CN114203534A - 处理装置和处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及处理装置和处理方法。提供一种能够控制基板上的反应活性种的浓度分布的技术。本公开的一技术方案的处理装置包括：大致圆筒形状的处理容器；处理气体喷嘴，其沿着所述处理容器的侧壁的内侧在该处理容器的长度方向上延伸设置；排气构造体，其与所述处理气体喷嘴相对地形成于所述处理容器的相反侧的侧壁；以及浓度调整用气体喷嘴，其朝向所述处理容器的中心喷出浓度调整用气体，在自所述长度方向俯视时，所述浓度调整用气体喷嘴在以所述处理容器的中心为基准的中心角中设于所述排气构造体所形成的角度范围内。

Description

处理装置和处理方法
技术领域
本公开涉及处理装置和处理方法。
背景技术
公知有一种具有气体分散喷嘴的成膜装置，该气体分散喷嘴沿着圆筒体状的处理容器的侧壁内侧在铅垂方向上延伸设置，并遍及与晶圆舟皿的晶圆支承范围对应的上下方向上的长度地形成有多个气体喷出孔(例如，参照专利文献1)。另外，公知有一种在与喷出原料气体的气体分散喷嘴所设置的位置不同的位置具有浓度调整用气体分散喷嘴的成膜装置(例如，参照专利文献2)。
专利文献1：日本特开2011-135044号公报
专利文献2：日本特开2018-195727号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开提供一种能够控制基板上的反应活性种的浓度分布的技术。
用于解决问题的方案
本公开的一技术方案的处理装置包括：大致圆筒形状的处理容器；处理气体喷嘴，其沿着所述处理容器的侧壁的内侧在该处理容器的长度方向上延伸设置；排气构造体，其与所述处理气体喷嘴相对地形成于所述处理容器的相反侧的侧壁；以及浓度调整用气体喷嘴，其朝向所述处理容器的中心喷出浓度调整用气体，在自所述长度方向俯视时，所述浓度调整用气体喷嘴在以所述处理容器的中心为基准的中心角中设于所述排气构造体所形成的角度范围内。
发明的效果
根据本公开，能够控制基板上的反应活性种的浓度分布。
附图说明
图1是表示实施方式的处理装置的一个例子的概略图。
图2是表示气体喷嘴的配置的一个例子的概略图。
图3是表示变更了N2气体喷嘴的位置时的原料气体浓度分布的分析结果的图。
图4是表示变更了N2气体喷嘴的位置时的原料气体浓度的分析结果的图。
图5是表示变更了排气构造体的形状时的原料气体浓度分布的分析结果的图。
图6是表示变更了排气构造体的形状时的原料气体浓度的分析结果的图。
图7是用于说明N2气体喷嘴的位置的图。
图8是表示变更了N2气体喷嘴的位置时的原料气体浓度分布的分析结果的图。
图9是表示变更了N2气体喷嘴的位置时的原料气体浓度的分析结果的图。
具体实施方式
以下，一边参照附图，一边说明本公开的非限定性的例示的实施方式。在所有附图中，对相同或对应的构件或部件标注相同或对应的附图标记，并省略重复的说明。
〔关于膜厚的面内分布〕
在设备设计微细化、复杂化中，在利用批量式纵型热处理装置进行的成膜处理中，针对晶圆上的所形成的表面积较大的图案，谋求以良好的面内均匀性形成膜。在纵型热处理装置中，自晶圆的周围朝向晶圆中心供给气体。由此，在晶圆端部，较多的气体被消耗，因此，相比于晶圆端部，气体难以到达晶圆中心。因此，晶圆中心的膜厚容易薄于晶圆端部的膜厚。
在以下的实施方式中，说明能够一边抑制晶圆中心的原料气体浓度的降低一边使晶圆端部的膜厚局部地变薄的处理装置和处理方法。
〔处理装置〕
参照图1和图2，说明实施方式的处理装置的一个例子。图1是表示实施方式的处理装置的一个例子的概略图。图2是表示气体喷嘴的配置的一个例子的概略图。
处理装置1包括处理容器10、处理气体供给部30、非活性气体供给部40、排气部50、排气构造体60、加热部70以及控制部90。
处理容器10包含内管11和外管12。内管11也被称作内层管，形成为下端开放的有顶的大致圆筒形状。内管11的顶部11a例如形成为平坦。外管12也被称作外层管，形成为下端开放并覆盖内管11的外侧的有顶的大致圆筒形状。内管11和外管12呈同轴状地配置而成为双重管构造。内管11和外管12例如由石英等耐热材料形成。
在内管11的一侧，沿着其长度方向(铅垂方向)形成有收容气体喷嘴的收容部13。对于收容部13，使内管11的侧壁的局部朝向外侧突出而形成凸部14，将凸部14内形成为收容部13。
与收容部13相对地，在内管11的相反侧的侧壁形成有排气构造体60。排气构造体60沿着内管11的长度方向(铅垂方向)收容气体喷嘴。对于排气构造体60，使内管11的侧壁的局部朝向外侧突出而形成突出部61，将突出部61内形成为收容部62。在突出部61的顶端的局部形成有排气狭缝63。排气狭缝63对内管11内的气体进行排气。排气狭缝63具有以内管11的长度方向(铅垂方向)为长边的矩形形状。排气狭缝63的长度形成为与后述的舟皿16的长度相同或长于舟皿16的长度地分别向上下方向延伸。
处理容器10收容舟皿16。舟皿16将多个基板在铅垂方向上具有间隔地保持为大致水平。基板例如可以是半导体晶圆(以下称作“晶圆W”)。
处理容器10的下端被例如由不锈钢形成的大致圆筒形状的歧管17支承。在歧管17的上端形成有凸缘18，在凸缘18上设置并支承外管12的下端。将O形密封圈等密封构件19介于外管12的下端与凸缘18之间而将外管12内设为气密状态。
在歧管17的上部的内壁设有圆环形状的支承部20。支承部20支承内管11的下端。在歧管17的下端的开口借助O形密封圈等密封构件22气密地安装有盖体21。盖体21气密地封堵处理容器10的下端的开口、即歧管17的开口。盖体21例如由不锈钢形成。
在盖体21的中央借助磁性流体密封件23贯穿地设有将舟皿16支承为能够旋转的旋转轴24。旋转轴24的下部被由舟皿升降机构成的升降机构25的臂25a支承为旋转自如。
在旋转轴24的上端设有旋转板26。在旋转板26上借助石英制的保温台27载置有保持晶圆W的舟皿16。因而，使升降机构25升降，从而盖体21和舟皿16一体地上下移动，能够使舟皿16相对于处理容器10内插拔。
处理气体供给部30向内管11内供给处理气体。处理气体供给部30具有多个(例如7个)气体喷嘴31～37。
多个气体喷嘴31～37在内管11的收容部13内沿着周向配置成一列。各气体喷嘴31～37在内管11内沿着该内管11的长度方向设置，并且各气体喷嘴31～37以其基端呈L字状弯曲并贯穿歧管17的方式被支承。在各气体喷嘴31～37沿着其长度方向空开规定的间隔地设有多个气体孔31a～37a。多个气体孔31a～37a例如朝向内管11的中心C侧(晶圆W侧)。
各气体喷嘴31～37自多个气体孔31a～37a朝向晶圆W大致水平地喷出各种处理气体，例如原料气体、反应气体、蚀刻气体、吹扫气体。原料气体例如可以是含有硅(Si)、金属的气体。反应气体是用于与原料气体反应而生成反应产物的气体，例如可以是含有氧、氮的气体。蚀刻气体是用于对各种膜进行蚀刻的气体，例如可以是含有氟、氯、溴等卤素的气体。吹扫气体是用于吹扫在处理容器10内残留的原料气体、反应气体的气体，例如可以是非活性气体。
非活性气体供给部40向内管11内供给非活性气体。非活性气体供给部40具有两个气体喷嘴41、42。
气体喷嘴41、42在排气构造体60的收容部62内相对于将内管11的中心C和排气构造体60(排气狭缝63)的中心连结的直线L对称地配置。各气体喷嘴41、42在内管11内沿着该内管11的长度方向设置，并且各气体喷嘴41、42以其基端呈L字状弯曲并贯穿歧管17的方式被支承。在各气体喷嘴41、42沿着其长度方向空开规定的间隔地设有多个气体孔41a、42a。多个气体孔41a、42a例如设有与多个气体孔34a相同的数量，并且设于与多个气体孔34a相同的高度位置。多个气体孔41a、42a例如朝向内管11的中心C侧(晶圆W侧)。
各气体喷嘴41、42自多个气体孔41a、42a朝向晶圆W大致水平地喷出非活性气体。非活性气体例如可以是氮(N2)气体、氩(Ar)气体。
在自内管11的长度方向俯视时，气体喷嘴41、42在以内管11的中心C为基准的中心角中设于排气构造体60所形成的角度范围θR内。例如，在自内管11的长度方向俯视时，在将气体喷嘴34的位置设为以内管11的中心为基准的中心角为0°的起点时，气体喷嘴41、42设于该中心角为150°以上且180℃以下的范围内。即，气体喷嘴41设于将内管11的中心C和气体喷嘴34的中心连结的线段与将内管11的中心C和气体喷嘴41的中心连结的线段所成的角度θ1为150°以上且180°以下的位置。气体喷嘴42设于将内管11的中心C和气体喷嘴34的中心连结的线段与将内管11的中心C和气体喷嘴42的中心连结的线段所成的角度θ2为150°以上且180°以下的位置。由此，能够一边抑制由自气体喷嘴41、42供给的非活性气体引起的晶圆中心的处理气体浓度的降低一边使晶圆端部的处理气体浓度降低。另外，从能够尤其地抑制由自气体喷嘴41、42供给的非活性气体引起的晶圆中心的处理气体浓度的降低的观点来看，角度θ1和角度θ2优选为170°以上且为180°以下。
排气部50对自内管11内借助排气狭缝63排出并借助内管11与外管12之间的空间P1自气体出口28排出的气体进行排气。气体出口28形成于歧管17的上部的侧壁且是支承部20的上方。在气体出口28连接有排气通路51。在排气通路51依次设有压力调整阀52和真空泵53，而能够对处理容器10内进行排气。
加热部70设于外管12的周围。加热部70例如设于底板(未图示)上。加热部70以覆盖外管12的方式具有大致圆筒形状。加热部70例如包含发热元件，对处理容器10内的晶圆W进行加热。
控制部90控制处理装置1的各部分的动作。控制部90例如可以是计算机。进行处理装置1的各部分的动作的计算机的程序存储于存储介质。存储介质例如可以是软盘、光盘、硬盘、闪存、DVD等。
〔处理方法〕
作为实施方式的处理方法的一个例子，说明使用图1和图2所示的处理装置1并利用原子层沉积(ALD：Atomic Layer Deposition)法在晶圆W形成硅氧化膜的方法。
首先，控制部90控制升降机构25，将保持有多个晶圆W的舟皿16向处理容器10内送入，并利用盖体21气密地封堵处理容器10的下端的开口，从而密闭。
接下来，控制部90以预先确定的次数重复进行包含供给原料气体的工序S1、进行吹扫的工序S2、供给反应气体的工序S3以及进行吹扫的工序S4在内的循环，从而在多个晶圆W形成具有期望的膜厚的硅氧化膜。
在工序S1中，自气体喷嘴34向处理容器10内喷出作为原料气体的含硅气体，从而使含硅气体吸附于多个晶圆W。此时，自气体喷嘴41、42向处理容器10内喷出作为非活性气体的N2气体。
在工序S2中，利用重复进行气体置换和真空抽吸的循环吹扫，将在处理容器10内残留的含硅气体等排出。气体置换为自7个气体喷嘴31～37中的至少一者向处理容器10内供给吹扫气体的动作。真空抽吸为利用真空泵53对处理容器10内进行排气的动作。
在工序S3中，自气体喷嘴31～37中的至少一者向处理容器10内喷出作为反应气体的氧化气体，从而利用氧化气体使吸附于多个晶圆W的硅原料气体氧化。此时，也可以自气体喷嘴41、42向处理容器10内喷出非活性气体，也可以不喷出。
在工序S4中，利用重复进行气体置换和真空抽吸的循环吹扫，将在处理容器10内残留的氧化气体等排出。工序S4可以与工序S2相同。
在以预先确定的次数重复进行了包含工序S1～S4在内的ALD循环之后，控制部90控制升降机构25，将舟皿16自处理容器10内送出。
作为实施方式的处理方法的另一例子，说明使用图1和图2所示的处理装置1并利用化学气相沉积(CVD：Chemical Vapor Deposition)法在晶圆W形成硅膜的方法。
首先，控制部90控制升降机构25，将保持有多个晶圆W的舟皿16向处理容器10内送入，并利用盖体21气密地封堵处理容器10的下端的开口，从而密闭。
接下来，控制部90自气体喷嘴34向处理容器10内喷出作为原料气体的含硅气体，从而在晶圆W上形成具有期望的膜厚的硅膜。此时，自气体喷嘴41、42向处理容器10内喷出N2气体。
接下来，控制部90控制升降机构25，将舟皿16自处理容器10内送出。
根据以上说明了的实施方式，在自内管11的长度方向俯视时，气体喷嘴41、42在以内管11的中心C为基准的中心角中设于排气构造体60所形成的角度范围θR内。由此，在自气体喷嘴34向处理容器10内喷出原料气体时，能够自设于排气构造体60所形成的角度范围θR内的气体喷嘴41、42供给非活性气体。其结果，能够一边抑制由自气体喷嘴41、42供给的非活性气体引起的晶圆中心的原料气体浓度的降低一边使晶圆端部的原料气体浓度降低。
另外，通过改变自气体喷嘴41、42喷出的非活性气体的流量，能够调整晶圆端部的原料气体浓度，因此能够容易地形成具有期望的膜厚分布的膜。
〔模拟结果〕
首先，在如图1和图2所示的批量式纵型热处理装置中，对于变更了N2气体喷嘴的位置和N2气体的流量(以下称作“N2流量”)的情况下的处理容器内的原料气体浓度分布，利用热流体分析实施了模拟。以下为模拟条件。
＜模拟条件＞
N2气体喷嘴的位置：30°、60°、120°、175°；
每一个喷嘴的N2流量：1000sccm、2000sccm、3000sccm。
其中，N2气体喷嘴的位置由在自处理容器的长度方向俯视时将原料气体喷嘴的位置设为以处理容器的中心为基准的中心角为0°的起点时的角度表示。
图3是表示变更了N2气体喷嘴的位置时的原料气体浓度分布的分析结果的图。在图3中，表示变更了N2气体喷嘴的位置和N2流量时的晶圆上的原料气体浓度分布的分析结果。在图3中，自上层起依次表示N2气体喷嘴的位置为30°、60°、120°、175°的情况下的分析结果。另外，在图3中，自左列起依次表示N2气体喷嘴的位置、N2气体喷嘴的位置的说明图、N2流量为1000sccm、2000sccm、3000sccm时的原料气体浓度分布的分析结果。在N2气体喷嘴的位置的说明图中，用虚线的箭头表示原料气体喷嘴所喷出的原料气体的喷出方向，用实线的箭头表示N2气体喷嘴所喷出的N2气体的喷出方向。在原料气体浓度分布的分析结果中，针对每个条件，将原料气体的从最小浓度到最大浓度的范围分成多个等级地由灰度等级进行表示，颜色越深(越接近黑色)则表示浓度越高。
如图3所示，通过变更N2气体喷嘴的位置和N2流量，能够观察到晶圆上的原料气体浓度分布产生变化。具体而言，当N2气体喷嘴的位置为30°时，原料气体浓度以30°的位置为起点降低。当N2气体喷嘴的位置为60°时，原料气体浓度以60°的位置为起点降低。当N2气体喷嘴的位置为120°时，原料气体浓度以120°的位置为起点降低。当N2气体喷嘴的位置为175°时，原料气体浓度以175°的位置为起点降低。如此，根据图3所示的分析结果，示出了，通过喷出N2气体，原料气体浓度以N2气体喷嘴的位置为起点降低。另外，如图3所示，越增大N2流量，则原料气体浓度越降低。如此，根据图3所示的分析结果，示出了，通过增大N2流量，能够降低晶圆端部的原料气体浓度。
图4是表示变更了N2气体喷嘴的位置时的原料气体浓度的分析结果的图。在图4中，横轴表示每一个喷嘴的N2流量[sccm]，纵轴表示晶圆上的原料气体浓度。晶圆上的原料气体浓度是以未喷出N2气体时的原料气体浓度标准化得到的值。
如图4所示，相比于未喷出N2气体的情况下的晶圆中心的原料气体浓度，N2气体喷嘴的位置为30°、60°、120°的情况下的晶圆中心的原料气体浓度较大程度地降低。认为这是起因于，原料气体和N2气体在晶圆上混合而将原料气体稀释，而使原料气体浓度降低。相对于此，相比于未喷出N2气体的情况下的晶圆中心的原料气体浓度，N2气体喷嘴的位置为175°的情况下的晶圆中心的原料气体浓度降低，但该降低量较少。如此，根据图4所示的分析结果，示出了，通过将N2气体喷嘴的位置设为175°，从而能够一边抑制由N2气体引起的晶圆中心的原料气体浓度的降低一边使晶圆端部的原料气体浓度降低。
如以上说明那样，通过将N2气体喷嘴的位置设定为175°，从而能够在将晶圆中心的原料气体浓度维持得较高的状态下，将晶圆端部的原料气体浓度调整得较低，因此，认为针对表面积较大的图案能够以良好的面内均匀性形成膜。
接着，在如图1和图2所示的批量式纵型热处理装置中，对于变更了排气构造体的形状的情况下的处理容器内的原料气体浓度分布，利用热流体分析实施了模拟。
在本模拟中，将N2气体喷嘴的位置固定为175°，并针对以下的三个水准X1、X2、X3，分析了将每一个喷嘴的N2流量变更为1000sccm、2000sccm、3000sccm时的原料气体浓度分布。此外，N2气体喷嘴的位置由在自处理容器的长度方向俯视时将原料气体喷嘴的位置设为以处理容器的中心为基准的中心角为0°的起点时的角度表示。
在水准X1中，排气构造体具有使处理容器的侧壁的局部朝向外侧突出而形成的突出部，在突出部的顶端的局部形成有排气狭缝，在突出部的内部(比排气狭缝靠近处理容器的中心的位置)配置有N2气体喷嘴。
在水准X2中，排气构造体具有使处理容器的侧壁的局部朝向外侧突出而形成的突出部，在突出部的整个顶端形成有排气狭缝，在突出部的内部(比排气狭缝靠近处理容器的中心的位置)配置有N2气体喷嘴。
在水准X3中，排气构造体由使处理容器的侧壁的局部开口而成的排气狭缝形成，在比排气狭缝远离处理容器的中心的位置配置有N2气体喷嘴。
此外，在所有水准X1～X3中，N2气体喷嘴在以处理容器的中心为基准的中心角中设于排气构造体所形成的角度范围内。
图5是表示变更了排气构造体的形状时的原料气体浓度分布的分析结果的图。在图5中，示出了针对水准X1～X3分别变更了N2流量时的晶圆上的原料气体浓度分布的分析结果。在图5中，从上层起依次表示水准X1、X2、X3的分析结果。在图5中，从左列起依次表示水准、N2气体喷嘴的位置的说明图、N2流量为1000sccm、2000sccm、3000sccm时的原料气体浓度分布的分析结果。在N2气体喷嘴的位置的说明图中，用虚线的箭头表示原料气体喷嘴所喷出的原料气体的喷出方向，用实线的箭头表示N2气体喷嘴所喷出的N2气体的喷出方向。在原料气体浓度分布的分析结果中，在所有条件下，由相同程度的灰度等级表示原料气体浓度，颜色越深(越接近黑色)则表示浓度越高。
图6是表示变更了排气构造体的形状时的原料气体浓度的分析结果的图。在图6中，横轴表示每一个喷嘴的N2流量[sccm]，纵轴表示晶圆上的原料气体浓度。晶圆上的原料气体浓度是以未喷出N2气体时的原料气体浓度标准化得到的值。
如图5和图6所示，在所有水准X1～X3中，将N2流量变更为1000sccm、2000sccm、3000sccm时的原料气体浓度分布的变化显示出大致相同的倾向。如此，根据图5所示的分析结果，示出了，重要的是N2气体喷嘴的位置为排气构造体的附近。更具体而言，示出了，若在N2气体喷嘴与晶圆之间没有遮蔽物，则无论N2气体喷嘴位于比排气狭缝靠近处理容器的中心的位置还是位于比排气狭缝远离处理容器的中心的位置，都能够获得大致同样的效果。
接着，在如图1和图2所示的批量式纵型热处理装置中，对于变更了N2气体喷嘴的位置和N2流量的情况下的处理容器内的原料气体浓度分布，利用热流体分析实施了模拟。以下为本模拟的条件。
＜模拟条件＞
N2气体喷嘴的位置：60°、90°、120°、130°、140°、150°、160°、170°、175°、180°；
每一个喷嘴的N2流量：1000sccm、2000sccm、3000sccm。
图7是用于说明N2气体喷嘴的位置的图。如图7所示，N2气体喷嘴的位置Y1由在自处理容器的长度方向俯视时将原料气体喷嘴的位置Y2设为以处理容器的中心为基准的中心角为0°的起点时的角度θ表示。
图8是表示变更了N2气体喷嘴的位置时的原料气体浓度分布的分析结果的图。在图8中，表示变更了N2气体喷嘴的位置和N2流量时的晶圆上的原料气体浓度分布的分析结果。在图8中，从左列起依次表示N2气体喷嘴的位置为60°、90°、120°、130°、140°、150°、160°、170°、175°、180°的情况下的分析结果。另外，在图8中，从上层起依次表示N2流量为1000sccm、2000sccm、3000sccm的情况下的分析结果。在原料气体浓度分布的分析结果中，在所有条件下，由相同程度的灰度等级表示原料气体浓度，颜色越深(越接近黑色)则表示浓度越高。
如图8所示，可知，在原料气体喷嘴的位置为0°、排气狭缝的位置为180°的情况下，通过将N2气体喷嘴配置于靠近180°的位置，从而能够一边抑制晶圆中心的原料气体浓度的降低一边调整晶圆端部的原料气体浓度。
图9是表示变更了N2气体喷嘴的位置时的原料气体浓度的分析结果的图。在图9中，示出了将每一个喷嘴的N2流量设定为1000sccm时的分析结果。在图9中，横轴表示N2气体喷嘴的位置「deg.」，纵轴表示晶圆上的原料气体浓度。晶圆上的原料气体浓度是以未喷出N2气体时的原料气体浓度标准化得到的值。
如图9所示，在N2气体喷嘴的位置为150°～180°的情况下，晶圆中心的气体浓度为0.7以上。根据该结果，可以说，通过将N2气体喷嘴的位置设为150°～180°，能够将晶圆中心的原料气体的稀释度抑制为70％而调整晶圆的面内的膜厚分布。
另外，如图9所示，在N2气体喷嘴的位置为170°～180°的情况下，晶圆中心的气体浓度为0.8以上。根据该结果，可以说，通过将N2气体喷嘴的位置设为170°～180°，能够将晶圆中心的原料气体的稀释度抑制为80％而调整晶圆的面内的膜厚分布。
如此，根据图9所示的结果，可以说，从一边抑制晶圆中心的原料气体浓度的降低一边调整晶圆的面内的膜厚分布这样的观点来看，优选N2气体喷嘴的位置为150°以上且180°以下。其中，可以说，更优选N2气体喷嘴的位置为170°以上且180°以下。
此外，在上述的实施方式中，原料气体为处理气体的一个例子，非活性气体为浓度调整用气体的一个例子。另外，在上述的实施方式中，气体喷嘴31～37为处理气体喷嘴的一个例子，气体喷嘴41、42为浓度调整用气体喷嘴的一个例子。
应该认为，此次公开了的实施方式在所有方面均为例示，并不是限制性的。上述的实施方式也可以在不脱离添附的权利要求书及其主旨的范围内以各种各样的形态进行省略、置换、变更。
在上述的实施方式中，说明了处理气体为原料气体的情况，但本公开并不限定于此。例如，处理气体也可以为反应气体。
在上述的实施方式中，列举气体喷嘴为L字管的情况为例进行了说明，但本公开并不限定于此。例如，气体喷嘴也可以是在内管的侧壁的内侧沿着内管的长度方向延伸设置且下端插入于喷嘴支承部(未图示)而被支承的直管。
在上述的实施方式中，说明了处理装置是非等离子体装置的情况，但本公开并不限定于此。例如，处理装置也可以是电容耦合型等离子体装置、电感耦合型等离子体装置等等离子体装置。

Claims (11)

1.一种处理装置，其中，
该处理装置包括：
大致圆筒形状的处理容器；
处理气体喷嘴，其沿着所述处理容器的侧壁的内侧在该处理容器的长度方向上延伸设置；
排气构造体，其与所述处理气体喷嘴相对地形成于所述处理容器的相反侧的侧壁；以及
浓度调整用气体喷嘴，其朝向所述处理容器的中心喷出浓度调整用气体，
在自所述长度方向俯视时，所述浓度调整用气体喷嘴在以所述处理容器的中心为基准的中心角中设于所述排气构造体所形成的角度范围内。
2.一种处理装置，其中，
该处理装置包括：
大致圆筒形状的处理容器；
处理气体喷嘴，其沿着所述处理容器的侧壁的内侧在该处理容器的长度方向上延伸设置；
排气狭缝，其与所述处理气体喷嘴相对地形成于所述处理容器的相反侧的侧壁；以及
浓度调整用气体喷嘴，其朝向所述处理容器的中心喷出浓度调整用气体，
在自所述长度方向俯视时，在将所述处理气体喷嘴的位置设为以所述处理容器的中心为基准的中心角为0°的起点时，所述浓度调整用气体喷嘴设于所述中心角为150°以上且180°以下的范围内。
3.根据权利要求1所述的处理装置，其中，
所述排气构造体包含：
突出部，其通过所述处理容器的侧壁的局部朝向外侧突出而形成；以及
排气狭缝，其形成于所述突出部的顶端。
4.根据权利要求3所述的处理装置，其中，
所述浓度调整用气体喷嘴设于比所述排气狭缝靠近所述处理容器的中心的位置。
5.根据权利要求3所述的处理装置，其中，
所述浓度调整用气体喷嘴设于比所述排气狭缝远离所述处理容器的中心的位置。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的处理装置，其中，
所述浓度调整用气体喷嘴沿着所述处理容器的内壁在铅垂方向上延伸设置。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的处理装置，其中，
所述浓度调整用气体喷嘴具有朝向所述处理容器的中心侧的多个气体孔。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的处理装置，其中，
所述浓度调整用气体喷嘴包含相对于将所述处理容器的中心和所述处理气体喷嘴连结的直线对称地配置的两个气体喷嘴。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的处理装置，其中，
所述处理容器将多个基板在铅垂方向上具有间隔地收容为大致水平。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的处理装置，其中，
所述浓度调整用气体为非活性气体。
11.一种处理方法，其中，
该处理方法具有以下工序：
向大致圆筒形状的处理容器内送入基板；以及
自沿着所述处理容器的侧壁的内侧在该处理容器的长度方向上延伸设置的处理气体喷嘴向所述处理容器内供给处理气体，自浓度调整用气体喷嘴朝向所述处理容器的中心供给浓度调整用气体，并且自与所述处理气体喷嘴相对地形成于所述处理容器的相反侧的侧壁的排气构造体将所述处理气体和所述浓度调整用气体排出，
在自所述长度方向俯视时，所述浓度调整用气体喷嘴在以所述处理容器的中心为基准的中心角中设于所述排气构造体所形成的角度范围内。
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