CN114203731A - 阵列基板、显示面板及显示装置 - Google Patents

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CN114203731A
CN114203731A CN202111505753.4A CN202111505753A CN114203731A CN 114203731 A CN114203731 A CN 114203731A CN 202111505753 A CN202111505753 A CN 202111505753A CN 114203731 A CN114203731 A CN 114203731A
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黄勇潮
王庆贺
汪军
王海涛
冯硕
成军
郭磊
闫梁臣
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BOE Technology Group Co Ltd
Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd
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    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131Interconnections, e.g. wiring lines or terminals

Abstract

本公开涉及显示技术领域,公开了一种阵列基板、显示面板及显示装置;该阵列基板包括衬底基板、第一导线、绝缘层及第二导线;第一导线设于衬底基板的一侧;绝缘层设于第一导线远离衬底基板的一侧,绝缘层上设置有第一过孔,第一过孔连通至第一导线;第二导线设于绝缘层远离衬底基板的一侧,第二导线通过第一过孔与第一导线连接,第二导线包括第一部分和第二部分,第一部分和第二部分在第一方向上相互连接,在第二方向第二部分的宽度大于第一部分的宽度,第二方向与第一方向相交,第一过孔在衬底基板上的正投影位于第二部分在衬底基板上的正投影之内。该阵列基板避免对第一过孔内的金属材料进行刻蚀,避免对导电效果的影响,不会影响开口率。

Description

阵列基板、显示面板及显示装置
技术领域
本公开涉及显示技术领域,具体而言,涉及一种阵列基板、包括该阵列基板的显示面板及包括该显示面板的显示装置。
背景技术
AMOLED(Active-matrix organic light-emitting diode,有源矩阵有机发光二极体或主动矩阵有机发光二极体)显示装置,具有更宽的视角、更高的刷新率和更薄的尺寸,因此,在各个领域得到广泛应用。
随着分辨率的提高,各种信号线的分布越来越密集,信号线的宽度越来越细;容易出现信号线连接不良,从而影响显示效果。
需要说明的是,在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解,因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本公开的目的在于克服上述现有技术的信号线连接不良的不足,提供一种信号线连接较好的阵列基板、包括该阵列基板的显示面板及包括该显示面板的显示装置。
根据本公开的一个方面,提供了一种阵列基板,包括:
衬底基板;
第一导线,设于所述衬底基板的一侧;
绝缘层,设于所述第一导线远离所述衬底基板的一侧,所述绝缘层上设置有第一过孔,所述第一过孔连通至所述第一导线;
第二导线,设于所述绝缘层远离所述衬底基板的一侧,所述第二导线通过所述第一过孔与所述第一导线连接,所述第二导线包括第一部分和第二部分,所述第一部分和所述第二部分在第一方向上相互连接,所述第二部分在第二方向的宽度大于所述第一部分在第二方向的宽度,所述第二方向与所述第一方向相交,所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影位于所述第二部分在所述衬底基板上的正投影之内。
在本公开的一种示例性实施例中,所述第一导线和所述第二导线沿所述第一方向延伸,多个所述第一过孔沿所述第一方向排列形成至少两列过孔组,至少两列所述过孔组在所述第二方向上相邻设置,相邻两列所述过孔组的至少部分所述第一过孔错位设置。
在本公开的一种示例性实施例中,一列所述过孔组对应一条所述第一导线和一条所述第二导线,相邻的两条所述第二导线的至少部分所述第二部分错位设置。
在本公开的一种示例性实施例中,所述第二部分包括:
本体部,其相对两端对应与两个所述第一部分连接,所述本体部的宽度等于所述第一部分的宽度;
两个突出部,连接于所述本体部,且位于所述本体部的宽度方向的相对两侧。
在本公开的一种示例性实施例中,所述突出部远离所述本体部的边沿线设置为曲线,所述曲线向远离所述本体部一侧突出。
在本公开的一种示例性实施例中,所述曲线为圆弧线或椭圆弧线。
在本公开的一种示例性实施例中,第二导线为数据线、电源线中的一种或两种。
在本公开的一种示例性实施例中,所述阵列基板还包括:
遮光层,设于所述衬底基板的一侧;
缓冲层,设于所述遮光层远离所述衬底基板的一侧;
有源层,设于所述缓冲层远离所述衬底基板的一侧;
栅绝缘层,设于所述有源层远离所述衬底基板的一侧;
栅极,设于所述栅绝缘层远离所述衬底基板的一侧,所述绝缘层设于所述栅极远离所述衬底基板的一侧;
源极和漏极,设于所述绝缘层远离所述衬底基板的一侧。
在本公开的一种示例性实施例中,所述第一导线与所述栅极同层同材料设置。
在本公开的一种示例性实施例中,所述第二导线与所述源极和漏极同层同材料设置。
根据本公开的另一个方面,提供了一种显示面板,包括:上述任意一项所述的阵列基板。
根据本公开的再一个方面,提供了一种显示装置,包括:上述所述的显示面板。
本公开的阵列基板,第二导线通过第一过孔与第一导线连接,第二导线包括第一部分和第二部分,第二部分的宽度大于第一部分的宽度,第一过孔在衬底基板上的正投影位于第二部分在衬底基板上的正投影之内。一方面,第一导线与第二导线连接结构的电阻相对于第二导线的电阻减小很多,从而提高导电效果,进而提高显示效果。另一方面,在刻蚀形成第二导线的过程中,即使在掩模板略微偏移的情况下,由于设置的第二部分的宽度较宽,因此,需要形成的第二导线的第二部分可以将第一过孔完全遮挡,避免对第一过孔内的金属材料进行刻蚀,从而避免第二导线与第一导线的连接不良,避免对导电效果的影响,进而避免影响显示效果。再一方面,第二导线只是第二部分的宽度加宽,不会影响开口面积,从而不会影响开口率。
应当理解的是,以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的,并不能限制本公开。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分,示出了符合本公开的实施例,并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为发明人发现出现信号线连接不良的阵列基板的结构示意图。
图2为本公开阵列基板一示例实施方式的结构示意图。
图3为本公开阵列基板中的第二导线略微偏移的结构示意图。
图4为本公开阵列基板另一示例实施方式的俯视结构示意图。
图5为图4中两条第二导线相邻配合的结构示意图。
图6为本公开阵列基板中两条第二导线配合另一示例实施方式的俯视结构示意图。
图7为本公开阵列基板中两条第二导线配合又一示例实施方式的俯视结构示意图。
图8为本公开显示面板一示例实施方式的结构示意图。
附图标记说明:
1、阵列基板;101、衬底基板;102、遮光层;103、缓冲层;104、有源层;1041、导体部;1042、沟道部;105、栅绝缘层;106、栅极;107、第一导线;108、绝缘层;1081、第一过孔;1082、第二过孔;109、源极;110、漏极;111、第二导线;1111、第一部分;1112、第二部分;1112a、本体部;1112b、突出部;112、保护层;1121、第三过孔;113、栅线;114、数据线;115、电源线;
2、第一电极;
3、像素介定层;31、第四过孔;
4、发光层;5、第二电极;6、封装层组;
X、第二方向;Y、第一方向。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而,示例实施方式能够以多种形式实施,且不应被理解为限于在此阐述的实施方式;相反,提供这些实施方式使得本公开将全面和完整,并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构,因而将省略它们的详细描述。此外,附图仅为本公开的示意性图解,并非一定是按比例绘制。
虽然本说明书中使用相对性的用语,例如“上”“下”来描述图标的一个组件对于另一组件的相对关系,但是这些术语用于本说明书中仅出于方便,例如根据附图中所述的示例的方向。能理解的是,如果将图标的装置翻转使其上下颠倒,则所叙述在“上”的组件将会成为在“下”的组件。当某结构在其它结构“上”时,有可能是指某结构一体形成于其它结构上,或指某结构“直接”设置在其它结构上,或指某结构通过另一结构“间接”设置在其它结构上。
用语“一个”、“一”、“该”、“所述”和“至少一个”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等;用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等;用语“第一”、“第二”和“第三”等仅作为标记使用,不是对其对象的数量限制。
参照图1所示,发明人发现:导致信号线连接不良的原因是在刻蚀形成第二导线111时,由于第二导线111设计的较窄,需要保留的第二导线111没有完全覆盖第一过孔1081,在刻蚀形成第二导线111时,会对第一过孔1081内的金属材料以及第一导线107进行刻蚀,从而出现信号线连接不良,影响导电效果。
本公开示例实施方式提供了一种阵列基板,如图2-图6所示,该阵列基板1可以包括衬底基板101、第一导线107、绝缘层108以及第二导线111;第一导线107设于衬底基板101的一侧;绝缘层108设于第一导线107远离衬底基板101的一侧,绝缘层108上设置有第一过孔1081,第一过孔1081连通至第一导线107;第二导线111设于绝缘层108远离衬底基板101的一侧,第二导线111通过第一过孔1081与第一导线107连接,第二导线111包括第一部分1111和第二部分1112,第一部分1111和第二部分1112在第一方向Y上相互连接,第二部分1112在第二方向的宽度K2大于第一部分1111在第二方向X的宽度K1,第一方向Y与第二方向X相交,第一过孔1081在衬底基板101上的正投影位于第二部分1112在衬底基板101上的正投影之内。
本公开的阵列基板1,一方面,第一导线107与第二导线111连接结构的电阻相对于第二导线111的电阻减小很多,从而提高导电效果,进而提高显示效果。另一方面,参照图3所示,在刻蚀形成第二导线111的过程中,即使在掩模板略微偏移的情况下,由于设置的第二部分1112的宽度较宽,因此,需要形成的第二导线111的第二部分1112可以将第一过孔1081完全遮挡,避免对第一过孔1081内的金属材料进行刻蚀,从而避免第二导线111与第一导线107的连接不良,避免对导电效果的影响,进而避免影响显示效果。再一方面,第二导线111只是第二部分1112的宽度加宽,不会影响开口面积,从而不会影响开口率。
在本示例实施方式中,衬底基板101的材料可以包括无机材料,例如,该无机材料可以为玻璃、石英或金属等。衬底基板101的材料还可以包括有机材料,例如,该有机材料可以为聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚醚砜、聚对苯二甲酸乙二醇酯和聚萘二甲酸乙二醇酯等树脂类材料。该衬底基板101可以由多个材料层形成,例如衬底基板101可以包括多层基底层,基底层的材料可以是上述的任意一种材料。当然,衬底基板101还可以设置为单层,可以是上述任一一种材料。
在本示例实施方式中,在衬底基板101的一侧设置有遮光层102,遮光层102的材质可以是金属。薄膜晶体管在衬底基板101上的正投影位于遮光层102在衬底基板101上的正投影内。从衬底基板101射入的光线会产生光生载流子,进而对薄膜晶体管的特性产生巨大影响,最终影响显示装置的显示画质;通过遮光层102可以遮挡从衬底基板101射入的光线,从而避免对薄膜晶体管的特性产生影响,避免影响显示装置的显示画质。
在本示例实施方式中,在遮光层102远离衬底基板101的一侧设置有缓冲层103,缓冲层103起到阻隔衬底基板101(特别是有机材料)中的水汽以及杂质离子的作用,并且起到为后续形成的有源层104增加氢离子的作用,缓冲层103的材质为绝缘材料,可以将遮光层102与有源层104绝缘隔离。
在缓冲层103远离衬底基板101的一侧设置有多个阵列排布的薄膜晶体管,薄膜晶体管可以包括有源层104、栅极106、源极109以及漏极。栅极106与栅线113连接,源极109或漏极与数据线114连接,下面对薄膜晶体管的具体结构进行详细说明。
在本示例实施方式中,在缓冲层103远离衬底基板101的一侧设置有有源层104,有源层104的材质可以是非晶硅、多晶硅、有机半导体材料以及无掺杂金属氧化物等等。有源层104可以包括沟道部1042和导体部1041,导体部1041可以设置为两个,两个导体部1041可以设置在沟道部1042的相对两侧。
在本示例实施方式中,在有源层104远离衬底基板101的一侧设置有栅绝缘层105。具体为,在沟道部1042的远离衬底基板101的一侧设置有栅绝缘层105,沟道部1042在衬底基板101上的正投影位于栅绝缘层105在衬底基板101上的正投影内,或沟道部1042在衬底基板1上的正投影与栅绝缘层105在衬底基板1上的正投影重合;即栅绝缘层105至少覆盖沟道部1042,当然,栅绝缘层105也可以覆盖整个阵列基板。
在本示例实施方式中,在栅绝缘层105远离衬底基板101的一侧设置有栅极106,栅极106的材质可以是金属。栅极106在衬底基板101上的正投影位于栅绝缘层105在衬底基板101上的正投影内,或栅极106在衬底基板101上的正投影与栅绝缘层105在衬底基板101上的正投影重合。通过栅绝缘层105将沟道部1042与栅极106绝缘隔离。
在形成栅极106的同时形成第一导线107,即第一导线107与栅极106同层同材料设置;第一导线107与栅极106没有连接。具体为:在栅绝缘层105远离衬底基板101的一侧通过涂覆、沉积等工艺形成栅极材料层;然后在栅极材料层远离衬底基板101的一侧涂覆光刻胶,在光刻胶远离衬底基板101的一侧安放掩模板,光照掩模板和光刻胶,去除掩模板,对光照后的光刻胶进行显影,以剩余的光刻胶为掩模层对栅极材料层进行刻蚀形成栅线113、栅极106和第一导线107,栅极106与栅线113连接,但是,栅极106与第一导线107没有连接。
参照图4所示,第一导线107可以设置在相邻两个子像素之间,而且在相邻两个子像素之间可以设置有一条第一导线107,第一导线107沿第一方向Y延伸。第一导线107的宽度大于等于4微米且小于等于10微米。第一导线107可以作为电源线115(VDD)的下层导线。
参照图4所示,在相邻两个子像素之间也可以设置有两条第一导线107,两条第一导线107均沿第一方向Y延伸,两条第一导线107在第二方向X上相邻设置,而且相邻两条第一导线107之间设置有第一间隙P1,第一间隙P1的宽度大于等于2微米且小于等于7微米。两条第一导线107可以对应作为两条数据线114的下层导线。当然,根据需要在相邻两个子像素之间也可以设置有更多条第一导线107。
在本示例实施方式中,在栅极106远离衬底基板101的一侧设置有绝缘层108,在绝缘层108上设置有第一过孔1081和第二过孔1082,第一过孔1081连通至第一导线107,使第一导线107的部分裸露。第二过孔1082连通至导体部1041,使导体部1041的部分裸露。绝缘层108可以是层间介电层。第一过孔1081和第二过孔1082可以通过光刻形成,光刻的具体过程上述已经进行了详细说明,因此,此处不再赘述。
第一过孔1081可以设置为多个。在相邻两个子像素之间设置有一条第一导线107的情况下,多个第一过孔1081沿第一方向Y排列可以形成一列过孔组,多个第一过孔1081均连通至第一导线107。第一过孔1081的与衬底基板101平行的截面形状可以是矩形、圆形、椭圆形等等。
参照图5所示,在相邻两个子像素之间设置有两条第一导线107的情况下,多个第一过孔1081沿第一方向Y排列可以形成两列过孔组,两列过孔组在第二方向X上相邻设置,一列过孔组与一条第一导线107对应设置。相邻两列过孔组的至少部分第一过孔1081错位设置,即位于同一列的相邻两个第一过孔1081之间设置有第二间隙P2,另一列过孔组的至少部分第一过孔1081与该第二间隙P2相对设置。第二间隙P2的宽度大于等于8微米且小于等于12微米,当然,此处的数据只是举例说明,第二间隙P2的宽度还可以是其他值,具体根据产品的尺寸和第一导线107的线宽而定。在两列过孔组之间的距离较大的情况下,相邻两列过孔组的第一过孔1081也可以不错位设置,即相邻两列过孔组的第一过孔1081也可以相对设置。
如此设置,可以避免在第二方向X上相邻的两个第一过孔1081形成在沿第二方向X延伸的一条直线上,在第一间隙P1的宽度相同的情况下,可以增加在第二方向X相邻的两个第一过孔1081之间的间距,避免两个第一过孔1081之间的间距过小而产生连通,从而导致信号错乱;而且,将第一过孔1081错位设置可以增加阵列基板1的强度。
在本示例实施方式中,在绝缘层108远离衬底基板101的一侧设置有源极109和漏极110,源极109和漏极110的材质可以是金属。在形成源极109和漏极110的同时形成第二导线111,即第二导线111与源极109和漏极110同层同材料设置。源极109和漏极110通过第二过孔1082对应与两个导体部1041连接。源极109和漏极110的制备工艺与栅极106的制备工艺相同,因此,此处不再赘述。
第二导线111通过绝缘层108上的第一过孔1081与第一导线107连接。第二导线111可以作为数据线114的上层导线,第二导线111与源极109或漏极110连接。第二导线111也可以作为电源线115(VDD)的上层导线。即第一导线107与第二导线111共同形成数据线114或电源线115。第一导线107的接入使得数据线114和电源线115的电阻减小,从而提高导电效果,进而提高显示效果。而且,多个第一过孔1081使得第一导线107与第二导线111多处连接,进一步减小数据线114和电源线115的电阻,进一步提高导电效果,以及提高显示效果。
第二导线111沿第一方向Y延伸,即第二导线111的长度方向为第一方向Y,第二导线111的宽度方向为第二方向X,第一方向Y与第二方向X相交,例如,第一方向Y与第二方向X可以垂直。
第二导线111可以包括第一部分1111和第二部分1112,第一部分1111和第二部分1112在第一方向Y上相互连接。第二部分1112的数量可以与第一过孔1081的数量相同。第一部分1111的宽度大于等于3微米且小于等于6微米。第二部分1112的宽度大于等于5微米且小于等于9微米。
参照图5所示,第二部分1112的宽度K2大于第一部分1111的宽度K1,第一过孔1081在衬底基板101上的正投影位于第二部分1112在衬底基板101上的正投影之内,指的是第二部分1112与第一过孔1081相对设置,且第二部分1112的面积大于第一过孔1081的截面积,使得第二部分1112将第一过孔1081完全遮挡;在对源漏极材料层进行刻蚀形成源极109、漏极110和第二导线111的过程中,即使在掩模板略微偏移的情况下,由于设置的第二部分1112的宽度较宽,因此,需要形成的第二导线111的第二部分1112可以将第一过孔1081完全遮挡,避免对第一过孔1081内的金属材料以及第一导线107进行刻蚀,从而避免对导电效果的影响,避免影响显示效果。
需要说明的是,第一过孔1081在衬底基板101上的正投影位于第二部分1112在衬底基板101上的正投影之内,也可以是,第二部分1112与第一过孔1081相对设置,且第二部分1112在衬底基板101上的正投影的边沿与第一过孔1081在衬底基板101上的正投影的边沿有部分重叠或全部重叠,例如,第一过孔1081是方形孔,第一过孔1081的四个拐角刚好与第二部分1112的边沿重叠。同样也可以避免对第一过孔1081内的金属材料以及第一导线107进行刻蚀,从而避免对导电效果的影响,避免影响显示效果。
在相邻两个子像素之间的第一导线107设置为一条,多个第一过孔1081设置为一列过孔组的情况下,第二导线111可以设置为一条,即第二导线111、过孔组以及第一导线107三者之间是一一对应的关系。
在相邻两个子像素之间的第一导线107设置为两条,多个第一过孔1081设置为两列过孔组的情况下,第二导线111可以设置为两条。相邻的两条第二导线111的至少部分第二部分1112错位设置,即同一条第二导线111上的相邻两个第二部分1112之间设置有第三间隙P3,另一条第二导线111的第二部分1112与该第三间隙P3相对设置;即避免相邻两条第二导线111上的第二部分1112相对设置。第三间隙P3的宽度大于等于8微米且小于等于12微米。
由于第二部分1112的宽度比第一部分1111的宽度宽,相邻两条第二导线111上的第二部分1112相对设置后,相邻两条第二导线111上的第二部分1112很可能会连接为一体,从而导致信号错乱;如果要保证相邻两条第二导线111上的第二部分1112互不连接,需要提高制备工艺,从而导致成本较高,效率较低。相邻的两条第二导线111的第二部分1112错位设置,可以保证相邻两条第二导线111上的第二部分1112互不连接,而且不需要提高制备工艺,从而不会导致成本较高,效率较低。而且,可以保证开口面积,从而不会影响开口率。当然,在相邻两条第二导线111之间的距离较大的情况下,相邻两条第二导线111的第二部分1112也可以不错位设置,即相邻两条第二导线111的第二部分1112也可以相对设置。
第二部分可以包括本体部1112a和两个突出部1112b;本体部1112a的相对两端对应与两个第一部分1111连接,本体部1112a的宽度等于第一部分1111的宽度;即本体部1112a在第一方向Y上的相对两端对应与两个第一部分1111连接,本体部1112a在第二方向X的宽度等于第一部分1111在第二方向X的宽度。
两个突出部1112b连接于本体部1112a,且位于本体部1112a的宽度方向的相对两侧,即两个突出部1112b连接于本体部1112a在第二方向X的相对两侧。
突出部1112b远离本体部1112a的边沿线可以设置为曲线,即突出部1112b的与第二导线111延伸方向一致的边沿线可以设置为曲线;曲线向远离本体部1112a一侧突出,使得第二部分1112的宽度大于第一部分1111的宽度。具体地,突出部1112b的边沿线可以设置为圆弧线或椭圆弧线。
需要说明的是,图4只是示例性说明相邻的相邻两个第一导线107和相邻两个第二导线111可以设置在相邻两个像素之间,驱动一个像素最少需要一个2T1C电路,图中只是简要画出了薄膜晶体管的结构。
需要说明的是,参照图6所示,两个突出部1112b的边沿线可以相同,也可以不同;上述曲线不仅包括弧形曲线,还包括直线连接形成的曲线。因此,在本公开的其他示例实施方式中,参照图7所示,突出部1112b的边沿线可以设置为多条直线连接形成的梯形边沿线,当然也可以是矩形边沿线;还可以设置为由直线和圆弧线或椭圆弧线连接而成的其他形状。
在本示例实施方式中,在源极109和漏极110以及第二导线111远离衬底基板101的一侧设置有保护层112。保护层112可以对源极109和漏极110以及第二导线111进行保护。在保护层112上设置有第三过孔1121,第三过孔1121连通至源极109或漏极110。
需要说明的是,上述具体说明了顶栅型的薄膜晶体管,阵列基板1还可以包括底栅型的薄膜晶体管或双栅型的薄膜晶体管,上述第一导线107和第二导线111的具体结构也可以用于底栅型的薄膜晶体管或双栅型的薄膜晶体管。而且,上述数据只是举例说明,上述数据还可以取其他值,具体根据产品的尺寸而定。
可以理解的是,在使用极性相反的薄膜晶体管的情况或电路工作中的电流方向变化的情况等下,“源极”及“漏极”的功能有时互相调换。因此,在本说明书中,“源极”和“漏极”可以互相调换。
基于同一发明构思,本公开示例实施方式提供了一种显示面板,参照图8所示,该显示面板可以包括上述任意一项所述的阵列基板1。阵列基板1的具体结构上述已经进行了详细说明,因此,此处不再赘述。
该显示面板还可以包括第一电极2、像素介定层3、发光层4、第二电极5以及封装层组6。第一电极2设置在保护层112远离衬底基板101的一侧,第一电极2通过保护层112上的第三过孔1121与源极109或漏极110连接;第一电极2可以是阳极,第一电极2的材质可以是透明导电材料,例如,可以是ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)等等。像素介定层3设置在第一电极2远离衬底基板101的一侧,像素介定层3上设置有第四过孔31,第四过孔31连通至第一电极2,第四过孔31使部分第一电极2裸露。发光层4设置在第四过孔31内,发光层4与第一电极2连接。第二电极5设置在发光层4远离衬底基板101的一侧,第二电极5可以是阴极。
封装层组6设置在第二电极5远离衬底基板101的一侧。封装层组6可以包括有机层和无机层,有机层和无机层的层数以及层叠方式可以根据需要设置,在此不一一赘述。
基于同一发明构思,本公开示例实施方式提供了一种显示装置,该显示装置可以包括上述所述的显示面板。显示面板的具体结构上述已经进行了详细说明,因此,此处不再赘述。
而该显示装置的具体类型不受特别的限制,本领域常用的显示装置类型均可,具体例如手机等移动装置、手表等可穿戴设备、VR装置等等,本领域技术人员可根据该显示装置的具体用途进行相应地选择,在此不再赘述。
需要说明的是,该显示装置除了显示面板以外,还包括其他必要的部件和组成,以显示器为例,具体例如外壳、电路板、电源线,等等,本领域技术人员可根据该显示装置的具体使用要求进行相应地补充,在此不再赘述。
与现有技术相比,本发明示例实施方式提供的显示面板和显示装置的有益效果与上述示例实施方式提供的阵列基板1的有益效果相同,在此不做赘述。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后,将容易想到本公开的其它实施方案。本申请旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化,这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的,本公开的真正范围和精神由所附的权利要求指出。

Claims (12)

1.一种阵列基板,其特征在于,包括:
衬底基板;
第一导线,设于所述衬底基板的一侧;
绝缘层,设于所述第一导线远离所述衬底基板的一侧,所述绝缘层上设置有第一过孔,所述第一过孔连通至所述第一导线;
第二导线,设于所述绝缘层远离所述衬底基板的一侧,所述第二导线通过所述第一过孔与所述第一导线连接,所述第二导线包括第一部分和第二部分,所述第一部分和所述第二部分在第一方向上相互连接,所述第二部分在第二方向的宽度大于所述第一部分在第二方向的宽度,所述第二方向与所述第一方向相交,所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影位于所述第二部分在所述衬底基板上的正投影之内。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一导线和所述第二导线沿所述第一方向延伸,多个所述第一过孔沿所述第一方向排列形成至少两列过孔组,至少两列所述过孔组在所述第二方向上相邻设置,相邻两列所述过孔组的至少部分所述第一过孔错位设置。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,一列所述过孔组对应一条所述第一导线和一条所述第二导线,相邻的两条所述第二导线的至少部分所述第二部分错位设置。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第二部分包括:
本体部,其相对两端对应与两个所述第一部分连接,所述本体部的宽度等于所述第一部分的宽度;
两个突出部,连接于所述本体部,且位于所述本体部的宽度方向的相对两侧。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述突出部远离所述本体部的边沿线设置为曲线,所述曲线向远离所述本体部一侧突出。
6.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述曲线为圆弧线或椭圆弧线。
7.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,第二导线为数据线、电源线中的一种或两种。
8.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括:
遮光层,设于所述衬底基板的一侧;
缓冲层,设于所述遮光层远离所述衬底基板的一侧;
有源层,设于所述缓冲层远离所述衬底基板的一侧;
栅绝缘层,设于所述有源层远离所述衬底基板的一侧;
栅极,设于所述栅绝缘层远离所述衬底基板的一侧,所述绝缘层设于所述栅极远离所述衬底基板的一侧;
源极和漏极,设于所述绝缘层远离所述衬底基板的一侧。
9.根据权利要求8所述的阵列基板,其特征在于,所述第一导线与所述栅极同层同材料设置。
10.根据权利要求8所述的阵列基板,其特征在于,所述第二导线与所述源极和漏极同层同材料设置。
11.一种显示面板,其特征在于,包括:权利要求1~10任意一项所述的阵列基板。
12.一种显示装置,其特征在于,包括:权利要求11所述的显示面板。
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