CN114211628A - 籽晶回收方法 - Google Patents
籽晶回收方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114211628A CN114211628A CN202111544759.2A CN202111544759A CN114211628A CN 114211628 A CN114211628 A CN 114211628A CN 202111544759 A CN202111544759 A CN 202111544759A CN 114211628 A CN114211628 A CN 114211628A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- cutting
- seed crystal
- sides
- recovery method
- seed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 199
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 47
- 238000011084 recovery Methods 0.000 title claims abstract description 41
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 189
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 59
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 25
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 25
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 9
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 4
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011111 cardboard Substances 0.000 claims description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 3
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- 239000010959 steel Substances 0.000 claims description 3
- 239000002023 wood Substances 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 7
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 4
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/04—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools
- B28D5/045—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools by cutting with wires or closed-loop blades
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
- C30B11/14—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method characterised by the seed, e.g. its crystallographic orientation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
本发明涉及一种籽晶回收方法，包括以下步骤：将铸造单晶硅锭按照籽晶一侧朝上的方式放置；在所述铸造单晶硅锭上固定多个切割导向件，在至少一条所述籽晶的拼接缝的两侧分别设置所述切割导向件，所述切割导向件贴近于相应的所述拼接缝；在所述铸造单晶硅锭的上方布设切割线，所述切割线沿所述拼接缝设置，在两侧设置有所述切割导向件的所述拼接缝处，所述切割线设置于两侧的所述切割导向件之间；控制所述切割线竖直向下切割，将所述铸造单晶硅锭切割成多个硅块；切割出各所述硅块上的籽晶。上述籽晶回收方法通过设置切割导向件，能够使切割线更准确地对准籽晶的拼接缝，避免切割时偏离拼接缝导致切割出的籽晶出现边缘脱落的情况。
Description
技术领域
本发明涉及单晶硅生产技术领域，特别是涉及一种籽晶回收方法。
背景技术
在当前的太阳能材料市场中，晶体硅占据着绝对的优势。晶体硅太阳能产品主要包括单晶硅产品及多晶硅产品。其中，单晶硅电池中杂质与缺陷的含量低，转换效率高，但是制备工艺复杂，对原料的纯度要求高，生产成本较高。多晶硅电池内部存在大量的晶界、高密度的位错和杂质，其转换效率比单晶电池效率低1.5％左右，生产成本较低，性价比更高。
铸造单晶硅是一种新产品，其同时具有单晶硅的高转换效率以及多晶硅的高性价比。铸造单晶硅具有一定晶体取向，晶界少、位错密度低，其电池采用碱制绒，转换效率比多晶硅电池明显提高，甚至接近单晶硅电池，生产成本明显低于单晶硅，具有重要的商业价值。
目前，铸造单晶硅的生产过程中，需要将一定量的单晶籽晶铺设于坩埚底部，通过加热控制籽晶不完全熔化，控制温度梯度，使得硅料晶体在不完全熔化的籽晶上生长。但是，铸造单晶硅锭需要使用大量的籽晶，这些籽晶需要靠直拉技术来拉制，因此籽晶成本高，增加了铸造单晶硅锭的制造成本。所以行业一般会进行籽晶回用。图1示出了传统的籽晶回用的流程。图1中(a)为铸造单晶硅锭，图1中(b)是在铸造单晶硅锭的上方布设切割线，图1中(c)是硅锭开方，即使用切割线垂直于铸造单晶硅锭将其切割成若干硅块，图1中(d)是切割出硅块上的籽晶，图1中(e)是回收多个硅块上切割出的籽晶，图1中(f)是将回收的籽晶铺设在坩埚底部。
然而，如图2所示，采用传统的籽晶回用方法，切割下来的籽晶有时会发生边缘出现脱落的情况，导致籽晶尺寸异常问题，无法重复利用。
发明内容
基于此，有必要提供一种籽晶回收方法，以采用传统的籽晶回用方法，籽晶有时边缘出现脱落导致无法重复利用的问题。
本发明提供一种籽晶回收方法，方案如下：
一种籽晶回收方法，包括以下步骤：
步骤一，将铸造单晶硅锭按照籽晶一侧朝上的方式放置；
步骤二，在所述铸造单晶硅锭上固定多个切割导向件，在至少一条所述籽晶的拼接缝的两侧分别设置所述切割导向件，所述切割导向件贴近于相应的所述拼接缝；
步骤三，在所述铸造单晶硅锭的上方布设切割线，所述切割线沿所述拼接缝设置，在两侧设置有所述切割导向件的所述拼接缝处，所述切割线设置于两侧的所述切割导向件之间；
步骤四，控制所述切割线竖直向下切割，将所述铸造单晶硅锭切割成多个硅块；
步骤五，切割出各所述硅块上的所述籽晶。
在其中一个实施例中，所述切割导向件具有导向面，所述导向面垂直于所述籽晶的表面并且贴近于所述拼接缝。
在其中一个实施例中，在所述步骤二中，在至少一条在纵向上延伸的所述拼接缝的两侧分别设置所述切割导向件，并在至少一条在横向上延伸的所述拼接缝的两侧分别设置所述切割导向件。
在其中一个实施例中，在步骤二中，在其中两条在纵向上延伸的所述拼接缝的两侧分别设置所述切割导向件，并在其中两条在横向上延伸的所述拼接缝的两侧分别设置所述切割导向件。
在其中一个实施例中，在所述步骤二中，在每一条所述拼接缝的两侧分别设置所述切割导向件。
在其中一个实施例中，同一条所述拼接缝两侧的所述切割导向件相互错开。
在其中一个实施例中，所述切割导向件的固定方法为粘贴。
在其中一个实施例中，所述切割导向件的材料为木材、塑料、金属、玻璃、陶瓷、硬纸板中的一种或几种。
在其中一个实施例中，所述籽晶回收方法还包括步骤：
对所述籽晶的切割面进行打磨，消除表面线痕。
在其中一个示例中，通过打磨，使回收的所述籽晶形成矩形板状结构，并且各个所述籽晶的尺寸均一。
在其中一个实施例中，所述籽晶回收方法还包括步骤：
对打磨后的所述籽晶进行清洗。
在其中一个实施例中，所述籽晶回收方法还包括步骤：
对清洗后的所述籽晶进行烘干。
在其中一个实施例中，所述切割线为钢线或金刚线。
与现有方案相比，上述籽晶回收方法具有以下有益效果：
上述籽晶回收方法将铸造单晶硅锭翻转，使得籽晶一侧朝上，从该侧上，可以清晰地看到相邻的籽晶的拼接缝，在至少一条籽晶的拼接缝的两侧分别设置切割导向件，切割线设置于两侧的切割导向件之间，能够使切割线更准确地对准籽晶的拼接缝，避免切割时偏离拼接缝导致切割出的籽晶出现边缘脱落的情况，有利于提高铸造单晶硅锭的籽晶回收利用率，降低铸造单晶硅锭成本。
附图说明
图1为常规的籽晶回用的流程示意图；
图2为切割下来的籽晶有边缘出现脱落的图片及脱落部位的局部放大图；
图3为将将铸造单晶硅锭翻转，使得籽晶一侧朝上的示意图；
图4为本发明一实施例的籽晶回收方法中切割导向件和切割线的位置关系图；
图5为本发明另一实施例的籽晶回收方法中切割导向件和切割线的位置关系图；
图6为本发明又一实施例的籽晶回收方法中切割导向件和切割线的位置关系图；
图7为本发明一实施例的籽晶回收方法得到的籽晶的图片。
附图标记说明：
100、铸造单晶硅锭；110、籽晶；200、切割导向件；300、切割线。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。
需要说明的是，当元件被称为“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
本发明一实施例的籽晶回收方法，包括以下步骤：
步骤一，将铸造单晶硅锭按照籽晶一侧朝上的方式放置。
铸造单晶硅的生产过程中，需要将一定量的单晶籽晶铺设于坩埚底部，通过加热控制籽晶不完全熔化，控制温度梯度，使得硅料晶体在不完全熔化的籽晶上生长。生产得到的铸造单晶硅锭下层为籽晶，上层为在籽晶基础上生长的晶体部分。
如图3所示，生产得到的铸造单晶硅锭后，将铸造单晶硅锭翻转，使得籽晶一侧朝上，从该侧上，可以清晰地看到相邻的籽晶的拼接缝。籽晶为方块状结构，生产时，籽晶以阵列分布的方式铺设于坩埚底部，因此籽晶的拼接缝总体上呈纵向上延伸的若干条与横向上延伸的若干条相交的形式。
步骤二，如图4所示，在铸造单晶硅锭100上固定多个切割导向件200，在至少一条籽晶110的拼接缝的两侧分别设置切割导向件200，切割导向件200贴近于相应的拼接缝。
可选地，可以是仅在其中的一条籽晶110的拼接缝的两侧分别设置切割导向件200，也可以是在其中的多条拼接缝的两侧分别设置切割导向件200，也可以是在所有的拼接缝的两侧分别设置切割导向件200。
可选地，一条籽晶110的拼接缝的两侧可以分别设置仅一个切割导向件200，也可以分别设置两个或者两个以上数量的切割导向件200，或者在拼接缝的其中一侧设置仅一个切割导向件200，另一侧设置两个或者两个以上数量的切割导向件200。
可选地，一条籽晶110的拼接缝的两侧的切割导向件200可以是相对设置，也可以是相互错开设置。
较优地，一条籽晶110的拼接缝的两侧的切割导向件200分布在拼接缝长度方向的不同位置上。
步骤三，在铸造单晶硅锭100的上方布设切割线300，切割线300沿拼接缝设置，在两侧设置有切割导向件200的拼接缝处，切割线300设置于两侧的切割导向件200之间。
在籽晶110的拼接缝的两侧分别设置切割导向件200，在两侧设置有切割导向件200的拼接缝处，切割线300设置于两侧的切割导向件200之间，能够使切割线300更好地对准籽晶110的拼接缝。
可选地，所述切割线300可以选用但不限于钢线、金刚线等。
步骤四，控制切割线300竖直向下切割，将铸造单晶硅锭100切割成多个硅块。
切割线300控制运转后，在两侧的切割导向件200之间竖直向下切割，能够准确地沿拼接缝进行切割。切割后，籽晶110切割面为原来的拼接面，不会发生边缘脱落的情况。
步骤五，切割出各硅块上的籽晶110。切割出的籽晶110即可回收利用。
上述籽晶110回收方法将铸造单晶硅锭100翻转，使得籽晶110一侧朝上，从该侧上，可以清晰地看到相邻的籽晶110的拼接缝，在至少一条籽晶110的拼接缝的两侧分别设置切割导向件200，切割线300设置于两侧的切割导向件200之间，能够使切割线300更准确地对准籽晶110的拼接缝，避免切割时偏离拼接缝导致切割出的籽晶110出现边缘脱落的情况，有利于提高铸造单晶硅锭100的籽晶110回收利用率，降低铸造单晶硅锭100成本。
在其中一个示例中，切割导向件200具有导向面，导向面垂直于籽晶110的表面并且贴近于拼接缝。
上述示例通过切割导向件200的导向面，切割线300布线时贴着导向面进行设置，能够使切割线300更准确地对准籽晶110的拼接缝，避免切割时偏离拼接缝导致切割出的籽晶110出现边缘脱落的情况。
在其中一个示例中，在步骤二中，在至少一条在纵向上延伸的拼接缝的两侧分别设置切割导向件200，并在至少一条在横向上延伸的拼接缝的两侧分别设置切割导向件200。
上述示例在至少一条在纵向上延伸的拼接缝的两侧分别设置切割导向件200，则该拼接缝上方的切割线300能够准确地对准拼接缝，同时以该切割线300为参照，其他在纵向上延伸的拼接缝上方的切割线300的对位准确性也能够有所提高，同样地，在至少一条在横向上延伸的拼接缝的两侧分别设置切割导向件200，也能够提高在横向上延伸的拼接缝上方的切割线300的对位准确性。
在图4所示的具体示例中，在步骤二中，在其中一条在纵向上延伸的拼接缝的两侧分别设置切割导向件200，并在其中一条在横向上延伸的拼接缝的两侧分别设置切割导向件200。
在图5所示的具体示例中，在步骤二中，在其中两条在纵向上延伸的拼接缝的两侧分别设置切割导向件200，并在其中两条在横向上延伸的拼接缝的两侧分别设置切割导向件200。
在图6所示的具体示例中，在步骤二中，在每一条拼接缝的两侧分别设置切割导向件200。
上述示例在每一条拼接缝的两侧分别设置切割导向件200，能够使每一根切割线300都准确地对准籽晶110的拼接缝，避免切割时偏离拼接缝导致切割出的籽晶110出现边缘脱落的情况。
在其中一个示例中，切割导向件200在铸造单晶硅锭100上的固定方法为粘贴。
在其中一个示例中，切割导向件200通过水溶胶粘贴在铸造单晶硅锭100上。使用水溶胶进行粘贴，后续可以方便地通过水洗的方式，将切割导向件200取下，并将水溶胶清除干净。
在其中一个示例中，切割导向件200的材料为木材、塑料、金属、玻璃、陶瓷、硬纸板中的一种或几种。
在其中一个示例中，籽晶110回收方法还包括步骤：
对籽晶110的切割面进行打磨，消除表面线痕。
打磨籽晶110的切割面时，按照预设的尺寸进行打磨，即打磨到一定的尺寸，后续能够与其他的籽晶110拼接，铺设于坩埚底部，进行下一轮的铸造单晶硅的生产。籽晶110的拼接缝能够形成纵横相交的方式，便于后续通过本发明的方法对籽晶110进行回收再利用。
在其中一个示例中，通过打磨，使回收的籽晶110形成矩形板状结构，并且各个籽晶110的尺寸均一。
在其中一个示例中，通过打磨，使回收的籽晶110形成矩形板状结构，籽晶110端面的边长为100mm～250mm，籽晶110的厚度为10mm～50mm，并且各个籽晶110的尺寸均一。
在其中一个示例中，通过打磨，使回收的籽晶110形成正方形板状结构，并且各个籽晶110的尺寸均一。
在其中一个示例中，通过打磨，使回收的籽晶110形成正方形板状结构，籽晶110端面的边长为100mm～250mm，籽晶110的厚度为10mm～50mm，并且各个籽晶110的尺寸均一。
在其中一个示例中，籽晶110回收方法还包括步骤：
对打磨后的籽晶110进行清洗。
在其中一个示例中，籽晶110回收方法还包括步骤：
对清洗后的籽晶110进行烘干。
如图7所示，本发明一实施例的籽晶回收方法得到的籽晶，其切割面平整，无边缘脱落情况。
下面提供具体实施例对本发明进行说明，但本发明并不局限于下述实施例，应当理解，所附权利要求概括了本发明的范围在本发明构思的引导下本领域的技术人员应意识到，对本发明的各实施例所进行的一定的改变，都将被本发明的权利要求书的精神和范围所覆盖。
实施例1
本实施例提供一种籽晶110回收方法。本实施例新籽晶110大锭采用6×6阵列分布的铺底方式，共36块单晶籽晶110，单块籽晶110的长宽规格为161mm×161mm，厚度为25mm，铸造单晶硅锭100装料重量为1100kg。
本实施例的籽晶110回收方法包括以下步骤：
步骤1，将待开方的铸造单晶硅锭100上下颠倒放置，底部(籽晶110一侧)朝上，可以很清晰地观察到籽晶110纵横相交的拼接缝。
步骤2，根据籽晶110的拼接缝，在铸造单晶硅锭100上粘贴固定切割导向块。切割导向件200为金属材质，方块状结构。切割导向件200具有导向面，导向面垂直于籽晶110的表面并且贴近于拼接缝。粘贴切割导向块的方式如图4所示，其中一条在横向上延伸的拼接缝的两侧分别设置切割导向件200，其中一条在纵向上延伸的拼接缝的两侧分别设置切割导向件200。
步骤3，在铸造单晶硅锭100的上方布设切割线300，切割线300沿拼接缝设置，在两侧设置有切割导向件200的拼接缝处，切割线300设置于两侧的切割导向件200之间。
步骤4，控制切割线300竖直向下切割，将铸造单晶硅锭100切割成36个硅块。拆下粘贴的切割导向块。
步骤5，开方成小硅块后，切割出各硅块上的籽晶110，籽晶110的厚度为25mm。
步骤6，回收籽晶110切割完后，进行四个切割面的打磨，除去表面线痕，并磨成预设尺寸。
步骤7，打磨完后的籽晶110进行清洗，烘干。
步骤8，回收的籽晶110铺垫在坩埚中，再装上原料进行铸锭。
本实施例切割出的籽晶110的切割面完好，没有出现边缘脱落的情况，可以正常回收再利用。
实施例2
本实施例提供一种籽晶110回收方法。本实施例新籽晶110大锭采用6×6阵列分布的铺底方式，共36块单晶籽晶110，单块籽晶110的长宽规格为161mm×161mm，厚度为25mm，铸造单晶硅锭100装料重量为1100kg。
本实施例的籽晶110回收方法包括以下步骤：
步骤1，将待开方的铸造单晶硅锭100上下颠倒放置，底部(籽晶110一侧)朝上，可以很清晰地观察到籽晶110纵横相交的拼接缝。
步骤2，根据籽晶110的拼接缝，在铸造单晶硅锭100上粘贴固定切割导向块。切割导向件200为金属材质，方块状结构。切割导向件200具有导向面，导向面垂直于籽晶110的表面并且贴近于拼接缝。粘贴切割导向块的方式如图5所示，其中两条在纵向上延伸的拼接缝的两侧分别设置切割导向件200，其中两条在横向上延伸的拼接缝的两侧分别设置切割导向件200。
步骤3，在铸造单晶硅锭100的上方布设切割线300，切割线300沿拼接缝设置，在两侧设置有切割导向件200的拼接缝处，切割线300设置于两侧的切割导向件200之间。
步骤4，控制切割线300竖直向下切割，将铸造单晶硅锭100切割成36个硅块。拆下粘贴的切割导向块。
步骤5，开方成小硅块后，切割出各硅块上的籽晶110，籽晶110的厚度为25mm。
步骤6，回收籽晶110切割完后，进行四个切割面的打磨，除去表面线痕，并磨成预设尺寸。
步骤7，打磨完后的籽晶110进行清洗，烘干。
步骤8，回收的籽晶110铺垫在坩埚中，再装上原料进行铸锭。
本实施例切割出的籽晶110的切割面完好，没有出现边缘脱落的情况，可以正常回收再利用。
实施例3
本实施例提供一种籽晶110回收方法。本实施例新籽晶110大锭采用6×6阵列分布的铺底方式，共36块单晶籽晶110，单块籽晶110的长宽规格为161mm×161mm，厚度为25mm，铸造单晶硅锭100装料重量为1100kg。
本实施例的籽晶110回收方法包括以下步骤：
步骤1，将待开方的铸造单晶硅锭100上下颠倒放置，底部(籽晶110一侧)朝上，可以很清晰地观察到籽晶110纵横相交的拼接缝。
步骤2，根据籽晶110的拼接缝，在铸造单晶硅锭100上粘贴固定切割导向块。切割导向件200为塑料材质，方块状结构。切割导向件200具有导向面，导向面垂直于籽晶110的表面并且贴近于拼接缝。粘贴切割导向块的方式如图6所示，在每一条拼接缝的两侧分别设置切割导向件200。
步骤3，在铸造单晶硅锭100的上方布设切割线300，切割线300沿拼接缝设置，在两侧设置有切割导向件200的拼接缝处，切割线300设置于两侧的切割导向件200之间。
步骤4，控制切割线300竖直向下切割，将铸造单晶硅锭100切割成36个硅块。拆下粘贴的切割导向块。
步骤5，开方成小硅块后，切割出各硅块上的籽晶110，籽晶110的厚度为25mm。
步骤6，回收籽晶110切割完后，进行四个切割面的打磨，除去表面线痕，并磨成预设尺寸。
步骤7，打磨完后的籽晶110进行清洗，烘干。
步骤8，回收的籽晶110铺垫在坩埚中，再装上原料进行铸锭。
本实施例切割出的籽晶110的切割面完好，没有出现边缘脱落的情况，可以正常回收再利用。
上述籽晶回收方法将铸造单晶硅锭翻转，使得籽晶一侧朝上，从该侧上，可以清晰地看到相邻的籽晶的拼接缝，在至少一条籽晶的拼接缝的两侧分别设置切割导向件，切割线设置于两侧的切割导向件之间，能够使切割线更准确地对准籽晶的拼接缝，避免切割时偏离拼接缝导致切割出的籽晶出现边缘脱落的情况，有利于提高铸造单晶硅锭的籽晶回收利用率，降低铸造单晶硅锭成本。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种籽晶回收方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一，将铸造单晶硅锭按照籽晶一侧朝上的方式放置；
步骤二，在所述铸造单晶硅锭上固定多个切割导向件，在至少一条所述籽晶的拼接缝的两侧分别设置所述切割导向件，所述切割导向件贴近于相应的所述拼接缝；
步骤三，在所述铸造单晶硅锭的上方布设切割线，所述切割线沿所述拼接缝设置，在两侧设置有所述切割导向件的所述拼接缝处，所述切割线设置于两侧的所述切割导向件之间；
步骤四，控制所述切割线竖直向下切割，将所述铸造单晶硅锭切割成多个硅块；
步骤五，切割出各所述硅块上的所述籽晶。
2.如权利要求1所述的籽晶回收方法，其特征在于，所述切割导向件具有导向面，所述导向面垂直于所述籽晶的表面并且贴近于所述拼接缝。
3.如权利要求1所述的籽晶回收方法，其特征在于，在所述步骤二中，在至少一条在纵向上延伸的所述拼接缝的两侧分别设置所述切割导向件，并在至少一条在横向上延伸的所述拼接缝的两侧分别设置所述切割导向件。
4.如权利要求3所述的籽晶回收方法，其特征在于，在所述步骤二中，在每一条所述拼接缝的两侧分别设置所述切割导向件。
5.如权利要求1所述的籽晶回收方法，其特征在于，同一条所述拼接缝两侧的所述切割导向件相互错开。
6.如权利要求1所述的籽晶回收方法，其特征在于，所述切割导向件的固定方法为粘贴。
7.如权利要求1所述的籽晶回收方法，其特征在于，所述切割导向件的材料为木材、塑料、金属、玻璃、陶瓷、硬纸板中的一种或几种。
8.如权利要求1所述的籽晶回收方法，其特征在于，所述切割线为钢线或金刚线。
9.如权利要求1～8中任一项所述的籽晶回收方法，其特征在于，所述籽晶回收方法还包括步骤：
对所述籽晶的切割面进行打磨，消除表面线痕。
10.如权利要求9所述的籽晶回收方法，其特征在于，所述籽晶回收方法还包括步骤：
对打磨后的所述籽晶进行清洗。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111544759.2A CN114211628A (zh) | 2021-12-16 | 2021-12-16 | 籽晶回收方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111544759.2A CN114211628A (zh) | 2021-12-16 | 2021-12-16 | 籽晶回收方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114211628A true CN114211628A (zh) | 2022-03-22 |
Family
ID=80703083
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202111544759.2A Pending CN114211628A (zh) | 2021-12-16 | 2021-12-16 | 籽晶回收方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN114211628A (zh) |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101522959A (zh) * | 2006-10-27 | 2009-09-02 | 长青太阳能股份有限公司 | 用于形成硅晶片的方法和设备 |
| CN102172997A (zh) * | 2011-02-14 | 2011-09-07 | 上海日进机床有限公司 | 硅晶体线切割设备 |
| CN103786274A (zh) * | 2014-01-23 | 2014-05-14 | 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司 | 多晶硅锭开方金刚石线锯装置 |
| CN204019765U (zh) * | 2014-07-22 | 2014-12-17 | 上海日进机床有限公司 | 多线切割设备 |
| CN109049375A (zh) * | 2018-09-11 | 2018-12-21 | 天通日进精密技术有限公司 | 硅锭的底面切割设备和硅锭的底面切割方法 |
| CN111485287A (zh) * | 2019-01-26 | 2020-08-04 | 尹翠哲 | 一种单晶硅籽晶重复利用的方法、铸造单晶硅片及其制备方法 |
| CN111745844A (zh) * | 2019-03-26 | 2020-10-09 | 赛维Ldk太阳能高科技(新余)有限公司 | 边皮籽晶及其制备方法和应用 |
| CN112813495A (zh) * | 2019-11-18 | 2021-05-18 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种类单晶硅铸锭用籽晶的回收利用方法 |
| CN113564689A (zh) * | 2020-04-29 | 2021-10-29 | 江西赛维Ldk太阳能高科技有限公司 | 一种铸造类单晶用籽晶的重复利用方法 |
-
2021
- 2021-12-16 CN CN202111544759.2A patent/CN114211628A/zh active Pending
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101522959A (zh) * | 2006-10-27 | 2009-09-02 | 长青太阳能股份有限公司 | 用于形成硅晶片的方法和设备 |
| CN102172997A (zh) * | 2011-02-14 | 2011-09-07 | 上海日进机床有限公司 | 硅晶体线切割设备 |
| CN103786274A (zh) * | 2014-01-23 | 2014-05-14 | 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司 | 多晶硅锭开方金刚石线锯装置 |
| CN204019765U (zh) * | 2014-07-22 | 2014-12-17 | 上海日进机床有限公司 | 多线切割设备 |
| CN109049375A (zh) * | 2018-09-11 | 2018-12-21 | 天通日进精密技术有限公司 | 硅锭的底面切割设备和硅锭的底面切割方法 |
| CN111485287A (zh) * | 2019-01-26 | 2020-08-04 | 尹翠哲 | 一种单晶硅籽晶重复利用的方法、铸造单晶硅片及其制备方法 |
| CN111745844A (zh) * | 2019-03-26 | 2020-10-09 | 赛维Ldk太阳能高科技(新余)有限公司 | 边皮籽晶及其制备方法和应用 |
| CN112813495A (zh) * | 2019-11-18 | 2021-05-18 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种类单晶硅铸锭用籽晶的回收利用方法 |
| CN113564689A (zh) * | 2020-04-29 | 2021-10-29 | 江西赛维Ldk太阳能高科技有限公司 | 一种铸造类单晶用籽晶的重复利用方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN104790026B (zh) | 一种铸造类单晶用籽晶的重复利用方法 | |
| EP2785898B1 (en) | Production of mono-crystalline silicon | |
| CN104911691B (zh) | 一种籽晶的铺设方法、准单晶硅片的制备方法及准单晶硅片 | |
| CN103952756A (zh) | 一种类单晶硅铸锭用籽晶的粘连拼接方法及铸锭用坩埚 | |
| CN105568365A (zh) | 一种籽晶铺设方法、晶体硅及其制备方法 | |
| TWI629382B (zh) | 經改良的結晶矽之製造技術 | |
| CN102776560B (zh) | 多晶硅锭及其制备方法和多晶硅片 | |
| US20150191846A1 (en) | System and method of growing silicon ingots from seeds in a crucible and manufacture of seeds used therein | |
| JP4465481B2 (ja) | 単結晶材製造方法、シード基板、ダイおよび単結晶材製造装置 | |
| CN114211628A (zh) | 籽晶回收方法 | |
| CN107747121A (zh) | 一种类单晶籽晶的铺设方法 | |
| CN112519014B (zh) | 一种用于铸锭单晶的籽晶制备方法及其铺设方法 | |
| KR101080757B1 (ko) | 연속주조법을 이용한 태양전지용 실리콘 기판 직접 제조 장치, 이를 이용하여 제조된 태양전지용 실리콘 기판 및 그 제조 방법 | |
| WO2002010486A1 (fr) | Procede pour detecter la derniere phase de fusion d'un silicium polycristallin, procede de reglage de la temperature de contact du cristal germe avec la matiere en fusion, et appareil de production d'un silicium monocristallin | |
| WO2016043176A1 (ja) | 複数のサファイア単結晶とその製造方法 | |
| CN111485287A (zh) | 一种单晶硅籽晶重复利用的方法、铸造单晶硅片及其制备方法 | |
| CN206188925U (zh) | 一种用于铸造晶体硅的大尺寸籽晶块 | |
| CN106929908A (zh) | 一种类单晶籽晶的加工方法 | |
| CN110424049A (zh) | 铸造单晶用籽晶的回收方法 | |
| CN110373711A (zh) | 铸造单晶用籽晶的回收方法 | |
| JP3602472B2 (ja) | 半導体材料からなる装填物および多結晶シリコン棒のための保持系 | |
| CN111364100A (zh) | 单晶硅锭及其制备方法、铸造单晶硅片及其制备方法 | |
| CN113564689A (zh) | 一种铸造类单晶用籽晶的重复利用方法 | |
| TWI555887B (zh) | 用於生產結晶半導體晶錠之坩堝及其製造方法 | |
| CN111876821B (zh) | 铸造单晶硅锭及其制备方法、铸造单晶硅片及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |