CN114112574B - 用于介观尺度弯曲试样力学性能测试的磁控溅射成形装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种用于介观尺度弯曲试样力学性能测试的磁控溅射成形装置,其解决了现有用于介观尺度弯曲试样力学性能测试的磁控溅射成形装置尚未公开的技术问题,其试样定位框开设有用于放置弯曲试样的放置通孔,放置通孔与弯曲试样相匹配;试样定位框容置于中空框体内,试样定位框设在一对金属镀膜成形板之间,金属镀膜成形板开设呈阵列分布的第一通孔,第一通孔为圆形孔,第一通孔的孔径为微米级;一对金属镀膜成形板设在一对压板之间,一对压板可拆卸安装在中空框体的上下两侧;位于上下两侧的压板分别压在其临近的金属镀膜成形板上,使一对金属镀膜成形板分别紧压在弯曲试样的狭长测试部的上下表面,可广泛应用于材料力学性能测量技术领域。
Description
技术领域
本申请涉及材料力学性能测量技术领域,特别涉及用于介观尺度弯曲试样力学性能测试的磁控溅射成形装置。
背景技术
随着微电子、微机械行业的发展,薄板微型构件的需求量越来越大,但是由于介观尺度下塑性变形的尺度效应的存在,使得金属薄板的塑性变形能力异于宏观条件,为改进塑性微成形工艺,需要对金属薄板介观尺度下的塑性变形行为进行系统的研究。
其中,由于弯曲工艺在薄板塑性微成形工艺中的所占比例较大,尤其是微型引线框架的成形过程中,微弯曲工艺更是承担着重要作用。宏观弯曲工艺中,板材上与一个表面发生压缩类变形,另一个表面发生伸长类变形。由于宽板在宽度方向的尺寸较大,宽度方向上的材料会相互限制其向宽度方向发生塑性流动,最终宽板的应变状态为平面应变状态,其厚度方向的横截面与原板材的横截面几乎相同,仍为矩形。而在窄板变形区中,由于其宽度方向上尺寸较小,宽度方向上的材料相互限制变形的能力较差,最终窄板变形区的应变状态为三向应变状态,窄板变形区在厚度方向上的横截面积会变为扇形。
而介观尺度下金属薄板的厚度(t)处于微米、亚微米尺度,其厚度方向上晶粒间的协调变形能力将直接影响材料的变形行为,导致薄板中宽板与窄板的应变演化都有异于宏观条件下宽板与窄板的应变演化行为,增加了微弯曲工艺成形性的不确定性。为优化微弯曲工艺,需要一种有效、准确的表征方法对微弯曲工艺中薄板的变形行为进行表征,研究薄板上下表面的应变演化行为、弯曲力学性能以及其回弹行为。
目前,介观尺度下的应变分布测量主要采用两种方法:
(1)激光测量与数字散斑全场应变测量方法。激光测量方法的原理是在试样表面进行标记引出形变,利用激光直线传播的特点来获取试样上标记区域的位移变化,而后通过计算确定激光照射处的应变。但是,由于弯曲工艺中的单弯、三点弯、四点弯中冲头直接与试样上表面接触,导致激光无法直接照射在试样表面,无法完成试样与冲头接触的表面的应变测量,而试样中与冲头不发生接触的表面下方的空间较为狭小,且无恒定光路存在,导致激光测量无法准确表征该表面的应变演化。
(2)数字散斑全场应变测量方法。该测量方法为目前较为优秀的应变测量方法,它的原理是通过测量喷漆上散斑点的位移来计算试样变形区各处的应变。该方法可实现测量变形过程中任意时刻的应变测量,且可以形成试样测量区域的应变云图。但是,该方法只适用于被测试样表面与测量镜头之间有着连续的光路,所以该方法同样无法完成试样与冲头接触的表面的应变测量,且由于介观尺度下薄板厚度较小,弯曲变形抗力较低,试样表面喷漆相对较厚,喷漆对于试样的弯曲力学性能与回弹性能影响较大,无法准确测量介观尺度下金属薄板的弯曲变形行为,使弯曲工艺的进一步优化受到限制。
由此可见,上述两种方法由于其各自的限制性,无法准确测量弯曲变形过程中试样上下表面的应变数据,导致无法的准确程度降低,无法有效指导成形工艺的优化。申请人通过潜心研究,通过磁控溅射在被测试样的上下两面形成阵列排布的微几何图形,并严格控制溅射的微几何图形的厚度,该应变标识最大程度的减小对弯曲试样的力学性能测试的影响。通过磁控溅射形成的微几何图形与金属试样间的结合力为金属键,其强度远远大于通过现有印刷成形的微几何图形与金属试样的范德华力,其成形的微几何图形的变形与试样的变形一致性较好。且本应变分布测量方法对试样变形条件、变形空间的光路没有特定要求,解决了上述现有介观尺度弯曲试样的应变分布测量的方法的弊端。目前用于介观尺度弯曲试样力学性能测试的磁控溅射成形装置尚未公开。
发明内容
本发明的目的是为了解决上述技术的不足,提供一种用于介观尺度弯曲试样力学性能测试的磁控溅射成形装置,通过磁控溅射在被测试样的上下两面形成的阵列排布的微几何图形。
为此,本发明提供一种用于介观尺度弯曲试样力学性能测试的磁控溅射成形装置,其设有中空框体、试样定位框、一对金属镀膜成形板和一对压板;试样定位框开设有用于放置弯曲试样的放置通孔,放置通孔与弯曲试样的形状、大小相匹配;试样定位框容置于中空框体内,试样定位框设置在一对金属镀膜成形板之间,金属镀膜成形板开设有呈阵列分布的第一通孔,第一通孔为圆形孔,第一通孔的孔径为微米级;一对金属镀膜成形板设置在一对压板之间,一对压板可拆卸的安装在中空框体的上下两侧;位于上下两侧的压板的板身分别压在位于其临近的金属镀膜成形板上,使一对金属镀膜成形板分别紧压在弯曲试样的狭长测试部的上下表面。
优选的,压板开设有第二通孔,第二通孔的大小大于第一通孔的孔径;紧贴在弯曲试样的狭长测试部上的第一通孔与第二通孔相连通。
优选的,中空框体的框体内侧开设一对凹槽,试样定位框设置在一对凹槽之间,一对金属镀膜成形板分别相对应的安装在一对凹槽内。
优选的,本发明还设有一对橡胶层,一对橡胶层设置在一对压板之间,一对金属镀膜成形板设置在一对橡胶层之间;在橡胶层弹性力的作用下,金属镀膜成形板紧密贴合在弯曲试样上;橡胶层开设有第三通孔,第三通孔的大小大于第一通孔的孔径;第二通孔、第三通孔、第一通孔相连通设置。
优选的,试样定位框、一对金属镀膜成形板、一对橡胶层、及一对压板均容置在中空框体内。
优选的,中空框体为矩形框结构设置。
优选的,第一通孔在金属镀膜成形板呈矩形阵列分布,第一通孔的孔径为100μm。
优选的,金属镀膜成形板的厚度不大于0.1mm,且第一通孔的孔壁外沿向外倒有第一斜角,第一斜角的角度为45°。
优选的,第二通孔的外沿倒有第一圆角;中空框体外沿部分的各边倒有第二圆角。
优选的,中空框体上连接设有把手。
优选的,压板通过螺栓可拆卸的安装在中空框体上。
本发明的有益效果是:本发明提供一种用于介观尺度弯曲试样力学性能测试的磁控溅射成形装置,其设有中空框体、试样定位框、一对金属镀膜成形板和一对压板;使用时,将试样定位框、一对金属镀膜成形板、一对橡胶层、及一对压板分别容置在中空框体内。此时,弯曲试样定位放置在试样定位框的放置通孔内,试样定位框放置在一对金属镀膜成形板之间,一对金属镀膜成形板放置在一对橡胶层之间,一对橡胶层放置在一对压板之间,通过一对压板,将一对金属镀膜成形板紧贴在弯曲试样的上下表面,将安装有弯曲试样的磁控溅射成形装置放入磁控溅射设备,在位于第一通孔的底部的弯曲试样的狭长测试部的表面磁控溅射金属镀膜。在弯曲试样的狭长测试部的上下表面通过磁控溅射成形出呈阵列分布的微米级金属镀膜,金属镀膜轮廓清晰,通过严格控制溅射的金属镀膜的厚度,该应变标识最大程度的减小对弯曲试样的力学性能测试的影响。当弯曲试样为金属薄板时,通过磁控溅射形成的金属镀膜微几何图形与弯曲试样间的结合力为金属键,其强度远远大于通过现有印刷成形的微几何图形与弯曲试样的范德华力,在冲头下压过程中,使用本发明成形的金属镀膜微几何图形的变形与弯曲试样的变形一致性较好;当弯曲试样为非金属薄板时,磁控溅射的金属镀膜微几何图形能够准确标识变形后试样的应变分布,克服了现有印刷成形的微几何图形印刷网格线条粗大,且线宽准确性较差,在试验后无法用于应变标识与测量的弊端。而且,使用本发明磁控溅射制备的弯曲试样的应变分布测量方法对弯曲试样变形条件、变形空间的光路没有特定要求,解决了现有介观尺度弯曲试样的激光测量与数字散斑全场应变测量方法、数字散斑全场应变测量方法的弊端。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为装配有弯曲试样的本发明磁控溅射成形装置的结构示意图;
图2为弯曲试样的主视图的结构示意图;
图3为弯曲试样的立体图的结构示意图;
图4为图1所示的断面结构示意图;
图5为图4所示的A部放大图的结构示意图;
图6为图4所示的第一通孔的截面结构示意图;
图7为图1所示的爆炸图的结构示意图。
图中标记:1.中空框体,2.金属镀膜成形板,3.压板,4.弯曲试样,5.试样定位框,6.橡胶层,7.螺栓,8.金属镀膜,11.第二圆角,12.把手,13.安装凹槽,14.凹槽,21.第一通孔,31.第二通孔,32.紧固端部,33.压边板部,41.狭长测试部,42.宽部夹持部,51.放置通孔,61.第三通孔,211.第一斜角,212.第二斜角,311.第一圆角,α.第一斜角211的角度,β.第二斜角212的角度。
具体实施方式
为了使本申请所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本申请进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请,并不用于限定本申请。本发明中所使用的方法如无特殊规定,均为常规的方法;所使用的原料和装置,如无特殊规定,均为常规的市售产品。
由图2、图3所示,介观尺度弯曲试样4为一体式结构,其设有宽部夹持部42和狭长测试部41,且宽部夹持部42连接在狭长测试部41的一端,在弯曲试样4的狭长测试部41的上下表面分别通过磁控溅射方法设置有金属镀膜8,金属镀膜8作为弯曲试样4的力学性能测试的应变标识;该金属镀膜8为呈阵列分布的微几何圆形结构,每个金属镀膜8的直径大小为微米级,最好为矩形阵列分布。
本发明提供一种用于介观尺度弯曲试样力学性能测试的磁控溅射成形装置,用于弯曲试样4的狭长测试部41上下两面的金属镀膜8的磁控溅射成形。由图1、图5、图7所示,本发明设有中空框体1、试样定位框5、一对金属镀膜成形板2和一对压板3,其中试样定位框5开设有用于放置弯曲试样4的放置通孔51,放置通孔51与弯曲试样4的形状、大小相匹配;放置通孔51的数量可以设置为多个,两个放置通孔51为一组,且相对间隔设置,多组放置通孔51并行排列设置,有效利用试样定位框5空间。试样定位框5容置于中空框体1内,试样定位框5设置在一对金属镀膜成形板2之间,金属镀膜成形板2开设有呈阵列分布的第一通孔21,第一通孔21为圆形孔,第一通孔21的孔径为微米级,呈阵列分布的每个第一通孔21的孔径尺寸相同,保证可以准确表征作为变形区域的狭长测试部41的上下两面的应变分布;一对金属镀膜成形板2设置在一对压板3之间,一对压板3可拆卸的安装在中空框体1的上下两侧;位于上下两侧的压板3的板身分别压在位于其临近的金属镀膜成形板2上,使一对金属镀膜成形板2分别紧压在弯曲试样4的狭长测试部41的上下表面。
作为优选的实施例,由图5、图7所示,压板3开设有第二通孔31,第二通孔31的大小大于第一通孔21的孔径;紧贴在弯曲试样4的狭长测试部41上的第一通孔21与第二通孔31相连通。
作为优选的实施例,由图5、图7所示,中空框体1的框体内开设一对凹槽14,试样定位框5设置在一对凹槽14之间,一对金属镀膜成形板2分别相对应的安装在一对凹槽14内,设置凹槽14用于定位安放金属镀膜成形板2和试样定位框5。
作为优选的实施例,由图5、图7所示,本发明还设有一对橡胶层6,一对橡胶层6设置在一对压板3之间,一对金属镀膜成形板2设置在一对橡胶层6之间;在橡胶层6弹性力的作用下,金属镀膜成形板2紧密贴合在弯曲试样4上,最大限度的保证了金属镀膜成形板2与弯曲试样4接触区域的平整、紧密贴合;橡胶层6开设有第三通孔61,第三通孔61的大小大于第一通孔21的孔径;第二通孔31、第三通孔61、第一通孔21相连通设置。
作为优选的实施例,由图5所示,试样定位框5、一对金属镀膜成形板2、一对橡胶层6、及一对压板3均容置在中空框体1内,使本发明结构更加紧凑,各层部件之间结合更加紧密牢固。作为进一步优选的实施例,中空框体1为矩形框结构设置。
作为优选的实施例,由图5、图7所示,第一通孔21在金属镀膜成形板2呈矩形阵列分布,可根据弯曲试样4的实际情况,选择确定紧贴在弯曲试样4的狭长测试部41上的第一通孔21矩形阵列的行数和列数;第一通孔21的孔径可以为100μm。
作为优选的实施例,由图6所示,金属镀膜成形板2的厚度不大于0.1mm,且第一通孔21的孔壁外沿向外倒有第一斜角211,第一斜角211的角度α可以设置为45°,进一步的减小第一通孔21直壁部分对靶材原子沉积过程的影响。作为进一步优选的实施例,为了在第一通孔21的孔径尺寸限制范围内,提高靶材原子落入第一通孔21的底部的效率,提升弯曲试样4的狭长测试部41金属镀膜8微几何图形成形效果,采用二级斜角结构,进一步减小第一通孔21的孔壁对于靶材原子沉积落入第一通孔21的底部的影响,在位于第一斜角211下部的第一通孔21的孔壁设有第二斜角212,且第二斜角212的角度β小于第一斜角211的角度α,减小位于第一斜角211下部的第一通孔21的孔壁对于靶材原子沉积落入圆孔的影响,进一步提升弯曲试样4的狭长测试部41金属镀膜8微几何图形成形的均匀性。同样的,可在开有第一斜角211、第二斜角212的二级斜角基础上,在位于第二斜角212下部的第一通孔21的孔壁设有第三斜角,原理同二级斜角相同,以此类推,最终可以将整个直壁部分由一级一级的斜角代替。即第一通孔21面向来自金属原子溅射方向的开口逐渐增大,类似喇叭口形状,极大的增加了靶材原子落入第一通孔21的底部的概率,进一步提升弯曲试样4的狭长测试部41金属镀膜8微几何图形成形的均匀性。
作为优选的实施例,由图7所示,第二通孔31的外沿倒有第一圆角311,尽量减小第二通孔31的外沿对靶材原子的沉积过程的影响。
作为优选的实施例,由图7所示,中空框体1外沿部分的各边倒有第二圆角11,用于减小在磁控溅射设备中装夹与拆卸本装置的过程中的摩擦力。
作为优选的实施例,由图1、图7所示,中空框体1上连接设有把手12,用于在磁控溅射设备中本装置的装夹与拆卸。
作为优选的实施例,由图1、图7所示,压板3通过螺栓7可拆卸的安装在中空框体1上,作为进一步优选的实施例,压板3设有紧固端部32和压边板部33,其中紧固端部32连接设置在压边板部33的边部,中空框体1上的边部开设有与凹槽14相连通的安装凹槽13,紧固端部32安装设置在安装凹槽13内,螺栓7穿过紧固端部32,将压板3安装在中空框体1上,使压边板部33紧压在金属镀膜成形板2上,为进一步在溅射过程中保证金属镀膜成形板2与弯曲试样4的紧密结合,得到轮廓清晰的阵列微几何金属镀膜8。
本发明的使用方法,其包括以下步骤:
(1)将试样定位框5定位放置在中空框体1内,再把弯曲试样4定位放置在试样定位框5的放置通孔51内。
(2)将试样定位框5放置在一对金属镀膜成形板2之间,然后一对金属镀膜成形板2放置在一对橡胶层6之间,一对橡胶层6放置在一对压板3之间,此时试样定位框5、一对金属镀膜成形板2、一对橡胶层6、及一对压板3均容置在中空框体1内,最后通过螺栓7将一对压板3分别固定安装在中空框体1上;一对橡胶层6受压发生弹性形变,在橡胶层6弹性力的作用下,使一对金属镀膜成形板2分别紧密贴合在弯曲试样4的上下表面,并确保紧贴在弯曲试样4的狭长测试部41上的第一通孔21与第二通孔31、第三通孔61相连通;完成弯曲试样4在磁控溅射成形装置内的安装。
(3)将安装有弯曲试样4的磁控溅射成形装置放入磁控溅射设备的磁控溅射腔室内,在位于第一通孔21的底部的狭长测试部41的上下表面分别磁控溅射金属镀膜8。
在实际操作过程中,应保证通过磁控溅射在弯曲试样4的表面形成的阵列排布的金属镀膜8对于样品本身强度的影响小于0.5%,且控制溅射的微几何图形金属镀膜8的厚度不超过200nm,最大程度的减小金属镀膜8对弯曲试样4的力学性能测试的影响。例如:采取的磁控溅射参数为电压0.38kV,电流0.26A,每分钟溅射厚度20nm,溅射时长8min,最终金属镀膜8的溅射厚度为160nm。由于介观尺度弯曲试样4的厚度较小、强度较低,因此,在弯曲试样4上溅射金属镀膜8的厚度要控制的非常小,以最大程度的减小金属镀膜8对试样的力学性能测试的影响。另外,根据弯曲试样4的颜色,最好选择与其颜色对比鲜明,且化学性质比弯曲试样4材料稳定的金属,作为金属溅射靶材,例如弯曲试样4的材料如果为纯铜,可以选择与其颜色反差较大的纯钛,作为金属溅射靶材。
磁控溅射腔室内的氩气在高真空,高电压下被电离为具有较高速度的氩离子撞击金属溅射靶材,金属溅射靶材表面上的金属原子受撞击朝各个角度飞出,其中一部分金属原子先后穿过第二通孔31、第三通孔61,落在金属镀膜成形板2表面、及其第一通孔21的孔壁表面;一部分少量的金属原子先后穿过第二通孔31、第三通孔61、第一通孔21,落在位于第一通孔21底部的弯曲试样4的狭长测试部41表面,且与狭长测试部41表面的原子形成金属键,随溅射过程的持续,金属原子逐渐在狭长测试部41的表面聚集生长为具有一定厚度的薄膜,最终在弯曲试样4的狭长测试部41表面形成金属镀膜8微几何图形。
(4)弯曲试样4的狭长测试部41的上下表面完成磁控溅射金属镀膜8后,将磁控溅射成形装置从磁控溅射设备内取出;拆卸磁控溅射成形装置,将金属镀膜成形板2与弯曲试样4相互分离,获得狭长测试部41的上下表面分别溅射有金属镀膜8的可进行微观拉伸的介观尺度弯曲试样4。
本发明提供一种用于介观尺度弯曲试样力学性能测试的磁控溅射成形装置,其设有中空框体1、试样定位框5、一对金属镀膜成形板2和一对压板3;使用时,将试样定位框5、一对金属镀膜成形板2、一对橡胶层6、及一对压板3按照预定的叠放顺序分别容置在中空框体1内。此时,弯曲试样4定位放置在试样定位框5的放置通孔51内,试样定位框5放置在一对金属镀膜成形板2之间,一对金属镀膜成形板2放置在一对橡胶层6之间,一对橡胶层6放置在一对压板3之间,通过一对压板3,将一对金属镀膜成形板2紧贴在弯曲试样4的上下表面,将安装有弯曲试样4的磁控溅射成形装置放入磁控溅射设备,在位于第一通孔21的底部的弯曲试样4的狭长测试部41的表面磁控溅射金属镀膜8。在弯曲试样4的狭长测试部41的上下表面通过磁控溅射成形出呈阵列分布的微米级金属镀膜8,金属镀膜8轮廓清晰,通过严格控制溅射的金属镀膜8的厚度,该应变标识最大程度的减小对弯曲试样4的力学性能测试的影响。当弯曲试样4为金属薄板时,通过磁控溅射形成的金属镀膜8微几何图形与弯曲试样4间的结合力为金属键,其强度远远大于通过现有印刷成形的微几何图形与弯曲试样的范德华力,在冲头下压过程中,使用本发明成形的金属镀膜8微几何图形的变形与弯曲试样4的变形一致性较好;当弯曲试样4为非金属薄板时,磁控溅射的金属镀膜8微几何图形能够准确标识变形后试样的应变分布,克服了现有印刷成形的微几何图形印刷网格线条粗大,且线宽准确性较差,在试验后无法用于应变标识与测量的弊端。而且,使用本发明磁控溅射制备的弯曲试样4的应变分布测量方法对弯曲试样4变形条件、变形空间的光路没有特定要求,解决了现有介观尺度弯曲试样的激光测量与数字散斑全场应变测量方法、数字散斑全场应变测量方法的弊端。
需要说明的是,介观尺度弯曲试样4最好为介观尺度薄板成形极限试样。
在本发明的描述中,需要理解的是,术语“左”、“右”、“上”、“下”、“顶”、“底”、“前”、“后”、“内”、“外”、“背”、“中间”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具备特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。需要说明的是,在上述的实施方式中,所述的“第一”、“第二”和“第三”并不代表结构和/或功能上的绝对区分关系,也不代表先后的执行顺序,而仅仅是为了描述的方便。
以上所述仅为本申请的较佳实施例而已,并不用以限制本申请,凡在本申请的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本申请的保护范围之内。
Claims (8)
1.用于介观尺度弯曲试样力学性能测试的磁控溅射成形装置,其特征在于,所述磁控溅射成形装置设有中空框体(1)、试样定位框(5)、一对金属镀膜成形板(2)和一对压板(3);所述试样定位框(5)开设有用于放置弯曲试样(4)的放置通孔(51),所述放置通孔(51)与所述弯曲试样(4)的形状、大小相匹配;所述试样定位框(5)容置于所述中空框体(1)内,所述试样定位框(5)设置在一对所述金属镀膜成形板(2)之间,所述金属镀膜成形板(2)开设有呈阵列分布的第一通孔(21),所述第一通孔(21)为圆形孔,所述第一通孔(21)的孔径为微米级;一对所述金属镀膜成形板(2)设置在一对所述压板(3)之间,一对所述压板(3)可拆卸的安装在所述中空框体(1)的上下两侧;位于上下两侧的所述压板(3)的板身分别压在位于其临近的所述金属镀膜成形板(2)上,使一对所述金属镀膜成形板(2)分别紧压在所述弯曲试样(4)的狭长测试部(41)的上下表面;
所述压板(3)开设有第二通孔(31),所述第二通孔(31)的大小大于所述第一通孔(21)的孔径;紧贴在所述弯曲试样(4)的狭长测试部(41)上的所述第一通孔(21)与所述第二通孔(31)相连通;
所述中空框体(1)的框体内开设一对凹槽(14),所述试样定位框(5)设置在一对所述凹槽(14)之间,一对所述金属镀膜成形板(2)分别相对应的安装在一对所述凹槽(14)内。
2.根据权利要求1所述的用于介观尺度弯曲试样力学性能测试的磁控溅射成形装置,其特征在于,所述磁控溅射成形装置还设有一对橡胶层(6),一对所述橡胶层(6)设置在一对所述压板(3)之间,一对所述金属镀膜成形板(2)设置在一对所述橡胶层(6)之间;在所述橡胶层(6)弹性力的作用下,所述金属镀膜成形板(2)紧密贴合在所述弯曲试样(4)上;所述橡胶层(6)开设有第三通孔(61),所述第三通孔(61)的大小大于所述第一通孔(21)的孔径;所述第二通孔(31)、所述第三通孔(61)、所述第一通孔(21)相连通设置。
3.根据权利要求2所述的用于介观尺度弯曲试样力学性能测试的磁控溅射成形装置,其特征在于,所述试样定位框(5)、一对所述金属镀膜成形板(2)、一对所述橡胶层(6)、及一对所述压板(3)均容置在所述中空框体(1)内。
4.根据权利要求1所述的用于介观尺度弯曲试样力学性能测试的磁控溅射成形装置,其特征在于,所述第一通孔(21)在所述金属镀膜成形板(2)呈矩形阵列分布,所述第一通孔(21)的孔径为100 μm。
5.根据权利要求1所述的用于介观尺度弯曲试样力学性能测试的磁控溅射成形装置,其特征在于,所述金属镀膜成形板(2)的厚度不大于0.1 mm,且所述第一通孔(21)的孔壁外沿向外倒有第一斜角(211),所述第一斜角(211)的角度为45°。
6.根据权利要求1所述的用于介观尺度弯曲试样力学性能测试的磁控溅射成形装置,其特征在于,所述第二通孔(31)的外沿倒有第一圆角(311);所述中空框体(1)外沿部分的各边倒有第二圆角(11)。
7.根据权利要求1所述的用于介观尺度弯曲试样力学性能测试的磁控溅射成形装置,其特征在于,所述中空框体(1)上连接设有把手(12)。
8.根据权利要求1所述的用于介观尺度弯曲试样力学性能测试的磁控溅射成形装置,其特征在于,所述压板(3)通过螺栓(7)可拆卸的安装在所述中空框体(1)上。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202111346733.7A CN114112574B (zh) | 2021-11-15 | 2021-11-15 | 用于介观尺度弯曲试样力学性能测试的磁控溅射成形装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202111346733.7A CN114112574B (zh) | 2021-11-15 | 2021-11-15 | 用于介观尺度弯曲试样力学性能测试的磁控溅射成形装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN114112574A CN114112574A (zh) | 2022-03-01 |
CN114112574B true CN114112574B (zh) | 2022-06-24 |
Family
ID=80395291
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202111346733.7A Active CN114112574B (zh) | 2021-11-15 | 2021-11-15 | 用于介观尺度弯曲试样力学性能测试的磁控溅射成形装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN114112574B (zh) |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100838065B1 (ko) * | 2002-05-31 | 2008-06-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막증착기용 고정장치와 이를 이용한 고정방법 |
JP2016003386A (ja) * | 2014-06-19 | 2016-01-12 | 株式会社システム技研 | 成膜ホルダ |
US10541387B2 (en) * | 2015-09-30 | 2020-01-21 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Deposition mask, method of manufacturing deposition mask and metal plate |
CN106756780B (zh) * | 2017-01-23 | 2019-03-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种用于溅射成膜工艺的掩膜板及溅射装置 |
CN107228801B (zh) * | 2017-05-11 | 2020-01-07 | 上海交通大学 | 一种金属板材面外剪切性能测试方法 |
CN111220490A (zh) * | 2018-11-26 | 2020-06-02 | 青海大学 | 一种金属薄片试样硬度测试方法 |
CN110379758B (zh) * | 2019-07-05 | 2021-02-02 | 深超光电(深圳)有限公司 | 吸附装置、转移系统及转移方法 |
-
2021
- 2021-11-15 CN CN202111346733.7A patent/CN114112574B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN114112574A (zh) | 2022-03-01 |
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PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |