CN114122227A - 一种倒装柔性GaN基LED及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及半导体光电器件制备技术领域，特别涉及一种倒装柔性GaN基LED及其制备方法，GaN基LED器件下方贴合有键合层，键合层的下方贴合柔性金属衬底。键合层为金、铟、银或锡的任意一种构成的金属层；柔性金属衬底为铜、钼铜或钨钼铜的任意一种金属，柔性金属衬底的制备方法包括电镀或合金化处理。本发明的有益效果为：制备方法简单易行，方便可靠，另外本过程不会对器件产生影响，不会破坏材料结构特性，并且针对在硅衬底上生长得到的GaN基LED芯片，在制备过程中不经过传统工艺的高温过程，具有很好的工艺兼容性。不需要蒸镀厚的金层，降低了生产成本。应用范围广，可适用于所有的GaN基LED器件，尤其适用于提高紫外LED的出光效率。
Description
技术领域
本发明涉及半导体光电器件制备技术领域，特别涉及一种倒装柔性GaN基LED及其制备方法。
背景技术
利用发光二极管（LED）作为光源的灯具，一般是用半导体LED制成。LED灯的寿命和发光效率可达白炽灯的几倍，和一体式荧光灯相比也高出不少。单颗发光二极管的光度比传统白炽灯和节能灯低很多，所以一个灯泡通常会包含多颗发光二极管。近年，二极管技术提高，高功率、高光度的发光二极管陆续上市，使得这类灯泡渐有取代其他传统光源之势。
目前LED作为照明工具的主流方法是通过蓝光或者紫光激发黄色荧光粉，混色形成白色照明灯。而蓝光和紫光LED的制备是基于GaN基材料的生长和相应的工艺制备。GaN基材料的生长主要是在蓝宝石上进行的，因此目前的蓝光和紫光LED的制备大多采用水平结构芯片，再结合倒装的方式，实现高功率的底部出光形式。水平结构芯片存在电流拥挤现象，不利于芯片功率的提升，有损芯片寿命，因此寻求GaN基垂直结构芯片的制备势在必行。
由于相关公司和技术的推进，已经实现了垂直结构的GaN基LED芯片的制备，多采用将芯片键合至硅片上，然后通过激光剥离的方式进行蓝宝石衬底去除，实现衬底转移。这种方式可以适用于GaN基蓝光LED芯片，但是对于紫光甚至紫外芯片而言，强烈的热效应使得这种方式不能满足应用。因此，寻求新的键合方式、新的制备工艺以及新的键合衬底，成为当务之急。
为此，本申请设计了一种倒装柔性GaN基LED及其制备方法，以解决上述问题。
发明内容
本发明为了弥补现有技术的不足，提出了一种倒装柔性GaN基LED及其制备方法，解决目前转移至硅衬底上存在的导热困难的问题，适用于大功率的蓝绿光LED、紫外LED等。
本发明是通过如下技术方案实现的：
一种倒装柔性GaN基LED，包括LED器件，所述LED器件下方贴合有键合层，键合层的下方贴合柔性金属衬底。所述LED器件为GaN基LED器件；所述键合层为金、铟、银或锡的任意一种构成的金属层；所述柔性金属衬底为铜、钼铜或钨钼铜的任意一种的金属，柔性金属衬底的制备方法包括电镀或合金化处理。
基于上述的倒装柔性GaN基LED结构，一种对于在硅衬底上生长得到的GaN基LED芯片的实现倒装柔性GaN基LED的制备方法步骤如下：
S1，对于在硅衬底上生长得到的GaN基LED芯片，将生长完成后的晶圆清洁干净；
S2，利用电子束蒸发沉积第一欧姆接触金属层；
S3，在氧气氛围中进行退火处理，退火时间为5min，退火温度为550℃，得到良好的欧姆接触；
S4，在第一欧姆接触金属层表面沉积键合层；
S5，通过采用0.5A的电流、电镀时间为4个小时的电镀处理，在键合层上电镀出铜层；
S6，去除硅衬底；
S7，利用常规LED制备工艺，如刻蚀间道、沉积第二欧姆接触层来制备垂直结构的LED芯片。
进一步地，为了更好的实现本发明，所述S2中的第一欧姆接触金属层中的金属选择由接触材料决定，所述由接触材料决定是指，不同材料的功函数不同，为了形成欧姆接触，要提供与接触材料具有相近或者相同功函数的金属作为欧姆接触金属；所述S3在退火处理中，根据P型、N型欧姆接触制备所需的条件选择退火气氛和退火温度；所述S4中键合层的材质包括金、银、铟或铝，所述键合层的制备方式包含电子束蒸发或溅射；所述S5中的电镀处理的时间和电流根据期间的大小和所需衬底的厚度而定；所述S6中去除硅衬底的方式为化学湿法腐蚀，腐蚀液为HF:HNO3:CH3COOH:H2O=1:3:2.5:2.3的混合液，腐蚀时间为半个小时；所述S7中的刻蚀间道的方式为ICP，刻蚀气体为BCl3、Cl2和Ar；第二欧姆接触金属层中的金属选择由接触材料决定，接触层金属包括Ti或Al或Ni或Au。
基于前述的倒装柔性GaN基LED结构，一种对于在蓝宝石衬底上生长得到的GaN基LED芯片的实现倒装柔性GaN基LED的制备方法步骤如下：
S1，对于在蓝宝石衬底上生长得到的GaN基LED芯片，将生长完成后的晶圆清洁干净；
S2，利用电子束蒸发沉积第一欧姆接触金属层；
S3，在氧气氛围中进行退火处理，退火时间为5min，退火温度为550℃，得到良好的欧姆接触；
S4，在第一欧姆接触金属层表面利用电子束蒸镀来沉积键合层；
S5，利用键合机将晶圆键合至钼铜合金金属衬底；
S6，去除蓝宝石衬底；
S7，利用常规LED制备工艺，如刻蚀间道、沉积第二欧姆接触层来制备垂直结构的LED芯片。
进一步地，为了更好的实现本发明，所述S2中的第一欧姆接触金属层中的金属选择由接触材料决定，所述由接触材料决定是指，不同材料的功函数不同，为了形成欧姆接触，要提供与接触材料具有相近或者相同功函数的金属作为欧姆接触金属；所述S3在退火处理中，根据P型、N型欧姆接触制备所需的条件选择退火气氛和退火温度；所述S4中键合层的材质包括金、银、铟或铝，所述键合层的制备方式包含电子束蒸发或溅射；所述S5中的键合温度、键合时间以及施加压力根据晶圆大小而定；所述S6中去除蓝宝石衬底的方式为激光剥离，激光波长为305nm；所述S7中的刻蚀间道的方式为ICP，刻蚀气体为BCl3、Cl2和Ar；第二欧姆接触金属层中的金属选择由接触材料决定，接触层金属包括Ti或Al或Ni或Au。
本发明的有益效果是：
1.本发明涉及到的实现倒装柔性GaN基LED的制备方法简单易行，方便可靠，另外本过程不会对器件产生影响，不会破坏材料结构特性，并且针对在硅衬底上生长得到的GaN基LED芯片，在制备过程中不经过传统工艺的高温过程，具有很好的工艺兼容性。
2.本发明不需要蒸镀厚的金层，降低了生产成本。
3.本发明提供的方法应用范围广，可适用于所有的GaN基LED器件，尤其适用于提高紫外LED的出光效率。
附图说明
图1为本发明的倒装柔性GaN基LED的结构示意图。
图中，
1、GaN基LED器件；2、键合层；3、柔性金属衬底。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
下面结合附图，对本发明的一些实施方式作详细说明。在不冲突的情况下，下述的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
图1为本发明的一种具体实施例，该实施例为一种倒装柔性GaN基LED，由上到下依次为GaN基LED器件1、键合层2和柔性金属衬底3。对于此结构，具体的制备工艺如下：
（1）对采用在硅衬底上生长得到的GaN基LED芯片进行工艺制备，包括以下步骤：
S1，将在硅衬底上生长得到的GaN基LED芯片外延，利用丙酮、酒精和去离子水清洁干净，去除在制备过程中产生的沾染；
S2，利用电子束蒸发沉积4nm镍和8nm金的金属层作为第一欧姆接触层，
S3，在氧气氛围中进行退火，退火时间为5min，退火温度为550℃；
S4，在第一欧姆接触层表面利用电子束蒸镀10nm钛和50nm金，作为键合层；
S5，经过上述过程之后，将该结构放到电镀池中进行电镀处理，本实例中采用了0.5A的电流，电镀时间为4个小时；
S6，利用湿法化学腐蚀去除硅衬底，腐蚀液为HF:HNO3:CH3COOH:H2O=1:3:2.5:2.3的混合液，腐蚀时间为半个小时；
S7，利用光刻工艺和ICP刻蚀工艺刻蚀隔离间道，刻蚀气体为BCl3、Cl2和Ar；利用光刻工艺和电子束蒸发工艺制备第二欧姆接触层，接触层金属为Ti或Al或Ni或Au。
（2）对采用在蓝宝石衬底上生长得到的GaN基LED芯片进行工艺制备，包括以下步骤：
S1，将在蓝宝石衬底上生长得到的GaN基LED芯片外延，利用丙酮、酒精和去离子水清洁干净，去除在制备过程中产生的沾染；
S2，利用电子束蒸发沉积4nm镍和8nm金的金属层作为第一欧姆接触层，
S3，在氧气氛围中进行退火，退火时间为5min，退火温度为550℃；
S4，在第一欧姆接触层表面利用电子束蒸镀20nm锡和80nm金，作为键合层；
S5，在与晶圆面积形状相匹配的钼铜合金衬底上同样利用电子束蒸镀20nm锡和80nm金，作为键合层；
S6，利用激光剥离技术去除蓝宝石衬底，激光波长为305nm；
S7，利用光刻工艺和ICP刻蚀工艺刻蚀隔离间道，刻蚀气体为BCl3、Cl2和Ar；利用光刻工艺和电子束蒸发工艺制备第二欧姆接触层，接触层金属为Ti或Al或Ni或Au。
最后说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，本领域普通技术人员对本发明的技术方案所做的其他修改或者等同替换，只要不脱离本发明技术方案的精神和范围，均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。
Claims (5)
1.一种倒装柔性GaN基LED，包括LED器件，其特征在于：
所述LED器件下方贴合有键合层，键合层的下方贴合柔性金属衬底；
所述LED器件为GaN基LED器件；
所述键合层为金、铟、银或锡任意一种构成的金属层；
所述柔性金属衬底为铜、钼铜或钨钼铜任意一种的金属，柔性金属衬底的制备方法包括电镀或合金化处理。
2.一种基于权利要求1所述的倒装柔性GaN基LED的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1，对于在硅衬底上生长得到的GaN基LED芯片，将生长完成后的晶圆清洁干净；
S2，利用电子束蒸发沉积第一欧姆接触金属层；
S3，在氧气氛围中进行退火处理，退火时间为5min，退火温度为550℃，得到良好的欧姆接触；
S4，在第一欧姆接触金属层表面沉积键合层；
S5，通过采用0.5A的电流、电镀时间为4个小时的电镀处理，在键合层上电镀出铜层；
S6，去除硅衬底；
S7，利用常规LED制备工艺，如刻蚀间道、沉积第二欧姆接触层来制备垂直结构的LED芯片。
3.根据权利要求2述的倒装柔性GaN基LED的制备方法，其特征在于：
所述S2中的第一欧姆接触金属层中的金属选择由接触材料决定，所述由接触材料决定是指，不同材料的功函数不同，为了形成欧姆接触，要提供与接触材料具有相近或者相同功函数的金属作为欧姆接触金属；
所述S3在退火处理中，根据P型、N型欧姆接触制备所需的条件选择退火气氛和退火温度；
所述S4中键合层的材质包括金、银、铟或铝，所述键合层的制备方式包含电子束蒸发或溅射；
所述S5中的电镀处理的时间和电流根据期间的大小和所需衬底的厚度而定；
所述S6中去除硅衬底的方式为化学湿法腐蚀，腐蚀液为HF:HNO3:CH3COOH:H2O=1:3:2.5:2.3的混合液，腐蚀时间为半个小时；
所述S7中的刻蚀间道的方式为ICP，刻蚀气体为BCl3、Cl2和Ar；第二欧姆接触金属层中的金属选择由接触材料决定，接触层金属包括Ti或Al或Ni或Au。
4.一种基于权利要求1述的倒装柔性GaN基LED的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1，对于在蓝宝石衬底上生长得到的GaN基LED芯片，将生长完成后的晶圆清洁干净；
S2，利用电子束蒸发沉积第一欧姆接触金属层；
S3，在氧气氛围中进行退火处理，退火时间为5min，退火温度为550℃，得到良好的欧姆接触；
S4，在第一欧姆接触金属层表面利用电子束蒸镀来沉积键合层；
S5，利用键合机将晶圆键合至钼铜合金金属衬底；
S6，去除蓝宝石衬底；
S7，利用常规LED制备工艺，如刻蚀间道、沉积第二欧姆接触层来制备垂直结构的LED芯片。
5.根据权利要求4述的倒装柔性GaN基LED的制备方法，其特征在于：
所述S2中的第一欧姆接触金属层中的金属选择由接触材料决定，所述由接触材料决定是指，不同材料的功函数不同，为了形成欧姆接触，要提供与接触材料具有相近或者相同功函数的金属作为欧姆接触金属；
所述S3在退火处理中，根据P型、N型欧姆接触制备所需的条件选择退火气氛和退火温度；
所述S4中键合层的材质包括金、银、铟或铝，所述键合层的制备方式包含电子束蒸发或溅射；
所述S5中的键合温度、键合时间以及施加压力根据晶圆大小而定；
所述S6中去除蓝宝石衬底的方式为激光剥离，激光波长为305nm；
所述S7中的刻蚀间道的方式为ICP，刻蚀气体为BCl3、Cl2和Ar；第二欧姆接触金属层中的金属选择由接触材料决定，接触层金属包括Ti或Al或Ni或Au。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117810810A (zh) * | 2024-02-29 | 2024-04-02 | 山东省科学院激光研究所 | 一种垂直腔表面发射激光器及其制备方法 |
Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101853903A (zh) * | 2009-04-01 | 2010-10-06 | 中国科学院半导体研究所 | 一种制备氮化镓基垂直结构发光二极管的方法 |
| CN103730549A (zh) * | 2014-01-07 | 2014-04-16 | 大连理工大学 | 一种基于SiC衬底的垂直结构GaN基紫外LED及其制备方法 |
| CN104465899A (zh) * | 2014-11-28 | 2015-03-25 | 西安神光皓瑞光电科技有限公司 | 一种led垂直结构的制备方法 |
| CN105742445A (zh) * | 2016-03-09 | 2016-07-06 | 映瑞光电科技(上海)有限公司 | 一种垂直led芯片结构及其制备方法 |
| CN106328776A (zh) * | 2016-08-31 | 2017-01-11 | 中联西北工程设计研究院有限公司 | 一种垂直结构紫光led芯片的制备方法 |
| CN106449899A (zh) * | 2016-08-31 | 2017-02-22 | 中联西北工程设计研究院有限公司 | 一种垂直结构蓝光led芯片的制备方法 |
| CN107749436A (zh) * | 2017-09-27 | 2018-03-02 | 佛山市艾佛光通科技有限公司 | 基于金锡双面共晶键合的外延层转移方法 |
| CN108365058A (zh) * | 2017-12-28 | 2018-08-03 | 映瑞光电科技(上海)有限公司 | 一种led衬底转移方法及其应用 |
| CN108878596A (zh) * | 2018-05-29 | 2018-11-23 | 河源市众拓光电科技有限公司 | 一种边缘无损的垂直结构led芯片衬底的转移方法 |
| CN109216511A (zh) * | 2017-07-03 | 2019-01-15 | 上海芯元基半导体科技有限公司 | P面出光的薄膜led芯片及其制造方法 |
| CN112652697A (zh) * | 2021-01-14 | 2021-04-13 | 上海大学 | 一种柔性Micro LED基板结构及其制备方法 |
-
2022
- 2022-01-26 CN CN202210087861.2A patent/CN114122227A/zh active Pending
Patent Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101853903A (zh) * | 2009-04-01 | 2010-10-06 | 中国科学院半导体研究所 | 一种制备氮化镓基垂直结构发光二极管的方法 |
| CN103730549A (zh) * | 2014-01-07 | 2014-04-16 | 大连理工大学 | 一种基于SiC衬底的垂直结构GaN基紫外LED及其制备方法 |
| CN104465899A (zh) * | 2014-11-28 | 2015-03-25 | 西安神光皓瑞光电科技有限公司 | 一种led垂直结构的制备方法 |
| CN105742445A (zh) * | 2016-03-09 | 2016-07-06 | 映瑞光电科技(上海)有限公司 | 一种垂直led芯片结构及其制备方法 |
| CN106328776A (zh) * | 2016-08-31 | 2017-01-11 | 中联西北工程设计研究院有限公司 | 一种垂直结构紫光led芯片的制备方法 |
| CN106449899A (zh) * | 2016-08-31 | 2017-02-22 | 中联西北工程设计研究院有限公司 | 一种垂直结构蓝光led芯片的制备方法 |
| CN109216511A (zh) * | 2017-07-03 | 2019-01-15 | 上海芯元基半导体科技有限公司 | P面出光的薄膜led芯片及其制造方法 |
| CN107749436A (zh) * | 2017-09-27 | 2018-03-02 | 佛山市艾佛光通科技有限公司 | 基于金锡双面共晶键合的外延层转移方法 |
| CN108365058A (zh) * | 2017-12-28 | 2018-08-03 | 映瑞光电科技(上海)有限公司 | 一种led衬底转移方法及其应用 |
| CN108878596A (zh) * | 2018-05-29 | 2018-11-23 | 河源市众拓光电科技有限公司 | 一种边缘无损的垂直结构led芯片衬底的转移方法 |
| CN112652697A (zh) * | 2021-01-14 | 2021-04-13 | 上海大学 | 一种柔性Micro LED基板结构及其制备方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117810810A (zh) * | 2024-02-29 | 2024-04-02 | 山东省科学院激光研究所 | 一种垂直腔表面发射激光器及其制备方法 |
| CN117810810B (zh) * | 2024-02-29 | 2024-05-03 | 山东省科学院激光研究所 | 一种垂直腔表面发射激光器及其制备方法 |
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