CN114114966B - 一种应用于蚀刻机的射频电源控制方法及系统 - Google Patents
一种应用于蚀刻机的射频电源控制方法及系统 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114114966B CN114114966B CN202111337176.2A CN202111337176A CN114114966B CN 114114966 B CN114114966 B CN 114114966B CN 202111337176 A CN202111337176 A CN 202111337176A CN 114114966 B CN114114966 B CN 114114966B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- etching
- etched
- radio frequency
- determining
- frequency power
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 441
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 84
- 238000004088 simulation Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 79
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 33
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 19
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims description 13
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 claims description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 abstract description 14
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 6
- 230000004044 response Effects 0.000 description 6
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 4
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 4
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000011089 mechanical engineering Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B19/00—Programme-control systems
- G05B19/02—Programme-control systems electric
- G05B19/04—Programme control other than numerical control, i.e. in sequence controllers or logic controllers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/08—Apparatus, e.g. for photomechanical printing surfaces
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
本发明提供了一种应用于蚀刻机的射频电源控制方法及系统，其中，方法包括：获取蚀刻信息，确定待蚀刻对象的蚀刻类型，并根据所述蚀刻类型，确定蚀刻需求；根据所述蚀刻需求，建立基于射频电源的模拟蚀刻模型；根据所述模拟蚀刻模型，确定射频电源的控制方案，并根据所述控制方案，对射频电源进行控制，进行蚀刻；系统包括：需求确定模块、模型生成模块、方案输出模块。本发明将射频电源控制方法应用于蚀刻机有利于提高蚀刻效率和正确率。
Description
技术领域
本发明涉及射频电源控制技术领域，特别涉及一种应用于蚀刻机的射频电源控制方法及系统。
背景技术
目前，射频电源由驱动电路、功率放大电路、阻抗匹配电路、定向耦合器、控制系统组成，传统的射频电源控制方法应用于蚀刻机需要两个射频电源模块，其中一个对蚀刻槽中的线圈组件进行供电，另一个射频电源模块通过产生自偏压对待蚀刻对象进行蚀刻，导致蚀刻机蚀刻的成本较高，且蚀刻效率较低，在现有技术的蚀刻机产品中，如产品型号为XHL-6M6024的真空蚀刻机，外形尺寸：6024*2227*2700mm；功率：36KW；电源：380V/50Hz，采用两个射频电源，对蚀刻的材料使用两个射频电源成本较高，且在蚀刻的过程中，由于待蚀刻对象表面导电，会导致蚀刻面不均匀，针对精细图案会发生蚀刻损坏；此外在对蚀刻的对象进行蚀刻的过程中时，如论文Sano Y,Shiozawa K,Doi T,et al.High-efficiencyplanarization method combining mechanical polishing and atmospheric-pressureplasma etching for hard-to-machine semiconductor substrates[J].MechanicalEngineering Journal,2016,3(1):15-00527-15-00527使用的蚀刻方法将机械抛光与常压等离子体蚀刻进行结合的方式进行蚀刻，能够有效保护蚀刻对象表面不被损坏，且能保持蚀刻面保持均匀，然而将机械抛光与常压等离子体蚀刻的方法只适用于二维表面的蚀刻，针对于待蚀刻对象较厚的情况下，会导致蚀刻面不均匀，蚀刻的效率较低。
发明内容
本发明提供一种应用于蚀刻机的射频电源控制方法及系统，用以解决传统的将射频电源控制方法应用于蚀刻机中需要两个射频电源模块导致蚀刻机蚀刻的成本较高，且蚀刻效率较低的情况。
一种应用于蚀刻机的射频电源控制方法，包括：
获取蚀刻信息，确定待蚀刻对象的蚀刻类型，并根据所述蚀刻类型，确定蚀刻需求；
根据所述蚀刻需求，建立基于射频电源的模拟蚀刻模型；
根据所述模拟蚀刻模型，确定射频电源的控制方案，并根据所述控制方案，对射频电源进行控制，进行蚀刻。
作为本发明的一种实施例：所述获取蚀刻信息，确定待蚀刻对象的蚀刻类型，并根据所述蚀刻类型，确定蚀刻需求，包括：
获取蚀刻信息，确定待蚀刻对象的基本参数，并根据所述基本参数，确定待蚀刻对象的检索信息；
根据所述检索信息，通过预先设置的蚀刻数据库，获取所述待蚀刻对象的蚀刻类型和蚀刻流程；
对所述待蚀刻对象的蚀刻类型和蚀刻流程进行分析，确定蚀刻需求。
作为本发明的一种实施例：所述根据所述蚀刻需求，建立基于射频电源的模拟蚀刻模型，包括：
获取历史蚀刻数据，确定蚀刻参数，并作为训练集数据；
获取所述蚀刻数据库中的模板蚀刻参数，并作为测试集数据；
基于所述测试集数据，对所述训练集数据进行训练，生成基于射频电源的模拟蚀刻模型。
作为本发明的一种实施例：所述根据所述模拟蚀刻模型，确定射频电源的控制方案，并根据所述控制方案，对射频电源进行控制，进行蚀刻，还包括：
对射频电源进行控制时，实时监控射频功率，并对所述实时射频功率进行动态调节；
所述动态调节过程包括：
通过将射频耦合器，与信号发生器进行电连接，获取控制信号并根据所述控制信号获取反射分量结果；
基于所述反射分量结果，获取蚀刻机的实时射频功率，并针对所述实时射频功率进行动态调节；其中，
当所述蚀刻机的实时射频功率低于预设的射频功率范围，采用功率放大器对输出功率进行放大；
当所述蚀刻机的实时射频功率高于预设的射频功率范围，采用功率衰减器对输出功率进行衰减。
作为本发明的一种实施例：所述获取蚀刻信息，确定待蚀刻对象的基本参数，并根据所述基本参数，确定待蚀刻对象的检索信息，还包括：
判断所述待蚀刻对象的基本参数是否符合蚀刻标准，其过程包括：
射频电源通过发出射频信号对待蚀刻对象的基本参数进行实时获取；其中，所述基本参数包括：材料组成、形状数据、尺寸大小；
根据所述待蚀刻对象的基本参数，调取预先存储的蚀刻对象数据库，将所述基本参数与数据库中的模板蚀刻参数进行一一比较，确定比较结果；
根据所述比较结果，判断所述待蚀刻对象的基本参数是否能达到工作标准；
当所述待蚀刻对象的基本参数符合蚀刻标准时，触发蚀刻机启动命令，并发出控制信号，并发出控制信号；
当所述待蚀刻对象的基本参数不符合工作标准时，机器停止运行，并自动开启故障检测，将不符合标准的基本参数发送至预设的管理平台。
作为本发明的一种实施例：所述当所述待蚀刻对象的基本参数符合蚀刻标准时，触发蚀刻机启动命令，并发出控制信号，并发出控制信号，包括：
根据所述控制信号，启动控制系统对待蚀刻对象进行蚀刻，并获取蚀刻对象，其过程包括：
驱动电路接收控制信号，将所述待蚀刻对象置入机台内部，所述机台内部获取待蚀刻对象进入信号，开启第一蚀刻槽权限；
根据第一蚀刻槽权限开启信号，获取所述第一蚀刻槽已蚀刻数量，并开启机台的计时功能，进行一级蚀刻，待一级蚀刻指示灯亮起，停止计时，确定一级蚀刻对象，并记录一级时间；
根据所述一级蚀刻对象蚀刻结果，关闭第一蚀刻槽权限，开启第二蚀刻槽权限，并获取所述第二蚀刻槽已蚀刻数量，开启机台的计时功能，进行二级蚀刻，待二级蚀刻指示灯亮起，停止计时，确定二级蚀刻对象，并记录二级时间。
作为本发明的一种实施例：所述根据所述控制信号，启动控制系统对待蚀刻对象进行蚀刻，并获取蚀刻对象，包括：
将所述二级蚀刻对象进行水洗处理，并将经过水洗处理的蚀刻对象进行质量检测，
所述质量检测过程包括：
根据所述二级蚀刻对象，关闭第二蚀刻槽权限并开启水洗槽权限；
将所述二级蚀刻对象进行水洗处理，获取三级蚀刻对象；
基于所述三级蚀刻对象，采用射频匹配网络对所述三级蚀刻对象进行动态检测，获取动态检测结果；
根据所述三级蚀刻对象的动态检测结果，判断所述三级蚀刻对象是否达到使用标准，确定判断结果并对所述判断结果进行记录。
作为本发明的一种实施例：所述基于所述三级蚀刻对象，采用射频匹配网络对所述三级蚀刻对象进行动态检测，获取动态检测结果，包括：
将所述一级时间、二级时间与预设的时间范围进行比较，判断所述一级时间、二级时间是否处于正常工作时间；
当所述一级时间、二级时间处于预设的时间范围，判定为正常工作时间，将一级检测结果设置为默认结果；
基于所述三级蚀刻对象，将所述匹配网络中的自激频率和射频频率产生谐振，对所述三级蚀刻对象的角点信息进行检测，并获取检测结果；
根据所述三级蚀刻对象的角点检测结果，判断所述三级蚀刻对象是否发生损坏；
当所述三级蚀刻对象未出现损坏时，将二级检测结果设置为默认结果；
将所述三级蚀刻对象进行分区处理，在每个区域中随机挑选一个凸点，并对所述凸点进行电子显微镜分析，获取质量参数，确定分析结果；
基于所述分析结果，判断所述三级蚀刻对象的质量参数是否达到质量标准，当所述三级蚀刻对象的质量参数达到所述质量标准，将三级检测结果设置为默认结果。
作为本发明的一种实施例：所述根据所述三级蚀刻对象的动态检测结果，判断所述三级蚀刻对象是否达到使用标准，确定判断结果并对所述判断结果进行记录，包括：
基于所述一级检测结果、二级检测结果、三级检测，当所述一级检测结果、二级检测结果、三级检测结果均为默认结果；
判定所述三级蚀刻对象符合使用标准；
当所述一级检测结果、二级检测结果、三级检测结果存在不为默认结果的检测结果时；
判定所述三级蚀刻对象不符合使用标准，对所述不符合使用标准的蚀刻对象进行计数，并根据所述检测结果进行分类处理，确定分类结果，并对分类结果进行记录。
本发明提供一种应用于蚀刻机的射频电源控制系统，包括：
需求确定模块：用于判断待蚀刻对象的蚀刻类型，并根据所述蚀刻类型确定蚀刻需求；
模型生成模块：用于根据所述蚀刻需求，建立基于射频电源的模拟蚀刻模型；
方案输出模块：用于根据所述模拟蚀刻模型，确定射频电源的控制方案，并根据所述控制方案对待蚀刻对象进行蚀刻。
本发明的有益效果：本发明中首先通过射频电源获取蚀刻机的初始参数，有利于在蚀刻前获取蚀刻机的运行状态，避免在进行蚀刻的过程中出现故障，当驱动电路接收到控制信号时，证明蚀刻机的初始参数中未出现异常数据，进而对蚀刻对象进行蚀刻、水洗处理，并利用射频匹配网络对经过水洗的蚀刻对象进行质量检测，有利于实现射频功率的最大化，减少噪声干扰，并且提高功率容量、提高频率响应线性度。
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在所写的说明书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。
附图说明
附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。在附图中：
图1为本发明实施例中一种应用于蚀刻机的射频电源控制方法流程图；
图2为本发明实施例中一种应用于蚀刻机的射频电源控制系统结构示意图；
图3为现有技术中的一种真空蚀刻机。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本发明，并不用于限定本发明。
本发明中针对现有技术中将射频电源控制方法应用于蚀刻机中需要采用两个电源模块，本发明中采用一个射频电源模块实现对蚀刻槽中的线圈组件单独供电、供信号和产生自偏压对蚀刻对象进行蚀刻的功能，此外，本发明中针对现有技术中对待蚀刻的蚀刻对象表面蚀刻不均匀的问题进行改进。
实施例1：
如附图1所述，本发明包括一种应用于蚀刻机的射频电源控制方法，包括：
获取蚀刻信息，确定待蚀刻对象的蚀刻类型，并根据所述蚀刻类型，确定蚀刻需求；
根据所述蚀刻需求，建立基于射频电源的模拟蚀刻模型；
根据所述模拟蚀刻模型，确定射频电源的控制方案，并根据所述控制方案，对射频电源进行控制，进行蚀刻；
上述技术方案的工作原理为：本发明的现有技术中将射频电源控制方法应用于蚀刻机中需要两个射频电源模块，其中一个对蚀刻槽中的线圈组件进行供电，另一个射频电源模块通过产生自偏压对待蚀刻对象进行蚀刻，导致蚀刻机蚀刻的成本较高，且蚀刻效率较低，本发明中使用单射频电源方式对待蚀刻对象的进行检测，解决了现有技术中使用双射频电源，并且通过自动检测待蚀刻对象的类型，确定蚀刻的需求，并且通过建立基于射频电源的模拟蚀刻模型，动态确定射频电源的控制方案，最终对射频电源进行控制完成蚀刻；
上述技术方案的有益效果为：本发明中首先通过自动判断待蚀刻对象的蚀刻类型，确定蚀刻需求有利于在蚀刻前系统自动确定蚀刻方案，无需人工参与，避免错误率的发生，此外，通过建立射频电源的模拟蚀刻模型进行方案的确立，有利于根据待蚀刻对象的蚀刻需求进行精确蚀刻，避免蚀刻过程中出现错误，增加蚀刻的正确率。
实施例2：
在本发明的一种实施例中：所述获取蚀刻信息，确定待蚀刻对象的蚀刻类型，并根据所述蚀刻类型，确定蚀刻需求，包括：
获取蚀刻信息，确定待蚀刻对象的基本参数，并根据所述基本参数，确定待蚀刻对象的检索信息；
根据所述检索信息，通过预先设置的蚀刻数据库，获取所述待蚀刻对象的蚀刻类型和蚀刻流程；
对所述待蚀刻对象的蚀刻类型和蚀刻流程进行分析，确定蚀刻需求；
上述技术方案的工作原理为：本发明的现有技术中在确定待蚀刻对象的蚀刻需求时通过人工输入的方式确定蚀刻需求，且在每次蚀刻之前都需要等待输入信息，因此导致由于人工的失误导致蚀刻错误率上升并且花费较多时间，本发明中首先通过获取待蚀刻对象的基本信息参数，并将基本信息参数经过整合，生成检索信息，并根据检索信息在预先设置的蚀刻对象数据库中进行自动匹配，获取待蚀刻对象的具体蚀刻类型，最后对类型进行分析处理，确定蚀刻的需求，解决了现有技术中因人工导致蚀刻错误率的问题；
上述技术方案的有益效果为：本发明中通过获取待蚀刻对象的基本参数，并将基本参数经过整合生成关键字信息码匹配数据库，有利于提高索引效率，快速找到目标对象信息，从而提升蚀刻的效率和正确率，通过对待蚀刻对象的蚀刻类型进行分析确定蚀刻需求，有利于精确匹配待蚀刻对象的蚀刻方式和要求避免由于人工的失误导致蚀刻效率降低。
实施例3：
在本发明的一种实施例中：所述根据所述蚀刻需求，建立基于射频电源的模拟蚀刻模型，包括：
获取历史蚀刻数据，确定蚀刻参数，并作为训练集数据；
获取所述蚀刻数据库中的模板蚀刻参数，并作为测试集数据；
基于所述测试集数据，对所述训练集数据进行训练，生成基于射频电源的模拟蚀刻模型。
上述技术方案的工作原理为：本发明的现有技术中将射频电源控制方法应用于蚀刻机中未涉及对历史蚀刻数据进行收集和分析，因此并没有建立基于射频电源的模拟蚀刻模型，这也导致虽然将射频电源控制方法应用于蚀刻机，但是蚀刻的效率并没有提高，本发明中将射频电源应用于蚀刻机中时，对历史蚀刻数据进行标记和跟踪，并且基于蚀刻数据库中的模板蚀刻参数进行训练和跟踪，建立基于射频电源的模拟蚀刻模型。
上述技术方案的有益效果为：本发明中对历史蚀刻数据进行跟踪标记，并且基于模板蚀刻参数对历史蚀刻数据进行训练，生成基于射频电源的模拟蚀刻模型，有利于有效利用历史蚀刻数据增加蚀刻的预见性，此外，建立基于射频电源的模拟蚀刻模型有利于更加精确对待蚀刻对象的方案进行确定也有利于提高蚀刻的效率和正确率。
实施例4：
在本发明的一种实施例中：所述根据所述模拟蚀刻模型，确定射频电源的控制方案，并根据所述控制方案，对射频电源进行控制，进行蚀刻，还包括：
对射频电源进行控制时，实时监控射频功率，并对所述实时射频功率进行动态调节；
所述动态调节过程包括：
通过将射频耦合器，与信号发生器进行电连接，获取控制信号并根据所述控制信号获取反射分量结果；
基于所述反射分量结果，获取蚀刻机的实时射频功率，并针对所述实时射频功率进行动态调节；其中，
当所述蚀刻机的实时射频功率低于预设的射频功率范围，采用功率放大器对输出功率进行放大；
当所述蚀刻机的实时射频功率高于预设的射频功率范围，采用功率衰减器对输出功率进行衰减。
上述技术方案的工作原理为：本发明的现有技术中射频耦合器主要用于进行功率分配，无法实现对功率的动态调节，从而导致射频功率无法根据实时的变化进行变化，从而降低蚀刻效率，也会导致蚀刻机发生故障，本发明中利用将射频耦合器与信号发生器进行连接，获取控制信号，并根据控制信号获取反射分量结果对射频功率进行分配并进行动态调节，当所述蚀刻机的实时射频功率低于预设的射频功率范围，采用功率放大器对输出功率进行放大；当所述蚀刻机的实时射频功率高于预设的射频功率范围，采用功率衰减器对输出功率进行衰减，降低了蚀刻机发生故障的概率。
上述技术方案的有益效果为：本发明中利用将射频耦合器与信号发生器进行连接实现对射频功率的动态调节，有利于在输入端和输出端进行电气隔离，输入信号和输出信号无影响，提升蚀刻过程中的抗干扰能力和蚀刻稳定性，提升蚀刻效率和蚀刻机的使用寿命。
实施例5：
在本发明的一种实施例中：所述获取蚀刻信息，确定待蚀刻对象的基本参数，并根据所述基本参数，确定待蚀刻对象的检索信息，还包括：
判断所述待蚀刻对象的基本参数是否符合蚀刻标准，其过程包括：
射频电源通过发出射频信号对待蚀刻对象的基本参数进行实时获取；其中，所述基本参数包括：材料组成、形状数据、尺寸大小；
根据所述待蚀刻对象的基本参数，调取预先存储的蚀刻对象数据库，将所述基本参数与数据库中的模板蚀刻参数进行一一比较，确定比较结果；
根据所述比较结果，判断所述待蚀刻对象的基本参数是否能达到工作标准；
当所述待蚀刻对象的基本参数符合蚀刻标准时，触发蚀刻机启动命令，并发出控制信号，并发出控制信号；
当所述待蚀刻对象的基本参数不符合工作标准时，机器停止运行，并自动开启故障检测，将不符合标准的基本参数发送至预设的管理平台。
上述技术方案的工作原理为：本发明的现有技术中未涉及将射频电源控制方法应用于蚀刻机时，对待蚀刻对象的基本参数进行获取的问题，仅进行人为控制机台的控制中操作人员会预先按照规定在生产前确认待蚀刻对象的基本参数信息，并且通过主动输入的方式进行记录，包括：材料组成、形状数据、尺寸大小等，经检验之后，认为点击按钮开始蚀刻过程，本发明中采用射频电源在蚀刻工作之前自动采集待蚀刻对象的基本参数，并将采集到的基本参数与正常工作的范围进行自动比较，若所有参数均在正常范围内，判断待蚀刻对象可以正常工作，并且发射控制信号，当采集到的基本参数不在正常范围中时，机器停止运行。
上述技术方案的有益效果为：本发明中在蚀刻前预先自动采集待蚀刻对象的基本参数，整个过程自动进行，无需人工参与，有利于提高蚀刻效率和蚀刻机的产能，并且可以自动对数据进行记录和分类，避免数据丢失还可以自动调取数据，生成动态分析表，对故障进行分类预测，有利于管理平台及时获取蚀刻机台的运行参数变化，若是出现异常状况时，采取紧急措施，降低蚀刻风险。
实施例6：
在本发明的一种实施例中：所述当所述待蚀刻对象的基本参数符合蚀刻标准时，触发蚀刻机启动命令，并发出控制信号，并发出控制信号，包括：
根据所述控制信号，启动控制系统对待蚀刻对象进行蚀刻，并获取蚀刻对象，其过程包括：
驱动电路接收控制信号，将所述待蚀刻对象置入机台内部，所述机台内部获取待蚀刻对象进入信号，开启第一蚀刻槽权限；
根据第一蚀刻槽权限开启信号，获取所述第一蚀刻槽已蚀刻数量，并开启机台的计时功能，进行一级蚀刻，待一级蚀刻指示灯亮起，停止计时，确定一级蚀刻对象，并记录一级时间；
根据所述一级蚀刻对象蚀刻结果，关闭第一蚀刻槽权限，开启第二蚀刻槽权限，并获取所述第二蚀刻槽已蚀刻数量，开启机台的计时功能，进行二级蚀刻，待二级蚀刻指示灯亮起，停止计时，确定二级蚀刻对象，并记录二级时间；
上述技术方案的工作原理为：本发明的现有技术中蚀刻机在蚀刻的过程中，人工将待蚀刻对象放置于蚀刻机台的挂篮中进入机台，挂篮将待蚀刻对象放置于蚀刻槽中进行蚀刻，当蚀刻完毕，挂篮从蚀刻槽移至水洗槽进行水洗，去除蚀刻对象表面残留的蚀刻液，水洗完毕后，挂篮将蚀刻后的对象送出机台蚀刻完成，通过人工的方式会降低蚀刻效率并且增加蚀刻成本，本发明中当待蚀刻对象的基本参数无异常时，向驱动电路发送控制信号，自动将待蚀刻对象置入机台内部，在机台内部利用权限的开放与关闭控制蚀刻对象的操作步骤，首先，进入蚀刻机台内部，开启第一蚀刻槽权限，对待蚀刻对象进行一次蚀刻，经过一次蚀刻完毕后，蚀刻的效果一般较为粗糙，因此针对一次蚀刻结束后，关闭第一蚀刻槽的权限并打开第二蚀刻槽的权限，即对经过一次蚀刻的一次蚀刻对象进行二次蚀刻，经过两次蚀刻后获得二次蚀刻对象蚀刻的效果较为精细，最后关闭第二蚀刻槽的权限并打开水洗槽的权限，对经过二次蚀刻对象进行水洗，在整个蚀刻和水洗的过程中分别对时间进行自动记录，因此解决了现有技术中需要人工进行操作的场景，全程采用自动化控制；
在一个具体的实施例中，在对蚀刻对象进行蚀刻时，首先将高频电流通过电感线圈，使得，蚀刻机中的电感线圈产生的磁场与线圈垂直，在进行蚀刻之前，磁场保持均匀状态，
步骤1：对蚀刻机台内部的气体进行电离，确保电子在电场中获得能量，因此在蚀刻过程中的电子加速的速度决定了蚀刻的准确率，最低速度计算公式为：
其中，v0表示蚀刻机台内部电子的最低速度，e为基本电荷，r表示蚀刻机台内部放电室半径，M0表示蚀刻机台内部放电室的初始磁场，ω为电子在蚀刻过程中对应的角速度值，t表示在蚀刻对象时对应的时间记录，m表示电子对应的速度大小；
步骤2：将电子的最低计算公式与实际电子的速度进行比较，判断当前电子对蚀刻对象进行蚀刻的过程中是否能达到最低标准，当前蚀刻时，电子实际速度的计算公式为：
其中，v1表示电子实际的速度，表示电子的平均自由程，f表示电场频率，λ表示波长，p表示蚀刻机台内部气体的压强大小；
当满足v0≤v1表示电子的速度满足蚀刻要求，当v0>v1表示电子的速度无法满足蚀刻要求，该电子被丢弃；
步骤3：计算蚀刻机台内部电磁场强度，当所述蚀刻机台内部的电磁场强度M1可以满足最小要求，则针对蚀刻对象进行蚀刻，
其中，M1表示蚀刻机台内部电磁场强度大小，λ1＝rω，表示电子在真空半径r中运动的距离，ω为电子对应的角加速度值，结合上述v0的计算公式，可求得蚀刻机台内部电磁场强度的最小标准，M0表示蚀刻机台内部放电室的初始磁场；
上述技术方案的有益效果为：本发明中通过对权限的控制操作待蚀刻对象，并进行自动计时，有利于获取蚀刻过程中的数据信息，判断蚀刻的结果，此外，在蚀刻过程中进行两次蚀刻，有利于提高蚀刻过程的效率和质量，降低低质量的蚀刻结果，提高可用率，在具体的实施例中，通过计算机台内部电磁场强度的最低限度和最低速度，动态控制蚀刻机内部电子的运行速度，有利于最大化提高蚀刻的精度和效率。
实施例7：
在本发明的一种实施例中：所述根据所述控制信号，启动控制系统对待蚀刻对象进行蚀刻，并获取蚀刻对象，包括：
将所述二级蚀刻对象进行水洗处理，并将经过水洗处理的蚀刻对象进行质量检测，
所述质量检测过程包括：
根据所述二级蚀刻对象，关闭第二蚀刻槽权限并开启水洗槽权限；
将所述二级蚀刻对象进行水洗处理，获取三级蚀刻对象；
基于所述三级蚀刻对象，采用射频匹配网络对所述三级蚀刻对象进行动态检测，获取动态检测结果；
根据所述三级蚀刻对象的动态检测结果，判断所述三级蚀刻对象是否达到使用标准，确定判断结果并对所述判断结果进行记录；
上述技术方案的工作原理为：本发明的现有技术中经过蚀刻和水洗后获得的三级蚀刻对象直接进行输出，会导致蚀刻后的对象出现损坏而未发现将其进行直接应用导致故障率的发生，本发明中将经过蚀刻和水洗后获得的三级蚀刻对象通过射频匹配网络进行质量检测，判断蚀刻的三级蚀刻对象是否能达到使用标准，当所述三级蚀刻对象的质量可以达到使用标准，则进行输出，若所述三级蚀刻对象的质量无法达到使用标准，对缺陷进行分析，并记录，并将有问题的蚀刻对象进行另外输出，因此解决了现有技术中由于未对水洗后的蚀刻对象进行质量检测导致的故障率的发生；
在一个具体的实施例中，通过匹配网络对蚀刻的对象进行质量检测时，
步骤1：首先，归一化元器件参数值，并计算匹配网络中滤波器衰减对频率的响应：
其中，S表示匹配网络中滤波器衰减对功率输出的响应结果， 表示谐振频率，R表示匹配网络中对应的总体电阻值，C表示负责网络中充放电的主电容值，L表示蚀刻机内部的实时电感值，j为虚部符号；
步骤2：针对滤波器的衰减对频率的响应结果，计算在蚀刻机在断电情况下，滤波器的输入对功率的响应：
其中，T表示匹配网络中滤波器工作时对频率的调节参数，R表示匹配网络中对应的总体电阻值，表示此时的谐振频率，L表示蚀刻机内部的实时电感值，C表示负责网络中充放电的主电容值；
上述技术方案的有益效果为：本发明中将经过二次蚀刻获得的二次蚀刻对象进行水洗，将经过水洗获得的三次蚀刻对象通过射频匹配网络进行动态检测，有利于减少检测过程中的噪声干扰，提高功率容量并提高功率响应的线性度，降低蚀刻过程中的功率损失，在具体的实施例中，通过计算匹配网络中滤波器衰减对频率的响应程度，以及在断电情况下，滤波器对输入功率的响应，并利用射频匹配网络对经过水洗的蚀刻结果进行质量检测，有利于实现射频功率的最大化，减少噪声干扰，并且提高功率容量、提高频率响应线性度。
实施例8：
在本发明的一种实施例中：所述基于所述三级蚀刻对象，采用射频匹配网络对所述三级蚀刻对象进行动态检测，获取动态检测结果，包括：
将所述一级时间、二级时间与预设的时间范围进行比较，判断所述一级时间、二级时间是否处于正常工作时间；
当所述一级时间、二级时间处于预设的时间范围，判定为正常工作时间，将一级检测结果设置为默认结果；
基于所述三级蚀刻对象，将所述匹配网络中的自激频率和射频频率产生谐振，对所述三级蚀刻对象的角点信息进行检测，并获取检测结果；
根据所述三级蚀刻对象的角点检测结果，判断所述三级蚀刻对象是否发生损坏；
当所述三级蚀刻对象未出现损坏时，将二级检测结果设置为默认结果；
将所述三级蚀刻对象进行分区处理，在每个区域中随机挑选一个凸点，并对所述凸点进行电子显微镜分析，获取质量参数，确定分析结果；
基于所述分析结果，判断所述三级蚀刻对象的质量参数是否达到质量标准，当所述三级蚀刻对象的质量参数达到所述质量标准，将三级检测结果设置为默认结果；
上述技术方案的工作原理为：本发明的现有技术中将射频电源控制方法应用于蚀刻机中未涉及对经过蚀刻的对象进行质量检测，本发明中，对经过水洗获得的三级蚀刻对象采用匹配网络进行检测时，通过一次蚀刻、二次蚀刻、水洗的时间进行初步的分析，若时间处于预设的时间范围内，进行第二步的检测，即将匹配网络中的自激频率和射频频率产生谐振，对蚀刻对象进行角点检测，判断蚀刻对象的外表是否发生损坏，若未检测到蚀刻对象的外观发生损坏，进行第三步，即通过将蚀刻对象进行划分区域，分为上、下、左、右、中五个区域，在每个区域中，随机挑选一个凸点，对凸点进行电子显微镜分析，获取随机检测的结果，通过上述三个步骤对蚀刻对象进行质量检测，最终对经过质量检测的蚀刻对象的数据进行汇总整合；
上述技术方案的有益效果为：本发明中通过对经过蚀刻、水洗后的获得的三级蚀刻对象进行质量检测，有利于获取蚀刻对象的质量信息，将达到使用标准的蚀刻对象与未达到使用标准的蚀刻对象分类，提高有效的蚀刻对象的可用性，通过三个步骤对蚀刻对象的质量展开检测，有利于提高检测的效率和准确性，最后对经过质量检测的蚀刻对象的数据进行汇总整合，有利于获取在蚀刻过程中的故障信息，并对故障信息进行分类分析，获取故障原因，有利于对蚀刻机进行进一步改进，从而提高蚀刻机在蚀刻过程中的效率和正确率。
实施例9：
在本发明的一种实施例中：所述根据所述三级蚀刻对象的动态检测结果，判断所述三级蚀刻对象是否达到使用标准，确定判断结果并对所述判断结果进行记录，包括：
基于所述一级检测结果、二级检测结果、三级检测，当所述一级检测结果、二级检测结果、三级检测结果均为默认结果；
判定所述三级蚀刻对象符合使用标准；
当所述一级检测结果、二级检测结果、三级检测结果存在不为默认结果的检测结果时；
判定所述三级蚀刻对象不符合使用标准，对所述不符合使用标准的蚀刻对象进行计数，并根据所述检测结果进行分类处理，确定分类结果，并对分类结果进行记录；
上述技术方案的工作原理为：本发明的现有技术中将射频电源控制方法应用于蚀刻机未涉及在蚀刻完成后对蚀刻对象的质量进行检测，本发明中通过对蚀刻、水洗后的获取的三级蚀刻对象通过射频匹配网络进行三步质量检测，当蚀刻和水洗的时间都处于预设的范围内，当检测到蚀刻对象的外表无损坏，当随机挑选的区域凸点均正常时，判定蚀刻对象质量检测通过，当有一个步骤中蚀刻对象未达到标准，即判定该蚀刻对象不符合使用标准，最终对获取的未经过检测的蚀刻对象的数据进行记录和分析，获取故障原因；
上述技术方案的有益效果为：本发明中，通过在蚀刻后对蚀刻对象的质量进行检测，有利于提高输出蚀刻对象的正确率降低蚀刻的故障率，对出现故障的蚀刻结果的参数进行整合分析，获取故障原因，有利于有针对性的对对蚀刻机进行进一步改进，从而提高蚀刻机在蚀刻过程中的效率和正确率。
实施例10：
如附图1所述，本发明包括一种应用于蚀刻机的射频电源控制系统，包括：
需求确定模块：用于判断待蚀刻对象的蚀刻类型，并根据所述蚀刻类型确定蚀刻需求；
模型生成模块：用于根据所述蚀刻需求，建立基于射频电源的模拟蚀刻模型；
方案输出模块：用于根据所述模拟蚀刻模型，确定射频电源的控制方案，并根据所述控制方案对待蚀刻对象进行蚀刻
上述技术方案的工作原理为：本发明的现有技术中将射频电源控制方法应用于蚀刻机中是通过人工的方法输入待蚀刻对象的蚀刻类型，并对蚀刻机进行初始化操作，因此会导致蚀刻效率低下，并且提高蚀刻风险，本发明中将射频电源控制系统应用于蚀刻机领域，在需求确定模块通过对待蚀刻对象的进行检测，自动检测待蚀刻对象的类型，确定蚀刻的需求，在模型生成模块通过建立基于射频电源的模拟蚀刻模型，并在方案输出模块动态确定射频电源的控制方案，最终对射频电源进行控制完成蚀刻。
上述技术方案的有益效果为：本发明中首先通过自动判断待蚀刻对象的蚀刻类型，确定蚀刻需求有利于在蚀刻前系统自动确定蚀刻方案，无需人工参与，避免错误率的发生，此外，通过建立射频电源的模拟蚀刻模型进行方案的确立，有利于根据待蚀刻对象的蚀刻需求进行精确蚀刻，避免蚀刻过程中出现错误，增加蚀刻的正确率。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (8)
1.一种应用于蚀刻机的射频电源控制方法，其特征在于，包括获取蚀刻信息，确定待蚀刻对象的蚀刻类型，并根据所述蚀刻类型，确定蚀刻需求；
根据所述蚀刻需求，建立基于射频电源的模拟蚀刻模型；
根据所述模拟蚀刻模型，确定射频电源的控制方案，并根据所述控制方案，对射频电源进行控制，进行蚀刻；
所述获取蚀刻信息，确定待蚀刻对象的蚀刻类型，并根据所述蚀刻类型，确定蚀刻需求，包括：
获取蚀刻信息，确定待蚀刻对象的基本参数，并根据所述基本参数，确定待蚀刻对象的检索信息；
根据所述检索信息，通过预先设置的蚀刻数据库，获取所述待蚀刻对象的蚀刻类型和蚀刻流程；
对所述待蚀刻对象的蚀刻类型和蚀刻流程进行分析，确定蚀刻需求；
所述获取蚀刻信息，确定待蚀刻对象的基本参数，并根据所述基本参数，确定待蚀刻对象的检索信息，还包括：
判断所述待蚀刻对象的基本参数是否符合蚀刻标准，其过程包括：
射频电源通过发出射频信号对待蚀刻对象的基本参数进行实时获取；其中，所述基本参数包括：材料组成、形状数据、尺寸大小；
根据所述待蚀刻对象的基本参数，调取预先存储的蚀刻对象数据库，将所述基本参数与数据库中的模板蚀刻参数进行比较，确定比较结果；
根据所述比较结果，判断所述待蚀刻对象的基本参数是否能达到工作标准；
当所述待蚀刻对象的基本参数符合蚀刻标准时，触发蚀刻机启动命令，并发出控制信号；
当所述待蚀刻对象的基本参数不符合工作标准时，向蚀刻机发送停止运行指令，并自动开启故障检测，将不符合标准的基本参数发送至预设的管理平台。
2.如权利要求1所述的一种应用于蚀刻机的射频电源控制方法，其特征在于，所述根据所述蚀刻需求，建立基于射频电源的模拟蚀刻模型，包括：
获取历史蚀刻数据，确定蚀刻参数，并作为训练集数据；
获取所述蚀刻数据库中的模板蚀刻参数，并作为测试集数据；
基于所述测试集数据，对所述训练集数据进行训练，生成基于射频电源的模拟蚀刻模型。
3.如权利要求1所述的一种应用于蚀刻机的射频电源控制方法，其特征在于，所述根据所述模拟蚀刻模型，确定射频电源的控制方案，并根据所述控制方案，对射频电源进行控制，进行蚀刻，还包括：
对射频电源进行控制时，实时监控射频功率，并对所述实时射频功率进行动态调节；
所述动态调节过程包括：
通过将射频耦合器，与信号发生器进行电连接，获取控制信号并根据所述控制信号获取反射分量结果；
基于所述反射分量结果，获取蚀刻机的实时射频功率，并针对所述实时射频功率进行动态调节；其中，
当所述蚀刻机的实时射频功率低于预设的射频功率范围，采用功率放大器对输出功率进行放大；
当所述蚀刻机的实时射频功率高于预设的射频功率范围，采用功率衰减器对输出功率进行衰减。
4.如权利要求1所述的一种应用于蚀刻机的射频电源控制方法，其特征在于，当所述待蚀刻对象的基本参数符合蚀刻标准时，触发蚀刻机启动命令，并发出控制信号，包括：
根据所述控制信号，启动控制系统对待蚀刻对象进行蚀刻，并获取蚀刻对象，其过程包括：
驱动电路接收控制信号，将所述待蚀刻对象置入机台内部，所述机台内部获取待蚀刻对象进入信号，开启第一蚀刻槽权限；
根据第一蚀刻槽权限开启信号，获取所述第一蚀刻槽已蚀刻数量，并开启机台的计时功能，进行一级蚀刻，待一级蚀刻指示灯亮起，停止计时，确定一级蚀刻对象，并记录一级时间；
根据所述一级蚀刻对象蚀刻结果，关闭第一蚀刻槽权限，开启第二蚀刻槽权限，并获取所述第二蚀刻槽已蚀刻数量，开启机台的计时功能，进行二级蚀刻，待二级蚀刻指示灯亮起，停止计时，确定二级蚀刻对象，并记录二级时间。
5.如权利要求4所述的一种应用于蚀刻机的射频电源控制方法，其特征在于，所述根据所述控制信号，启动控制系统对待蚀刻对象进行蚀刻，并获取蚀刻对象，包括：
将所述二级蚀刻对象进行水洗处理，并将经过水洗处理的蚀刻对象进行质量检测，
所述质量检测过程包括：
根据所述二级蚀刻对象，关闭第二蚀刻槽权限并开启水洗槽权限；
将所述二级蚀刻对象进行水洗处理，获取三级蚀刻对象；
基于所述三级蚀刻对象，采用射频匹配网络对所述三级蚀刻对象进行动态检测，获取动态检测结果；
根据所述三级蚀刻对象的动态检测结果，判断所述三级蚀刻对象是否达到使用标准，确定判断结果并对所述判断结果进行记录。
6.如权利要求5所述的一种应用于蚀刻机的射频电源控制方法，其特征在于，所述基于所述三级蚀刻对象，采用射频匹配网络对所述三级蚀刻对象进行动态检测，获取动态检测结果，包括：
将所述一级时间、二级时间与预设的时间范围进行比较，判断所述一级时间、二级时间是否处于正常工作时间；
当所述一级时间、二级时间处于预设的时间范围，判定为正常工作时间，将一级检测结果设置为默认结果；
基于所述三级蚀刻对象，将所述匹配网络中的自激频率和射频频率产生谐振，对所述三级蚀刻对象的角点信息进行检测，并获取检测结果；
根据所述三级蚀刻对象的角点检测结果，判断所述三级蚀刻对象是否发生损坏；
当所述三级蚀刻对象未出现损坏时，将二级检测结果设置为默认结果；
将所述三级蚀刻对象进行分区处理，在每个区域中随机挑选一个凸点，并对所述凸点进行电子显微镜分析，获取质量参数，确定分析结果；
基于所述分析结果，判断所述三级蚀刻对象的质量参数是否达到质量标准，当所述三级蚀刻对象的质量参数达到所述质量标准，将三级检测结果设置为默认结果。
7.如权利要求5所述的一种应用于蚀刻机的射频电源控制方法，其特征在于，所述根据所述三级蚀刻对象的动态检测结果，判断所述三级蚀刻对象是否达到使用标准，确定判断结果并对所述判断结果进行记录，包括：
基于所述一级检测结果、二级检测结果、三级检测，当所述一级检测结果、二级检测结果、三级检测结果均为默认结果；
判定所述三级蚀刻对象符合使用标准；
当所述一级检测结果、二级检测结果、三级检测结果存在不为默认结果的检测结果时；
判定所述三级蚀刻对象不符合使用标准，对所述不符合使用标准的蚀刻对象进行计数，并根据所述检测结果进行分类处理，确定分类结果，并对分类结果进行记录。
8.一种应用于蚀刻机的射频电源控制系统，其特征在于，包括需求确定模块：用于判断待蚀刻对象的蚀刻类型，并根据所述蚀刻类型确定蚀刻需求；
模型生成模块：用于根据所述蚀刻需求，建立基于射频电源的模拟蚀刻模型；
方案输出模块：用于根据所述模拟蚀刻模型，确定射频电源的控制方案，并根据所述控制方案对待蚀刻对象进行蚀刻；
获取蚀刻信息，确定待蚀刻对象的蚀刻类型，并根据所述蚀刻类型，确定蚀刻需求，包括：
获取蚀刻信息，确定待蚀刻对象的基本参数，并根据所述基本参数，确定待蚀刻对象的检索信息；
根据所述检索信息，通过预先设置的蚀刻数据库，获取所述待蚀刻对象的蚀刻类型和蚀刻流程；
对所述待蚀刻对象的蚀刻类型和蚀刻流程进行分析，确定蚀刻需求；
所述获取蚀刻信息，确定待蚀刻对象的基本参数，并根据所述基本参数，确定待蚀刻对象的检索信息，还包括：
判断所述待蚀刻对象的基本参数是否符合蚀刻标准，其过程包括：
射频电源通过发出射频信号对待蚀刻对象的基本参数进行实时获取；其中，所述基本参数包括：材料组成、形状数据、尺寸大小；
根据所述待蚀刻对象的基本参数，调取预先存储的蚀刻对象数据库，将所述基本参数与数据库中的模板蚀刻参数进行比较，确定比较结果；
根据所述比较结果，判断所述待蚀刻对象的基本参数是否能达到工作标准；
当所述待蚀刻对象的基本参数符合蚀刻标准时，触发蚀刻机启动命令，并发出控制信号；
当所述待蚀刻对象的基本参数不符合工作标准时，向蚀刻机发送停止运行指令，并自动开启故障检测，将不符合标准的基本参数发送至预设的管理平台。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111337176.2A CN114114966B (zh) | 2021-11-12 | 2021-11-12 | 一种应用于蚀刻机的射频电源控制方法及系统 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111337176.2A CN114114966B (zh) | 2021-11-12 | 2021-11-12 | 一种应用于蚀刻机的射频电源控制方法及系统 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114114966A CN114114966A (zh) | 2022-03-01 |
| CN114114966B true CN114114966B (zh) | 2024-01-05 |
Family
ID=80378889
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202111337176.2A Active CN114114966B (zh) | 2021-11-12 | 2021-11-12 | 一种应用于蚀刻机的射频电源控制方法及系统 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN114114966B (zh) |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW429470B (en) * | 1999-10-08 | 2001-04-11 | United Microelectronics Corp | Output power monitoring device for monitoring the radio frequency power of an etcher |
| CN101728225A (zh) * | 2008-10-23 | 2010-06-09 | 和舰科技(苏州)有限公司 | 一种防止因零件损坏而造成晶片蚀刻异常的方法 |
| CN202008614U (zh) * | 2010-12-24 | 2011-10-12 | 晶澳（扬州）太阳能科技有限公司 | 一种刻蚀机射频功率的控制系统 |
| TW201419408A (zh) * | 2012-11-05 | 2014-05-16 | Advanced Micro Fab Equip Inc | 一種脈衝射頻輸出功率控制反應等離子體刻蝕的方法 |
| CN104281185A (zh) * | 2013-07-12 | 2015-01-14 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 射频控制系统及方法、反应腔室、等离子体加工设备 |
| CN107450118A (zh) * | 2017-06-22 | 2017-12-08 | 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 | 一种调节占空比的刻蚀方法 |
| CN110299279A (zh) * | 2019-08-22 | 2019-10-01 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 一种射频电源系统、等离子体处理器及其调频匹配方法 |
| CN113366603A (zh) * | 2019-02-08 | 2021-09-07 | 应用材料公司 | 蚀刻半导体结构的方法和设备 |
-
2021
- 2021-11-12 CN CN202111337176.2A patent/CN114114966B/zh active Active
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW429470B (en) * | 1999-10-08 | 2001-04-11 | United Microelectronics Corp | Output power monitoring device for monitoring the radio frequency power of an etcher |
| CN101728225A (zh) * | 2008-10-23 | 2010-06-09 | 和舰科技(苏州)有限公司 | 一种防止因零件损坏而造成晶片蚀刻异常的方法 |
| CN202008614U (zh) * | 2010-12-24 | 2011-10-12 | 晶澳（扬州）太阳能科技有限公司 | 一种刻蚀机射频功率的控制系统 |
| TW201419408A (zh) * | 2012-11-05 | 2014-05-16 | Advanced Micro Fab Equip Inc | 一種脈衝射頻輸出功率控制反應等離子體刻蝕的方法 |
| CN104281185A (zh) * | 2013-07-12 | 2015-01-14 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 射频控制系统及方法、反应腔室、等离子体加工设备 |
| CN107450118A (zh) * | 2017-06-22 | 2017-12-08 | 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 | 一种调节占空比的刻蚀方法 |
| CN113366603A (zh) * | 2019-02-08 | 2021-09-07 | 应用材料公司 | 蚀刻半导体结构的方法和设备 |
| CN110299279A (zh) * | 2019-08-22 | 2019-10-01 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 一种射频电源系统、等离子体处理器及其调频匹配方法 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| 基于PLC的等离子体干法刻蚀设备控制系统的设计;杨硕;高峰;李素华;钟立华;;工业控制计算机(01);全文 * |
| 杨硕 ; 高峰 ; 李素华 ; 钟立华 ; .基于PLC的等离子体干法刻蚀设备控制系统的设计.工业控制计算机.2015,(01),全文. * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN114114966A (zh) | 2022-03-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8038896B2 (en) | Plasma processing method and apparatus | |
| US5993615A (en) | Method and apparatus for detecting arcs | |
| KR101741272B1 (ko) | 플라즈마 프로세싱 툴을 위한 인-시츄 프로세스 모니터링 및 제어를 위한 방법 및 장치 | |
| CN100552889C (zh) | 等离子体处理装置 | |
| CN1684224A (zh) | 用于创建等离子体处理系统的数学模型的方法和阵列 | |
| CN111610418B (zh) | 一种基于智能特高频传感器的gis局部放电定位方法 | |
| CN104237750A (zh) | 一种gis绝缘缺陷局部放电故障图谱绘制方法 | |
| KR100964804B1 (ko) | 아크 감지 장치와 아크 감지 방법 | |
| CN114114966B (zh) | 一种应用于蚀刻机的射频电源控制方法及系统 | |
| CN113994453A (zh) | 半导体装置制造系统以及半导体装置制造方法 | |
| KR102373933B1 (ko) | 반도체 가공 장치를 진단하는 진단 시스템 및 그것의 제어 방법 | |
| TW201821192A (zh) | 用於放電加工機之精度預測的特徵萃取方法及預測方法 | |
| JP2003100708A (ja) | 終点判別方法、半導体処理装置および半導体装置の製造方法 | |
| CN102147440A (zh) | 变压器油纸绝缘沿面局部放电缺陷严重程度诊断方法 | |
| CN109901003A (zh) | 一种逆变器功率故障检测方法及系统 | |
| CN114137403B (zh) | 一种基于辐射电磁波的有载分接开关电气寿命评估系统和方法 | |
| CN111458608A (zh) | 电子枪放电信号的检测与收集系统及其方法 | |
| CN212433315U (zh) | 电子枪放电信号的检测与收集系统 | |
| CN114154858A (zh) | 一种提高陶瓷基板性能检测效率的抽样方法 | |
| CN113919515A (zh) | 干法刻蚀机预防性维护方法、系统及存储介质 | |
| CN109886438A (zh) | 一种射频电源的维修检测方法 | |
| CN115621107B (zh) | 一种离子注入机束流状态侦测方法、装置、设备及介质 | |
| CN111913078A (zh) | 一种基于运行的输电线路故障识别方法 | |
| CN104730372A (zh) | 基于rf阻抗模型的故障检测 | |
| TWI779395B (zh) | 利用電漿蝕刻去除晶圓缺陷的重工處理設備 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP03 | Change of name, title or address |
Address after: 518000 12F, Tower B, World Trade Plaza, No. 9, Fuhong Road, Funan Community, Futian District, Shenzhen, Guangdong Patentee after: Huake Co.,Ltd. Country or region after: China Address before: 518000 Room 501, leizhen building, no.40-5, fuming Road, Funan community, Futian street, Futian District, Shenzhen City, Guangdong Province Patentee before: Huake Electronics Co.,Ltd. Country or region before: China |
|
| CP03 | Change of name, title or address |