CN114242550A - 一种电子束产生装置及电子显微镜 - Google Patents

一种电子束产生装置及电子显微镜 Download PDF

Info

Publication number
CN114242550A
CN114242550A CN202111030691.6A CN202111030691A CN114242550A CN 114242550 A CN114242550 A CN 114242550A CN 202111030691 A CN202111030691 A CN 202111030691A CN 114242550 A CN114242550 A CN 114242550A
Authority
CN
China
Prior art keywords
hole
electron beam
diaphragm
electrons
beam generating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202111030691.6A
Other languages
English (en)
Inventor
李帅
张德保
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Focus eBeam Technology Beijing Co Ltd
Original Assignee
Focus eBeam Technology Beijing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Focus eBeam Technology Beijing Co Ltd filed Critical Focus eBeam Technology Beijing Co Ltd
Priority to CN202111030691.6A priority Critical patent/CN114242550A/zh
Priority to PCT/CN2022/082030 priority patent/WO2022194300A1/zh
Publication of CN114242550A publication Critical patent/CN114242550A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
    • H01J37/09—Diaphragms; Shields associated with electron or ion-optical arrangements; Compensation of disturbing fields
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
    • H01J37/06—Electron sources; Electron guns
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
    • H01J37/06—Electron sources; Electron guns
    • H01J37/063—Geometrical arrangement of electrodes for beam-forming
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/26—Electron or ion microscopes

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)

Abstract

本发明公开了一种电子束产生装置及电子显微镜，该电子束产生装置包括：阴极，用于发射电子；引出电极，设置有引出孔，多个所述电子穿过所述引出孔形成电子束；第一光阑筒，所述第一光阑筒的上端面连接于所述引出电极的下表面，所述第一光阑筒的底部开设有与所述引出孔对应的第一光阑孔。本发明提供的电子束产生装置减少了电子撞击真空腔室内壁产生气体，提高了电子束产生装置工作的真空腔室的真空度，电子束产生装置的寿命和性能得到了保障。

Description

一种电子束产生装置及电子显微镜
技术领域
本发明属于显微镜技术领域，具体地说，涉及一种电子束产生装置及电子显微镜。
背景技术
现有技术中，电子显微镜是一种常用的显微分析仪器，通常电子束通过电子显微镜的物镜汇聚到待测样品上，产生一个微小束斑，在该微区内电子束作用于待测样品上产生二次电子、背散射电子等信号电子，进而可通过探测器探测信号电子，对待测样品表面的形貌进行观察以及对材料成分进行分析。
场发射电子源作为新型电子源，具有电子束的电流密度大、能量大、稳定性好的特点。但是场发射电子源对真空度有比较严格的要求,需要超高真空度，真空度不好会导致电子源寿命和电子源性能的大幅降低。如何提高场发射电子源工作的真空腔室的真空度是亟待解决的技术问题。
有鉴于此特提出本发明。
发明内容
本发明要解决的技术问题在于克服现有技术的不足，提供一种电子束产生装置及电子显微镜。减少了电子撞击真空腔室内壁产生气体，提高了电子束产生装置工作的真空腔室的真空度。电子束产生装置的寿命和性能得到了保障。
为解决上述技术问题，本发明采用技术方案的基本构思是：
一种电子束产生装置，包括：
阴极，用于发射电子；
引出电极，设置有引出孔，多个所述电子穿过所述引出孔形成电子束；
第一光阑筒，所述第一光阑筒的上端面连接于所述引出电极的下表面，所述第一光阑筒的底部开设有与所述引出孔对应的第一光阑孔。
在一些可选的实施方式中，所述第一光阑孔的孔径不大于所述引出孔的孔径。
在一些可选的实施方式中，还包括：
屏蔽管，设置在所述引出电极的上表面，所述引出孔的孔心在所述屏蔽管的轴心线上。
在一些可选的实施方式中，还包括：
加速电极，设置于所述第一光阑筒下方，所述加速电极设置有与所述第一光阑孔对应的加速孔。
进一步的，所述加速孔的孔径不小于所述第一光阑孔的孔径。
在一些可选的实施方式中，还包括：
第二光阑筒，所述第二光阑筒的上端面连接于所述加速电极的下表面，所述第二光阑筒的底部开设有与所述加速孔对应的第二光阑孔。
进一步的，所述第二光阑孔的孔径不大于所述加速孔的孔径。
在一些可选的实施方式中，还包括：
抑制电极，设置在所述阴极和所述引出电极之间，所述抑制电极设置有与所述引出孔对应的抑制孔。
进一步的，所述抑制孔下端口设置在所述屏蔽管内。
除了上述电子束装置外，本发明还提供一种电子显微镜，该电子显微镜具有上述任一种所述电子束产生装置。
采用上述技术方案后，本发明与现有技术相比具有以下有益效果。
本发明提供的一种电子束产生装置，在引出电极的下表面设置第一光阑筒，电子束穿过引出孔，部分电子没有继续穿过第一光阑孔，在第一光阑筒内撞击，减少了电子撞击真空腔室内壁产生气体，提高了电子束产生装置工作的真空腔室的真空度。电子束产生装置的寿命和性能得到了保障。
下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步详细的描述。
附图说明
附图作为本发明的一部分，用来提供对本发明的进一步的理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，但不构成对本发明的不当限定。显然，下面描述中的附图仅仅是一些实施例，对于本领域普通技术人员来说，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他附图。在附图中：
图1是本发明提供的一种电子束产生装置的一种实施方式结构示意图；
图2是本发明提供的一种电子束产生装置的另一种实施方式结构示意图；
图3是本发明提供的一种电子束产生装置的又一种实施方式结构示意图。
图中：1、阴极；2、抑制电极；3、屏蔽管；4、引出电极；5、第一光阑筒；6、电子束；7、加速电极；8、第二光阑筒；9、抑制孔；10、引出孔；11、第一光阑孔；12、加速孔；13、第二光阑孔；14、第二腔室；15、第一腔室。
需要说明的是，这些附图和文字描述并不旨在以任何方式限制本发明的构思范围，而是通过参考特定实施例为本领域技术人员说明本发明的概念。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
在本发明的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
如图1至图3所示，本发明提供一种电子束产生装置，该电子束产生装置包括：阴极1、引出电极4、第一光阑筒5。
阴极1用于发射电子，引出电极4设置有引出孔10，多个电子穿过引出孔10形成电子束6。
第一光阑筒5的上端面连接于引出电极4的下表面，第一光阑筒5的底部开设有与引出孔10对应的第一光阑孔11。
具体的，电子束产生装置设置于真空腔室中，阴极1通电受热后会发射大量电子，引出电极4设置在阴极1下方，引出电极4设置有引出孔10，多个电子穿过引出孔10形成电子束6，第一光阑筒5为筒状，底部开设有第一光阑孔11，第一光阑孔11与引出孔10对应。第一光阑筒5的上端面连接于引出电极4的下表面，第一光阑筒5与引出电极4的下表面形成了第一腔室15。
第一光阑筒5的底面、内侧壁以及引出电极4的部分下表面形成第一腔室15的内壁。电子束6穿过引出孔10，部分电子没有继续穿过第一光阑孔11，而是落在了第一光阑筒5的底面上，撞击第一光阑筒5的底面上，反弹再撞击第一光阑筒5的内侧壁。如此没有继续穿过第一光阑孔11的电子在第一腔室15内反复撞击第一腔室15的内壁，直到能量逐渐衰减。
电子在撞击金属或者合金等会诱导放气，产生气体。即电子撞击真空腔室内壁和第一腔室15内壁均会产生气体，产生的气体会影响真空腔室的真空度。在加工制造时均要做除气处理。由于第一腔室15内壁面积相对真空腔室内壁面积小，整体尺寸小，在实际加工生产中除气处理工艺效果要相对好一些。
没有继续穿过第一光阑孔11的电子被阻挡在第一腔室15内，有效的防止了没有继续穿过第一光阑孔11的电子在真空腔室内无序溅射，有效的减少了电子撞击真空腔室内壁，减少了电子撞击真空腔室内壁产生气体。
由于第一腔室15的空间较小，电子可撞击第一腔室15的内壁的面积较少，电子长期撞击面积较小的第一腔室15的内壁，第一腔室15的内壁产生的气体会越来越少。所以电子撞击第一腔室15的内壁产生的气体较少，提高了电子束产生装置工作的真空腔室的真空度。电子束产生装置的寿命和性能得到了保障。
如图1至图3所示，在一些可选的实施方式中，第一光阑孔11的孔径不大于引出孔10的孔径。
第一光阑孔11的孔径大小可以改变电子束6截面面积的大小。多个电子穿过引出孔10形成电子束6，电子束6的截面面积的大小与引出孔10的孔径相关，电子束6继续穿过第一光阑孔11，电子束6由引出孔10向第一光阑孔11运动过程中，由于各个电子之间的库仑力作用，电子束6的截面面积逐渐增大。设置第一光阑孔11的孔径不大于引出孔10的孔径。第一光阑孔11可以对电子束6进行圆度修正，还可以改变电子束6截面面积的大小。通过设置第一光阑孔11的孔径大小，得到想要的截面尺寸的电子束6。
如图2和图3所示，在一些可选的实施方式中，本发明提供一种电子束产生装置，该电子束产生装置还包括屏蔽管3，设置在引出电极4的上表面，引出孔10的孔心在屏蔽管3的轴心线上。
电子束产生装置设置于真空腔室中，阴极1通电受热后会发射大量电子，引出电极4设置在阴极1下方，引出电极4设置有引出孔10，多个电子穿过引出孔10形成电子束6，部分阴极1产生的电子没有穿过引出孔10，落在了引出电极4的上表面上，撞击在引出电极4的上表面上，反弹再撞击真空腔室内壁上，电子在真空腔室内无序溅射，直到能量逐渐衰减。由于真空腔室的内壁面积比较大，电子撞击真空腔室内壁产生气体，会影响真空腔室的真空度。
本实施方中，在引出电极4的上表面设置屏蔽管3，引出孔10的孔心在屏蔽管3的轴心线上。部分阴极1产生的电子没有穿过引出孔10，落在了引出电极4的上表面上，撞击在引出电极4的上表面上，反弹再撞击屏蔽管3内壁上，大部分电子在屏蔽管3内无序溅射，直到能量逐渐衰减。与第一腔室15同样的原理，由于屏蔽管3的管内空间较小，电子可撞击屏蔽管3的内壁的面积较少，所以电子撞击屏蔽管3的内壁产生的气体较少，提高了电子束产生装置工作的真空腔室的真空度。电子束产生装置的寿命和性能得到了保障。
如图3所示，在一些可选的实施方式中，本发明提供一种电子束产生装置，该电子束产生装置还包括加速电极7，设置于第一光阑筒5下方，加速电极7设置有与第一光阑孔11对应的加速孔12。
加速电极7形成一加速电场，用于增加电子束6的运动速度。加速电极7设置在第一光阑孔11的下方，加速电极7设置有与第一光阑孔11对应的加速孔12。穿过第一光阑孔11的电子束6，经过加速电场的作用，电子束6运动速度增加后穿过加速孔12。
进一步的，加速孔12的孔径不小于第一光阑孔11的孔径。
为了防止安装过程中，加速孔12与第一光阑孔11对中有误差，加速孔12的孔径不小于第一光阑孔11的孔径，可以即实现对电子束6的加速，又不会因为加速孔12与第一光阑孔11对中有误差，导致部分电子束6被加速电极7阻挡，实现了电子束6均通过加速孔12。
如图3所示，在一些可选的实施方式中，本发明提供一种电子束产生装置，该电子束产生装置还包括第二光阑筒8，第二光阑筒8的上端面连接于加速电极7的下表面，第二光阑筒8的底部开设有与加速孔12对应的第二光阑孔13。
第二光阑筒8的上端面连接于加速电极7的下表面，第二光阑筒8与加速电极7的下表面形成了第二腔室14，第二光阑筒8的底面、内侧壁以及加速电极7的部分下表面形成第二腔室14的内壁。电子束6穿过加速孔12，部分电子没有继续穿过第二光阑孔13，而是落在了第二光阑筒8的底面上，撞击第二光阑筒8的底面上，反弹再撞击第二光阑筒8的内侧壁。如此没有继续穿过第二光阑孔13的电子在第二腔室14内反复撞击第二腔室14的内壁，直到能量逐渐衰减。
与第一腔室15同样的原理，没有继续穿过第二光阑孔13的电子被阻挡在第二腔室14内，有效的防止了没有继续穿过第二光阑孔13的电子在真空腔室内无序溅射，有效的减少了电子撞击真空腔室内壁，减少了电子撞击真空腔室内壁产生气体。
由于第二腔室14的空间较小，电子可撞击第二腔室14的内壁的面积较少，所以电子撞击第二腔室14的内壁产生的气体较少，提高了电子束产生装置工作的真空腔室的真空度。电子束产生装置的寿命和性能得到了保障。
如图3所示，在一些可选的实施方式中，第二光阑孔13的孔径不大于加速孔12的孔径。
第二光阑孔13的孔径大小可以改变电子束6截面面积的大小。电子束6由加速孔12向第二光阑孔13运动过程中，由于各个电子之间的库仑力作用，电子束6的截面面积逐渐增大。设置第二光阑孔13的孔径不大于加速孔12的孔径。第二光阑孔13可以对电子束6进行圆度修正，还可以改变电子束6截面面积的大小。通过设置第二光阑孔13的孔径大小，得到想要的截面尺寸的电子束6。
如图2和图3所示，在一些可选的实施方式中，本发明提供一种电子束产生装置，该电子束产生装置还包括抑制电极2，设置在阴极1和引出电极4之间，抑制电极2设置有与引出孔10对应的抑制孔9。
抑制电极2用于限制阴极1发射电子的方向，抑制孔9与引出孔10对应，抑制电极2可以抑制阴极1向抑制孔9方向上发射大量电子。
进一步的，抑制孔9下端口设置在屏蔽管3内。
抑制孔9下端口设置在屏蔽管3内。电子依次穿过抑制孔9，再穿过引出孔10形成电子束6，穿过抑制孔9，但是没有穿过引出孔10的电子大多在屏蔽管3内。电子在屏蔽管3内无序溅射，直到能量逐渐衰减。与第一腔室15同样的原理，由于屏蔽管3的管内空间较小，电子可撞击屏蔽管3的内壁的面积较少，所以电子撞击屏蔽管3的内壁产生的气体较少，提高了电子束产生装置工作的真空腔室的真空度。电子束产生装置的寿命和性能得到了保障。
本发明除了上述的电子束产生装置外，还提供了一种电子显微镜，该电子显微镜包括上述任意一个实施例所提供的电子束产生装置。电子束产生装置产生的电子束6通过电子显微镜的物镜汇聚到待测样品上，产生一个微小束斑，在该微区内电子束6作用于待测样品上产生二次电子、背散射电子等信号电子，进而可通过探测器探测信号电子，对待测样品表面的形貌进行观察以及对材料成分进行分析。
如图1至图3所示，下面以一个具体实施例进行解释说明，电子束产生装置设置于真空腔室中，对阴极1施加电压值V0，本实施例以V0电压值为-30kV为例进行说明，阴极1通电受热后会发射大量电子，引出电极4设置在阴极1下方，对引出电极4施加电压值V1，本实施例以V1电压值为-25kV为例进行说明，引出电极4设置有引出孔10，引出孔10的孔径以0.4mm为例进行说明。多个电子穿过引出孔10形成电子束6。
第一光阑筒5的上端面连接于引出电极4的下表面，第一光阑筒5电压值V2与电压值V1相同，第一光阑筒5为筒状，第一光阑筒5与引出电极4的下表面形成了第一腔室15，底部开设有第一光阑孔11，第一光阑孔11与引出孔10对应。第一光阑孔11的孔径以0.12mm为例进行说明。
第一光阑孔11的孔径小于引出孔10的孔径。第一光阑孔11可以对电子束6进行圆度修正，还可以改变电子束6截面面积的大小。通过设置第一光阑孔11的孔径大小，得到想要的截面尺寸的电子束6。
由于电子束6由引出孔10向第一光阑孔11运动过程中，由于各个电子之间的库仑力作用，电子束6的截面面积逐渐增大，并且第一光阑孔11的孔径小于引出孔10的孔径。电子束6穿过引出孔10，部分电子没有继续穿过第一光阑孔11，这部分电子被阻挡在第一腔室15内无序溅射，直到能量逐渐衰减。相对于真空腔室，第一腔室15的空间较小，电子可撞击第一腔室15的内壁的面积较少，所以电子撞击第一腔室15的内壁产生的气体较少，提高了电子束产生装置工作的真空腔室的真空度。电子束产生装置的寿命和性能得到了保障。
可选的，在阴极1的下方设置有抑制电极2，对抑制电极2施加电压值V3，本实施例以V3电压值为-30.5kV为例进行说明，抑制电极2可以抑制阴极1向抑制孔9方向上发射大量电子。抑制孔9的孔径以0.4mm为例进行说明。
可选的，引出电极4的上表面设置屏蔽管3，引出孔10的孔心在屏蔽管3的轴心线上。部分阴极1产生的电子没有穿过引出孔10，这部分电子在屏蔽管3内无序溅射，直到能量逐渐衰减。由于屏蔽管3的管内空间较小，电子可撞击屏蔽管3的内壁的面积较少，所以电子撞击屏蔽管3的内壁产生的气体较少，提高了电子束产生装置工作的真空腔室的真空度。电子束产生装置的寿命和性能得到了保障。
可选的，在第一光阑筒5下方设置有加速电极7，对加速电极7施加电压值V4，本实施例以V4电压值为0V为例进行说明，加速电极7设置有与第一光阑孔11对应的加速孔12。加速孔12的孔径以4mm为例进行说明。加速电极7形成一加速电场，用于增加电子束6的运动速度。穿过第一光阑孔11的电子束6，经过加速电场的作用，电子束6运动速度增加后穿过加速孔12。
进一步可选的，第二光阑筒8的上端面连接于加速电极7的下表面，第二光阑筒8电压值V5与电压值V4相同，第二光阑筒8为筒状，第二光阑筒8与加速电极7的下表面形成了第二腔室14，底部开设有第二光阑孔13，第二光阑孔13与加速孔12对应。第二光阑孔13的孔径以0.5mm为例进行说明。
第二光阑孔13的孔径小于加速孔12的孔径。第二光阑孔13可以对电子束6进行圆度修正，还可以改变电子束6截面面积的大小。通过设置第二光阑孔13的孔径大小，得到想要的截面尺寸的电子束6。
由于电子束6由加速孔12向第二光阑孔13运动过程中，由于各个电子之间的库仑力作用，电子束6的截面面积逐渐增大，并且第二光阑孔13的孔径小于加速孔12的孔径。电子束6穿过加速孔12，部分电子没有继续穿过第二光阑孔13，这部分电子被阻挡在第二腔室14内无序溅射，直到能量逐渐衰减。相对于真空腔室，第二腔室14的空间较小，电子可撞击第二腔室14的内壁的面积较少，所以电子撞击第二腔室14的内壁产生的气体较少，提高了电子束产生装置工作的真空腔室的真空度。电子束产生装置的寿命和性能得到了保障。
需要说明的是，阴极1施电压值V0、引出电极4电压值V1，第一光阑筒5电压值V2、抑制电极2电压值V3、加速电极7电压值V4、第二光阑筒8电压值V5等电压值不局限于上述实施例的具体数值，本领域技术人员可以根据实际情况需要自行设定具体的电压值。
引出孔10的孔径、第一光阑孔11的孔径，抑制孔9的孔径、加速孔12的孔径、第二光阑孔13的孔径不局限于上述实施例的具体数值，本领域技术人员可以根据实际情况需要自行设定具体的电压值。
以上所述仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专利的技术人员在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述提示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明方案的范围内。

Claims (10)

1.一种电子束产生装置，其特征在于：包括：
阴极，用于发射电子；
引出电极，设置有引出孔，多个所述电子穿过所述引出孔形成电子束；
第一光阑筒，所述第一光阑筒的上端面连接于所述引出电极的下表面，所述第一光阑筒的底部开设有与所述引出孔对应的第一光阑孔。
2.根据权利要求1所述的电子束产生装置，其特征在于：所述第一光阑孔的孔径不大于所述引出孔的孔径。
3.根据权利要求1所述的电子束产生装置，其特征在于：还包括：
屏蔽管，设置在所述引出电极的上表面，所述引出孔的孔心在所述屏蔽管的轴心线上。
4.根据权利要求1所述的电子束产生装置，其特征在于：还包括：
加速电极，设置于所述第一光阑筒下方，所述加速电极设置有与所述第一光阑孔对应的加速孔。
5.根据权利要求4所述的电子束产生装置，其特征在于：所述加速孔的孔径不小于所述第一光阑孔的孔径。
6.根据权利要求4所述的电子束产生装置，其特征在于：还包括：
第二光阑筒，所述第二光阑筒的上端面连接于所述加速电极的下表面，所述第二光阑筒的底部开设有与所述加速孔对应的第二光阑孔。
7.根据权利要求6所述的电子束产生装置，其特征在于：所述第二光阑孔的孔径不大于所述加速孔的孔径。
8.根据权利要求3所述的电子束产生装置，其特征在于：还包括：
抑制电极，设置在所述阴极和所述引出电极之间，所述抑制电极设置有与所述引出孔对应的抑制孔。
9.根据权利要求8所述的电子束产生装置，其特征在于：所述抑制孔下端口设置在所述屏蔽管内。
10.一种电子显微镜，其特征在于：具有如权利要求1-9任一项所述的电子束产生装置。
CN202111030691.6A 2021-09-03 2021-09-03 一种电子束产生装置及电子显微镜 Pending CN114242550A (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111030691.6A CN114242550A (zh) 2021-09-03 2021-09-03 一种电子束产生装置及电子显微镜
PCT/CN2022/082030 WO2022194300A1 (zh) 2021-09-03 2022-03-21 一种电子束产生装置及电子显微镜

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111030691.6A CN114242550A (zh) 2021-09-03 2021-09-03 一种电子束产生装置及电子显微镜

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114242550A true CN114242550A (zh) 2022-03-25

Family

ID=80742522

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202111030691.6A Pending CN114242550A (zh) 2021-09-03 2021-09-03 一种电子束产生装置及电子显微镜

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN114242550A (zh)
WO (1) WO2022194300A1 (zh)

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5687157B2 (ja) * 2011-08-22 2015-03-18 株式会社日立ハイテクノロジーズ 電子銃、電界放出電子銃、荷電粒子線装置および透過型電子顕微鏡
CN106711003B (zh) * 2017-02-15 2019-03-19 聚束科技（北京）有限公司 一种电子源产生装置及电子束控制方法
JP7068117B2 (ja) * 2018-09-18 2022-05-16 株式会社日立ハイテク 荷電粒子線装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2022194300A1 (zh) 2022-09-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2492949B1 (en) Stable cold field emission electron source
JP5053359B2 (ja) 荷電粒子ビーム器具用の改善された検出器
US2555850A (en) Ion trap
JP5822767B2 (ja) イオン源装置及びイオンビーム生成方法
JP6340165B2 (ja) 電子銃、荷電粒子銃およびそれらを用いた荷電粒子線装置
EP1830383A2 (en) Particle-optical apparatus equipped with a gas ion source
US20040262531A1 (en) Particle detector suitable for detecting ions and electrons
US6686590B2 (en) Low-vacuum scanning electron microscope
CN114242550A (zh) 一种电子束产生装置及电子显微镜
US10431415B2 (en) X-ray tube ion barrier
CN111146049A (zh) 一种碳纳米管场发射阴极的小型离子源
US2921212A (en) Gun system comprising an ion trap
TW202305857A (zh) 離子源以及用於間接加熱陰極離子源的成型排斥極
JP2007250222A (ja) 走査電子顕微鏡
EP0989580A2 (en) Cold cathode electron gun
JP4743788B2 (ja) 改善されたイオン・カラム動作のための成形スパッタ・シールド
US20220285123A1 (en) Ion gun and ion milling machine
US3328628A (en) Electron tube employing a relatively long electron beam and getter material disposedat the collector
JPH03135746A (ja) 電離真空計
CN112928002B (zh) 一种基于网状阳极结构的小型化真空弧离子源
CN117133615A (zh) 一种碳纳米管阴极x射线管
JPH10275566A (ja) イオン源
JPH06310064A (ja) 電子銃
JP2014175104A (ja) 電子銃
KR20220083807A (ko) 부분 강자성 애노드가 있는 듀오플라즈마트론 이온 소스

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination