CN114280893B - 光刻机的污染控制系统、方法和光刻机 - Google Patents

Abstract

本发明属于光刻机技术领域，具体涉及一种光刻机及其污染控制系统和方法，光刻机的污染控制系统包括高纯清洁气源、纯化器、照明光学腔室气体装置、主腔室气体装置、投影光学腔室气体装置、硅片台腔室气体装置和真空泵组，各个气体装置分别包括各自的流量控制器和配气管道，各配气管道包括多个管道支路，用于对经由各自的流量控制器输送至相应腔室的清洁工艺气体进行分配。本发明的光刻机的污染控制系统能够调节输送至各个腔室的工艺气体流量，使得各个腔室形成合适的气压梯度，并通过真空泵组从相应腔室抽气，使光刻机内部形成工艺气流场，从而将污染物排出到光刻机外部。

Description

光刻机的污染控制系统、方法和光刻机

技术领域

本发明属于光刻机技术领域，具体涉及一种光刻机的污染控制系统、方法和光刻机。

背景技术

本部分提供的仅仅是与本公开相关的背景信息，其并不必然是现有技术。

极紫外(EUV)光刻是7nm及以下节点的主流光刻技术。波长13.5nm的极紫外光被包括空气在内的所有物质强烈吸收，因此必须置于真空环境中。固体材料在大气环境下能溶解、吸附一些气体，而放置于真空环境中就会因解吸等过程而放气。对于极紫外光刻机，材料放出的碳氢化合物和水蒸气会在极紫外反射镜表面形成碳沉积或产生氧化作用，从而降低反射镜的反射率和使用寿命。因此要对极紫外光刻机内部的碳氢化合物和水蒸气等污染性气体进行严格控制。

深紫外光刻、紫外光刻的光学系统也会受到污染性气体和颗粒的影响，从而降低光学透过率，并降低光刻良率，同样需要对深紫外光刻机和紫外光刻机内部的污染性气体和颗粒进行严格的控制。

发明内容

本发明的目的是至少解决现有技术中存在的技术问题之一。该目的是通过以下技术方案实现的：

本发明的第一方面提出了一种光刻机的污染控制系统，其特征在于，所述光刻机包括：极紫外光源、照明光学腔室、用于放置掩模的掩模台、投影光学腔室、用于放置硅片的硅片台、主腔室、硅片台腔室、硅片传输腔室和掩模传输腔室，所述照明光学腔室、所述掩模台和所述投影光学腔室均布置在所述主腔室中，所述硅片台布置在所述硅片台腔室中，所述光刻机的污染控制系统包括：

高纯清洁气源，用于提供高纯度的清洁工艺气体；

纯化器，用于过滤从所述高纯清洁气源输出的清洁工艺气体；

照明光学腔室气体装置，所述照明光学腔室气体装置包括第一流量控制器和第一配气管道，所述第一配气管道包括多个管道支路，用于对经由所述第一流量控制器输送至所述照明光学腔室的清洁工艺气体进行分配；

主腔室气体装置，所述主腔室气体装置包括第二流量控制器和第二配气管道，所述第二配气管道包括多个管道支路，用于对经由所述第二流量控制器输送至所述主腔室的清洁工艺气体进行分配；

投影光学腔室气体装置，所述投影光学腔室气体装置包括第三流量控制器和第三配气管道，所述第三配气管道包括多个管道支路，用于对经由所述第三流量控制器输送至所述投影光学腔室的清洁工艺气体进行分配；

硅片台腔室气体装置，所述硅片台腔室气体装置包括第四流量控制器和第四配气管道，所述第四配气管道包括多个管道支路，用于对经由所述第四流量控制器输送至所述硅片台腔室的清洁工艺气体进行分配；和

真空泵组，所述真空泵组包括主腔室真空泵、硅片台腔室真空泵和硅片传输腔室真空泵。

根据本发明实施例的光刻机的污染控制系统，通过在照明光学腔室、主腔室、投影光学腔室和硅片台腔室设置各自的流量控制器和配气管道，能够调节输送至光刻机各个腔室的工艺气体流量，使得各个腔室在操作过程中稳定在不同的工作气压，形成合适的气压梯度；并且通过各个腔室压力梯度和真空泵组从相应腔室抽气的双重作用下，使光刻机内部形成工艺气流场，从而实现污染物随着工艺气流场排出到光刻机的外部。

在本发明的一些实施例中，所述第一配气管道包括照明反射镜管道支路、滤光片管道支路和照明光学腔室气压调节管道支路。

在本发明的一些实施例中，所述第二配气管道包括掩模配气管道支路和主腔室气压调节管道支路。

在本发明的一些实施例中，所述第三配气管道包括投影物镜管道支路和投影光学腔室气压调节管道支路。

在本发明的一些实施例中，所述第四配气管道包括硅片传输窗口管道支路和硅片台腔室气压调节管道支路。

在本发明的一些实施例中，所述光刻机的污染控制系统还包括第一气体锁装置，所述第一气体锁装置包括第五流量控制器和第五配气管道，所述第五配气管道的出口设置于所述投影光学腔室与所述硅片台腔室之间的通光孔处。

在本发明的一些实施例中，所述光刻机的污染控制系统还包括第二气体锁装置，所述第二气体锁装置包括第六流量控制器和第六配气管道，所述第六配气管道的出口设置于所述极紫外光源与所述照明光学腔室之间的通光孔处。

本发明的另一方面还提出一种光刻机污染控制方法，所述光刻机污染控制方法是通过上述任一实施例所述的光刻机的污染控制系统实施的，所述光刻机污染控制方法包括：

分别向照明光学腔室、主腔室、投影光学腔室和硅片台腔室通入工艺气体；

通过各个流量控制器分别控制输送到所述照明光学腔室、所述主腔室、所述投影光学腔室和所述硅片台腔室的工艺气体流量，以在各个腔室之间形成压力梯度；

开启真空泵组，以形成工艺气流场。

在本发明的一些实施例中，所述光刻机污染控制方法包括：

开启第一气体锁装置，在所述投影光学腔室与所述硅片台腔室之间的通光孔处形成第一动态气体锁；并且/或者

开启第二气体锁装置，在所述极紫外光源与所述照明光学腔室之间的通光孔处形成第二动态气体锁。

另外，本发明还提出一种光刻机，包括上述任一实施例所述的光刻机的污染控制系统。

根据本发明实施例的光刻机与上述光刻机的污染控制系统具有相同的优势，在此不再赘述。

附图说明

通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本发明的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：

图1为本发明实施例的光刻机的污染控制系统的结构示意图；

图2为本发明实施例的光刻机的污染控制系统的工艺气流场示意图。

附图中各标记表示如下：

1、极紫外光源；2、照明光学腔室；3、掩模台；4、投影光学腔室；5、硅片台；6、主腔室；7、硅片台腔室；8、硅片传输腔室；9、掩模传输腔室；

10、第一动态气体锁；11、第二动态气体锁；20、高纯清洁气源；21、纯化器；22、第一流量控制器；23、第一配气管道；24、第二流量控制器；25、第二配气管道；26、第三流量控制器；27、第三配气管道；28、第四流量控制器；29、第四配气管道；30、高纯抑制气源；31、纯化器；32、第五流量控制器；33、第六配气管道；40、高纯抑制气源；41、纯化器；42、第六流量控制器；43、第六配气管道。

具体实施方式

下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施方式。虽然附图中显示了本公开的示例性实施方式，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。

应理解的是，文中使用的术语仅出于描述特定示例实施方式的目的，而无意于进行限制。除非上下文另外明确地指出，否则如文中使用的单数形式“一”、“一个”以及“所述”也可以表示包括复数形式。术语“包括”、“包含”、“含有”以及“具有”是包含性的，并且因此指明所陈述的特征、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但并不排除存在或者添加一个或多个其它特征、步骤、操作、元件、部件、和/或它们的组合。

尽管可以在文中使用术语第一、第二、第三等来描述多个元件、部件、区域、层和/或部段，但是，这些元件、部件、区域、层和/或部段不应被这些术语所限制。这些术语可以仅用来将一个元件、部件、区域、层或部段与另一区域、层或部段区分开。除非上下文明确地指出，否则诸如“第一”、“第二”之类的术语以及其它数字术语在文中使用时并不暗示顺序或者次序。因此，以下讨论的第一元件、部件、区域、层或部段在不脱离示例实施方式的教导的情况下可以被称作第二元件、部件、区域、层或部段。

为了便于描述，可以在文中使用空间相对关系术语来描述如图中示出的一个元件或者特征相对于另一元件或者特征的关系，这些相对关系术语例如为“内部”、“外部”、“内侧”、“外侧”、“下面”、“下方”、“上面”、“上方”等。这种空间相对关系术语意于包括除图中描绘的方位之外的在使用或者操作中装置的不同方位。例如，如果在图中的装置翻转，那么描述为“在其它元件或者特征下面”或者“在其它元件或者特征下方”的元件将随后定向为“在其它元件或者特征上面”或者“在其它元件或者特征上方”。因此，示例术语“在……下方”可以包括在上和在下的方位。装置可以另外定向(旋转90度或者在其它方向)并且文中使用的空间相对关系描述符相应地进行解释。

如图1和图2所示，根据本发明一个实施例的光刻机的污染控制系统，优选地应用于极紫外光刻机，该光刻机包括：极紫外光源1、照明光学腔室2、用于放置掩模的掩模台3、投影光学腔室4、用于放置硅片的硅片台5、主腔室6、硅片台腔室7、硅片传输腔室8和掩模传输腔室9。其中，照明光学腔室2、掩模台3和投影光学腔室4均布置在主腔室6中，硅片台5布置在硅片台腔室7中。具体地，极紫外光源1产生的EUV光束进入照明光学腔室2。照明光学腔室2内部装配有照明光学系统，用于将EUV光束进行匀化和整形，以实现所需形状的均匀性照明。EUV光束经过照明光学系统后，均匀的辐照在设置于掩模台3的掩模上，掩模上承载有所需曝光的图形，掩模反射的EUV光束带有曝光图形信息，该EUV光束随后进入投影光学腔室4。投影光学腔室4内部装配有投影光学系统，经过投影光学系统所形成的像是缩小的，掩模经过投影光学系统所形成的像投射到设置于硅片台5的硅片表面涂覆的光刻胶上，进而完成曝光。照明光学腔室2、掩模台3、投影光学腔室4均装配在主腔室4内部。硅片台5设置于硅片台腔室7内部。硅片传输腔室8将待曝光的硅片传输到光刻机内部，并将曝光完成的硅片从光刻机传输出去。掩模传输腔室9用于在光刻机内部和外部之间传输掩模3。

根据本发明一个实施例的光刻机的污染控制系统包括：

高纯清洁气源20，用于提供高纯度的清洁工艺气体；

纯化器21，用于过滤从高纯清洁气源20输出的清洁工艺气体；

照明光学腔室气体装置，照明光学腔室气体装置包括第一流量控制器22和第一配气管道23，第一配气管道23包括多个管道支路，用于对经由第一流量控制器22输送至照明光学腔室2的清洁工艺气体进行分配；

主腔室气体装置，主腔室气体装置包括第二流量控制器24和第二配气管道25，第二配气管道25包括多个管道支路，用于对经由第二流量控制器24输送至主腔室6的清洁工艺气体进行分配；

投影光学腔室气体装置，投影光学腔室气体装置包括第三流量控制器26和第三配气管道27，第三配气管道27包括多个管道支路，用于对经由第三流量控制器26输送至投影光学腔室4的清洁工艺气体进行分配；

硅片台腔室气体装置，硅片台腔室气体装置包括第四流量控制器28和第四配气管道29，第四配气管道29包括多个管道支路，用于对经由第四流量控制器28输送至硅片台腔室7的清洁工艺气体进行分配；和

真空泵组，真空泵组包括主腔室真空泵、硅片台腔室真空泵和硅片传输腔室真空泵。

根据本发明实施例的光刻机的污染控制系统，通过在照明光学腔室、主腔室、投影光学腔室和硅片台腔室设置各自的流量控制器和配气管道，能够调节输送至光刻机各个腔室的工艺气体流量，使得各个腔室在操作过程中稳定在不同的工作气压，形成合适的气压梯度；并且通过各个腔室压力梯度和真空泵组从相应腔室抽气的双重作用下，使光刻机内部形成如图2的箭头所示的工艺气流场，从而实现污染物随着工艺气流场排出到光刻机的外部。

在本发明的一些实施例中，高纯清洁气源20中的高纯度的工艺气体为对EUV光具有较小吸收系数的气体，可以采用氢气、氮气、氩气、干空气及其混合气体，以尽可能降低工艺气体对EVU光的吸收。光刻机在曝光工作时，照明光学腔室2、主腔室6、投影光学腔室4和硅片台腔室7可以采用相同的工艺气体，因此，照明光学腔室气体装置、主腔室气体装置、投影光学腔室气体装置和硅片台腔室气体装置可以共用高纯清洁气源20和纯化器21，也可以根据需要单独配置高纯清洁气源和纯化器。

在本发明的一些实施例中，照明光学腔室气体装置的第一配气管道23包括照明反射镜管道支路、滤光片管道支路和照明光学腔室气压调节管道支路。具体地，照明光学腔室气体装置的第一流量控制器22控制输送到照明光学腔室2的工艺气体流量，第一配气管道23的各个管道支路对经由第一流量控制器22输送的工艺气体在照明光学腔室2内部进行空间分配和流量分配。对于装配有多个照明反射镜和滤光片的照明光学腔室，优选地，每个反光镜和滤光片都配置一个管道支路，使得每个反光镜和滤光片都分配到保护性的清洁工艺气体，从而避免受到污染物的影响；此外，照明光学腔室还设置有专门的气压调节管道支路，用于调节照明光学腔室内的工作气压。例如，对于典型的四镜照明光学系统的光刻机，第一配气管道23至少包括六个气体管道支路，分别用于四个反射镜、一个滤光片和一个腔室气压调节。各管道支路的流量分配由其流阻决定，主要取决于管道长度、内径、弯曲半径及数量等。

在本发明的一些实施例中，主腔室气体装置的第二配气管道25包括掩模配气管道支路和主腔室气压调节管道支路。具体地，主腔室气体装置的第二流量控制器24控制输送到主腔室2的工艺气体流量，第二配气管道25的各个管道支路对经由第二流量控制器24输送的工艺气体在主腔室2内部进行空间分配和流量分配。优选地，对设置于主腔室中的掩模配置一个管道支路，以保证掩模得到清洁工艺气体的保护，从而避免掩模受到污染物的影响；此外，主腔室还设置有专门的气压调节管道支路，用于调节主腔室内的工作气压。

在本发明的一些实施例中，投影光学腔室气体装置的第三配气管道27包括投影物镜管道支路和投影光学腔室气压调节管道支路。具体地，投影光学腔室气体装置的第三流量控制器26控制输送到投影光学腔室4的工艺气体流量，第三配气管道27的各个管道支路对经由第三流量控制器26输送的工艺气体在投影光学腔室4内部进行空间分配和流量分配。对于装配有多个投影物镜的投影光学腔室，优选地，每个投影物镜都配置一个管道支路，使得每个投影物镜都分配到保护性的清洁工艺气体，从而避免受到污染物的影响；此外，投影光学腔室还设置有专门的气压调节管道支路，用于调节投影光学腔室内的工作气压。例如，对于典型的六镜投影光学系统的极紫外光刻机，第三配气管道27至少包括七个气体管道支路，分别用于六个投影物镜和一个腔室气压调节。

在本发明的一些实施例中，硅片台腔室气体装置的第四配气管道29包括硅片传输窗口管道支路和硅片台腔室气压调节管道支路。具体地，硅片台腔室气体装置的第四流量控制器28控制输送到硅片台腔室4的工艺气体流量，第四配气管道29的各个管道支路对经由第四流量控制器28输送的工艺气体在硅片台腔室4内部进行空间分配和流量分配。对于与两个硅片传输室连接的硅片台腔室，连接处设置有用于硅片传输窗口的相应的矩形阀，优选地，每个传输窗口都配置一个管道支路，使得每个硅片传输窗口都分配到保护性的清洁工艺气体，从而避免受到污染物的影响；此外，硅片台腔室还设置有专门的气压调节管道支路，用于调节硅片台腔室内的工作气压。例如，对于典型的六镜投影光学系统的极紫外光刻机，第四配气管道29至少包括七个气体管道支路，分别用于六个投影物镜和一个腔室气压调节。

在本发明的一些实施例中，由于极紫外光刻机在对硅片进行曝光时，硅片表面涂覆的光刻胶会与EUV光产生光化学反应，释放大量的水蒸气和碳氢化合物等污染性气体和颗粒，为防止这些污染物扩散到投影光学腔室4内进而污染光学系统，在硅片台腔室7和投影光学腔室4之间建立锥形通光孔，并通过设置第一气体锁装置从而在锥形通光孔处通入清洁气体，形成硅片台动态气体锁/第一动态气体锁10。具体地，如图1和图2所示，第一气体锁装置包括第五流量控制器32和第五配气管道33，第五配气管道33的出口设置于所述投影光学腔室4与硅片台腔室7之间的通光孔处。另外，第一气体锁装置还可以包括高纯抑制气源30和纯化器31，高纯抑制气源30用于提供高纯度的清洁性抑制气体，该气体应对EUV光具有较小的吸收系数，可以采用氢气、氮气、氩气、干空气及其混合气等，以尽可能降低气体对EUV光的吸收，并且对污染物具有较好的抑制性能。纯化器31用于过滤气体内的颗粒杂质和吸收气体内的气体杂质。或者，第一气体锁装置可以与上述照明光学腔室气体装置、主腔室气体装置、投影光学腔室气体装置和硅片台腔室气体装置共用同一气源及纯化器，即高纯清洁气源20和纯化器21。第五流量控制器32控制通入第一动态气体锁的气体流量。

在本发明的一些实施例中，由于极紫外光源1工作时会产生锡粒子或气体污染物，为防止这些污染物扩散到照明光学腔室2内进而污染光学系统，在极紫外光源1和照明光学腔室2之间建立圆柱形或锥形通光孔并通过设置第二气体锁装置从而在圆柱形或锥形通光孔处通入清洁气体，形成中间焦点动态气体锁/第二动态气体锁11。第二气体锁装置包括第六流量控制器42和第六配气管道43，第六配气管道43的出口设置于极紫外光源1与照明光学腔室2之间的通光孔处。另外，第二气体锁装置还可以包括高纯抑制气源40和纯化器41。高纯抑制气源40用于提供高纯度的清洁性抑制气体，该气体应对EUV光具有较小的吸收系数，可以采用氢气、氮气、氩气、干空气及其混合气等，以尽可能降低气体对EUV光的吸收，并且对污染物具有较好的抑制性能。纯化器41用于过滤气体内的颗粒杂质和吸收气体内的气体杂质。或者，第二气体锁装置可以与上述照明光学腔室气体装置、主腔室气体装置、投影光学腔室气体装置、硅片台腔室气体装置以及第一气体锁装置共用同一气源及纯化器，即高纯清洁气源20和纯化器21。第六流量控制器42用于控制通入第二动态气体锁的气体流量。

本发明还提出一种光刻机污染控制方法，所述光刻机污染控制方法是通过上述任一实施例的光刻机的污染控制系统实施的，所述光刻机污染控制方法包括：

分别向照明光学腔室、主腔室、投影光学腔室和硅片台腔室通入工艺气体；

通过各个流量控制器分别控制输送到所述照明光学腔室、所述主腔室、所述投影光学腔室和所述硅片台腔室的工艺气体流量，以在各个腔室之间形成压力梯度；

开启真空泵组，以形成工艺气流场。

通过调节光刻机各气体装置的工艺气体流量，使各腔室之间形成合适的压力梯度，具体地，如图2所示，使得照明光学腔室2内的工艺气压为P₁、投影光学腔室4内工艺气压为P₂、主腔室6内的工艺气压为P₃、硅片台腔室7内工艺气压为P₄、硅片传输腔室8内的工艺气压为P₅，各工艺气压处于0.01～100Pa范围且满足P₁≥P₃，P₂≥P₃和P₄≥P₅。在此基础上，通过开启真空泵组，在各腔室压力梯度和真空泵抽气的双重作用下，光刻机内部形成如图2中箭头所示的真空流场或工艺气流场，从而使污染物随着工艺气流排出到光刻机外部。

根据本发明的一些实施例，所述光刻机污染控制方法包括：

开启第一气体锁装置，在所述投影光学腔室与所述硅片台腔室之间的通光孔处形成第一动态气体锁；并且/或者

开启第二气体锁装置，在所述极紫外光源与所述照明光学腔室之间的通光孔处形成第二动态气体锁。

上述实施例中各个步骤的顺序只是为了方便阐述技术方案的优选实施例，并不是对各个步骤的顺序的限制，例如，在本申请的其他实施例中，在不矛盾的情况下各个步骤的顺序还可以重新调整，这种调整属于本申请的保护范围，在此不进行一一阐述。

本发明的另一个实施例提出了一种光刻机，包括上述任一实施例中的光刻机的污染控制系统。

根据本发明实施例的光刻机与上述光刻机的污染控制系统具有相同的优势，在此不再赘述。

以上，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (9)

1.一种光刻机的污染控制系统，其特征在于，所述光刻机包括：极紫外光源、照明光学腔室、用于放置掩模的掩模台、投影光学腔室、用于放置硅片的硅片台、主腔室、硅片台腔室、硅片传输腔室和掩模传输腔室，所述照明光学腔室、所述掩模台和所述投影光学腔室均布置在所述主腔室中，所述硅片台布置在所述硅片台腔室中，所述光刻机的污染控制系统包括：

高纯清洁气源，用于提供高纯度的清洁工艺气体；

纯化器，用于过滤从所述高纯清洁气源输出的清洁工艺气体；

照明光学腔室气体装置，所述照明光学腔室气体装置包括第一流量控制器和第一配气管道，所述第一配气管道包括多个管道支路，用于对经由所述第一流量控制器输送至所述照明光学腔室的清洁工艺气体进行分配，所述第一配气管道还包括照明光学腔室气压调节管道支路，用于调节所述照明光学腔室内的工作气压；

主腔室气体装置，所述主腔室气体装置包括第二流量控制器和第二配气管道，所述第二配气管道包括多个管道支路，用于对经由所述第二流量控制器输送至所述主腔室的清洁工艺气体进行分配，所述第二配气管道还包括主腔室气压调节管道支路，用于调节主腔室内的工作气压；

投影光学腔室气体装置，所述投影光学腔室气体装置包括第三流量控制器和第三配气管道，所述第三配气管道包括多个管道支路，用于对经由所述第三流量控制器输送至所述投影光学腔室的清洁工艺气体进行分配，所述第三配气管道还包括投影光学腔室气压调节管道支路，用于调节所述投影光学腔室内的工作气压；

硅片台腔室气体装置，所述硅片台腔室气体装置包括第四流量控制器和第四配气管道，所述第四配气管道包括多个管道支路，用于对经由所述第四流量控制器输送至所述硅片台腔室的清洁工艺气体进行分配，所述第四配气管道还包括硅片台腔室气压调节管道支路和硅片传输窗口管道支路，用于调节所述硅片台腔室内的工作气压和所述硅片传输腔室内的工艺气压；和

真空泵组，所述真空泵组包括主腔室真空泵、硅片台腔室真空泵和硅片传输腔室真空泵；

所述光刻机的污染控制系统通过调节所述照明光学腔室气体装置、所述主腔室气体装置、所述投影光学腔室气体装置、所述硅片台腔室气体装置以及所述真空泵组，使所述照明光学腔室内的工艺气压为P₁、所述投影光学腔室内的工艺气压为P₂、所述主腔室内的工艺气压为P₃、所述硅片台腔室内的工艺气压为P₄、所述硅片传输腔室内的工艺气压为P₅，其中，P₁≥P₃，P₂≥P₃，P₄≥P₅，且P₁、P₂、P₃、P₄、P₅均在0.01～100Pa范围之内。

2.根据权利要求1所述的光刻机的污染控制系统，其特征在于，所述第一配气管道还包括照明反射镜管道支路和滤光片管道支路。

3.根据权利要求1所述的光刻机的污染控制系统，其特征在于，所述第二配气管道还包括掩模配气管道支路。

4.根据权利要求1所述的光刻机的污染控制系统，其特征在于，所述第三配气管道还包括投影物镜管道支路。

5.根据权利要求1所述的光刻机的污染控制系统，其特征在于，所述光刻机的污染控制系统还包括第一气体锁装置，所述第一气体锁装置包括第五流量控制器和第五配气管道，所述第五配气管道的出口设置于所述投影光学腔室与所述硅片台腔室之间的通光孔处。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的光刻机的污染控制系统，其特征在于，所述光刻机的污染控制系统还包括第二气体锁装置，所述第二气体锁装置包括第六流量控制器和第六配气管道，所述第六配气管道的出口设置于所述极紫外光源与所述照明光学腔室之间的通光孔处。

7.一种光刻机污染控制方法，其特征在于，所述光刻机污染控制方法是通过权利要求1-6中任一项所述的光刻机的污染控制系统实施的，所述光刻机污染控制方法包括：

分别向照明光学腔室、主腔室、投影光学腔室和硅片台腔室通入工艺气体；

通过各个流量控制器分别控制输送到所述照明光学腔室、所述主腔室、所述投影光学腔室和所述硅片台腔室的工艺气体流量，以在各个腔室之间形成压力梯度；

开启真空泵组，以形成工艺气流场。

8.根据权利要求7所述的光刻机污染控制方法，其特征在于，所述光刻机污染控制方法包括：

开启第一气体锁装置，在所述投影光学腔室与所述硅片台腔室之间的通光孔处形成第一动态气体锁；并且/或者

开启第二气体锁装置，在所述极紫外光源与所述照明光学腔室之间的通光孔处形成第二动态气体锁。

9.一种光刻机，其特征在于，包括权利要求1-6中任一项所述的光刻机的污染控制系统。