CN114156313A - 显示装置 - Google Patents

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CN114156313A CN202110940046.1A CN202110940046A CN114156313A CN 114156313 A CN114156313 A CN 114156313A CN 202110940046 A CN202110940046 A CN 202110940046A CN 114156313 A CN114156313 A CN 114156313A
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李宗炫
成银真
朴庆泰
赵刚彬
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Abstract

本发明提供一种显示装置。根据一实施例的显示装置，包括：基板；薄膜晶体管层，配置在基板上；以及发光电极，配置在薄膜晶体管层上，薄膜晶体管层包括：下部金属层，配置在基板上并包括多个曲线部；以及半导体层，重叠配置在下部金属层上，各个曲线部的边缘形成在具有同一中心点的同心圆上，半导体层的边缘配置在下部金属层上。

Description

显示装置
技术领域
本发明涉及显示装置。
背景技术
随着多媒体的发展，显示装置的重要性在增加。为此，使用诸如液晶显示装置(Liquid Crystal Display,LCD)、有机发光显示装置(Organic Light Emitting Display,OLED)等的多种显示装置。
显示装置应用在智能电话(smart phone)、平板电脑(tablet)、笔记本电脑(notebook computer)、监控器(monitor)、TV等多种电子设备中。最近，随着移动通信技术的发展，智能电话、平板电脑、笔记本电脑之类的便携式电子设备的使用在增加。便携式电子设备中存储有通讯录、通话内容、短信、照片、备忘录、用户的网页浏览信息、位置信息、金融信息之类的个人信息(privacy information)。因此，为了保护便携式电子设备的个人信息，使用指纹认证来认证作为用户的生物信息的指纹。为了指纹认证，显示装置可以包括指纹识别传感器。
一方面，指纹识别传感器配置在显示装置的边框区域或者非显示区域时，加宽显示装置的显示区域会受限制。因此，最近指纹识别传感器配置在显示装置的显示区域。指纹识别传感器配置在显示装置的显示区域时，可以在显示装置的显示区域形成有用于遮挡入射到指纹识别传感器的传感器像素的周围光的遮光层。
发明内容
本发明所要解决的课题为，提供一种在指纹识别传感器配置在显示区域的显示装置中，入射到指纹识别传感器的光的聚光量增加的显示装置。另外，提供一种能够在为了硅结晶化而向半导体层施加激光束的工艺中防止产生裂痕，减少电源电压线中的电压降低的显示装置。
本发明的课题不限于以上提及的课题，尚未提及的又一其它课题可从以下记载供本领域技术人员明确理解。
为了解决所述课题，根据一实施例的显示装置，包括：基板；薄膜晶体管层，配置在所述基板上；以及发光电极，配置在所述薄膜晶体管层上，所述薄膜晶体管层包括：下部金属层，配置在所述基板上并包括多个曲线部；以及半导体层，重叠配置在所述下部金属层上，各个所述曲线部的边缘形成在具有同一中心点的同心圆上，所述半导体层的边缘配置在所述下部金属层上。
可以是，所述下部金属层包括：菲涅尔图案形状的第一图案区域；以及与所述半导体层重叠的第二图案区域。
可以是，与所述第二图案区域重叠的所述半导体层的线宽具有第一宽度，所述第二图案区域的线宽具有比所述第一宽度大或者相同的第二宽度。
可以是，所述半导体层包括平坦的上面。
可以是，所述第一图案区域包括多个环，各个所述环具有相同的面积。
可以是，所述第二图案区域电连接各个所述环。
可以是，各个所述环的边缘形成在所述同心圆上。
可以是，包括所述薄膜晶体管层以及所述发光电极重叠形成的透光部以及遮光部。
可以是，所述透光部与所述薄膜晶体管层以及所述发光电极不重叠。
可以是，还包括配置在所述基板下部的指纹识别传感器，所述指纹识别传感器接收通过所述透光部入射的光。
可以是，所述薄膜晶体管层还包括：第一栅极线层，配置在所述半导体层上；第二栅极线层，配置在所述第一栅极线层上；以及数据线层，配置在所述第二栅极线层上，包括施加第一驱动电压的第一驱动电压线，所述第二栅极线层包括与所述第一驱动电压线以及所述下部金属层电连接的连接电极。
为了解决所述课题，根据其它实施例的显示装置，包括：基板；下部金属层，配置在所述基板上，包括多个曲线部；半导体层，重叠配置在所述下部金属层上；第一栅极线层，配置在所述半导体层上，包括彼此平行配置的第k-1扫描线和第k扫描线，以及与所述第k-1扫描线以及所述第k扫描线平行配置的第k发光线；第二栅极线层，配置在所述第一栅极线层上，包括施加初始化电压的初始化电压线以及与所述下部金属层电连接的连接电极；数据线层，配置在所述第二栅极线层上，包括与所述第k-1扫描线以及所述第k扫描线交叉的第j数据线，以及施加有第一驱动电压并与所述连接电极电连接的第一驱动电压线；以及发光电极，配置在所述数据线层上，各个所述曲线部的边缘形成在具有同一中心点的同心圆上，所述半导体层的边缘配置在所述下部金属层上。
可以是，所述下部金属层包括：菲涅尔图案形状的第一图案区域；以及与所述半导体层重叠的第二图案区域。
可以是，与所述第二图案区域重叠的所述半导体层的线宽具有第一宽度，所述第二图案区域的线宽具有比所述第一宽度大或者相同的第二宽度。
可以是，所述半导体层包括平坦的上面。
可以是，所述第一图案区域包括多个环，各个所述环具有相同的面积。
可以是，所述第二图案区域电连接各个所述环。
可以是，包括所述半导体层、所述第一栅极线层、所述第二栅极线层、所述数据线层以及所述发光电极重叠形成的透光部以及遮光部。
可以是，所述透光部与所述下部金属层以及所述第一栅极线层、所述第二栅极线层、所述数据线层不重叠。
可以是，还包括配置在所述基板下部的指纹识别传感器，所述指纹识别传感器接收通过所述透光部入射的光。
根据实施例的效果不限于以上示例的内容，更加多样的效果包含在本说明书内。
(发明效果)
根据一实施例的显示装置，可以增加入射到指纹识别传感器的光的聚光量。
另外，所述下部金属层与电源电压线电连接，从而可以减少电源电压线上的电压降低。
另外，可以防止在为了硅结晶化而向半导体层施加激光束的工艺中产生裂痕。
根据实施例的效果不限于以上示例的内容，更加多样的效果包含在本说明书内。
附图说明
图1是根据一实施例的显示装置的立体图。
图2是根据一实施例的显示装置的俯视图。
图3是根据一实施例的显示装置的侧截面图。
图4是示出根据一实施例的显示面板的子像素和指纹识别传感器的传感器像素的图。
图5以及图6是概略示出通过菲尼尔图案的聚光的立体图。
图7是根据一实施例的显示装置的子像素的等效电路图。
图8是配置在根据一实施例的显示装置的指纹识别区域中的子像素的布局图。
图9是根据一实施例的下部金属层的布局图。
图10是投影上部导电层层叠图案的结果获得的俯视图。
图11是一起示出图8的布局和图9的下部金属层布局的布局图。
图12是重叠上部导电层层叠图案和图9的下部金属层并投影的结果获得的光学系的俯视图。
图13是沿着图8的XIII-XIII'截取的截面图。
图14是沿着图8的XIV-XIV'截取的截面图。
图15是沿着图8的XV-XV'截取的截面图。
图16是根据其它实施例的下部金属层的布局图。
图17是一起示出图8的布局和图16的下部金属层布局的布局图。
图18是重叠上部导电层层叠图案和图16的下部金属层并投影的结果获得的光学系的俯视图。
图19是根据又一其它实施例的下部金属层的布局图。
图20是一起示出图8的布局和图19的下部金属层布局的布局图。
图21是重叠上部导电层层叠图案和图19的下部金属层并投影的结果获得的光学系的俯视图。
附图标记：
10：显示装置，100：显示面板，200：显示驱动部，300：显示电路基板，BML：下部金属层，BMP：下部金属图案，TA：透光部，BA：遮光部
具体实施方式
本发明的优点、特征以及达成其的方法参考与所附附图一起详细后述的实施例将会变得明确。然而，本发明并不限于以下公开的实施例，可以实现为彼此不同的多种形态，本实施例仅是用于使本发明的公开变完整，用于向本发明所属技术领域中具有普通知识的人完整地告知发明的范畴而提供的，本发明由权利要求范畴而定义。
指称元件(Elements)或者层位于其它元件或者层“上(on)”是包括直接在其它元件之上或者在中间隔有其它层或者其它元件的所有情况。在整个说明书中相同的附图标记指相同的构成要件。
虽然第一、第二等是为了描述多种构成要件而使用的，然而应明确这些构成要件不受这些术语的限制。这些术语仅是为了将一个构成要件与其它构成要件进行区分而使用的。因此，应明确以下所提及的第一构成要件在本发明的技术思想内还可以为第二构成要件。
以下，参考附图说明具体实施例。
图1是根据一实施例的显示装置的立体图。图2是根据一实施例的显示装置的俯视图。图3是根据一实施例的显示装置的侧截面图。
在本说明书中，第一方向X为平面上与显示装置10的短边平行的方向，例如，可以为显示装置10的横方向。第二方向Y作为与第一方向X垂直交叉的方向，可以为平面上与显示装置10的长边平行的显示装置10的竖直方向。第三方向Z作为与第一方向X以及第二方向Y垂直交叉的方向，可以为显示装置10的厚度方向。
参考图1至图3，显示装置10作为显示动态影像或者静态影像的装置，不仅是移动电话(Mobile Phone)、智能电话(Smart Phone)、平板电脑(Tablet Personal Computer)、智能手表(Smart Watch)、手表手机(Watch Phone)、移动通信终端、电子手册、电子书、PMP(Portable Multimedia Player；便携式多媒体播放器)、导航仪以及UMPC(Ultra MobilePC；超便携笔记本)等之类的便携式电子设备，还可以作为电视、笔记本、显示器、广告牌、物联网(Internet of Things,IOT)等多种产品的显示画面来使用。
显示装置10可以为利用有机发光二极管的有机发光显示装置、包括量子点发光层的量子点发光显示装置、包括无机半导体的无机发光显示装置以及利用微型发光二极管(micro light emitting diode(LED))的微型发光显示装置之类的发光显示装置。以下，以显示装置10为有机发光显示装置的情况为中心进行了说明，然而实施例不限于此。
根据一实施例的显示装置10可以包括显示面板100、显示驱动部200以及显示电路基板300。
显示面板100在平面上可以具有矩形形状。显示面板100的邻接的边相遇的边角(corner)可以形成为直角，然而不限于此，也可以形成为圆形。另外，显示面板100的平面形状不限于矩形，也可以形成为其它多边形、圆形或者椭圆形。
显示面板100可以包括基板SUB、配置在基板SUB上的显示层DISL以及配置在基板SUB下部的面板下部盖PB。
基板SUB可以由玻璃、石英、高分子树脂等的绝缘物质构成。基板SUB可以为刚性(rigid)基板或者可以弯曲(bending)、折叠(folding)、卷取(rolling)的柔性(flexible)基板。
基板SUB可以包括主区域MA和子区域SBA。主区域MA可以为配置显示层DISL的区域。子区域SBA可以从主区域MA的一侧朝第二方向Y突出。如图2所示，可以是子区域SBA的第一方向X的长度小于主区域MA的第一方向X的长度，子区域SBA的第二方向Y的长度小于主区域MA的第二方向Y的长度，然而不限于此。子区域SBA可以朝第三方向Z弯曲。弯曲的子区域SBA可以与基板SUB的下面相对，与主区域MA朝第三方向Z重叠。可以在子区域SBA配置显示电路基板300和显示驱动部200。
主区域MA可以包括显示区域DA和围绕显示区域DA配置的非显示区域NDA。显示区域DA可以为配置有多个子像素SP而显示图像的区域。非显示区域NDA可以为不显示图像的区域。可以在非显示区域NDA不配置子像素SP。虽未图示，显示区域DA中不仅配置有多个子像素SP，还可以配置有与各个子像素SP接通的扫描线、数据线、驱动电压线等。可以在非显示区域NDA配置用于向扫描线施加扫描信号的扫描驱动部、连接数据线和显示驱动部200的扇出线等。
显示区域DA可以包括指纹识别区域FPA。指纹识别区域FPA作为与后述的指纹识别传感器FPS重叠的区域，可以是指指纹接触并被识别的区域。指纹识别传感器FPS可以配置在用手握住显示装置10的状态下可以使指纹容易所处的地方。例如，指纹识别区域FPA可以与相较于显示区域DA的中央部位于第二方向Y的另一侧的一部分区域重叠配置。然而，不限于此，指纹识别传感器FPS可以配置为与整个显示区域DA重叠，该情况下，指纹识别区域FPA可以与显示区域DA实质上相同。以下，为了方便说明，以指纹识别区域FPA与相较于显示区域DA的中央部位于第二方向Y的另一侧的一部分区域重叠配置的情况为基准进行了说明，然而不限于此。
可以在基板SUB上配置显示层DISL。显示层DISL包括像素，可以是显示图像的层。显示层DISL可以包括薄膜晶体管层(参考图4的“TFTL”)、发光元件层(参考图4的“EML”)以及封装发光元件层的封装层(参考图4的“TFEL”)。在后面说明显示层DISL的各个构成。
可以在基板SUB的下部配置面板下部盖PB以及指纹识别传感器FPS。面板下部盖PB以及指纹识别传感器FPS可以通过粘合部件(未图示)贴附在基板SUB的下面。所述粘合部件可以为压敏粘合剂(pressure sensitive adhesive,PSA)。
面板下部盖PB可以包括用于吸收从外部入射的光的吸光部件、用于吸收来自外部的冲击的缓冲部件以及用于有效释放显示面板100的热的放热部件中的至少一个。
指纹识别传感器FPS可以与指纹识别区域FPA重叠配置。指纹识别传感器FPS可以与面板下部盖PB在第三方向Z上不重叠。在后面说明利用指纹识别传感器FPS的指纹识别方法。
虽未图示，可以在基板SUB和指纹识别传感器FPS之间以及基板SUB和面板下部盖PB之间配置保护膜。所述保护膜可以构成为包括聚酰亚胺(polyimide，PI)或者聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate，PET)。
可以在显示层DISL上配置盖窗口CW。盖窗口CW可以由透明的物质构成，包括玻璃或者塑料。例如，盖窗口CW可以包括厚度为0.1mm以下的超薄玻璃(Ultra-Thin Glass；UTG)或者聚酰亚胺(polyimide)膜。
盖窗口CW可以通过粘合层AD贴附在显示层DISL上。即，可以在盖窗口CW和显示层DISL之间配置粘合层AD。例如，粘合层AD可以为OCA(光学胶；optically clear adhesive)膜之类的透明粘合部件，然而不限于此。
显示驱动部200可以输出用于驱动显示面板100的信号和电压。例如，显示驱动部200可以向数据线供应数据电压。另外，显示驱动部200可以向驱动电压线供应驱动电压，向扫描驱动部供应扫描控制信号。显示驱动部200可以由集成电路(integrated circuit，IC)形成，通过COG(玻璃载芯片；chip on glass)方式、COP(塑料芯片；chip on plastic)方式、COF(覆晶薄膜；chip on film)或者TAB(卷带自动结合；tape automated bonding)等的方式粘合在显示面板100的基板SUB上。作为上述粘合方式，可以利用由异方性导电胶膜(anisotropic conductive film，ACF)的接合或者超声波接合等。
图4是示出根据一实施例的显示面板的子像素和指纹识别传感器的传感器像素的图。图5以及图6是概略示出通过菲涅尔图案的聚光的立体图。
参考图4至图6，指纹识别传感器FPS可以包括传感器像素FP。传感器像素FP可以为多个。多个传感器像素FP各自可以与显示层DISL重叠。因此，各个传感器像素FP可以感测通过显示层DISL入射的光L1、L2。各个传感器像素FP可以包括光电转换部PETL。例如，光电转换部PETL可以为光电晶体管(Photo Transistor)以及光电二极管(Photo Diode)中的任一个，然而不限于此。
显示层DISL可以包括薄膜晶体管层TFTL、配置在薄膜晶体管层TFTL上的发光元件层EML以及配置在发光元件层EML上的封装层TFEL。对于薄膜晶体管层TFTL、发光元件层EML以及封装层TFEL，在后面进行具体说明，首先说明通过显示层DISL入射的光L1、L2被传感器像素FP感测的过程。
用户的手指指纹F接触在盖窗口CW上时，从发光元件层EML输出的光L1可以在用户的手指指纹F的脊FR或者谷FV发生反射。在用户的手指指纹F的脊FR或者谷FV反射的光L2可以通过显示层DISL到达至指纹识别传感器FPS的传感器像素FP。反射的光L2可以进入到传感器像素FP的光电转换部PETL。此时，由于在用户的手指指纹F的脊FR反射的光L2比在用户的手指指纹F的谷FV反射的光L2多，因此指纹识别传感器FPS可以通过聚光的光量之差，识别用户的指纹。
通过利用在发光元件层EML发出的光L1、L2来识别用户的指纹，从而无需额外的外部光源就能实现指纹识别功能。然而，不限于此，也可以进一步包括额外提供光源的激光模块(未图示)，从而实现指纹识别功能。
根据一实施例的显示装置10为了向指纹识别传感器FPS聚集光L，可以包括具有与菲涅尔图案FZPP类似形状的光学系(参考图12的“OS”)。所述光学系可以通过后述的显示层DISL中包含的各种线形成。对于所述光学系在后面进行详细说明，说明显示聚光效果的菲涅尔图案FZPP。
菲涅尔图案FZPP包括多个透明区域TPR以及与各个透明区域TPR交替配置的多个不透明区域NTPR。菲涅尔图案FZPP的各个透明区域TPR以及各个不透明区域NTPR可以具有环形状。然而，位于菲涅尔图案FZPP的最内侧的透明区域TPR或者不透明区域NTPR可以为圆形。各个透明区域TPR以及各个不透明区域NTPR的边缘可以配置在具有同一菲涅尔中心点CF的同心圆上。
各个透明区域TPR以及各个不透明区域NTPR的形状可以为从菲涅尔中心点CF具有第n半径(n＝1、2、3、4、…)的圆形或者环形状。其中，第n半径可以与第一半径r1乘以
Figure BDA0003212935380000091
的值相同，所述第一半径r1为位于菲涅尔图案FZPP的最内侧的圆形的透明区域TPR或者不透明区域NTPR的半径。例如，第二半径r2可以与第一半径r1乘以
Figure BDA0003212935380000092
的值相同。由此，各个透明区域TPR以及各个不透明区域NTPR的宽度实质上可以相同，然而不限于此。
经过菲涅尔图案FZPP的透明区域TPR的光L可以朝不透明区域NTPR侧发生衍射。衍射的光L发生相长干涉，可以在一定焦点FC聚光。菲涅尔图案FZPP与焦点FC之间的距离可以通过调整透明区域TPR以及不透明区域NTPR的宽度进行调整。
图5中示出包括四个透明区域TPR以及三个不透明区域NTPR的菲涅尔图案FZPP，然而透明区域TPR以及不透明区域NTPR的数量不限于此。另外，以在菲涅尔图案FZPP的最内侧配置透明区域TPR的情况为基准进行了说明，然而不限于此，也可以在菲涅尔图案FZPP的最内侧配置不透明区域NTPR。
例如，菲涅尔图案FZPP可以包括：第一透明区域TPR1，从中心具有第一半径r1，且平面图上呈圆形；第一不透明区域NTPR1，呈环形状，配置在第一透明区域TPR1的外侧，内侧半径为第一半径r1，外侧半径为第二半径r2；第二透明区域TPR2，呈环形状，配置在第一不透明区域NTPR1的外侧，内侧半径为第二半径r2，外侧半径为第三半径r3；第二不透明区域NTPR2，呈环形状，配置在第二透明区域TPR2的外侧，内侧半径为第三半径r3，外侧半径为第四半径r4；第三透明区域TPR3，呈环形状，配置在第二不透明区域NTPR2的外侧，内侧半径为第四半径r4，外侧半径为第五半径r5；第三不透明区域NTPR3，呈环形状，配置在第三透明区域TPR3的外侧，内侧半径为第五半径r5，外侧半径为第六半径r6；以及第四透明区域TPR4，呈环形状，配置在第三不透明区域NTPR3的外侧，内侧半径为第六半径r6，外侧半径为第七半径r7。
再次参考图4，根据一实施例的显示装置10至少在指纹识别区域FPA通过显示层DISL中包含的一个以上的不透明导电层，形成与上述菲涅尔图案FZPP类似形状的光学系(参考图12的“OS”)，从而可以聚集入射到指纹识别传感器FPS的光L，提高指纹识别效率。显示层DISL中包含的一部分导电层图案具有用于执行线或者电极功能的形状。显示层DISL中包含的其它一部分的导电层至少一部分可以构成圆形图案的一部分以使光学系的整体图案具有与菲涅尔图案FZPP类似的形状。以下，详细说明构成显示装置10的光学系的光学图案。
首先，说明根据一实施例的显示装置的像素电路。
图7是根据一实施例的显示装置的子像素的等效电路图。
参考图7，子像素SP可以与第k-1(k为2以上的正数)扫描线Sk-1、第k扫描线Sk以及第j(j为正数)数据线Dj接通。另外，子像素SP可以与供应第一驱动电压的第一驱动电压线VDDL、供应初始化电压的初始化电压线VIL以及供应第二驱动电压的第二驱动电压线VSSL接通。
子像素SP可以包括驱动晶体管DT、发光元件EL、开关元件以及电容器C1。所述开关元件可以包括第一晶体管至第六晶体管ST1、ST2、ST3、ST4、ST5、ST6。
驱动晶体管DT可以包括栅极电极、第一电极以及第二电极。驱动晶体管DT可以根据向栅极电极施加的数据电压，控制在第一电极和第二电极之间流动的漏极-源极之间电流(以下，称为“驱动电流”)。
可以是发光元件EL通过驱动电流发光，发光元件EL的发光量与所述驱动电流成比例。
发光元件EL可以为有机发光二极管，所述有机发光二极管包括阳极电极(参考图13的“171”)、阴极电极(参考图13的“173”)以及配置在所述阳极电极和所述阴极电极之间的有机发光层(参考图13的“172”)。
可以是发光元件EL的阳极电极171与第四晶体管ST4的第一电极和第六晶体管ST6的第二电极接通，阴极电极173与第二驱动电压线VSSL接通。
第一晶体管ST1可以为包括第1-1晶体管ST1-1和第1-2晶体管ST1-2的双晶体管。第1-1晶体管ST1-1和第1-2晶体管ST1-2可以通过第k扫描线Sk的扫描信号而被开启，从而接通驱动晶体管DT的栅极电极和第二电极。即，第1-1晶体管ST1-1和第1-2晶体管ST1-2被开启时，驱动晶体管DT的栅极电极和第二电极接通，因此驱动晶体管DT驱动为二极管(diode)。可以是第1-1晶体管ST1-1的栅极电极与第k扫描线Sk接通，第一电极与第1-2晶体管ST1-2的第二电极接通，第二电极与驱动晶体管DT的栅极电极接通。可以是第1-2晶体管ST1-2的栅极电极与第k扫描线Sk接通，第一电极与驱动晶体管DT的第二电极接通，第二电极与第1-1晶体管ST1-1的第一电极接通。
第二晶体管ST2可以通过第k扫描线Sk的扫描信号而被开启，从而接通驱动晶体管DT的第一电极和第j数据线Dj。可以是第二晶体管ST2的栅极电极与第k扫描线Sk接通，第一电极与驱动晶体管DT的第一电极接通，第二电极与第j数据线Dj接通。
第三晶体管ST3可以由包括第3-1晶体管ST3-1和第3-2晶体管ST3-2的双晶体管形成。第3-1晶体管ST3-1和第3-2晶体管ST3-2可以通过第k-1扫描线Sk-1的扫描信号而被开启，从而接通驱动晶体管DT的栅极电极和初始化电压线VIL。驱动晶体管DT的栅极电极可以放电成为初始化电压线VIL的初始化电压。可以是第3-1晶体管ST3-1的栅极电极与第k-1扫描线Sk-1接通，第一电极与驱动晶体管DT的栅极电极接通，第二电极与第3-2晶体管ST3-2的第一电极接通。可以是第3-2晶体管ST3-2的栅极电极与第k-1扫描线Sk-1接通，第一电极与第3-1晶体管ST3-1的第二电极接通，第二电极与初始化电压线VIL接通。
第四晶体管ST4可以通过第k扫描线Sk的扫描信号而被开启，从而接通发光元件EL的阳极电极171和初始化电压线VIL。发光元件EL的阳极电极171可以放电成为初始化电压。可以是第四晶体管ST4的栅极电极与第k扫描线Sk接通，第一电极与发光元件EL的阳极电极171接通，第二电极与初始化电压线VIL接通。
第五晶体管ST5可以通过第k发光线Ek的发光控制信号而被开启，从而接通驱动晶体管DT的第一电极和第一驱动电压线VDDL。可以是第五晶体管ST5的栅极电极与第k发光线Ek接通，第一电极与第一驱动电压线VDDL接通，第二电极与驱动晶体管DT的第一电极接通。
第六晶体管ST6可以接通在驱动晶体管DT的第二电极和发光元件EL的阳极电极171之间。第六晶体管ST6可以通过第k发光线Ek的发光控制信号而被开启，从而接通驱动晶体管DT的第二电极和发光元件EL的阳极电极171。可以是第六晶体管ST6的栅极电极与第k发光线Ek接通，第一电极与驱动晶体管DT的第二电极接通，第二电极与发光元件EL的阳极电极171接通。第五晶体管ST5和第六晶体管ST6全部被开启时，驱动电流可以被供应至发光元件EL。
电容器C1可以形成在驱动晶体管DT的栅极电极和第一驱动电压线VDDL之间。可以是电容器C1的一电极与驱动晶体管DT的栅极电极接通，另一电极与第一驱动电压线VDDL接通。
第一晶体管至第六晶体管ST1、ST2、ST3、ST4、ST5、ST6以及驱动晶体管DT各自可以由薄膜晶体管层TFTL的薄膜晶体管形成。第一晶体管至第六晶体管ST1、ST2、ST3、ST4、ST5、ST6以及驱动晶体管DT各自的第一电极为源极电极时，第二电极可以为漏极电极。或者，第一晶体管至第六晶体管ST1、ST2、ST3、ST4、ST5、ST6以及驱动晶体管DT各自的第一电极为漏极电极时，第二电极可以为源极电极。
第一晶体管至第六晶体管ST1、ST2、ST3、ST4、ST5、ST6以及驱动晶体管DT各自的有源层可以包括多晶硅(Poly Silicon)、非晶硅以及氧化物半导体中的任一个。第一晶体管至第六晶体管ST1、ST2、ST3、ST4、ST5、ST6以及驱动晶体管DT各自的有源层包括多晶硅时，所述有源层可以通过低温多晶硅(Low Temperature Poly Silicon：LTPS)工艺形成。
以上以第一晶体管至第六晶体管ST1、ST2、ST3、ST4、ST5、ST6以及驱动晶体管DT由P型MOSFET(金属氧化物半导体场效应管；Metal Oxide Semiconductor Field EffectTransistor)形成的情况为中心进行了说明，然而不限于此，也可以由N型MOSFET形成。
图8是根据一实施例的显示装置的指纹识别区域的子像素的布局图。为了方便说明，图8中省略下部金属层BML进行图示。
参考图8，子像素SP的薄膜晶体管层TFTL可以包括驱动晶体管DT、第一晶体管至第六晶体管ST1～ST6、电容器C1、第一连接电极CE1、第二连接电极VIE、第三连接电极CNE以及阳极连接电极ANDE。
子像素SP可以在第三方向Z上与第k-1扫描线Sk-1、第k扫描线Sk、第k发光线Ek、第j数据线Dj、第一驱动电压线VDDL以及初始化电压线VIL重叠。子像素SP可以通过第一晶体管至第六晶体管ST1～ST6与第k-1扫描线Sk-1、第k扫描线Sk、第j数据线Dj以及第一驱动电压线VDDL连接。第k-1扫描线Sk-1、第k扫描线Sk、第k发光线Ek以及初始化电压线VIL可以朝第一方向X延伸。第j数据线Dj可以朝第二方向Y延伸。
第一驱动电压线VDDL可以包括第一子驱动电压线VDDL1以及第二子驱动电压线VDDL2。可以是第一子驱动电压线VDDL1朝第二方向Y延伸，第二子驱动电压线VDDL2朝第一方向X延伸。第一子驱动电压线VDDL1可以在第一方向X上配置在第j数据线Dj和第一连接电极CE1之间。第二子驱动电压线VDDL2可以在第二方向Y上配置在第k扫描线Sk和第k发光线Ek之间。第一子驱动电压线VDDL1可以通过第八接触孔CNT8与第二子驱动电压线VDDL2接通。
驱动晶体管DT可以包括驱动有源层DT_ACT、驱动栅极电极DT_G、第一电极DT_S以及第二电极DT_D。驱动晶体管DT的驱动有源层DT_ACT可以在第三方向Z上与驱动晶体管DT的驱动栅极电极DT_G重叠。驱动栅极电极DT_G可以配置在驱动晶体管DT的驱动有源层DT_ACT上。
驱动栅极电极DT_G可以通过第一接触孔CNT1与第一连接电极CE1接通。第一连接电极CE1可以通过第二接触孔CNT2与第1-1晶体管ST1-1的第二电极D1-1接通。第一连接电极CE1朝第二方向Y延伸，因此可以与第k扫描线Sk交叉。
驱动晶体管DT的第一电极DT_S可以与第二晶体管ST2的第一电极S2接通。驱动晶体管DT的第二电极DT_D可以与第1-2晶体管ST1-2的第一电极S1-2和第六晶体管ST6的第一电极S6接通。
如上所述，可以是第一晶体管ST1由双晶体管形成，包括第1-1晶体管ST1-1和第1-2晶体管ST1-2。
第1-1晶体管ST1-1可以包括第1-1有源层ACT1-1、第1-1栅极电极G1-1、第一电极S1-1以及第二电极D1-1。第1-1晶体管ST1-1的第1-1栅极电极G1-1作为第k扫描线Sk的一部分，可以为第1-1晶体管ST1-1的第1-1有源层ACT1-1和第k扫描线Sk朝第三方向Z重叠的区域。第1-1晶体管ST1-1的第一电极S1-1可以与第1-2晶体管ST1-2的第二电极D1-2接通。第1-1晶体管ST1-1的第二电极D1-1可以通过第二接触孔CNT2与第一连接电极CE1接通。
第1-2晶体管ST1-2可以包括第1-2有源层ACT1-2、第1-2栅极电极G1-2、第一电极S1-2以及第二电极D1-2。第1-2晶体管ST1-2的第1-2栅极电极G1-2作为第k扫描线Sk的一部分，可以为第1-2晶体管ST1-2的第1-2有源层ACT1-2和第k扫描线Sk朝第三方向Z重叠的区域。第1-2晶体管ST1-2的第一电极S1-2可以与驱动晶体管DT的第二电极DT_D接通。第1-2晶体管ST1-2的第二电极D1-2可以与第1-1晶体管ST1-1的第一电极S1-1接通。
第二晶体管ST2可以包括第二有源层ACT2、第二栅极电极G2、第一电极S2以及第二电极D2。第2晶体管ST2的第2栅极电极G2作为第k扫描线Sk的一部分，可以为第2晶体管ST2的第2有源层ACT2和第k扫描线Sk朝第三方向Z重叠的区域。第2晶体管ST2的第一电极S2可以与驱动晶体管DT的第一电极DT_S接通。第2晶体管ST2的第二电极D2可以通过第三接触孔CNT3与第j数据线Dj接通。
如上所述，可以是第三晶体管ST3由双晶体管形成，包括第3-1晶体管ST3-1和第3-2晶体管ST3-2。
第3-1晶体管ST3-1可以包括第3-1有源层ACT3-1、第3-1栅极电极G3-1、第一电极S3-1以及第二电极D3-1。第3-1晶体管ST3-1的第3-1栅极电极G3-1作为第k-1扫描线Sk-1的一部分，可以为第3-1晶体管ST3-1的第3-1有源层ACT3-1和第k-1扫描线Sk-1朝第三方向Z重叠的区域。第3-1晶体管ST3-1的第一电极S3-1可以通过第二接触孔CNT2与驱动晶体管DT的第一连接电极CE1接通。第3-1晶体管ST3-1的第二电极D3-1可以与第3-2晶体管ST3-2的第一电极S3-2接通。
第3-2晶体管ST3-2可以包括第3-2有源层ACT3-2、第3-2栅极电极G3-2、第一电极S3-2以及第二电极D3-2。第3-2晶体管ST3-2的第3-2栅极电极G3-2作为第k-1扫描线Sk-1的一部分，可以为第3-2晶体管ST3-2的第3-2有源层ACT3-2和第k-1扫描线Sk-1朝第三方向Z重叠的区域。第3-2晶体管ST3-2的第一电极S3-2可以与第3-1晶体管ST3-1的第二电极D3-1接通。第3-2晶体管ST3-2的第二电极D3-2可以通过第四接触孔CNT4与第二连接电极VIE接通。
第四晶体管ST4可以包括第四有源层ACT4、第四栅极电极G4、第一电极S4以及第二电极D4。第四晶体管ST4的第四栅极电极G4作为第k扫描线Sk的一部分，可以为第四晶体管ST4的第四有源层ACT4和第k扫描线Sk朝第三方向Z重叠的区域。第四晶体管ST4的第一电极S4可以通过第六接触孔CNT6与阳极连接电极ANDE接通。阳极连接电极ANDE可以通过阳极接触孔AND_CNT与阳极电极接通。第四晶体管ST4的第二电极D4可以通过第四接触孔CNT4与第二连接电极VIE接通。可以是初始化电压线VIL通过第五接触孔CNT5与第二连接电极VIE接通，第二连接电极VIE通过第四接触孔CNT4与第3-2晶体管ST3-2的第二电极D3-2和第四晶体管ST4的第二电极D4接通。第二连接电极VIE可以配置为朝第二方向Y延伸，与第k-1扫描线Sk-1交叉。
第五晶体管ST5可以包括第五有源层ACT5、第五栅极电极G5、第一电极S5以及第二电极D5。第五晶体管ST5的第五栅极电极G5作为第k发光线Ek的一部分，可以为第五晶体管ST5的第五有源层ACT5和第k发光线Ek朝第三方向Z重叠的区域。第五晶体管ST5的第一电极S5可以通过第七接触孔CNT7与第一子驱动电压线VDDL1接通。第五晶体管ST5的第二电极D5可以与驱动晶体管DT的第一电极DT_S接通。
第六晶体管ST6可以包括第六有源层ACT6、第六栅极电极G6、第一电极S6以及第二电极D6。第六晶体管ST6的第六栅极电极G6作为第k发光线Ek的一部分，可以为第六晶体管ST6的第六有源层ACT6和第k发光线Ek朝第三方向Z重叠的区域。第六晶体管ST6的第一电极S6可以与驱动晶体管DT的第二电极DT_D接通。第六晶体管ST6的第二电极D6可以通过第六接触孔CNT6与发光元件的阳极电极171接通。
参考图8，相当于显示层的不透明层的第一栅极线层GL1、第二栅极线层GL2、数据线层DL以及阳极电极(参考图13的“171”)投影而成的图案(以下，称为“上部导电层层叠图案”)构成不透明区域。然而，仅由以上上部导电层层叠图案构成的不透明区域的平面形状与上述菲涅尔图案FZPP无关。即，仅由上部导电层层叠图案构成的不透明区域可以不形成菲涅尔图案FZPP的圆形图案。为了将显示层的整个不透明区域的平面形状形成为与菲涅尔图案FZPP类似的形状，应用作为其它不透明层的下部金属层BML。下部金属层BML至少一部分形成至与上部导电层层叠图案不重叠的部分，从而完善整个光学图案的形状。下部金属层BML可以具有圆形图案的一部分形状，从而为整个光学图案具有菲涅尔图案FZPP的圆形图案的一部分做贡献。
图9是根据一实施例的下部金属层的布局图。图10是投影上部导电层层叠图案的结果获得的俯视图。图11是一起示出图8的布局和图9的下部金属层布局的布局图。图12是重叠上部导电层层叠图案和图9的下部金属层并投影的结果获得的光学系的俯视图。
参考图4以及图9至图12，具有与菲涅尔图案FZPP类似形状的光学系OS可以聚集从用户的手指指纹F反射的光L2。在子像素SP的布局图中，即便不改变第一栅极线层GL1、第二栅极线层GL2、数据线层DL以及发光元件层EML等的设计，也能通过下部金属层BML形成具有与上述菲涅尔图案FZPP类似图案的光学系OS，从而显示聚光效果。
作为比较实施例，在图8的布局中重叠配置图5中图示的菲涅尔图案FZPP时，在半导体层ACT的上面存在段差，从而如上所述，在为了硅结晶化而向半导体层ACT施加激光束的工艺中产生裂痕(crack)，由此可能影响显示装置10的质量。因此，为了防止在半导体层ACT的上面产生段差，可以在半导体层ACT的下部重叠配置具有与菲涅尔图案FZPP类似形状的根据一实施例的下部金属层BML。以下，说明根据一实施例的下部金属层BML的形状。
根据一实施例的下部金属层BML可以包括多个曲线部CV。所述各个曲线部CV的边缘可以配置在具有同一下部金属中心点CP的同心圆上。下部金属层BML可以包括多个下部金属图案BMP。多个下部金属图案BMP可以在下部金属层BML朝横向以及竖向规则排列，然而不限于此，可以随机排列。各个下部金属图案BMP可以包括遮挡光的第一遮光部BA1以及使光透射的第一透光部TA1。
第一遮光部BA1可以包括：包括多个环的菲涅尔区域BA11；与薄膜晶体管层TFTL的半导体层ACT重叠的有源区域BA12；以及外部区域BA13。如图9所示，可以认为是有源区域BA12和菲涅尔区域BA11以及外部区域BA13为独立的层，然而如上示出是为了方便说明，可以是菲涅尔区域BA11、有源区域BA12以及外部区域BA13全部位于同一层上，由相同的物质构成。
菲涅尔区域BA11可以具有与上述菲涅尔图案FZPP的不透明区域NTPR实质上相同的形状。菲涅尔区域BA11的各个环的边缘可以形成在具有同一下部金属中心点CP的同心圆上。另外，菲涅尔区域BA11的各个环可以具有相同的面积。
有源区域BA12可以与菲涅尔区域BA11的各个环连接，与半导体层ACT重叠。虽然后述，有源区域BA12的线宽可以大于与其重叠的半导体层ACT的线宽，然而不限于此，可以实质上相同。为了方便，图9中示出有源区域BA12的线宽与图8中图示的半导体层ACT的线宽相同的情况，然而不限于此，如上所述，有源区域BA12的线宽可以大于与其重叠的半导体层ACT的线宽。通过有源区域BA12防止在半导体层ACT的上面产生段差，从而可以防止向半导体层ACT照射激光束时发生裂痕。另外，有源区域BA12可以使菲涅尔区域BA11的各个圆形环彼此电连接。
在一下部金属图案BMP中，外部区域BA13可以围绕菲涅尔区域BA11配置。可以在外部区域BA13和菲涅尔区域BA11之间配置第一透光部TA1或者有源区域BA12。另外，外部区域BA13可以配置在一菲涅尔区域BA11与其它菲涅尔区域BA11之间。
第一透光部TA1可以为在下部金属图案BMP中不配置有构成下部金属层BML的物质而使光透射的区域。第一透光部TA1可以与薄膜晶体管层TFTL的半导体层ACT不重叠。
上部导电层层叠图案包括第二遮光部BA2以及第二透光部TA2，如上所述，可以具有与菲涅尔图案FZPP的圆形图案无关的形状。第二遮光部BA2可以由彼此重叠配置的第一栅极线层GL1、第二栅极线层GL2、数据线层DL以及阳极电极171进行定义。
如图10所示，仅投影上部导电层层叠图案时，可能不显示与菲涅尔图案FZPP的圆形图案类似的投影图像。因此，为了提高聚光效率，有必要形成与菲涅尔图案FZPP的圆形图案类似的投影图像，为此，可以导入具有与菲涅尔图案FZPP的圆形图案类似形状的根据一实施例的下部金属层BML。
以下，说明根据一实施例的包括下部金属层BML的光学系OS。根据一实施例的光学系OS可以包括遮光部BA以及透光部TA。遮光部BA以及透光部TA可以是薄膜晶体管层TFTL以及阳极电极171重叠形成。
光学系OS的遮光部BA可以包括：上述下部金属层BML中包含的下部金属图案BMP的第一遮光部BA1；以及上部导电层层叠图案的第二遮光部BA2。
透光部TA作为在光学系OS中能够使光透过的除了遮光部BA之外的区域，可以与在薄膜晶体管层TFTL中由不透明的物质构成的线以及阳极电极171不重叠。例如，透光部TA可以与第一栅极线层GL1、第二栅极线层GL2以及数据线层DL不重叠。
指纹识别传感器FPS的传感器像素FP可以感测与光学系OS的透光部TA实质上相同形状的被反射的光L2的图像。即，聚集到传感器像素FP的被反射的光L2可以是透过光学系OS的透光部TA到达的。
以下，说明上述显示装置10的截面结构。
图13是沿着图8的XIII-XIII'截取的截面图。图14是沿着图8的XIV-XIV'截取的截面图。图15是沿着图8的XV-XV'截取的截面图。
参考图13至图15，可以在基板SUB上依次配置薄膜晶体管层TFTL、发光元件层EML以及封装层TFEL。
薄膜晶体管层TFTL可以包括下部金属层BML、缓冲层BF、半导体层ACT、第一栅极线层GL1、第二栅极线层GL2、数据线层DL、栅极绝缘层130、第一层间绝缘层141、第二层间绝缘层142、保护层150以及第一有机膜160。
可以在基板SUB的一面上配置下部金属层BML。虽然后述，下部金属层BML可以与配置在上部的半导体层ACT整体重叠。下部金属层BML可以由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)以及铜(Cu)中的任一个或者其合金而成的单层或者多层形成。或者，下部金属层BML可以为包括黑色颜料的有机膜。
可以在下部金属层BML上配置缓冲层BF。缓冲层BF可以保护薄膜晶体管层TFTL和发光元件层EML免受通过易于透湿的基板SUB渗透的水分。
可以在缓冲层BF上配置半导体层ACT。半导体层ACT不仅包括驱动晶体管DT和第一晶体管至第六晶体管ST1～ST6的有源层DT-ACT、ACT1～ACT6，还可以包括源极电极DT_S、S1、S2-1、S2-2、S3-1、S3-2、S4、S5、S6和漏极电极DT_D、D1、D2-1、D2-2、D3-1、D3-2、D4、D5、D6。半导体层ACT可以包括多晶硅、单晶硅、低温多晶硅、非晶硅或者氧化物半导体。半导体层ACT由多晶硅或者氧化物半导体构成时，离子掺杂的半导体层ACT可以具有导电性。
为了硅结晶化，显示装置10的制造工艺可以包括向半导体层ACT的一部分区域施加激光束的工艺。此时，在半导体层ACT的上面存在段差时，在段差附近区域产生裂痕而可能影响显示装置10的质量。因此，为了防止在半导体层ACT的上面产生段差，半导体层ACT可以配置为整体与下部金属层BML重叠。即，可以是半导体层ACT的边缘配置在下部金属层BML上，下部金属层BML完全覆盖半导体层ACT。
下部金属层BML的线宽可以大于重叠配置的半导体层ACT的线宽，然而不限于此，可以相同。例如，半导体层ACT的一部分具有第一宽度W1的线宽时，与其重叠的下部金属层BML可以具有比第一宽度W1大或者相同的第二宽度W2的线宽。图15中示出作为下部金属层BML的线宽的第二宽度W2大于作为与其重叠的半导体层ACT的线宽的第一宽度W1，然而不限于此，第一线宽W1和第二线宽W2可以实质上相同。因此，半导体层ACT的上面可以没有段差而包括平坦的面。
可以在半导体层ACT上配置栅极绝缘层130。栅极绝缘层130可以包括无机膜。
可以在栅极绝缘层130上配置第一栅极线层GL1。第一栅极线层GL1不仅包括驱动晶体管DT的栅极电极和第一晶体管至第六晶体管ST1～ST6的第一栅极电极至第六栅极电极G1～G6，还可以包括扫描线Sk-1、Sk以及发光线(Ek)。
可以在第一栅极线层GL1上配置第一层间绝缘层141。第一层间绝缘层141可以包括无机膜。第一层间绝缘层141可以包括多个无机膜。
可以在第一层间绝缘层141上配置第二栅极线层GL2。第二栅极线层GL2可以包括初始化电压线VIL、第二子驱动电压线VDDL2以及第三连接电极CNE。可以是电容器C1的第一电极为驱动晶体管DT的驱动栅极电极DT_G的一部分，电容器C1的第二电极为与驱动晶体管DT的驱动栅极电极DT_G重叠的第二子驱动电压线VDDL2。
可以在第二栅极线层GL2上配置第二层间绝缘层142。第二层间绝缘层142可以包括无机膜。
可以在第二层间绝缘层142上配置有数据线层DL。数据线层DL可以包括第一子驱动电压线VDDL1、第一连接电极CE1、第二连接电极VIE、阳极连接电极ANDE以及数据线Dj。
可以在数据线层DL上配置第一有机膜160。第一有机膜160可以为包括平坦的上面的平坦化层。
一方面，可以在数据线层DL和第一有机膜160之间配置保护层150。保护层150可以包括无机膜。
第一子驱动电压线VDDL1可以通过第九接触孔CNT9以及第十接触孔CNT10与下部金属层BML电连接。可以通过下部金属层BML和第一子驱动电压线VDDL1的电连接，减少第一驱动电压的电压降低。然而，不限于此，电连接第一子驱动电压线VDDL1以及下部金属层BML的接触孔也可以位于非显示区域NDA。
阳极接触孔AND_CNT可以贯穿保护层150和第一有机膜160，曝光阳极连接电极ANDE。
可以在薄膜晶体管层TFTL上配置发光元件层EML。发光元件层EML可以包括发光元件170和像素界定层180。各个发光元件170可以包括阳极电极171、有机发光层172以及阴极电极173。
阳极电极171可以配置在第一有机膜160上。阳极电极171可以通过阳极接触孔AND_CNT与阳极连接电极ANDE接通。
在以有机发光层172为基准朝阴极电极173方向发光的顶部发光(top emission)结构中，阳极电极171可以包括铝和钛的层叠结构(Ti/Al/Ti)、铝和ITO(铟锡氧化物)的层叠结构(ITO/Al/ITO)、APC合金以及APC合金和ITO的层叠结构(ITO/APC/ITO)之类的反射率高的金属物质。APC合金可以是指银(Ag)、钯(Pd)以及铜(Cu)的合金。
像素界定层180包括暴露各个子像素SP的阳极电极171的开口部。像素界定层180可以配置为覆盖阳极电极171的边缘。像素界定层180可以包括丙烯酸树脂(acryl resin)、环氧树脂(epoxy resin)、酚醛树脂(phenolic resin)、聚酰胺树脂(polyamide resin)、聚酰亚胺树脂(polyimide resin)等的有机膜。
可以在阳极电极171和像素界定层180上配置有机发光层172。有机发光层172可以包含有机物质，发出预定的颜色。有机发光层172可以包括空穴传输层(hole transportinglayer)、有机物质层以及电子传输层(electron transporting layer)。
可以在有机发光层172上配置阴极电极173。阴极电极173可以配置为覆盖有机发光层172。阴极电极173可以为在子像素SP共同配置的共同电极。
阴极电极173可以包括可使光透过的ITO(铟锡氧化物)、IZO(铟锌氧化物)之类的透明的金属物质(TCO，Transparent Conductive Material)或者镁(Mg)、银(Ag)或者镁(Mg)和银(Ag)的合金之类的半透过金属物质(Semi-transmissive ConductiveMaterial)。
可以在发光元件层EML上配置封装层TFEL。为了防止氧气或者水分渗透到发光元件层EML，封装层TFEL可以包括至少一个无机膜。另外，为了从异物保护发光元件层EML，封装层TFEL可以包括至少一个有机膜。
根据一实施例的显示装置10可以通过包括下部金属图案BMP的下部金属层BML，增加聚集到指纹识别传感器FPS的传感器像素FP的光量。另外，各个下部金属图案BMP包括与薄膜晶体管层TFTL的半导体层ACT重叠的有源区域BA12，从而即便为了硅结晶化而向半导体层ACT施加激光束，也能防止在半导体层ACT产生裂痕。另外，第一子驱动电压线VDDL1可以通过第三连接电极CNE与下部金属层BML电连接，从而减少第一驱动电压的电压降低。
以下，说明光学系OS的其它实施例。在后述的根据其它实施例的光学系的说明中，省略与根据一实施例的光学系OS重复的说明，以差异点为主进行说明。
图16是根据其它实施例的下部金属层的布局图。图17是一起示出图8的布局和图16的下部金属层布局的布局图。图18是重叠上部导电层层叠图案和图16的下部金属层并投影的结果获得的光学系的俯视图。
参考图4以及图16至图18，根据本实施例的光学系OS_1可以包括与根据一实施例的光学系OS不同形状的下部金属图案BMP_1。
图16中示出在一个子像素SP配置有多个菲涅尔图案FZPP_1的布局。例如，示出在一个子像素SP朝第j数据线Dj的延伸方向配置有两个菲涅尔图案FZPP_1的俯视图。在子像素SP的布局图中配置有本比较实施例的菲涅尔图案FZPP_1时，在半导体层ACT的上面存在段差，从而如上所述，在为了硅结晶化而向半导体层ACT施加激光束的工艺中产生裂痕(crack)，由此可能影响显示装置10的质量。因此，为了防止在半导体层ACT的上面产生段差，可以在半导体层ACT的下部重叠配置具有与菲涅尔图案FZPP_1类似形状的包括根据本实施例的下部金属图案BMP_1的下部金属层BML_1。以下，说明包括根据本实施例的下部金属图案BMP_1的光学系OS_1。
根据本实施例的下部金属层BML_1中包含的下部金属图案BMP_1可以包括遮挡光的第一遮光部BA1_1以及使光透过的第一透光部TA1_1。
第一遮光部BA1_1可以包括菲涅尔区域BA11_1、与薄膜晶体管层TFTL的半导体层ACT重叠的有源区域BA12_1以及外部区域BA13_1。
菲涅尔区域BA11_1可以具有与上述菲涅尔图案FZPP_1的不透明区域NTPR实质上相同的形状。可以是菲涅尔区域BA11_1包括多个环，菲涅尔区域BA11_1的各个环的边缘形成在具有同一下部金属中心点CP_1的同心圆上。另外，菲涅尔区域BA11_1的各个环可以具有相同的面积。
有源区域BA12_1可以为连接菲涅尔区域BA11_1的各个环，与半导体层ACT重叠的区域。
根据本实施例的光学系OS_1可以包括遮光部BA_1以及透光部TA_1。根据本实施例的光学系OS_1与根据一实施例的光学系OS不同，可以在一个子像素SP配置多个下部金属图案BMP_1。例如，可以在一个子像素SP朝第j数据线Dj的延伸方向配置两个下部金属图案BMP_1，然而不限于此。
光学系OS_1的遮光部BA_1可以包括：上述下部金属层BML_1中包含的下部金属图案BMP_1的第一遮光部BA1_1；以及在光学系OS_1中与配置在下部金属层BML_1上的线中遮挡光的线重叠的第二遮光部BA2_1。第二遮光部BA2_1可以由彼此重叠配置的第一栅极线层GL1、第二栅极线层GL2、数据线层DL以及阳极电极171进行定义。透光部TA_1作为光学系OS_1中除了遮光部BA_1以外的区域，可以与薄膜晶体管层TFTL中由不透明的物质构成的线以及阳极电极171不重叠。例如，透光部TA_1可以与第一栅极线层GL1、第二栅极线层GL2以及数据线层DL不重叠。
根据本实施例的光学系OS_1所包含的第二遮光部BA2与参考图10说明的上述内容实质上相同，因此省略进一步的说明。
参考图4说明的上述内容中，传感器像素FP可以感测与光学系OS_1的透光部TA_1实质上相同形状的被反射的光L2的图像。即，聚集到传感器像素FP的被反射的光L2可以透过光学系OS_1的透光部TA_1。
根据本实施例的光学系OS_1可以通过包括下部金属图案BMP_1的下部金属层BML_1，增加聚集到指纹识别传感器FPS的传感器像素FP的光量。另外，各个下部金属图案BMP_1包括与薄膜晶体管层TFTL的半导体层ACT重叠的有源区域BA12_1，从而即便为了硅结晶化而向半导体层ACT施加激光束，也能防止在半导体层ACT产生裂痕。另外，第一子驱动电压线VDDL1可以通过第三连接电极CNE与下部金属层BML_1电连接。因此，可以减少第一驱动电压的电压降低。
不仅如此，根据本实施例的光学系OS_1可以在一个子像素SP配置多个下部金属图案BMP_1，从而显示提高的聚光能力。即，根据本实施例的光学系OS_1可以更加精密地聚光。
图19是根据又一其它实施例的下部金属层的布局图。图20是一起示出图8的布局和图19的下部金属层布局的布局图。图21是重叠上部导电层层叠图案和图19的下部金属层并投影的结果获得的光学系的俯视图。
参考图4以及图19至图21，根据本实施例的光学系OS_2可以包括与根据一实施例的光学系OS不同形状的下部金属图案BMP_2。
作为比较实施例，可以对于一个菲涅尔图案FZPP_2配置多个子像素SP。具体为，可以在朝第j数据线Dj的延伸方向两个，朝与第j数据线Dj的延伸方向垂直的方向四个，共计八个子像素SP中配置一个菲涅尔图案FZPP_2。在子像素SP的布局图中配置本比较实施例的菲涅尔图案FZPP_2时，在半导体层ACT的上面存在段差，从而如上所述，在为了硅结晶化而向半导体层ACT施加激光束的工艺中产生裂痕(crack)，由此可能影响显示装置10的质量。因此，为了防止在半导体层ACT的上面产生段差，可以在半导体层ACT的下部重叠配置包括具有与菲涅尔图案FZPP_2类似形状的根据本实施例的下部金属图案BMP_1的下部金属层BML_2。以下，说明包括根据本实施例的下部金属图案BMP_2的光学系OS_2。
根据本实施例的下部金属层BML_2中包含的下部金属图案BMP_2可以包括遮挡光的第一遮光部BA1_2以及使光透过的第一透光部TA1_2。
第一遮光部BA1_2可以包括菲涅尔区域BA11_2、与薄膜晶体管层TFTL的半导体层ACT重叠的有源区域BA12_2以及外部区域BA13_2。
菲涅尔区域BA11_2可以具有与上述菲涅尔图案FZPP_2的不透明区域NTPR实质上相同的形状。可以是菲涅尔区域BA11_2包括多个环，菲涅尔区域BA11_2的各个环的边缘形成在具有同一下部金属中心点CP_2的同心圆上。另外，菲涅尔区域BA11_2的各个环可以具有相同的面积。
有源区域BA12_2可以为连接菲涅尔区域BA11_2的各个环，与半导体层ACT重叠的区域。
根据本实施例的光学系OS_2可以包括遮光部BA_2以及透光部TA_2。根据本实施例的光学系OS_2与根据一实施例的光学系OS不同，可以在朝第j数据线Dj的延伸方向两个，与第j数据线Dj的延伸方向垂直的方向四个，共计八个子像素SP中配置一个下部金属图案BMP_2。
光学系OS_2的遮光部BA_2可以包括：上述下部金属层BML_2中包含的下部金属图案BMP_2的第一遮光部BA1_2；以及在光学系OS_2中与配置在下部金属层BML_2上的线中遮挡光的线重叠的第二遮光部BA2_2。第二遮光部BA2_2可以由彼此重叠配置的第一栅极线层GL1、第二栅极线层GL2、数据线层DL以及阳极电极171进行定义。
透光部TA_2作为光学系OS_2中除了遮光部BA_2以外的区域，可以与薄膜晶体管层TFTL中由不透明的物质构成的线以及阳极电极171不重叠。例如，透光部TA_2可以与第一栅极线层GL1、第二栅极线层GL2以及数据线层DL不重叠。
根据本实施例的光学系OS_2所包含的第二遮光部BA2与参考图10说明的上述内容实质上相同，因此省略进一步的说明。
参考图4说明的上述内容中，传感器像素FP可以感测与光学系OS_2的透光部TA_2实质上相同形状的被反射的光L2的图像。即，聚集到传感器像素FP的被反射的光L2可以透过光学系OS_2的透光部TA_2。
根据本实施例的光学系OS_2可以通过包括下部金属图案BMP_2的下部金属层BML_2，增加聚集到指纹识别传感器FPS的传感器像素FP的光量。另外，各个下部金属图案BMP_2包括与薄膜晶体管层TFTL的半导体层ACT重叠的有源区域BA12_2，从而即便为了硅结晶化而向半导体层ACT施加激光束，也能防止在半导体层ACT产生裂痕。另外，第一子驱动电压线VDDL1可以通过第三连接电极CNE与下部金属层BML_2电连接。因此，可以减少第一驱动电压的电压降低。
不仅如此，根据本实施例的光学系OS_2可以配置为一个下部金属图案BMP_2与多个子像素SP重叠，从而示出更大的聚光量。即，根据本实施例的光学系OS_2可以聚集更多量的光。
以上参考附图说明了本发明的实施例，然而本发明所属技术领域中具有通常知识的人应理解在不改变本发明的技术思想或者必要特征的情况下可以实施为其它具体形态。因此，应理解以上叙述的实施例在所有面上属于示例，而不用于限定。

Claims (20)

1.一种显示装置，其中，包括：
基板；
薄膜晶体管层，配置在所述基板上；以及
发光电极，配置在所述薄膜晶体管层上，
所述薄膜晶体管层包括：下部金属层，配置在所述基板上并包括多个曲线部；以及半导体层，重叠配置在所述下部金属层上，
各个所述曲线部的边缘形成在具有同一中心点的同心圆上，
所述半导体层的边缘配置在所述下部金属层上。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述下部金属层包括：菲涅尔图案形状的第一图案区域；以及与所述半导体层重叠的第二图案区域。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，
与所述第二图案区域重叠的所述半导体层的线宽具有第一宽度，所述第二图案区域的线宽具有比所述第一宽度大或者相同的第二宽度。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，
所述半导体层包括平坦的上面。
5.根据权利要求2所述的显示装置，其中，
所述第一图案区域包括多个环，
各个所述环具有相同的面积。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，
所述第二图案区域电连接各个所述环。
7.根据权利要求5所述的显示装置，其中，
各个所述环的边缘形成在所述同心圆上。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述显示装置包括所述薄膜晶体管层以及所述发光电极重叠形成的透光部以及遮光部。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，
所述透光部与所述薄膜晶体管层以及所述发光电极不重叠。
10.根据权利要求8所述的显示装置，其中，
所述显示装置还包括指纹识别传感器，配置在所述基板下部，
所述指纹识别传感器接收通过所述透光部入射的光。
11.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述薄膜晶体管层还包括：
第一栅极线层，配置在所述半导体层上；
第二栅极线层，配置在所述第一栅极线层上；以及
数据线层，配置在所述第二栅极线层上，包括施加第一驱动电压的第一驱动电压线，
所述第二栅极线层包括与所述第一驱动电压线以及所述下部金属层电连接的连接电极。
12.一种显示装置，其中，包括：
基板；
下部金属层，配置在所述基板上，包括多个曲线部；
半导体层，重叠配置在所述下部金属层上；
第一栅极线层，配置在所述半导体层上，包括彼此平行配置的第k-1扫描线和第k扫描线，以及与所述第k-1扫描线以及所述第k扫描线平行配置的第k发光线；
第二栅极线层，配置在所述第一栅极线层上，包括施加初始化电压的初始化电压线以及与所述下部金属层电连接的连接电极；
数据线层，配置在所述第二栅极线层上，包括与所述第k-1扫描线以及所述第k扫描线交叉的第j数据线，以及施加有第一驱动电压并与所述连接电极电连接的第一驱动电压线；以及
发光电极，配置在所述数据线层上，
各个所述曲线部的边缘形成在具有同一中心点的同心圆上，
所述半导体层的边缘配置在所述下部金属层上。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，
所述下部金属层包括：菲涅尔图案形状的第一图案区域；以及与所述半导体层重叠的第二图案区域。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，
与所述第二图案区域重叠的所述半导体层的线宽具有第一宽度，所述第二图案区域的线宽具有比所述第一宽度大或者相同的第二宽度。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，
所述半导体层包括平坦的上面。
16.根据权利要求13所述的显示装置，其中，
所述第一图案区域包括多个环，
各个所述环具有相同的面积。
17.根据权利要求16所述的显示装置，其中，
所述第二图案区域电连接各个所述环。
18.根据权利要求12所述的显示装置，其中，
所述显示装置包括所述半导体层、所述第一栅极线层、所述第二栅极线层、所述数据线层以及所述发光电极重叠形成的透光部以及遮光部。
19.根据权利要求18所述的显示装置，其中，
所述透光部与所述下部金属层以及所述第一栅极线层、所述第二栅极线层、所述数据线层不重叠。
20.根据权利要求18所述的显示装置，其中，
所述显示装置还包括指纹识别传感器，配置在所述基板下部，
所述指纹识别传感器接收通过所述透光部入射的光。
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