CN114203788B - 显示面板、显示装置和显示面板的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本申请提供了一种显示面板、显示装置和显示面板的制备方法。其中,显示面板包括:阵列基板;多个像素,设置在所述阵列基板一侧,面阴极,设置在所述像素远离阵列基板的一侧;辅助阴极,设置在所述面阴极远离所述阵列基板一侧且与所述面阴极电连接,所述辅助阴极在阵列基板的正投影位于多个所述像素在阵列基板的多个正投影之间。本申请实施例通过将辅助阴极与面阴极连接,可以降低整个阴极的电阻,进而可以解决因为面阴极的电阻较大而导致显示面板亮度均匀性下降的问题,另辅助阴极设置在阵列基板上,可以使得加工工艺更加简单,不影响封装效果。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板、显示装置和显示面板的制备方法。
背景技术
有机电致发光显示器件是一种利用电流驱动有机半导体薄膜发光的器件,简称OLED,OLED按照出光方向可分为底部出光(底发射)和顶部出光(顶发射)两种结构。其中,顶发射OLED器件的阳极用的是全反射金属,顶部阴极是很薄的半透明金属或合金薄膜,光线从顶部阴极发射出。
然而,现有的面阴极采用透明阴极,存在阴极电阻较大使显示面板亮度均匀性下降的问题。
发明内容
本申请实施例提供一种显示面板、显示装置和显示面板的制备方法,解决了现有的面阴极使显示面板亮度均匀性下降的问题。
本申请实施例提供一种显示面板,所述显示面板包括:
阵列基板;
多个像素,设置在所述阵列基板一侧;
面阴极,设置在所述像素远离阵列基板的一侧;
辅助阴极,设置在所述面阴极远离所述阵列基板一侧且与所述面阴极电连接,所述辅助阴极在阵列基板的正投影位于多个所述像素在阵列基板的多个正投影之间。
可选的,所述面阴极的单位长度的电阻大于所述辅助阴极的单位长度的电阻。
可选的,所述辅助阴极的厚度大于所述面阴极的厚度。
可选的,所述面阴极的电阻率大于所述辅助阴极的电阻率。
可选的,所述显示面板还包括:
Bank层,所述Bank层设置在阵列基板上,所述Bank层包括多个相互间隔设置的第一Bank部,多个所述第一Bank部将多个所述像素中任意两个所述像素分隔开,所述辅助阴极的正投影位于所述第一Bank部内。
可选的,所述像素包括多个子像素;
所述Bank层还包括多个相互间隔设置的第二Bank部,多个所述第二Bank部位于相邻的所述第一Bank部之间,且多个子像素被相邻的所述第二Bank部隔开设置。
可选的,所述第一Bank部的宽度大于所述第二Bank部的宽度。
本申请实施例还提供一种显示装置,所述显示装置包括上述任一项所述的显示面板。
本申请实施例还提供一种显示面板的制备方法,所述制备方法包括:
制备阵列基板;
所述阵列基板上设置有多个像素;
在所述像素远离所述阵列基板的一侧设置面阴极;
在所述面阴极远离所述阵列基板的一侧设置辅助阴极,且使所述面阴极与所述辅助阴极电连接,所述辅助阴极在所述阵列基板的正投影位于多个所述像素在所述阵列基板的多个正投影之间。
可选的,所述在所述阵列基板上设置面阴极之前,所述制备方法包括:
在所述阵列基板上设置阳极;
在所述阳极远离所述阵列基板的一侧设置Bank层,所述Bank层包括相互间隔设置的多个第一Bank部和多个第二Bank部,所述第一Bank部在所述阵列基板的正投影部分位于所述像素在所述阵列基板的正投影之间,所述辅助阴极的正投影位于所述第一Bank部内,多个所述第二Bank部位于相邻的所述第一Bank部之间;
在相邻的所述第一Bank部之间设置多个所述像素,在相邻的所述第二Bank部之间设置多个子像素,所述多个子像素构成一个所述像素。
本申请的有益效果在于:本申请实施例提供的显示面板包括阵列基板、辅助阴极和面阴极。其中,辅助阴极设置在面阴极远离阵列基板的一侧,且辅助阴极的正投影位于像素之间的间隙内,通过将辅助阴极与面阴极连接,可以降低整个阴极的电阻,进而可以解决因为面阴极的电阻较大而导致显示面板亮度均匀性下降的问题,另辅助阴极设置在阵列基板上,可以使得加工工艺更加简单,不影响封装效果。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单的介绍。显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对本领域技术人员来说,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
为了更完整地理解本申请及其有益效果,下面将结合附图来进行说明。其中,在下面的描述中相同的附图标号表示相同部分。
图1为本申请实施例提供的显示面板的结构示意图;
图2为图1所示的显示面板的俯视图;
图3为本申请实施例提供的显示面板的制备方法的第一流程示意图;
图4为本申请实施例提供的显示面板的制备方法的第二流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。顶发射OLED产品的面阴极采用透明阴极,存在阴极电阻较大使面板亮度均匀性下降的问题。常规的辅助阴极设计方式有两种:一是在阴极下方增加辅助阴极搭接孔,这种方式的主要局限点是辅助阴极与阴极的搭接效果;二是在盖板玻璃上增加辅助阴极,利用金属并联降低电阻的原理来降低阴极的等效电阻。其中,第二种方式的主要局限点是上层辅助阴极的制备困难,以及容易影响封装效果。
因此,为了解决上述问题,本申请提出了一种显示面板、显示装置和显示面板的制备方法。下面结合附图和实施方式对本申请作进一步说明。
请参阅图1和图2,图1为本申请实施例提供的显示面板的结构示意图,图2为图1所示的显示面板的俯视图。本申请实施例提供一种显示面板100,显示面板100包括阵列基板10、辅助阴极50和面阴极40。其中,阵列基板10一侧设置有多个像素30,辅助阴极50设置在像素30远离阵列基板10一侧,且辅助阴极50的在阵列基板10上的正投影位于多个像素30在阵列基板10的多个正投影之间的间隙内,面阴极40设置在辅助阴极50和阵列基板10之间,且面阴极40与辅助阴极50连接。通过将辅助阴极50与面阴极40连接,可以降低面阴极40的电阻,进而可以解决因为面阴极40的电阻较大而导致显示面板100亮度均匀性下降的问题,另辅助阴极50设置在阵列基板10上,相比于现有技术中在盖板玻璃上增加辅助阴极50,产生的上层辅助阴极50制备困难的问题,可以使得加工工艺更加简单,不影响封装效果。
需要说明的是,辅助阴极50在阵列基板10上的正投影位于多个像素30在阵列基板10的多个正投影之间的间隙内,即辅助阴极50设置于非显示区,因此,辅助阴极50的存在不会影响OLED器件的发光。
面阴极40的电阻与辅助阴极50的电阻并联,通过将面阴极40的电阻和辅助阴极50的电阻并联,可以使得整个阴极的电阻变小,进而解决了因为阴极电阻过大导致显示面板100不均匀的问题。
在一些实施例中,面阴极40单位长度的电阻大于辅助阴极50单位长度的电阻,通过并联一个电阻更小的辅助阴极50可以使得阴极的等效电阻更小,进而使得降低面阴极40的效果更好。
在一些实施例中,在面阴极40的厚度和辅助阴极50的厚度一致时,通过将面阴极40的组成材料和辅助阴极50的组成材料设置不一样,即,将组成面阴极40的材料的电阻率大于组成辅助阴极50的材料的电阻率,进而使得辅助阴极50的电阻更小。示例性的,辅助阴极50的组成材料可以是Ag、Mo、Al、Cu和Mo中的任意一种或多种,面阴极40的组成材料为ITO、ITO或者IZO等等。可以理解的是,面阴极40的组成材料和辅助阴极50的组成材料可以根据实际情况进行设置,在此不作具体地限定,只需要满足面阴极40为透明材料且辅助阴极50的电阻更小即可。
在一些实施例中,当面阴极40的组成材料和辅助阴极50的组成材料设置一样时,通过将辅助阴极50的厚度设置成大于面阴极40的厚度,进而可以使得辅助阴极50的电阻更小。
在其他一些实施例中,通过将组成面阴极40的材料的电阻率设置成大于组成辅助阴极50的材料的电阻率,且将辅助阴极50的厚度设置成大于面阴极40的厚度,进而可以使得辅助阴极50的电阻远远小于面阴极40的电阻,因此,阴极的等效电阻更小,进而使得降低面阴极40的效果更好。
辅助阴极50的截面形状为圆形、椭圆形、正方形、长方形或梯形中的任一种,辅助阴极50的具体形状根据实际情况进行设置,在此不作具体的限制。
显示面板100还包括Bank层60,Bank层60设置在阵列基板10上,Bank层60包括多个第一Bank部610和多个第二Bank部620,第一Bank部610在阵列基板10的正投影部分位于多个像素30在阵列基板10的多个正投影之间的间隙内,第一Bank部610用于将多个像素30相互隔开设置。多个相互间隔设置的第二Bank部620位于相邻的第一Bank部610之间,第二Bank部620用于将每个像素30里的多个子像素30相互隔开设置。
示例性的,本实施例以像素30包括红子像素310、绿子像素320和蓝子像素330为例进行说明。两个相邻间隔设置的第一Bank部610将相邻设置的两个像素30分开设置,而两个相邻间隔设置的第一Bank部610之间包括两个间隔设置的第二Bank部620,通过间隔设置的第二Bank部620将红子像素310、绿子像素320和蓝子像素330隔开设置。
需要说明的是,本实施例以像素30包括红子像素310、绿子像素320和蓝子像素330为例进行说明,而不应理解为对像素30的限定。其中像素30可以包括其他颜色的子像素,或者不同数量的子像素,在此不作具体的限制,根据实际情况进行设计。
其中,每个红子像素310、绿子像素320和蓝子像素330的大小、宽度或厚度需根据实际应用进行设置,在此不作具体的限制。
辅助阴极50在阵列基板10的正投影位于第一Bank部610在阵列基板10内。通过将辅助阴极50设置在第一Bank部610上,辅助阴极50设置于非显示区,因此,辅助阴极50的存在不会影响OLED器件的发光。
在一些实施例中,第一Bank部610的宽度大于第二Bank部620的宽度,通过将第一Bank部610的宽度设置的大于第二Bank部620的宽度,可以在第一Bank部610远离阵列基板10的一侧更好的设置辅助阴极50。且第一Bank部610的宽度大,可以将辅助阴极50的宽度设置的更大,进而可以使得辅助阴极50和面阴极40并联后的等效电阻更小。
显示面板100还包括阳极20,阳极20设置在阵列基板10靠近面阴极40的一侧。
本申请实施例通过将辅助阴极50与面阴极40连接,可以降低面阴极40的电阻,并通过将面阴极40单位长度的电阻大于辅助阴极50单位长度的电阻,将组成面阴极40的材料的电阻率大于组成辅助阴极50的材料的电阻率,将辅助阴极50的厚度设置成大于面阴极40的厚度,进一步的使辅助阴极50的电阻更小于面阴极40的电阻,进而使得辅助阴极50与面阴极40的等效电阻更小,进而降低面阴极40的电阻,解决因为面阴极40的电阻较大而导致显示面板100亮度均匀性下降的问题,另辅助阴极50设置在阵列基板10上,相比于现有技术中在盖板玻璃上增加辅助阴极50,产生的上层辅助阴极50制备困难的问题,可以使得加工工艺更加简单,不影响封装效果。
本申请实施例还提供一种显示装置,该显示装置包括上述任一项所述的显示面板100。
请继续参阅图3,图3为本申请实施例提供的显示面板的制备方法的第一流程示意图。本申请实施例还提供一种显示面板的制备方法,应用于显示面板100,具体的制备流程如下:
101、制备阵列基板。
制备阵列基板10,其中,阵列基板10包括多个间隔设置的显示区和非显示区。
102、在阵列基板上设置多个像素。
在阵列基板10的每一显示区内设置多个像素30,每个像素30包括多个相互间隔设置的子像素,本实施例以像素30包括红子像素310、绿子像素320和蓝子像素330为例进行说明,而不应理解为对像素30的限定。
阵列基板10还包括与多个像素30一一对应的像素30电路,像素30电路包括晶体管和电容。晶体管包括半导体层、栅电极、源电极和漏电极。电容103包括上极板和下极板。
103、在像素远离阵列基板的一侧设置面阴极。
在像素30远离阵列基板10的一侧用蒸镀或溅镀方式制备整面阴极40,作为OLED器件的阴极。
说要说明的是,在阵列基板10上设置面阴极40之前,制备方法包括以下步骤,请继续参阅图4,图4为本申请实施例提供的显示面板100的制备方法的第二流程示意图。
201、在阵列基板上设置阳极。
在阵列基板10上设置阳极20,并定义像素30开口区位置,即像素30层的发光面。
202、在阳极远离阵列基板的一侧设置Bank层,Bank层包括相互间隔设置的多个第一Bank部和多个第二Bank部,每个第一Bank部在阵列基板的正投影部分位于多个像素在阵列基板之间的间隙内,每个第二Bank部的正投影位于相邻的第一Bank部之间,一辅助阴极的正投影位于一第一Bank部内。
在阳极20远离阵列基板10的一侧设置Bank层60。示例性的,在阳极20远离阵列基板10的一侧设置多个相互间隔设置的第一Bank部610,并在间隔设置的相邻第一Bank部610之间设置多个相互间隔的第二Bank部620,使得每个第一Bank部610在阵列基板10上的正投影部分位于多个像素30在阵列基板10上的多个正投影之间的间隙内,每个第二Bank部620的位于相邻的第一Bank部610之间。
需要说明的是,第一Bank部610的宽度大于第二Bank部620的宽度,通过将第一Bank部610的宽度设置的大于第二Bank部620的宽度,可以在第一Bank部610远离阵列基板10的一侧更好的设置辅助阴极50。
203、在相邻的第一Bank部之间设置多个像素,在相邻的第二Bank部之间设置多个子像素,多个子像素构成一个像素。
用打印或者蒸镀的方式在相邻的第一Bank部610之间设置多个像素30,用打印或者蒸镀的方式在相邻的第二Bank部620之间设置多个子像素30,其中,多个子像素30构成一个像素30。
104、在面阴极远离阵列基板的一侧设置辅助阴极,且使所述辅助阴极与所述面阴极电连接,辅助阴极在阵列基板的正投影位于多个像素在阵列基板的多个正投影之间。
采用Fine Mask方式在面阴极40远离第一Bank部610的一侧蒸镀或溅镀上辅助阴极50,且辅助阴极50的正投影落在像素30之间的间隙位置。
需要说明的是,辅助阴极50单位长度的电阻比面阴极40的单位长度的电阻低,在一些实施例中,组成面阴极40的材料的电阻率大于组成辅助阴极50的材料的电阻率。在一些实施例中,辅助阴极50的厚度比面阴极40的厚度厚。因此辅助阴极50的电阻会远低于面阴极40。通过将辅助阴极50与面阴极40连接,可以降低整个阴极的电阻,进而可以解决因为面阴极40的电阻较大而导致显示面板100亮度均匀性下降的问题,另辅助阴极50设置在阵列基板10上,可以使得加工工艺更加简单,不影响封装效果。
在显示面板100制作完成后,对其进行封装,因为导电层的厚度不会超过Cell封装盒厚,不会对产品的封装效果造成负面影响。因此,封装方式与无导电层时采用的封装方式相同。
以上对本申请实施例提供的一种显示模组的制备方法和显示面板进行了详细介绍。本文中应用了具体条例对本申请的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请。同时,对于本领域的技术人员,依据本申请的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上,本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (6)
1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括:
阵列基板;
多个像素,设置在所述阵列基板一侧,所述像素包括多个子像素;
面阴极,设置在所述像素远离阵列基板的一侧;
辅助阴极,设置在所述面阴极远离所述阵列基板一侧且与所述面阴极电连接,所述辅助阴极在阵列基板的正投影位于多个所述像素在阵列基板的多个正投影之间;
Bank层,所述Bank层设置在阵列基板上,所述Bank层包括多个相互间隔设置的第一Bank部和多个相互间隔设置的第二Bank部,多个所述第一Bank部将多个所述像素中任意两个所述像素分隔开,所述辅助阴极的正投影位于所述第一Bank部内,多个所述第二Bank部位于相邻的所述第一Bank部之间,且多个子像素被相邻的所述第二Bank部隔开设置;
其中,所述面阴极的单位长度的电阻大于所述辅助阴极的单位长度的电阻,所述第一Bank部的宽度大于所述第二Bank部的宽度。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述辅助阴极的厚度大于所述面阴极的厚度。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述面阴极的电阻率大于所述辅助阴极的电阻率。
4.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括如权利要求1-3中任一项所述的显示面板。
5.一种显示面板的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:
制备阵列基板;
在所述阵列基板上设置多个像素;
在所述阵列基板的一侧设置Bank层,所述Bank层包括相互间隔设置的多个第一Bank部和多个第二Bank部,所述第一Bank部在所述阵列基板的正投影部分位于所述像素在所述阵列基板的正投影之间,辅助阴极的正投影位于所述第一Bank部内,多个所述第二Bank部位于相邻的所述第一Bank部之间;
在相邻的所述第一Bank部之间设置多个所述像素,在相邻的所述第二Bank部之间设置多个子像素,所述多个子像素构成一个所述像素;
在所述像素远离所述阵列基板的一侧设置面阴极;
在所述面阴极远离所述阵列基板的一侧设置辅助阴极,且使所述辅助阴极与所述面阴极电连接,所述辅助阴极在所述阵列基板的正投影位于多个所述像素在所述阵列基板的多个正投影之间。
6.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述在所述阵列基板的一侧设置Bank层之前,所述制备方法包括:
在所述阵列基板上设置阳极。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202111506583.1A CN114203788B (zh) | 2021-12-10 | 2021-12-10 | 显示面板、显示装置和显示面板的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN114203788A CN114203788A (zh) | 2022-03-18 |
CN114203788B true CN114203788B (zh) | 2023-06-30 |
Family
ID=80652105
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202111506583.1A Active CN114203788B (zh) | 2021-12-10 | 2021-12-10 | 显示面板、显示装置和显示面板的制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN114203788B (zh) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107565048A (zh) * | 2017-08-24 | 2018-01-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板的制备方法、阵列基板和显示装置 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102020805B1 (ko) * | 2012-12-28 | 2019-09-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | 투명 유기 발광 표시 장치 및 투명 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
KR101795579B1 (ko) * | 2015-11-10 | 2017-11-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
CN207082555U (zh) * | 2017-08-28 | 2018-03-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及显示面板 |
CN110299387A (zh) * | 2019-06-21 | 2019-10-01 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及制备方法 |
CN110459580A (zh) * | 2019-08-22 | 2019-11-15 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 显示装置、显示面板及其制造方法 |
CN111625130B (zh) * | 2020-05-15 | 2021-09-24 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 触控显示面板及触控显示装置 |
CN111584600A (zh) * | 2020-05-27 | 2020-08-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
CN112002822A (zh) * | 2020-08-11 | 2020-11-27 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
CN112802975B (zh) * | 2020-12-31 | 2022-11-29 | 上海天马微电子有限公司 | 一种显示面板、显示装置及阵列基板的制造方法 |
CN113394261A (zh) * | 2021-07-15 | 2021-09-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板、显示装置及制作方法 |
CN113629115B (zh) * | 2021-07-30 | 2022-11-01 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板、显示装置及显示面板的制作方法 |
-
2021
- 2021-12-10 CN CN202111506583.1A patent/CN114203788B/zh active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107565048A (zh) * | 2017-08-24 | 2018-01-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板的制备方法、阵列基板和显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN114203788A (zh) | 2022-03-18 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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GR01 | Patent grant | ||
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