CN114158277B - 光电计算平台 - Google Patents

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Abstract

一种集成电路中介层包括：半导体基板层；第一金属接触层，其包括第一金属接触区段和第二金属接触区段，第一金属接触区段包括被布置用于以受控塌陷芯片连接电耦合到第一半导体晶粒的金属触头，并且第二金属接触区段包括被布置用于以受控塌陷芯片连接电耦合到第二半导体晶粒的金属触头。第一图案化层包括单独光掩模图案化的金属路径区段。第二图案化层包括单独光掩模图案化的波导区段，包括跨单独光掩模图案化的波导区段之间的至少一个边界的第一波导。第一调制器耦合到第一波导，用于基于第一电信号来调制第一波导中的光波，并且第二调制器耦合到第一波导，用于基于第二电信号来调制光波。

Description

光电计算平台
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年7月6日提交的美国临时申请63/048,439、2020年8月6日提交的美国临时申请63/061,995以及2020年12月9日提交的美国临时申请63/123,338的优先权，以上申请的全部内容通过引用并入本文。
技术领域
本公开涉及光电计算平台。
背景技术
对以模拟或数字形式编码在电信号(例如，电压或电流)上的电子数据执行的计算通常是使用电子计算硬件(诸如在集成电路中实现的模拟或数字电子器件(例如处理器、专用集成电路(ASIC)或片上系统(SoC))、电子电路板或其它电子电路)来实现的。光学信号已被用于长距离和短距离(例如，在数据中心内)传输数据。对此类光学信号执行的操作常常发生在光学数据传输的上下文中，诸如在用于交换或过滤网络中光学信号的设备内。在计算平台中光学信号的使用受到更多限制。
发明内容
一般而言，在第一方面，一种集成电路中介层(interposer)包括：半导体基板层；第一金属接触层，第一金属接触层在集成电路中介层的第一表面处，包括多个金属接触区段，该金属接触区段包括第一金属接触区段和第二金属接触区段，该第一金属接触区段包括被布置用于以受控塌陷芯片连接电耦合到第一半导体晶粒(die)的多个金属触头，第二金属接触区段包括被布置用于以受控塌陷芯片连接电耦合到第二半导体晶粒的多个金属触头。该中介层包括：第一图案化层，第一图案化层在与半导体基板层相距第一距离处，包括多个单独光掩模图案化的金属路径区段；以及第二图案化层，第二图案化层在与半导体基板层相距与第一距离不同的第二距离处，包括多个单独光掩模图案化的波导区段。第二图案化层包括：第一波导，其跨单独光掩模图案化的波导区段之间的至少一个边界；第一调制器，在沿着第一波导的第一位置处耦合到第一波导，用于基于在第一金属接触区段中的第一金属触头处接收的电信号来调制第一波导中的光波；以及第二调制器，在沿着第一波导的第二位置处耦合到第一波导，用于基于在第一金属接触区段或第二金属接触区段的第二金属触头处接收的电信号来调制第一波导中的光波。
各方面可以包括以下特征中的一个或多个。波导区段可以包括第一波导区段和第二波导区段，第一波导区段包括将引导模式耦合到第一波导区段的边缘的第一波导的第一部分，第二波导区段包括将引导模式耦合到第二波导区段的边缘的第一波导的第二部分。
金属路径区段可以包括第一金属路径区段，该第一金属路径区段与第一金属接触区段的至少一部分和第二金属接触区段的至少一部分重叠，并在第一金属接触区段的至少一个金属触头和第二金属接触区段的至少一个金属触头之间提供至少一条金属路径。
金属路径区段可以包括第二金属路径区段，该第二金属路径区段与第一金属接触区段的至少一部分重叠并且不与第二金属接触区段的任何部分重叠，并且提供连接到第一金属接触区段的至少一个金属触头的至少一条金属路径。
集成电路中介层还可以包括第二金属接触层，在集成电路中介层的第二表面处，包括多个金属接触区段。
集成电路中介层还可以包括电耦合到第一半导体晶粒或第二半导体晶粒中的至少一个的至少一个电容器或电感器。
第一调制器和第二调制器可以是幅度调制器，其被配置为以相同的预定幅度缩放因子来调制第一波导中的光波。
一般而言，在另一方面，一种系统包括集成电路中介层和多个半导体晶粒。集成电路中介层包括第一基板，在第一基板的表面上具有多个金属触头集合，多个金属触头集合包括第一金属触头集合和第二金属触头集合。集成电路中介层还包括形成一个或多个光学波导的一个或多个图案化的波导层。多个半导体晶粒电耦合到第一基板上的多个金属触头集合，其中每个半导体晶粒包括半导体基板和形成在半导体基板上的电路。多个半导体晶粒包括第一半导体晶粒和第二半导体晶粒，第一半导体晶粒包括第一电路，第二半导体晶粒包括第二电路，第一半导体晶粒电耦合到第一金属触头集合，第二半导体晶粒电耦合到第二金属触头集合。第一电路被配置成通过一个或多个光学波导与第二电路进行光学通信。
实施方式可以包括以下特征中的一个或多个。集成电路中介层可以包括多个调制器和与多个半导体晶粒相关联的多个光电检测器，其中多个调制器包括第一调制器，并且多个光电检测器包括第一光电检测器。集成电路中介层的第一调制器可以电耦合到第一金属触头集合中的一个或多个金属触头，并且被配置为从第一半导体晶粒的第一电路接收第一传输电信号，并且基于第一传输电信号调制在集成电路中介层的第一光学波导中行进的光。集成电路中介层的第一光电检测器可以电耦合到第二金属触头集合中的一个或多个金属触头，并且被配置为将在集成电路中介层的第一光学波导中行进的经调制光转换成第一接收电信号，并且通过第二金属触头集合中的一个或多个金属触头将第一接收电信号发送到第二半导体晶粒的第二电路。
多个调制器可以包括第二调制器，并且多个光电检测器可以包括第二光电检测器。集成电路中介层的第二调制器可以电耦合到第二金属触头集合中的一个或多个金属触头，并且被配置为从第二半导体晶粒的第二电路接收第二传输电信号，并且基于第二传输电信号调制在集成电路中介层的第一光学波导或第二光学波导中行进的光。集成电路中介层的第二光电检测器可以电耦合到第一金属触头集合中的一个或多个金属触头，并且被配置为将在集成电路中介层的第一光学波导或第二光学波导中行进的经调制光转换成第二接收电信号，并且通过第一金属触头集合中的一个或多个金属触头将第二接收电信号发送到第一半导体晶粒的第一电路。
该系统可以包括部署在第一基板上或第一基板中的激光晶粒，并且被配置为提供导向一个或多个光学波导的激光束。
一般而言，在另一方面，一种集成电路中介层包括：半导体基板和第一金属接触层，第一金属接触层包括：第一金属接触区段和第二金属接触区段，第一金属接触区段包括被配置为电耦合到第一电路的金属触头，第二金属接触区段包括被配置为电耦合到第二电路的金属触头。集成电路中介层包括：第一图案化层，其包括多个单独光掩模图案化的金属路径区段；以及第二图案化层，其包括多个单独光掩模图案化的波导区段。第二图案化层包括：第一波导，其跨单独光掩模图案化的波导区段之间的至少一个边界；第一调制器，在沿着第一波导的第一位置处耦合到第一波导，用于基于从第一电路发送并在第一金属接触区段中的第一金属触头处接收的第一电信号来调制第一波导中的光波；以及第二调制器，在沿着第一波导的第二位置处耦合到第一波导，用于基于从第二电路发送并在第一金属接触区段或第二金属接触区段中的第二金属触头处接收的第二电信号来调制第一波导中的光波。
实施方式可以包括以下特征中的一个或多个。第一调制器和第二调制器可以是被配置为使用分布式脉冲-幅度调制来调制第一波导中的光波的幅度调制器。
集成电路中介层可以在经调制光波的目的地处包括数字逻辑，其用于将模拟总和结果映射到数字总和结果。
一般而言，在另一方面，一种制造集成电路中介层的方法包括：在半导体晶圆上形成第一金属接触层，第一金属接触层在集成电路中介层的第一表面处，包括多个金属接触区段。金属接触区段包括第一金属接触区段和第二金属接触区段，第一金属接触区段包括被布置用于以受控塌陷芯片连接电耦合到第一半导体晶粒的多个金属触头，并且第二金属接触区段包括被布置用于以受控塌陷芯片连接电耦合到第二半导体晶粒的多个金属触头。该方法包括：在半导体晶圆上形成在与半导体基板层相距第一距离处的第一图案化层，包括单独对多个金属路径区段进行图案化；以及在半导体晶圆上形成在与半导体基板层相距与第一距离不同的第二距离处的第二图案化层，包括单独对多个波导区段进行图案化。第二图案化层包括：第一波导，其跨单独光掩模图案化的波导区段之间的至少一个边界；第一调制器，在沿着第一波导的第一位置处耦合到第一波导，用于基于在第一金属接触区段中的第一金属触头处接收的电信号来调制第一波导中的光波；以及第二调制器，在沿着第一波导的第二位置处耦合到第一波导，用于基于在第一金属接触区段或第二金属接触区段中的第二金属触头处接收的电信号来调制第一波导中的光波。
一般而言，在另一方面，一种制造集成电路中介层的方法包括：在半导体晶圆上形成第一金属接触层，其中第一金属接触层包括多个金属接触区段，多个金属接触区段包括：第一金属接触区段和第二金属接触区段，第一金属接触区段包括被配置为电耦合到第一电路的多个金属触头，第二金属接触区段包括被配置为电耦合到第二电路的多个金属触头。该方法包括在半导体晶圆上形成第一图案化层，包括单独对多个金属路径区段进行图案化；以及在半导体晶圆上形成第二图案化层，包括单独对多个波导区段进行图案化。第二图案化层包括：第一波导，其跨单独光掩模图案化的波导区段之间的至少一个边界；第一调制器，在沿着第一波导的第一位置处耦合到第一波导并且被配置为基于在第一金属接触区段中的第一金属触头处接收的电信号来调制第一波导中的光波；以及第二调制器，在沿着第一波导的第二位置处耦合到第一波导并且被配置为基于在第一金属接触区段或第二金属接触区段中的第二金属触头处接收的电信号来调制第一波导中的光波。
一般而言，在另一方面，一种装置包括互连模块。该互连模块包括：第一基板；在第一基板上形成的第一金属接触层，其中第一金属接触层包括被配置为电耦合到包括电路的第一晶粒的第一金属触头；以及图案化的波导层，其包括部署在基板上的多个单独光掩模图案化的波导区段，其中图案化的波导层包括第一波导，该第一波导跨单独光掩模图案化的波导区段之间的至少一个边界。该互连模块包括：第一调制器，在沿着第一波导的第一位置处耦合到第一波导并且被配置为基于在第一金属触头处从第一晶粒接收的第一电信号来调制在第一波导中行进的光学信号；以及第二调制器，在沿着第一波导的第二位置处耦合到第一波导并且被配置为基于在第二金属触头处接收的第二电信号来调制在第一波导中的光学信号，该第二金属触头电耦合到第一晶粒或包括电路的第二晶粒。第一波导使光学信号能够跨单独光掩模图案化的波导区段之间的至少一个边界从源位置行进到目标位置，并且当光学信号从源位置行进到目标位置时，使光学信号被第一和第二调制器调制。
各方面可以包括以下特征中的一个或多个。第一金属接触层可以包括第二金属触头，该第二金属触头被配置为电耦合到包括电路的第二晶粒。
第一金属触头可以以受控塌陷芯片连接电耦合到第一晶粒，并且第二金属触头可以以受控塌陷芯片连接电耦合到第二晶粒。
第一金属触头可以位于与第一单独光掩模图案化的波导区段对应的第一区域；并且第二金属触头可以位于与第二单独光掩模图案化的波导区段对应的第二区域，该第二单独光掩模图案化的波导区段与第一单独光掩模图案化的波导区段不同。
该装置可以包括：检测器，被配置为在光学信号传输经过第一和第二调制器之后检测光学信号以生成检测到的信号；以及电路，被配置为使用指示通过其调制信号的调制器的数量的预定幅度尺度(scale)来映射检测到的信号的检测到的幅度。
该装置可以包括：检测器，被配置为在光学信号传输经过第一和第二调制器之后检测光学信号以生成检测到的信号；以及电路，被配置为使用指示通过其调制信号的调制器的数量的预定相位尺度来映射检测到的信号的检测到的相位。
该装置可以包括：检测器，被配置为在光学信号传输经过第一和第二调制器之后检测光学信号以生成检测到的信号；以及电路，被配置为使用指示通过其调制信号的调制器的数量的预定偏振尺度来映射检测到的信号的检测到的偏振。
每个单独光掩模图案化的波导区段可以通过使用光刻系统曝光对应的光掩模来制造，不同的单独光掩模图案化的波导区段可以通过相同光掩模或不同光掩模的不同曝光来制造。
第一金属触头可以以受控塌陷芯片连接电耦合到第一晶粒。
该装置可以包括第一晶粒。
该装置可以包括第一和第二晶粒。
在一些示例中，第一调制器可以被配置为调制光学信号的幅度。
在一些示例中，第一调制器可以被配置为调制光学信号的相位或偏振。
图案化的波导层可以包括：第一单独光掩模图案化的波导区段，其包括将引导模式耦合到第一波导区段的边缘的第一波导的第一部分；以及第二单独光掩模图案化的波导区段，其包括将引导模式耦合到第二波导区段的边缘的第一波导的第二部分。
该装置可以包括第二金属接触层，其包括第二金属触头，其中第一金属触头部署在基板的第一侧，并且第二金属触头部署在基板的第二侧。
互连模块可以包括光电中介层，其中基板、第一金属接触层、图案化的波导层、第一调制器和第二调制器是光电中介层的部分。
第一基板可以包括半导体基板。
互连模块可以包括电耦合到第一晶粒或第二晶粒中的至少一个的滤波电容器或解耦电容器。
一般而言，在另一方面，一种方法包括：在沿着形成在第一基板上的第一波导的第一位置处，基于在电耦合到包括电路的第一晶粒的第一金属触头处接收的第一电信号来调制第一波导中的光学信号；在沿着第一波导的第二位置处，基于在电耦合到第一晶粒或包括电路的第二晶粒的第二金属触头处接收的第二电信号来调制第一波导中的光学信号；以及将经调制的光学信号从部署在第一基板上的第一单独光掩模图案化的波导区段传输到部署在第一基板上的第二单独光掩模图案化的波导区段，其中通过使用光刻系统对第一光掩模进行第一曝光来制造第一单独光掩模图案化的波导区段，通过使用光刻系统对第二光掩模进行第二曝光来制造第二单独光掩模图案化的波导区段，第一曝光与第二曝光不同，并且第一光掩模与第二光掩模相同或不同。
各方面可以包括以下特征中的一个或多个。第一金属触头可以位于与第一单独光掩模图案化的波导区段对应的第一区域，并且第二金属触头可以位于与第二单独光掩模图案化的波导区段对应的第二区域。
该方法可以包括在中间位置下游的目的地位置处检测经调制的光学信号，在该中间位置处光学信号被调制以生成检测到的信号；以及使用指示在其处调制信号的中间位置的数量的预定幅度尺度来映射检测到的信号的检测到的幅度。
可以通过使用光刻系统进行第一光掩模的第一曝光来制造第一单独光掩模图案化的波导区段，可以通过使用光刻系统进行第二光掩模的第二曝光来制造第二单独光掩模图案化的波导区段，第一曝光可以与第二曝光不同，并且第一光掩模可以与第二光掩模相同或不同。
第一金属触头可以以受控塌陷芯片连接电耦合到第一晶粒。
第一晶粒可以包括半导体晶粒。
第一基板可以包括半导体基板。
第二金属触头可以电耦合到第二晶粒，并且该方法可以包括沿着跨单独光掩模图案化的波导区段之间的至少一个边界的第一波导传输经调制的光学信号。
沿着第一波导的第一位置和第二位置可以位于相同的单独光掩模图案化的波导区段上。
沿着第一波导的第一位置和第二位置可以位于不同的单独光掩模图案化的波导区段上。
该方法可以包括使用部署在第一基板上的滤波电容器对第一晶粒或第二晶粒上的信号进行滤波，其中第一晶粒或第二晶粒包括与第一基板不同的第二基板。
该方法可以包括使用部署在第一基板上的解耦电容器将第一电路部分与第二电路部分解耦，其中第一电路部分在第一或第二晶粒上，并且第二电路部分在第一或第二晶粒上。
一般而言，在另一方面，一种装置包括中介层。该中介层包括：中介层基板；以及形成在中介层基板上的第一金属接触层，其中第一金属接触层包括第一金属触头、第二金属触头和第三金属触头，第一金属触头被配置为电耦合到包括电路的第一晶粒，第二金属触头被配置为电耦合到第一晶粒或包括电路的第二晶粒，第一晶粒包括与中介层基板不同的第一基板，第二晶粒包括与中介层基板不同的第二基板。中介层包括形成在中介层基板上的图案化的波导层，其中图案化的波导层包括第一波导。中介层包括：第一调制器，在沿着第一波导的第一位置处耦合到第一波导并且被配置为基于在第一金属触头处接收的第一电信号来调制在第一波导中行进的光学信号以生成第一经调制的光学信号；以及第二调制器，在沿着第一波导的第二位置处耦合到第一波导并且被配置为基于在第二金属触头处接收的第二电信号来调制第一波导中的第一经调制的光波以生成第二经调制光学信号。中介层包括：检测器，被配置为检测第二经调制的光学信号以生成检测到的信号；以及检测电路，被配置为使用指示通过其以预定方式调制信号的调制器的数量的预定尺度将检测到的信号的检测到的特性映射到输出信号，其中输出信号电耦合到第三触头，并且第三触头电耦合到第一晶粒、第二晶粒或第三晶粒中的至少一个。
各方面可以包括以下特征中的一个或多个。第一金属触头可以以受控塌陷芯片连接电耦合到第一晶粒。
第二金属触头可以以受控塌陷芯片连接电耦合到第二晶粒。
第三金属触头可以以受控塌陷芯片连接电耦合到第三晶粒。
第一金属接触层可以包括第一金属接触区段和第二金属接触区段，第一金属接触区段可以包括被布置用于电耦合到第一晶粒的多个金属触头，并且第二金属接触区段可以包括被布置用于电耦合到第二晶粒的多个金属触头。
第一金属接触区段中的多个金属触头可以以受控塌陷芯片连接电耦合到第一晶粒。
第二金属接触区段中的多个金属触头可以以受控塌陷芯片连接电耦合到第二晶粒。
该装置可以包括形成在中介层基板上的第一图案化的金属层，该第一图案化的金属层可以包括多个单独光掩模图案化的金属路径区段。
图案化的波导层可以包括多个单独光掩模图案化的波导区段，并且第一波导可以跨单独光掩模图案化的波导区段之间的至少一个边界。
第一金属触头可以位于与第一单独光掩模图案化的波导区段对应的第一区域；并且第二金属触头可以位于与第二单独光掩模图案化的波导区段对应的第二区域，该第二单独光掩模图案化的波导区段与第一单独光掩模图案化的波导区段不同。
一般而言，在另一方面，一种装置包括：中介层，被配置为基于第一电信号和第二电信号对第一光学波导中的光学信号执行分布式脉冲-幅度调制，其中从电耦合到中介层的第一晶粒接收第一电信号，并且从第一晶粒或电耦合到中介层的第二晶粒接收第二电信号。
各方面可以包括以下特征中的一个或多个。中介层可以包括中介层基板，第一晶粒可以包括与中介层基板不同的第一基板。
第二晶粒可以包括与中介层基板不同的第二基板。
第一晶粒可以使用受控塌陷芯片连接电耦合到中介层。
第二晶粒可以使用受控塌陷芯片连接电耦合到中介层。
中介层可以包括：中介层基板；以及形成在中介层基板上的第一金属接触层，其中第一金属接触层包括第一金属触头、第二金属触头和第三金属触头，第一金属触头被配置为电耦合到第一晶粒，第二金属触头被配置为电耦合到第一晶粒或第二晶粒。
中介层可以包括第一光学波导、第一调制器和第二调制器。第一调制器可以被配置为基于在第一金属触头处接收的第一电信号来调制第一光学波导中的光学信号。第二调制器可以被配置为基于在第二金属触头处接收的第二电信号来调制第一光学波导中的光学信号。
该装置可以包括：检测器，被配置为在光学信号传输经过第一和第二调制器之后检测光学信号以生成检测到的信号；以及检测电路，被配置为使用指示通过其调制信号的调制器的数量的预定幅度尺度将检测到的信号的检测到的幅度映射到输出信号。
输出信号可以电耦合到第三触头，该第三触头电耦合到第一晶粒、第二晶粒或第三晶粒中的至少一个。
一般而言，在另一方面，提供了一种用于从多个节点向至少一个目的地传输信息的方法。该方法包括：将具有预定初步幅度的信号从源传输到传输介质上；通过来自两个可能的调制值的二进制集合中的选择的调制值，在源和目的地之间的多个中间位置的每个中间位置处调制信号的幅度，其中对于每个中间位置，二进制集合由调制值1和大于0且小于1的预定幅度缩放因子S组成。该方法包括：在信号传输经过所有中间位置之后检测目的地处的信号；以及使用指示在其处通过预定幅度缩放因子调制信号的中间位置的数量的预定幅度尺度来映射检测到的信号的检测到的幅度。
各方面可以包括以下特征中的一个或多个。预定幅度尺度可以包括基本上等于预定初步幅度的最大检测到的幅度，以及基本上等于SN的最小检测到的幅度，其中N是中间位置的数量。
对于每个中间位置，预定幅度缩放因子S可以不同。
对于每个中间位置，预定幅度缩放因子S可以相等。
预定幅度缩放因子S可以基本上等于(k-1)/k，其中k是中间位置的数量。
从源传输的信号可以在包括第一时隙的多个时隙中的每个时隙内具有预定初步幅度。
在多个中间位置中的每个中间位置处的信号幅度的调制可以在基于每个中间位置与源之间的传播距离的传播延迟之后的第一时隙内发生。
该方法还可以包括在多个节点、源和目的地之间维持时间同步。
传输介质可以包括光学波导。
光学波导可以形成在集成电路中介层中，该集成电路中介层包括被布置用于以受控塌陷芯片连接电耦合到至少一个半导体晶粒的金属触头。
可以基于来自半导体晶粒的电信号来提供在所述中间位置中的一个或多个处的选择的调制值。
一般而言，在另一方面，提供了一种用于从多个节点向至少一个目的地传输信息的系统。该系统包括：传输介质；源，被配置为将具有预定初步幅度的信号传输到传输介质上；以及在源和目的地之间的相应中间位置处耦合到传输介质的多个幅度调制器，每个幅度调制器被配置为通过来自两个可能的调制值的二进制集合中的选择的调制值来调制信号的幅度。对于每个幅度调制器，二进制集合由调制值1和大于0且小于1的预定幅度缩放因子S组成。该系统包括：在目的地处的检测器，被配置为在信号传输经过所有中间位置之后检测信号；以及电路，被配置为使用指示在其处通过共用幅度缩放因子调制信号的中间位置的数量的预定幅度尺度来映射检测到的信号的检测到的幅度。
一般而言，在另一方面，一种方法包括：将具有预定初步光学特性的信号从源传输到传输介质上；通过选择的调制值在源和目的地之间的多个中间位置中的每个中间位置处调制信号的光学特性；在信号传输经过中间位置之后，检测目的地处的信号；以及使用指示在其处调制信号的中间位置的数量的预定尺度来映射检测到的信号的检测到的光学特性。
各方面可以包括以下特征中的一个或多个。光学特性可以包括幅度。
调制光学特性可以包括通过从两个可能的调制值的二进制集合中选择的调制值来调制多个中间位置中的每个中间位置处的信号的幅度。对于每个中间位置，二进制集合由调制值1和大于0且小于1的预定幅度缩放因子S组成。
映射检测到的信号的检测到的光学特性可以包括使用指示在其处通过预定幅度缩放因子调制信号的中间位置的数量的预定幅度尺度来映射检测到的信号的检测到的幅度。
预定幅度尺度可以包括基本上等于预定初步幅度的最大检测到的幅度和基本上等于SN的最小检测到的幅度，其中N是中间位置的数量。
对于每个中间位置，预定幅度缩放因子S可以不同。
对于每个中间位置，预定幅度缩放因子S可以相等。
预定幅度缩放因子S可以基本上等于(k-1)/k，并且k是中间位置的数量。
从源传输的信号可以在包括第一时隙的多个时隙中的每个时隙内具有预定初步幅度。
在多个中间位置中的每个中间位置处的信号幅度的调制可以在基于每个中间位置与源之间的传播距离的传播延迟之后的第一时隙内发生。
该方法还可以包括在多个节点、源和目的地之间维持时间同步。
传输介质可以包括光学波导。
光学波导可以形成在集成电路中介层中，该集成电路中介层包括被布置用于以受控塌陷芯片连接电耦合到至少一个半导体晶粒的金属触头。
可以基于来自半导体晶粒的电信号来提供在中间位置中的一个或多个处的选择的调制值。
调制光学特性可以包括通过从两个可能的调制值的二进制集合中选择的调制值来调制在多个中间位置中的每个中间位置处的信号的幅度。对于每个中间位置，二进制集合由调制值1和大于1的预定幅度缩放因子S组成。
光学特性可以包括相位或偏振。
一般而言，在另一方面，一种方法包括：将具有预定初步第一光学特性和预定初步第二光学特性的信号从源传输到传输介质上；通过选择的调制值在源和目的地之间的多个中间位置中的每个中间位置处调制信号的第一或第二光学特性；在信号传输经过中间位置之后，检测目的地处的信号；并且使用指示在其处调制信号的中间位置的数量的预定尺度来映射检测到的信号的检测到的第一和第二光学特性。
各方面可以包括以下特征中的一个或多个。第一光学特性可以包括幅度并且第二光学特性可以包括相位。
第一光学特性可以包括幅度并且第二光学特性可以包括偏振。
第一光学特性可以包括相位并且第二光学特性可以包括偏振。
信号可以具有预定初步第三光学特性，该方法可以包括通过选择的调制值在源和目的地之间的多个中间位置中的每个中间位置处调制信号的第一、第二或第三光学特性；以及使用指示在其处调制信号的中间位置的数量的预定尺度来映射检测到的信号的检测到的第一、第二和第三光学特性。
第一光学特性可以包括幅度，第二光学特性可以包括相位，并且第三光学特性可以包括偏振。
一般而言，在另一方面，一种系统包括：传输介质；源，被配置为将具有预定初步光学特性的信号传输到传输介质上；在源和目的地之间的相应中间位置处耦合到传输介质的多个光学特性调制器；在目的地处的检测器，被配置为在信号传输经过中间位置之后检测信号；以及电路，被配置为使用指示在其处调制信号的中间位置的数量的预定尺度来映射检测到的信号的检测到的光学特性。
各方面可以包括以下特征中的一个或多个。每个光学特性调制器可以包括幅度调制器，该幅度调制器被配置为通过来自两个可能的调制值的二进制集合中的选择的调制值来调制信号的幅度。
对于每个幅度调制器，二进制集合可以由调制值1和大于0且小于1的预定幅度缩放因子S组成。
对于每个幅度调制器，二进制集合可以由调制值1和大于1的预定幅度缩放因子S组成。
每个光学特性调制器可以包括相位或偏振调制器，其被配置为通过来自两个可能的调制值的二进制集合中的选择的调制值来调制信号的相位或偏振。
各方面可以具有以下优点中的一个或多个。
数据可以被调制到各种类型的信号中的任何一种上。与其它类型的信号相比，某些类型的信号的传输或处理具有某些优点。不同类型的信号的示例包括：与已经被信号数据调制的光波对应的光学信号，以及与已经被信号数据调制的电波形对应的电信号(例如，电压或电流)。根据预定星座图，可以使用各种调制，诸如幅度调制、相位调制或幅度和相位调制的组合。与用作电信号的底层信号载体的电波形相比，用作光学信号的底层信号载体的光波具有某些优点。例如，光波通常具有比电波形更高的带宽容量。通常还存在与在给定距离上为光学信号传输数据相关联的更低功率需求和更短时间延迟(或“时延”)。
光学信号可以被用于在系统或设备中的不同电子节点(例如，数据中心内的计算节点或设备封装内的集成电路)之间传送数据。但是，与使用这种光学通信链路相关联的复杂性通常存在开销，包括光学信号和用作电子模块的输入和/或输出的电信号之间的转换。还添加了与用于信号转换的定时同步相关联的时延。
本文描述的光电计算平台的实施方式中的一些能够降低将通过光学信号的通信结合到平台中所需的复杂性。如下面更详细描述的，通过使用大型(例如，晶圆级)光电中介层，可以以高效的方式组合集成电路的集合。如下面更详细描述的，用于分布式脉冲-幅度调制(pulse-amplitude modulation，PAM)聚合的技术也可以在此类光电计算平台或其它平台或计算系统中使用，以便以高效的方式组合通信和计算。
本说明书中描述的主题的一个或多个实施例的细节在附图和以下描述中阐述。根据说明书、附图和权利要求书，本发明的其它特征、方面和优点将变得显而易见。
除非另有定义，否则本文中使用的所有技术和科学术语具有与本发明所属领域的普通技术人员通常所理解的相同含义。在与通过引用并入本文的专利申请或专利申请公开冲突的情况下，以包括定义的本说明书为准。
附图说明
当结合附图阅读时，根据以下详细描述可以最好地理解本公开。要强调的是，根据惯例，附图的各个特征未按比例绘制。相反，为了清楚起见，各种特征的尺寸被任意地扩大或缩小。
图1是光电计算平台的示例的示意图。
图2A是由光电中介层IC提供的数据通道的示例的示意图。
图2B是包括无源电子组件的示例光电中介层IC的示意图。
图3是光电中介层IC的示例的示意图。
图4A和4B是分布式求和计算中部分结果的移动的示例的示意图。
图5A、5B和5C是分布式计算体系架构中的数据流的示例的示意图。
图6是分布式PAM聚合技术的示例的示意图。
图7是用于将模拟总和结果映射到数字总和结果的示例数字逻辑的电路图。
图8A是分布式PMA聚合技术的示例的示意图。
图8B是被求和以产生模拟幅度的位的示例的表。
图9是最小步长随调制深度变化的曲线图的集合。
图10是示例系统配置的示意图。
图11A和11B是示例系统布局的示意图。
图12至图17是流程图。
图18A是用于将模拟总和结果映射到数据总和结果的数字逻辑电路的通用架构的示例的图。
图18B至图18F是示出当被用于将四个被加数相加并且将模拟总和结果映射到数据总和结果时的数字逻辑电路的状态的示例的图。
各个附图中的类似附图标记和标号指示相似的元件。
具体实施方式
图1示出了光电计算平台100的示例。平台100包括计算节点102的阵列，每个计算节点耦合到光电中介层集成电路(optoelectronic interposer integrated circuit，OIIC)104。除了在一个或多个金属层内提供计算节点102之间的电信号连接的金属路径之外，如在典型的电子中介层IC中那样，这个示例中的OIIC 104还包括在计算节点102之间提供光学信号连接的光学波导。已经克服了制造挑战，以使OIIC 104能够在大型基板(例如，整个半导体晶圆，诸如绝缘体上硅(silicon-on-insulator，SOI)晶圆)上制造，以支持相对大量的计算节点102和相对长的波导在OIIC 104的至少一个光子层中。每个计算节点102都在半导体晶粒上实现，该半导体晶粒使用OIIC的表面上的金属触头的布置上使用导电凸块(例如，焊料凸块)以受控塌陷芯片连接(或“倒装芯片”连接)连接到OIIC 104。在计算节点102的阵列的相反边缘附近，还有也连接到OIIC 104的输入/输出(I/O)模块106，这些模块使信号能够耦合到计算平台100中和从计算平台100耦合出去。I/O模块106能够将计算平台100耦合到各种设备，包括，例如，动态随机存取存储器(DRAM)芯片或其它类型的存储器设备。为了支持到此类设备的接口，I/O模块106可以包括根据各种设备协议(包括DDR SDRAM、PCI(e)、USB、以太网等)中的任何一种配置的电路。在这个示例中，十二个计算节点102的3×4阵列的每个计算节点102包括计算单元108(例如，CPU或GPU)和多路复用器(MUX)110，并且每个I/O模块106包括I/O电路和MUX(未示出)。当MUX 110耦合到OIIC 104或从OIIC 104耦合出来时，它们使得能够选择和路由电信号。在OIIC 104的另一侧是封装基板112，例如，该封装基板能够提供用于信号和/或电源的电连接。在这个示例中还示出，在阵列的另一边缘附近是一排接口端口114，提供了将信号直接耦合到OIIC 104或从OIIC 104耦合出来的另一种方法。本文描述的OIIC 104的各种特征使得能够在晶圆级光电计算平台100上进行多种不同功能芯片的功率高效集成。
图2A示出了在OIIC中提供数据通道的通道接口200的示例。对于彼此相对靠近的计算节点202A和202B，OIIC内的金属路径使电信号能够在节点202A和202B之间(或计算节点202A和202B在其上形成的晶粒之间)在电数据通道204上直接传播。例如，用于连接多芯片平台中的不同芯片(或“小芯片(chiplet)”)的高级接口总线(advanced interface bus，AIB)技术可以被用于实施金属路径上的电数据通道204。在一些实施方式中，金属路径的图案由对应光掩模的图案定义，其中使用光刻系统将光掩模上的图案转移到光电中介层集成电路的基板上。附近计算节点之间的短距离由小于最长的直的金属路径的长度的距离定义，该距离可以使用用于对金属路径的单个区段进行图案化的单个光掩模(或“掩模版”)产生。对于彼此相对远的计算节点，或对于距I/O模块相对远的计算节点，OIIC内的光学波导使得从节点的电信号转换/转换成节点的电信号的光学信号能够在节点之间传播。在图2A中，节点202A和远离节点202A的I/O模块206通过光学数据通道208连接。在这个示例中，光学数据通道208包括在相反方向携带光学信号的独立光学路径209A和209B(例如波导)，但是其他示例可以包括双向携带光学信号的光学路径。
在一些实施方式中，长距离由大于单独光掩模图案化的区段的最长尺寸的距离定义。这种长光学路径提供了低时延和功耗高效的光学数据通道，这避免了大型(例如，晶圆级)平台中对长导线的需求，该需求将带来难以克服的制造和性能方面的挑战。平台100根据源和目的地之间的传播距离来选择适当类型的数据通道(即，电的或光学的)。相邻计算节点可以利用由OIIC104提供的短的电信号路径。同时，如这个示例中所示，阵列中任何位置的计算节点(在计算晶粒上)可以与I/O模块206(在I/O晶粒上)及其连接的设备(例如，DRAM 210或PCI(e)设备212)具有直接光学连接，具有与相邻计算节点之间的短的电连接类似的大带宽和低时延。这打破了大型多芯片平台中中心晶粒否则可能遇到的访问限制。
在一些实施方式中，电信号和用于光学通道的光学信号之间的转换发生在OIIC104的光子层内的双向收发器处。例如，对于电-光转换，双向收发器可以包括光学调制器(例如，马赫曾德尔(Mach-Zehnder)干涉仪)，该光学调制器接收电信号(例如，电压信号)以用于控制由光源提供的光波的幅度调制，以生成经调制的光波。光源可以是例如集成到平台100中的激光器，或者是边缘耦合器或表面光栅耦合器的端口，该端口例如从耦合到外部激光器的光纤接收光波。对于光-电转换，双向收发器可以包括将光波的光功率转换成生成的电流信号的光电检测器。然后可以将该电流信号转换成计算节点内的电压信号(例如，使用跨阻放大器)。例如，电信号能够通过硅通孔(through-silicon via，TSV)传输到OIIC104的表面的金属触头或从OIIC的表面的金属触头进行传输。
图2B示出了可以包括在OIIC 230中的其它种类的组件的示例。OIIC 230包括形成在基板234上的金属层和波导层220。在这个示例中，连同金属互连222(例如，一些用于携带信号并且一些金属互连用于携带功率)以及光学波导互连224，存在包括金属电容器(例如，238)和平面电感器的区域226。金属互连222能够互连不同的电子集成电路(EIC)，诸如电子集成电路221A和电子集成电路221B。例如，电子集成电路221A可以类似于图1的计算单元108，并且电子集成电路221B可以类似于多路复用器110。电子集成电路221A执行计算，并通过电子集成电路221B和光学波导互连224将数据传输到其他计算节点。例如，无源电子组件(诸如电容器和电感器)对于更好地利用耦合到OIIC 230的每个计算晶粒内的有限区域可以是有用的。例如，电容器可以被用于电子电路中的功率解耦，其中功率解耦电容器相对靠近电子电路是有用的。可以根据需要使用金属TSV(未示出)从连接到计算晶粒的金属触头之一对这些电容器进行充电和放电。这些无源组件可以占用相对大量的空间，并且OIIC230中可用的空间能够比计算晶粒中的可用空间更多。由于可以将(一个或多个)无源组件放置在包括使用(一个或多个)无源组件的电路的计算晶粒(诸如EIC 221A)的正下方，因此用于进行电连接的金属导电路径的距离相对短。
在图2B的示例中，EIC 221B通过将电信号分别通过电路径228a、228b施加到电极232a、232b来调制在光学波导224中行进的光，以调制波导224的一部分的折射率。这使得EIC 221B能够生成可以被传输到另一EIC或I/O模块206的经调制的光学信号。同样，光电检测器可以耦合到波导，并且光电检测器的电输出可以通过类似于电路径228a或228b的电路径电耦合到EIC221B。电路径228a、228b包括电耦合到EIC 221B的金属触头。
图3示出了OIIC 310的层内的路径的布置300的示例。因为布置300的尺寸大于在半导体制造过程中由单个掩模版产生的典型图案，因此布置300可以使用利用一个或多个光掩模形成的多个单独光掩模图案化的区段来制造。在一些实施方式中，在整个半导体晶圆的大部分上形成晶圆级OIIC 310。金属路径302的网格在OIIC 310的层内提供配电网格。配电网格可以例如在布置300的边缘处和/或通过分布在布置300上的TSV连接到一个或多个电源。以规则的间隔，每组金属触头304以受控塌陷芯片连接为个体计算晶粒提供密集的连接阵列。用于不同计算晶粒的触头的相应边缘行的阵列之间的短金属路径306被用于电通道(例如，高级接口总线通道)。虽然由于图案未对准而可能难以制造用于穿过跨多个单独光掩模图案化的区段之间的边界的数据的金属路径306，但是由于金属路径的厚度宽得多，因此可以制造用于功率的金属路径302以跨越那些边界。在一些实施方式中，金属路径302和金属路径306可以被制造在不同的金属层中，或者被制造在单个金属层中。
在与(一个或多个)金属层分离的至少一个光子层中，跨多个单独光掩模图案化的区段之间的边界的长波导308被用于光学通道。可以使用技术来减少在其他情况下可能与相邻光掩模图案化的区段之间的任何未对准相关联的损耗，诸如通过使波导宽度在跨越处附近逐渐变大来减少损耗(最大约为10微米，损耗仅约为0.004dB)，如在Seok等人的文章“Wafer-scale silicon photonic switches beyond die size limit”中描述的，该文章通过引用并入本文。发送器和接收器设备，或同时包括发送器设备和接收器设备的收发器设备，以规则的间隔放置，以使光学信号能够从不同的计算晶粒处发送和接收。在一些实施方式中，存在多个光子层，具有在一个层中沿着一个方向的波导以及在另一层中沿着垂直方向的波导。可替代地，在一些实施例中，在两个波导之间的相交处可以存在光子设备，诸如定向开关。开关可以由通过计算节点提供的电信号控制，或者从计算节点外部的控制器提供的电信号控制。
如本文所述，OIIC的一些实施方式可以提供多种优点。一个潜在的优点是由于可以在OIIC的(一个或多个)光子层中制造的光学波导的密度，从而可以支持大量的光学通道。所实现的密度可能受到在制造平行波导的集合中可达到的间距的限制，但可以在数百或甚至数千波导的数量级上。这产生的光学信号路径的数量可能会比利用光纤阵列所提供的数量大得多，而光纤阵列可以被限制到小得多的数量(例如，大约16或32)。OIIC的尺寸也有优势。对制造良品率能够更敏感的计算节点(例如102)保持小(单个光掩模图案化的晶粒小芯片的尺寸)。具有更好的制造良品率的OIIC(例如104)可以更大(例如，30cm×30cm完整晶圆的大部分)。因此，OIIC足够大，以容纳大量的小芯片计算节点，但也足够小，比使用外部光子耦合器、调制器和开关的平台要紧凑得多。光子设备所需的平台内插槽也能够更少，从而为小芯片计算节点留出更多可用空间。通过结合各种类型的计算节点中的任何一种，只要晶粒尺寸和触头/凸块的布置相同，使用OIIC的光电计算平台就也可以非常灵活。这种平台的应用可以被用于多种应用，诸如神经形态计算或高性能计算，或可以受益于密集且灵活的光学网络基板的定制应用，以减少功率需求、管理散热、增加信号带宽和/或减少通信时延。
除了支持不同计算节点之间或计算节点与I/O模块之间的通信之外，由OIIC提供的光学通道还可以被用于可以使用OIIC内的元件执行的高效形式的分布式计算。作为这种分布式计算的示例的是分布式脉冲-幅度调制(PAM)聚合技术，该技术可以与通过光学传输介质(诸如OIIC中的光学波导)传输的光学信号一起使用，或者与通过其它适当传输介质传输的多种其它类型的信号一起使用。作为分布式PAM聚合技术的示例，将考虑一种系统，该系统包括生成部分结果(例如，不同的被加数(summand)或不同的部分总和)的多个节点，需要将这些部分结果相加在一起以在系统中的特定目的地处产生聚合的总和。
图4A示出了部分结果400在分布式求和计算中的示例移动。每个框表示系统中的不同计算节点，并且箭头表示系统中部分结果的移动的方向。所执行的示例计算是两个向量的以下点积，这可以是更大计算(诸如向量和矩阵的相乘或两个矩阵的相乘)的一部分。
x·w＝x1w1+x2w2+x3w3+x4w4
例如，向量x可以是输入向量，并且向量w可以是权重值的矩阵的一行元素。顶行中表示的计算节点402a、402b、402c、402d(统称为402)的初始集合中的每一个计算节点计算点积中向量的各个元素的不同积。来自这些计算的部分结果然后移动到中间行中表示的其它计算节点404a、404b(统称为404)，其它计算节点中的每个节点计算那些部分结果的总和。然后，来自这些计算的部分结果移动到另一个计算节点406，该另一个计算节点计算最终总和以产生总结果，然后可能需要将该总结果移到系统的不同部分。这仅仅是一种示例布置，其中累积路径在物理实现中将结果汇入(sink)中心。一般而言，非收缩体系架构可能要求总线具有无法高效缩放的长度。
图4B示出了部分结果400的移动的替代示例，其中使用传输介质408(例如，光学波导)执行最终结果阶段的求和。当信号沿着波导向下传播时，信号内不同脉冲的幅度被调制，使得最终结果以最终幅度表示。这个示例利用计算的汇入对称性，并利用下面更详细描述的分布式PAM聚合技术，通过使用多个二进制调制操作执行加法以生成多级PAM调制结果来快速提供结果(例如，接近光速)。
图5A、5B和5C示出了具有多个乘法模块的分布式向量矩阵乘法(vector matrixmultiplication，VMM)系统中的数据流的示例的不同阶段，根据VMM计算中使用的矩阵的权重值wm,n来标记，其中m对应于矩阵的行，n对应于矩阵的列。分布式向量矩阵乘法(VMM)系统被配置为执行以下矩阵运算：
在图5A中，向量x的四个元素被分布以与矩阵的不同权重值相乘。例如，计算节点500a执行乘法w1,1·x1，计算节点500b执行乘法w2,1·x1，计算节点500c执行乘法w3,1·x1，以及计算节点500d执行乘法w4,1·x1。计算节点502a执行乘法w1,2·x2，计算节点502b执行乘法w2,2·x2，计算节点502c执行乘法w3,2·x2，计算节点502d执行乘法w4,2·x2。计算节点504a执行乘法w1,3·x3，计算节点504b执行乘法w2,3·x3，计算节点504c执行乘法w3,3·x3，计算节点504d执行乘法w4,3·x3。计算节点506a执行乘法w1,4·x4，计算节点506b执行乘法w2,4·x4，计算节点506c执行乘法w3,4·x4，计算节点504d执行乘法w4,4·x4。
在图5B中，在将向量元素值与相应的权重值相乘之后，加法器树向内朝着乘法模块的中心工作以生成多个不同的部分总和结果。提供加法器510a、510b、510c、510d(统称为510)和加法器512a、512b、512c、512d(统称为512)来生成部分总和结果。例如，加法器510a将计算节点500a和502a的输出相加以产生总和w1,1·x1+w1,2·x2，加法器510b将计算节点500b和502b的输出相加以产生总和w2,1·x1+w2,2·x2，加法器510c将计算节点500c和502c的输出相加以产生总和w3,1·x1+w3,2·x2，加法器510d将计算节点500d和502d的输出相加以产生总和w4,1·x1+w4,2·x2。加法器512a将计算节点504a和506a的输出相加以产生总和w1,3·x3+w1,4·x4，加法器512b将计算节点504b和506b的输出相加以产生总和w2,3·x3+w2,4·x4。加法器512c将计算节点504c和506c的输出相加以产生总和w3,3·x3+w3,4·x4，加法器512d将计算节点504d和506d的输出相加以产生总和w4,3·x3+w4,4·x4。在这个示例中，加法器510和512在电域中执行加法运算。加法器510电耦合到计算节点500和502。加法器512电耦合到计算节点504和506。
在图5C中，对于输出向量的每个元素，将每一行内的部分总和相加在一起，以通过对于每一行在对应传输介质514A、514B、514C和514D(例如，对应的光学波导)上进行的分布式PAM聚合来累积总和。图5C示出了覆盖在传输介质514A、514B、514C、514D顶部的计算节点(例如，500、502、504、506)和加法器(例如，510、512)的示例的俯视图。在该示例中，加法器510a和512a根据例如下面更详细描述的分布式PAM聚合技术来调制在传输介质514A中行进的光。类似地，加法器510b和512b调制在传输介质514B中行进的光，加法器510c和512c调制在传输介质514C中行进的光，加法器510d和512d调制在传输介质514D中行进的光，所有这些都根据例如分布式PAM聚合技术进行。在该示例中，计算节点500、502、504和506没有光学耦合到传输介质514A、514B、514C和514D。通过同步地驱动光学通道(例如，在OIIC内)，可以同时累积结果并将其传输到光电计算平台内的适当目的地计算节点。
参考图6描述分布式PAM聚合技术的简化示例。在这个示例中，存在两个节点600、602，每个节点具有1位(1-bit)值，并且将那些值与沿着传输介质606传输到目的地D 604的求和结果相加。节点N0600有位b0，并且节点N1602有位b1。图6中的表608示出了1位值的值与结果位610和进位(carry)位612的对应值的不同可能组合，它们一起表示两个1位值的总和。还存在幅度值614，该幅度值与已从源传输到传输介质606上并经过节点N0和N1中的每个节点处的相应调制器的经调制的信号的幅度对应。信号以预定初步幅度开始，在这个示例中，该预定初步幅度被表示为幅度1。当信号经过每个节点时，如果1位值为“0”，那么该节点让信号通过而不改变信号的幅度(与调制值1对应)，或者如果1位值为“1”，那么该节点通过预定幅度缩放因子(或“调制深度”)m来调制信号，其中0<m<1。因此，使用分布式乘法运算执行分布式求和运算。
在这个示例中，预定调制深度是0.5。忽略任何可能与通过每个节点的调制器进行的传输相关联的微小传播损耗，如果两个节点的1位值都为0，那么目的地D 604处的信号的幅度仍将为1。如果任一节点的1位值为1，而另一个节点的1位值为0，那么目的地D 604处的信号的幅度将为0.5。如果两个节点的1位值都为1，那么目的地D 604处的信号的幅度将为0.25。在其它示例中，预定调制深度可以不同，但是如果预定调制深度在每个节点处相同，那么幅度值将表示具有值“1”的节点数的计数。可以将这种技术缩放到沿着传输介质600的相应中间位置处的任意数量的节点。在顺序时隙中还可以传输任何数量的1位值，以添加多位值。
图7示出了数字逻辑电路700的示例，对于图6的示例，该数字逻辑电路可以被用于将检测到的模拟幅度总和结果710映射到数字总和结果712。在输入端处，可以提供模拟幅度总和结果710，例如，作为跨阻放大器的电压，该跨阻放大器由检测用作传输介质606的光学波导中的光波的光电检测器的光电流驱动。仅需要具有不同比较阈值(分别为0.75和0.375)的两个比较器702A和702B来区分三个不同的可能幅度值。然后，电路使用XOR门704a、704b和AND门706以及同步数字电路元件(例如，触发器)708来提供结果712和每个新帧714的指示。用于每一位的定时与光波的各个时隙的定时对应，其可以由高速时钟信号716来控制。
在这个示例中，XOR门704a的输出是结果位(类似于图6中的结果位610)，AND门706的输出是进位位(类似于进位位612)。XOR门704b和同步数字电路元件708用于将先前的进位位(如果有的话)加到正被相加的一串1-位值的结果位上。例如，使用数字逻辑电路700，两个节点可以一次一位地添加任意长的多位值。类似的原理可以用于实施具有附加逻辑门的逻辑电路，该附加逻辑门用于当存在两个以上的节点将值相加在一起时，将检测到的模拟幅度总和结果映射到数字总和结果。
例如，各种模数转换器(ADC)电路中的任何一种都可以用于将检测到的模拟幅度总和结果转换成数字总和，诸如使用比较器和编码的组合来实施非线性快速ADC的电路。图18A示出了用于计算将来自四个相应的节点的四个被加数相加的结果的电路1800的示例，其中在连续时隙中一次提供一位地提供多位被加数。在这个示例中，使用了缩放因子0.8。如果四个被加数的所有四位都为0，则在传输介质(例如，类似于图6的606)中行进的光的幅度为1。如果四个被加数的四位中的一位为1，则在传输介质中行进的光的幅度为0.8。如果四个被加数的四位中的两位为1，则在传输介质中行进的光的幅度为0.64。如果四个被加数的四位中的三位为1，则在传输介质中行进的光的幅度为0.512。如果四个被加数的所有四位都为1，则在传输介质中行进的光的幅度为0.41。阈值0.9可用于区分值1和0.8。阈值0.72可用于区分值0.8和0.64。阈值0.58可用于区分值0.64和0.512。阈值0.46可用于区分值0.512和0.41。
光电检测器1802接收传输介质中的光，并向跨阻放大器1804提供光电流，跨阻放大器1804生成与光电流成比例的电压信号。在这个示例中，存在四个比较器1806A-1806D，它们将电压信号(在负端)与四个相应的电压阈值(在正端)0.46、0.58、0.72和0.9进行比较，如果电压信号小于阈值，则提供对应于1的二进制输出，如果电压信号大于阈值，则提供对应于0的二进制输出。电路1800还包括编码器电路1808，其将值存储在结果寄存器1810(例如，触发器集合)中，并对由比较器1806A至1806D提供的一串1位值执行二进制求和，直到生成最终结果。
例如，编码器电路1808可以是温度计到二进制(thermometer-to-binary)编码器(例如，胖树(fat-tree)编码器，其可以使用查找表来实施)。关于胖树编码器的附加信息可以在Daegyu Lee等人在2002年第45届中西部电路与系统研讨会(Midwest Symposium onCircuits and Systems，2002)上发表的文章“FAT TREE ENCODER DESIGN FOR ULTRA-HIGHSPEED FLASH A/D CONVERTERS”中找到，该文章的全部内容通过引用并入本文。一般而言，温度计到二进制的转换具有对数电路深度(作为被加数的数量N的函数)，并且二进制输出结果具有等于ceiling(log_2(N+1))(向上取整(log_2(N+1)))的位宽(例如，在这个示例中，位宽为4)。因此，在这个示例中，存在3个位来表示可能的总和结果。温度计到二进制编码的这个示例隐式地说明了输出结果位和进位位，作为结果位移位的下一个最高位。
电路1800包括寄存器接口1812，当将部分结果添加和写回到结果寄存器1810的适当部分时，该接口被编码器电路1808使用。在这个加法步骤中，操作数是寄存器1810中的现有值和编码器电路1808的输出。寄存器接口1812可以具有滑动窗口，该滑动窗口可以例如通过使用移位寄存器作为结果寄存器1810来实施。
图18B至图18F示出了数字逻辑电路1800被用于将四个被加数31、7、27和3相加(分别编码为二进制值11111、00111、11011和00011)、产生最终结果68(编码为二进制值01000100)的示例。图18B示出了电路1800的状态，其中每个被加数的最低位的四个1位值是1,1,1,1。该最低电平模拟值(从最高阈值到最低阈值)的对应的比较器输出是1,1,1,1。写入结果寄存器1810的位(对于位位置2,1,0)是1,0,0(表示1+1+1+1＝4)。
图18C示出了电路1800的状态，其中每个被加数的最低位的四个1位值是1,1,1,1。该最低电平模拟值(从最高阈值到最低阈值)的对应的比较器输出是1,1,1,1。写入结果寄存器1810的位(对于位位置3,2,1)是1,1,0(表示1+1+1+1+2(进位)＝6)。
图18D示出了电路1800的状态，其中每个被加数的最低位的四个1位值是1,1,0,0。该中间电平模拟值(从最高阈值到最低阈值)的对应的比较器输出是1,1,0,0。写入结果寄存器1810的位(对于位位置4,3,2)是1,0,1(表示1+1+0+0+3(进位)＝5)。
图18E示出了电路1800的状态，其中每个被加数的最低位的四个1位值是1,0,1,0。该中间电平模拟值(从最高阈值到最低阈值)的对应的比较器输出为1,1,0,0。写入结果寄存器1810的位(对于位位置5,4,3)是1,0,0(表示1+0+1+0+2(进位)＝4)。
图18F示出了电路1800的状态，其中每个被加数的最低位的四个1位值是1,0,1,0。该中间电平模拟值(从最高阈值到最低阈值)的对应的比较器输出为1,1,0,0。写入结果寄存器1810的位(对于位位置6,5,4)是1,0,0(表示1+0+1+0+2(进位)＝4)。存储在结果寄存器1810中的总和的最终结果是二进制值01000100。
图8A是用于将分别由节点N0、N1和N2持有的三个1位值b0、b1和b2相加的分布式PAM聚合技术的示例的图800。三个1位值b0、b1和b2与沿着传输介质606传输到目的地D 604的求和结果。
图8B示出了用于在沿着传输介质(例如，606)的中间位置聚合来自三个节点(例如，N0、N1、N2)的1位值(例如，b0、b1、b2)的表802。与前面的示例中一样，由于目的地处仅需要总和，因此1位值的不同可能组合可以导致相同的接收到的信号幅度这一事实无关紧要。在这个示例中，只有四个不同的可能幅度值，因此在这种情况下所需的比较的次数是三次而不是两次。一般而言，所需的比较的次数将随节点的数量而缩放。也将有附加结果和/或附加节点需要的进位位。该图示出了幅度值804，其中每个节点使用的预定调制深度为0.5，如前面的示例中一样，但还示出了优化幅度值806，其中每个节点使用的预定调制值为0.66(四舍五入到小数点后两位)。使用基于0.5调制深度的幅度，两个最小值0.125和0.25之间的步长为0.125。相比之下，在基于0.66调制深度的优化幅度806下，两个最小值0.29和0.44之间的较大步长为0.15。
以下是用于确定预定调制深度m的最优值的计算的示例，其中k是相加在一起的被加数的数量(以及沿着传输介质的中间位置的调制器的数量)。彼此最接近的、以及因此对于给定的信噪比而言最难解析的不同幅度之间的步长(也称为最小步长)是应用预定调制深度的所有k个调制器与应用预定调制深度的k-1个调制器之间的步长。因此，如下所述，通过最大化该最小步长来确定最优调制深度。
stepk-1,k＝mk-1-mk＝mk-1(1-m)
因此，优化技术的特征是，随着添加更多节点，最优调制深度增长，这使得调制更加功率高效。当预定幅度缩放因子S基本上等于(k-1)/k时，与幅度缩放因子S是某个其他值时相比，最小步长可以增加。这里，术语“基本上等于”某个值意味着等于该值的±10％以内。
图9示出了对于给定的k值，最小步长的值随每个调制器的调制深度而变的不同曲线图的示例。曲线901使用k＝2，曲线902使用k＝4，曲线903使用k＝8，曲线904使用k＝16。这里，k是被相加在一起的被加数的数量，也是沿着传输介质的中间位置处的调制器的数量。对于k的每个值，在最小步长的最大值处出现最优预定调制深度。通过最大化需要在彼此最接近的两个幅度值之间解析的最小步长，对噪声的敏感度更低，这通过降低针对给定信噪比的错误率而优化性能。
以下是计算的示例，其示出了随着k的增长，由k-1个节点施加的最优调制深度(相对快地)接近1/e。
图10示出了用于在使用8位乘法执行4×4矩阵乘法的系统1014中使用分布式PAM聚合的示例配置1000。输入向量中的数据元素和权重矩阵中的系数被电相乘为数字值。存在空间分布的部分总和，这些部分总和在求和模块1002中被相加以产生17位中间结果。存在八个求和模块1002a至1002h。求和模块1002a、1002b、1002c、1002d可以分别类似于例如图5C的加法器510a、510b、510c、510d。求和模块1002e、1002f、1002g、1002h可以分别类似于例如加法器512a、512b、512c、512d。使用调制器1006(诸如高速欠驱动二进制分段载波注入调制器(segmented carrier injection modulator，SCIM))将每个部分总和的位在串行器(serializer)1004中串行化并且聚合到光学传输介质1005上，以提供光学强度的序列，该光学强度的序列在包括用于生成放大的模拟电信号的电路(例如，连续时间线性均衡器(continuous-time linear equalizer，CTLE)电路和/或跨阻放大器(transimpedanceamplifier，TIA)电路)的光到电接收器模块1008处被接收。传输介质1005可以类似于图5C的传输介质514。
例如，由求和模块1002a生成的部分总和以及由求和模块1002e生成的部分总和使用调制器1006a和1006e被聚合到光学传输介质1005a上。这类似于图5中的示例，在图5中，由加法器510a生成的部分总和以及由加法器512a生成的部分总和被聚合到传输介质514A上。类似地，由求和模块1002b生成的部分总和以及由求和模块1002f生成的部分总和使用调制器1006b和1006f被聚合到光学传输介质1005b上。由求和模块1002c生成的部分总和以及由求和模块1002g生成的部分总和使用调制器1006c和1006g被聚合到光学传输介质1005c上。由求和模块1002d生成的部分总和以及由求和模块1002h生成的部分总和使用调制器1006d和1006h被聚合到光学传输介质1005d上。
在一些实施方式中，17位中间结果的不同位在不同的时隙被聚合到传输介质1005上。串行器1004将17位中间结果串行化为17个1位值。由求和模块1002a生成的中间结果的17个1位值和由求和模块1002e生成的中间结果的17个1位值在17个连续时隙被聚合到传输介质1005上。例如，在时隙0，求和模块1002a的位0和求和模块1002e的位0被聚合到传输介质1005a上。在时隙1，求和模块1002a的位1和求和模块1002e的位1被聚合到传输介质1005a上。在时隙16，求和模块1002a的位16和求和模块1002e的位16被聚合到传输介质1005a上。光学传输介质1005上在时隙0到16的光学信号表示由求和模块1002a产生的17位中间结果和由求和模块1002e产生的17位中间结果之和的位0至位16。
模数模块1010提供数字总和进位值，该数字总和进位值被提供给解串器(deserializer)1012以被解串行化成18位总和1016。载波注入吸收幅度调制器在一些实施方式中例如由于热稳定性而是有用的，这有助于在多个调制器处再现预定调制深度。在一些实施方式中，没有单个二进制分段载波注入调制器(segmented carrier injectionmodulator，SCIM)以全尺度(full-scale)被驱动(因此，术语“欠驱动”)，从而使调制器驱动器的功率/面积得以显著降低。可以使用多种替代配置。例如，可以使用不同类型的调制器，包括Mach-Zehnder干涉仪或环形调制器。一些配置可以使用多个光学波长，从而使得能够使用较低的串行器-解串器(serializer-deserializer，SERDES)频率。
图11A和11B分别示出了使用分布式PAM聚合技术来分布和聚合部分结果的系统的各种示例布局1100A和1100B。在图11A中，输入光1006被分布到四个波导1108a、1108b、1108c、1108d的分支。沿着波导1108a的分支存在两个数据调制器1102a、1102e，在波导1108a的端部具有光电二极管1104a。数据调制器1102a、1102e可以类似于图10的调制器1006a、1006e。沿着波导1108b的分支存在两个数据调制器1102b、1102f，在波导1108b的端部具有光电二极管1104b。数据调制器1102b、1102f可以类似于图10的调制器1006b、1006f。沿着波导1108c的分支存在两个数据调制器1102c、1102g，在波导1108c的端部具有光电二极管1104c。数据调制器1102c、1102g可以类似于图10的调制器1006c、1006g。沿着波导1108d的分支存在两个数据调制器1102d、1102h，在波导1108d的端部具有光电二极管1104d。数据调制器1102d、1102h可以类似于图10的调制器1006d、1006h。
在图11B中，沿着四个波导的分支中的每一个都存在两个数据调制器1102，在波导的端部具有光电二极管1104，并且在波导的端部有附加的光电二极管1104，这些光电二极管与四个波导分开，从而为每个分支提供了多个目的地(例如，以本地保存聚合的结果)。例如，波导1108a中的光学信号被分开并被发送到光电二极管1104a和1104e，波导1108b中的光学信号被分开并被发送到光电二极管1104b和1104f，波导1108c中的光学信号被分开并被发送到光电二极管1104c和1104g，波导1108d中的光学信号被分开并被发送到光电二极管1104d和1104h。因此，在其处提供结果的目的地不一定在波导的端部。
各种其它系统可以使用分布式PAM聚合技术来执行沿着传输介质在不同时隙内的二进制值的求和。例如，除了使用中介层提供光学波导作为传输介质的晶圆级系统之外，系统还可以使用光纤作为传输介质来连接数据中心中的不同节点(例如，服务器机架)。而且，一些系统可以使用电调制器来聚合在沿着电传输线传输的电信号上编码的二进制值。
在一些实施方式中，在图1的示例中，两个或更多个计算节点102可以在同一基板上制造，然后以受控塌陷芯片连接被连接到OIIC 104。不同的计算节点102不必位于分离的晶粒上，一个半导体晶粒可以支持多个计算节点102。在一些实施方式中，计算节点102中的每一个包括形成在基板上的电路，并且该电路通过计算节点102的基板电耦合和光耦合到OIIC 104，例如，通过诸如通孔和垂直耦合元件的垂直电触头。计算节点102不一定要“被翻转(flipped)”才能连接到OIIC 104。
在一些实施方式中，分布式计算可以使用分布式相位调制聚合技术，其中包括相位调制器的两个或更多个节点沿着光学信号的路径被定位。光学信号以预定的初始相位开始，例如相位0。当信号通过每个节点时，如果1位值为“0”，则该节点让信号通过而不改变信号的相位(对应于调制值1)，如果1位值为“1”，则该节点以预定相位延迟来调制信号。因此，使用分布式相位延迟操作来执行分布式求和操作。在目的地处，解码电路被配置成使用预定相位尺度来映射检测到的信号的检测到的相位，该预定相位尺度指示通过其调制信号的调制器的数量。
在一些实施方式中，分布式计算可以使用分布式偏振调制聚合技术，其中包括偏振调制器的两个或更多个节点沿着光学信号的路径被定位。光学信号以预定初步偏振开始。当信号通过每个节点时，如果1位值为“0”，则该节点让信号通过而不改变信号的偏振(对应于调制值1)，如果1位值为“1”，则该节点通过预定偏振改变来调制信号。因此，使用分布式偏振修正操作来执行分布式求和操作。在目的地处，解码电路被配置为使用预定偏振尺度来映射检测到的信号的检测到的偏振，该预定偏振尺度指示通过其调制信号的调制器的数量。
在一些实施方式中，分布式计算可以使用两个或更多个光学特性的聚合，例如幅度和相位、幅度和偏振、或者相位和偏振。例如，用于分布式计算的过程可以包括将具有预定初步第一光学特性和预定初步第二光学特性的信号从源传输到传输介质上，在源和目的地之间的多个中间位置的每个中间位置处用选择的调制值调制信号的第一光学特性或第二光学特性，在信号传输经过中间位置之后检测目的地处的信号，以及使用指示在其处调制信号的中间位置的数量的预定尺度来映射检测到的信号的检测到的第一和第二光学特性。例如，第一光学特性可以是幅度，第二光学特性可以是相位。例如，第一光学特性可以是幅度，第二光学特性可以是偏振。例如，第一光学特性可以是相位，第二光学特性可以是偏振。
图12是用于调制光学信号的过程1200的示例的流程图。过程1200包括以下步骤：
步骤1202：在沿着形成在第一基板上的第一波导的第一位置处，基于在电耦合到包括电路的第一晶粒的第一金属触头处接收的第一电信号，调制第一波导中的光学信号。例如，第一波导可以类似于图5C的波导514或图6的传输介质606，第一基板可以类似于封装基板112(图1)或基板234(图5C)，第一金属触头可以类似于金属触头236a或236b，第一晶粒可以类似于EIC 221B或节点N0，并且第一位置可以类似于节点N0 600的位置。
步骤1204：在沿着第一波导的第二位置处，基于在电耦合到第一晶粒或包括电路的第二晶粒的第二金属触头处接收的第二电信号，调制第一波导中的光学信号。第二晶粒可以类似于节点N1 602，并且第二位置可以类似于节点N1 602的位置。
步骤1206：将经调制的光学信号从部署在第一基板上的第一单独光掩模图案化的波导区段传输到部署在第一基板上的第二单独光掩模图案化的波导区段。第一单独光掩模图案化的波导区段通过使用光刻系统进行第一光掩模的第一曝光来制造，第二单独光掩模图案化的波导区段通过使用光刻系统进行第二光掩模的第二曝光来制造，第一曝光不同于第二曝光，并且第一光掩模与第二光掩模相同或不同。
过程1200可以包括以下特征中的一个或多个。例如，第一金属触头可以位于对应于第一单独光掩模图案化的波导区段的第一区域，第二金属触头可以位于对应于第二单独光掩模图案化的波导区段的第二区域。
过程1200可以包括：在中间位置下游的目的地位置处检测经调制的光学信号，其中，在该中间位置处，光学信号被调制以生成检测信号；以及使用指示在其处调制信号的中间位置的数量的预定幅度尺度来映射检测到的信号的检测到的幅度。例如，光电二极管1104(图11A、11B)可以用于检测经调制的光学信号。类似于图7中的电路700的数字逻辑电路可以用于使用预定幅度尺度来映射检测到的信号的检测到的幅度。
第一单独光掩模图案化的波导区段可以通过使用光刻系统进行第一光掩模的第一曝光来制造，第二单独光掩模图案化的波导区段可以通过使用光刻系统进行第二光掩模的第二曝光来制造，并且第一曝光不同于第二曝光。第一光掩模可以与第二光掩模相同或不同。
第一金属触头可以以受控塌陷芯片连接被电耦合到第一晶粒。例如，这可以类似于图1的示例，其中每个计算节点102在以受控塌陷芯片连接被连接到OIIC 104的半导体晶粒上实施。
第一晶粒可以包括半导体晶粒。第一基板可以包括半导体基板。第二金属触头可以电耦合到第二晶粒，并且该方法可以包括跨单独光掩模图案化的波导区段之间的至少一个边界，沿着第一波导传输经调制的光学信号。
沿着第一波导的第一位置和第二位置可以位于相同的单独光掩模图案化的波导区段上。沿着第一波导的第一位置和第二位置可以位于不同的单独光掩模图案化的波导区段上。
过程1200可以包括使用部署在第一基板上的滤波电容器对第一晶粒或第二晶粒上的信号进行滤波，其中第一晶粒或第二晶粒包括不同于第一基板的第二基板。例如，第一基板可以类似于图2B的基板234，滤波电容器可以类似于电容器238，并且第一晶粒可以类似于EIC 221A。
过程1200可以包括使用部署在第一基板上的解耦合电容器将第一电路部分与第二电路部分解耦合，其中第一电路部分在第一或第二晶粒上，第二电路部分在第一或第二晶粒上。例如，第一基板可以类似于图2B的基板234，解耦合电容器可以类似于电容器238，第一晶粒可以类似于EIC 221A，第二晶粒可以类似于EIC 221B。
图13是用于制造集成电路中介层的过程1300的示例的流程图。过程1300包括以下步骤。
步骤1302：在半导体晶圆上形成第一金属接触层，第一金属接触层在集成电路中介层的第一表面处，包括多个金属接触区段。金属接触区段包括第一金属接触区段和第二金属接触区段，第一金属接触区段包括被布置用于以受控塌陷芯片连接电耦合到第一半导体晶粒的多个金属触头，第二金属接触区段包括被布置用于以受控塌陷芯片连接电耦合到第二半导体晶粒的多个金属触头。
步骤1304：在半导体晶圆上形成在与半导体基板层相距第一距离处的第一图案化层，包括单独对多个金属路径区段进行图案化。
步骤1306：在半导体晶圆上形成在与半导体基板层相距与第一距离不同的第二距离处的第二图案化层，包括单独对多个波导区段进行图案化。第二图案化层包括：第一波导，其跨单独光掩模图案化的波导区段之间的至少一个边界；第一调制器，其在沿着第一波导的第一位置处耦合到第一波导，用于基于在第一金属接触区段中的第一金属触头处接收的电信号来调制第一波导中的光波；以及第二调制器，其在沿着第一波导的第二位置处耦合到第一波导，用于基于在第一金属接触区段或第二金属接触区段中的第二金属触头处接收的电信号来调制第一波导中的光波。
图14是用于制造集成电路中介层的过程1400的另一示例的流程图。过程1400包括以下步骤。
步骤1402：在半导体晶圆上形成第一金属接触层，其中第一金属接触层包括多个金属接触区段。金属接触区段包括第一金属接触区段和第二金属接触区段，第一金属接触区段包括被配置为电耦合到第一电路的多个金属触头，第二金属接触区段包括被配置为电耦合到第二电路的多个金属触头。
步骤1404：在半导体晶圆上形成第一图案化层，包括单独对多个金属路径区段进行图案化。
步骤1406：在半导体晶圆上形成第二图案化层，包括单独对多个波导区段进行图案化。第二图案化层包括：第一波导，其跨单独光掩模图案化的波导区段之间的至少一个边界；第一调制器，其在沿着第一波导的第一位置处耦合到第一波导并且被配置为基于在第一金属接触区段中的第一金属触头处接收的电信号来调制第一波导中的光波；以及第二调制器，其在沿着第一波导的第二位置处耦合到第一波导并且被配置为基于在第一金属接触区段或第二金属接触区段中的第二金属触头处接收的电信号来调制第一波导中的光波。
图15是用于从多个节点向至少一个目的地传输信息的过程1500的示例的流程图。过程1500包括以下步骤：
步骤1502：将具有预定初步幅度的信号从源传输到传输介质上。传输介质可以类似于传输介质408(图4B)、514(图5C)、606(图6、8A)、514(图5C)、1005(图10)或1108(图11)。
步骤1504：通过来自两个可能的调制值的二进制集合的选择的调制值，在源和目的地之间的多个中间位置的每个中间位置处调制信号的幅度，其中对于每个中间位置，二进制集合包括：调制值1、大于0且小于1的预定幅度缩放因子S。
步骤1506：在信号传输经过所有中间位置之后，检测目的地处的信号。例如，光电二极管1104(图11A、11B)可以用于检测目的地处信号。
步骤1508：使用预定幅度尺度映射检测到的信号的检测到的幅度，该预定幅度尺度指示在其处通过预定幅度缩放因子调制信号的中间位置的数量。例如，类似于图7中的电路700的数字逻辑电路可以用于使用预定幅度尺度映射检测到的信号的检测到的幅度。
过程1500可以包括以下特征中的一个或多个。预定幅度尺度可以包括基本上等于预定初步幅度的最大检测到的幅度，以及基本上等于SN的最小检测到的幅度，其中N是中间位置的数量。
在一些示例中，对于每个中间位置，预定幅度缩放因子S可以不同。在一些示例中，对于每个中间位置，预定幅度缩放因子S可以相等。预定幅度缩放因子可以基本上等于(k-1)/k，其中k是中间位置的数量。
从源传输的信号可以在包括第一时隙的多个时隙中的每个时隙内具有预定初步幅度。基于每个中间位置和源之间的传播距离，在传播延迟之后，可以在第一时隙内对多个中间位置中的每个中间位置处的信号的幅度进行调制。
过程1500可以包括维持多个节点、源和目的地之间的时间同步。传输介质可以包括光学波导。光学波导可以形成在集成电路中介层中，该集成电路中介层包括被布置用于以受控塌陷芯片连接电耦合到至少一个半导体晶粒的金属触头。可以基于来自半导体晶粒的电信号来提供中间位置中的一个或多个处的选择的调制值。
图16是用于将信息从多个位置传输到至少一个目的地的过程1600的示例的流程图。过程1600包括以下步骤：
步骤1602：将具有预定初步光学特性的信号从源传输到传输介质上。
步骤1604：通过选择的调制值，在源和目的地之间的多个中间位置中的每个中间位置处调制信号的光学特性。
步骤1606：在信号传输经过中间位置之后，检测目的地处的信号。
步骤1608：使用预定尺度来映射检测到的信号的检测到的光学特性，该预定尺度指示在其处调制信号的中间位置的数量。
过程1600可以包括以下特征中的一个或多个。光学特性可以包括幅度。调制光学特性可以包括通过从两个可能的调制值的二进制集合中选择的调制值来调制多个中间位置中的每个中间位置处的信号的幅度，其中对于每个中间位置，二进制集合包括：调制值1、大于0且小于1的预定幅度缩放因子S。
映射检测到的信号的检测到的光学特性可以包括使用预定幅度尺度来映射检测到的信号的检测到的幅度，该预定幅度尺度指示在其处通过预定幅度缩放因子调制信号的中间位置的数量。预定幅度尺度可以包括基本上等于预定初步幅度的最大检测到的幅度，以及基本上等于SN的最小检测到的幅度，其中N是中间位置的数量。
在一些示例中，对于每个中间位置，预定幅度缩放因子可以不同。在一些示例中，对于每个中间位置，预定幅度缩放因子S可以相等。预定幅度缩放因子S可以基本上等于(k-1)/k，k是中间位置的数量。
从源传输的信号可以在包括第一时隙的多个时隙中的每个时隙内具有预定初步幅度。基于每个中间位置和源之间的传播距离，在传播延迟之后，可以在第一时隙内对多个中间位置中的每个中间位置处的信号的幅度进行调制。
过程1600可以包括维持多个节点、源和目的地之间的时间同步。传输介质可以包括光学波导。光学波导可以形成在集成电路中介层中，该集成电路中介层包括被布置用于以受控塌陷芯片连接电耦合到至少一个半导体晶粒的金属触头。
可以基于来自半导体晶粒的电信号来提供中间位置中的一个或多个处的选择的调制值。调制光学特性可以包括通过从两个可能的调制值的二进制集合中选择的调制值来调制多个中间位置中的每个中间位置处的信号的幅度，其中对于每个中间位置，二进制集合包括：调制值1、大于1的预定幅度缩放因子S。例如，提供光学增益的光学放大器(例如，半导体光学放大器或掺杂光纤放大器)可用于实现幅度缩放因子S>1。
光学特性可以包括相位或偏振。
图17是用于将信息从多个位置传输到至少一个目的地的过程1700的示例的流程图。过程1700包括以下步骤：
步骤1702：将具有预定初步第一光学特性和预定初步第二光学特性的信号从源传输到传输介质上。
步骤1704：通过选择的调制值，在源和目的地之间的多个中间位置中的每个中间位置处调制信号的第一或第二光学特性。
步骤1706：在信号传输经过中间位置之后，检测目的地处的信号。
步骤1708：使用预定尺度来映射检测到的信号的检测到的第一和第二光学特性，该预定尺度指示在其处调制信号的中间位置的数量。
过程1700可以包括以下特征中的一个或多个。在一些示例中，第一光学特性可以包括幅度，第二光学特性可以包括相位。在一些示例中，第一光学特性可以包括幅度，第二光学特性可以包括偏振。在一些示例中，第一光学特性可以包括相位，第二光学特性可以包括偏振。
信号可以具有预定初步第三光学特性，过程1600可以包括在源和目的地之间的多个中间位置中的每个中间位置处通过选择的调制值调制信号的第一、第二或第三光学特性；以及使用预定尺度来映射检测到的信号的检测到的第一、第二和第三光学特性，该预定尺度指示在其处调制信号的中间位置的数量。第一光学特性可以包括幅度，第二光学特性可以包括相位，第三光学特性可以包括偏振。
本说明书中描述的系统和操作可以在数字电子电路中或者在计算机软件、固件或硬件中实现，包括本说明书中公开的结构及其结构等同物，或在它们中的一个或多个的组合中实现。可以使用编码在计算机可读介质上的由数据处理装置执行或控制数据处理装置的操作的计算机程序指令的一个或多个模块来实现本说明书中描述的主题的实施例。计算机可读介质可以是制造的产品，诸如计算机系统中的硬盘驱动器或通过零售渠道出售的光盘，或嵌入式系统。计算机可读介质可被单独地获取，并随后用计算机程序指令的一个或多个模块进行编码，例如通过在有线或无线网络上传递计算机程序指令的一个或多个模块。计算机可读介质可以是机器可读存储设备、机器可读存储基板、存储器设备或它们中的一个或多个的组合。
计算机程序(也称为程序、软件、软件应用、脚本或代码)可以用任何形式的编程语言(包括编译或解释语言、声明性或过程语言)编写，并且可以部署为任何形式，包括作为独立程序或作为模块、组件、子例程或适于在计算环境中使用的其它单元。计算机程序不一定与文件系统中的文件对应。程序可以存储在保持其它程序或数据的文件的一部分(例如，存储在标记语言文档中的一个或多个脚本)中、专用于所讨论程序的单个文件中或多个协调的文件(例如，存储一个或多个模块、子程序或代码的部分的文件)中。可以将计算机程序部署为在一个计算机上执行，或者在位于一个站点上或分布在多个站点上并通过通信网络互连的多个计算机上执行。
本说明书中描述的过程和逻辑流程可以由执行一个或多个计算机程序以通过对输入数据进行操作并生成输出来执行功能的一个或多个可编程处理器来执行。过程和逻辑流程也可以由专用逻辑电路执行，并且装置也可以被实现为专用逻辑电路，专用逻辑电路例如是FPGA(现场可编程门阵列)或ASIC(专用集成电路)。
本说明书中描述的一些系统可以为2019年6月4日提交的已公布为US20190370652的美国专利申请16/431,167、2021年3月17日提交的已公布为US20210201126的美国专利申请17/204,320中公开的系统提供光电平台和/或分布式PAM聚合功能。以上专利申请申请和已公布申请的全部内容通过引用并入本文。例如，图1的一个或多个计算单元108中的每一个可以包括US20210201126中的图1A的人工神经网络计算系统100、图1F的系统104、图3A的系统300、图3B的系统302、图4A的系统400、图5的系统500、图7的系统700、图9的系统900、图18的光电计算系统1800，图19A的系统1900、图19B的系统1920、图21B的系统2110、图23A的系统2300A、图23B的系统2300B、图23C的系统2300C、图24A的系统2400A、图24B的系统2400B、图24C的系统2400C、图24D的系统2400D、图24E的系统2400E、图26的系统2600、图27的系统2700以及图28的系统2800、图29的系统2900、图30的系统3000、图31的系统3100、图32A的系统3200、图35A的系统3500、图36的系统3600、图37的系统3700、图38的系统3800、或图41的系统4000、或以上提及的系统的组件中的一些。一个或多个计算节点102中的每一个除了电子电路之外还可以包括光电组件。一个或多个计算节点102中的每一个可以以类似于US20210201126中的图46中所示的集成电路4604如何耦合到集成电路4602的方式，或者以类似于图47中所示的集成电路4702如何耦合到集成电路4602的方式耦合到光电中介层集成电路104。一个或多个计算节点102中的每一个可以包括堆叠在一起的两个或更多个集成电路，如US20210201126中的图48和图49所示。
在一些实施方式中，光电中介层集成电路104可以类似于2020年12月9日提交的美国临时专利申请63/123,338(其全部内容通过引用并入本文)中的图2A、图2B、图2C、图2D、图2F、图2G、图3、图5C、图11A、图11B的中介层208、图7的中介层702、用作图8A、图8B所示的中介层的集成电路802、用作图9A、图9B、图9C所示的中介层的集成电路902。
各种类型的组件可以安装在nic中介层集成电路104上，诸如激光器212、热电冷却器216、透镜220、光子电路224、数字芯片232或数字存储模块234(例如，多个动态随机存取存储器(DRAM)芯片的堆叠，如在高带宽存储器(HBM)芯片中)，如US 63/123,338的图2A所示。
虽然已经结合某些实施例描述了本公开，但是应该理解的是，本公开不限于所公开的实施例，相反，其旨在覆盖包括在所附权利要求书的范围内的各种修改和等同布置，该范围应被赋予最宽泛的解释，以涵盖法律允许的所有此类修改和等同结构。

Claims (65)

1.一种集成电路中介层，包括：
半导体基板层；
第一金属接触层，所述第一金属接触层在所述集成电路中介层的第一表面处，包括多个金属接触区段，所述金属接触区段包括
第一金属接触区段，其包括被布置用于以受控塌陷芯片连接电耦合到第一半导体晶粒的多个金属触头，以及
第二金属接触区段，其包括被布置用于以受控塌陷芯片连接电耦合到第二半导体晶粒的多个金属触头；
第一图案化层，所述第一图案化层在与所述半导体基板层相距第一距离处，包括多个单独光掩模图案化的金属路径区段；以及
第二图案化层，所述第二图案化层在与所述半导体基板层相距与所述第一距离不同的第二距离处，包括多个单独光掩模图案化的波导区段，所述第二图案化层包括
第一波导，其跨单独光掩模图案化的波导区段之间的至少一个边界，
第一调制器，其在沿着所述第一波导的第一位置处耦合到所述第一波导，用于基于在所述第一金属接触区段中的第一金属触头处接收的电信号来调制所述第一波导中的光波，以及
第二调制器，其在沿着所述第一波导的第二位置处耦合到所述第一波导，用于基于在所述第一金属接触区段或所述第二金属接触区段中的第二金属触头处接收的电信号来调制所述第一波导中的所述光波。
2.如权利要求1所述的集成电路中介层，其中所述波导区段包括
第一波导区段，其包括将引导模式耦合到所述第一波导区段的边缘的所述第一波导的第一部分，以及
第二波导区段，其包括将引导模式耦合到所述第二波导区段的边缘的所述第一波导的第二部分。
3.如权利要求1所述的集成电路中介层，其中所述金属路径区段包括第一金属路径区段，所述第一金属路径区段与所述第一金属接触区段的至少一部分和所述第二金属接触区段的至少一部分重叠，并在所述第一金属接触区段的至少一个金属触头和所述第二金属接触区段的至少一个金属触头之间提供至少一条金属路径。
4.如权利要求3所述的集成电路中介层，其中所述金属路径区段包括第二金属路径区段，所述第二金属路径区段与所述第一金属接触区段的至少一部分重叠并且不与所述第二金属接触区段的任何部分重叠，并且提供连接到所述第一金属接触区段的至少一个金属触头的至少一条金属路径。
5.如权利要求1至4中的任一项所述的集成电路中介层，还包括第二金属接触层，所述第二金属接触层在集成电路中介层的第二表面处，包括多个金属接触区段。
6.如权利要求1至4中的任一项所述的集成电路中介层，还包括电耦合到所述第一半导体晶粒或所述第二半导体晶粒中的至少一个的至少一个电容器或电感器。
7.如权利要求1至4中的任一项所述的集成电路中介层，其中所述第一调制器和所述第二调制器是幅度调制器，其被配置为以相同的预定幅度缩放因子来调制所述第一波导中的所述光波。
8.一种集成电路中介层，包括：
半导体基板；
第一金属接触层，其包括：
第一金属接触区段，包括被配置为电耦合到第一电路的金属触头，
第二金属接触区段，包括被配置为电耦合到第二电路的金属触头；
第一图案化层，包括多个单独光掩模图案化的金属路径区段；以及
第二图案化层，包括多个单独光掩模图案化的波导区段，所述第二图案化层包括：
第一波导，其跨单独光掩模图案化的波导区段之间的至少一个边界；
第一调制器，其在沿着所述第一波导的第一位置处耦合到所述第一波导，用于基于从所述第一电路发送并在所述第一金属接触区段中的第一金属触头处接收的第一电信号来调制所述第一波导中的光波；以及
第二调制器，其在沿着所述第一波导的第二位置处耦合到所述第一波导，用于基于从所述第二电路发送并在所述第一金属接触区段或所述第二金属接触区段中的第二金属触头处接收的第二电信号来调制所述第一波导中的所述光波。
9.如权利要求8所述的集成电路中介层，其中所述第一调制器和第二调制器是被配置为使用分布式脉冲-幅度调制来调制所述第一波导中的所述光波的幅度调制器。
10.如权利要求9所述的集成电路中介层，在经调制光波的目的地处包括数字逻辑，所述数字逻辑用于将模拟总和结果映射到数字总和结果。
11.一种用于光电计算平台的系统，包括：
集成电路中介层，包括：
第一基板，在所述第一基板的表面上包括多个金属触头集合，所述多个金属触头集合包括第一金属触头集合和第二金属触头集合；和
一个或多个图案化的波导层，其形成一个或多个光学波导，所述一个或多个光学波导包括第一光学波导；
多个半导体晶粒，其电耦合到所述第一基板上的所述多个金属触头集合，每个半导体晶粒包括半导体基板和形成在所述半导体基板上的电路；
其中，所述多个半导体晶粒包括第一半导体晶粒和第二半导体晶粒，所述第一半导体晶粒包括第一电路，所述第二半导体晶粒包括第二电路，所述第一半导体晶粒电耦合到所述第一金属触头集合，所述第二半导体晶粒电耦合到所述第二金属触头集合；
其中，所述集成电路中介层用于从所述第一半导体晶粒的所述第一电路接收第一传输电信号，并且基于所述第一传输电信号调制在所述集成电路中介层的所述第一光学波导中行进的光；
所述第一电路被配置为通过所述一个或多个光学波导与所述第二电路进行光学通信。
12.如权利要求11所述的系统，其中所述集成电路中介层包括多个调制器和与所述多个半导体晶粒相关联的多个光电检测器，所述多个调制器包括第一调制器，所述多个光电检测器包括第一光电检测器，
其中，所述集成电路中介层的所述第一调制器电耦合到所述第一金属触头集合中的一个或多个金属触头，并且被配置为从所述第一半导体晶粒的所述第一电路接收第一传输电信号，并且基于所述第一传输电信号调制在所述集成电路中介层的所述第一光学波导中行进的光，以及
其中，所述集成电路中介层的所述第一光电检测器电耦合到所述第二金属触头集合中的一个或多个金属触头，并且被配置为将在所述集成电路中介层的所述第一光学波导中行进的经调制光转换成第一接收电信号，并且通过所述第二金属触头集合中的一个或多个金属触头将所述第一接收电信号发送到所述第二半导体晶粒的所述第二电路。
13.如权利要求12所述的系统，其中所述多个调制器包括第二调制器，并且所述多个光电检测器包括第二光电检测器，
其中，所述集成电路中介层的所述第二调制器电耦合到所述第二金属触头集合中的一个或多个金属触头，并且被配置为从所述第二半导体晶粒的所述第二电路接收第二传输电信号，并且基于所述第二传输电信号调制在所述集成电路中介层的所述第一光学波导中行进的光，以及
其中，所述集成电路中介层的所述第二光电检测器电耦合到所述第一金属触头集合中的一个或多个金属触头，并且被配置为将在所述集成电路中介层的所述第一光学波导中行进的经调制光转换成第二接收电信号，并且通过所述第一金属触头集合中的一个或多个金属触头将所述第二接收电信号发送到所述第一半导体晶粒的所述第一电路。
14.如权利要求11所述的系统，包括部署在所述第一基板上或所述第一基板中的激光晶粒，并且被配置为提供导向所述一个或多个光学波导的激光束。
15.一种制造集成电路中介层的方法，包括：
在半导体晶圆上形成第一金属接触层，所述第一金属接触层在所述集成电路中介层的第一表面处，包括多个金属接触区段，所述金属接触区段包括
第一金属接触区段，其包括被布置用于以受控塌陷芯片连接电耦合到第一半导体晶粒的多个金属触头，以及
第二金属接触区段，其包括被布置用于以受控塌陷芯片连接电耦合到第二半导体晶粒的多个金属触头；
在半导体晶圆上形成在与半导体基板层相距第一距离处的第一图案化层，包括单独对多个金属路径区段进行图案化；以及
在半导体晶圆上形成在与所述半导体基板层相距与所述第一距离不同的第二距离处的第二图案化层，包括单独对多个波导区段进行图案化，所述第二图案化层包括
第一波导，其跨单独光掩模图案化的波导区段之间的至少一个边界，
第一调制器，其在沿着所述第一波导的第一位置处耦合到所述第一波导，用于基于在所述第一金属接触区段中的第一金属触头处接收的电信号来调制所述第一波导中的光波，以及
第二调制器，其在沿着所述第一波导的第二位置处耦合到所述第一波导，用于基于在所述第一金属接触区段或所述第二金属接触区段中的第二金属触头处接收的电信号来调制所述第一波导中的所述光波。
16.一种制造集成电路中介层的方法，包括：
在半导体晶圆上形成第一金属接触层，其中所述第一金属接触层包括多个金属接触区段，所述多个金属接触区段包括：
第一金属接触区段，其包括被配置为电耦合到第一电路的多个金属触头；
第二金属接触区段，其包括被配置为电耦合到第二电路的多个金属触头；
在所述半导体晶圆上形成第一图案化层，包括单独对多个金属路径区段进行图案化；以及
在所述半导体晶圆上形成第二图案化层，包括单独对多个波导区段进行图案化，所述第二图案化层包括：
第一波导，其跨单独光掩模图案化的波导区段之间的至少一个边界；
第一调制器，其在沿着所述第一波导的第一位置处耦合到所述第一波导并且被配置为基于在所述第一金属接触区段中的第一金属触头处接收的电信号来调制所述第一波导中的光波；以及
第二调制器，其在沿着所述第一波导的第二位置处耦合到所述第一波导并且被配置为基于在所述第一金属接触区段或所述第二金属接触区段中的第二金属触头处接收的电信号来调制所述第一波导中的所述光波。
17.一种用于光电计算平台的装置，包括：
互连模块，包括：
第一基板；
在所述第一基板上形成的第一金属接触层，其中所述第一金属接触层包括被配置为电耦合到包括电路的第一晶粒的第一金属触头；
图案化的波导层，其包括部署在所述基板上的多个单独光掩模图案化的波导区段，其中所述图案化的波导层包括第一波导，所述第一波导跨单独光掩模图案化的波导区段之间的至少一个边界；
第一调制器，其在沿着所述第一波导的第一位置处耦合到所述第一波导并且被配置为基于在所述第一金属触头处从所述第一晶粒接收的第一电信号来调制在所述第一波导中行进的光学信号；以及
第二调制器，其在沿着所述第一波导的第二位置处耦合到所述第一波导并且被配置为基于在第二金属触头处接收的第二电信号来调制在所述第一波导中的所述光学信号，所述第二金属触头电耦合到所述第一晶粒或包括电路的第二晶粒；
其中，所述第一波导使所述光学信号能够跨单独光掩模图案化的波导区段之间的至少一个边界从源位置行进到目标位置，并且当所述光学信号从所述源位置行进到所述目标位置时，使所述光学信号被所述第一调制器和所述第二调制器调制。
18.如权利要求17所述的装置，其中所述第一金属接触层包括第二金属触头，所述第二金属触头被配置为电耦合到包括电路的第二晶粒。
19.如权利要求18所述的装置，其中所述第一金属触头以受控塌陷芯片连接电耦合到所述第一晶粒，并且所述第二金属触头以受控塌陷芯片连接电耦合到所述第二晶粒。
20.如权利要求17至19中的任一项所述的装置，其中所述第一金属触头位于与第一单独光掩模图案化的波导区段对应的第一区域；并且所述第二金属触头位于与第二单独光掩模图案化的波导区段对应的第二区域，所述第二单独光掩模图案化的波导区段与所述第一单独光掩模图案化的波导区段不同。
21.如权利要求17至19中的任一项所述的装置，包括：
检测器，被配置为在所述光学信号传输经过所述第一调制器和所述第二调制器之后检测所述光学信号以生成检测到的信号；以及
电路，被配置为使用指示通过其调制所述信号的调制器的数量的预定幅度尺度来映射所述检测到的信号的检测到的幅度。
22.如权利要求17至19中的任一项所述的装置，包括：
检测器，被配置为在所述光学信号传输经过所述第一调制器和所述第二调制器之后检测所述光学信号以生成检测到的信号；以及
电路，被配置为使用指示通过其调制所述信号的调制器的数量的预定相位尺度来映射所述检测到的信号的检测到的相位。
23.如权利要求17至19中的任一项所述的装置，包括：
检测器，被配置为在所述光学信号传输经过所述第一调制器和所述第二调制器之后检测所述光学信号以生成检测到的信号；以及
电路，被配置为使用指示通过其调制所述信号的调制器的数量的预定偏振尺度来映射所述检测到的信号的检测到的偏振。
24.如权利要求17至19中的任一项所述的装置，其中每个单独光掩模图案化的波导区段通过使用光刻系统曝光对应的光掩模来制造，不同的单独光掩模图案化的波导区段通过相同光掩模或不同光掩模的不同曝光来制造。
25.如权利要求17至19中的任一项所述的装置，其中所述第一金属触头以受控塌陷芯片连接电耦合到所述第一晶粒。
26.如权利要求17至19中的任一项所述的装置，包括所述第一晶粒。
27.如权利要求18至19中的任一项所述的装置，包括所述第一晶粒和所述第二晶粒。
28.如权利要求17至19中的任一项所述的装置，其中所述第一调制器被配置为调制所述光学信号的幅度。
29.如权利要求17至19中的任一项所述的装置，其中所述第一调制器被配置为调制所述光学信号的相位或偏振。
30.如权利要求17至19中的任一项所述的装置，其中所述图案化的波导层包括：
第一单独光掩模图案化的波导区段，其包括将引导模式耦合到第一波导区段的边缘的所述第一波导的第一部分，以及
第二单独光掩模图案化的波导区段，其包括将引导模式耦合到第二波导区段的边缘的所述第一波导的第二部分。
31.如权利要求17至19中的任一项所述的装置，包括第二金属接触层，其包括第二金属触头，其中所述第一金属触头部署在所述基板的第一侧，并且所述第二金属触头部署在所述基板的第二侧。
32.如权利要求17至19中的任一项所述的装置，其中所述互连模块包括光电中介层，
其中所述基板、所述第一金属接触层、所述图案化的波导层、所述第一调制器和所述第二调制器是所述光电中介层的部分。
33.如权利要求17至19中的任一项所述的装置，其中所述第一基板包括半导体基板。
34.如权利要求17至19中的任一项所述的装置，其中所述互连模块包括电耦合到所述第一晶粒或所述第二晶粒中的至少一个的滤波电容器或解耦电容器。
35.一种用于光电计算平台的方法，包括：
在沿着形成在第一基板上的第一波导的第一位置处，基于在电耦合到包括电路的第一晶粒的第一金属触头处接收的第一电信号来调制所述第一波导中的光学信号；
在沿着所述第一波导的第二位置处，基于在电耦合到所述第一晶粒或包括电路的第二晶粒的第二金属触头处接收的第二电信号来调制所述第一波导中的所述光学信号；以及
将经调制的光学信号从部署在所述第一基板上的第一单独光掩模图案化的波导区段传输到部署在所述第一基板上的第二单独光掩模图案化的波导区段，其中通过使用光刻系统对第一光掩模进行第一曝光来制造所述第一单独光掩模图案化的波导区段，通过使用所述光刻系统对第二光掩模进行第二曝光来制造所述第二单独光掩模图案化的波导区段，所述第一曝光与所述第二曝光不同，并且所述第一光掩模与所述第二光掩模相同或不同。
36.如权利要求35所述的方法，其中所述第一金属触头位于与所述第一单独光掩模图案化的波导区段对应的第一区域，并且所述第二金属触头位于与所述第二单独光掩模图案化的波导区段对应的第二区域。
37.如权利要求35所述的方法，包括：在中间位置下游的目的地位置处检测所述经调制的光学信号，在所述中间位置处所述光学信号被调制以生成检测到的信号；以及
使用指示在其处调制所述信号的中间位置的数量的预定幅度尺度来映射所述检测到的信号的检测到的幅度。
38.如权利要求35至37中的任一项所述的方法，其中通过使用光刻系统进行第一光掩模的第一曝光来制造所述第一单独光掩模图案化的波导区段，通过使用所述光刻系统进行第二光掩模的第二曝光来制造所述第二单独光掩模图案化的波导区段，所述第一曝光与所述第二曝光不同，并且所述第一光掩模与所述第二光掩模相同或不同。
39.如权利要求35至37中的任一项所述的方法，其中所述第一金属触头以受控塌陷芯片连接电耦合到所述第一晶粒。
40.如权利要求35至37中的任一项所述的方法，其中所述第一晶粒包括半导体晶粒。
41.如权利要求35至37中的任一项所述的方法，其中所述第一基板包括半导体基板。
42.如权利要求35至37中的任一项所述的方法，其中所述第二金属触头电耦合到所述第二晶粒，并且所述方法包括沿着跨单独光掩模图案化的波导区段之间的至少一个边界的所述第一波导传输所述经调制的光学信号。
43.如权利要求42所述的方法，其中沿着所述第一波导的所述第一位置和所述第二位置位于相同的单独光掩模图案化的波导区段上。
44.如权利要求42所述的方法，其中沿着所述第一波导的所述第一位置和所述第二位置位于不同的单独光掩模图案化的波导区段上。
45.如权利要求35至37中的任一项所述的方法，包括使用部署在所述第一基板上的滤波电容器对所述第一晶粒或所述第二晶粒上的信号进行滤波，其中所述第一晶粒或所述第二晶粒包括与所述第一基板不同的第二基板。
46.如权利要求35至37中的任一项所述的方法，包括使用部署在所述第一基板上的解耦电容器将第一电路部分与第二电路部分解耦，其中所述第一电路部分在所述第一晶粒或所述第二晶粒上，并且所述第二电路部分在所述第一晶粒或所述第二晶粒上。
47.一种用于光电计算平台的装置，包括：
中介层，包括：
中介层基板；
形成在所述中介层基板上的第一金属接触层，其中所述第一金属接触层包括第一金属触头、第二金属触头和第三金属触头，所述第一金属触头被配置为电耦合到包括电路的第一晶粒，所述第二金属触头被配置为电耦合到所述第一晶粒或包括电路的第二晶粒，所述第一晶粒包括与所述中介层基板不同的第一基板，所述第二晶粒包括与所述中介层基板不同的第二基板；
形成在所述中介层基板上的图案化的波导层，其中所述图案化的波导层包括第一波导；
第一调制器，其在沿着所述第一波导的第一位置处耦合到所述第一波导并且被配置为基于在所述第一金属触头处接收的第一电信号来调制在所述第一波导中行进的光学信号以生成第一经调制的光学信号；
第二调制器，其在沿着所述第一波导的第二位置处耦合到所述第一波导并且被配置为基于在所述第二金属触头处接收的第二电信号来调制所述第一波导中的所述第一经调制的光波以生成第二经调制光学信号；
检测器，其被配置为检测所述第二经调制的光学信号以生成检测到的信号；以及
检测电路，其被配置为使用指示以预定方式通过其调制所述信号的调制器的数量的预定尺度将所述检测到的信号的检测到的特性映射到输出信号，其中所述输出信号电耦合到所述第三金属触头，并且所述第三金属触头电耦合到所述第一晶粒、所述第二晶粒或第三晶粒中的至少一个。
48.如权利要求47所述的装置，其中所述第一金属触头以受控塌陷芯片连接电耦合到所述第一晶粒。
49.如权利要求48所述的装置，其中所述第二金属触头以受控塌陷芯片连接电耦合到所述第二晶粒。
50.如权利要求49所述的装置，其中所述第三金属触头以受控塌陷芯片连接电耦合到所述第三晶粒。
51.如权利要求47至50中的任一项所述的装置，其中所述第一金属接触层包括第一金属接触区段和第二金属接触区段，所述第一金属接触区段包括被布置用于电耦合到所述第一晶粒的多个金属触头，并且所述第二金属接触区段包括被布置用于电耦合到所述第二晶粒的多个金属触头。
52.如权利要求51所述的装置，其中所述第一金属接触区段中的所述多个金属触头以受控塌陷芯片连接电耦合到所述第一晶粒。
53.如权利要求52所述的装置，其中所述第二金属接触区段中的所述多个金属触头以受控塌陷芯片连接电耦合到所述第二晶粒。
54.如权利要求51所述的装置，包括形成在所述中介层基板上的第一图案化的金属层，所述第一图案化的金属层包括多个单独光掩模图案化的金属路径区段。
55.如权利要求54所述的装置，其中所述图案化的波导层包括多个单独光掩模图案化的波导区段，并且所述第一波导跨单独光掩模图案化的波导区段之间的至少一个边界。
56.如权利要求54所述的装置，其中所述第一金属触头位于与第一单独光掩模图案化的波导区段对应的第一区域；并且所述第二金属触头位于与第二单独光掩模图案化的波导区段对应的第二区域，所述第二单独光掩模图案化的波导区段与所述第一单独光掩模图案化的波导区段不同。
57.一种用于光电计算平台的装置，包括：
中介层，包括第一光学波导；
第一晶粒，电耦合到所述中介层；
第二晶粒，电耦合到所述中介层；
其中，所述中介层被配置为基于第一电信号和第二电信号对第一光学波导中的光学信号执行分布式脉冲-幅度调制，其中从电耦合到所述中介层的所述第一晶粒接收所述第一电信号，并且从所述第一晶粒或电耦合到所述中介层的所述第二晶粒接收所述第二电信号。
58.如权利要求57所述的装置，其中所述中介层包括中介层基板，所述第一晶粒包括与所述中介层基板不同的第一基板。
59.如权利要求58所述的装置，其中所述第二晶粒包括与所述中介层基板不同的第二基板。
60.如权利要求58所述的装置，其中所述第一晶粒使用受控塌陷芯片连接电耦合到所述中介层。
61.如权利要求60所述的装置，其中所述第二晶粒使用受控塌陷芯片连接电耦合到所述中介层。
62.如权利要求57至61中的任一项所述的装置，其中所述中介层包括：
中介层基板；以及
形成在所述中介层基板上的第一金属接触层，其中所述第一金属接触层包括第一金属触头、第二金属触头和第三金属触头，所述第一金属触头被配置为电耦合到所述第一晶粒，所述第二金属触头被配置为电耦合到所述第一晶粒或所述第二晶粒。
63.如权利要求62所述的装置，其中所述中介层包括第一调制器和第二调制器，
所述第一调制器被配置为基于在所述第一金属触头处接收的所述第一电信号来调制所述第一光学波导中的所述光学信号，并且
所述第二调制器被配置为基于在所述第二金属触头处接收的所述第二电信号来调制所述第一光学波导中的所述光学信号。
64.如权利要求63所述的装置，包括：检测器，其被配置为在所述光学信号传输经过所述第一调制器和所述第二调制器之后检测所述光学信号以生成检测到的信号；以及
检测电路，其被配置为使用指示通过其调制所述光学信号的调制器的数量的预定幅度尺度将所述检测到的信号的检测到的幅度映射到输出信号。
65.如权利要求64所述的装置，其中所述输出信号电耦合到第三触头，所述第三触头电耦合到所述第一晶粒、所述第二晶粒或第三晶粒中的至少一个。
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