CN114242125B - Nand flash数据的掉电保护方法、装置及介质 - Google Patents

Abstract

本发明公开了NAND FLASH数据的掉电保护方法、装置及介质，该方法包括以下步骤：获取存储信息；申请原数据块集，设定原数据块集目标数值；输入存储信息到原数据块集；当存储信息填满原数据块集申请新数据块集，设定新数据块集目标数值；输入存储信息到新数据块集；当新数据块集写入完整的存储信息擦除原数据块集；其中，原数据块集包括有两个或以上的数据块，原数据块集中的每个数据块存储一样的所述存储信息；新数据块集包括有两个或以上的数据块，新数据块集中的每个数据块存储一样的所述存储信息。本发明至少具有以下有益效果：避免在掉电时，得到不稳定的数据，保证了存储的数据安全可靠。

Description

NAND FLASH数据的掉电保护方法、装置及介质

技术领域

本发明涉及NAND FLASH数据存储技术领域，特别涉及一种NAND FLASH数据的掉电保护方法、装置及介质。

背景技术

目前，NAND FLASH作为一种非易失性的存储设备，具有高性能和价格低廉的特点，得到了很广泛的应用，Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，但是受限于自身的物理特性，NAND FLASH在编程或轻微擦除过程容易掉电，导致存储的数据不稳定，这直接影响着产品的数据安全，因此本发明提出一种NAND FLASH数据的掉电保护方法、装置及介质，确保存储的数据安全可靠。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本发明提出一种NAND FLASH数据的掉电保护方法，能够排除不稳定数据，确保NANDFLASH存储的数据安全可靠。

本发明还提出一种具有上述NAND FLASH数据的掉电保护方法的装置。

本发明还提出一种具有上述NAND FLASH数据的掉电保护方法的计算机可读存储介质。

根据本发明的第一方面实施例的NAND FLASH数据的掉电保护方法，包括以下步骤：

获取存储信息；申请原数据块集，设定原数据块集目标数值；输入所述存储信息到所述原数据块集；当所述存储信息填满所述原数据块集，申请新数据块集，设定新数据块集目标数值；输入所述存储信息到所述新数据块集；当所述新数据块集写入完整的所述存储信息，擦除所述原数据块集；其中，所述原数据块集包括有两个或以上的数据块，当输入所述存储信息到所述原数据块集，所述原数据块集中每个所述数据块存储一样的所述存储信息；所述新数据块集包括有两个或以上的所述数据块，当输入所述存储信息到新数据块集，新数据块集中每个所述数据块存储一样的所述存储信息。

根据本发明实施例的NAND FLASH数据的掉电保护方法，至少具有如下有益效果：获取得到存储信息，申请原数据块集，设定原数据块集目标数值，其中原数据块集中的数据块个数在两个或以上。将存储信息写入到原数据块集中，随着存储信息的更新，原数据块集被存储信息填满，当检测到原数据块集被存储信息填满后，申请新数据块集将不断更新的存储信息写入其中，设定新数据块集目标数值，其中新数据块集中包含有两个或两个以上的数据块，直到写入完整的存储信息后，将原数据块集擦除。其中原数据块集中每个数据块中输入的是相同的存储数据，在之后的切换数据块过程中，将更新的存储数据写入到新数据块集中，其中新数据块集中每个数据块存储一样的存储信息。在写入过程中容易发生掉电，如果一份存储数据只存储到一个数据块里，在存储信息输入完成临界点时掉电，在检测中数据块中的存储信息虽然是完整的但是不确定数据是否稳定，如果数据不稳定将对后续的操作产生很大的干扰。因此，申请多个数据块存储同样的存储信息，只要确保新数据块集中至少两个数据块中的存储信息都是正确的情况下，就能断定切换动作已经完成，即确定掉电时已经完成写入完整的、稳定的存储信息。只要有一个数据块的存储信息不正确，或者只有一个数据块的存储信息正确，就说明没完成切换动作，数据是不稳定的。从而达到写入完整、稳定的存储信息的目的，保证了存储的数据安全可靠。

根据本发明的一些实施例，所述原数据块集目标数值为原数据块集预存储的所述数据块的数量值。

根据本发明的一些实施例，所述新数据块集目标数值为新数据块集预存储的所述数据块的数量值。

根据本发明的一些实施例，交替输入一样的所述存储信息到所述原数据块集中的每个所述数据块。

根据本发明的一些实施例，当切换的过程中掉电，获取所有所述数据块的数量值；当所述数量值小于或等于所述原数据块集目标数值，继续输入所述存储信息。

根据本发明的一些实施例，交替输入一样的所述存储信息到所述新数据块集中的每个所述数据块。

根据本发明的一些实施例，当切换的过程中掉电，获取所有所述数据块的数量值；当所述数量值大于所述原数据块集目标数值并小于所述原数据块集目标数值和所述新数据块集目标数值的总值，擦除所述新数据块集中的所述存储信息，保留所述原数据块集的所述存储信息。

根据本发明的一些实施例，当切换的过程中掉电，获取所有所述数据块的数量值；当所述数量值等于所述原数据块集目标数值和所述新数据块集目标数值的总值，检测所述新数据块集中的所述数据块的所述存储信息的完整性；当所述新数据块集中，至少有两个所述数据块的所述存储信息完整，保留所述新数据块集的所述存储信息，擦除所述原数据块集的所述存储信息；当所述新数据块集中任意一个所述数据块中的所述存储信息不完整，或者只有一个所述数据块的所述存储信息完整，保留所述原数据块集的所述存储信息，擦除所述新数据块集的所述存储信息。

根据本发明的第二方面实施例的NAND FLASH数据的掉电保护装置，包括有：存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现如权利要求1至8中任意一项所述的掉电保护方法。

根据本发明实施例的NAND FLASH数据的掉电保护装置，至少具有如下有益效果：能够执行上述实施例中的NAND FLASH数据的掉电保护方法。NANDFLASH数据的掉电保护装置获取到存储信息，申请得到原数据块集，其中原数据块集中包含有两个或两个以上的数据块，且每个数据块中存储一样的存储信息，设定原数据块集目标数值；将存储信息写入原数据块集中的数据块直到写满，此时申请新数据块集，设定新数据块集目标数值，其中新数据块集包括有两个或以上的数据块，且新数据块集中每个数据块存储一样的存储信息，将不断更新的存储信息写入到新数据块集中直到写入完整的存储信息，此时将原数据块集进行擦除。通过将同一份存储数据存储到多个数据块的方式，利用数据块的个数以及存储信息的完整性，来判断数据块中的存储信息是否切换成功，从而保证存储信息的完整性、稳定性。

根据本发明的第三方面实施例的计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现根据本发明的第一方面实施例的方法。

根据本发明实施例的计算机可读存储介质，至少具有与本发明的第一方面实施例的方法同样的有益效果。

本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。

附图说明

本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1是本发明一个实施例提供的NAND FLASH数据的掉电保护方法的流程图；

图2是本发明另一实施例提供的NAND FLASH数据的掉电保护方法的流程图；

图3是本发明另一实施例提供的NAND FLASH数据的掉电保护方法的流程图；

图4是本发明另一实施例提供的NAND FLASH数据的掉电保护方法的流程图；

图5是本发明另一实施例提供的NAND FLASH数据的掉电保护方法的流程图；

图6是本发明另一实施例提供的NAND FLASH数据的掉电保护方法的流程图；

图7是本发明另一实施例提供的NAND FLASH数据的掉电保护方法的流程图；

图8是本发明另一实施例提供的NAND FLASH数据的掉电保护方法的流程图。

具体实施方式

下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。

在本发明的描述中，若干的含义是一个或者多个，多个的含义是两个及两个以上，大于、小于、超过等理解为不包括本数，以上、以下、以内等理解为包括本数。如果有描述到第一、第二只是用于区分技术特征为目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量或者隐含指明所指示的技术特征的先后关系。在本发明的描述中，步骤标号仅是为了描述的方便或者引述的方便所作出的标识，各步骤的序号的大小并不意味着执行顺序的先后，各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定，而不应对本发明实施例的实施过程构成任何限定。

参照图1，是本发明一个实施例提供的NAND FLASH数据的掉电保护方法的流程图，本发明的实施例的方法包括：

步骤S110，获取存储信息。

在一实施例中，NAND FLASH一般分配一个区域用于存储信息，获取存储到NANDFLASH的存储信息，比如存储FTL算法的超级块信息(super blockinfomantion，简称SBI)。

步骤S120，申请原数据块集，设定原数据块集目标数值。

在一实施例中，在NAND FLASH中分配一个区域用于存储信息，该区域中存在很多个数据块，为了提高数据的安全性，这个区域的数据块通常作为SLC模式使用。当获取到存储信息，申请原数据块集，设定原数据块集目标数值，其中原数据块集包括有两个或以上的数据块。

步骤S130，输入存储信息到原数据块集。

在一实施例中，将获取到的存储信息写入原数据块集中的数据块，数据块中具有很多页，NAND FLASH特性只允许每页被编程一次，且数据块内的页必须按顺序编程，存储信息就是存储在原数据块集中的数据块的若干页中，且每个数据块存储一样的存储信息。

步骤S140，当存储信息填满原数据块集，申请新数据块集，设定新数据块集目标数值。

在一实施例中，检测原数据块集中所有数据块最后一页是否写入存储信息，如果有，则说明原数据块集中已经填满存储信息，申请新数据块集，并且设定新数据块集目标数值，其中新数据块集包括有两个或以上的数据块。

步骤S150，输入存储信息到新数据块集。

在一实施例中，将不断更新的存储信息写入新数据块集，其中新数据块集中所有数据块存储一样的存储信息。

步骤S160，当新数据块集写入完整的存储信息，擦除原数据块集。

在一实施例中，因为当数据块里的页被编程，需对数据块进行擦除后才能重新使用。因此当新数据块集中的数据块写入完整、稳定的存储信息后，将原数据块集中的存储信息进行擦除。

本申请的另一个实施例还提供了一种控制方法，如图2所示，图2是图1中步骤S120的细化流程的另一个实施例的示意图，该步骤S120包括但不限于：

步骤S210，原数据块集目标数值为原数据块集预存储的数据块的数量值。

在一实施例中，原数据块集目标数值为原数据块集预存储的数据块的数量值，根据用户的需求，可以设定原数据块集所要用于保存存储信息的数据块数量，数据块数量不少于两个，一般两个数据块为最优选，既可以保证数据的存储安全，同时不浪费数据块。

本申请的另一个实施例还提供了一种控制方法，如图3所示，图3是图1中步骤S140的细化流程的另一个实施例的示意图，该步骤S140包括但不限于：

步骤S310，新数据块集目标数值为新数据块集预存储的数据块的数量值。

在一实施例中，新数据块集目标数值为新数据块集预存储的数据块的数量值，根据用户的需求，可以设定新数据块集所要用于保存存储信息的数据块数量，数据块数量不少于两个，一般两个数据块为最优选，既可以保证数据的存储安全，同时不浪费数据块。

本申请的另一个实施例还提供了一种控制方法，如图4所示，图4是图1中步骤S130的细化流程的另一个实施例的示意图，该步骤S130包括但不限于：

步骤S410，交替输入一样的存储信息到原数据块集中的每个数据块。

在一实施例中，申请原数据块集中的数据块写入存储信息时，并不是一次性申请所有等于原数据块集目标数值数量的数据块，而是先申请一个数据块，将存储信息写入数据块中第一页，再申请一个新的数据块，将同一条存储信息写入新的数据块中的第一页，重复该操作，直到申请的数据块数量达到原数据块集目标数值，将同一条存储信息写入最后一个申请的数据块的第一页后，才开始将新的存储信息写入第一个申请数据块的第二页，重复之前的操作，这就是交替输入一样的存储信息到原数据块集中的每个数据块。因为NAND FLASH中每个数据块中的页只能被编程一次，并且数据块内的页必须按顺序编程，同时，为了分清数据块，给每个数据块分配连续的序号，记录在每个数据块的页中的spare区，因此，在输入存储信息时，必须按照原申请数据块中记录的顺序，交替输入存储信息。

本申请的另一个实施例还提供了一种控制方法，如图5所示，图5是图1中步骤S160的细化流程的另一个实施例的示意图，该步骤S160包括但不限于：

步骤S510，当切换的过程中掉电，获取所有数据块的数量值。

在一实施例中，切换过程中掉电导致数据不稳定的情况有两种，一种是新数据块集中的数据块编程时掉电；一种是原数据块集轻微擦除时掉电。当下次上电，NAND FLASH上同时存在原数据块集和新数据块集，因为不知道哪些数据块中的数据是完整稳定的，因此需要获取掉电那一刻具有多少数据块，得到数量值。

步骤S520，当数量值小于或等于原数据块集目标数值，继续输入存储信息

在一实施例中，当数量值小于或等于原数据块集目标数值，代表在存储信息存储的过程中，申请的数据块都是属于原数据块集中的，存储信息还没有填满原数据块集中的数据块，因此不存在新数据块集中的数据块在编程或者原数据块集在擦除的情况，只需要在上电后，继续写入存储信息到原数据块集中就不会导致数据不稳定。

本申请的另一个实施例还提供了一种控制方法，如图6所示，图6是图1中步骤S150的细化流程的另一个实施例的示意图，该步骤S150包括但不限于：

步骤S610，交替输入一样的存储信息到新数据块集中的每个数据块。

在一实施例中，申请新数据块集中的数据块写入存储信息时，并不是一次性申请所有等于新数据块集目标数值数量的数据块，而是先申请一个数据块，将存储信息写入数据块中第一页，再申请一个新的数据块，将同一条存储信息写入新的数据块中的第一页，重复该操作，直到申请的数据块数量达到新数据块集目标数值，将同一条存储信息写入最后一个申请的数据块的第一页后，才开始将新的存储信息写入第一个申请数据块的第二页，重复之前的操作，这就是交替输入一样的存储信息到新数据块集中的每个数据块。因为NAND FLASH中每个数据块中的页只能被编程一次，并且数据块内的页必须按顺序编程，同时，为了分清数据块，给每个数据块分配连续的序号，记录在每个数据块的页中的spare区，因此，在输入存储信息时，必须按照新申请数据块中记录的顺序，交替输入存储信息。

本申请的另一个实施例还提供了一种控制方法，如图7所示，图7是图1中步骤S160的细化流程的另一个实施例的示意图，该步骤S160包括但不限于：

步骤S710，当切换的过程中掉电，获取所有数据块的数量值。

在一实施例中，切换过程中掉电导致数据不稳定的情况有两种，一种是新数据块集中的数据块编程时掉电；一种是原数据块集轻微擦除时掉电。当下次上电，NAND FLASH上同时存在原数据块集和新数据块集，因为不知道哪些数据块中的数据是完整稳定的，因此需要获取掉电那一刻具有多少数据块，得到数量值。

步骤S720，当数量值大于原数据块集目标数值并小于原数据块集目标数值和新数据块集目标数值的总值，擦除新数据块集中的存储信息，保留原数据块集的存储信息。

在一实施例中，当数量值大于原数据块集目标数值并小于原数据块集目标数值和新数据块集目标数值的总值，代表掉电的时候，存储信息已经填满原数据块集，正在申请新数据块集写入不断更新的存储数据，同时申请的数据块数量还没有到达新数据块集目标数值。因为存储信息是交替输入的，必须申请数据块数量到达新数据块集目标数值，并且写入存储信息到每个新数据块集中的数据块的第一页后，才会开始写入信息到数据块的下一页。所以掉电的时候，新数据块集中的数据块处于还在不断申请新的数据块的状态，数据是不完整的，同时因为正处于编程状态，因此数据也是不稳定的。需要将新数据块集中数据块的存储信息擦除，保留原数据块集中的存储信息，保证数据的稳定。

本申请的另一个实施例还提供了一种控制方法，如图8所示，图8是图1中步骤S160的细化流程的另一个实施例的示意图，该步骤S160包括但不限于：

步骤S810，当切换的过程中掉电，获取所有数据块的数量值。

在一实施例中，切换过程中掉电导致数据不稳定的情况有两种，一种是新数据块集中的数据块编程时掉电；一种是原数据块集轻微擦除时掉电。当下次上电，NAND FLASH上同时存在原数据块集和新数据块集，因为不知道哪些数据块中的数据是完整稳定的，因此需要获取掉电那一刻具有多少数据块，得到数量值。

步骤S820，当数量值等于原数据块集目标数值和新数据块集目标数值的总值，检测新数据块集中的数据块的存储信息的完整性。

在一实施例中，当数据块的数量值等于原数据块集目标数值和新数据块集目标数值，代表在存储信息存储的过程中，申请的数据块一部分属于原数据块集一部分属于新数据块集，存储信息已经把原数据块集中的数据块填满，并申请了新数据块集存储不断更新的存储信息，因此有可能因为在编程过程中掉电而导致数据不稳定。在掉电的时候，新数据块集中申请的数据块等于新数据块集目标数值，但由于存储信息在被写入的时候是交替写入的，因此可能会出现还没有写入一份完整的存储信息的情况，同时因为掉电经常发生在切换时，其中包括要写入完整存储信息到数据块时的临界点状态，因此还可能出现新数据块集中所有数据块都写入完整的存储信息，但是不稳定的状态。所以需要通过检测新数据块集中的数据块的存储信息的完整性，来保证数据的安全。

步骤S830，当新数据块集中，至少有两个数据块的存储信息完整，保留新数据块集的存储信息，擦除原数据块集的存储信息。

在一实施例中，当检测到新数据块集中全部数据块中的存储信息完整，因为新数据块集中的数据块是通过交替输入的方式输入存储信息的，因此当检测出所有的数据块中的存储信息都是完整的，说明掉电的时候只会出现在新数据块集中最后一个申请的数据块写入完整存储信息的临界点，从而可以得知，除了最后一个写入存储信息的数据块中的存储信息可能不稳定之外，新数据块集中的其他数据块中的存储信息都是完整、稳定的，并且因为每个数据块的spare区中都记录了顺序，因此不会出现分不清哪个数据块的存储信息可能不稳定的情况。从而我们得到了起码一份完整、稳定的存储信息。要注意的是，即使检测出新数据块集中有一个数据块存储有完整的存储信息，因为掉电可能会发生在这个数据块刚输入完整存储信息的临界点，因此无法保证该份存储信息的稳定性，所以必须要求，至少有两个数据块的存储信息完整，这样就能保证至少有一份存储信息是完整稳定的。此时擦除原数据块集中的存储信息，保留新数据块集中的存储信息。

步骤S840，当新数据块集中任意一个数据块中的存储信息不完整，或者只有一个数据块的存储信息完整，保留原数据块集的存储信息，擦除新数据块集的存储信息。

在一实施例中，当检测到新数据块集中的任意一个数据块中都没有存储到完整的存储信息，因为新数据块集中的数据块是交替输入存储信息的，因此会出现新数据块集中所有申请的数据块均已经写入存储信息，但是均未输入完整的存储信息的情况。此时可以得知，已存储的存储信息都是不完整的，因此需要擦除新数据块集中的存储信息，保留原数据块集中的存储信息。或者，检测到新数据块集中只有一个数据块存储有完整的存储信息，此时可能掉电发生在该数据块刚输入一份完整的存储信息的临界点，所以虽然数据是完整的，但是并不能保证数据的稳定性，因此还是需要擦除新数据块集中的存储信息，保留原数据块集中的存储信息。

此外，本发明的另一个实施例还提供了一种NAND FLASH数据的掉电保护装置，该NAND FLASH数据的掉电保护装置包括：存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序。

处理器和存储器可以通过总线或者其他方式连接。

存储器作为一种非暂态计算机可读存储介质，可用于存储非暂态软件程序以及非暂态性计算机可执行程序。此外，存储器可以包括高速随机存取存储器，还可以包括非暂态存储器，例如至少一个磁盘存储器件、闪存器件、或其他非暂态固态存储器件。在一些实施方式中，存储器可选包括相对于处理器远程设置的存储器，这些远程存储器可以通过网络连接至该处理器。上述网络的实例包括但不限于互联网、企业内部网、局域网、移动通信网及其组合。

需要说明的是，本实施例中的NAND FLASH数据的掉电保护装置，可以实施例中的NAND FLASH数据的掉电保护方法，因此，本实施例中的NAND FLASH数据的掉电保护装置至少可以具有如下的技术效果：能够执行上述实施例的NANDFLASH数据的掉电保护方法。NANDFLASH数据的掉电保护装置获取到存储信息后，申请原数据块集并且设定原数据块集目标数值，将得到的存储信息输入到原数据块集中，当检测到存储信息填满原数据块集，立刻申请新数据块集，并且设定新数据块集目标数值，将不断更新的存储信息输入到新数据块集当中，直到写入完整的存储信息，擦除原数据块集中的存储信息。要注意的是，原数据块集和新数据块集当中都包括有两个或以上的数据块，并且当输入存储信息到原数据块集或新数据块集，原数据块集或新数据块集中的每个数据块存储的都是一样的存储信息。通过判断数据块的数量以及存储信息的完整性，得到安全的数据。

实现上述实施例的NAND FLASH数据的掉电保护方法所需的非暂态软件程序以及指令存储在存储器中，当被处理器执行时，执行上述实施例的NAND FLASH数据的掉电保护方法，例如，执行以上描述的图1中的方法步骤S110至S160、图2中的方法步骤S210图3中的方法步骤S310，图4中的方法步骤S410、图5中的方法步骤S510至S520、图6中的方法步骤S610、图7中的方法步骤S710至S720、图8中的方法步骤S810至S840。

以上所描述的终端实施例仅仅是示意性的，其中作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。

此外，本发明的另一个实施例还提供了一种计算机可读存储介质，该计算机可读存储介质存储有计算机可执行指令，该计算机可执行指令被一个处理器或控制器执行，例如，被上述装置实施例中的一个处理器执行，可使得上述处理器执行上述实施例中的NANDFLASH数据的掉电保护方法，例如，图1中的方法步骤S110至S160、图2中的方法步骤S210图3中的方法步骤S310，图4中的方法步骤S410、图5中的方法步骤S510至S520、图6中的方法步骤S610、图7中的方法步骤S710至S720、图8中的方法步骤S810至S840。

尽管本文描述了具体实施方案，但是本领域中的普通技术人员将认识到，许多其它修改或另选的实施方案同样处于本公开的范围内。例如，结合特定设备或组件描述的功能和/或处理能力中的任一项可以由任何其它设备或部件来执行。另外，虽然已根据本公开的实施方案描述了各种例示性具体实施和架构，但是本领域中的普通技术人员将认识到，对本文所述的例示性具体实施和架构的许多其它修改也处于本公开的范围内。

上文参考根据示例性实施方案所述的系统、方法、系统和/或计算机程序产品的框图和流程图描述了本公开的某些方面。应当理解，框图和流程图中的一个或多个块以及框图和流程图中的块的组合可分别通过执行计算机可执行程序指令来实现。同样，根据一些实施方案，框图和流程图中的一些块可能无需按示出的顺序执行，或者可以无需全部执行。另外，超出框图和流程图中的块所示的那些部件和/或操作以外的附加部件和/或操作可存在于某些实施方案中。

因此，框图和流程图中的块支持用于执行指定功能的装置的组合、用于执行指定功能的元件或步骤的组合以及用于执行指定功能的程序指令装置。还应当理解，框图和流程图中的每个块以及框图和流程图中的块的组合可以由执行特定功能、元件或步骤的专用硬件计算机系统或者专用硬件和计算机指令的组合来实现。

本文所述的程序模块、应用程序等可包括一个或多个软件组件，包括例如软件对象、方法、数据结构等。每个此类软件组件可包括计算机可执行指令，所述计算机可执行指令响应于执行而使本文所述的功能的至少一部分(例如，本文所述的例示性方法的一种或多种操作)被执行。

软件组件可以用各种编程语言中的任一种来编码。一种例示性编程语言可以为低级编程语言，诸如与特定硬件体系结构和/或操作系统平台相关联的汇编语言。包括汇编语言指令的软件组件可能需要在由硬件架构和/或平台执行之前由汇编程序转换为可执行的机器代码。另一种示例性编程语言可以为更高级的编程语言，其可以跨多种架构移植。包括更高级编程语言的软件组件在执行之前可能需要由解释器或编译器转换为中间表示。编程语言的其它示例包括但不限于宏语言、外壳或命令语言、作业控制语言、脚本语言、数据库查询或搜索语言、或报告编写语言。在一个或多个示例性实施方案中，包含上述编程语言示例中的一者的指令的软件组件可直接由操作系统或其它软件组件执行，而无需首先转换成另一种形式。

软件组件可存储为文件或其它数据存储构造。具有相似类型或相关功能的软件组件可一起存储在诸如特定的目录、文件夹或库中。软件组件可为静态的(例如，预设的或固定的)或动态的(例如，在执行时创建或修改的)。

上面结合附图对本发明实施例作了详细说明，但是本发明不限于上述实施例，在所属技术领域普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本发明宗旨的前提下作出各种变化。

Claims (8)

1.一种NAND FLASH数据的掉电保护方法，其特征在于，包括：

获取存储信息；

申请原数据块集，设定原数据块集目标数值；

输入所述存储信息到所述原数据块集；

当所述存储信息填满所述原数据块集，申请新数据块集，设定新数据块集目标数值；

输入所述存储信息到所述新数据块集；

当所述新数据块集写入完整的所述存储信息，擦除所述原数据块集；

其中，所述原数据块集包括有两个或以上的数据块，当输入所述存储信息到所述原数据块集，所述原数据块集中每个所述数据块存储一样的所述存储信息；所述新数据块集包括有两个或以上的所述数据块，当输入所述存储信息到新数据块集，新数据块集中每个所述数据块存储一样的所述存储信息；

其中，所述当所述新数据块集写入完整的所述存储信息，擦除所述原数据块集这一步骤具体包括：

当切换的过程中掉电，获取所有所述数据块的数量值；

当所述数量值大于所述原数据块集目标数值并小于所述原数据块集目标数值和所述新数据块集目标数值的总值：擦除所述新数据块集中的所述存储信息，保留所述原数据块集的所述存储信息；

当所述数量值等于所述原数据块集目标数值和所述新数据块集目标数值的总值，检测所述新数据块集中的所述数据块的所述存储信息的完整性：当所述新数据块集中，至少有两个所述数据块的所述存储信息完整，保留所述新数据块集的所述存储信息，擦除所述原数据块集的所述存储信息；当所述新数据块集中任意一个所述数据块中的所述存储信息不完整，或者只有一个所述数据块的所述存储信息完整，保留所述原数据块集的所述存储信息，擦除所述新数据块集的所述存储信息。

2.根据权利要求1所述的一种NAND FLASH数据的掉电保护方法，其特征在于，所述申请原数据块集，设定原数据块集目标数值包括：

所述原数据块集目标数值为原数据块集预存储的所述数据块的数量值。

3.根据权利要求1所述的一种NAND FLASH数据的掉电保护方法，其特征在于，所述当所述存储信息填满所述原数据块集，申请新数据块集，设定新数据块集目标数值包括：

所述新数据块集目标数值为新数据块集预存储的所述数据块的数量值。

4.根据权利要求1所述的一种NAND FLASH数据的掉电保护方法，其特征在于，所述输入所述存储信息到所述原数据块集：

交替输入一样的所述存储信息到所述原数据块集中的每个所述数据块。

5.根据权利要求4所述的一种NAND FLASH数据的掉电保护方法，其特征在于，所述当所述新数据块集写入完整的所述存储信息，擦除所述原数据块集包括：

当切换的过程中掉电，获取所有所述数据块的数量值；

当所述数量值小于或等于所述原数据块集目标数值，继续输入所述存储信息。

6.根据权利要求1所述的一种NAND FLASH数据的掉电保护方法，其特征在于，所述输入所述存储信息到所述新数据块集包括：

交替输入一样的所述存储信息到所述新数据块集中的每个所述数据块。

7.一种NAND FLASH数据的掉电保护装置，包括：存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现如权利要求1至6中任意一项所述的掉电保护方法。

8.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质存储有计算机可执行指令，所述计算机可执行指令用于使计算机执行如权利要求1至6任意一项所述的掉电保护方法。

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