CN114182223A - 一种提高聚合物与金属薄膜结合力的方法 - Google Patents

一种提高聚合物与金属薄膜结合力的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN114182223A
CN114182223A CN202111521999.0A CN202111521999A CN114182223A CN 114182223 A CN114182223 A CN 114182223A CN 202111521999 A CN202111521999 A CN 202111521999A CN 114182223 A CN114182223 A CN 114182223A
Authority
CN
China
Prior art keywords
metal
polymer
target
plasma
metal film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202111521999.0A
Other languages
English (en)
Inventor
王永欣
李玥
党蕊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ningbo Institute of Material Technology and Engineering of CAS
Original Assignee
Ningbo Institute of Material Technology and Engineering of CAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ningbo Institute of Material Technology and Engineering of CAS filed Critical Ningbo Institute of Material Technology and Engineering of CAS
Priority to CN202111521999.0A priority Critical patent/CN114182223A/zh
Publication of CN114182223A publication Critical patent/CN114182223A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C14/021—Cleaning or etching treatments
    • C23C14/022—Cleaning or etching treatments by means of bombardment with energetic particles or radiation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C14/024—Deposition of sublayers, e.g. to promote adhesion of the coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/0605—Carbon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
    • C23C14/20—Metallic material, boron or silicon on organic substrates
    • C23C14/205—Metallic material, boron or silicon on organic substrates by cathodic sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54—Controlling or regulating the coating process

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明公开了一种提高聚合物与金属薄膜结合力的方法。所述方法包括：采用碳等离子体诱导原位生长法，同时溅射金属等离子体，使在碳等离子体诱导聚合物原位转变的同时与金属原子反应生成配合物，从而在聚合物基体表面构筑非晶碳/金属混合过渡层，之后生长金属薄膜，从而增强金属薄膜与聚合物基底的结合力。本发明通过在金属薄膜与聚合物基底间制备非晶碳/金属混合过渡层，可以更好提高金属在聚合物表面的结合，该方法具有工艺简单、聚合物基体不受限制、对环境友好、金属薄膜种类多样、成本低等优点，对发展环境友好的聚合物表面金属化技术以及拓展聚合物在电子、机械、装饰、阻隔、电磁和光、热等领域的应用具有广阔应用前景。

Description

一种提高聚合物与金属薄膜结合力的方法
技术领域
本发明属于表面工程技术领域，尤其涉及一种提高聚合物与金属薄膜结合力的方法。
背景技术
聚合物具有尺寸稳定性好、抗冲击强度高、耐腐蚀性优异以及质量轻便等特性，而被越来越广泛地应用于日常生活和工业生产中。然而，聚合物存在不导电、不导热、硬度低、耐磨性差、耐候性差以及缺乏金属光泽等缺点，严重限制着其在一些特殊领域的应用。聚合物表面金属化将有效改善聚合物材料的表面性质，不仅能使基体保持聚合物的抗蚀性强、质量轻、易于成型等特性，又能赋予其金属优异的导电导热性、导磁性、金属光泽以及可焊性等，并能有效提高聚合物表面的机械强度，延长其服役寿命。目前常用的聚合物表面金属化技术按工艺方法的不同可分为湿法和干法。其中，湿法有电镀技术，干法有真空镀膜技术等。电镀是目前广泛应用的聚合物金属化技术，虽然其可以有效解决聚合物表面的金属镀层问题，但是电镀工艺会对环境造成严重污染，而且其工艺过程非常复杂，其使用聚合物种类也只限于ABS等少数几种。随着国家环保新规定的出台实施，含有六价铬、锡、钯、汞、铅、镉、多溴和多溴二苯醚等有害物质的产品将被禁止使用。这对聚合物表面金属化课题提出了更高的挑战。相对于电镀技术，以磁控溅射为代表的真空镀膜技术具有适用性广、工艺简单、无毒无污染、成本较低等一系列优点。
然而，聚合物表面制备金属薄膜通常存在结合强度不足的问题。软质聚合物材料与硬质薄膜之间在物理性能(硬度、弹性模量和热膨胀系数等)存在严重的不匹配。因此，在聚合物材料表面构筑生长硬质金属薄膜始终存在着软质聚合物材料结构向硬质薄膜结构的突然转变，两种结构错配严重且性能差异明显的材料的突变界面在力学作用下极易发生失稳，从而在根本上决定了聚合物材料与硬质金属薄膜之间存在结合强度不足的问题。
因此，寻找一种新型的环境友好型的聚合物表面金属化的方法，在聚合物表面获得具有可靠结合强度的金属薄膜，对聚合物的工业化应用具有重要意义。
发明内容
针对上述技术现状，本发明旨在提供一种提高聚合物与金属薄膜结合力的方法，利用该技术在聚合物表面制备的非晶碳/金属混合层，使得聚合物碳质结构向无机非晶碳转变的同时与金属离子反应生成配合物，提高金属薄膜与聚合物基体间的结合强度，并且该技术克服了传统电镀和化学镀等技术的缺点。
为实现上述发明目的，本发明采用了如下技术方案：
本发明实施例提供了一种提高聚合物与金属薄膜结合力的方法，其包括：
提供聚合物基体；
采用碳等离子体诱导原位生长法，同时溅射金属等离子体，使在碳等离子体诱导聚合物表面有机碳质结构向无机非晶碳质结构转变的同时与金属原子反应生成有机金属配合物，从而在所述聚合物基体表面构筑非晶碳/金属混合过渡层；
在所述非晶碳/金属混合过渡层表面生长金属薄膜，从而增强金属薄膜与聚合物基底的结合力。
在一些优选实施例中，所述方法具体包括：以高纯石墨靶为碳等离子体源，以金属靶为金属等离子体源，使碳等离子体与金属等离子体同时作用于聚合物基体表面，使得金属离子与聚合物碳质结构生成有机金属配合物，形成所述非晶碳/金属混合过渡层。
进一步地，在所述聚合物基体表面原位生长非晶碳/金属混合过渡层采用的工艺条件包括：基体偏压为-100～-300V，气体流量为30～60sccm，石墨靶电流为0.5A～4.0A，金属靶电流为0.5A～4.0A，生长时间为10～60min。
在一些优选实施例中，所述方法具体包括：以金属靶为金属等离子体源，使金属等离子体持续作用于聚合物基体表面，在所述非晶碳/金属混合过渡层表面生长金属薄膜，采用的工艺条件包括：气体流量为50～100sccm，金属靶电流为0.5A～2.0A，生长时间为10～60min。
与电镀和化学镀等传统的聚合物表面金属化技术相比，本发明具有工艺简单、聚合物基体不受限制、对环境友好、金属薄膜种类多、成本低等特点。本发明先通过碳等离子与金属等离子体同时持续作用于基体表面，使得有机碳质结构向无机非晶碳转变的同时与金属离子发生反应，生成有机金属配合物，在聚合物表面生成非晶碳/金属混合过渡层，再在过渡层表面生长金属薄膜层。该方法可以显著提高所制备的金属薄膜在聚合物基体表面的膜基结合强度，从而实现聚合物表面的金属化。本发明提供的聚合物表面金属化方法对发展环境友好的聚合物表面金属化技术以及拓展聚合物在机械、装饰、阻隔、电磁和光、热等金属化功能应用具有重要意义。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明一典型实施例中在聚合物基体表面所制备的金属薄膜的结构示意图。
图2是本发明对比例1、实施例1-5中在聚合物基体表面所制备的金属薄膜样品的划痕实验结果对比图。
图3a是对比例1中聚合物表面直接沉积铜膜的截面透射图。
图3b是对比例1中聚合物表面直接沉积铜膜的元素分布图。
图3c是本发明实施例2中沉积非晶碳/金属混合过渡层后再沉积铜膜的截面透射图。
图3d是本发明实施例2中沉积非晶碳/金属混合过渡层后再沉积铜膜的截面透射图。
图4a是对比例2中PI薄膜表面制备金属薄膜的截面形貌图。
图4b-图4f分别是本发明实施例6-10中PI薄膜表面制备金属薄膜的截面形貌图。
附图说明：1-聚合物基体，2-非晶碳/金属混合过渡层，3-金属薄膜。
具体实施方式
鉴于现有技术中的不足，本案发明人经长期研究和大量实践发现，首先通过碳等离子体与金属金属等离子体同时作用于聚合物基体表面，使得有机碳质结构向非晶碳质结构转变的同时与金属离子发生反应，生成配合物，在聚合物表面构筑一层非晶碳/金属混合过渡层然后在该非晶碳/金属混合过渡层表面继续生长金属薄膜层，可以有效提高硬质无机金属薄膜在软质聚合物基体表面的可靠结合强度。
因此，本发明得以提出一种提高聚合物与金属薄膜结合力的方法，其主要机理是：碳等离子体轰击聚合物基体使其表面高分子碳质结构发生随机断裂，与碳自由基随机反应，生成无机碳质结构，在转变的同时金属等离子体的注入会与碳氧官能团发生反应，生成配合物，从而在聚合物基体表面构筑了一层非晶碳/金属混合过渡层生长层，可以有效提高无机金属薄膜在聚合物基体表面的结合强度。
如下将对该技术方案、其实施过程及原理等作进一步的解释说明。
作为本发明技术方案的一个方面，其所涉及的系一种提高聚合物与金属薄膜结合力的方法主要包括：
首先通过碳等离子体与金属等离子体同时作用于聚合物表面，在其表面生成一层非晶碳/金属混合过渡层，然后再在非晶碳/金属混合过渡层表面生长金属薄膜层。
具体的，所述方法包括：首先通过碳等离子体诱导聚合物表面有机碳质结构向无机非晶碳质结构转变，同时溅射金属离子，使得金属原子与碳自由基发生反应与其生成配合物，在聚合物基体表面构筑一层非晶碳/金属混合过渡层，然后在非晶碳/金属混合过渡层的基础上沉积一层金属薄膜，以增强金属薄膜与聚合物基底的结合力。
在一些优选实施例中，所述方法具体包括：以高纯石墨靶为碳等离子体源，以金属靶为金属等离子体源，使碳等离子体与金属等离子体同时作用于聚合物基体表面，使得金属离子与聚合物碳质结构生成有机金属配合物，形成所述非晶碳/金属混合过渡层。碳等离子体轰击聚合物基体表面使得聚合物碳质结构发生随机断裂，与碳自由基反应生成大量COOR、COR等官能团，使其与铜离子发生反应生成配合物，增强了金属薄膜与聚合物基底的结合力。
进一步地，在所述聚合物基体表面原位生长非晶碳/金属混合过渡层采用的工艺条件包括：基体偏压为-100～-300V，气体流量为30～60sccm，石墨靶电流为0.5A～4.0A，金属靶电流为0.5A～4.0A，生长时间为10～60min。
进一步地，所述非晶碳/金属混合过渡层的厚度为100～300nm。
在一些优选实施例中，所述方法具体包括：以金属靶为金属等离子体源，使金属等离子体持续作用于聚合物基体表面，在所述非晶碳/金属混合过渡层表面生长金属薄膜，采用的工艺条件包括：气体流量为50～100sccm，金属靶电流为0.5A～2.0A，生长时间为10～60min。
进一步地，所述金属薄膜的厚度为500～700nm。
在一些优选实施例中，所述金属靶材包括Cu靶、Ag靶、Ni靶等金属靶中的任意一种或两种以上的组合。本发明利用不同金属性能特征，可以赋予聚合物基体不同功能特性。
在一些实施方案中，所述制备方法具体包括：
首先，以高纯石墨靶为碳等离子体源，金属靶为金属等离子体源，将碳等离子体与金属等离子体同时作用于聚合物基体表面，使得金属离子与碳氧官能团发生反应生成配合物，在聚合物表面生成一层非晶碳/金属混合过渡层，再利用金属等离子体在电场作用下轰击处理聚合物基体表面，在非晶碳/金属混合过渡层表面生长金属薄膜层。
进一步地，本发明采用两步法，首先在聚合物基体表面构筑非晶碳/金属混合过渡层，然后再在非晶碳/金属混合过渡层表面生长金属薄膜层，实现聚合物表面金属化。本发明制备的金属薄膜在聚合物表面具有可靠的结合强度。
在一些优选实施例中，所述方法还包括：先在辉光放电作用下，使惰性工作气体受激光形成惰性等离子体，并以所述惰性等离子体对聚合物基体表面进行预处理，之后再在聚合物基体表面构筑非晶碳/金属混合过渡层。
进一步地，所述方法包括：在以所述惰性等离子体对聚合物基体表面进行预处理之前，先将反应腔体的真空度抽到7×10-3Pa以下，预处理采用的惰性工作气体流量为20～60sccm，基体负偏压为300V～500V，离子束电压为900～1100V，预处理时间为10min～30min。
其中，在一些具体实施案例之中，所述提高聚合物与金属薄膜结合力的方法具体包括如下步骤：
1)以氩气为惰性工作气体，其在辉光放电作用下受激发并形成氩等离子体，利用氩等离子体对聚合物基体表面进行预处理，以去除聚合物基体表面的灰尘等附着物和污染物；
2)以高纯石墨靶为碳等离子体源，以金属靶为金属等离子体源，对聚合物基体施加负偏压，碳等离子体与金属等离子体同时对聚合物基体表面持续进行轰击处理，使得聚合物基体表面高分子碳向无机非晶碳质结构转变的同时与金属离子发生反应生成配合物，在聚合物基底表面构筑一层非晶碳/金属混合过渡层；
3)以金属靶为金属等离子体源，利用金属等离子体持续作用于聚合物基体表面，在非晶碳/金属混合过渡层表面生长金属薄膜层。
进一步地，步骤1)中用氩等离子体对样品表面进行清洗前，需将设备真空度抽到7×10-3Pa以下，清洗时气流量为20～60sccm，基底负偏压为300V～500V，离子束电压为900～1100V，清洗时间为10min～30min。
在一些更为具体的实施案例之中，所述提高聚合物与金属薄膜结合力的方法具体可以包括如下步骤：
1)使用乙醇溶液对所选聚合物基体材料表面进行清洗；
2)将聚合物基体样品安置于直流磁控溅射系统转架上，基体样品平行于磁控溅射靶安装；
3)向真空系统中通入氩气，氩气流量为20～60sccm，偏压为-300～-500V，离子束电压为900-1100V，氩气在辉光作用下被激发成氩等离子体，清洗时间为10min-30min；
4)在聚合物基体表面生长非晶碳/金属混合过渡层：偏压为-100～-300V，气体流量为30～60sccm，石墨靶电流为0.5A～4.0A，金属靶电流为0.5A～4.0A，工艺时间为10～60min；
5)在混合过渡层表面生长金属薄膜层：氩气气体流量为50～100sccm，金属靶电流为0.5A～2.0A，工艺时间为10～60min。
进一步地，所述金属薄膜的材质包括铜、银、镍等，但不限于此。
在一些优选实施例中，所述聚合物基体的材料不限，材质一般为热塑型聚合物，优选可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、聚醚醚酮(PEEK)等，但不限于此。
作为本发明技术方案的另一个方面，其所涉及的聚合物基体表面生成非晶碳/金属混合过渡层，能有效提高金属薄膜在聚合物基体表面的结合强度。其中，所述金属薄膜在聚合物基体表面的膜基结合强度在1.88N以上。
综上所述，藉由上述技术方案，本发明具有工艺简单、聚合物基体不受限制、对环境友好、金属薄膜种类多样、成本低等优点。本发明通过碳等离子体与金属等离子体同时作用于聚合物基体表面，使得有机碳质结构向非晶碳质结构转变的同时与金属离子发生反应生成配合物。在聚合物基体表面构筑一层非晶碳/金属混合过渡层生长金属薄膜层，可以有效提高无机金属薄膜在聚合物基体表面的结合强度。本发明提供的提高聚合物与金属薄膜结合力的方法对发展适应于当今环保要求的聚合物表面金属化技术以及拓展聚合物在装饰、阻隔、电磁和光、热等金属化功能应用具有潜在的应用前景。
下面结合若干优选实施例及附图对阿明的技术方案作进一步详细说明。显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。需要指出的是，以下所述实施例旨在便于对本发明的理解，而对其不起任何限定作用。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。下列实施例中未注明具体条件的试验方法，通常按照常规条件进行。
对比例1
(1)以聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)聚合物为基体材料，基片尺寸为20mm×30mm×2mm，使用乙醇溶液对聚合物基体表面进行清洗。
(2)将经过清洗干燥前处理的基体固定在直流磁控溅射系统真空腔室内的转架上，用欧姆表检测并确保转架与真空室基面、溅射靶与真空室基面绝缘。关闭真空室，并抽真空至基础真空度低于7.0×10-3Pa。
(3)向真空室内通入高纯氩气，氩气流量为30sccm，基体偏压为-400V，离子束电压为1000V，时间为20min。
(4)进行辉光放电涂覆金属薄膜，铜靶为阴极，工作气体为氩气，气体流量为60sccm，在不加热的条件下，偏压为-150V，电流大小为2.0A，时间为30min。
对比例2
(1)以聚酰亚胺(PI)薄膜为基体材料，基片尺寸为100mm×100mm×100μm，使用乙醇溶液对聚合物基体表面进行清洗。
(2)将经过清洗干燥前处理的基体固定在直流磁控溅射系统真空腔室内的转架上，用欧姆表检测并确保转架与真空室基面、溅射靶与真空室基面绝缘。关闭真空室，并抽真空至基础真空度低于7.0×10-3Pa。
(3)向真空室内通入高纯氩气，氩气流量为30sccm，基体偏压为-400V，离子束电压为1000V，时间为20min。
(4)进行辉光放电涂覆金属薄膜，铜靶为阴极，工作气体为氩气，气体流量为60sccm，在不加热的条件下，偏压为-150V，电流大小为2.0A，时间为30min。
实施例1
(1)以聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)聚合物为基体材料，基片尺寸为20mm×30mm×2mm，使用乙醇溶液对聚合物基体表面进行清洗。
(2)将经过清洗干燥前处理的基体固定在直流磁控溅射系统真空腔室内的转架上，用欧姆表检测并确保转架与真空室基面、溅射靶与真空室基面绝缘。关闭真空室，并抽真空至基础真空度低于7.0×10-3Pa。
(3)向真空室内通入高纯氩气，氩气流量为30sccm，基体偏压为-400V，离子束电压为1000V，时间为20min。
(4)以高纯石墨靶为碳靶，铜靶为金属靶，工作气体为氩气，气体流量为60sccm，同时开启铜靶和石墨靶，在不加热的条件下，偏压为-150V，石墨靶电流大小为0.5A，铜靶电流大小为0.5A，溅射时间为30min。
(5)关闭石墨靶，开始铜靶，工作气体为氩气，气体流量为60sccm，在不加热的条件下，偏压为-150V，电流大小为2.0A，时间为30min。
实施例2
(1)以聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)聚合物为基体材料，基片尺寸为20mm×30mm×2mm，使用乙醇溶液对聚合物基体表面进行清洗。
(2)将经过清洗干燥前处理的基体固定在直流磁控溅射系统真空腔室内的转架上，用欧姆表检测并确保转架与真空室基面、溅射靶与真空室基面绝缘。关闭真空室，并抽真空至基础真空度低于7.0×10-3Pa。
(3)向真空室内通入高纯氩气，氩气流量为30sccm，基体偏压为-400V，离子束电压为1000V，时间为20min。
(4)以高纯石墨靶为碳靶，铜靶为金属靶，工作气体为氩气，气体流量为60sccm，同时开启铜靶和石墨靶，在不加热的条件下，偏压为-150V，石墨靶电流大小为1.0A，铜靶电流大小为0.5A，溅射时间为30min。
(5)关闭石墨靶，开始铜靶，工作气体为氩气，气体流量为60sccm，在不加热的条件下，偏压为-150V，电流大小为2.0A，时间为30min。
实施例3
(1)以聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)聚合物为基体材料，基片尺寸为20mm×30mm×2mm，使用乙醇溶液对聚合物基体表面进行清洗。
(2)将经过清洗干燥前处理的基体固定在直流磁控溅射系统真空腔室内的转架上，用欧姆表检测并确保转架与真空室基面、溅射靶与真空室基面绝缘。关闭真空室，并抽真空至基础真空度低于7.0×10-3Pa。
(3)向真空室内通入高纯氩气，氩气流量为30sccm，基体偏压为-400V，离子束电压为1000V，时间为20min。
(4)以高纯石墨靶为碳靶，铜靶为金属靶，工作气体为氩气，气体流量为60sccm，同时开启铜靶和石墨靶，在不加热的条件下，偏压为-150V，石墨靶电流大小为1.5A，铜靶电流大小为0.5A，溅射时间为30min。
(5)关闭石墨靶，开始铜靶，工作气体为氩气，气体流量为60sccm，在不加热的条件下，偏压为-150V，电流大小为2.0A，时间为30min。
实施例4
(1)以聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)聚合物为基体材料，基片尺寸为20mm×30mm×2mm，使用乙醇溶液对聚合物基体表面进行清洗。
(2)将经过清洗干燥前处理的基体固定在直流磁控溅射系统真空腔室内的转架上，用欧姆表检测并确保转架与真空室基面、溅射靶与真空室基面绝缘。关闭真空室，并抽真空至基础真空度低于7.0×10-3Pa。
(3)向真空室内通入高纯氩气，氩气流量为30sccm，基体偏压为-400V，离子束电压为1000V，时间为20min。
(4)以高纯石墨靶为碳靶，铜靶为金属靶，工作气体为氩气，气体流量为60sccm，同时开启铜靶和石墨靶，在不加热的条件下，偏压为-150V，石墨靶电流大小为2.0A，铜靶电流大小为0.5A，溅射时间为30min。
(5)关闭石墨靶，开始铜靶，工作气体为氩气，气体流量为60sccm，在不加热的条件下，偏压为-150V，电流大小为2.0A，时间为30min。
实施例5
(1)以聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)聚合物为基体材料，基片尺寸为20mm×30mm×2mm，使用乙醇溶液对聚合物基体表面进行清洗。
(2)将经过清洗干燥前处理的基体固定在直流磁控溅射系统真空腔室内的转架上，用欧姆表检测并确保转架与真空室基面、溅射靶与真空室基面绝缘。关闭真空室，并抽真空至基础真空度低于7.0×10-3Pa。
(3)向真空室内通入高纯氩气，氩气流量为30sccm，基体偏压为-400V，离子束电压为1000V，时间为20min。
(4)以高纯石墨靶为碳靶，铜靶为金属靶，工作气体为氩气，气体流量为60sccm，同时开启铜靶和石墨靶，在不加热的条件下，偏压为-150V，石墨靶电流大小为2.5A，铜靶电流大小为0.5A，溅射时间为30min。
(5)关闭石墨靶，开始铜靶，工作气体为氩气，气体流量为80sccm，在不加热的条件下，偏压为-150V，电流大小为2.0A，时间为40min。
实施例6
(1)以聚酰亚胺(PI)薄膜为基体材料，基片尺寸为100mm×100mm×100μm，使用乙醇溶液对聚合物基体表面进行清洗。
(2)将经过清洗干燥前处理的基体固定在直流磁控溅射系统真空腔室内的转架上，用欧姆表检测并确保转架与真空室基面、溅射靶与真空室基面绝缘。关闭真空室，并抽真空至基础真空度低于7.0×10-3Pa。
(3)向真空室内通入高纯氩气，氩气流量为40sccm，基体偏压为-450V，离子束电压为1050V，时间为25min。
(4)以高纯石墨靶为碳靶，铜靶为金属靶，工作气体为氩气，气体流量为30sccm，同时开启铜靶和石墨靶，在不加热的条件下，偏压为-250V，石墨靶电流大小为0.5A，铜靶电流大小为0.5A，溅射时间为30min。
(5)关闭石墨靶，开始铜靶，工作气体为氩气，气体流量为60sccm，在不加热的条件下，偏压为-150V，电流大小为2.0A，时间为50min。
实施例7
(1)以聚酰亚胺(PI)薄膜为基体材料，基片尺寸为100mm×100mm×100μm，使用乙醇溶液对聚合物基体表面进行清洗。
(2)将经过清洗干燥前处理的基体固定在直流磁控溅射系统真空腔室内的转架上，用欧姆表检测并确保转架与真空室基面、溅射靶与真空室基面绝缘。关闭真空室，并抽真空至基础真空度低于7.0×10-3Pa。
(3)向真空室内通入高纯氩气，氩气流量为50sccm，基体偏压为-480V，离子束电压为1080V，时间为22min。
(4)以高纯石墨靶为碳靶，铜靶为金属靶，工作气体为氩气，气体流量为50sccm，同时开启铜靶和石墨靶，在不加热的条件下，偏压为-200V，石墨靶电流大小为1.0A，铜靶电流大小为0.5A，溅射时间为40min。
(5)关闭石墨靶，开始铜靶，工作气体为氩气，气体流量为50sccm，在不加热的条件下，偏压为-100V，电流大小为2.0A，时间为10min。
实施例8
(1)以聚酰亚胺(PI)薄膜为基体材料，基片尺寸为100mm×100mm×100μm，使用乙醇溶液对聚合物基体表面进行清洗。
(2)将经过清洗干燥前处理的基体固定在直流磁控溅射系统真空腔室内的转架上，用欧姆表检测并确保转架与真空室基面、溅射靶与真空室基面绝缘。关闭真空室，并抽真空至基础真空度低于7.0×10-3Pa。
(3)向真空室内通入高纯氩气，氩气流量为250sccm，基体偏压为-460V，离子束电压为1100V，时间为10min。
(4)以高纯石墨靶为碳靶，铜靶为金属靶，工作气体为氩气，气体流量为40sccm，同时开启铜靶和石墨靶，在不加热的条件下，偏压为-150V，石墨靶电流大小为1.5A，铜靶电流大小为0.5A，溅射时间为30min。
(5)关闭石墨靶，开始铜靶，工作气体为氩气，气体流量为80sccm，在不加热的条件下，偏压为-250V，电流大小为1.0A，时间为50min。
实施例9
(1)以聚酰亚胺(PI)薄膜为基体材料，基片尺寸为100mm×100mm×100μm，使用乙醇溶液对聚合物基体表面进行清洗。
(2)将经过清洗干燥前处理的基体固定在直流磁控溅射系统真空腔室内的转架上，用欧姆表检测并确保转架与真空室基面、溅射靶与真空室基面绝缘。关闭真空室，并抽真空至基础真空度低于7.0×10-3Pa。
(3)向真空室内通入高纯氩气，氩气流量为20sccm，基体偏压为-300V，离子束电压为1100V，时间为30min。
(4)以高纯石墨靶为碳靶，铜靶为金属靶，工作气体为氩气，气体流量为60sccm，同时开启铜靶和石墨靶，在不加热的条件下，偏压为-100V，石墨靶电流大小为2.0A，铜靶电流大小为1.5A，溅射时间为60min。
(5)关闭石墨靶，开始铜靶，工作气体为氩气，气体流量为100sccm，在不加热的条件下，偏压为-100V，电流大小为1.0A，时间为20min。
实施例10
(1)以聚酰亚胺(PI)薄膜为基体材料，基片尺寸为100mm×100mm×100μm，使用乙醇溶液对聚合物基体表面进行清洗。
(2)将经过清洗干燥前处理的基体固定在直流磁控溅射系统真空腔室内的转架上，用欧姆表检测并确保转架与真空室基面、溅射靶与真空室基面绝缘。关闭真空室，并抽真空至基础真空度低于7.0×10-3Pa。
(3)向真空室内通入高纯氩气，氩气流量为60sccm，基体偏压为-500V，离子束电压为900V，时间为10min。
(4)以高纯石墨靶为碳靶，铜靶为金属靶，工作气体为氩气，气体流量为60sccm，同时开启铜靶和石墨靶，在不加热的条件下，偏压为-300V，石墨靶电流大小为4.0A，铜靶电流大小为4.0A，溅射时间为10min。
(5)关闭石墨靶，开始铜靶，工作气体为氩气，气体流量为60sccm，在不加热的条件下，偏压为-300V，电流大小为0.5A，时间为60min。
本案发明人上述实施例1-5中聚合物表面金属化后的样品结合力、界面微观形貌进行了表征，然后与对比例1进行对比。
本发明中实施例1-9所获样品的结构示意图如图1所示，其中1为聚合物基体，2为非晶碳/金属混合过渡层，3为金属薄膜。
本发明实施例1-5中聚合物表面金属化后样品的划痕实验结果如图2所示。由图2可知，与对比例1相比，沉积了非晶碳/金属混合过渡层的样品的结合力均有提升。对比例1所制得的样品的结合力大小为1.843N，实施例1制得的样品结合力大小为1.885N，实施例2制得的样品结合力大小为2.369N，实施例3制得的样品结合力大小为2.346N，实施例4制得的样品结合力大小为2.099N，实施例5制得的样品结合力大小为1.965N。这是由于沉积了非晶碳/金属混合过渡层的样品形成了金属有机配合物，从而增强了聚合物基体与金属薄膜的结合力。同时轰击能量的不同使得混合过渡层中碳氧键含量不同，形成配合物比例不同，从而使得金属薄膜与聚合物基体结合程度不同。
本发明选取对比例1的截面透射图与实施例2制得样品的截面透射图进行对比，分别如图3a、图3b、图3c和图3d所示。由图可知，与对比例1相比，非晶碳/金属混合过渡层里铜离子主要以纳米晶形式生长且晶粒取向随机，而混合过渡层上的铜则以柱状晶形式生长，这是由于碳等离子体轰击聚合物表面时，表面大分子链发生随机断裂，产生的活性基团与碳自由基反应生成COOR、COR、C＝C等其它官能团，与此同时这些官能团会与铜离子发生反应生成配合物。对比例1中在靠近基底的地方铜的晶粒取向较为随机同时也产生了较薄的纳米晶，这是由于等离子体轰击使得PET表面分子链随机断裂，生成了少量的COOR、COR等官能团与铜离子反应生成配合物，由于铜等离子体轰击是只存在于PET表面，因此这一层纳米晶较薄，而后沉积铜膜则含有大量晶界并且以孪晶形式生长。
本发明实施例6-10中PI薄膜表面金属化后样品的截面结果分别如图4b-图4f所示。由图4a可知，与对比例2相比，随着混合过渡层碳等离子体处理电流的增大，混合层厚度逐渐增大，而外层生长的金属薄膜厚度呈现出先增后减的趋势。
与现有技术相比，本发明提出在聚合物表面构筑一层非晶碳/金属混合过渡层，使得碳等离子体诱导聚合物表面原位生长的同时与铜离子反应生成配合物，然后再在过渡层的基础上生长金属薄膜。这一方法从根本上改变了软质聚合物和硬质金属薄膜之间结构突变的问题，实现了金属薄膜在聚合物表面的可靠结合。本发明具有工艺简单、聚合物基体不受限制、对环境友好、金属薄膜种类多样、成本低等优点，对发展适应于当今环保要求的聚合物表面金属化技术以及拓展聚合物在电子、装饰、阻隔、电磁和光、热等金属化功能应用具有潜在的应用前景。
此外，本案发明人还参照前述实施例，以本说明书述及的其它原料、工艺操作、工艺条件进行了试验，例如，将实施例1-10中的铜靶替换为Ag靶或者Ni靶，又例如，将实施例1-5中的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、实施例6-10中的聚酰亚胺(PI)替换为聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯、聚丙烯或聚醚醚酮等，并均获得了较为理想的结果。
本发明的各方面、实施例、特征及实例应视为在所有方面为说明性的且不打算限制本发明，本发明的范围仅由权利要求书界定。在不背离所主张的本发明的精神及范围的情况下，所属领域的技术人员将明了其它实施例、修改及使用。
尽管已参考说明性实施例描述了本发明，但所属领域的技术人员将理解，在不背离本发明的精神及范围的情况下可做出各种其它改变、省略及/或添加且可用实质等效物替代所述实施例的元件。另外，可在不背离本发明的范围的情况下做出许多修改以使特定情形或材料适应本发明的教示。因此，本文并不打算将本发明限制于用于执行本发明的所揭示特定实施例，而是打算使本发明将包含归属于所附权利要求书的范围内的所有实施例。此外，除非具体陈述，否则术语第一、第二等的任何使用不表示任何次序或重要性，而是使用术语第一、第二等来区分一个元素与另一元素。

Claims (10)

1.一种提高聚合物与金属薄膜结合力的方法，其特征在于，包括：
提供聚合物基体；
采用碳等离子体诱导原位生长法，同时溅射金属等离子体，使在碳等离子体诱导聚合物表面有机碳质结构向无机非晶碳质结构转变的同时与金属原子反应生成有机金属配合物，从而在所述聚合物基体表面构筑非晶碳/金属混合过渡层；
在所述非晶碳/金属混合过渡层表面生长金属薄膜，从而增强金属薄膜与聚合物基底的结合力。
2.根据权利要求1所述的提高聚合物与金属薄膜结合力的方法，其特征在于，具体包括：以高纯石墨靶为碳等离子体源，以金属靶为金属等离子体源，使碳等离子体与金属等离子体同时作用于聚合物基体表面，使得金属离子与聚合物碳质结构生成有机金属配合物，形成所述非晶碳/金属混合过渡层。
3.根据权利要求2所述的提高聚合物与金属薄膜结合力的方法，其特征在于，在所述聚合物基体表面原位生长非晶碳/金属混合过渡层采用的工艺条件包括：基体偏压为-100～-300V，气体流量为30～60sccm，石墨靶电流为0.5A～4.0A，金属靶电流为0.5A～4.0A，生长时间为10～60min。
4.根据权利要求2所述的提高聚合物与金属薄膜结合力的方法，其特征在于，具体包括：以金属靶为金属等离子体源，使金属等离子体持续作用于聚合物基体表面，在所述非晶碳/金属混合过渡层表面生长金属薄膜，采用的工艺条件包括：气体流量为50～100sccm，金属靶电流为0.5A～2.0A，生长时间为10～60min。
5.根据权利要求2或4所述的提高聚合物与金属薄膜结合力的方法，其特征在于：所述金属靶材包括Cu靶、Ag靶、Ni靶中的任意一种或两种以上的组合。
6.根据权利要求2所述的提高聚合物与金属薄膜结合力的方法，其特征在于，还包括：先在辉光放电作用下，使惰性工作气体受激光形成惰性等离子体，并以所述惰性等离子体对聚合物基体表面进行预处理，之后再在聚合物基体表面构筑非晶碳/金属混合过渡层。
7.根据权利要求6所述的提高聚合物与金属薄膜结合力的方法，其特征在于，包括：在以所述惰性等离子体对聚合物基体表面进行预处理之前，先将反应腔体的真空度抽到7×10-3Pa以下，预处理采用的惰性工作气体流量为20～60sccm，基体负偏压为300V～500V，离子束电压为900～1100V，预处理时间为10min～30min。
8.根据权利要求1所述的提高聚合物与金属薄膜结合力的方法，其特征在于：所述聚合物基体的材质为热塑型聚合物，优选包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯、聚丙烯或聚醚醚酮。
9.根据权利要求1所述的提高聚合物与金属薄膜结合力的方法，其特征在于：所述非晶碳/金属混合过渡层的厚度为100～300nm；和/或，所述金属薄膜的厚度为500～700nm。
10.根据权利要求1所述的提高聚合物与金属薄膜结合力的方法，其特征在于：所述金属薄膜在聚合物基体表面的膜基结合强度在1.88N以上。
CN202111521999.0A 2021-12-13 2021-12-13 一种提高聚合物与金属薄膜结合力的方法 Pending CN114182223A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111521999.0A CN114182223A (zh) 2021-12-13 2021-12-13 一种提高聚合物与金属薄膜结合力的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111521999.0A CN114182223A (zh) 2021-12-13 2021-12-13 一种提高聚合物与金属薄膜结合力的方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114182223A true CN114182223A (zh) 2022-03-15

Family

ID=80604779

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202111521999.0A Pending CN114182223A (zh) 2021-12-13 2021-12-13 一种提高聚合物与金属薄膜结合力的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN114182223A (zh)

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060191783A1 (en) * 2005-02-28 2006-08-31 Lee Yeon H Method and apparatus for forming adherent metal film on a polymer substrate
CN102453858A (zh) * 2010-10-29 2012-05-16 中国科学院兰州化学物理研究所 轻质软金属表面碳基薄膜材料的制备方法
CN102465274A (zh) * 2010-11-15 2012-05-23 北京有色金属研究总院 一种提高磁控溅射工艺制备金属薄膜与基底结合力的方法
CN104388902A (zh) * 2014-12-03 2015-03-04 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 一种基体表面高导电性的碳基涂层及其制备方法
CN105241569A (zh) * 2015-09-21 2016-01-13 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 一种金属掺杂非晶碳薄膜温度传感元件及其制备方法
CN106267356A (zh) * 2015-05-22 2017-01-04 先健科技(深圳)有限公司 植入医疗器械预制件、植入医疗器械及其制备方法
CN109023232A (zh) * 2018-10-22 2018-12-18 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 一种塑料基体表面形成非晶碳膜的方法
CN111172512A (zh) * 2020-02-10 2020-05-19 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 聚醚醚酮表面防护用非晶碳基薄膜及其制备方法与应用
CN111304589A (zh) * 2020-03-30 2020-06-19 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 多元复合非晶碳基薄膜及其制备方法与应用

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060191783A1 (en) * 2005-02-28 2006-08-31 Lee Yeon H Method and apparatus for forming adherent metal film on a polymer substrate
CN102453858A (zh) * 2010-10-29 2012-05-16 中国科学院兰州化学物理研究所 轻质软金属表面碳基薄膜材料的制备方法
CN102465274A (zh) * 2010-11-15 2012-05-23 北京有色金属研究总院 一种提高磁控溅射工艺制备金属薄膜与基底结合力的方法
CN104388902A (zh) * 2014-12-03 2015-03-04 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 一种基体表面高导电性的碳基涂层及其制备方法
CN106267356A (zh) * 2015-05-22 2017-01-04 先健科技(深圳)有限公司 植入医疗器械预制件、植入医疗器械及其制备方法
CN105241569A (zh) * 2015-09-21 2016-01-13 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 一种金属掺杂非晶碳薄膜温度传感元件及其制备方法
CN109023232A (zh) * 2018-10-22 2018-12-18 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 一种塑料基体表面形成非晶碳膜的方法
CN111172512A (zh) * 2020-02-10 2020-05-19 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 聚醚醚酮表面防护用非晶碳基薄膜及其制备方法与应用
CN111304589A (zh) * 2020-03-30 2020-06-19 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 多元复合非晶碳基薄膜及其制备方法与应用

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106521440B (zh) 一种采用磁控溅射法制备高附着力镀铝膜的方法
CN111500982B (zh) 一种四面体非晶碳复合涂层及其制备方法
WO2005092813A3 (en) Methods for forming an electrodeposited coating over a coated substrate and articles made thereby
WO2019119646A1 (zh) 一种提高类富勒烯薄膜结合力和摩擦学性能的方法
WO2021047643A1 (zh) 电子设备外盖增强纳米膜及其制备方法和应用
CN103382549B (zh) 一种多层结构高阻隔薄膜的制备方法
KR20120136938A (ko) 금형 모재의 코팅층 구조
CN109023232B (zh) 一种塑料基体表面形成非晶碳膜的方法
Hegemann et al. Plasma‐Substrate Interaction during Plasma Deposition on Polymers
JPH07504944A (ja) プラスチック品の表面の予備処理法
KR101252568B1 (ko) 핸드폰 케이스 블랙색상코팅방법
TW201243065A (en) Coated article and method for making the same
CN112359319B (zh) 一种双周期耐磨抗菌和高韧性复合薄膜的制备方法
Lin et al. Characterization of the silicon oxide thin films deposited on polyethylene terephthalate substrates by radio frequency reactive magnetron sputtering
CN114182223A (zh) 一种提高聚合物与金属薄膜结合力的方法
CN113278939A (zh) 一种类富勒烯纳米结构含氢碳膜及其制备方法
US20120107606A1 (en) Article made of aluminum or aluminum alloy and method for manufacturing
CN111304589A (zh) 多元复合非晶碳基薄膜及其制备方法与应用
Lin et al. Gas barrier properties of titanium oxynitride films deposited on polyethylene terephthalate substrates by reactive magnetron sputtering
Wu et al. Reflective and conductive surface‐silvered polyimide films prepared by surface graft copolymerization and electroless plating
CN102650052B (zh) 铝或铝合金的壳体及其制造方法
CN1553767A (zh) 一种塑料手机壳内表面电磁屏蔽膜层的制备方法
WO2021109815A1 (zh) 类金刚石薄膜制备装置和制备方法
US8541100B2 (en) Coating, article coated with coating, and method for manufacturing article
CN1896294A (zh) Pc/abs塑料基材的物理镀膜前处理方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination