CN114141799A - 背照式图像传感器及其形成方法 - Google Patents
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Abstract
一种背照式图像传感器及其形成方法，其中形成方法包括：提供第一衬底，第一衬底包括像素区，像素区内具有第一离子，第一衬底具有相对的第一面和第二面；在像素区内形成若干深沟槽；在深沟槽侧壁形成本征外延层；在本征外延层的表面形成掺杂外延层，掺杂外延层内具有第二离子；在第一面形成填充层，填充层封闭深沟槽的开口；在形成填充层之后，在第一面上形成器件层，器件层内具有若干器件结构。通过先在深沟槽内形成本征外延层和掺杂外延层，利用本征外延层对深沟槽的侧壁损伤进行修复；再在第一面形成器件层。因此能够有效避免在形成本征外延层和掺杂外延层时的高温将器件结构熔化的问题，进而有效提升最终形成的背照式图像传感器的性能。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种背照式图像传感器及其形成方法。
背景技术
背照式图像传感器是一种将光信号转化为电信号的半导体器件。背照式图像传感器分为互补金属氧化物(CMOS)背照式图像传感器和电荷耦合器件(CCD)背照式图像传感器。CMOS背照式图像传感器具有工艺简单、易于其它器件集成、体积小、重量轻、功耗小和成本低等优点。因此，随着图像传感技术的发展，CMOS背照式图像传感器越来越多地取代CCD背照式图像传感器应用于各类电子产品中。目前，CMOS背照式图像传感器已经广泛应用于静态数码相机、数码摄像机、医疗用摄像装置和车用摄像装置等。
CMOS背照式图像传感器的深沟槽隔离(BDTI)材料通常采用氧化物或其他介质材料，利用入射光在一定角度产生全反射，从而达到防止光串扰的效果。随着技术的不断发展，由于大部分金属的消光系数(K值)都比介质材料高很多，例如波长600nm时，金属钨的K值是6.04，而氧化硅的K值接近于0，所以采用金属作为BDTI深沟槽填充材料，比如金属钨，在任何角度都是不透光的，大大减少了光学串扰的几率。
然而，现有的背照式图像传感器在形成过程中仍存在诸多问题。
发明内容
本发明解决的技术问题是提供一种背照式图像传感器及其形成方法，提升器件性能。
为解决上述问题，本发明提供一种背照式图像传感器的形成方法，包括：提供第一衬底，所述第一衬底包括像素区，所述像素区内具有第一离子，所述第一衬底具有相对的第一面和第二面；在所述像素区内形成若干深沟槽，所述深沟槽自所述第一面向所述第二面延伸；在所述深沟槽侧壁形成本征外延层；在所述本征外延层的表面形成掺杂外延层，所述掺杂外延层内具有第二离子，所述第二离子与所述第一离子的电学类型不同；在所述第一面形成填充层，所述填充层封闭所述深沟槽的开口；在形成所述填充层之后，在所述第一面上形成器件层，所述器件层内具有若干器件结构。
可选的，所述第一衬底还包括标记区；在形成所述深沟槽的过程中，还包括：在所述标记区内形成标记开口，所述标记开口自所述第一面向所述第二面延伸；所述标记开口具有第一深度尺寸，所述深沟槽具有第二深度尺寸，所述第二深度尺寸大于所述第一深度尺寸。
可选的，所述第一深度尺寸的范围为：0.5微米～0.8微米；所述第二深度尺寸的范围为：3微米～4微米。
可选的，所述标记开口和所述深沟槽的形成方法包括：在所述第一面上形成第一图形化层，所述第一图形化层暴露出部分所述第一面；以所述第一图形化层为掩膜刻蚀所述第一衬底，在所述标记区内形成所述标记开口，在所述像素区内形成若干初始深沟槽；去除所述第一图形化层；在所述第一面上形成牺牲层，所述牺牲层覆盖所述标记开口；在形成所述牺牲层之后，刻蚀所述初始深沟槽以形成所述深沟槽；在形成所述深沟槽之后，去除所述牺牲层。
可选的，在形成所述掺杂外延层之后，还包括：在所述标记开口内形成标记结构。
可选的，所述标记结构的材料与所述第一衬底的材料不同；所述标记结构的材料包括：氧化硅。
可选的，所述填充层的形成方法包括：在所述深沟槽内形成阻挡结构，所述阻挡结构覆盖所述掺杂外延层的底部表面和部分侧壁，且所述阻挡结构的顶部表面低于所述掺杂外延层的顶部表面；采样外延生长工艺在暴露出的所述掺杂外延层侧壁和所述第一面上形成初始填充层；对所述初始填充层进行平坦化处理，形成所述填充层。
可选的，在形成所述器件层之后，还包括：提供第二衬底；在所述第二衬底表面形成键合层；将所述键合层与所述器件层相对以键合所述第一衬底和所述第二衬底。
可选的，所述器件结构包括：晶体管结构、电容结构、电阻结构、电感结构和电互连结构中的一者或多者。
可选的，在键合所述第一衬底和所述第二衬底之后，还包括：对所述第二面进行减薄处理，且自所述第二面向所述第一面暴露出所述深沟槽。
可选的，所述本征外延层的厚度为：80纳米～120纳米。
可选的，所述掺杂外延层的厚度为：40纳米～80纳米。
相应的，本发明的技术方案中还提供了一种背照式图像传感器，包括：第一衬底，所述第一衬底包括像素区，所述像素区内具有第一离子，所述第一衬底具有相对的第一面和第二面；位于所述像素区内的若干深沟槽，所述深沟槽自所述第一面向所述第二面贯穿所述第一衬底；位于所述深沟槽侧壁的本征外延层；位于所述本征外延层的表面的掺杂外延层，所述掺杂外延层内具有第二离子，所述第二离子与所述第一离子的电学类型不同；位于所述第一面的填充层，所述填充层封闭所述深沟槽的开口；位于所述第一面上的器件层，所述器件层内具有若干器件结构。
可选的，所述第一衬底还包括标记区；所述背照式图像传感器还包括：位于所述标记区内的标记开口，所述标记开口自所述第一面向所述第二面延伸；位于所述标记开口内的标记结构。
可选的，所述标记结构的材料与所述第一衬底的材料不同；所述标记结构的材料包括：氧化硅。
可选的，还包括：第二衬底；位于所述第二衬底表面的键合层，所述键合层与所述器件层相对以键合所述第一衬底和所述第二衬底。
可选的，所述器件结构包括：晶体管结构、电容结构、电阻结构、电感结构和电互连结构中的一者或多者。
可选的，所述本征外延层的厚度为：80纳米～120纳米。
可选的，所述掺杂外延层的厚度为：40纳米～80纳米。
与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：
在本发明技术方案的背照式图像传感器的形成方法中，通过先在深沟槽内形成本征外延层和掺杂外延层，利用所述本征外延层对所述深沟槽的侧壁损伤进行修复；再在所述第一面形成器件层。因此能够有效避免在形成所述本征外延层和所述掺杂外延层时的高温将所述器件结构熔化的问题，进而有效提升最终形成的背照式图像传感器的性能。
进一步，所述第一衬底还包括标记区；在形成所述深沟槽的过程中，还包括：在所述标记区内形成标记开口，所述标记开口自所述第一面向所述第二面延伸；在形成所述掺杂外延层之后，还包括：在所述标记开口内形成标记结构。由于所述标记开口是在形成所述深沟槽的过程中同时形成，因此能够避免再次单独采用一次光罩刻蚀形成所述标记开口，进而能够有效减少制程步骤，且降低制作成本。
附图说明
图1是一种背照式图像传感器的形成方法各步骤结构示意图；
图2至图13是本发明实施例中背照式图像传感器的形成方法各步骤结构示意图。
具体实施方式
正如背景技术所述，现有的背照式图像传感器在形成过程中仍存在诸多问题。以下将结合附图进行具体说明。
图1是一种背照式图像传感器的形成方法各步骤结构示意图。
请参考图1，提供第一衬底100，所述第一衬底100内具有第一离子，所述第一衬底100具有相对的第一面101和第二面102；在所述第一衬底100内形成第一隔离结构103，所述第一隔离结构103自所述第一面101向所述第二面102延伸；在所述第一面101上形成器件层104，所述器件层104内具有若干器件结构(未图示)；对所述第二面102进行减薄处理；在所述减薄处理之后，在所述第一衬底100内形成若干深沟槽(未标示)，所述深沟槽自所述第二面102向所述第一面101延伸；在所述深沟槽侧壁形成本征外延层105；在所述本征外延层105的表面形成掺杂外延层106，所述掺杂外延层106内具有第二离子，所述第二离子与所述第一离子的电学类型不同，以形成光电二极管。
在本实施例中，通过先在所述第一面101形成器件层104，再在所述深沟槽内形成本征外延层105和掺杂外延层106，所述本征外延层104用于修复刻蚀所述深沟槽时所产生的侧壁损伤。然而，在形成所述本征外延层105和所述掺杂外延层106的过程中均具有高温处理，所述高温处理容易将已形成的器件结构中的金属熔化，进而影响最终形成的背照式图像传感器的性能。
在此基础上，本发明提供一种背照式图像传感器的形成方法，通过先在深沟槽内形成本征外延层和掺杂外延层，利用所述本征外延层对所述深沟槽的侧壁损伤进行修复；再在所述第一面形成器件层。因此能够有效避免在形成所述本征外延层和所述掺杂外延层时的高温将所述器件结构中的金属熔化的问题，进而有效提升最终形成的背照式图像传感器的性能。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细地说明。
图2至图13是本发明实施例中背照式图像传感器的形成方法各步骤结构示意图。
请参考图2，提供第一衬底200，所述第一衬底200包括像素区I，所述像素区I内具有第一离子，所述第一衬底200具有相对的第一面201和第二面202。
在本实施例中，所述第一衬底200的材料为硅；在其他实施例中，所述第一衬底的材料还可以为锗、锗化硅、碳化硅、砷化镓或镓化铟。
在本实施例中，所述第一离子为N型离子。
所述N型离子包括：磷离子或砷离子。在本实施例中，所述N型离子采用磷离子。
在本实施例中，所述第一衬底200还包括标记区II。所述像素区I用于形成像素单元，所述标记区II用于形成标记结构，通过所述标记结构用于在形成所述像素单元的过程中起到对准的作用。
在本实施例中，在提供所述第一衬底200之后，还包括：在所述像素区I内形成若干深沟槽，所述深沟槽自所述第一面201向所述第二面202延伸；在形成所述深沟槽的过程中，还包括：在所述标记区II内形成标记开口，所述标记开口自所述第一面201向所述第二面202延伸。所述深沟槽和所述标记开口的具体形成过程请参考图3至图5。
请参考图3，在所述第一面201形成掩膜结构203。
在本实施例中，所述掩膜结构203包括：第一掩膜层、位于所述第一掩膜层上的第二掩膜层、以及位于所述第二掩膜层上的第三掩膜层(未标示)。
在本实施例中，所述第一掩膜层和所述第三掩膜层的材料均采用氧化硅，所述第二掩膜层的材料采用氮化硅。
请参考图4，在所述第一面201上形成第一图形化层(未图示)，所述第一图形化层暴露出部分所述第一面201；以所述第一图形化层为掩膜刻蚀所述第一衬底200，在所述标记区II内形成所述标记开口204，在所述像素区I内形成若干初始深沟槽205；去除所述第一图形化层。
在本实施例中，所述第一图形化层采用光刻胶。
在本实施例中，去除所述第一图形化层的工艺采用灰化工艺。
请参考图5，在所述第一面201上形成牺牲层(未图示)，所述牺牲层覆盖所述标记开口204；在形成所述牺牲层之后，刻蚀所述初始深沟槽205以形成所述深沟槽206；在形成所述深沟槽206之后，去除所述牺牲层。
在本实施例中，由于所述标记开口204是在形成所述深沟槽206的过程中同时形成，因此能够避免再次单独采用一次光罩刻蚀形成所述标记开口204，进而能够有效减少制程步骤，且降低制作成本。
在本实施例中，所述标记开口204具有第一深度尺寸d1，所述深沟槽206具有第二深度尺寸d2，所述第二深度尺寸d2大于所述第一深度尺寸d1。
在本实施例中，所述第一深度尺寸d1的范围为：0.5微米～0.8微米；所述第二深度尺寸d2的范围为：3微米～4微米。
在本实施例中，在形成所述深沟槽之后，还包括：去除所述第三掩膜层。
请参考图6，在所述深沟槽206侧壁形成本征外延层207。
在本实施例中，所述本征外延层207的形成工艺采用外延生长工艺。所述本征外延层207用于修复在刻蚀形成所述深沟槽206的过程中，对所述深沟槽206侧壁造成的刻蚀损伤。
在本实施例中，所述本征外延层207的厚度为：80纳米～120纳米。
请参考图7，在所述本征外延层207的表面形成掺杂外延层208，所述掺杂外延层208内具有第二离子，所述第二离子与所述第一离子的电学类型不同。
在本实施例中，所述掺杂外延层208的形成工艺采用外延生长工艺。
在本实施例中，所述第二离子采用P型离子。
所述P型离子包括：硼离子或铟离子。在本实施例中，所述P型离子采用硼离子。
由于所述第一离子和所述第二离子的电学类型不同，所述第一离子和所述第二离子都会进行一定的扩散，因此在所述本征外延层207内会形成光电二极管结构。后续，通过光线由所述第二面202照射到第一衬底200上，使第一衬底200激发出电子，所述光电二极管结构用于将激发出的电子形成电信号。
在本实施例中，所述掺杂外延层208的厚度为：40纳米～80纳米。
在本实施例中，由于采用的是全局工艺，在形成所述本征外延层207和所述掺杂外延层208的过程中，在所述标记开口204的侧壁和底部表面也形成所述本征外延层207和所述掺杂外延层208。
在形成所述掺杂外延层208之后，还包括：在所述第一面201形成填充层，所述填充层封闭所述深沟槽207的开口。所述填充层的具体形成过程请参考图8至图9。
请参考图8，在所述深沟槽206内形成阻挡结构209，所述阻挡结构209覆盖所述掺杂外延层208的底部表面和部分侧壁，且所述阻挡结构209的顶部表面低于所述掺杂外延层208的顶部表面。
在本实施例中，所述阻挡结构209包括：第一阻挡层以及位于所述第一阻挡层上的第二阻挡层(未标示)。
在本实施例中，所述第一阻挡层的材料采用氧化硅；所述第二阻挡层的材料采用氮化硅。
在本实施例中，由于所述填充层仅需要部分填充所述深沟槽206即可，不需要将所述深沟槽206全部填满，因此形成的所述阻挡结构209需要覆盖所述掺杂外延层208的底部表面和部分侧壁，且所述阻挡结构209的顶部表面低于所述掺杂外延层208的顶部表面。
请参考图9，采样外延生长工艺在暴露出的所述掺杂外延层209侧壁和所述第一面201上形成初始填充层(未图示)；对所述初始填充层进行平坦化处理，形成所述填充层210。
由于外延生长工艺尽可以在半导体材料的表面进行生长，因此所述阻挡结构209覆盖的所述掺杂外延层208是不生长所述填充层的，因此可实现填充层部分填充所述深沟槽206。
在本实施例中，由于采用的是全局工艺，在形成所述填充层210的过程中，在所述标记开口204的侧壁和底部表面也形成所述填充层210。
请参考图10，在形成所述填充层210之后，在所述标记开口204内形成标记结构211。
在本实施例中，所述标记结构211的形成方法包括：在所述标记开口204内以及所述第一面201上形成标记材料层(未图示)；对所述标记材料层进行平坦化处理，直至暴露出所述第二掩膜层的顶部表面为止，形成所述标记结构211。
在本实施例中，所述标记结构211的材料与所述第一衬底200的材料不同；所述标记结构211的材料采用氧化硅。
请继续参考图10，在本实施例中，在形成所述标记结构211之后，去除所述第一掩膜层和所述第二掩膜层；对所述标记结构211和所述填充层210进行平坦化处理，直至暴露出所述第一面201为止。
在本实施例中，所述平坦化处理的工艺采用化学机械研磨工艺。
请参考图11，在平坦化处理之后，在所述第一面201上形成器件层212，所述器件层212内具有若干器件结构(未图示)。
在本实施例中，通过先在深沟槽206内形成本征外延层207和掺杂外延层208，利用所述本征外延层207对所述深沟槽206的侧壁损伤进行修复；再在所述第一面201形成器件层212。因此能够有效避免在形成所述本征外延层207和所述掺杂外延层208时的高温将所述器件结构熔化的问题，进而有效提升最终形成的背照式图像传感器的性能。
在本实施例中，所述器件结构包括：晶体管结构、电容结构、电阻结构、电感结构和电互连结构中的一者或多者。
请参考图12，在形成所述器件层212之后，提供第二衬底300；在所述第二衬底300表面形成键合层301；将所述键合层301与所述器件层212相对以键合所述第一衬底200和所述第二衬底300。
在本实施例中，所述第二衬底300的材料为硅。在其他实施例中，所述第二衬底的材料还可以为锗、锗化硅、碳化硅、砷化镓或镓化铟。
在本实施例中，所述键合层301为硅层；在其他实施例中，所述键合层还可以为氧化物层，所述氧化物层的材料包括：二氧化硅、氮氧化硅或氮氧化硅。
在本实施例中，所述键合层301为额外形成在所述第二衬底300上的膜层；在其他实施例中，所述键合层还可以是所述第二衬底的硅衬底的一部分。
请参考图13，在键合所述第一衬底200和所述第二衬底300之后，对所述第二面202进行减薄处理，且自所述第二面202向所述第一面201暴露出所述深沟槽206。
在本实施例中，由于所述第一衬底200的初始厚度较大，为了提高背照式图像传感器的灵敏度，需要对所述第一衬底200进行减薄处理。
对所述第二面202进行减薄处理的工艺包括物理机械研磨工艺、化学机械研磨工艺或是湿法刻蚀工艺。在本实施例中，对所述第二面202进行减薄处理的工艺采用化学机械研磨工艺。
在本实施例中，在减薄处理之后，还包括：去除所述阻挡结构209。
相应的，本发明的实施例中还提供了一种背照式图像传感器，请继续参考图13，包括：第一衬底200，所述第一衬底200包括像素区I，所述像素区I内具有第一离子，所述第一衬底200具有相对的第一面201和第二面202；位于所述像素区I内的若干深沟槽206，所述深沟槽206自所述第一面201向所述第二面202贯穿所述第一衬底200；位于所述深沟槽206侧壁的本征外延层207；位于所述本征外延层207的表面的掺杂外延层208，所述掺杂外延层内具有第二离子，所述第二离子与所述第一离子的电学类型不同；位于所述第一面201的填充层210，所述填充层210封闭所述深沟槽206的开口；位于所述第一面201上的器件层212，所述器件层212内具有若干器件结构。
在本实施例中，所述第一衬底200还包括标记区II；所述背照式图像传感器还包括：位于所述标记区II内的标记开口204，所述标记开口204自所述第一面201向所述第二面202延伸；位于所述标记开口204内的标记结构211。
在本实施例中，所述标记结构211的材料与所述第一衬底200的材料不同；所述标记结构211的材料包括：氧化硅。
在本实施例中，还包括：第二衬底300；位于所述第二衬底300表面的键合层301，所述键合层301与所述器件层212相对以键合所述第一衬底200和所述第二衬底300。
在本实施例中，所述器件结构包括：晶体管结构、电容结构、电阻结构、电感结构和电互连结构中的一者或多者。
在本实施例中，所述本征外延层207的厚度为：80纳米～120纳米。
在本实施例中，所述掺杂外延层208的厚度为：40纳米～80纳米。
虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
Claims (19)
1.一种背照式图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：
提供第一衬底，所述第一衬底包括像素区，所述像素区内具有第一离子，所述第一衬底具有相对的第一面和第二面；
在所述像素区内形成若干深沟槽，所述深沟槽自所述第一面向所述第二面延伸；
在所述深沟槽侧壁形成本征外延层；
在所述本征外延层的表面形成掺杂外延层，所述掺杂外延层内具有第二离子，所述第二离子与所述第一离子的电学类型不同；
在所述第一面形成填充层，所述填充层封闭所述深沟槽的开口；
在形成所述填充层之后，在所述第一面上形成器件层，所述器件层内具有若干器件结构。
2.如权利要求1所述的背照式图像传感器的形成方法，其特征在于，所述第一衬底还包括标记区；在形成所述深沟槽的过程中，还包括：在所述标记区内形成标记开口，所述标记开口自所述第一面向所述第二面延伸；所述标记开口具有第一深度尺寸，所述深沟槽具有第二深度尺寸，所述第二深度尺寸大于所述第一深度尺寸。
3.如权利要求2所述的背照式图像传感器的形成方法，其特征在于，所述第一深度尺寸的范围为：0.5微米～0.8微米；所述第二深度尺寸的范围为：3微米～4微米。
4.如权利要求2所述的背照式图像传感器的形成方法，其特征在于，所述标记开口和所述深沟槽的形成方法包括：在所述第一面上形成第一图形化层，所述第一图形化层暴露出部分所述第一面；以所述第一图形化层为掩膜刻蚀所述第一衬底，在所述标记区内形成所述标记开口，在所述像素区内形成若干初始深沟槽；去除所述第一图形化层；在所述第一面上形成牺牲层，所述牺牲层覆盖所述标记开口；在形成所述牺牲层之后，刻蚀所述初始深沟槽以形成所述深沟槽；在形成所述深沟槽之后，去除所述牺牲层。
5.如权利要求2所述的背照式图像传感器的形成方法，其特征在于，在形成所述掺杂外延层之后，还包括：在所述标记开口内形成标记结构。
6.如权利要求2所述的背照式图像传感器的形成方法，其特征在于，所述标记结构的材料与所述第一衬底的材料不同；所述标记结构的材料包括：氧化硅。
7.如权利要求1所述的背照式图像传感器的形成方法，其特征在于，所述填充层的形成方法包括：在所述深沟槽内形成阻挡结构，所述阻挡结构覆盖所述掺杂外延层的底部表面和部分侧壁，且所述阻挡结构的顶部表面低于所述掺杂外延层的顶部表面；采样外延生长工艺在暴露出的所述掺杂外延层侧壁和所述第一面上形成初始填充层；对所述初始填充层进行平坦化处理，形成所述填充层。
8.如权利要求1所述的背照式图像传感器的形成方法，其特征在于，在形成所述器件层之后，还包括：提供第二衬底；在所述第二衬底表面形成键合层；将所述键合层与所述器件层相对以键合所述第一衬底和所述第二衬底。
9.如权利要求1所述的背照式图像传感器的形成方法，其特征在于，所述器件结构包括：晶体管结构、电容结构、电阻结构、电感结构和电互连结构中的一者或多者。
10.如权利要求8所述的背照式图像传感器的形成方法，其特征在于，在键合所述第一衬底和所述第二衬底之后，还包括：对所述第二面进行减薄处理，且自所述第二面向所述第一面暴露出所述深沟槽。
11.如权利要求1所述的背照式图像传感器的形成方法，其特征在于，所述本征外延层的厚度为：80纳米～120纳米。
12.如权利要求1所述的背照式图像传感器的形成方法，其特征在于，所述掺杂外延层的厚度为：40纳米～80纳米。
13.一种背照式图像传感器，其特征在于，包括：
第一衬底，所述第一衬底包括像素区，所述像素区内具有第一离子，所述第一衬底具有相对的第一面和第二面；
位于所述像素区内的若干深沟槽，所述深沟槽自所述第一面向所述第二面贯穿所述第一衬底；
位于所述深沟槽侧壁的本征外延层；
位于所述本征外延层的表面的掺杂外延层，所述掺杂外延层内具有第二离子，所述第二离子与所述第一离子的电学类型不同；
位于所述第一面的填充层，所述填充层封闭所述深沟槽的开口；
位于所述第一面上的器件层，所述器件层内具有若干器件结构。
14.如权利要求13所述的背照式图像传感器，其特征在于，所述第一衬底还包括标记区；所述背照式图像传感器还包括：位于所述标记区内的标记开口，所述标记开口自所述第一面向所述第二面延伸；位于所述标记开口内的标记结构。
15.如权利要求14所述的背照式图像传感器，其特征在于，所述标记结构的材料与所述第一衬底的材料不同；所述标记结构的材料包括：氧化硅。
16.如权利要求13所述的背照式图像传感器，其特征在于，还包括：第二衬底；位于所述第二衬底表面的键合层，所述键合层与所述器件层相对以键合所述第一衬底和所述第二衬底。
17.如权利要求13所述的背照式图像传感器，其特征在于，所述器件结构包括：晶体管结构、电容结构、电阻结构、电感结构和电互连结构中的一者或多者。
18.如权利要求13所述的背照式图像传感器，其特征在于，所述本征外延层的厚度为：80纳米～120纳米。
19.如权利要求13所述的背照式图像传感器，其特征在于，所述掺杂外延层的厚度为：40纳米～80纳米。
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| CN202111535668.2A CN114141799A (zh) | 2021-12-15 | 2021-12-15 | 背照式图像传感器及其形成方法 |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116110923A (zh) * | 2023-03-31 | 2023-05-12 | 合肥新晶集成电路有限公司 | 半导体结构的制备方法及半导体结构 |
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