CN114284179A - 温度调整方法以及压力烤箱 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种温度调整方法，包括：提供压力烤箱。压力烤箱包括腔体、设置于腔体内的冷却器及连通于腔体的进气单元。运行进气单元，以对腔体充气，而使腔体内的气压大于标准大气压。腔体内的气体分子数量大于腔体在标准大气压状态的气体分子数量。当腔体内的气体分子数量大于腔体在标准大气压状态的气体分子数量时，运行位于腔体内的冷却器，以对腔体进行降温程序，以降低腔体内的温度。本发明同时还公开一种压力烤箱。

Description

温度调整方法以及压力烤箱

技术领域

本发明涉及烤箱，特别是涉及一种温度调整方法以及压力烤箱。

背景技术

在半导体制程之中，经常需要在不同的温度环境中进行作业，若加热和/或冷却速率愈快，则制程效率愈高。已知的压力腔的冷却方法是将腔体内的高温气体流入外部管路中，且在外部管路中设置冷却装置以冷却气体，之后再经由外部管路将冷却后的气体再次流入腔体内以冷却腔体。由于需要将气体引导至外部的管路进行冷却，因此需要额外的空间以容纳冷却用的管路及冷却装置而使机体的体积增加。如何改善腔体的冷却效率为本领域亟需解决的问题。

发明内容

本发明提供一种温度调整方法，在压力烤箱的腔体内的气体分子数量大于腔体在标准大气压状态的气体分子数量时，藉由腔体内的冷却器使腔体内的温度快速下降，以达到使腔体快速降温的目标。

本发明提供一种压力烤箱，腔体内设有冷却器，以在腔体内的气压大于标准大气压时，通过腔体内的冷却器使压力烤箱具备在高压环境下进行降温的功能，且缩短腔体的降温所需的时间。

本发明的压力烤箱的温度调整方法包括：

提供压力烤箱，其中压力烤箱包括腔体、设置于腔体内的冷却器及连通于腔体的进气单元；

运行进气单元，以对腔体充气，而使腔体内的气压大于标准大气压，其中腔体内的气体分子数量大于腔体在标准大气压状态的气体分子数量；以及

当腔体内的气体分子数量大于腔体在标准大气压状态的气体分子数量时，运行位于腔体内的冷却器，以对腔体进行降温程序，以降低腔体内的温度。

在本发明的一实施例中，压力烤箱还包括设置于腔体内的第一加热器。在使腔体内的气体分子数量大于腔体在标准大气压状态的气体分子数量的步骤之后，且在降温程序之前，运行第一加热器，以使腔体内的温度由第一温度上升至第二温度，且在降温程序之后，腔体内的温度由第二温度降低至第三温度。

在本发明的一实施例中，压力烤箱还包括设置于腔体外的第二加热器。第二加热器对进入腔体前的气体加热，且加热后的气体充入腔体后，腔体内的气体分子数量大于腔体在标准大气压状态的气体分子数量，腔体内的温度由第一温度上升至第二温度，且在降温程序之后，腔体内的温度由第二温度降低至第三温度。

在本发明的一实施例中，在使腔体内的气体分子数量大于腔体在标准大气压状态的气体分子数量的步骤中，腔体内的气体分子数量为第一气体分子数量，且在降温程序中，腔体内的气体分子数量保持在第一气体分子数量。

在本发明的一实施例中，在使腔体内的气体分子数量大于腔体在标准大气压状态的气体分子数量的步骤中，腔体内的气体分子数量为第一气体分子数量。在腔体内的气体分子数量为第一气体分子数量时，且在降温程序之前，还包括：使腔体内的气体的一部分泄出，而使腔体内的气体分子数量下降至第二气体分子数量，其中第二气体分子数量大于等于腔体在标准大气压状态的气体分子数量。

在本发明的一实施例中，第二气体分子数量大于腔体在标准大气压状态的气体分子数量，在降温程序中，腔体内的气体分子数量保持在第二气体分子数量。

在本发明的一实施例中，在腔体内的气体分子数量下降至第二气体分子数量之后，且于降温程序之前，还包括：对腔体填充外部气体，以使腔体内的气体分子数量提高至第三气体分子数量。外部气体的温度低于第二温度。

本发明的压力烤箱包括：腔体、冷却器、风扇、以及进气单元。冷却器设置于腔体内，以使腔体降温。风扇设置于腔体内。进气单元连通于腔体，以对腔体充气而增压。进气单元对腔体充气，而使腔体内的气压大于标准大气压。冷却器对腔体进行降温程序，以降低腔体内的温度。

在本发明的一实施例中，压力烤箱还包括泄压阀，设置于腔体，以将腔体内的气体排出而减压。

在本发明的一实施例中，压力烤箱还包括加热器，设置于腔体内以使腔体升温。

在本发明的一实施例中，压力烤箱还包括加热器，设置于腔体外，以对进入腔体前的气体加热。

在本发明的一实施例中，压力烤箱不具有将腔体内的气体导出腔体外，再回流至腔体内的冷却回流管路。

基于上述，在本发明的压力烤箱的温度调整方法中，腔体内的气体分子数量保持大于或等于标准大气压的气体分子数量，而使腔体内的气压保持大于或等于标准大气压，且腔体直接透过腔体内的冷却器执行降温程序，以使腔体内的温度从第二温度快速下降至第三温度，以达到使腔体快速降温的目标。另外，在本发明的压力烤箱中，透过进气单元对腔体增压，在腔体内的气压大于标准大气压时，藉由腔体内的加热器对腔体执行升温程序且藉由腔体内的冷却器对腔体执行降温程序，而使压力烤箱具备在高压环境下进行降温的功能，且缩短升温及降温程序所需的时间。

为了让本发明的上述特征及优点能够更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式详细说明如下。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本申请的实施例，并与说明书一起用于解释本申请的原理，并不构成对本申请的不当限定。

图1是根据本发明的一实施例的压力烤箱的示意图。

图2是根据本发明的一实施例的加热器及冷却器的装设的正视示意图。

图3是根据本发明的一实施例的压力烤箱的温度调整方法的流程图。

图4A是图1的压力烤箱在升温程序期间的腔体内的气体流动方式的示意图。

图4B是根据本发明的另一实施例的压力烤箱的示意图。

图5是图4A的压力烤箱在降温程序期间的腔体内的气体流动方式的示意图。

图6为图4A的压力烤箱在泄压程序期间的管路内的气体流动方式的示意图。

图7为图6的压力烤箱在降温程序期间的腔体内的气体流动方式的示意图。

图8A为图6的压力烤箱在加压程序期间的管路内的气体流动方式的示意图。

图8B为图8A的压力烤箱在降温程序期间的腔体内的气体流动方式的示意图。

图中的附图标记：

N1-第一气体分子数量；N2-第二气体分子数量；N3-第三气体分子数量；

P1-第一压力；P2-第二压力；P3-第三压力；

S110、S122、S124、S130、S140、S150、S152-步骤；

T1-第一温度；T2-第二温度；T3-第三温度；

200a、200b-压力烤箱；210-腔体；220a-第一加热器；220b-第二加热器；222a-开口；

224a-主体；226a-线圈；230-冷却器；232-鳍片；234-水冷管；235-进水口；

236-出水口；240-风扇；246-转轴；248-驱动马达；250a、252b-进气单元；

252a、252b、262-管路；260-泄压阀；270-压力感应装置；280-温度控制器；

290-压力控制器；310、320、340-气体；330-外部气体。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。

需要说明的是，当组件被称为“固定于”另一个组件，它可以直接在另一个组件上或者也可以存在居中的组件。当一个组件被认为是“连接”另一个组件，它可以是直接连接到另一个组件或者可能同时存在居中组件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

参照本实施例之图式以更全面地阐述本发明。然而，本发明亦可以各种不同的形式体现，而不应限于本文中所述之实施例。相同或相似之标号表示相同或相似之组件，以下段落将不再一一赘述。

图1是根据本发明的一实施例的压力烤箱的示意图。为了清楚表示压力烤箱200a的组件设置关系，图1的压力烤箱200a的各构件未依比例绘制，且省略部分组件。

请参阅图1，本实施例的压力烤箱200a包括腔体210、第一加热器220a、冷却器230、风扇240以及进气单元250a。第一加热器220a、冷却器230以及风扇240设置于腔体210内，但第一加热器220a的位置不以本实施例为限。例如，在其他实施例中，第一加热器220a可设置在腔体210外。第一加热器220a适于使腔体210升温，冷却器230适于使腔体210降温。进气单元250a连通于腔体210，进气单元250a适于对腔体210充入气体310而使腔体210内的气压上升。

图2是根据本发明的一实施例的加热器及冷却器的装设的正视示意图。请参阅图1及图2，图1的第一加热器220a及冷却器230可视为图2的第一加热器220a及冷却器230的侧视示意图。第一加热器220a例如是电阻式加热器，但本发明不限于此。第一加热器220a包括主体224a、多个线圈226a以及贯通主体224a的开口222a，而使第一加热器220a呈现O字形。线圈226a缠绕于主体224a，在升温程序期间，藉由外部装置(未示出)施加电流以使线圈226a发热，而使腔体210的温度上升。

冷却器230例如是水冷式冷却器，但本发明不限于此。冷却器230包括多个鳍片232与至少一个水冷管234，水冷管234穿设于这些鳍片232之间。水冷管234还包括与外部循环装置(未示出)连通的进水口235及出水口236。藉由外部循环装置使液体(未示出)从进水口235流入水冷管234，液体透过鳍片232与腔体210进行热交换后，具有高热能的液体从出水口236被排出腔体210外。

在升温程序期间，水冷管234内的液体被排出腔体210外，此时冷却器230不具备冷却功能而不影响第一加热器220a的散热。在降温程序期间，藉由外部循环装置使低温的液体流入冷却器230的水冷管234中以执行降温程序。

值得一提的是，在其他实施例中，第一加热器220a及冷却器230的位置可相互调换，意即冷却器230在第一加热器220a的外部。换言之，本发明的第一加热器220a及冷却器230的设置方式不以本实施例为限，而是可以使腔体210升温及降温的任意的设置方式。

请回到图1，本实施例的风扇240还包括转轴246以及驱动马达248。转轴246连接中央部242及驱动马达248，以驱动风扇240的转动。风扇240适于吹动腔体210内的气体310。气体310在腔体210内流动，而使腔体210内的温度均匀分布。

本实施例的第一加热器220a与冷却器230错开地配置于风扇240的前侧，且风扇240的尺寸小于或等于第一加热器220a的尺寸。当然，第一加热器220a、冷却器230及风扇240的形式、尺寸及设置方式不以本实施例为限。在本实施例中，第一加热器220a与冷却器230对风扇240所在的平面上的投影至少部分重叠于风扇240。

如图1所示，压力烤箱200a可选择地包括泄压阀260、压力感应装置270、温度控制器280以及压力控制器290，但本发明不限于此。泄压阀260设置于腔体210，以将腔体210内的气体310排出而减压。压力感应装置270适于感测腔体210内的气压。温度控制器280适于确认腔体210内的温度，以监测腔体210的降温速率。压力控制器290适于控制充入腔体210内的气体310。

本实施例的压力烤箱200a可应用于需要快速升温及降温的制程，例如除泡制程。透过压力烤箱200a在高温下去除腔体210内的组件(未示出)在晶粒黏着(die attached)、灌注封胶(potting)、底部填胶(underfill)、印刷涂胶(printing)以及光学膜贴附(OCAlamination)等制程工艺中产生的气泡(void)，且透过一种温度调整方式使得压力烤箱200a的腔体210快速降温，以增进制程效率。

图3是根据本发明的一实施例的压力烤箱的温度调整方法的流程图。请同时参阅图1及图3，图1对应于图3的步骤S110。进气单元250a透过管路252a将气体310充入腔体210中，而使腔体210内的气体分子数量为第一气体分子数量N1，且腔体210内的温度为第一温度T1(步骤S110)。此处的第一气体分子数量N1大于腔体210在标准大气压状态的气体分子数量，而使腔体210内的气压为第一压力P1。第一压力P1大于标准大气压。本实施例的第一压力P1例如是9个大气压，但本发明不以此为限。

图4A是图1的压力烤箱在一升温程序期间的腔体内的气体流动方式的示意图。请同时参阅图3及图4A，图4对应于图3的步骤S122。在腔体210内的气体分子数量为第一气体分子数量N1时，运行第一加热器220a及风扇240以对腔体210进行升温程序，而使腔体210内的温度由第一温度T1上升至第二温度T2(步骤S122)。在升温程序期间，腔体210内的气体310被风扇240吹动而沿着箭头方向流动，经由第一加热器220a加热而具有高热能的气体310均匀散布至腔体210内，而使腔体210内的温度均匀分布。在此阶段，位于腔体210内的待加热组件便可快速地被加热。

图4B是根据本发明的另一实施例的压力烤箱的示意图。请同时参阅图4A及图4B，本实施例的压力烤箱200b与上述实施例的压力烤箱200a相似，两者的差别在于：本实施例的第二加热器220b设置在腔体210外，且第二加热器220b与进器单元250b的管路252b连接。第二加热器220b适于在气体310在管路252b中流动且在气体310进入腔体210前，加热气体310。本实施例的第二加热器220b的设置仅为一种范例而非限制，例如在其他实施例中，第二加热器220b可环绕管路252b。此外，本实施例的压力烤箱200b的设置方式不以本实施例为限。例如，在其他实施例中，腔体210内可设有额外的第二加热器220b以提升腔体210的升温效率。

请同时参阅图3及图4B，图4B对应于图3的步骤S110以及步骤S124。图4B示出了压力烤箱200b的另一升温程序。本实施例的压力烤箱200b的升温程序是透过腔体210外的第二加热器220b在腔体210外加热气体310。

如图4B所示，压力烤箱200b透过进气单元250b向腔体210充入气体310(步骤S110)，在气体310被充入腔体210前，透过与管路252b连接的第二加热器220b使气体310在管路252b中被加热。加热后具有高热能的气体310藉由管路252b被充入腔体210内，而使腔体210内的温度上升至第二温度T2，腔体210内的气体分子数量为第一气体分子数量N1。此时腔体210内的压力大于标准大气压。

简言之，请参阅图3，步骤S122及步骤S124的差异在于腔体210的升温方法。步骤S122是藉由设置在腔体210内的第一加热器220a(图4A)使腔体210升温。步骤S124是藉由设置在腔体210外的第二加热器220b(图4B)使气体310在腔体210外升温后，再将气体310通入腔体210内，而使腔体210升温。

步骤S122或步骤S124均可使腔体210内的温度上升至第二温度T2，且使腔体210内的气体分子数量为第一气体分子数量N1。值得一提的是，由于步骤S122是在腔体210内的气体分子数量为第一气体分子数量N1时才开启第一加热器220a以执行增温程序(图4A)，因此步骤S122还包括等待气体310充入腔体210内的等候时间，操作者可视需求选择所需操作的步骤。

以下将以图4A的压力烤箱200a为范例，说明压力烤箱200a在升温程序(S122)之后的后续程序(例如，加压程序、泄压程序及降温程序)的实施方式。需要注意的是，以下实施方式也适用于图4B的压力烤箱200b，而使压力烤箱200b的腔体210内的温度从第二温度T2下降至第三温度T3。

图5是图4A的压力烤箱在降温程序期间的腔体内的气体流动方式的示意图。请同时参阅图3及图5，图5对应于图3的步骤S130、S140。在升温程序(步骤S122)之后而需要降温时，在腔体210内的气体分子数量保持第一气体分子数量N1时，关闭第一加热器220a且运行冷却器230(步骤S130)，以对腔体210进行降温程序。

在降温程序期间，风扇240持续开启，腔体210内的气体300沿箭头方向流动，与冷却器230进行热交换。藉此，腔体210内的温度快速的下降，直到腔体210内的温度从第二温度T2降低至第三温度T3(步骤S140)。此时腔体210内的气压大于标准大气压。

由于在本实施例的升温程序及降温程序期间(步骤S110、S122、S130、S140)，压力烤箱200a的腔体210内的气体分子数量保持在第一气体分子数量N1。换言之，在腔体210内的气压大于标准大气压(正压状态)时执行升温程序及降温程序。由于压力烤箱200a的腔体210内的气体分子数量大于标准大气压的气体分子数量，而可增加升温与降温的速率及效能。

此外，由于本实施例的降温程序中的气体310不会被排出，因此可缩短下一次的升温程序的准备时间，例如，不需要再次充入气体310而可直接进行升温程序，以增进压力烤箱200a的制程效率。

另外，由于本实施例的压力烤箱200a不具有将腔体210内的气体310导出腔体210外，再回流至腔体210内的冷却回流管路。因此，腔体210内的降温速率不会受到需流经整个管路才能冷却的影响，而可更快速的降温。例如，已知的具有冷却回流管路的压力烤箱的腔体的温度从200度下降至80度大约需要15分钟。本实施例的压力烤箱200a的腔体210的温度从200度降温至80度大约需要7分钟。

图6为图4A的压力烤箱在泄压程序期间的管路内的气体流动方式的示意图。请同时参阅图3及图6，图6对应于图3的步骤S150。本实施例的压力烤箱200a的温度调整方法还包括一泄压程序。在升温程序(步骤S122)结束并关闭加热器之后且在降温程序(步骤S130)之前，开启泄压阀260以将气体310(图4)的一部分泄出。

如图6所示，气体310的一部分沿箭头方向在管线262中流动，以藉由泄压阀260将气体310的一部分从腔体210内泄出，而使腔体210内的气体分子数量从第一气体分子数量N1下降至第二气体分子数量N2(步骤S150)，第二气体分子数量N2大于或等于腔体在标准大气压状态的气体分子数量。此时腔体210内的气压为第二压力P2，第二压力P2大于或等于标准大气压。本实施例的第二压力P2例如是6个大气压，但本发明不以此为限。

在泄出部分气体310的同时，腔体210内的部分热能随部分气体310泄出，而使腔体210内的热能稍微下降。由于腔体210内还存在具有高热能的组件(未示出)，因此仍需要进行降温程序(步骤S130)以使腔体210内的温度进一步下降。

图7为图6的压力烤箱在降温程序期间的腔体内的气体流动方式的示意图。请同时参阅图3及图7，图7对应于图3的步骤S130、140。此时腔体210内的气体320为气体310(图4)在被泄压阀260泄出之后的剩余部分，腔体210内的气体分子数量为第二气体分子数量N2。

运行风扇240及冷却器230以进行降温程序(步骤S130)。如图7所示，腔体210内的气体320沿箭头方向流动，以使腔体210内的温度下降至第三温度T3(步骤S140)，此时腔体210内的压力大于或等于标准大气压。

值得一提的是，请回到图3，本实施例在降温程序之前还包括了泄压程序(步骤S150)，步骤S150的腔体210(图6)内的部分热能随气体310的一部分被排出腔体210外，因此，相较于前一实施例所描述地由步骤S122直接到步骤S130的降温方法，本实施例在执行降温程序前(步骤S130)，先执行泄压程序(步骤S150)，而使得具有第二气体分子数量N2的腔体210(图6)内的热能小于步骤S122中所提到的具有第一气体分子数量N1的腔体210(图5)内的热能。因此，在降温程序之前，实施步骤S150的腔体210内具有较少的热能，以利后续降温。

当然，由于降温程序是依靠腔体210内的气体310、320的循环，因此气体310、320的分子数量将会影响腔体210的降温效能。也就是说，由于第一气体分子数量N1大于第二气体分子数量N2，在降温程序中，腔体210内若有第一气体分子数量N1会比第二气体分子数量N2还有较多的气体分子可与冷却器230进行热交换，而可具有较佳的降温效能。因此，无论是由步骤S122直接到步骤S130或是由步骤S122、S150到步骤S130，均具有有助于降温的优点，操作者可视需求选择所需操作的步骤。

图8A为图6的压力烤箱在加压程序期间的管路内的气体流动方式的示意图。请同时参阅图3及图8A，图8A对应于图3的步骤S152。在泄压程序(步骤S150)之后且在降温程序(步骤S130)之前，执行一加压程序(步骤S152)。

开启进气单元250a以将一外部气体330经由管路252a充入腔体210内，而使腔体210内的气体分子数量从第二气体分子数量N2上升至第三气体分子数量N3(步骤S152)，腔体210内的气压上升至第三压力P3，第三压力P3大于标准大气压。本实施例的第三压力P3例如是9个大气压，但本发明不以此为限。外部气体330的温度低于第二温度T2，而使腔体210内的温度稍微下降。

图8B为图8A的压力烤箱在降温程序期间的腔体内的气体流动方式的示意图。此时腔体210内的气体340包括外部气体330与气体310(图4)在被泄压阀260泄出之后的剩余部分，且腔体210内的气体分子数量保持第三气体分子数量N3。运行风扇240及冷却器230以执行降温程序(步骤S130)。如图7所示，腔体210内的气体340沿箭头方向流动，以使腔体210内的温度下降至第三温度T3(步骤S140)。此时腔体210内的气压为大于标准大气压。

值得一提的是，请回到图3，本实施例在泄压程序(步骤S150)之后且在降温程序(S130)之前，还包括了加压程序(步骤S152)。由于步骤S152将外部气体330充入腔体210(图8A)内，因此相较于前一实施例所描述地由步骤S150直接到步骤S130的降温方法，步骤S152的腔体210内的气体分子数量(第三气体分子数量N3)大于步骤S150中所提到的腔体210内的气体分子数量(第二气体分子数量N2)，因此步骤S152的腔体210具有较多的气体分子可与冷却器230进行热交换，而可具有较佳的降温效能。无论是由步骤S122、S150直接到步骤S130或是由步骤S122、S150、S152到步骤S130，均具有有助于降温的优点，操作者可视需求选择所需操作的步骤。

综上所述，在本发明的压力烤箱的温度调整方法中，降温程序期间的腔体的气体分子数量(例如：第一气体分子数量、第二气体分子数量及第三气体分子数量)大于或等于腔体在标准大气压状态的气体分子数量，而使腔体内的压力大于或等于标准大气压。换言之，腔体在正压状态下执行降温程序。降温程序结束后，腔体内的气压大于或等于标准大气压，而使腔体可快速的再次执行升温程序，以增进压力烤箱的制程效率。在降温程序期间，腔体仅透过腔体内的风扇及冷却器进行降温，而不需要使用额外的冷却回流管路，因此本发明的压力烤箱的降温制程的降温效率不会受到外部管路的影响，而使腔体可更快速的降温以缩短降温制程所需的时间。

虽然本发明已以实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围当视后附的申请专利范围所界定者为准。

Claims (12)

1.一种温度调整方法，其特征在于，包括：

提供压力烤箱，其中所述压力烤箱包括腔体、设置于所述腔体内的冷却器及连通于所述腔体的进气单元；

运行所述进气单元，以对所述腔体充气，而使所述腔体内的气压大于标准大气压，其中所述腔体内的气体分子数量大于所述腔体在标准大气压状态的气体分子数量；以及

当所述腔体内的所述气体分子数量大于所述腔体在标准大气压状态的气体分子数量时，运行位于所述腔体内的所述冷却器，以对所述腔体进行降温程序，以降低所述腔体内的温度。

2.如权利要求1所述的温度调整方法，其特征在于

所述压力烤箱还包括设置于所述腔体内的第一加热器，在使所述腔体内的气体分子数量大于所述腔体在标准大气压状态的气体分子数量的步骤之后，且在所述降温程序之前，运行所述第一加热器，以使所述腔体内的温度由第一温度上升至第二温度，且在所述降温程序之后，所述腔体内的温度由所述第二温度降低至第三温度。

3.如权利要求1所述的温度调整方法，其特征在于

所述压力烤箱还包括设置于所述腔体外的第二加热器，所述第二加热器对进入所述腔体前的气体加热，且加热后的气体充入所述腔体后，所述腔体内的气体分子数量大于所述腔体在标准大气压状态的气体分子数量，所述腔体内的温度由第一温度上升至第二温度，且在所述降温程序之后，所述腔体内的温度由所述第二温度降低至第三温度。

4.如权利要求1所述的温度调整方法，其特征在于

在使所述腔体内的所述气体分子数量大于所述腔体在标准大气压状态的气体分子数量的步骤中，所述腔体内的气体分子数量为第一气体分子数量，且在所述降温程序中，所述腔体内的气体分子数量保持在所述第一气体分子数量。

5.如权利要求1所述的温度调整方法，其特征在于

在使所述腔体内的气体分子数量大于所述腔体在标准大气压状态的气体分子数量的步骤中，所述腔体内的气体分子数量为第一气体分子数量，当所述腔体内的气体分子数量为第一气体分子数量时，且在所述降温程序之前，还包括：

使所述腔体内的气体的一部分泄出，而使所述腔体内的气体分子数量下降至第二气体分子数量，其中所述第二气体分子数量大于等于所述腔体在标准大气压状态的气体分子数量。

6.如权利要求5所述的温度调整方法，其特征在于

所述第二气体分子数量大于所述腔体在标准大气压状态的气体分子数量，在所述降温程序中，所述腔体内的气体分子数量保持在所述第二气体分子数量。

7.如权利要求5所述的温度调整方法，其特征在于

在所述腔体内的气体分子数量下降至所述第二气体分子数量之后，且于所述降温程序之前，还包括：

对所述腔体填充外部气体，以使所述腔体内的气体分子数量提高至第三气体分子数量，其中所述外部气体的温度低于第二温度。

8.一种压力烤箱，包括：

腔体；

冷却器，设置于所述腔体内，以使所述腔体降温；

风扇，设置于所述腔体内；以及

进气单元，连通于所述腔体，以对所述腔体充气而增压，其特征在于

所述进气单元对所述腔体充气，而使所述腔体内的气压大于标准大气压，所述冷却器对所述腔体进行降温程序，以降低所述腔体内的温度。

9.如权利要求8所述的压力烤箱，其特征在于

还包括泄压阀，设置于所述腔体，以将所述腔体内的气体排出而减压。

10.如权利要求8所述的压力烤箱，其特征在于

还包括加热器，设置于所述腔体内以使所述腔体升温。

11.如权利要求8所述的压力烤箱，其特征在于

还包括加热器，设置于所述腔体外，以对进入所述腔体前的气体加热。

12.如权利要求8所述的压力烤箱，其特征在于

所述压力烤箱不具有将所述腔体内的气体导出所述腔体外，再回流至所述腔体内的冷却回流管路。

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