CN114267803A - 显示面板及其制作方法 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种显示面板及其制作方法，该显示面板包括：阳极、空穴传输层、发光层、阴极和间隔层，所述阳极设于基板上；所述空穴传输层设于所述阳极上；所述发光层设于所述空穴传输层远离所述基板的一侧；所述阴极设于所述发光层上；所述间隔层设于所述空穴传输层与所述发光层之间，所述间隔层包括依次设于所述空穴传输层上的第一隔层、第二隔层和第三隔层，其中，所述第一隔层的最低未占分子轨道能级大于所述第二隔层的最低未占分子轨道能级，所述第三隔层的最低未占分子轨道能级大于所述第二隔层的最低未占分子轨道能级且小于或等于所述第一隔层的最低未占分子轨道能级。本申请提供的显示面板可以解决有机电致发光器件使用寿命短的问题。

Description

显示面板及其制作方法

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板及其制作方法。

背景技术

有机发光二极管显示装置具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。

有机发光二极管显示装置的发光原理是基于在外加电场的作用下，电子从阴极注入到有机物的最低未占分子轨道(Lowest Unoccupied Molecular Orbital，LUMO)，而空穴从阳极注入到有机物的最高占据分子轨道(Highest Occupied Molecular Orbital，HOMO)，电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子，激子在电场作用下迁移，将能量传递给发光材料，激发电子从基态跃迁到激发态，激发态能量通过辐射失活，产生光子，释放光能。

目前，有机电致发光器件的使用寿命较短的原因之一是发光层及发光层的相邻层之间存在电荷陷阱，例如发光层和空穴传输层之间存在电荷陷阱，即由于不同层之间能极差的存在使载流子(空穴或电子)在界面处累积，导致多余的载流子在发光层或空穴传输层产生消光作用的极化子(如阳离子、分子等)，导致有机电致发光器件的使用寿命短。

发明内容

本申请实施例提供一种显示面板及其制作方法，以解决有机电致发光器件使用寿命短的问题。

一方面，本申请实施例提供一种显示面板，包括：阳极、空穴传输层、发光层、阴极和间隔层，所述阳极设于基板上；所述空穴传输层设于所述阳极上；所述发光层设于所述空穴传输层远离所述基板的一侧；所述阴极设于所述发光层上；所述间隔层设于所述空穴传输层与所述发光层之间，所述间隔层包括依次设于所述空穴传输层上的第一隔层、第二隔层和第三隔层，其中，所述第一隔层的最低未占分子轨道能级大于所述第二隔层的最低未占分子轨道能级，所述第三隔层的最低未占分子轨道能级大于所述第二隔层的最低未占分子轨道能级且小于或等于所述第一隔层的最低未占分子轨道能级。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一隔层的厚度为2纳米至3纳米。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述第二隔层的厚度为5纳米至6纳米。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述第三隔层的厚度与所述第一隔层的厚度相等。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述间隔层的材料包括N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4'-二胺、4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺、4,4'-二(9-咔唑)联苯、N,N'-二(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-4,4'-联苯二胺、1，1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷中的至少一种。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述第三隔层的材料与所述第一隔层的材料相同。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述间隔层的最低未占分子轨道能级介于所述空穴传输层的最低未占分子轨道能级和所述发光层的最低未占分子轨道能级之间。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述显示面板还包括空穴阻挡层，所述空穴阻挡层设于所述发光层与所述阴极之间。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述显示面板还包括耦合出光层，所述耦合出光层设于所述阴极远离所述发光层的一侧。

另一方面，本申请还提供一种显示面板的制作方法，包括以下步骤：提供一基板，在所述基板上形成阳极；在所述阳极上形成间隔层，所述间隔层的材料包括最低未占分子轨道能级不同的空穴传输材料，所述间隔层包括依次设置的第一隔层、第二隔层和第三隔层，其中，所述第一隔层的最低未占分子轨道能级大于所述第二隔层的最低未占分子轨道能级，所述第三隔层的最低未占分子轨道能级介于所述第一隔层的最低未占分子轨道能级和所述第二隔层的最低未占分子轨道能级之间；在所述间隔层上形成发光层；在所述发光层上形成阴极。

本申请实施例提供一种显示面板及其制作方法，该显示面板通过在发光层和空穴传输层之间设置间隔层，一方面，间隔层作为发光层和空穴传输层的中间层，且间隔层的最低未占分子轨道能级介于二者的最低未占分子轨道能级之间，降低了电子从发光层到空穴传输层的注入势垒，减少了发光层界面处电荷陷阱的数量，提高有机电致发光器件的使用寿命；另一方面，激子在迁移过程中容易发生从发光层到空穴传输层的反向能量传递，间隔层的最低未占分子轨道能级大于发光层的最低未占分子轨道能级，可以将发光层中的激子阻挡在发光层，避免了激子反向能量传递导致的激子淬灭，提高了有机电致发光器件的工作效率。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请实施例提供的显示面板的第一种结构示意图；

图2是本申请实施例提供的显示面板的能带结构示意图之一；

图3是本申请实施例提供的显示面板的能带结构示意图之二；

图4是本申请实施例提供的显示面板的第二种结构示意图；

图5是本申请实施例提供的显示面板的制作流程示意图。

001/002/003、显示面板，10、基板，20、阳极，30、空穴注入层，31、空穴传输层，40、间隔层，41、第一隔层，42、第二隔层，43、第三隔层，50、发光层，60、空穴阻挡层，70、电子传输层，80、电子注入层，90、阴极，100、耦合出光层，110、封装层。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

本申请实施例提供一种显示面板及其制作方法，以解决由于空穴传输层和发光层之间存在电荷陷阱导致有机电致发光器件使用寿命降低的问题。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。另外，在本申请的描述中，术语“包括”是指“包括但不限于”。术语“第一”、“第二”、“第三”等仅仅作为标示使用，其用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。

参阅图1和图2，图1是本申请实施例提供的显示面板的第一种结构示意图；图2是本申请实施例提供的显示面板的能带结构示意图之一。如图1所示，本申请实施例提供一种显示面板001，包括：阳极20、空穴传输层31、发光层50、阴极90和间隔层40，阳极20设于基板10上；空穴传输层31设于阳极20上；发光层50设于空穴传输层31远离基板10的一侧；阴极90设于发光层50上，间隔层40设于空穴传输层31与发光层50之间，间隔层40包括依次设于空穴传输层31上的第一隔层41、第二隔层42和第三隔层43，其中，第一隔层41的最低未占分子轨道能级大于第二隔层42的最低未占分子轨道能级，第三隔层43的最低未占分子轨道能级大于第二隔层42的最低未占分子轨道能级且小于或等于第一隔层41的最低未占分子轨道能级。

在本申请实施例中，第三隔层43的最低未占分子轨道能级大于第二隔层42的最低未占分子轨道能级且小于第一隔层41的最低未占分子轨道能级。

在本申请实施例中，基板10可以为导电玻璃基板10，选自铟锡氧化物玻璃(如氧化铟锡玻璃)、掺氟氧化锡玻璃、掺铝的氧化锌玻璃或掺铟的氧化锌玻璃。优选地，基板10上阳极20的厚度为100纳米至120纳米，依次包括10纳米的氧化铟锡层，100纳米的金属银层以及10纳米的氧化铟锡层。

在本申请实施例中，阳极20和发光层50之间设置有空穴传输层31，间隔层40设于空穴传输层31与发光层50之间，空穴传输层31的厚度为120纳米至150纳米。

在本申请实施例中，间隔层40的最低未占分子轨道能级介于空穴传输层31的最低未占分子轨道能级和发光层50的最低未占分子轨道能级之间。

在本申请实施例中，间隔层40的材料采用最低未占分子轨道能级较高的空穴传输材料，其中，第一隔层41采用的空穴传输材料的最低未占分子轨道能级高于第三隔层43采用的空穴传输材料的最低未占分子轨道能级，第三隔层43采用的空穴传输材料的最低未占分子轨道能级高于第二隔层42采用的空穴传输材料的最低未占分子轨道能级。

在本申请实施例中，间隔层的材料包括N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4'-二胺(NPB)、4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、4,4'-二(9-咔唑)联苯(CBP)、N,N'-二(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-4,4'-联苯二胺(TPD)或1，1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)等中的至少一种。

在本申请实施例中，第一隔层41的厚度为2纳米至3纳米；第二隔层42的厚度为5纳米至6纳米；优选地，第三隔层43的厚度与第一隔层41的厚度相等。

在本申请实施例中，发光层50的材质为主体材料掺杂绿光客体材料形成的混合材料。优选地，主体材料包括4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、9,9'-(1,3-苯基)二-9H-咔唑(mCP)、4,4'-二(9-咔唑)联苯(CBP)、N,N'-二(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-4,4'-联苯二胺(TPD)、1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)或9,10-双(1-萘基)蒽(ADN)等中的至少一种。其中，绿光客体材料包括三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)、乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)铱(Ir(ppy)2(acac))或三[2-(对甲苯基)吡啶]合铱(Ir(mppy)3)等中的至少一种。绿光客体材料可以为其他蓝光、白光等客体材料。优选地，发光层50的厚度为20纳米至50纳米。

在本申请实施例中，空穴阻挡层60设于发光层50和阴极90之间，空穴阻挡层60的材料采用最高占据分子轨道能级较低的电子传输材料，比如TPBI。空穴阻挡层60的厚度为5纳米至6纳米。

在本申请实施例中，阴极90包括低功函的金属、合金、导电化合物、或它们的混合物等。具体地，包括碱金属诸如锂(Li)及铯(Cs)等；碱土金属诸如镁(Mg)、钙(Ca)及锶(Sr)等；含有这些元素的合金(Mg、Ag、Al、Li)；稀土金属诸如铕(Eu)及镱(Yb)等；以及含有它们的合金等。其中，阴极90的厚度为100纳米至110纳米。

在本申请实施例中，在发光层50和空穴传输层31之间设置间隔层40，一方面，间隔层40作为发光层50和空穴传输层31的中间层，且间隔层40的最低未占分子轨道能级介于二者的最低未占分子轨道能级之间，降低了电子从发光层50到空穴传输层31的注入势垒，减少了发光层50界面处电荷陷阱的数量，提高有机电致发光器件的使用寿命；另一方面，激子在迁移过程中容易发生从发光层50到空穴传输层31的反向能量传递，间隔层40的最低未占分子轨道能级大于发光层50的最低未占分子轨道能级，可以将发光层50中的激子阻挡在发光层50，避免了激子反向能量传递导致的激子淬灭，提高了有机电致发光器件的工作效率。

作为本申请的一个具体实施方式，请参阅图3，图3是本申请实施例提供的显示面板的能带结构示意图之二，如图3所示，显示面板002与显示面板001的区别在于：第三隔层43的最低未占分子轨道能级等于第一隔层41的最低未占分子轨道能级。

在本申请实施例中，显示面板002包括：阳极20、空穴传输层31、发光层50、阴极90和间隔层40，阳极20设于基板10上；空穴传输层31设于阳极20上；发光层50设于空穴传输层31远离基板10的一侧；阴极90设于发光层50上，间隔层40设于空穴传输层31与发光层50之间，间隔层40包括依次设于空穴传输层31上的第一隔层41、第二隔层42和第三隔层43，其中，第一隔层41的最低未占分子轨道能级大于第二隔层42的最低未占分子轨道能级，第三隔层43的最低未占分子轨道能级等于第一隔层41的最低未占分子轨道能级。

在本申请实施例中，阳极20和发光层50之间设置有空穴传输层31，间隔层40设于空穴传输层31与发光层50之间，空穴传输层31的厚度为120纳米至150纳米。

在本申请实施例中，间隔层40的最低未占分子轨道能级介于空穴传输层31的最低未占分子轨道能级和发光层50的最低未占分子轨道能级之间。

在本申请实施例中，间隔层40的材料采用最低未占分子轨道能级较高的空穴传输材料，其中，第一隔层41采用的空穴传输材料的最低未占分子轨道能级大于第二隔层42采用的空穴传输材料的最低未占分子轨道能级，第三隔层43采用的空穴传输材料的最低未占分子轨道能级等于第一隔层41采用的空穴传输材料的最低未占分子轨道能级。

在本申请实施例中，间隔层的材料包括N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4'-二胺(NPB)、4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、4,4'-二(9-咔唑)联苯(CBP)、N,N'-二(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-4,4'-联苯二胺(TPD)或1，1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)等中的至少一种。

需要说明的是，不同空穴传输材料的最低未占分子轨道能级相等或近似，指的是其最低未占分子轨道能级的绝对值的差异为0.3eV以下，优选地，其最低未占分子轨道能级的绝对值的差异为0.2eV以下，不同空穴传输材料的最低未占分子轨道能级相等或近似有利于载流子在不同空穴传输材料之间移动。

在本申请实施例中，优选地，第三隔层43的材料与第一隔层41的材料相同。

在本申请实施例中，第一隔层41的厚度为2纳米至3纳米；第二隔层42的厚度为5纳米至6纳米；优选地，第三隔层43的厚度与第一隔层41的厚度相等。

在本申请实施例中，发光层50的材质为主体材料掺杂绿光客体材料形成的混合材料。

在本申请实施例中，空穴阻挡层60设于发光层50和阴极90之间，空穴阻挡层60的材料采用最高占据分子轨道能级较低的电子传输材料，比如TPBI。空穴阻挡层60的厚度为5纳米至6纳米。

在本申请实施例中，在发光层50和空穴传输层31之间设置间隔层40，以提高有机电致发光器件的发光效率及有机电致发光器件的使用寿命。

作为本申请的一个具体实施方式，请参阅图4，图4是本申请实施例提供的显示面板的第二种结构示意图。如图4所示，本申请实施例提供一种显示面板003，在本申请实施例中，显示面板003包括：阳极20、空穴传输层31、发光层50、阴极90和间隔层40，阳极20设于基板10上；空穴传输层31设于阳极20上；发光层50设于空穴传输层31远离基板10的一侧；阴极90设于发光层50上，间隔层40设于空穴传输层31与发光层50之间，间隔层40包括依次设于空穴传输层31上的第一隔层41、第二隔层42和第三隔层43，其中，第一隔层41的最低未占分子轨道能级大于第二隔层42的最低未占分子轨道能级，第三隔层43的最低未占分子轨道能级等于第一隔层41的最低未占分子轨道能级。

在本申请实施例中，基板10可以为导电玻璃基板10，选自铟锡氧化物玻璃(如：氧化铟锡玻璃)、掺氟氧化锡玻璃、掺铝的氧化锌玻璃或掺铟的氧化锌玻璃。优选地，基板10上阳极20的厚度为100纳米至120纳米，依次包括10纳米的氧化铟锡层，100纳米的金属银层以及10纳米的氧化铟锡层。

在本申请实施例中，显示面板003还包括：

空穴注入层30，设于阳极20上，空穴注入材料为p型材料掺杂空穴注入材料形成的混合材料，例如NBP:F4-TCNQ。空穴注入层30的厚度为10纳米至12纳米。

空穴传输层31，设于空穴注入层30上，空穴传输材料多采用TPD和NPB等经典三级芳香胺类空穴传输材料，具体材料如上，这里不再赘述。空穴传输层31的厚度为120至150纳米。在本申请实施例中，间隔层40的最低未占分子轨道能级介于空穴传输层31的最低未占分子轨道能级和发光层50的最低未占分子轨道能级之间。

发光层50，发光层50的材质为主体材料掺杂绿光客体材料形成的混合材料。优选地，发光层50的厚度为20纳米至50纳米。

空穴阻挡层60，设于发光层50和阴极90之间，空穴阻挡层60的材料采用最高占据分子轨道能级较低的电子传输材料，比如TPBI。空穴阻挡层60的厚度为5纳米至6纳米。

电子传输层70，设于空穴阻挡层60远离发光层50的一侧，电子传输层70的材料采用具有较高电子迁移率的电子电子传输材料，具体地，电子传输材料包括4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(Bphen)、4,7-二苯基-1,10-邻菲罗啉(BCP)、4-联苯酚基-二(2-甲基-8-羟基喹啉)合铝(BAlq)、8-羟基喹啉铝(Alq3)、3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑(TAZ)或1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)等中的至少一种。其中，电子传输层70的厚度为25纳米至30纳米。

电子注入层80，设于阴极90靠近发光层50的一侧，电子注入层80的材料包括氟化锂(LiF)、氟化铯(CsF)和氟化钙(CaF，)等的碱金属、碱土金属、或它们的化合物。此外，还可以使用包含碱金属、碱土金属、或它们的化合物的具有电子传输性的物质，具体地说，使用含镁(Mg)的Alq等。电子注入层80包括具有高电子注入性的物质，有利于提高来自阴极90的电子注入的效率。其中，电子注入层80的厚度为0.3纳米至1.0纳米。

阴极90，阴极90设置于电子注入层80远离发光层50的一侧，阴极90的材料包括低功函的金属、合金、导电化合物、或它们的混合物等。具体地，包括碱金属诸如锂(Li)及铯(Cs)等；碱土金属诸如镁(Mg)、钙(Ca)及锶(Sr)等；含有这些元素的合金(Mg、Ag、Al、Li)；稀土金属诸如铕(Eu)及镱(Yb)等；以及含有它们的合金等。其中，阴极90的厚度为100纳米至110纳米。

耦合出光层100，设于阴极90远离发光层50的一侧，耦合出光层100的材料采用具有高折射率(2.0至2.5)的材料，有利于改善出光效率。

封装层110，设于耦合出光层100远离阴极90的一侧，以保护整体结构。其中，封装层110由两层或以上的多层薄膜堆迭结构形成，包括无机薄膜层及平坦化层，可通过蒸镀、丝网印刷、喷墨打印等方式来形成，封装层110的材料包括SIO、SINO、SIO等中至少一种或其组合。

在本申请实施例中，在发光层50和空穴传输层31之间设置间隔层40，一方面，间隔层40作为发光层50和空穴传输层31的中间层，且间隔层40的最低未占分子轨道能级介于二者的最低未占分子轨道能级之间，降低了电子从发光层50到空穴传输层31的注入势垒，减少了发光层50界面处电荷陷阱的数量，提高有机电致发光器件的使用寿命；另一方面，激子在迁移过程中容易发生从发光层50到空穴传输层31的反向能量传递，间隔层40的最低未占分子轨道能级大于发光层50的最低未占分子轨道能级，可以将发光层50中的激子阻挡在发光层50，避免了激子反向能量传递导致的激子淬灭，提高了有机电致发光器件的工作效率。

另一方面，请参阅图5，图5是本申请实施例提供的显示面板的制作流程示意图；如图5所示，本申请还提供一种显示面板的制作方法，包括以下步骤：

S10、提供一基板10，在基板10上形成阳极20；

具体地，提供一基板10，该基板10可以为玻璃基板10，在玻璃基板10上完成薄膜晶体管层的制作后，依次在超声波条件下用洗洁精、去离子水、丙酮和乙醇清洗玻璃基板10，每次洗涤采用清洗5分钟，停止5分钟，分别重复3次，然后再用烘箱烘干，得到洗净后的玻璃基板10；对洗净后的玻璃基板10进行紫外臭氧处理10分钟至分钟，功率为10瓦至瓦。在玻璃基板10上依次制作10纳米厚的氧化铟锡层，100纳米厚的金属银层，以及10纳米厚的氧化铟锡层。

S20、在阳极20上形成间隔层40；间隔层40的材料包括最低未占分子轨道能级不同的空穴传输材料，间隔层40包括依次设置的第一隔层41、第二隔层42和第三隔层43，其中，第一隔层41的最低未占分子轨道能级大于第二隔层42的最低未占分子轨道能级，第三隔层43的最低未占分子轨道能级介于第一隔层41的最低未占分子轨道能级和第二隔层42的最低未占分子轨道能级之间；

在本申请实施例中，在阳极20上形成间隔层40的步骤，具体包括：

在阳极20层20上形成空穴注入层30：在蒸镀有机腔室内，在氧化铟锡玻璃基板10上蒸镀F4-TCNQ掺杂NBP得到的混合材料，F4-TCNQ在空穴注入层30中的质量分数可以为30％，蒸镀时真空度可以为5×10^-5Pa，蒸发速度可以为0.1埃每秒，得到空穴注入层30，厚度为10纳米；

在空穴注入层30上形成空穴传输层31：在空穴注入层30上蒸镀NBP，蒸镀时真空度可以为5×10^-5Pa，蒸发速度可以为0.1埃每秒，得到空穴传输层31，厚度为120纳米至150纳米；

在空穴传输层31上形成间隔层40，具体包括，依次蒸镀形成第一隔层41、第二隔层42以及第三隔层43，蒸镀时真空度可以为5×10^-5Pa，蒸发速度可以为0.1埃每秒，其中，第一隔层41何第三隔层43的厚度均为2纳米至3纳米，第二隔层42的厚度为5纳米；

S30、在间隔层40上形成发光层50；

在间隔层40上形成发光层50：在间隔层40上蒸镀主体材料TCTA与绿光客体材料Ir(ppy)3掺杂形成的混合材料，绿光客体材料在发光层50中的质量分数可以为5％，蒸镀时真空度可以为5×10^-5Pa，蒸发速度可以为0.1埃每秒，得到发光层50，厚度为20纳米至50纳米。

S40、在发光层50上形成阴极90，具体包括：

在发光层50上形成空穴阻挡层60：在发光层50上蒸镀TPBI，蒸镀时真空度可以为5×10^-5Pa，蒸发速度可以为0.1埃每秒，得到空穴阻挡层60，厚度为5纳米；

在空穴阻挡层60上形成电子传输层70，在空穴阻挡层60上蒸镀Bphen，蒸镀时真空度可以为5×10^-5Pa，蒸发速度可以为0.1埃每秒，得到电子传输层70，厚度为25纳米至30纳米；

在电子传输层70上形成电子注入层80，在电子传输层70上蒸镀LIF，蒸镀时真空度可以为5×10^-5Pa，蒸发速度可以为0.1埃每秒，得到电子注入层80，厚度为0.3纳米至1.0纳米；

在电子注入层80上形成阴极90：在电子注入层80上蒸镀镁铝合金，蒸镀时真空度可以为5×10^-5Pa，蒸发速度可以为0.1埃每秒，得到阴极90，厚度为100纳米；

在阴极90上形成耦合出光层100：在阴极90上蒸镀形成耦合出光层100，蒸镀时真空度可以为5×10^-5Pa，蒸发速度可以为0.1埃每秒，厚度为60纳米至70纳米；

在耦合出光层100上形成封装层110，在化学气相沉积腔室中，在第一空穴阻挡层60上依次沉积SIO膜、SINO膜、SIO膜，并传入压合腔室完成封装。

本申请提供一种显示面板及其制作方法，通过在发光层50和空穴传输层31之间设置间隔层40，一方面，间隔层40作为发光层50和空穴传输层31的中间层，且间隔层40的最低未占分子轨道能级介于二者的最低未占分子轨道能级之间，降低了电子从发光层50到空穴传输层31的注入势垒，减少了发光层50界面处电荷陷阱的数量，提高有机电致发光器件的使用寿命；另一方面，激子在迁移过程中容易发生从发光层50到空穴传输层31的反向能量传递，间隔层40的最低未占分子轨道能级大于发光层50的最低未占分子轨道能级，可以将发光层50中的激子阻挡在发光层50，避免了激子反向能量传递导致的激子淬灭，提高了有机电致发光器件的工作效率。

以上对本申请实施例所提供的一种显示面板及其制备方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：

阳极，所述阳极设于基板上；

空穴传输层，所述空穴传输层设于所述阳极上；

发光层，所述发光层设于所述空穴传输层远离所述基板的一侧；

阴极，所述阴极设于所述发光层上；

间隔层，所述间隔层设于所述空穴传输层与所述发光层之间，所述间隔层包括依次设于所述空穴传输层上的第一隔层、第二隔层和第三隔层，其中，所述第一隔层的最低未占分子轨道能级大于所述第二隔层的最低未占分子轨道能级，所述第三隔层的最低未占分子轨道能级大于所述第二隔层的最低未占分子轨道能级且小于或等于所述第一隔层的最低未占分子轨道能级。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一隔层的厚度为2纳米至3纳米。

3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二隔层的厚度为5纳米至6纳米。

4.根据权利要求1或2所述的显示面板，其特征在于，所述第三隔层的厚度与所述第一隔层的厚度相等。

5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述间隔层的材料包括N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4'-二胺、4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺、4,4'-二(9-咔唑)联苯、N,N'-二(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-4,4'-联苯二胺、1，1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第三隔层的材料与所述第一隔层的材料相同。

7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述间隔层的最低未占分子轨道能级介于所述空穴传输层的最低未占分子轨道能级和所述发光层的最低未占分子轨道能级之间。

8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括空穴阻挡层，所述空穴阻挡层设于所述发光层与所述阴极之间。

9.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括耦合出光层，所述耦合出光层设于所述阴极远离所述发光层的一侧。

10.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一基板，在所述基板上形成阳极；

在所述阳极上形成间隔层，所述间隔层的材料包括最低未占分子轨道能级不同的空穴传输材料，所述间隔层包括依次设置的第一隔层、第二隔层和第三隔层，其中，所述第一隔层的最低未占分子轨道能级大于所述第二隔层的最低未占分子轨道能级，所述第三隔层的最低未占分子轨道能级介于所述第一隔层的最低未占分子轨道能级和所述第二隔层的最低未占分子轨道能级之间；

在所述间隔层上形成发光层；

在所述发光层上形成阴极。

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