移率的增加值小于0.01倍。
这样，避免了空穴阻挡材料的电子迁移率随电流密度变化较大，防止激子发生淬灭，避免发生效率滚降。
在一种可能的实现方式中，当电流密度从0.1mA/cm2增大到10mA/cm2时，所述空穴阻挡材料的电子迁移率均为所述蓝光主体材料的电子迁移率的1-10倍。
这样，避免空穴阻挡材料和蓝光主体材料的电子迁移率随电流密度变化过大，防止激子发生淬灭，避免发生效率滚降。
在一种可能的实现方式中，当电流密度为0.1mA/cm2时，所述空穴阻挡材料的电子迁移率为所述蓝光主体材料的电子迁移率的N倍；当电流密度为10mA/cm2时，所述空穴阻挡材料的电子迁移率为所述蓝光主体材料的电子迁移率的M倍；所述M等于所述N。
这样，可以最大程度避免空穴阻挡材料和蓝光主体材料的电子迁移率随电流密度变化过大，最大程度防止激子发生淬灭，避免发生效率滚降。
在一种可能的实现方式中，当电流密度为0.1mA/cm2时，所述蓝光主体材料和所述空穴阻挡材料的LUMO能级差不大于0.1eV。
和/或，当电流密度为10mA/cm2时，所述蓝光主体材料和所述空穴阻挡材料的LUMO能级差大于0.1eV且不大于0.3eV。
这样，在低电流密度下，能够进一步降低电子注入的能垒；在高电流密度下，能够增加激子的数量。
在一种可能的实现方式中，所述电子过渡层的厚度范围介于3-7nm。
这样，一方面最大程度降低蓝光发光器件的厚度，另一方面保证电子过渡层能够显著增加电子的注入能力。
在一种可能的实现方式中，所述蓝光主体材料和所述空穴阻挡材料的质量比范围介于3:7-7:3。
这样，可以提高电子过渡层的电子注入能力，增强电子从空穴阻挡层向发光层的注入。
在一种可能的实现方式中，所述蓝光主体材料包括联苯菲并咪唑衍生物和吖啶杂环衍生物中的任意一种或多种复合物。
在一种可能的实现方式中，所述空穴阻挡材料包括三嗪类化合物和蒽类化合物中的任意一种或多种复合物。
这样，可以降低空穴阻挡层和发光层之间的能垒，提高电子注入能力。
在一种可能的实现方式中，所述阳极和所述发光层之间依次层叠设置有空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层，所述空穴阻挡层和所述阴极之间依次层叠设置有电子传输层和电子注入层。
这样，能够在阳极和发光层之间以及阴极和发光层之间形成类似于阶梯形式的能阶状态，使分别从阳极和阴极所提供的空穴和电子，更容易传输至发光层结合后形成激子。
本申请实施例的第二方面提供一种显示面板，该显示面板包括基板和上述的蓝光发光器件，所述蓝光发光器件设置在所述基板上。
本申请实施例提供的显示面板，通过在蓝光发光器件的发光层和空穴阻挡层之间设置电子过渡层，这样，一方面该电子过渡层与空穴阻挡层均具有空穴阻挡材料，使得电子过渡层和空穴阻挡层之间的LUMO能级差较小，有利于电子从空穴阻挡层迁移到电子过渡层。另一方面该电子过渡层与发光层均具有蓝光主体材料，使得发光层和电子过渡层之间的LUMO能级差较小，有利于电子从电子过渡层迁移到发光层。通过使电子过渡层中的蓝光主体材料和空穴阻挡材料的LUMO能级差不大于0.3eV，进一步降低了电子从空穴阻挡层向发光层迁移的能垒。上述设置提高了显示面板在蓝光低灰阶时的电子注入数量，提高显示面板的蓝光低灰阶效率，避免了显示面板低灰阶色偏，改善了显示面板的显示效果。
本申请实施例的第三方面提供一种显示装置，该显示装置包括上述的显示面板。
本申请实施例提供的显示装置，通过在蓝光发光器件的发光层和空穴阻挡层之间设置电子过渡层，这样，一方面该电子过渡层与空穴阻挡层均具有空穴阻挡材料，使得电子过渡层和空穴阻挡层之间的LUMO能级差较小，有利于电子从空穴阻挡层迁移到电子过渡层。另一方面该电子过渡层与发光层均具有蓝光主体材料，使得发光层和电子过渡层之间的LUMO能级差较小，有利于电子从电子过渡层迁移到发光层。通过使电子过渡层中的蓝光主体材料和空穴阻挡材料的LUMO能级差不大于0.3eV，进一步降低了电子从空穴阻挡层向发光层迁移的能垒。上述设置提高了显示面板在蓝光低灰阶时的电子注入数量，提高显示面板的蓝光低灰阶效率，避免了显示面板低灰阶色偏，改善了显示装置的显示效果。
本申请的构造以及它的其他申请目的及有益效果将会通过结合附图而对优选实施例的描述而更加明显易懂。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的一种蓝光发光器件的结构示意图；
图2为本申请实施例提供的另一种蓝光发光器件的结构示意图；
图3为本申请实施例提供的两种蓝光发光器件的蓝光效率和发光亮度的对比示意图；
图4为本申请实施例提供的两种蓝光发光器件的相对效率和发光亮度的对比示意图；
图5为本申请实施例提供的多种待测试材料的电流密度和电子迁移率的对比示意图。
附图标记说明：
100-蓝光发光器件； 1-阳极；
2-空穴注入层； 3-空穴传输层；
4-电子阻挡层； 5-发光层；
6-电子过渡层； 7-空穴阻挡层；
8-电子传输层； 9-电子注入层；
10-阴极。
具体实施方式
在OLED显示面板中，发光层包括蓝光发光层、红光发光层和绿光发光层，其中，蓝光发光层的材料偏电子型，蓝光发光层的发光效率与电子注入有关。然而，在蓝光低灰阶时，电流密度小且电子的总数较少，电子由阴极向蓝光发光层迁移的路径中，由于空穴阻挡层和蓝光发光层之间的能垒较高，使电子注入蓝光发光层的数量较少，导致蓝光低灰阶效率低，发光亮度较暗，从而使显示面板存在色偏现象。
针对上述技术问题，本申请实施例提供了一种蓝光发光器件、显示面板和显示装置，通过在蓝光发光器件的发光层和空穴阻挡层之间设置电子过渡层，这样，一方面该电子过渡层与空穴阻挡层均具有空穴阻挡材料，使得电子过渡层和空穴阻挡层之间的LUMO能级差较小，有利于电子从空穴阻挡层迁移到电子过渡层。另一方面该电子过渡层与发光层均具有蓝光主体材料，使得发光层和电子过渡层之间的LUMO能级差较小，有利于电子从电子过渡层迁移到发光层。通过使电子过渡层中的蓝光主体材料和空穴阻挡材料的LUMO能级差不大于0.3eV，进一步降低了电子从空穴阻挡层向发光层迁移的能垒。上述设置提高了显示面板在蓝光低灰阶时的电子注入数量，提高显示面板的蓝光低灰阶效率，避免了显示面板低灰阶色偏，改善了显示装置的显示效果。
为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请的优选实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行更加详细的描述。在附图中，自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的部件或具有相同或类似功能的部件。所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本申请，而不能理解为对本申请的限制。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。下面结合附图对本申请的实施例进行详细说明。
在本申请实施例的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应作广义理解，例如，可以使固定连接，也可以是通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或者两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
本申请实施例第一方面提供一种蓝光发光器件，如图1和图2所示，该蓝光发光器件100包括依次层叠设置的阳极1、发光层5、空穴阻挡层7和阴极10，发光层5和空穴阻挡层7之间设置有电子过渡层6，电子过渡层6包括蓝光主体材料和空穴阻挡材料。
可以理解的是，阳极1的作用是将空穴注入有机材料的最高占据分子轨道(Highest Occupied Molecular Orbital，简称HOMO)中，阴极10的作用是将电子注入有机材料的最低未占分子轨道(Lowest Unoccupied Molecular Orbital，简称LUMO)中。阳极1一般采用功函数较高的金属制成，例如氧化铟锡(Indium Tin Oxide，简称ITO)，阴极10一般采用功函数较低的金属以及金属合金制成。发光层5的材料包括蓝光主体材料和蓝光客体材料。
需要说明的是，通过在发光层5和空穴阻挡层7之间设置电子过渡层6，一方面该电子过渡层6与空穴阻挡层7均具有空穴阻挡材料，使得电子过渡层6和空穴阻挡层7之间的LUMO能级差较小，有利于电子从空穴阻挡层7迁移到电子过渡层6。另一方面该电子过渡层6与发光层5均具有蓝光主体材料，使得发光层5和电子过渡层6之间的LUMO能级差较小，有利于电子从电子过渡层6迁移到发光层5。这样，电子过渡层6作为发光层5和空穴阻挡层7之间的能级过渡层，可以提高电子注入数量。
具体的，蓝光主体材料和空穴阻挡材料的LUMO能级差不大于0.3eV。通过使电子过渡层6中的蓝光主体材料和空穴阻挡材料的LUMO能级差不大于0.3eV，可以进一步降低电子从空穴阻挡层7向发光层5迁移的能垒，提高电子注入数量。
上述设置相当于在空穴阻挡层7和发光层5之间搭了一个电子跳跃的“台阶”，并且电子跳跃的路径是：空穴阻挡层7→电子过渡层6中的空穴阻挡材料→电子过渡层6中的蓝光主体材料→发光层5。电子在跳跃“台阶”的过程中，相邻“台阶”的能垒较低，因此，能够提高蓝光发光器件100在蓝光低灰阶时的电子注入数量，提高蓝光发光器件100的蓝光低灰阶效率。
可以理解的是，该蓝光发光器件100可以设置在基板上，基板可以是用于驱动蓝光发光器件100发光的阵列基板，在蓝光发光器件100的阳极1和阴极10施加电信号后，阳极1产生空穴，阴极10产生电子，空穴和电子在电压的驱动作用下，在发光层5复合形成激子，激子使发光分子激发，发光分子发出可见光。
在一种可能的实现方式中，当电流密度从0.1mA/cm2增大到10mA/cm2时，空穴阻挡材料的电子迁移率的增加值小于0.01倍。
需要说明的是，“空穴阻挡材料的电子迁移率的增加值小于0.01倍”可以参考公式1进行理解：
其中，μe1表示电流密度为0.1mA/cm2时的电子迁移率，μe2表示电流密度为10mA/cm2时的电子迁移率。
通过限定空穴阻挡材料的电子迁移率，避免了空穴阻挡材料的电子迁移率随电流密度变化较大，即电流密度的增加使得电子迁移的数量增加，增加的电子会使激子发生淬灭，具体的，电子和空穴复合产生的激子非常不稳定，一个激子与另一个自由激子、被捕获的激子、晶格缺陷或电荷都会发生相互作用。如果电子浓度高，则电子-电子的库伦排斥力大，这就往往使得库伦吸引作用降低，可能导致激子解离发生淬灭。因此，上述对于空穴阻挡材料的电子迁移率的增加值的限定，能够防止激子发生淬灭，避免发生效率滚降。
需要说明的是，本申请实施例中的“效率”指的是电流效率，即发光亮度和电流密度的比值。
在一种可能的实现方式中，当电流密度从0.1mA/cm2增大到10mA/cm2时，空穴阻挡材料的电子迁移率均为蓝光主体材料的电子迁移率的1-10倍。
这里可以理解的是，当电流密度为0.1-10mA/cm2中的任一个值(包括端点值)时，空穴阻挡材料的电子迁移率均为蓝光主体材料的电子迁移率的1-10倍。由于空穴阻挡材料的电子迁移率的增加值小于0.01倍，因此，通过限定空穴阻挡材料和蓝光主体材料的电子迁移率的比值，能够进一步限定蓝光主体材料的电子迁移率的变化值，这样，能够进一步避免空穴阻挡材料和蓝光主体材料的电子迁移率随电流密度变化过大，防止激子发生淬灭，避免发生效率滚降。
可选地，当电流密度为0.1mA/cm2时，空穴阻挡材料的电子迁移率为蓝光主体材料的电子迁移率的N倍。当电流密度为10mA/cm2时，空穴阻挡材料的电子迁移率为蓝光主体材料的电子迁移率的M倍，M等于N。
这样，可以使空穴阻挡材料和蓝光主体材料的电子迁移率在不同的电流密度下，均保持相同的倍数，由于空穴阻挡材料的电子迁移率增加值小于0.01倍，因此，可以最大程度避免蓝光主体材料的电子迁移率随电流密度变化较大，最大程度防止激子发生淬灭，避免发生效率滚降。
在一种可能的实现方式中，当电流密度为0.1mA/cm2时，蓝光主体材料和空穴阻挡材料的LUMO能级差不大于0.1eV。和/或，当电流密度为10mA/cm2时，蓝光主体材料和空穴阻挡材料的LUMO能级差大于0.1eV且不大于0.3eV。
这样，在低电流密度下，能够进一步降低电子注入的能垒，提高电子注入的数量。在高电流密度下，由于电子增多，适当增大电子注入的能垒，平衡电子注入的数量，平衡激子复合速率，从而达到增加激子数量的目的。
在一种可能的实现方式中，电子过渡层6的厚度范围介于3-7nm，其中，该电子过渡层6的厚度可以是3nm、5nm、6.5nm或7nm。通过使电子过渡层6的厚度位于上述范围内，一方面可以保证蓝光发光器件100具有较小的厚度，另一方面保证电子过渡层6能够显著增加电子的注入能力。
在一种可能的实现方式中，蓝光主体材料和空穴阻挡材料的质量比范围介于3:7-7:3，其中，蓝光主体材料和空穴阻挡材料的质量比可以是3:7、4:6、5:5、6:4或7:3。将电子过渡层6的蓝光主体材料和空穴阻挡材料的质量比设定在上述范围内，能够提高电子过渡层6的电子注入能力，增强电子从空穴阻挡层7向发光层5的注入。本申请实施例中电子过渡层6的蓝光主体材料和空穴阻挡材料的质量比范围较大，有利于降低电子过渡层6的制造难度。
在一种可能的实现方式中，蓝光主体材料包括三苯胺类化合物及其衍生物。优选联苯菲并咪唑化合物及其衍生物、吖啶类化合物及其衍生物中的任意一种或多种复合物。空穴阻挡材料包括多芳基取代吡啶类化合物及其衍生物。优选三嗪类化合物及其衍生物、蒽类化合物及其衍生物中的任意一种或多种复合物，上述衍生物优选杂环取代基取代得到的衍生物。示例性的，蓝光主体材料可以选用式1和/或式2所述的化合物；空穴阻挡材料可以选用式3所述的化合物。这样，可以降低空穴阻挡层7和发光层5之间的的能垒，提高电子注入能力。
式1：
式2：
式3：
具体的，阳极1和发光层5之间依次层叠设置有空穴注入层2、空穴传输层3和电子阻挡层4，空穴阻挡层7和阴极10之间依次层叠设置有电子传输层8和电子注入层9。
需要说明的是，空穴注入层2的HOMO能级介于阳极1和空穴传输层3，空穴注入层2的主要作用是降低阳极1和空穴传输层3之间的能垒，增加空穴注入空穴传输层3的效率，空穴注入层2一般采用过渡金属氧化物，如MoO3、WO3、V2O5等。空穴传输层3的作用是使得从阳极1注入的空穴能透过空穴传输层3注入发光层5，并且阻绝来自阴极10的电子直接流至阳极1，空穴传输层3的材料包括TPD、NPB、TCTA或TAPC等。电子阻挡层4的作用是避免电子从发光层5逸出。电子传输层8的作用是使得从阴极10注入的电子能透过电子传输层8注入发光层5，并且阻绝来自阳极1的空穴直接流至阴极10，电子传输层8的材料包括Alq3、Bphen、BCP等。电子注入层9的作用是降低阴极10和电子传输层8之间的能垒，增加电子注入电子传输层8的效率，电子注入层9的材料包括ZnS、CuS、Cs2O等。
需要说明的是，发明人对本实施例中的蓝光发光器件100和相关技术中的蓝光发光器件100进行了实验对比，其中相关技术中的蓝光发光器件100未设置本申请中的电子过渡层6。如图3所示，图中a曲线表示本实施例中的蓝光发光器件100，b曲线表示相关技术中的蓝光发光器件100，从图3中可以看出，本实施例中的蓝光效率比相关技术中的蓝光效率高。如图4所示，图中c曲线表示本实施例中的蓝光发光器件100，其中，c1虚线表示该曲线的相对效率百分比的最大值，c2曲线表示该曲线的相对效率百分比的最小指。d曲线表示相关技术中的蓝光发光器件100，其中，d1虚线表示该曲线的相对效率百分比的最大值，d2曲线表示该曲线的相对效率百分比的最小值。从图4中可以看出，d1虚线和c1虚线重合，d2虚线对应的相对效率百分比小于c2虚线对应的相对效率百分比，因此，本实施例中蓝光效率的差值(最大相对效率和最小相对效率的差值)小于相关技术中蓝光效率的差值。图3和图4的对比结果表明：本实施例能够显著提高蓝光低灰阶效率，并且尽最大程度避免效率滚降，改善蓝光发光器件100的显示效果。
需要说明的是，可以通过以下器件计算空穴阻挡材料和蓝光主体材料的电子迁移率，该器件包括层叠设置的Al(80)、X(200)、ET(10)、LiF(1)和Al(80)，其中括号里的数字表示厚度，X表示待测试材料，ET表示电子传输型材料。图5为发明人计算出的多种待测试材料在不同电流密度下对应的电子迁移率。如图5所示，折线e1、折线e2、折线e3、折线e4和折线e5分别表示不同的待测试材料，折线e6表示对比材料。发明人根据这种方法计算各种待测试材料在不同电流密度下对应的电子迁移率，从而选择出符合前文所述的材料。
本申请实施例的第二方面提供一种显示面板，该显示面板包括基板和上述的蓝光发光器件100，该蓝光发光器件100设置在基板上。此外，基板上还设置有红光发光器件和绿光发光器件，其中，蓝光发光器件100、红光发光器件和绿光发光器件可以呈一定规律间隔排布在基板上，基板可以是驱动发光器件发光的阵列基板，基板包括显示区和非显示区，非显示区围设在显示区的外围，位于显示区的基板上设置有蓝光发光器件100、红光发光器件和绿光发光器件，以实现画面的显示，非显示区对应的区域不呈现画面。
本申请实施例提供的显示面板，通过在蓝光发光器件100的发光层5和空穴阻挡层7之间设置电子过渡层6，这样，一方面该电子过渡层6与空穴阻挡层7均具有空穴阻挡材料，使得电子过渡层6和空穴阻挡层7之间的LUMO能级差较小，有利于电子从空穴阻挡层7迁移到电子过渡层6。另一方面该电子过渡层6与发光层5均具有蓝光主体材料，使得发光层5和电子过渡层6之间的LUMO能级差较小，有利于电子从电子过渡层6迁移到发光层5。通过使电子过渡层6中的蓝光主体材料和空穴阻挡材料的LUMO能级差不大于0.3eV，进一步降低了电子从空穴阻挡层7向发光层5迁移的能垒。上述设置提高了显示面板在蓝光低灰阶时的电子注入数量，提高显示面板的蓝光低灰阶效率，避免了显示面板低灰阶色偏，改善了显示面板的显示效果。
本申请实施例第三方面提供一种显示装置，该显示装置包括上述的显示面板。
该显示装置可以是手机、电视、平板电脑、笔记本电脑、超级移动个人计算机(ultra-mobile personal computer，UMPC)、个人数字助理(personal digitalassistant，PDA)、虚拟现实设备等具有显示面板的移动或固定终端。
本申请实施例提供的显示装置，通过在蓝光发光器件100的发光层5和空穴阻挡层7之间设置电子过渡层6，这样，一方面该电子过渡层6与空穴阻挡层7均具有空穴阻挡材料，使得电子过渡层6和空穴阻挡层7之间的LUMO能级差较小，有利于电子从空穴阻挡层7迁移到电子过渡层6。另一方面该电子过渡层6与发光层5均具有蓝光主体材料，使得发光层5和电子过渡层6之间的LUMO能级差较小，有利于电子从电子过渡层6迁移到发光层5。通过使电子过渡层6中的蓝光主体材料和空穴阻挡材料的LUMO能级差不大于0.3eV，进一步降低了电子从空穴阻挡层7向发光层5迁移的能垒。上述设置提高了显示面板在蓝光低灰阶时的电子注入数量，提高显示面板的蓝光低灰阶效率，避免了显示面板低灰阶色偏，改善了显示装置的显示效果。
在本申请实施例的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或者位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或者暗示所指的装置或者元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非是另有精确具体地规定。
本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等(如果存在)是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本申请的实施例例如能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种蓝光发光器件，其特征在于，包括依次层叠设置的阳极、发光层、空穴阻挡层和阴极，所述发光层和空穴阻挡层之间设置有电子过渡层，所述电子过渡层包括蓝光主体材料和空穴阻挡材料；
所述蓝光主体材料和所述空穴阻挡材料的LUMO能级差不大于0.3eV。
2.根据权利要求1所述的蓝光发光器件，其特征在于，当电流密度从0.1mA/cm2增大到10mA/cm2时，所述空穴阻挡材料的电子迁移率的增加值小于0.01倍。
3.根据权利要求2所述的蓝光发光器件，其特征在于，当电流密度从0.1mA/cm2增大到10mA/cm2时，所述空穴阻挡材料的电子迁移率均为所述蓝光主体材料的电子迁移率的1-10倍。
4.根据权利要求3所述的蓝光发光器件，其特征在于，当电流密度为0.1mA/cm2时，所述空穴阻挡材料的电子迁移率为所述蓝光主体材料的电子迁移率的N倍；当电流密度为10mA/cm2时，所述空穴阻挡材料的电子迁移率为所述蓝光主体材料的电子迁移率的M倍；M等于N。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的蓝光发光器件，其特征在于，当电流密度为0.1mA/cm2时，所述蓝光主体材料和所述空穴阻挡材料的LUMO能级差不大于0.1eV；
和/或，当电流密度为10mA/cm2时，所述蓝光主体材料和所述空穴阻挡材料的LUMO能级差大于0.1eV且不大于0.3eV。
6.根据权利要求1-4中任一项所述的蓝光发光器件，其特征在于，所述蓝光主体材料和所述空穴阻挡材料的质量比范围介于3:7-7:3；
和/或，所述电子过渡层的厚度范围介于3-7nm。
7.根据权利要求1-4中任一项所述的蓝光发光器件，其特征在于，所述蓝光主体材料包括联苯菲并咪唑衍生物和吖啶杂环衍生物中的任意一种或多种复合物；
和/或，所述空穴阻挡材料包括三嗪类化合物和蒽类化合物中的任意一种或多种复合物。
8.根据权利要求1-4中任一项所述的蓝光发光器件，其特征在于，所述阳极和所述发光层之间依次层叠设置有空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层，所述空穴阻挡层和所述阴极之间依次层叠设置有电子传输层和电子注入层。
9.一种显示面板，其特征在于，包括基板和如权利要求1-8中任一项所述的蓝光发光器件，所述蓝光发光器件设置在所述基板上。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求9所述的显示面板。
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