CN114149461B - 有机化合物及包含该有机化合物的有机电致发光元件 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及新型有机化合物及包含该有机化合物的有机发光元件，更详细地，提供一种驱动电压低且显著改善发光效率及寿命的有机电致发光元件。

Description

有机化合物及包含该有机化合物的有机电致发光元件
技术领域
本发明涉及有机化合物及包含该有机化合物的有机电致发光元件。
背景技术
与现有的液晶显示器(LCD)、等离子显示面板(PDP)和场发射显示器(FED)等其他平板显示元件相比，有机电致发光元件(OLED)结构简单，在制作工艺上具有各种优点，具有高亮度和优异的视场角特性，响应速度快，驱动电压低，因此被积极地进行开发及商品化，使其能够用于如挂壁式电视的平板显示器或显示器的背光、照明、广告牌等的光源。
就有机电致发光元件而言，由伊士曼柯达公司的唐(C.W.Tang)等人报告了最初的有机EL元件，(C.W.Tang，S.A.Vanslyke，应用物理通讯(Applied Physics Letters)，51卷913页，1987年)，其发光原理通常是基于，当施加电压时，从阳极注入的空穴和从阴极注入的电子重组，形成激子，即电子-空穴对，通过将该激子的能量传递到发光材料以转换为光。
更具体而言，有机电致发光元件具有包括阴极(电子注入电极)和阳极(空穴注入电极)及上述两个电极之间一个以上的有机层的结构。此时，有机电致发光元件从阳极以空穴注入层(hole injection layer，HIL)、空穴传输层(hol e transport layer，HTL)、发光层(light emitting layer，EML)、电子传输层(electron transport layer，ETL)或电子注入层(electron injection layer，EIL)的顺序层叠，为提高发光层的效率，可将空穴传输辅助层或空穴阻挡层(hole blocking layer，HBL)分别进一步包括在发光层的前后。
在有机电子元件中用作有机物层的材料根据功能可分为发光材料和电荷传输材料，例如，穴注入材料、空穴传输材料、电子传输材料、电子注入材料等。
寿命和效率是有机电子发光元件的最大问题，随着显示器变得越来越大，这些效率和寿命问题必须得到解决。效率和寿命、驱动电压等是相互关联的，当效率提高时，驱动电压相对降低，随着驱动电压下降，由于驱动时所产生的焦耳热(Joule heating)导致的有机物质的结晶化减少，结果，表现出寿命增加的倾向。
然而，简单地改善所述有机物层不能使效率极大化。这是因为，当各有机物层之间的能级以及T1值、物质的固有性质(迁移率(mobility)、界面性质等)等实现最佳组合时，才可以同时实现长寿命和高效率。
并且，近年来，在有机电致发光元件中，为了解决空穴传输层中的发光问题，在空穴传输层和发光层之间必须存在发光辅助层，并且根据每个发光层(红(R)、绿(G)、蓝(B))需开发互不相同的发光辅助层。
通常，电子(electron)从电子传输层传递到发光层，空穴(hole)从空穴传输层传递到发光层，并通过复合(recombination)生成激子(exciton)。
然而，就用于空穴传输层的物质而言，由于需具有低的HOMO值，因此大部分具有低的T1值，由此，在发光层中生成的激子(exciton)被转移到空穴传输层，导致发光层内电荷不平衡(charge unbalance)，这导致在空穴传输层界面处发光。
当空穴传输层界面发光时，发生有机电元件的色纯度及效率下降、寿命变短的问题。因此，迫切需要具有高T1值并具有空穴传输层HOMO能级与发光层的HOMO能级之间的HOMO能级的发光辅助层。
现有技术文献
专利文献
(非专利文献1)克雷布斯、弗雷德里克.C等(Krebs，Frederik C.，et al.)，“一种分子热电物质，4,8,12-三氧杂-12c-磷杂-4,8,12,12c-四氢二苯并[cd，mn]芘的合成、结构和特性，(Synthesis，Structure，and Properties of 4,8,12-Trioxa-12c-phospha-4,8,12,12c-tetrahydrodibenzo[cd，mn]pyrene，a Molecular Pyroele ctric.)”，美国化学会志(Journal of the American Chemical Society)，119.6(1997年)：1208-1216页。
发明内容
发明要解决的问题
本发明的目的在于，可提供一种新型有机化合物及包含该有机化合物的有机电致发光元件。
本发明的另一目的在于，可提供一种可具有较高的玻璃转化温度及热稳定性的新型有机化合物。
本发明又一目的在于，提供一种有机电致发光元件，其具有优异的空穴传输特性，并通过降低空穴传输层与发光层之间的HOMO能级差、调节空穴注入特性、减少发光层界面的空穴蓄积，从而降低驱动电压并显著改善发光效率及寿命特性。
用于解决问题的手段
为了实现本发明不同的上述目的，本发明提供一种以下述化学式1表示的化合物：
[化学式1]
[化学式2]
其中，
Ad为以上述化学式2表示的化合物，
L1至L3彼此相同或不同，各自独立地选自由单键、取代或未取代的碳原子数为6至30的亚芳基、取代或未取代的碳原子数为3至30的亚杂芳基、取代或未取代的碳原子数为2至10的亚烷基、取代或未取代的碳原子数为2至10的亚环烷基、取代或未取代的碳原子数为2至10的亚烯基、取代或未取代的碳原子数为2至10的亚环烯基、取代或未取代的碳原子数为2至10的亚杂烷基、取代或未取代的碳原子数为2至10的亚杂环烷基、取代或未取代的碳原子数为2至10的亚杂烯基及取代或未取代的碳原子数为2至10的亚杂环烯基组成的组，
Ar1选自由取代或未取代的碳原子数为6至30的亚芳基、取代或未取代的碳原子数为3至30的亚杂芳基、取代或未取代的碳原子数为2至10的亚烷基、取代或未取代的碳原子数为2至10的亚环烷基、取代或未取代的碳原子数为2至10的亚烯基、取代或未取代的碳原子数为2至10的亚环烯基、取代或未取代的碳原子数为2至10的亚杂烷基、取代或未取代的碳原子数为2至10的亚杂环烷基、取代或未取代的碳原子数为2至10的亚杂烯基及取代或未取代的碳原子数为2至10的亚杂环烯基组成的组，
Ar2及Ar3彼此相同或不同，各自独立地选自由取代或未取代的碳原子数为6至30的芳基、取代或未取代的碳原子数为3至30的杂芳基、取代或未取代的碳原子数为1至20的烷基、取代或未取代的碳原子数为3至20的环烷基、取代或未取代的碳原子数为1至20的杂烷基、取代或未取代的碳原子数为1至20的杂环烷基、取代或未取代的碳原子数为2至20的烯基、取代或未取代的碳原子数为2至20的环烯基及取代或未取代的碳原子数为1至20的杂烯基、取代或未取代的碳原子数为1至30的烷基氨基、取代或未取代的碳原子数为6至30的芳氨基、取代或未取代的碳原子数为6至30的芳烷基氨基、取代或未取代的碳原子数为2至24的杂芳氨基组成的组，Ar2及Ar3可彼此相邻而形成碳原子数为5至30的饱和或不饱和环，
R1至R16中的至少一种选自由取代或未取代的碳原子数为1至30的烷基、取代或未取代的碳原子数为3至20的环烷基及取代或未取代的碳原子数为6至30的芳基组成的组，
其余R1至R16彼此相同或不同，各自独立地选自由氢、氘、氰基、硝基、卤素基、羟基、取代或未取代的碳原子数为1至4的烷硫基、取代或未取代的碳原子数为1至30的烷基、取代或未取代的碳原子数为3至20的环烷基、取代或未取代的碳原子数为2至30的烯基、取代或未取代的碳原子数为2至24的炔基、取代或未取代的碳原子数为7至30的芳烷基、取代或未取代的碳原子数为6至30的芳基、取代或未取代的核原子数为5至60的杂芳基、取代或未取代的碳原子数为6至30的杂芳烷基、取代或未取代的碳原子数为1至30的烷氧基、取代或未取代的碳原子数为1至30的烷基氨基、取代或未取代的碳原子数为6至30的芳氨基、取代或未取代的碳原子数为6至30的芳烷基氨基、取代或未取代的碳原子数为2至24的杂芳氨基、取代或未取代的碳原子数为1至30的烷基甲硅烷基、取代或未取代的碳原子数为6至30的芳基甲硅烷基及取代或未取代的碳原子数为6至30的芳氧基组成的组，且可与相邻的基团彼此键合以形成取代或未取代的环。
并且，本发明涉及一种有机电致发光元件，包括第一电极、与上述第一电极相对的第二电极、及介于上述第一电极与上述第二电极之间的一个以上的有机物层，其中，上述一个以上的有机物层包含以上述化学式1表示的化合物。
在本发明中，除非有特别限定，则“氢”为氢、氕、氘或氚。
在本发明中，“卤素基”为氟、氯、溴或碘。
在本发明中，“烷基”是指源自碳原子数为1至40的直链或支链的饱和烃的一价取代基。作为例子，可举出甲基、乙基、丙基、异丁基、仲丁基、戊基、异戊基、己基等，但不限于此。
在本发明中，“烯基(alkenyl)”是指源自具有一个以上碳-碳双键的碳原子数为2至40的直链或支链的不饱和烃的一价取代基。作为例子，可举出乙烯基(vinyl)、烯丙基(allyl)、异丙烯基(isopropenyl)、2-丁烯基(2-butenyl)等，但不限于此。
在本发明中，“炔基(alkynyl)”是指源自具有一个以上碳-碳三键的碳原子数为2至40的直链或支链的不饱和烃的一价取代基。作为例子，可举出乙炔基(ethynyl)、2-丙炔基(2-propynyl)等，但不限于此。
在本发明中，“烷硫基”是指通过硫键(-S-)键合的上述记载的烷基。
在本发明中，“芳基”是指源自单环或两个以上的环结合的碳原子数为6至60的芳香族烃的一价取代基。并且，可包括两个以上的环侧连(pendant)或稠合的形式。作为这种芳基的例子，可举出苯基、萘基、菲基、蒽基、芴基、二甲基芴基等，但不限于此。
在本发明中，“杂芳基”是指源自具有碳原子数为6至30的单杂环或多杂环芳香族烃的一价取代基。此时，环中一个以上的碳，优选为1至3个碳被杂原子如N、O、S或Se取代。并且，可包括两个以上的环彼此侧连(pendant)或稠合的形式，还可包括与芳基稠合的形式。作为这种杂芳基的例子，可举出如吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基等6元单环，如酚噻吩基(pheno xathienyl)、吲哚嗪基(indolizinyl)、吲哚基(indolyl)、嘌呤基(purinyl)、喹啉基(quinolyl)、苯并噻唑(benzothiazole)、咔唑基(carbazolyl)的多环以及2-呋喃基、N-咪唑基、2-异恶唑基、2-吡啶基、2-嘧啶基等，但不限于此。
在本发明中，“芳氧基”是以RO-表示的一价取代基，上述R指碳原子数为6至60的芳基。作为这种芳氧基的例子，可举出苯氧基、萘氧基、二苯氧基等，但不限于此。
在本发明中，“烷基氧基”是以R'O-表示的一价取代基，上述R'指碳原子数为1至40的烷基，可包括直链(linear)、支链(branched)或环状(cyclic)结构。作为烷基氧基的例子，可举出甲氧基、乙氧基、正丙氧基、1-丙氧基、叔丁氧基、正丁氧基、戊氧基等，但不限于此。
在本发明中，“烷氧基”可以是直链、支链或环链。烷氧基的碳原子数没有特别的限制，优选为碳原子数为1至20。具体地，可以为甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基(isopropoxy)、异丙氧基(i-propyloxy)、正丁氧基、异丁氧基、叔丁氧基、仲丁氧基、正戊氧基、新戊氧基、异戊氧基、正己氧基、3,3-二甲基丁氧基、2-乙基丁氧基、正辛氧基、正壬氧基、正癸氧基、苄氧基、对甲基苄氧基等，但不限于此。
在本发明中，“芳烷基”指芳基以及烷基构成的如上所述的芳基-烷基基团。优选的芳烷基包括低级烷基基团。优选的芳烷基基团的非限制性的例子包括苄基、2-苯乙基以及萘甲基。与母体残基的键合通过烷基实现。
在本发明中，“芳氨基”指被碳原子数为6至30的芳基取代的胺。
在本发明中，“烷基氨基”指被碳原子数为1至30的烷基取代的胺。
在本发明中，“芳烷基氨基”指被碳原子数为6至30的芳基-烷基取代的胺。
在本发明中，“杂芳氨基”指被碳原子数为6至30的芳基以及杂环基取代的胺基。
在本发明中，"杂芳烷基”指被杂环基取代的芳基-烷基基团。
在本发明中，“环烷基”是指源自碳原子数为3至40个的单环或多环非-芳香族烃的一价取代基。作为这种环烷基的例子，可举出如环丙基、环丁基、环戊基、环己基、降冰片基(norbornyl)、金刚烷(adamantine)等，但不限于此。
在本发明中，“杂环烷基”是指源自碳原子数为3至40个的非-芳香族烃的一价取代基，环中一个以上碳，优选1至3个碳被杂原子如N、O、S或Se取代。作为这种杂环烷基的例子，可举出吗啉、哌嗪等，但不限于此。
在本发明中，“烷基甲硅烷基”是指被碳原子数为1至40的烷基取代的甲硅烷基，“芳基甲硅烷基”是指被碳原子数为6至60的芳基取代的甲硅烷基。
在本发明中，“稠合环”是指稠合脂肪族环、稠合芳香族环、稠合杂脂肪族环、稠合杂芳香族环或它们组合的形式。
在本发明中，“与相邻基团相互键合形成环”是指，与相邻的基团相互键合形成取代或未取代的脂肪族烃环；取代或未取代的芳香族烃环；取代或未取代的脂肪族杂环；取代或未取代的芳香族杂环；或它们的稠合环。
在本发明中，“芳香族烃环”的例子有苯基、萘基、蒽基等，但不限于这些。
在本发明中，“脂肪族杂环”是指包含一个以上杂原子的脂肪族环。
在本发明中，“芳香族杂环”是指包含一个以上杂原子的芳香族环。
在本发明中，“取代”是指与化合物的碳原子键合的氢原子被其他取代基替换，对于取代的位置而言，只要是氢原子能被取代的位置，即取代基可取代的位置，则对于取代的位置没有限制，两个以上被取代时，两个以上的取代基彼此相同或不同。就上述取代基而言，可被选自由氢、氰基、硝基、卤素基、羟基、碳原子数为1至30的烷基、碳原子数为2至30的烯基、碳原子数为2至24的炔基、碳原子数为2至30的杂烷基、碳原子数为6至30的芳烷基、碳原子数为6至30的芳基、碳原子数为2至30的杂芳基、碳原子数为3至30的杂芳烷基、碳原子数为1至30的烷氧基、碳原子数为1至30的烷基氨基、碳原子数为6至30的芳氨基、碳原子数为6至30的芳烷基氨基、碳原子数为2至24的杂芳氨基、取代或未取代的碳原子数为1至30的烷基甲硅烷基、取代或未取代的碳原子数为6至30的芳基甲硅烷基及取代或未取代的碳原子数为6至30的芳氧基组成的组中的一个以上的取代基取代，但不限于上述示例。
发明的效果
本发明涉及具有较高的玻璃转化温度及热稳定性的新型有机化合物，上述新型有机化合物被用作有机电致发光元件的材料，具有优异的空穴传输特性，并通过降低空穴传输层与发光层之间的HOMO能级差，调节空穴注入特性，减少发光层界面的空穴蓄积，从而降低驱动电压并显著改善发光效率及寿命特性。
具体实施方式
以下，对本发明的实施例进行详细说明，以使本发明所属技术领域的普通技术人员易于实施。然而，本发明可以以各种不同的形式实现，不限于本说明书中说明的实施例。
根据本发明的新型有机化合物可具有高玻璃转化温度及热稳定性，尤其，由于具有易于空穴传输的HOMO能级，因此可用作向发光层的空穴传输特性优异的有机电致发光元件的空穴传输辅助层材料。
通过引入上述新型化合物(被取代的金刚烷基)来增加结构上柔性并提高迁移率，降低元件上的结晶性来减少抑制现象，使电子注入更加顺利。并且，降低驱动电压并使其具有优异的外量子效率(EQE)特性。
具体地，以下述化学式1表示的化合物如下：
[化学式1]
[化学式2]
其中，
Ad为以上述化学式2表示的化合物，
L1至L3彼此相同或不同，各自独立地选自由单键、取代或未取代的碳原子数为6至30的亚芳基、取代或未取代的碳原子数为3至30的亚杂芳基、取代或未取代的碳原子数为2至10的亚烷基、取代或未取代的碳原子数为2至10的亚环烷基、取代或未取代的碳原子数为2至10的亚烯基、取代或未取代的碳原子数为2至10的亚环烯基、取代或未取代的碳原子数为2至10的亚杂烷基、取代或未取代的碳原子数为2至10的亚杂环烷基、取代或未取代的碳原子数为2至10的亚杂烯基及取代或未取代的碳原子数为2至10的亚杂环烯基组成的组，
Ar1选自由取代或未取代的碳原子数为6至30的亚芳基、取代或未取代的碳原子数为3至30的亚杂芳基、取代或未取代的碳原子数为2至10的亚烷基、取代或未取代的碳原子数为2至10的亚环烷基、取代或未取代的碳原子数为2至10的亚烯基、取代或未取代的碳原子数为2至10的亚环烯基、取代或未取代的碳原子数为2至10的亚杂烷基、取代或未取代的碳原子数为2至10的亚杂环烷基、取代或未取代的碳原子数为2至10的亚杂烯基及取代或未取代的碳原子数为2至10的亚杂环烯基组成的组，
Ar2及Ar3彼此相同或不同，各自独立地选自由取代或未取代的碳原子数为6至30的芳基、取代或未取代的碳原子数为3至30的杂芳基、取代或未取代的碳原子数为1至20的烷基、取代或未取代的碳原子数为3至20的环烷基、取代或未取代的碳原子数为1至20的杂烷基、取代或未取代的碳原子数为1至20的杂环烷基、取代或未取代的碳原子数为2至20的烯基、取代或未取代的碳原子数为2至20的环烯基及取代或未取代的碳原子数为1至20的杂烯基、取代或未取代的碳原子数为1至30的烷基氨基、取代或未取代的碳原子数为6至30的芳氨基、取代或未取代的碳原子数为6至30的芳烷基氨基、取代或未取代的碳原子数为2至24的杂芳氨基组成的组，Ar2及Ar3可彼此相邻来形成碳原子数为5至30的饱和或不饱和环，
R1至R16中的至少一种选自由取代或未取代的碳原子数为1至30的烷基、取代或未取代的碳原子数为3至20的环烷基及取代或未取代的碳原子数为6至30的芳基组成的组，
其余R1至R16彼此相同或不同，各自独立地选自由氢、氘、氰基、硝基、卤素基、羟基、取代或未取代的碳原子数为1至4的烷硫基、取代或未取代的碳原子数为1至30的烷基、取代或未取代的碳原子数为3至20的环烷基、取代或未取代的碳原子数为2至30的烯基、取代或未取代的碳原子数为2至24的炔基、取代或未取代的碳原子数为7至30的芳烷基、取代或未取代的碳原子数为6至30的芳基、取代或未取代的核原子数为5至60的杂芳基、取代或未取代的碳原子数为6至30的杂芳烷基、取代或未取代的碳原子数为1至30的烷氧基、取代或未取代的碳原子数为1至30的烷基氨基、取代或未取代的碳原子数为6至30的芳氨基、取代或未取代的碳原子数为6至30的芳烷基氨基、取代或未取代的碳原子数为2至24的杂芳氨基、取代或未取代的碳原子数为1至30的烷基甲硅烷基、取代或未取代的碳原子数为6至30的芳基甲硅烷基及取代或未取代的碳原子数为6至30的芳氧基组成的组，且可与相邻的基团彼此键合以形成取代或未取代的环。
上述R1至R16中的至少一种选自由取代或未取代的碳原子数为1至30的烷基、取代或未取代的碳原子数为3至20的环烷基及取代或未取代的碳原子数为6至30的芳基组成的组，优选地，上述R1至R16中的至少两种选自由取代或未取代的碳原子数为1至30的烷基、取代或未取代的碳原子数为3至20的环烷基及取代或未取代的碳原子数为6至30的芳基组成的组，更优选地，上述R1至R16中的至少两种为取代或未取代的碳原子数为1至30的烷基。
上述Ar1可以是以下述化学式2或化学式3表示的取代基。
[化学式2]
[化学式3]
其中，
*表示键合部分，
n为0至4的整数，
m及0彼此相同或不同，各自独立地为0至3的整数，
X1选自由C(R20)(R21)、N(R22)、O、S及Si组成的组，
R17至R22彼此相同或不同，各自独立地选自由氢、氘、氰基、硝基、卤素基、羟基、取代或未取代的碳原子数为1至4的烷硫基、取代或未取代的碳原子数为1至30的烷基、取代或未取代的碳原子数为3至20的环烷基、取代或未取代的碳原子数为2至30的烯基、取代或未取代的碳原子数为2至24的炔基、取代或未取代的碳原子数为7至30的芳烷基、取代或未取代的碳原子数为6至30的芳基、取代或未取代的核原子数为5至60的杂芳基、取代或未取代的碳原子数为6至30的杂芳烷基、取代或未取代的碳原子数为1至30的烷氧基、取代或未取代的碳原子数为1至30的烷基氨基、取代或未取代的碳原子数为6至30的芳氨基、取代或未取代的碳原子数为6至30的芳烷基氨基、取代或未取代的碳原子数为2至24的杂芳氨基、取代或未取代的碳原子数为1至30的烷基甲硅烷基、取代或未取代的碳原子数为6至30的芳基甲硅烷基及取代或未取代的碳原子数为6至30的芳氧基组成的组，且可与相邻的基团彼此键合以形成取代或未取代的环。
上述L1至L3彼此相同或不同，各自独立地可选自由单键，取代或未取代的碳原子数为6至30的亚芳基及取代或未取代的碳原子数为3至30的亚杂芳基组成的组。
上述Ar2及Ar3彼此相同或不同，各自独立地可选自由以下述化学式4至8表示的取代基组成的组中：
[化学式4]
[化学式5]
[化学式6]
[化学式7]
[化学式8]
其中，
*是指键合的部分，
p及s彼此相同或不同，各自独立地为0至5的整数，
q为0至7的整数，
r及t彼此相同或不同，各自独立地为0至3的整数，
u、v及w彼此相同或不同，各自独立地为0至4的整数，
X2选自由C(R31)(R32)、N(R33)、O、S及Si组成的组，
X3为C(R34)或N，
R23至R34彼此相同或不同，各自独立地选自由氢、氘、氰基、硝基、卤素基、羟基、取代或未取代的碳原子数为1至4的烷硫基、取代或未取代的碳原子数为1至30的烷基、取代或未取代的碳原子数为3至20的环烷基、取代或未取代的碳原子数为2至30的烯基、取代或未取代的碳原子数为2至24的炔基、取代或未取代的碳原子数为7至30的芳烷基、取代或未取代的碳原子数为6至30的芳基、取代或未取代的核原子数为5至60的杂芳基、取代或未取代的碳原子数为6至30的杂芳烷基、取代或未取代的碳原子数为1至30的烷氧基、取代或未取代的碳原子数为1至30的烷基氨基、取代或未取代的碳原子数为6至30的芳氨基、取代或未取代的碳原子数为6至30的芳烷基氨基、取代或未取代的碳原子数为2至24的杂芳氨基、取代或未取代的碳原子数为1至30的烷基甲硅烷基、取代或未取代的碳原子数为6至30的芳基甲硅烷基及取代或未取代的碳原子数为6至30的芳氧基组成的组，且可与相邻的基团彼此键合以形成取代或未取代的环。
根据本发明的以化学式1表示的化合物选自由下述化合物组成的组，但不限于此：
上述有机电致发光元件可具有层叠阳极、空穴注入层、空穴传输层、空穴传输辅助层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极的结构，根据需要还可层叠电子传输辅助层。
以下，对本发明的有机电致发光元件进行举例说明。然而，下述示例的内容并不限定本发明的有机电致发光元件。
本发明的有机电致发光元件可具有依次层叠阳极(空穴注入电极)、空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、空穴传输辅助层、发光层(EML)及阴极(电子注入电极)的结构，优选地，可在阳极与发光层之间进一步包括空穴传输辅助层，并在阴极与发光层之间进一步包括电子传输层(ETL)、电子注入层(EI L)。并且，还可在阴极与发光层之间进一步包括电子传输辅助层。
作为根据本发明的有机电致发光元件的制造方法，首先在基板表面以常规方法涂布阳极用物质来形成阳极。此时，所使用的基板优选为透明度、表面平滑度、处理容易性以及防水性优异的玻璃基板或透明塑料基板。并且，作为阳极用物质，可使用透明且导电性优异的氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)等。
接着，在上述阳极表面以常规的方法真空热蒸镀或旋涂空穴注入层(HIL)物质来形成空穴注入层。作为这种空穴注入层物质可举出铜酞菁(CuPc)、4,4',4"-三(3-甲基苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、4,4',4"-三(3-甲基苯基氨基)苯氧基苯(m-MTDAPB)、作为星爆(starburst)型的胺类的4,4',4"-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA)、4,4',4"-三(N-(2-萘基)-N-苯基氨基)-三苯胺(2-TNATA)或能从出光兴产(Idemitsu)公司购买的IDE406。
在上述空穴注入层表面以常规的方法真空热蒸镀或旋涂空穴传输层物质来形成空穴传输层。
通过在上述空穴传输层表面真空热蒸镀或旋涂空穴传输辅助层物质来形成空穴传输辅助层。
上述空穴传输层物质或空穴传输辅助层物质可选自本发明的以上述化学式1表示的化合物。空穴传输层或空穴传输辅助层可包含以上述化学式1表示的化合物，并非是以上述化学式1表示的化合物的空穴传输层或空穴传输辅助层可包含常用的空穴传输层物质或空穴传输辅助层物质。
在上述空穴传输辅助层表面以常规的方法真空热蒸镀或旋涂发光层(EML)物质来形成发光层。此时，所使用的发光层物质中，单独的发光物质或发光主体物质在绿色时可使用三(8-羟基喹啉基)铝(Alq3)等，蓝色时可使用Alq3、4,4'-N,N'-二咔唑-联苯(4,4'-N,N'-dicabazole-biphenyl，CBP)、聚(正乙烯基咔唑)(poly(n-vinylcabazole)，PVK)、9,10-二(萘-2-基)蒽(9,10-di(naphthalene-2-yl)an thracene，ADN)、4,4',4"-三(N-咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、1,3,5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯(1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazole-2-yl)benzene，TPBI)、3-叔丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽(3-tert-butyl-9,10-di(naphth-2-yl)anthracene，TBADN)、E3、二苯乙烯基亚芳基(distyrylarylene，DSA)或它们中的两种以上的混合物，但不限于此。
就发光层物质中能够与发光主体一起使用的掺杂剂(Dopant)而言，可使用能够在出光兴产(Idemitsu)购买的IDE102、IDE105，作为磷光掺杂剂(Dopant)可使用三(2-苯基吡啶)合铱(III)(Ir(ppy)3)、双[(4,6-二氟苯基)吡啶基-N,C-2']吡啶甲酰合铱(III)(FIrpic)(参考文献[Chihaya Adachi等，Appl.Phys.Lett.，2001，79，3082-3084])、八乙基卟啉铂(II)(PtOEP)、TBE002(科比恩公司)等。
在上述发光层表面以常规的方法真空热蒸镀或旋涂电子传输层(ETL)物质来形成电子传输层。此时，对所使用的电子传输层物质没有特别限制，优选地，可使用三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)。
选择性地，在发光层与电子传输层之间进一步形成空穴阻挡层(HBL)并在发光层使用磷光掺杂剂(Dopant)，可以防止三重态激子或空穴扩散到电子传输层中的现象。
空穴阻挡层的形成可通过以常规的方法真空热蒸镀或旋涂空穴阻挡层物质来实施，对空穴阻挡层物质没有特别的限制，但可以优选使用(8-羟基喹啉基)锂(Liq)、双(8-羟基-2-甲基喹啉基)-联苯氧基铝(BAlq)、浴铜灵(bathocuproine，BCP)及氟化锂(LiF)等。
在上述电子传输层表面以常规的方法真空热蒸镀或旋涂电子注入层(EIL)物质来形成电子注入层。此时，电子注入层物质可使用LiF、Liq、Li2O、BaO、NaCl、CsF等物质。
在上述电子注入层表面以常规的方法真空热蒸镀阴极用物质来形成阴极。
此时，所使用的阴极用物质可有锂(Li)、铝(Al)、铝锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁(Mg)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)等。并且，前面发光有机电致发光元件可使用氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)以形成能够透光的透明的阴极。
可使用覆盖层形成用组合物在上述阴极的表面形成覆盖层(CPL)。
以下，将通过代表性例子来说明上述化合物的合成方法。然而，本发明的化合物的合成方法不限于下述示例的方法，本发明的化合物可通过以下示例的方法和本领域已知的方法制备。
[合成例1：化合物426的制备]
合成例1-1.化合物1-1的制备
将20g(85.8mmol)的4-溴-1,1'-联苯、32.7g(134.5mmol)的(3R,5S,7r)-1-溴-3,5-二甲基金刚烷溶解于160ml的氯仿后，在5℃以下缓慢加入26.36g(268.8mmol)的硫酸，随后在40℃温度搅拌12小时，反应完成后，将500ml的冰水倒入反应液并进行搅拌。利用二氯甲烷萃取有机层后，用MgSO4进行干燥，蒸馏滤液，进行柱层析后，通过重结晶以42％的收率获得了14.5g的化合物1-1。
合成例1-2.化合物426的制备
添加10g(25.3mmol)的化合物1-1、7.74g(24.1mmol)的二([1,1'-联苯]-4-基)胺及4.63g(48.2mmol)的叔丁醇钠，并溶解于80mL的甲苯，在氮气气氛下于60℃保持30分钟后，添加0.44g(0.48mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯(0)和以50wt％溶解于甲苯的0.94ml(1.92mmol)的三叔丁基膦，随后在100～110℃回流5小时。反应完成后冷却至常温，随后利用300mL的水和300mL的二氯甲烷萃取有机层，用MgSO4进行干燥，蒸馏滤液，进行柱层析后，通过重结晶以47.0％的收率获得了7.2g的化合物426。
m/z＝635.36(C48H45N＝635.88)
[合成例2：化合物427的制备]
除了使用10g(25.3mmol)的化合物1-1并用7.74g(24.1mmol)的N-([1,1'-联苯]-4-基)-[1,1'-联苯]-3-胺代替7.74g(24.1mmol)的二([1,1'-联苯]-4-基)胺以外，以与化合物426的合成方法相同的方法进行制备，并以45.7％的收率获得了7.0g的化合物427。
m/z＝635.36(C48H45N＝635.88)
[合成例3：化合物428的制备]
除了使用10g(25.3mmol)的化合物1-1并用7.12g(24.1mmol)的N-([1,1'-联苯]-4-基)萘-2-胺代替7.74g(24.1mmol)的二([1,1'-联苯]-4-基)胺以外，以与化合物426的合成方法相同的方法进行制备，并以52.6％的收率获得了7.7g的化合物428。
m/z＝609.34(C46H43N＝609.84)
[合成例4：化合物429的制备]
除了使用10g(25.3mmol)的化合物1-1并用9.68g(24.1mmol)的双(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)胺代替7.74g(24.1mmol)的二([1,1'-联苯]-4-基)胺以外，以与化合物426的合成方法相同的方法进行制备，并以57.2％的收率获得了9.9g的化合物429。
m/z＝715.42(C54H53N＝716.01)
[合成例5：化合物430的制备]
除了使用10g(25.3mmol)的化合物1-1并用8.71g(24.1mmol)的N-([1,1'-联苯]-4-基)-9,9-二甲基-9H-芴-2-胺代替7.74g(24.1mmol)的二([1,1'-联苯]-4-基)胺以外，以与化合物426的合成方法相同的方法进行制备，并以56.0％的收率获得了9.1g的化合物430。
m/z＝675.39(C51H49N＝675.94)
[合成例6：化合物129的制备]
合成例6-1.化合物6-1的制备
添加20g(80.9mmol)的2-溴二苯并[b,d]呋喃、17.77g(84.9mmol)的9,9-二甲基-9H-芴-2-胺及15.55g(161.8mmol)的叔丁醇钠，并溶解于200mL的甲苯，在氮气气氛下于60℃保持30分钟后，添加1.48g(1.62mmol)的三(二亚苄基丙酮)二钯(0)和以50wt％溶解于甲苯的3.14ml(6.47mmol)的三叔丁基膦，在100～110℃回流5小时。反应完成后冷却至常温，随后利用300mL的水和300mL的二氯甲烷萃取有机层，用MgSO4进行干燥，蒸馏滤液，进行柱层析后，通过重结晶以53.2％的收率获得了16.1g的化合物6-1。
合成例6-2.化合物130的制备
除了使用10g(25.3mmol)的化合物1-1并用9.05g(24.1mmol)的化合物6-1代替7.74g(24.1mmol)的二([1,1'-联苯]-4-基)胺以外，以与化合物426的合成方法相同的方法进行制备，并以50.2％的收率获得了8.4g的化合物130。
m/z＝689.37(C51H47NO＝689.92)
[合成例7：化合物162的制备]
合成例7-1.化合物7-1的制备
添加20g(50.6mmol)的2-溴-9,9'-螺二[芴]、8.99g(53.1mmol)的[1,1'-联苯]-4-胺及9.73g(101.2mmol)的叔丁醇钠，并溶解于150mL的甲苯，在氮气气氛下于60℃保持30分钟后，添加0.93g(1.02mmol)的三(二亚苄基丙酮)二钯(0)和以50wt％溶解于甲苯的1.96ml(4.05mmol)的三叔丁基膦，随后在100～110℃回流5小时。反应完成后冷却至常温，随后利用200mL的水和200mL的二氯甲烷萃取有机层，并用MgSO4进行干燥，蒸馏滤液，进行柱层析后，通过重结晶以51.7％的收率获得了12.6g的化合物7-1。
合成例7-2.化合物162的制备
除了使用10g(25.3mmol)的化合物1-1并用11.65g(24.1mmol)的化合物7-1代替7.74g(24.1mmol)的二([1,1'-联苯]-4-基)胺以外，以与化合物426的合成方法相同的方法进行制备，并以53.8％的收率获得了10.3g的化合物162。
m/z＝797.40(C61H51N＝798.06)
[合成例8：化合物135的制备]
合成例8-1.化合物8-1的制备
除了用20g(70.6mmol)的2-(4-溴苯基)萘代替20g(80.9mmol)的2-溴二苯并[b,d]呋喃并使用17.77g(74.1mmol)的9,9-二甲基-9H-芴-2-胺以外，以与化合物6-1的合成方法相同的方法进行制备，并以52.3％的收率获得了15.2g的化合物8-1。
合成例8-2.化合物135的制备
除了使用10g(25.3mmol)的化合物1-1并用9.92g(24.1mmol)的化合物8-1代替7.74g(24.1mmol)的二([1,1'-联苯]-4-基)胺以外，以与化合物426的合成方法相同的方法进行制备，并以53.5％的收率获得了9.4g的化合物135。
m/z＝725.40(C55H51N＝726.00)
[合成例9：化合物165的制备]
合成例9-1.化合物9-1的制备
除了使用20g(80.9mmol)的2-溴二苯并[b,d]呋喃并用14.37g(84.9mmol)的[1,1'-联苯]-4-胺代替17.77g(84.9mmol)的9,9-二甲基-9H-芴-2-胺以外，以与化合物6-1的合成方法相同的方法进行制备，并以54.1％的收率获得了14.7g的化合物9-1。
合成例9-2.化合物165的制备
除了使用10g(25.3mmol)的化合物1-1并用8.08g(24.1mmol)的化合物9-1代替7.74g(24.1mmol)的二([1,1'-联苯]-4-基)胺以外，以与化合物426的合成方法相同的方法进行制备，并以49.3％的收率获得了7.7g的化合物165。
m/z＝649.33(C48H43NO＝649.86)
[合成例10：化合物431的制备]
合成例10-1.化合物10-1的制备
除了用20g(80.9mmol)的3-溴二苯并[b,d]呋喃代替20g(80.9mmol)的2-溴二苯并[b,d]呋喃以及用14.37g(84.9mmol)的4-(萘-2-基)苯胺代替17.77g(84.9mmol)的9,9-二甲基-9H-芴-2-胺以外，以与化合物6-1的合成方法相同的方法进行制备，并以52.2％的收率获得了9.7g的化合物10-1。
合成例10-2.化合物431的制备
除了使用10g(25.3mmol)的化合物1-1并用9.29g(24.1mmol)的化合物10-1代替7.74g(24.1mmol)的二([1,1'-联苯]-4-基)胺以外，以与化合物426的合成方法相同的方法进行制备，并以47.7％的收率获得了8.0g的化合物431。
m/z＝699.35(C52H45NO＝699.92)
[合成例11：化合物212的制备]
合成例11-1.化合物11-1的制备
除了用20g(61.8mmol)的2-(4-溴苯基)二苯并[b,d]呋喃代替20g(80.9mmol)的2-溴二苯并[b,d]呋喃并使用17.77g(64.9mmol)的9,9-二甲基-9H-芴-2-胺以外，以与化合物6-1的合成方法相同的方法进行制备，并以51.9％的收率获得了7.1g的化合物11-1。
合成例11-2.化合物212的制备
除了使用10g(25.3mmol)的化合物1-1并用10.88g(24.1mmol)的化合物11-1代替7.74g(24.1mmol)的二([1,1'-联苯]-4-基)胺以外，以与化合物426的合成方法相同的方法进行制备，并以48.2％的收率获得了8.9g的化合物212。
m/z＝765.40(C57H51NO＝766.02)
[合成例12：化合物201的制备]
合成例12-1.化合物12-1的制备
除了用20g(76.0mmol)的3-溴二苯并[b,d]噻吩代替20g(80.9mmol)的2-溴二苯并[b,d]呋喃以及用13.5g(79.8mmol)的[1,1'-联苯]-4-胺代替17.77g(84.9mmol)的9,9-二甲基-9H-芴-2-胺以外，以与化合物6-1的合成方法相同的方法进行制备，并以58.5％的收率获得了15.6g的化合物9-1。
合成例12-2.化合物201的制备
除了使用10g(25.3mmol)的化合物1-1并用8.47g(24.1mmol)的化合物12-1代替7.74g(24.1mmol)的二([1,1'-联苯]-4-基)胺以外，以与化合物426的合成方法相同的方法进行制备，并以46.8％的收率获得了7.5g的化合物206。
m/z＝665.31(C48H43NS＝665.93)
[合成例13：化合物252的制备]
合成例13-1.化合物13-1的制备
除了用20g(58.9mmol)的2-(4-溴苯基)二苯并[b,d]噻吩代替20g(80.9mmol)的2-溴二苯并[b,d]呋喃并使用17.77g(61.9mmol)的9,9-二甲基-9H-芴-2-胺以外，以与化合物6-1的合成方法相同的方法进行制备，并以59.1％的收率获得了16.2g的化合物13-1。
合成例13-2.化合物252的制备
除了使用10g(25.3mmol)的化合物1-1并用11.27g(24.1mmol)的化合物13-1代替7.74g(24.1mmol)的二([1,1'-联苯]-4-基)胺代替7.74g(24.1mmol)的二([1,1'-联苯]-4-基)胺以外，以与化合物426的合成方法相同的方法进行制备，并以44.2％的收率获得了8.3g的化合物252。
m/z＝781.37(C57H51NS＝782.09)
[合成例14：化合物227的制备]
合成例14-1.化合物14-1的制备
除了用20g(62.1mmol)的2-溴-9-苯基-9H-咔唑代替20g(80.9mmol)的2-溴二苯并[b,d]呋喃以及用11.03g(65.2mmol)的[1,1'-联苯]-4-胺代替17.77g(84.9mmol)的9,9-二甲基-9H-芴-2-胺以外，以与化合物6-1的合成方法相同的方法进行制备，并以57.6％的收率获得了14.7g的化合物14-1。
合成例14-2.化合物227的制备
除了使用10g(25.3mmol)的化合物1-1并用9.89g(24.1mmol)的化合物14-1代替7.74g(24.1mmol)的二([1,1'-联苯]-4-基)胺以外，以与化合物426的合成方法相同的方法进行制备，并以41.6％的收率获得了7.2g的化合物227。
m/z＝724.38(C54H48N2＝724.97)
[合成例15：化合物1的制备]
合成例15-1.化合物15-1的制备
将32.7g(134.5mmol)的1-溴-3,5-二甲基金刚烷溶于50.6g(538mmol)苯酚(phenol)后，在120℃温度加热12小时。反应完成后冷却至常温，添加到装有500mL的热水的烧杯中，并通过搅拌形成了沉淀。过滤后，用热水清洗沉淀物3次，随后充分真空干燥以75％的收率获得了25.8g的化合物15-1。
合成例15-2.化合物15-2的制备
将25g(97.5mmol)的化合物15-1和15.4g(195mmol)的吡啶溶于120mL的二氯甲烷后，将温度降低至0℃，缓慢加入32.9g(117mmol)的三氟甲烷磺酸酐。搅拌3小时反应完成后，加入1N的盐酸，加入水进行萃取，进行柱层析，以80％的收率获得了30.3g的化合物15-2。
合成例15-3.化合物1的制备
添加10g(25.7mmol)的化合物15-2、7.84g(24.4mmol)的二([1,1'-联苯]-4-基)胺及4.69g(48.8mmol)叔丁醇钠，并溶解于80mL的甲苯，在氮气气氛下于60℃保持30分钟后，添加0.45g(0.49mmol)的三(二亚苄基丙酮)二钯(0)和以50wt％溶于甲苯的0.95ml(1.95mmol)的三叔丁基膦，在100～110℃回流5小时。反应完成后冷却至常温，随后利用水和二氯甲烷萃取有机层后，用MgSO4进行干燥，蒸馏滤液，进行柱层析，并通过重结晶以43.2％的收率获得了5.9g的化合物1。
m/z＝559.32(C42H41N＝559.78)
[合成例16：化合物4的制备]
合成例16-1.化合物16-1的制备
除了用20g(85.8mmol)4-溴-1,1'-联苯代替20g(80.9mmol)的3-溴二苯并[b,d]呋喃以及用19.76g(90.1mmol)的4-(萘-2-基)苯胺代替17.77g(84.9mmol)的9,9-二甲基-9H-芴-2-胺以外，以与化合物6-1的合成方法相同的方法进行制备，并以65.3％的收率获得了20.8g的化合物16-1。
合成例16-2.化合物4的制备
除了使用10g(25.7mmol)的化合物15-2并用9.29g(24.4mmol)的化合物16-1代替7.84g(24.4mmol)的二([1,1'-联苯]-4-基)胺以外，以与化合物1的合成方法相同的方法进行制备，并以46.7％的收率获得了6.5g的化合物4。
m/z＝609.34(C46H43N＝609.84)
[合成例17：化合物34的制备]
合成例17-1.化合物17-1的制备
除了用20g(64.7mmol)的4-溴-1,1':4',1”-三联苯代替20g(80.9mmol)的3-溴二苯并[b,d]呋喃以及用9.72g(67.9mmol)的萘-1-胺代替17.77g(84.9mmol)的9,9-二甲基-9H-芴-2-胺以外，以与化合物6-1的合成方法相同的方法进行制备，并以61.4％的收率获得了14.8g的化合物17-1。
合成例17-2.化合物34的制备
除了使用10g(25.7mmol)的化合物15-2并用9.06g(24.4mmol)的化合物17-1代替7.84g(24.4mmol)的二([1,1'-联苯]-4-基)胺以外，以与化合物1的合成方法相同的方法进行制备，并以51.2％的收率获得了7.6g的化合物34。
m/z＝609.34(C46H43N＝609.84)
[合成例18：化合物21的制备]
合成例18-1.化合物18-1的制备
除了用20g(50.6mmol)的4-溴-9,9'-螺二[芴]代替20g(50.6mmol)的2-溴-9,9'-螺二[芴]并使用8.99g(53.1mmol)的[1,1'-联苯]-4-胺以外，化以与合物7-1的合成方法相同的方法进行制备，并以52.8％的收率获得了12.9g的化合物18-1。
合成例18-2.化合物21的制备
除了使用10g(25.7mmol)的化合物15-2并用11.79g(24.4mmol)的化合物18-1代替7.84g(24.4mmol)的二([1,1'-联苯]-4-基)胺以外，以与化合物1的合成方法相同的方法进行制备，并以41.4％的收率获得了7.3g的化合物21。
m/z＝721.37(C55H47N＝721.97)
[合成例19：化合物92的制备]
合成例19-1.化合物19-1的制备
除了用20g(80.9mmol)3-溴二苯并[b,d]呋喃代替20g(80.9mmol)的2-溴二苯并[b,d]呋喃以及用11.03g(84.9mmol)的[1,1'-联苯]-2-胺代替17.77g(84.9mmol)的9,9-二甲基-9H-芴-2-胺以外，以与化合物6-1的合成方法相同的方法进行制备，并以63.6％的收率获得了17.3g的化合物19-1。
合成例19-2.化合物19的制备
除了使用10g(25.7mmol)的化合物15-2并用8.18g(24.4mmol)的化合物19-1代替7.84g(24.4mmol)的二([1,1'-联苯]-4-基)胺以外，以与以与化合物1的合成方法相同的方法进行制备，并以48.3％的收率获得了6.8g的化合物92。
m/z＝573.30(C42H39NO＝573.77)
[合成例20：化合物113的制备]
合成例20-1.化合物20-1的制备
添加20g(79.7mmol)的2,4-二溴苯胺、23.33g(191.3mmol)的苯硼酸及33.05g(239.1mmol)的碳酸钾，并溶解于甲苯、乙醇、水，在氮气气氛下于60℃保持30分钟后，添加1.84g(1.59mmol)的四(三苯基膦)钯(0)，并在80℃温度回流5小时。反应完成后冷却至常温，随后利用水和二氯甲烷萃取有机层，并用MgSO4进行干燥，蒸馏滤液，进行柱层析后，通过重结晶以71.2％的收率获得了13.9g化合物20-1。
合成例20-2.化合物20-2的制备
除了用20g(80.9mmol)的3-溴二苯并[b,d]呋喃代替20g(80.9mmol)的2-溴二苯并[b,d]呋喃以及用20.83g(84.9mmol)的化合物20-1代替17.77g(84.9mmol)的9,9-二甲基-9H-芴-2-胺以外，以与化合物6-1的合成方法相同的方法进行制备，并以61.7％的收率获得了20.5g的化合物19-1。
合成例20-3.化合物113的制备
除了使用10g(25.7mmol)的化合物15-2并用10.04g(24.4mmol)的化合物20-2代替7.84g(24.4mmol)的二([1,1'-联苯]-4-基)胺以外，以与化合物1的合成方法相同的方法进行制备，并以43.6％的收率获得了6.9g的化合物113。
m/z＝649.33(C48H43NO＝649.86)
[合成例21：化合物438的制备]
合成例21-1.化合物21-1的制备
除了用20g(73.2mmol)的2-溴-9,9-二甲基芴代替20g(80.9mmol)的3-溴二苯并[b,d]呋喃并使用20.83g(80.59mmol)的化合物20-1以外，以与化合物20-2的合成方法相同的方法进行制备，并以74％的收率获得了23.7g的化合物21-1。
合成例21-2.化合物438的制备
除了使用10g(25.7mmol)的化合物15-2并用10.7g(24.4mmol)的化合物21-1代替7.84g(24.4mmol)的二([1,1'-联苯]-4-基)胺以外，以与化合物1的合成方法相同的方法进行制备，并以48.8％的收率获得了8.5g的化合物438。
m/z＝675.39(C51H49N＝675.94)
[合成例22：化合物432的制备]
合成例22-1.化合物22-1的制备
除了用20g(76.0mmol)的3-溴二苯并[b,d]噻吩代替20g(80.9mmol)的3-溴二苯并[b,d]呋喃并使用20.50g(83.6mmol)的化合物20-1以外，以与化合物20-2的合成方法相同的方法进行制备，并以74.8％的收率获得了24.3g的化合物22-1。
合成例22-2.化合物432的制备
除了使用10g(25.7mmol)的化合物15-2并用10.45g(24.5mmol)的化合物22-1代替7.84g(24.4mmol)的二([1,1'-联苯]-4-基)胺以外，以与化合物1的合成方法相同的方法进行制备，并以53.7％的收率获得了9.2g的化合物432。
m/z＝665.31(C48H43NS＝665.93)
[合成例23：化合物433的制备]
合成例23-1.化合物23-1的制备
除了用20g(67.8mmol)的2-(4-氯苯基)二苯并[b,d]噻吩代替20g(80.9mmol)的3-溴二苯并[b,d]呋喃并使用18.3g(74.6mmol)的化合物20-1以外，以与化合物20-2的合成方法相同的方法进行制备，并以57.7％的收率获得了19.7g的化合物23-1。
合成例23-2.化合物23的制备
除了使用10g(25.7mmol)的化合物15-2并用12.31g(24.5mmol)的化合物23-1代替7.84g(24.4mmol)的二([1,1'-联苯]-4-基)胺以外，以与化合物1的合成方法相同的方法进行制备，并以49.2％的收率获得了9.4g的化合物433。
m/z＝741.34(C54H47NS＝742.02)
[合成例24：化合物434的制备]
合成例24.化合物434的制备
除了使用10g(25.3mmol)的化合物1-1并用9.88g(24.1mmol)的化合物20-2代替7.74g(24.1mmol)的二([1,1'-联苯]-4-基)胺以外，以与化合物227的合成方法相同的方法进行制备，并以57.2％的收率获得了10.5g的化合物434。
m/z＝725.37(C54H47NO＝725.96)
[合成例25：化合物435的制备]
合成例25.化合物435的制备
除了使用10g(25.3mmol)的化合物1-1并用10.27g(24.1mmol)的化合物22-1代替7.74g(24.1mmol)的二([1,1'-联苯]-4-基)胺以外，以与化合物227的合成方法相同的方法进行制备，并以51.7％的收率获得了9.7g的化合物435。
m/z＝741.34(C54H47NS＝742.02)
[合成例26：化合物436的制备]
合成例26-1.化合物26-1的制备
在氮气气流下，添加30g(77.2mmol)的化合物15-2、6-氯联苯-3-硼酸(6-chlorobiphenyl-3-ylboronic acid)(17.95g，77.2mmol)、Pd(PPh3)4(1.78g，1.54mmol)、K2CO3(21.34g，15.44mmol)、甲苯(300mL)、乙醇(60mL)、水(120mL)后进行回流。反应完成后，利用甲苯和水萃取了有机层。利用MgSO4处理萃取的有机层以去除残留水分，减压浓缩后，通过硅胶柱(silicagel column)及重结晶方法进行纯化，获得了45.3g化合物26-1(收率：78％)。
合成例26-2.化合物436的制备
除了使用10g(23.4mmol)的化合物26-1和8.46g(23.4mmol)的N-([1,1'-联苯]-4-基)-9,9-二甲基-9H-芴-2-胺以外，以与化合物435的合成方法相同的方法进行制备，并以58％的收率获得了10.3g的化合物436。
m/z＝751.42(C57H53N＝752.04)
[合成例27：化合物437的制备]
除了使用10g(23.4mmol)的化合物26-1并用9.73g(22.2mmol)的N-(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)二苯并[b,d]呋喃-3-胺代替N-([1,1'-联苯]-4-基)-9,9-二甲基-9H-芴-2-胺以外，以与化合物436的合成方法相同的方法进行制备，并以52.4％的收率制备了9.4g化合物437。
m/z＝765.40(C57H51NO＝766.02)
[合成例28：化合物294的制备]
除了使用10g(23.4mmol)的化合物26-1并用8.93g(22.2mmol)的双(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)胺代替N-([1,1'-联苯]-4-基)-9,9-二甲基-9H-芴-2-胺以外，以与化合物436的合成方法相同的方法进行制备，并以48％的收率获得了8.9g的化合物294。
m/z＝791.45(C60H57N＝792.10)
[合成例29：化合物439的制备]
除了使用10g(23.4mmol)的化合物26-1并用8.71g(22.2mmol)的N-(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)二苯并[b,d]噻吩-2-胺代替N-([1,1'-联苯]-4-基)-9,9-二甲基-9H-芴-2-胺以外，以与化合物436的合成方法相同的方法进行制备，并以49.7％的收率获得了9.1g的化合物29。
m/z＝781.37(C57H51NS＝782.09)
[合成例30：化合物440的制备]
除了使用10g(25.3mmol)的化合物1-1并用10.51g(24.1mmol)的化合物25-1代替7.74g(24.1mmol)的二([1,1'-联苯]-4-基)胺以外，以与化合物227的合成方法相同的方法进行制备，并以45.7％的收率获得了8.7g的化合物440。
m/z＝751.42(C57H53N＝752.04)
[实施例1：有机电致发光元件制造(红色)]
在形成有反射层的基板上使用ITO形成阳极，并用N2等离子体或紫外线臭氧进行表面处理。在其上部作为空穴注入层(HIL)以10nm的厚度蒸镀HAT-CN。接着，以100nm的厚度蒸镀N4,N4,N4',N4'-四([1,1'-联苯]-4-基)-[1,1'-联苯]-4,4'-二胺(N4,N4,N4',N4'-tetra([1,1'-biphenyl]-4-yl)-[1,1'-biphenyl]-4,4'-diamine)形成了空穴传输层(HTL)。
在上述空穴传输层上部以85nm的厚度真空蒸镀本发明的化合物426来形成空穴传输辅助层，并在上述空穴传输辅助层上部，作为发光层(EML)以35nm的厚度蒸镀4,4'-N,N'-二咔唑-联苯(4,4'-N,N'-dicarbazole-biphenyl，CBP)的同时，作为掺杂剂(dopant)掺杂了约3％左右的双(1-苯基异喹啉)(乙酰丙酮)合铱(III)(bis-(1-phenylisoquinolyl)iridium(III)acetylacetonate，(piq)2Ir(acac))。
以1：1混合蒽衍生物和LiQ并将其以30nm的厚度蒸镀在发光层(EML)上作为电子传输层(ETL)，并在电子传输层(ETL)上以1nm的厚度蒸镀LiQ作为电子注入层(EIL)。随后，以16nm的厚度蒸镀以1：4混合镁和银(Ag)的混合物作为阴极，在上述阴极上以60nm的厚度蒸镀N4,N4'-双[4-[双(3-甲基苯基)氨基]苯基]-N4,N4'-二苯基-[1,1'-联苯]-4,4'-二胺(DNTPD)作为覆盖层(capping layer)。在其上利用紫外线固化型粘结剂来贴合含吸湿剂的密封盖(sealcap)，以保护有机电致发光元件免受大气中的O2或水分的影响，由此制造了有机电致发光元件。
[实施例2至30]
如下表1所示，除了使用空穴传输辅助层化合物以外，以与实施例1的方法相同的方法制造了实施例2至30的有机电致发光元件及比较例1及3的有机电致发光元件。
[化合物A]
[化合物B]
[化合物C]
[实验例1：元件性能分析]
针对以如上所述的方式根据实施例1至30及比较例1至3制造的有机电致发光元件，测量以10mA/cm2的电流驱动时的电光特性及以20mA/cm2的恒流驱动时的减少95％时的寿命，并显示在表1中。
[表1]
根据上述表1的实验结果，与比较例相比，在将本发明的化合物用作有机电致发光元件的空穴传输辅助层材料的情况下，驱动电压处于等同或更低水平，但表现出优异的元件效率特性及长寿命特性。
[实施例31：有机电致发光元件制造(绿色)]
通过使用ITO在形成有反射层的基板上形成阳极，使用N2等离子体或紫外线臭氧进行了表面处理。在其上以10nm的厚度蒸镀六氮杂三亚苯(HAT-CN)来作为空穴注入层(HIL)。接着，以110nm的厚度蒸镀N4,N4,N4',N4'-四([1,1'-联苯]-4-基)-[1,1'-联苯]-4,4'-二胺(N4,N4,N4',N4'-tetra([1,1'-biphenyl]-4-yl)-[1,1'-biphenyl]-4,4'-diamine)形成了空穴传输层(HTL)。
在上述空穴传输层上部以40nm的厚度真空蒸镀本发明的化合物426形成空穴传输辅助层，并在上述空穴传输辅助层上部，作为发光层(EML)以35nm的厚度蒸镀4,4'-N,N'-二咔唑-联苯(4,4'-N,N'-dicabazole-biphenyl，CBP)的同时，作为掺杂剂(dopant)掺杂约5％左右的三(2-苯基吡啶)合铱(III)(tris(2-phenyl pyridine)-iridium，Ir(ppy)3)。
以1：1混合蒽衍生物和LiQ并将其以30nm的厚度蒸镀在发光层(EML)上作为电子传输层(ETL)，并在电子传输层(ETL)上部以1nm的厚度蒸镀LiQ作为电子注入层(EIL)。随后，以16nm的厚度蒸镀以1：4混合镁和银(Ag)的混合物作为阴极，在上述阴极上以60nm的厚度蒸镀N4,N4'-双[4-[双(3-甲基苯基)氨基]苯基]-N4,N4'-二苯基-[1,1'-联苯]-4,4'-二胺(DNTPD)作为覆盖层(capping layer)。在其上部利用紫外线固化型粘结剂来贴合含吸湿剂的密封盖(sealcap)，以保护有机电致发光元件免受大气中的O2或水分的影响，由此制造了有机电致发光元件。
[实施例32至40]
如下述表2所示，除了使用空穴传输辅助层化合物以外，以与实施例31的方法相同的方法制造了实施例32至40的有机电致发光元件及比较例4至6的有机电致发光元件。
[实验例2]
针对以如上所述的方式根据实施例31至40及比较例4至6制造的有机电致发光元件，测量以10mA/cm2的电流驱动时的电光特性及以20mA/cm2的恒流驱动时的减少95％时的寿命，并显示在表2中。
[表2]
根据上述表2的实验结果，与比较例相比，在将本发明的化合物用作有机电致发光元件的空穴传输辅助层材料的情况下，驱动电压处于等同或更低水平，但表现出优异的元件效率特性及长寿命特性。
[实施例41：有机电致发光元件制造(HTL)]
通过使用ITO在形成有反射层的基板上形成阳极，使用N2等离子体或紫外线臭氧进行了表面处理。在其上以10nm的厚度蒸镀HAT-CN来作为空穴注入层(HIL)。接着，以110nm的厚度蒸镀化合物426形成了空穴传输层(HTL)。
在上述空穴传输层上部以35nm的厚度蒸镀4,4'-N,N'-二咔唑-联苯(4,4'-N,N'-dicabazole-biphenyl，CBP)作为发光层(EML)的同时，作为掺杂剂(dopant)掺杂约5％左右的三(2-苯基吡啶)合铱(III)(tris(2-phenylpyridine)-iridium，Ir(ppy)3)。
以1：1混合蒽衍生物和LiQ并将其以30nm的厚度蒸镀在发光层(EML)上作为电子传输层(ETL)，并在电子传输层(ETL)上部以1nm的厚度蒸镀LiQ作为电子注入层(EIL)。随后，以16nm的厚度蒸镀以1：4混合镁和银(Ag)的混合物作为阴极，在上述阴极上以60nm的厚度蒸镀N4,N4'-双[4-[双(3-甲基苯基)氨基]苯基]-N4,N4'-二苯基-[1,1'-联苯]-4,4'-二胺(DNTPD)作为覆盖层(cappinglayer)。在其上部利用紫外线固化型粘结剂来贴合含吸湿剂的密封盖(sealcap)，以保护有机电致发光元件免受大气中的O2或水分的影响，由此制造了有机电致发光元件。
[实施例42至实施例50]
如下述表3所示，除了使用空穴传输层化合物以外，以与实施例31的方法相同的方法制造了实施例42至50的有机电致发光元件及比较例7及8的有机电致发光元件。
[实验例3：元件性能分析]
针对以如上所述的方式根据实施例41至50及比较例7及8制造的有机电致发光元件，测量以10mA/cm2的电流驱动时的电光特性及以20mA/cm2的恒流驱动时的减少95％的寿命，并显示在表3中。
[表3]
根据上述表1的实验结果，与比较例相比，在将本发明的化合物用作有机电致发光元件的空穴传输层的情况下，驱动电压处于等同或更低水平，但表现出优异的元件效率特性及长寿命特性。
以上，详细说明了本发明的优选实施例，但本发明的发明要求保护范围不限于此，领域技术人员使用如上述发明要求保护范围中定义的本发明的基本概念进行的各种修改及改进也包括在本发明的权利范围内。

Claims (3)

1.一种有机电致发光元件，其中，
包括：
第一电极，
第二电极，与所述第一电极相对，以及
一个以上的有机物层，介于所述第一电极与所述第二电极之间，
所述有机物层中的至少一个包括空穴传输层或空穴传输辅助层，且包括以下述化学式1表示的化合物，其中，
[化学式1]
[化学式2]
其中，
Ad为以所述化学式2表示的基团，
L1至L3彼此相同或不同，各自独立地选自由单键、取代或未取代的碳原子数为6至30的亚芳基及取代或未取代的碳原子数为3至30的亚杂芳基组成的组，
Ar1为下述化学式3表示的取代基，
其中，*是指键合的部分，
在所述化学式2中，R4和R7均为甲基，R2、R3、R5、R6和R8至R16均为氢，R1为Ad与Ar1的键合部位，
Ar2及Ar3彼此相同或不同，各自独立地选自由以下述化学式5至9表示的取代基组成的组，
[化学式5]
[化学式6]
[化学式7]
[化学式8]
[化学式9]
其中，
*是指键合的部分，
p、q、s、r、t、u、v及w分别为0或1，
X2选自由C(R31)(R32)、N(R33)、O、S及Si组成的组，
X3为C(R34)或N，
R23至R34彼此相同或不同，各自独立地选自由氘、氰基、硝基、卤素基、羟基、取代或未取代的碳原子数为1至4的烷硫基、取代或未取代的碳原子数为1至30的烷基、取代或未取代的碳原子数为3至20的环烷基、取代或未取代的碳原子数为2至30的烯基、取代或未取代的碳原子数为2至24的炔基、取代或未取代的碳原子数为7至30的芳烷基、取代或未取代的碳原子数为6至30的芳基、取代或未取代的核原子数为5至60的杂芳基、取代或未取代的碳原子数为6至30的杂芳烷基、取代或未取代的碳原子数为1至30的烷氧基、取代或未取代的碳原子数为1至30的烷基甲硅烷基、取代或未取代的碳原子数为6至30的芳基甲硅烷基及取代或未取代的碳原子数为6至30的芳氧基组成的组，且能够与相邻的基团彼此键合以形成取代或未取代的环，
上述取代选自由氰基、硝基、卤素基、羟基、碳原子数为1至30的烷基、碳原子数为2至30的烯基、碳原子数为2至24的炔基、碳原子数为2至30的杂烷基、碳原子数为6至30的芳烷基、碳原子数为6至30的芳基、碳原子数为2至30的杂芳基、碳原子数为3至30的杂芳烷基、碳原子数为1至30的烷氧基、碳原子数为1至30的烷基氨基、碳原子数为6至30的芳氨基、碳原子数为6至30的芳烷基氨基、碳原子数为2至24的杂芳氨基、未取代的碳原子数为1至30的烷基甲硅烷基、未取代的碳原子数为6至30的芳基甲硅烷基及未取代的碳原子数为6至30的芳氧基组成的组中的一个以上的取代基取代。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光元件，其中，
当包含所述化学式1表示的化合物的有机物层为空穴传输层时，所述有机物层还包括选自由空穴注入层、空穴传输辅助层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层及覆盖层组成的组中的一个以上。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光元件，其中，
当包含所述化学式1表示的化合物的有机物层为空穴传输辅助层时，所述有机层还包括选自由空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层及覆盖层组成的组中的一个以上。
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