CN114257925A - 一种扬声器及终端 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种扬声器及终端，涉及音频技术领域，用于减小扬声器中线圈在水平方向左右摆动的幅度。该扬声器中，振膜覆盖盆架的容纳腔的开口，且与盆架相连接。磁路组件靠近振膜的一端具有磁间隙。线圈缠绕于线圈骨架上，且线圈的至少一部分位于磁间隙内。连接件设置于线圈骨架靠近容纳腔侧壁的一侧。环状的第一弹波设置于线圈骨架和连接件之间，第一弹波的内侧与磁路组件相连接，外侧与连接件相连接。第一弹波靠近线圈上端，远离线圈的下端。环状的第二弹波设置于连接件与容纳腔侧壁之间，第二弹波的内侧与连接件相连接，外侧与容纳腔侧壁相连接。第二弹波靠近线圈的下端，远离线圈的上端。

Description

一种扬声器及终端

技术领域

本申请涉及音频技术领域，尤其涉及一种扬声器及终端。

背景技术

扬声器可以将电能转换成声能，以通过电声转换实现声音的输出。扬声器中，通电后的线圈在磁体提供的磁场作用下，可以沿垂直于振膜的竖直方向，驱动振膜振动形成声音。然而，扬声器在工作的过程中，线圈除了沿竖直方向上下振动以外，还会在水平方向左右摆动。当幅度较大时，会擦碰位于线圈周围的部件，从而产生异音，严重的会造成扬声器损坏。

发明内容

本申请实施例提供一种扬声器及终端，用于减小扬声器中线圈在水平方向左右摆动的幅度。

为达到上述目的，本申请采用如下技术方案：

本申请的一方面，提供一种扬声器。该扬声器包括盆架、振膜、磁路组件、振动组件、第一弹波以及第二弹波。其中，盆架具有凹型的容纳腔。振膜覆盖容纳腔的开口，且与盆架相连接。磁路组件的至少一部分设置于容纳腔内，且与容纳腔底部相连接，该磁路组件靠近振膜的一端具有磁间隙。振动组件位于容纳腔内，与振膜相连接。该振动组件包括线圈、线圈骨架以及连接件。其中，线圈缠绕于线圈骨架上，且线圈的至少一部分位于磁间隙内。连接件设置于线圈骨架靠近容纳腔侧壁的一侧。第一弹波为环状，位于容纳腔内，且设置于线圈骨架和连接件之间，第一弹波的内侧与磁路组件相连接，外侧与连接件相连接。第一弹波用于沿第一弹波的半径方向支撑振动组件。第一弹波靠近线圈上端，远离线圈的下端。其中，线圈的上端靠近振膜，线圈的下端远离振膜。第二弹波为环状，位于容纳腔内，且设置于连接件与容纳腔侧壁之间，第二弹波的内侧与连接件相连接，外侧与容纳腔侧壁相连接。第二弹波用于沿第二弹波的半径方向支撑振动组件。第二弹波靠近线圈的下端，远离线圈的上端。

综上所述，在线圈发生左右摆动的过程中，靠近线圈上端设置的第一弹波，可以向线圈的上端提供与线圈摆动方向相反的第一回复力，使得线圈的上端尽量靠近该线圈的初始位置(线圈静止时的位置)。此外，靠近线圈下端设置的第二弹波，可以向线圈的下端提供与线圈摆动方向相反的第二回复力，使得线圈的下端尽量位于线圈的初始位置。这样一来，第一弹波和第二弹波能够沿径向方向对振动组件进行支撑，使得线圈在振动过程中，线圈的轴线能够尽可能与磁路组件的轴线保持重叠，进而使得线圈能够主要沿竖直方向上下运动。进而可以达到减小线圈左右摆动(即滚摆)的幅度的目的。当扬声器工作在低频状态时，在大功率信号的驱动下线圈的振幅较大时，通过减小线圈滚摆的幅度，能够有效减小线圈与磁路组件中的华司发生碰触，而产生异音的几率，降低声音的失真率。

可选的，第一弹波位于线圈靠近振膜的一侧，第二弹波位于线圈远离振膜的一侧。这样一来，整个线圈在连接件上的垂直投影，可以位于第一弹波在连接件的垂直投影和第二弹波在连接件的垂直投影之间。在此情况下，由于第一弹波位于线圈的上端，距离线圈的下端较远，因此能够使得第一弹波向线圈上端提供的力矩较大，从而更有利于对线圈上端的滚摆进行限制。同理，由于第二弹波位于线圈的下端，距离线圈的上端较远，因此能够使得第二弹波向线圈下端提供的力矩较大，从而更有利于对线圈下端的滚摆进行限制。

可选的，线圈靠近振膜的一端，超出第一弹波靠近振膜的表面。此外，线圈远离振膜的一端，超出第二弹波远离振膜的表面。在此情况下，第一弹波和第二弹波的距离较近，有利于减小扬声器的厚度。

可选的，线圈在连接件的垂直投影的几何中心与第一弹波之间具有第一间距L1。此外，线圈在连接件的垂直投影的几何中心与第二弹波之间具有第二间距L2。其中，L1＝L2。这样一来，第一弹波和第二弹波在对线圈支撑的过程中，第一弹波向线圈施加的第一回复力和第二弹波向线圈施加的第二回复力的大小可以相同或近似相同，使得线圈在上下振动的过程中，该线圈的轴线能够尽可能与磁路组件的轴线保持重叠。

可选的，第一弹波的弹性系数与第二弹波的弹性系数相同。这样一来，第一弹波和第二弹波在对线圈支撑的过程中，可以更有利于使得第一弹波向线圈施加的第一回复力和第二弹波向线圈施加的第二回复力的数值接近或相同。

可选的，线圈靠近振膜的一端，超出第一弹波靠近振膜的表面。线圈远离振膜的一端在连接件上的垂直投影，位于第一弹波和第二弹波之间。在此情况下，第一弹波和第二弹波的距离较近，有利于减小扬声器的厚度。

可选的，线圈靠近振膜的一端在连接件上的垂直投影，位于第一弹波和第二弹波之间。线圈远离振膜的一端，超出第二弹波远离振膜的表面。在此情况下，第一弹波和第二弹波的距离较近，有利于减小扬声器的厚度。

可选的，第一弹波、第二弹波为环状，第一弹波的内孔的轴线与线圈的轴线重叠。第二弹波的内孔的轴线与线圈的轴线重叠。这样一来，同心设置的第一弹波和第二弹波在对线圈支撑的过程中，第一弹波向线圈施加的第一回复力和第二弹波向线圈施加的第二回复力的大小可以相同或近似相同，使得线圈在上下振动的过程中，该线圈的轴线能够尽可能与磁路组件的轴线保持重叠。

可选的，线圈的轴线与线圈骨架的轴线重叠，连接件的轴线与线圈骨架的轴线重叠。此时，位于初始位置的线圈和位于初始位置的线圈骨架同心设置，有利于线圈在振动的过程中，其轴线能够尽可能与磁路组件的轴线保持重叠。

可选的，扬声器还包括弹波支架。弹波支架位于磁路组件靠近振膜的一侧，弹波支架远离振膜的一侧表面与磁路组件相连接，靠近振膜的一侧表面与第一弹波的内侧相连接。这样一来，通过弹波支架对第一弹波的内侧进行支撑，可以避免线圈以大振幅进行振动时，第一弹波与磁路组件发生擦碰。

可选的，弹波支架的高度大于振动组件的振幅。其中，弹波支架的高度的方向与容纳腔的底部垂直。这样一来，可以避免第一弹波在上下振动的过程中擦碰到华司上。可选的，磁路组件包括T铁、第一磁钢以及华司。其中，T铁包括底板和芯柱。底板与容纳腔底部相连接，芯柱位于底板靠近振膜的一侧，且与底部相连接。第一磁钢为环状，且与T铁的底板靠近振膜的一侧表面相连接，芯柱位于第一磁钢的内孔中。华司为环状，且与第一磁钢靠近振膜的一侧表面相连接。芯柱位于华司的内孔中。华司的内圈与芯柱之间形成磁间隙。其中，弹波支架位于华司的上表面，华司的上表面为华司靠近振膜的表面。这样一来，第一弹波可以通过弹波支架与磁路组件中的元件，例如华司相连接。

可选的，华司的纵截面中靠近振膜的一部分为直角梯形，远离振膜的一部分为矩形，直角梯形的斜边靠近容纳腔的侧壁；纵截面与容纳腔的底部垂直。在此情况下，一方面，由于华司的上半部分中，靠近容纳腔的侧壁的一侧为斜面，因此可以增加华司与第一弹波之间的间隙，从而当第一弹波的振幅超过弹波支架的高度时，能够使得第一弹波在振动过程中不容易与该华司发生擦碰。另一方面，当华司的纵截面中靠近振膜的一部分为直角梯形，且该梯形的斜边位于远离线圈的一侧时，华司中，靠近线圈部分，相对于华司远离线圈部分的材料更多。这样一来，华司在导磁的过程中，能够使得来自第一磁钢的磁力线可以更加集中的朝向线圈所在的一侧，从而能够使得线圈所处的磁场强度更大。此外，华司的纵截面中远离振膜的一部分为矩形，可以避免华司远离振膜的一端出现尖角，导致在加工、装配或者运输等环节造成华司破损。

可选的，第一磁钢的内孔的轴线、华司的内孔的轴线与芯柱的轴线重叠。线圈的轴线与芯柱的轴线重叠。芯柱的轴线可以作为磁路组件的轴线。此时，位于初始位置的第一磁钢的内孔的轴线、位于初始位置的华司的内孔的轴线以及位于初始位置的线圈的轴线可以重叠，有利于线圈在振动的过程中，其轴线能够尽可能与磁路组件的轴线保持重叠。

可选的，磁路组件可以包括U铁、第二磁钢以及导磁片。其中，U铁具有凹槽，该U铁凹槽的底部与容纳腔底部相连接。U铁凹槽的侧壁靠近振膜的一侧表面与第一弹波的内侧相连接。该U铁的材料可以为纯度较高的铁。此外，第二磁钢位于U铁的凹槽内，且与U铁凹槽的底部相连接。该第二磁钢为永磁铁，用于在扬声器中提供恒定的磁场。导磁片位于U铁的凹槽内，且与第二磁钢靠近振膜的一侧表面相连接，导磁片与U铁凹槽的侧壁之间形成磁间隙。该导磁片可以具有导磁的作用。

可选的，第二磁钢和导磁片为圆柱体，第二磁钢的轴线和导磁片的轴线与U铁的轴线重叠。线圈的轴线与U铁的轴线重叠。U铁的轴线可以作为磁路组件的轴线。此时，位于初始位置的第二磁钢的轴线、位于初始位置的导槽片的内孔的轴线以及位于初始位置的线圈的轴线可以重叠，有利于线圈在振动的过程中，其轴线能够尽可能与磁路组件的轴线保持重叠。

可选的，连接件具有第一台阶面。该第一台阶面与容纳腔底部平行，第一弹波的外侧粘接于第一台阶面上。通过该第一台阶面，可以增大第一弹波的外侧与连接件的接触面积，提高第一弹波的外侧与连接件的连接牢固性。此外，盆架具有第二台阶面。该第二台阶面与容纳腔底部平行，第二弹波的外侧粘贴于第二台阶面上，第二弹波的内侧粘贴于连接架远离振膜的一侧表面上。这样一来，通过设置第二台阶面，可以增大第二弹波的外侧与盆架的接触面积，提高第二弹波的外侧与盆架的连接牢固性。

可选的，连接件与振膜相连接，线圈骨架靠近振膜的一端与连接件靠近振膜的一端相连接。这样一来，由于振动组件中，线圈骨架已经于连接件相粘接，因此将振膜与振动组件粘接的过程中，只需要将振膜与连接件相粘接即可，从而可以简化扬声器的安装工艺。

可选的，线圈骨架靠近振膜的一端与振膜相连接，连接件靠近振膜的一端与线圈骨架相连接。这样一来，由于振动组件中，连接件已经于线圈骨架相粘接，因此将振膜与振动组件粘接的过程中，只需要将振膜与线圈骨架相粘接即可，从而可以简化扬声器的安装工艺。

可选的，线圈骨架靠近振膜的一端与振膜相连接、连接件靠近振膜的一端与振膜相连接。线圈骨架靠近振膜的一端与连接件靠近振膜的一端之间具有间隙。这样一来，线圈骨架可以通过振膜与连接件间接相连接。线圈在振动的过程中，可以带动线圈骨架振动，线圈骨架再带动连接件振动，从而可以将线圈的振动传输至与该连接件相连接的第一弹波和第二弹波上。

可选的，扬声器还包括悬边。悬边为环状，悬边内侧与振膜相连接，外侧与盆架相连接。在此情况下，通过悬边可以实现振膜与盆架之间的柔性连接。此外，当扬声器安装入终端壳体的安装孔后，可以对壳体内的空气进行密封。

可选的，悬边向靠近容纳腔底部的方向凹陷。凹状的悬边可以避免悬边与该扬声器外侧的其他部件，例如防尘网等发生干涉。此外，振膜向远离容纳腔底部的方向凸起。这样一来，振膜的形状可以与声波的辐射形状耦合，从而使得声波的辐射更加的均匀。

本申请的另一方面，提供一种终端，包括壳体以及如上所述的任意一种扬声器。该壳体上设置有安装孔，扬声器的一部分位于安装孔内。上述终端具有与前述实施例提供的扬声器相同的技术效果，此处不再赘述。

可选的，上述终端为音箱、电视或者电脑中的一种。该音箱、电视或者电脑具有与前述实施例提供的扬声器相同的技术效果，此处不再赘述。

附图说明

图1a为本申请实施例提供的一种音响设备的结构示意图；

图1b为图1a中扬声器的结构示意图；

图2为图1a所示的扬声器的部分结构示意图；

图3为图2中振膜和悬边的结构示意图；

图4a为图1b中T铁的结构示意图；

图4b为图1b中磁路组件的结构示意图；

图5为本申请实施例提供的扬声器的一种结构示意图；

图6a为本申请实施例提供的扬声器的另一种结构示意图；

图6b为本申请实施例提供的扬声器的另一种结构示意图；

图7a为本申请实施例提供的扬声器的一种工作状态示意图；

图7b为本申请实施例提供的扬声器的另一种工作状态示意图；

图8为本申请实施例提供的扬声器的另一种结构示意图；

图9为图8中第一弹波或第二弹波的俯视结构示意图；

图10a为本申请实施例提供的扬声器中振动组件中各个部件位于各自初始位置的示意图；

图10b为本申请实施例提供的扬声器中振动组件的部分结构的一种滚摆方式示意图；

图10c为本申请实施例提供的扬声器中振动组件的一种滚摆方式示意图；

图10d为本申请实施例提供的扬声器中振动组件的部分结构的另一种滚摆方式示意图；

图10e为本申请实施例提供的扬声器中振动组件的另一种滚摆方式示意图；

图11为相关技术中的扬声器的一种结构示意图；

图12为本申请实施例提供的扬声器的另一种结构示意图；

图13为图12中磁路组件形成的磁力线的一种示意图；

图14为本申请实施例提供的扬声器的另一种结构示意图；

图15为本申请实施例提供的扬声器的另一种结构示意图；

图16为本申请实施例提供的扬声器的另一种结构示意图；

图17为本申请实施例提供的扬声器的另一种结构示意图。

附图标记：

01-音箱；02-壳体；03-安装孔；10-扬声器；100-容纳腔；A1-容纳腔的底部；A2-容纳腔的侧壁；20-盆架；30-振膜；31-悬边；40-磁路组件；401-T铁；402-第一磁钢；403-华司；404-U铁；414-U铁凹槽的底部；424-U铁凹槽的侧壁；405-第二磁钢；406-导磁片；400-磁间隙；50-振动组件；51-音圈；501-线圈；502-线圈骨架；503-连接件；61-第一弹波；62-第二弹波；70-弹波支架；411-底板；412-芯柱；B1-第一台阶面；B2-第二台阶面；600-第三弹波。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。

以下，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。

此外，本申请中，“左”、“右”、“上”以及“下”等方位术语是相对于附图中的部件示意置放的方位来定义的，应当理解到，这些方向性术语是相对的概念，它们用于相对于的描述和澄清，其可以根据附图中部件所放置的方位的变化而相应地发生变化。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，术语“连接”应做广义理解，例如，“连接”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。

本申请实施例提供一种终端，该终端可以为电视、电脑、车载设备以及音箱等。该终端具有如图1a所示的音箱01。该音箱01可以包括壳体02和扬声器10。壳体02上开设有安装孔03。扬声器10的一部分设置于上述安装孔03内。在本申请的一些实施例中，扬声器10如图1b所示，可以包括盆架20、振膜30、磁路组件40、振动组件50以及第一弹波61和第二弹波62。当扬声器10安装于上述壳体02的安装孔03内时，振膜30位于该壳体02的外部。

盆架20具有如图2所示的凹型的容纳腔100。该容纳腔100中与XOY平面平行的部分为容纳腔100的底部A1，与XOY平面相交的部分为容纳腔100的侧壁A2。该侧壁A2绕底部A1的一周设置。此外，振膜30覆盖容纳腔100的开口，且与盆架20相连接。在本申请的一些实施例中，扬声器10还可以包括环状结构的悬边(surround)31，也可以称为折环。如图3所示，该悬边31嵌套于该振膜30的周边。悬边31的内侧如图2所示与振膜30周边粘接，悬边31的外侧与盆架20粘接，从而使得振膜30可以通过悬边31与盆架20相连接。

本申请对振膜30的材料不做限定，例如，可以为纸质材料、塑料、金属或者纤维中的至少一种。此外，悬边31采用弹性材料，例如橡胶材料进行制备。悬边31的质地相对于振膜30而言较为柔软。在此情况下，通过悬边31可以实现振膜30与盆架20之间的柔性连接。此外，当扬声器10安装入图1a所示的壳体02的安装孔03后，可以对壳体02内的空气进行密封。

在本申请的一些实施例中，如图2所示，悬边31可以向靠近容纳腔100底部A1的方向凹陷。凹状的悬边31可以避免悬边31与该扬声器10外侧的其他部件，例如防尘网等发生干涉。或者，在本申请的另一些实施例中，悬边31还可以向远离容纳腔100底部A1的方向凸起。相对于凹状的悬边31而言，凸状悬边31可以向振膜30提供更强的推力。此外，上述振膜30可以如图2所示向远离容纳腔100底部A1的方向凸起。这样一来，振膜30的形状可以与声波的辐射形状耦合，从而使得声波的辐射更加的均匀。或者，在另一些实施例中，振膜30可以向靠近底部A1的方向凹陷。相对于凸状的振膜30而言，凹状的振膜30可以具有更高的强度，更容易发生振动，从而能够使得扬声器10覆盖更宽的声音频率。并且，凹状的振膜30可以避免与扬声器10外侧的其他部件发生干涉。

本申请悬边31和振膜30的形状不作限定。以下为了方便说明，均是以振膜30向远离容纳腔100底部A1的方向凸起，悬边31向靠近容纳腔100底部A1的方向凹陷为例进行的说明。

此外，如图1b所示，上述磁路组件40设置于容纳腔100内，且与容纳腔100底部A1相连接。磁路组件40靠近振膜30的一端具有磁间隙400。在本申请的一些实施例中，该磁路组件40可以包括依次远离容纳腔100底部A1的T铁401、第一磁钢402以及华司403。

需要说明的是，图1b为扬声器10的截面结构(沿垂直于容纳腔100底部A1的方向对扬声器进行剖切)。该扬声器10的截面结构关于磁路组件40的轴线U-U左右对称。附图中一些部件，例如磁路组件的标记“40”，在该磁路组件的左侧部分进行了标注，右侧部分未标注。但是由于磁路组件的结构关于轴线U-U左右对称，所以未标注标记的右侧部分也属于磁路组件的结构。本申请实施例提供的所有附图中，关于磁路组件40的轴线U-U左右对称的部件的标记方式同理可得，此处不再赘述。

T铁401的材料可以为纯度较高的铁。如图4a所示，T铁401可以包括与XOY平面平行的底板411以及与该XOY垂直的芯柱412。底板411与芯柱412的材料相同，且为一体结构。在制作T铁401的过程中，可以通过同一道制作工序同时完成底板411和芯柱412的制作。

沿图4a中的虚线OO进行剖切，得到的T铁401的截面图如图1b所示，可以看出T铁401的截面形状可以近似为倒立放置的T字型。在此情况下，底板411与容纳腔100的底部A1通过粘接的方式相连接，与该底板411为一体结构的芯柱412位于底板411靠近振膜30的一侧。

需要说明的是，本申请实施例中粘接的方式，可以为将两个需要粘接的部件通过液态的胶水粘接，或者通过固态的粘接层进行粘接。

此外，如图4b所示，磁路组件40中第一磁钢402和华司403可以均为环状，并沿远离T铁的底板411的方向依次堆叠于该底板411上，第一磁钢402可以与T铁的底板411靠近振膜30(如图5所示)的一侧表面通过粘接的方式相连接。华司403可以与第一磁钢402靠近振膜30的一侧表面通过粘接的方式相连接。这样一来，T铁的芯柱412可以穿过环状的第一磁钢402和华司403的内孔，并与华司403之间形成上述磁间隙400。第一磁钢402为永磁铁，用于在扬声器10中提供恒定的磁场。华司403可以采用低碳钢制备，具有导磁、降低磁阻的作用。

这样一来，在T铁401和华司403的导磁作用下，可以使得由第一磁钢402的N极发出的磁力线经过T铁401，并穿过磁间隙400内后，回到第一磁钢402的S极，从而在磁路组件40中形成磁回路。或者，使得由第一磁钢402的N极发出的磁力线可以穿过磁间隙400，并经过T铁401后，回到第一磁钢402的S极，从而在磁路组件40中形成磁回路。

需要说明的是，在磁路组件40包括T铁401、第一磁钢402以及华司403的情况下，上述磁路组件40的轴线U-U可以是T铁401中芯柱412的轴线。基于此，在本申请的一些实施例中，第一磁钢402的内孔的轴线、华司403的内孔的轴线可以与该芯柱412的轴线重叠，从而能够产生较大的磁场强度。

此外，如图5(为图1b中扬声器10的截面图)所示，扬声器10中的振动组件50位于容纳腔100内，且与振膜30相连接，该振动组件50用于驱动振膜30沿垂直于容纳腔100的底部A1的方向(例如Z方向)上、下振动。该振动组件50可以包括线圈501、线圈骨架502以及连接件503。其中，连接件503设置于线圈骨架502靠近容纳腔100侧壁A2的一侧(外侧)。

如图5所示的线圈骨架502可以为采用金属铝；玻璃纤维或其他刚性材料构成的圆筒状结构。线圈501可以为缠绕于线圈骨架502远离T铁401的芯柱412的一侧表面(外表面)上的漆包线。线圈骨架502作为振动组件50的一部分用于承载线圈501。并且，线圈骨架502中缠绕有线圈501的部分位于上述磁间隙400内，以对线圈501的位置进行固定，使得磁路组件40中产生的磁力线在经过磁间隙400时，可以穿过线圈501，使得通电后的线圈501可以在磁场作用下发生振动。上述线圈501和线圈骨架502构成的组件可以称为音圈51。

在本申请的一些实施例中，如图5所述，可以将线圈骨架502靠近振膜30的一端与连接件503靠近振膜30的一端通过粘接的方式相连接。然后，在通过粘接的方式将振膜30与连接件503相连接，从而使得整个振动组件50能够与振膜30相连接。这样一来，由于振动组件50中，线圈骨架502已经与连接件503相粘接，因此将振膜30与振动组件50粘接的过程中，只需要将振膜30与连接件503相粘接即可，从而可以简化扬声器10的安装工艺。

或者，在本申请的另一些实施例中，如图6a所示，线圈骨架502靠近振膜30的一端与振膜30通过粘接的方式相连接，连接件503靠近振膜30的一端与振膜30通过粘接的方式相连接，从而使得整个振动组件50能够与振膜30相连接。并且，线圈骨架502靠近振膜30的一端与连接件503靠近振膜30的一端之间具有间隙。

又或者，在本申请的另一些实施例中，如图6b所示，线圈骨架502靠近振膜30的一端通过粘接的方式与振膜30相连接，连接件503靠近振膜30的一端与该线圈骨架502相连接，从而使得整个振动组件50能够与振膜30相连接。

本申请对振动组件50与振膜30相连接的方式不做限定，以下为了方便说明，均是以图5所示的，连接件503靠近振膜30的一端与该振膜30相连接，线圈骨架502与连接件503相连接为例进行说明。

基于此，当扬声器10工作的过程中，如图7a所示，当向位于磁间隙400中的线圈501通入电流时，线圈501会在洛伦兹效应的作用下，产生沿Z方向(垂直于XOY平面，即容纳腔100的底部A1)的作用力。

示例的，以第一磁钢402靠近容纳腔100的底部A1的一端可以为N极，靠近振膜30的一端可以为S极为例。向线圈501通入的电流的方向如图7a所示，由线圈501截面的左端进入(采用

表示)，由该线圈501截面的右端出来(采用“⊙”表示)时，通过左手定律可以获知，位于磁间隙400内的线圈501在磁路组件40提供的磁场作用下，受到的洛伦兹力F的方向可以沿垂直于容纳腔100底部A1向上(靠近振膜30的方向)。这样一来，线圈501带动整个振动组件50向上推动振膜30。

此外，向线圈501通入的电流的方向如图7b所示，由线圈501截面的右端进入(采用“U”表示)，由该线圈501截面的左端出来(采用“⊙”表示)时，通过左手定律可以获知，位于磁间隙400内的线圈501在磁路组件40提供的磁场作用下，受到的洛伦兹力F的方向沿垂直于容纳腔100底部A1向下(远离振膜30的方向)。这样一来，线圈501可以带动整个振动组件50下拉动振膜30。

基于此，通过变换线圈501中电流的方向，可以使得振膜30在振动组件50的振动作用下，沿垂直于容纳腔100底部A1的方向(Z方向)进行上、下往复运动。该振膜30可以在振动过程中可以推动终端01的壳体02以外的空气振动而产生声音。

需要说明的是，图7a和图7b中，是以第一磁钢402靠近容纳腔100的底部A1的一端为N极，靠近振膜30的一端为S极为例进行的说明。在本申请的另一些实施例中，第一磁钢402靠近容纳腔100的底部A1的一端可以为S极，靠近振膜30的一端可以为N极。此时，振膜30在振动组件50的振动作用下，推动空气产生声音的过程同理可得，此处不再赘述。

此外，由上述可知，线圈501通电后，会在磁间隙400内受到磁场的作用而发生上下振动。当线圈501未通电时，线圈501不会发生振动。此时，与该线圈501相连的振动组件50的其他部件(线圈骨架502和连接件503)，以及与该振动组件50相连接的振膜30均处于静止状态，从而位于各自的初始位置。

示例的，如图8所示，线圈501的初始位置是指，处于静止状态的线圈501的轴线与该磁路组件40的轴线U-U重叠或近似重叠。并且，沿Z方向(垂直于容纳腔100的底部A1)，该线圈501的几何中心与容纳腔100的底部A1之间具有第一初始间距S1。线圈骨架502的初始状态是指，处于静止状态的线圈骨架502的轴线与该磁路组件40的轴线U-U重叠或近似重叠。并且，沿Z方向，线圈骨架502的几何中心与容纳腔100的底部A1之间具有第二初始间距S2。连接件503的初始状态是指，处于静止状态的连接件503的轴线与该磁路组件40的轴线U-U重叠或近似重叠。并且，沿Z方向，连接件503的几何中心与容纳腔100的底部A1之间具有第三初始间距S3。因此，振动组件50中的线圈501、线圈骨架502以及连接件503均位于各自的初始状态时，线圈501的轴线与线圈骨架502的轴线重叠，连接件503的轴线与线圈骨架502的轴线重叠。

此外，振膜30的初始状态是指，处于静止状态的振膜30的几何中心与磁路组件40的轴线U-U在该振膜30上的垂直投影重叠或近似重叠。并且，沿Z方向，振膜30的几何中心与容纳腔100的底部A1之间具有第四初始间距S4。在此基础上，在线圈501沿垂直于容纳腔100底部A1的方向运动的过程，为了缓解线圈501在水平方向(在如图7b所示的XOY平面内，即容纳腔100的底部A1所在的平面内)发生左右摆动，本申请实施例提供的扬声器10还包括如图8所示的，位于容纳腔100内的第一弹波61和第二弹波62。

在本申请的一些实施例中，上述第一弹波61(或第二弹波62)可以为如图9所示的环状结构。沿图9中的虚线EE进行剖切后，第一弹波61(或第二弹波62)的结构如图8或图1b所示，具有多个凹凸不平的波纹结构。波纹结构的数越多，波纹的深度越浅，构成弹波的材料越薄，则弹波的顺性越大。上述第一弹波61、第二弹波62以及悬边31的顺性可以一起构成整个扬声器10的振动顺性。其中，构成上述弹波的材料可以为棉布；聚酯纤维布；混纺等具有较好的拉伸度、不易脆裂、抗疲劳性好的材料构成。

如图8所示，在线圈501位于其自身的初始位置时，第一弹波61可以靠近线圈501的上端(线圈501靠近振膜30的一端)，远离线圈501的下端(线圈501远离振膜30的一端)设置。第二弹波62可以靠近线圈501的下端，远离线圈501的上端设置。此外，上述第一弹波61和第二弹波62均与连接件503相连接。

在此情况下，在线圈501通电带动线圈骨架502上下振动的过程中，由于线圈骨架502可以与连接件503直接相连接，或者线圈骨架502可以通过振膜30与连接件503间接相连接(如图6a所示的方案)，因此连接件503可以跟随整个音圈51(包括线圈501和线圈骨架502)一起上下振动。基于此，与该连接件503相连接的第一弹波61和第二弹波62也会随着连接件503一起上下振动。

此外，沿第一弹波61的径向方向，第一弹波61具有多个波浪结构。沿第二弹波62的径向方向，第二弹波62具有多个波浪结构具有多个波浪结构，该波浪结构可以使得第一弹波61和第二弹波62在波浪结构的延伸方向(即弹波的径向方向)上发生弹性形变，从而在弹性形变的过程中向线圈501提供回复力。

示例的，如图10a所示，在线圈501未通电时，线圈501、线圈骨架502以及连接件503均位于各自的初始位置(采用虚线表示)。此时由上述可知，线圈501、线圈骨架502以及连接件503的轴线均与磁路组件的轴线U-U重叠或近似重叠。因此，线圈501、线圈骨架502以及连接件503的轴线彼此重叠，形成该振动组件50的轴线P-P。

振动组件50中线圈501、线圈骨架502以及连接件503均关于磁路组件的轴线U-U为左右对称结构，以下先以振动组件50的右半部分为例进行说明。如图10b所示，在本申请的一些实施例中，当线圈501通电发生振动的过程中，音圈51可以带动连接件503向右摆动，使得整个振动组件50向右偏移，该振动组件50的轴线P-P向右偏离Z方向(图10b中线圈501、线圈骨架502以及连接件503各自的初始位置采用虚线表示)。此时，线圈501的上端a偏移至线圈501初始位置的右侧，下端b偏移至线圈501的初始位置的左侧。此外，连接件503中靠近线圈501上端a的部分偏移至该连接件503的初始位置的右侧，连接件503中靠近线圈501下端b的部分偏移至该连接件503的初始位置的左侧。

在此情况下，靠近线圈501的上端a设置的第一弹波61，其右半部分受拉发生弹性形变。在弹性形变的过程中，第一弹波61会向连接件503靠近线圈501上端的部分，施加向左的第一回复力F-re1，使得连接件503带动线圈501的上端a向左运动，恢复到该线圈501的初始位置。

此外，线圈501的下端b在摆动过程中偏移至该线圈501的初始位置的左侧。此时，靠近线圈501的下端b设置的第二弹波62，其右半部分受拉发生弹性形变。在形变的过程中，第二弹波62会向连接件503靠近线圈501下端b的部分，施加向右的第二回复力F-re2，使得连接件503带动线圈501的下端b向右运动，恢复到该线圈501的初始位置。

由于振动组件50中线圈501、线圈骨架502以及连接件503均关于磁路组件的轴线U-U为左右对称结构，因此当整个振动组件50向右偏移时，如图10c所示，振动组件50的左半部分也会向右偏移。同理，第一弹波61左半部分向连接件503靠近线圈501上端a的部分，施加向左的第一回复力F-re1，使得连接件503带动线圈501的上端a向左运动，恢复到该线圈501的初始位置。第二弹波62的左半部分向连接件503靠近线圈501下端b的部分，施加向右的第二回复力F-re2，使得连接件503带动线圈501的下端b向右运动，恢复到该线圈501的初始位置。

这样一来，第一弹波61向连接件503靠近线圈501上端a的部分，施加向左的第一回复力F-re1，第二弹波62向连接件503靠近线圈501下端b的部分，施加向右的第二回复力F-re2，使得连接件503在恢复其自身初始位置的过程中，能够带动线圈501恢复到线圈501的初始位置。

上述是以线圈501通电发生振动的过程中，音圈51带动连接件503向右摆动为例进行的说明，在本申请的另一些实施例中，以振动组件50的右半部分为例进行说明，如图10d所示，线圈501在振动的过程中，音圈51带动连接件503向左摆动，使得整个振动组件50向左偏移，该振动组件50的轴线P-P向左偏离Z方向(图10d中线圈501、线圈骨架502以及连接件503各自的初始位置采用虚线表示)。此时，线圈501的上端a偏移至该线圈501的初始位置的左侧，下端b偏移至线圈501的初始位置的右侧。此外，连接件503中靠近线圈501上端a的部分偏移至该连接件503的初始位置的左侧，连接件503中靠近线圈501下端b的部分偏移至该连接件503的初始位置的右侧。

在此情况下，靠近线圈501的上端a设置的第一弹波61，其右半部分受压发生弹性形变。在弹性形变的过程中，第一弹波61会向连接件503靠近线圈501上端a的部分，施加向右的第一回复力F-re1，使得连接件503带动线圈501的上端a向右运动，恢复到该线圈501的初始位置。

此外，线圈501的下端b在摆动过程中偏移至线圈501初始位置的右侧。此时，靠近线圈501的下端b设置的第二弹波62，其右半部分受压发生弹性形变。在形变的过程中，第二弹波62会向连接件503靠近线圈501下端b的部分，施加向左的第二回复力F-re2，使得连接件503带动线圈501的下端b向左运动，恢复到该线圈501的初始位置。

同理，由于振动组件50中线圈501、线圈骨架502以及连接件503均关于磁路组件的轴线U-U为左右对称结构，因此当整个振动组件50向左偏移时，如图10e所示，振动组件50的左半部分也会向左偏移。同理，第一弹波61左半部分向连接件503靠近线圈501上端a的部分，施加向右的第一回复力F-re1，使得连接件503带动线圈501的上端a向右运动，恢复到该线圈501的初始位置。第二弹波62的左半部分向连接件503靠近线圈501下端b的部分，施加向左的第二回复力F-re2，使得连接件503带动线圈501的下端b向左运动，恢复到该线圈501的初始位置。

这样一来，第一弹波61向连接件503靠近线圈501上端a的部分，施加向右的第一回复力F-re1，第二弹波62向连接件503靠近线圈501下端b的部分，施加向左的第二回复力F-re2，使得连接件503在恢复其自身初始位置的过程中，能够带动线圈501恢复到线圈501的初始位置。

综上所述，一方面，在线圈501发生左右摆动的过程中，靠近线圈501上端a设置的第一弹波61，可以向线圈501的上端a提供与线圈501摆动方向相反的第一回复力F-re1。并且，靠近线圈501下端b设置的第二弹波62，可以向线圈501的下端提供与线圈501摆动方向相反的第二回复力F-re2。在上述第一回复力F-re1和第二回复力F-re2的共同作用下，可以使得线圈501尽量位于该线圈501的初始位置的附近，或者与该线圈501的初始位置重叠。

由上述可知，线圈501在摆动的过程中，如图10c所示，线圈501的上端a偏移至线圈501初始位置的右侧(或左侧)时，线圈501的下端b偏移至线圈501的初始位置的左侧(或者右侧)。因此，第一弹波61和第二弹波62向线圈501提供的上述第一回复力F-re1和第二回复力F-re2方向相反。这样一来，第一弹波61和第二弹波62能够沿各自的半径方向对振动组件50进行支撑，使得线圈501在振动过程中，线圈501的轴线能够尽可能与磁路组件40的轴线保持重叠，从而主要沿上述Z方向上下运动。进而可以达到减小线圈501的轴线偏离Z方向左右摆动(即滚摆)的幅度的目的。示例的，当扬声器10工作在低频状态时，在大功率信号的驱动下线圈501的振幅较大时，通过减小线圈501滚摆的幅度，能够有效减小线圈501与磁路组件40中的华司403发生碰触，而产生异音的几率，降低声音的失真率。

另一方面，通过第一弹波61和第二弹波62减小线圈501滚摆的幅度，还可以提高扬声器10的顺性，降低扬声器10在低频时的谐振频率(F0)，以获得更好的低频效果。

又一方面，由于在第一弹波61和第二弹波62的支撑作用下，线圈501滚摆的幅度有所减小，因此在扬声器10工作在低频状态时，在大功率信号的驱动下线圈501的大振幅所需要的磁间隙400的尺寸可以得到有效的减小。这样一来，在该扬声器10中，可以选取能够形成小尺寸磁间隙400的小型第一磁钢402，以减小扬声器10的体积。并且，更小的磁间隙400可以获得更大的磁感应强度，从而可以向线圈501通入同样电流的情况下，使得振膜30获得更大的驱动力，提高扬声器10的发声效率。

在此基础上，如图8所示，第一弹波61和第二弹波62可以同心设置。示例的，第一弹波61、第二弹波62内圈的轴线，可以与磁路组件40轴线(U-U)重叠设置。这样一来，同心设置的第一弹波61和第二弹波62在对线圈501支撑的过程中，第一弹波61向线圈501施加的第一回复力F-re1和第二弹波62向线圈501施加的第二回复力F-re2的大小可以相同或近似相同，使得线圈501在上下振动的过程中，该线圈501的轴线能够尽可能与磁路组件40的轴线(U-U)保持重叠。

此外，在一些相关技术中，如果将第三弹波600如图11所示，直接与线圈骨架502相连接，由于线圈骨架502上固定有线圈501，而线圈501的至少一部分位于磁路组件40的磁间隙400内。在此情况下，为了避免在大功率信号的驱动下，具有较大振幅的第三弹波600会与磁路组件40中的元件发声擦碰，需要增大第三弹波600与磁路组件40之间的距离H1。这样一来，与该第三弹波600相连接的线圈骨架502的高度(沿Z方向的尺寸)也会增加。不仅会增加整个扬声器10的厚度(沿Z方向的尺寸)，还会使得第一弹波61与线圈501之间的距离太大，而削弱了第一弹波61对线圈501的支撑作用。

相对于图11所示的方案，本申请实施例提供的扬声器10，如图8所示，第一弹波61和第二弹波62均固定于连接件503上，而该连接件503设置于线圈骨架502靠近容纳腔100的侧壁A2的一侧(即线圈骨架502的外侧)。因此，上述第一弹波61和第二弹波62也同样位于线圈骨架502的外侧。这样一来，由于第一弹波61和第二弹波62无需与线圈骨架502直接连接，因此线圈骨架502的高度(沿Z方向的尺寸)不会因为设置第一弹波61和第二弹波62而有所增加。从而可以减小磁路组件40上方堆叠元件的数量，以达到减小整个扬声器10厚度(沿Z方向的尺寸)的目的，使得上述扬声器10能够应用至具有超薄需求的音响设备即大屏幕的显示终端上。

此外，将第一弹波61和第二弹波62设置于线圈骨架502的外侧，可以减小第一弹波61和第二弹波62在振动过程中，与位于线圈骨架502附近的磁路组件40与之间发生干涉的几率。并且，第一弹波61相对于第二弹波62而言，更靠近线圈501的上端，第二弹波62相对于第一弹波61而言，更靠近线圈501的下端，从而通过第一弹波61和第二弹波62对线圈501两端的滚摆进行限制。

以下对上述第一弹波61和第二弹波62在扬声器10中的具体设置位置进行详细的说明。

在本申请的一些实施例中，如图8所示，第一弹波61可以设置于线圈骨架502和连接件503之间，第一弹波61的内侧可以与磁路组件40通过胶层相连接，第一弹波61的外侧可以与连接件503通过胶层相连接。示例的，如图8所示，连接件503的弯折位置处可以具有第一台阶面B1。该第一台阶面B1可以与容纳腔100的底部A1平行。上述第一弹波61的外侧可以通过胶层粘接于第一台阶面B1上，从而增大第一弹波61的外侧与连接件503的接触面积，提高第一弹波61的外侧与连接件503的连接牢固性。

需要说明的是，图8中，是以第一台阶面B1朝向容纳腔100的底部A1为例进行的说明。在本申请的另一些实施例中，第一台阶面B1可以朝向振膜30。

此外，当第一弹波61的内侧与磁路组件40相连接时，为了避免线圈501以大振幅进行振动时，第一弹波61与磁路组件40中的华司403的上表面发生擦碰，该扬声器10还包括如图8所示的弹波支架70。

该弹波支架70位于磁路组件40靠近振膜30的一侧，且与该磁路组件40相连接。例如，当磁路组件40包括华司403时，弹波支架70可以位于华司403的上表面(即华司403靠近振膜30的表面)，弹波支架70可以通过胶层与华司403的上表面相连接。此外，弹波支架70靠近振膜30的一侧表面可以通过粘接的方式与第一弹波61的内侧相连接。

如图8所示，当弹波支架70在华司403上表面的垂直投影位于华司403的上表面内时，弹波支架70的高度(沿Z方向的尺寸)H2与振动组件50的振幅Ap之间满足：H2≥Ap。这样一来，可以通过弹波支架70对第一弹波61进行支撑，避免其在上下振动的过程中擦碰到华司403上。在此基础上，弹波支架70可以更靠近音圈51设置，这样一来，可以增加环状的第一弹波61内圈和外圈之间的宽度，提高第一弹波61向线圈501提供的支撑力。

或者，在本申请的另一些实施例中，如图12所示，华司403的纵截面中靠近振膜30的一部分(上半部分)可以为直角梯形，远离振膜30的一部分(下半部分)为矩形。该直角梯形的斜边靠近容纳腔100的侧壁A2。其中，华司403的纵截面与容纳腔100的底部A1垂直。在此情况下，一方面，由于华司403的上半部分中，靠近容纳腔100的侧壁A2的一侧为斜面(即华司403纵截面的直角梯形的斜边所在的面)。该斜面可以增加华司403与第一弹波61之间的间隙，从而当第一弹波61的振幅超过弹波支架70的高度H2时，能够使得第一弹波61在振动过程中不会与该华司403发生擦碰。此外，华司403的纵截面中远离振膜30的一部分为矩形，可以避免由于华司403远离振膜30的一端出现尖角，而导致在加工、装配或者运输等环节造成华司403破损。

另一方面，如图13所示，当华司403的纵截面中靠近振膜30的一部分(上半部分)为直角梯形，且该梯形的斜边位于远离线圈501的一侧时，华司403中，靠近线圈501部分，相对于华司403远离线圈501部分的材料更多。这样一来，华司403在导磁的过程中，能够使得来自第一磁钢402的磁力线(图13中采用实线箭头表示)可以更加集中的朝向线圈501所在的一侧，从而能够使得线圈501所处的磁场强度更大。

又或者，在本申请的另一些实施例中，当磁路组件40与连接件503之间的距离足够安装符合设计要求的第一弹波61时，如图14所示，可以直接将第一弹波61的内侧与华司403靠近振膜30的表面相连接。以下为了方便说明，均是第一弹波61的内侧与上述弹波支架70(如图8所示)相连接为例进行举例说明。

此外，如图8所示，扬声器10中的第二弹波62可以设置于连接件503与容纳腔100的侧壁A2之间。该第二弹波62的内侧可以与连接件503通过胶层相连接，外侧可以与容纳腔100的侧壁A2通过胶层相连接。示例的，盆架20的弯折位置处可以具有第二台阶面B2，第二台阶面B2与容纳腔100的底部A1平行。上述第二弹波62的外侧可以通过胶层粘贴于第二台阶面B2上，第二弹波62的内侧可以通过胶层粘贴于连接架501远离振膜30的一侧表面上。这样一来，可以增大第二弹波62的外侧与盆架20的接触面积，提高第二弹波62的外侧与盆架20的连接牢固性。

需要说明的是，图8中，是以第二台阶面B2朝向振膜30为例进行的说明。在本申请的另一些实施例中，第二台阶面B2可以朝向容纳腔100的底部A1。

在此情况下，一方面，第一弹波61可以位于连接件503的内侧(靠近线圈501的一侧)，第二弹波62可以位于连接件503的外侧(靠近容纳腔100侧壁A2的一侧)。这样一来，即使线圈501工作在大功率模式下，以较大的振幅上下进行振动，在线圈501的带动下，上下振动的第一弹波61和第二弹波62之间也不会发生擦碰。

另一方面，如果将第一弹波61和第二弹波62设置于连接件503的同一侧，为了避免上下振动的第一弹波61和第二弹波62之间发生擦碰，需要增大第一弹波61和第二弹波62之间的间距。这样一来，将导致连接件503的高度(沿Z方向的尺寸)增加，从而增加了扬声器10的厚度。而本申请中，由于第一弹波61位于连接件503的内侧，第二弹波62位于连接件503的外侧，因此，无需为了避免第一弹波61和第二弹波62之间发生擦碰，而增加连接件503的高度。

又一方面，如图8所示，由于第一弹波61位于连接件503靠近线圈501的一侧(内侧)，第二弹波62位于连接件503远离线圈501的一侧(外侧)，所以位于连接件503内侧的第一弹波61，不会与连接件503外侧的元件，例如悬边31发生干涉，从而更有利于减小该扬声器10的厚度。

此外，为了使得第一弹波61可以靠近线圈501的上端(线圈501靠近振膜30的一端)设置，第二弹波62可以靠近线圈501的下端(线圈501远离振膜30的一端)设置，在本申请的一些实施例中，如图8所示，当线圈501未通电时，第一弹波61可以位于线圈501的上端(线圈501靠近振膜30的一侧)，第二弹波62可以位于线圈501的下端(线圈501远离振膜30的一侧)。

这样一来，整个线圈501在连接件503上的垂直投影，可以位于第一弹波61在连接件503的垂直投影和第二弹波62在连接件503的垂直投影之间。在此情况下，由于第一弹波61位于线圈501的上端，距离线圈501的下端较远，因此能够使得第一弹波61向线圈501上端提供的力矩较大，从而更有利于对线圈501上端的滚摆进行限制。同理，由于第二弹波62位于线圈501的下端，距离线圈501的上端较远，因此能够使得第二弹波62向线圈501的下端提供的力矩较大，从而更有利于对线圈501下端的滚摆进行限制。

在此基础上，当线圈501未通电时，线圈501在连接件503的垂直投影的几何中心与第一弹波61之间具有第一间距L1。此外，线圈501在连接件503的垂直投影的几何中心与第二弹波62之间具有第二间距L2。其中，L1＝L2。

示例的，当线圈501均匀的缠绕于线圈骨架502上时，未通电的线圈501在连接件503的垂直投影的几何中心可以为该线圈501的质心。在此情况下，线圈501的质心与第一弹波61之间的距离L1，与线圈501的质心与第二弹波62之间的距离L2相等。这样一来，第一弹波61和第二弹波62在对线圈501支撑的过程中，第一弹波61向线圈501施加的第一回复力F-re1和第二弹波62向线圈501施加的第二回复力F-re2的大小可以相同或近似相同，使得线圈501在上下振动的过程中，该线圈501的轴线能够尽可能与磁路组件40的轴线(U-U)保持重叠。

此外，上述第一弹波61的弹性系数可以与第二弹波62的弹性系数相同。这样一来，第一弹波61和第二弹波62在对线圈501支撑的过程中，可以更有利于使得第一弹波61向线圈501施加的第一回复力F-re1和第二弹波62向线圈501施加的第二回复力F-re2的数值接近或相同。

或者，为了使得第一弹波61可以靠近线圈501的上端(线圈501靠近振膜30的一端)设置，第二弹波62可以靠近线圈501的下端(线圈501远离振膜30的一端)设置，在本申请的另一些实施例中，如图14所示，当线圈501未通电时，线圈501的上端a(线圈501靠近振膜30的一端)可以超出第一弹波61的上表面(靠近振膜30的表面)。线圈501的下端b(线圈501远离振膜30的一端)在连接件503上的垂直投影，位于第一弹波61与第二弹波62之间。此时，第二弹波62可以位于线圈501的下端b(线圈501远离振膜30的一侧)。在此情况下，第一弹波61和第二弹波62的距离较近，有利于减小扬声器10的厚度。

又或者，在本申请的另一些实施例中，如图15所示，线圈501的上端a(线圈501靠近振膜30的一端)在连接件503上的垂直投影，位于第一弹波61与第二弹波62之间。此时，第一弹波61可以位于线圈501的上端(线圈501靠近振膜30的一侧)，线圈501的下端(线圈501远离振膜30的一端)可以超出第二弹波62的下表面(远离振膜30的表面)。在此情况下，第一弹波61和第二弹波62的距离较近，有利于减小扬声器10的厚度。

又或者，在本申请的另一些实施例中，如图16所示，当线圈501未通电时，线圈501的上端a(线圈501靠近振膜30的一端)可以超出第一弹波61的上表面(靠近振膜30的表面)，线圈501的下端b(线圈501远离振膜30的一端)可以超出第二弹波62的下表面(远离振膜30的表面)。在此情况下，第一弹波61和第二弹波62的距离较近，有利于减小扬声器10的厚度。

上述是以磁路组件40包括T铁401、第一磁钢402以及华司403为例进行的说明。在本申请的另一些实施例中，如图17所示，磁路组件40可以包括U铁404、第二磁钢405以及导磁片406。其中，U铁404具有凹槽，该U铁404凹槽的底部414与容纳腔100底部A1相连接。U铁404凹槽的侧壁424靠近振膜30的一侧表面与第一弹波61的内侧相连接。

示例的，U铁404凹槽的底部414可以穿过容纳腔100底部A1的通孔，并与该容纳腔100底部A1相连接。在此情况下，该U铁404的一部分可以位于容纳腔100内，另一部分可以位于该容纳腔100外。该U铁404的材料可以为纯度较高的铁。U铁404纵截面(与容纳腔100底部A1垂直)的形状可以为U字型。

此外，第二磁钢405位于U铁404的凹槽内，且与U铁404凹槽的底部414相连接。该第二磁钢405为永磁铁，用于在扬声器10中提供恒定的磁场。导磁片406位于U铁404的凹槽内，且与第二磁钢405靠近振膜30的一侧表面相连接，导磁片406与U铁404凹槽的侧壁424之间形成磁间隙400。该导磁片406可以具有导磁的作用。

这样一来，在U铁404和导磁片406的导磁作用下，可以使得由第二磁钢405的N极发出的磁力线经过U铁404，并穿过位于磁间隙400内的线圈501后，回到第二磁钢405的S极，从而在磁路组件40中形成磁回路。或者，使得由第二磁钢405的N极发出的磁力线可以穿过位于磁间隙400内的线圈501，并经过U铁404后，回到第二磁钢405的S极，从而在磁路组件40中形成磁回路。

需要说明的是，在磁路组件40包括U铁404、第二磁钢405以及导磁片406的情况下，上述磁路组件40的轴线U-U可以是U铁404的轴线。基于此，在本申请的一些实施例中，第二磁钢405以及导磁片406可以为圆柱体，第二磁钢405的轴线、导磁片406的轴线可以与该U铁404的轴线重叠，从而能够产生较大的磁场强度。

以上所述，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (24)

1.一种扬声器，其特征在于，包括：

盆架，具有凹型的容纳腔；

振膜，覆盖所述容纳腔的开口，且与所述盆架相连接；

磁路组件，至少一部分设置于所述容纳腔内，且与所述容纳腔底部相连接；所述磁路组件靠近所述振膜的一端具有磁间隙；

振动组件，位于所述容纳腔内，与所述振膜相连接；所述振动组件包括：线圈、线圈骨架以及连接件；所述线圈缠绕于所述线圈骨架上，且所述线圈的至少一部分位于所述磁间隙内；所述连接件设置于所述线圈骨架靠近所述容纳腔侧壁的一侧；

第一弹波，为环状，位于所述容纳腔内，且设置于所述线圈骨架和所述连接件之间，所述第一弹波的内侧与所述磁路组件相连接，外侧与所述连接件相连接，用于沿所述第一弹波的半径方向支撑所述振动组件；所述第一弹波靠近所述线圈上端，远离所述线圈的下端；其中，所述线圈的上端靠近所述振膜，所述线圈的下端远离所述振膜；

第二弹波，为环状，位于所述容纳腔内，且设置于所述连接件与所述容纳腔侧壁之间，所述第二弹波的内侧与所述连接件相连接，外侧与所述容纳腔侧壁相连接，用于沿所述第二弹波的半径方向支撑所述振动组件；所述第二弹波靠近所述线圈的下端，远离所述线圈的上端。

2.根据权利要求1所述的扬声器，其特征在于，

所述第一弹波位于所述线圈靠近所述振膜的一侧，所述第二弹波位于所述线圈远离所述振膜的一侧。

3.根据权利要求1所述的扬声器，其特征在于，

所述线圈靠近所述振膜的一端，超出所述第一弹波靠近所述振膜的表面；

所述线圈远离所述振膜的一端，超出所述第二弹波远离所述振膜的表面。

4.根据权利要求1-3任一项所述的扬声器，其特征在于，

所述线圈在所述连接件的垂直投影的几何中心与所述第一弹波之间具有第一间距L1；所述线圈在所述连接件的垂直投影的几何中心与所述第二弹波之间具有第二间距L2；其中，L1＝L2。

5.根据权利要求4所述的扬声器，其特征在于，所述第一弹波的弹性系数与所述第二弹波的弹性系数相同。

6.根据权利要求1所述的扬声器，其特征在于，

所述线圈靠近所述振膜的一端，超出所述第一弹波靠近所述振膜的表面；

所述线圈远离所述振膜的一端在所述连接件上的垂直投影，位于所述第一弹波和所述第二弹波之间。

7.根据权利要求1所述的扬声器，其特征在于，

所述线圈靠近所述振膜的一端在所述连接件上的垂直投影，位于所述第一弹波和所述第二弹波之间；

所述线圈远离所述振膜的一端，超出所述第二弹波远离所述振膜的表面。

8.根据权利要求1-7任一项所述的扬声器，其特征在于，所述第一弹波的内孔的轴线与所述线圈的轴线重叠，所述第二弹波的内孔的轴线与所述线圈的轴线重叠。

9.根据权利要求8所述的扬声器，其特征在于，

所述线圈的轴线与所述线圈骨架的轴线重叠，所述连接件的轴线与所述线圈骨架的轴线重叠。

10.根据权利要求1-9任一项所述的扬声器，其特征在于，所述扬声器还包括弹波支架；

所述弹波支架位于所述磁路组件靠近振膜的一侧，所述弹波支架远离所述振膜的一侧表面与所述磁路组件相连接，靠近所述振膜的一侧表面与所述第一弹波的内侧相连接。

11.根据权利要求10所述的扬声器，其特征在于，所述弹波支架的高度大于所述振动组件的振幅；其中，所述弹波支架的高度的方向与所述容纳腔的底部垂直。

12.根据权利要求10或11所述的扬声器，其特征在于，所述磁路组件包括：

T铁，包括底板和芯柱；所述底板与所述容纳腔底部相连接，所述芯柱位于所述底板靠近所述振膜的一侧，且与所述底部相连接；

第一磁钢，为环状，且与所述T铁的底板靠近所述振膜的一侧表面相连接；所述芯柱位于所述第一磁钢的内孔中；

华司，为环状，且与所述第一磁钢靠近所述振膜的一侧表面相连接；所述芯柱位于所述华司的内孔中；所述华司的内圈与所述芯柱之间形成所述磁间隙；

其中，所述弹波支架位于所述华司的上表面，所述华司的上表面为所述华司靠近所述振膜的表面。

13.根据权利要求12所述的扬声器，其特征在于，

所述华司的纵截面中靠近所述振膜的一部分为直角梯形，远离所述振膜的一部分为矩形，所述直角梯形的斜边靠近所述容纳腔的侧壁；所述纵截面与所述容纳腔的底部垂直。

14.根据权利要求12所述的扬声器，其特征在于，

所述第一磁钢的内孔的轴线、所述华司的内孔的轴线与所述芯柱的轴线重叠；

所述线圈的轴线与所述芯柱的轴线重叠。

15.根据权利要求1-9任一项所述的扬声器，其特征在于，所述磁路组件包括：

U铁，具有凹槽；所述U铁凹槽的底部与所述容纳腔底部相连接，U铁凹槽的侧壁靠近所述振膜的一侧表面与所述第一弹波的内侧相连接；

第二磁钢，位于所述U铁凹槽内，且与所述U铁凹槽的底部相连接；

导磁片，位于所述U铁的凹槽内，且与所述第二磁钢靠近所述振膜的一侧表面相连接，所述导磁片与所述U铁凹槽的侧壁之间形成所述磁间隙。

16.根据权利要求15所述的扬声器，其特征在于，

所述第二磁钢和所述导磁片为圆柱体，所述第二磁钢的轴线和所述导磁片的轴线与所述U铁的轴线重叠；

所述线圈的轴线与所述U铁的轴线重叠。

17.根据权利要求1-16任一项所述的扬声器，其特征在于，

所述连接件具有第一台阶面，所述第一台阶面与所述容纳腔底部平行，所述第一弹波的外侧粘接于所述第一台阶面上；

所述盆架具有第二台阶面，所述第二台阶面与所述容纳腔底部平行，所述第二弹波的外侧粘贴于所述第二台阶面上，所述第二弹波的内侧粘贴于所述连接架远离所述振膜的一侧表面上。

18.根据权利要求1-17任一项所述的扬声器，其特征在于，

所述连接件靠近所述振膜的一端与所述振膜相连接，所述线圈骨架靠近所述振膜的一端与所述连接件相连接。

19.根据权利要求1-17任一项所述的扬声器，其特征在于，

所述线圈骨架靠近所述振膜的一端与所述振膜相连接，所述连接件靠近所述振膜的一端与所述线圈骨架相连接。

20.根据权利要求1-17任一项所述的扬声器，其特征在于，

所述线圈骨架靠近所述振膜的一端与所述振膜相连接，所述连接件靠近所述振膜的一端与所述振膜相连接；

所述线圈骨架靠近所述振膜的一端，与所述连接件靠近所述振膜的一端之间具有间隙。

21.根据权利要求1-20任一项所述的扬声器，其特征在于，所述扬声器还包括悬边；

所述悬边为环状，所述悬边的内侧与所述振膜相连接，外侧与所述盆架相连接。

22.根据权利要求21所述的扬声器，其特征在于，所述悬边向靠近所述容纳腔底部的方向凹陷；所述振膜向远离所述容纳腔底部的方向凸起。

23.一种终端，其特征在于，包括壳体以及如权利要求1-22任一项所述的扬声器；所述壳体具有安装孔，所述扬声器的一部分位于所述安装孔内。

24.根据权利要求23所述的终端，其特征在于，所述终端为音箱、电视或者电脑中的一种。

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