CN114094865A - 一种桥臂串扰处理方法、装置、电子设备及存储介质 - Google Patents

一种桥臂串扰处理方法、装置、电子设备及存储介质 Download PDF

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CN114094865A CN202111336906.7A CN202111336906A CN114094865A CN 114094865 A CN114094865 A CN 114094865A CN 202111336906 A CN202111336906 A CN 202111336906A CN 114094865 A CN114094865 A CN 114094865A
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Abstract

本申请提供了一种桥臂串扰处理方法、装置、电子设备及存储介质,涉及桥臂串扰技术领域。该桥臂串扰处理方法应用于逆变桥,逆变桥的每一桥臂均连接有串扰抑制组件,当任一桥臂导通时,获取预设周期内输入的直流电压值,然后依据周期、直流电压值以及预设的最大栅极电压公式确定目标桥臂的最大栅极电压,其中,目标桥臂与导通的桥臂关联,并且当最大栅极电压超过目标桥臂的预设栅极电压阈值时,控制串扰抑制组件动作,以防止目标桥臂发生串扰。本申请具有能够防止桥臂串扰的优点。

Description

一种桥臂串扰处理方法、装置、电子设备及存储介质
技术领域
本申请涉及桥臂串扰技术领域,具体而言,涉及一种桥臂串扰处理方法、装置、电子设备及存储介质。
背景技术
SiC作为宽禁带半导体器件,以其高速开关、高功率密度、耐高温、低损耗等突出优点受到广泛的关注和研究。在电机控制器中使用SiC功率模块,可减小控制器体积、提高功率密度及效率。
在实际应用中,SiC电机控制器需满足对碳化硅器件驱动的一些基本要求外,还需要考虑桥臂串扰问题,例如,当上桥臂导通时,由于栅极密勒效应也可能使下桥臂串扰引发的误开通。
综上,现有技术中SiC器件在使用过程中存在桥臂串扰的问题。
发明内容
本申请的目的在于提供一种桥臂串扰处理方法、装置、电子设备及存储介质,以解决现有技术中SiC器件在使用过程中存在桥臂串扰的问题。
为了实现上述目的,本申请实施例采用的技术方案如下:
第一方面,本申请实施例提供了一种桥臂串扰处理方法,所述桥臂串扰处理方法应用于逆变桥,所述逆变桥的每一桥臂均连接有串扰抑制组件,所述方法包括:
当任一桥臂导通时,获取预设周期内输入的直流电压值;
依据所述周期、所述直流电压值以及预设的最大栅极电压公式确定目标桥臂的最大栅极电压,其中,所述目标桥臂与导通的桥臂关联;
当所述最大栅极电压超过所述目标桥臂的预设栅极电压阈值时,控制所述串扰抑制组件动作,以防止所述目标桥臂发生串扰。
可选地,所述目标桥臂包括MOS管,所述最大栅极电压公式为:
Figure BDA0003350860680000021
其中,VgsM表示最大栅极电压,vgs(tr)表示周期时间内的栅极与源极之间的电压,Rg表示MOS管的等效电阻,Cgd表示栅极与漏极之间的等效电容,VDC表示输入的直流电压值,tr表示周期时间,Ciss表示MOS管的输入电容,且Ciss=Cgd+Cgs,Cgs表示栅极与源极之间的等效电容。
可选地,所述目标桥臂包括MOS管,所述串扰抑制组件包括密勒钳位器,所述密勒钳位器与所述MOS管的栅极与源极相连,所述控制所述串扰抑制组件动作,以防止所述目标桥臂发生串扰的步骤包括:
控制所述密勒钳位器导通,以防止所述目标桥臂发生串扰。
可选地,所述目标桥臂包括MOS管,所述串扰抑制组件包括外接电容,所述外接电容与所述MOS管连接,所述控制所述串扰抑制组件动作,以防止所述目标桥臂发生串扰的步骤包括:
控制所述外接电容导通,以防止所述目标桥臂发生串扰。
可选地,所述目标桥臂包括MOS管,所述串扰抑制组件包括负压关断模块,所述负压关断模块与所述MOS管连接,所述控制所述串扰抑制组件动作,以防止所述目标桥臂发生串扰的步骤包括:
控制所述负压关断模块导通,以防止所述目标桥臂发生串扰。
可选地,在所述确定目标桥臂的最大栅极电压的步骤之后,所述方法还包括:
当所述最大栅极电压小于或等于所述目标桥臂的预设栅极电压阈值时,控制所述串扰抑制组件不动作。
第二方面,本申请实施例还提供了一种桥臂串扰处理装置,所述桥臂串扰处理装置应用于逆变桥,所述逆变桥的每一桥臂均连接有串扰抑制组件,所述装置包括:
数据获取单元,用于当任一桥臂导通时,获取预设周期内输入的直流电压值;
数据处理单元,用于依据所述周期、所述直流电压值以及预设的最大栅极电压公式确定目标桥臂的最大栅极电压,其中,所述目标桥臂与导通的桥臂关联;
控制单元,用于当所述最大栅极电压超过所述目标桥臂的预设栅极电压阈值时,控制所述串扰抑制组件动作,以防止所述目标桥臂发生串扰。
可选地,所述目标桥臂包括MOS管,所述最大栅极电压公式为:
Figure BDA0003350860680000031
其中,VgsM表示最大栅极电压,vgs(tr)表示周期时间内的栅极与源极之间的电压,Rg表示MOS管的等效电阻,Cgd表示栅极与漏极之间的等效电容,VDC表示输入的直流电压值,tr表示周期时间,Ciss表示MOS管的输入电容,且Ciss=Cgd+Cgs,Cgs表示栅极与源极之间的等效电容。
第三方面,本申请实施例还提供了一种电子设备,包括存储器,用于存储一个或多个程序;处理器;当所述一个或多个程序被所述处理器执行时,实现上述的桥臂串扰处理方法。
第四方面,本申请实施例还提供了一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,该计算机程序被处理器执行时实现上述的桥臂串扰处理方法。
相对于现有技术,本申请具有以下有益效果:
本申请提供了一种桥臂串扰处理方、装置、电子设备及存储介质,该桥臂串扰处理方法应用于逆变桥,逆变桥的每一桥臂均连接有串扰抑制组件,当任一桥臂导通时,获取预设周期内输入的直流电压值,然后依据周期、直流电压值以及预设的最大栅极电压公式确定目标桥臂的最大栅极电压,其中,目标桥臂与导通的桥臂关联,并且当最大栅极电压超过目标桥臂的预设栅极电压阈值时,控制串扰抑制组件动作,以防止目标桥臂发生串扰。由于本申请能够利用获取的周期内输入的直流电压值确定出目标桥臂的最大栅极电压,并据此判断出目标桥臂是否可能出现桥臂串扰,并且在可能出现桥臂串扰时控制串扰抑制组件动作,进而避免了桥臂串扰的发生。并且,当未发生桥臂串扰时,串扰抑制组件处于未动作状态,因此不会影响桥臂的正常工作。
为使本申请的上述目的、特征和优点能更明显易懂,下文特举较佳实施例,并配合所附附图,作详细说明如下。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,应当理解,以下附图仅示出了本申请的某些实施例,因此不应被看作是对范围的限定,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它相关的附图。
图1为现有技术中逆变电路的电路示意图。
图2为本申请实施例提供的电子设备的模块示意图。
图3为本申请实施例提供的桥臂串扰处理方法的示例性流程图。
图4为本申请实施例提供的目标桥臂的等效简化电路。
图5为本申请实施例提供的串扰抑制组件的第一种电路示意图。
图6为本申请实施例提供的串扰抑制组件的第二种电路示意图。
图7为本申请实施例提供的串扰抑制组件的第三种电路示意图。
图8为本申请实施例提供的桥臂串扰处理装置的模块示意图。
图中:100-电子设备;101-处理器;102-存储器;103-通信接口;200-桥臂串扰处理装置;210-数据获取单元;220-数据处理单元;230-控制单元。
具体实施方式
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
因此,以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围,而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
应注意到:相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项,因此,一旦某一项在一个附图中被定义,则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。同时,在本申请的描述中,术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述,而不能理解为指示或暗示相对重要性。
需要说明的是,在本文中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。
下面结合附图,对本申请的一些实施方式作详细说明。在不冲突的情况下,下述的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
正如背景技术中所述,现有技术中SiC器件在使用过程中存在桥臂串扰的问题。其中,本申请所述桥臂指逆变电路中的桥臂,例如三相逆变电路,并且三相逆变电路中可以包括多个逆变桥,例如,六开关三相全桥逆变器中包括三个逆变桥,四开关三相逆变器中包括两个逆变桥。
请参阅图1,图1示出了现有技术中六开关三相全桥逆变器,其中,SW1与SW2组成了第一个逆变桥,SW3与SW4组成了第二个逆变桥,SW5与SW6组成了第三个逆变桥。三个逆变桥中的晶体管在PWM控制信号的作用下按时序进行导通与关断,进而实现将直流转换为交流的目的。
然而,在实际应用中,每个逆变桥中的一个桥臂导通时,可能会由于密勒效应的影响导致另一桥臂误导通,进而出现桥臂串扰的问题。
例如,当三相逆变桥中U相逆变桥工作时,V相与W相逆变桥关断,且U相中,上桥臂SW1导通,下桥臂SW2关断,但由于桥臂串扰的影响,可能会出现上桥臂导通时,下桥臂误动作的情况,例如误导通等情况。同理地,下桥臂导通时,也可能出现上桥臂误导通的故障,或者,其它相的上桥臂或下桥臂导通时,对应的相中的下桥臂或上桥臂误导通。
有鉴于此,本申请提供了一种桥臂串扰处理方法,通过利用最大栅极电压公式确定目标桥臂的最大栅极电压,并将最大栅极电压与栅极电压阈值进行比较的方式,确定桥臂是否可能出现串扰,并在可能出现串扰时,控制串扰抑制组件动作,以防止出现桥臂串扰的情况。
需要说明的是,本申请提供的桥臂串扰处理方法可以应用于电子设备中,请参阅图2,该电子设备100可以包括存储器102、处理器101和通信接口103,该存储器102、处理器101和通信接口103相互之间直接或间接地电性连接,以实现数据的传输或交互。例如,这些元件相互之间可通过一条或多条通讯总线或信号线实现电性连接。
存储器102可用于存储软件程序及模块,如本申请实施例提供的桥臂串扰处理装置对应的程序指令或模块,处理器101通过执行存储在存储器102内的软件程序及模块,从而执行各种功能应用以及数据处理,进而执行本申请实施例提供的定位方法的步骤。该通信接口103可用于与其他节点设备进行信令或数据的通信。
其中,存储器102可以是,但不限于,随机存取存储器102(Random Access Memory,RAM),只读存储器102(Read Only Memory,ROM),可编程只读存储器102(ProgrammableRead-Only Memory,PROM),可擦除只读存储器102(Erasable Programmable Read-OnlyMemory,EPROM),电可擦除可编程只读存储器102(Electric Erasable ProgrammableRead-Only Memory,EEPROM)等。
处理器101可以是一种集成电路芯片,具有信号处理能力。该处理器101可以是通用处理器101,包括中央处理器101(Central Processing Unit,CPU)、网络处理器101(Network Processor,NP)等;还可以是数字信号处理器101(Digital Signal Processing,DSP)、专用集成电路(Application Specific Integrated Circuit,ASIC)、现场可编程门阵列(Field-Programmable Gate Array,FPGA)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件。
可以理解,图2所示的结构仅为示意,电子设备100还可以包括比图2中所示更多或者更少的组件,或者具有与图2所示不同的配置。图2中所示的各组件可以采用硬件、软件或其组合实现。
下面对本申请提供的桥臂串扰处理方法进行示例性说明:
作为一种可选的实现方式,请参阅图3,本申请提供的桥臂串扰处理方法包括:
S102,当任一桥臂导通时,获取预设周期内输入的直流电压值。
S104,依据周期、直流电压值以及预设的最大栅极电压公式确定目标桥臂的最大栅极电压,其中,目标桥臂与导通的桥臂关联。
S106,当最大栅极电压超过目标桥臂的预设栅极电压阈值时,控制串扰抑制组件动作,以防止目标桥臂发生串扰。
其中,本申请所述的目标桥臂,即逆变桥中除导通桥臂外的另一桥臂,例如,结合图1,若U相逆变桥中,上桥臂SW1导通,则此时目标桥臂为下桥臂SW2;或者,若V相逆变桥中,下桥臂SW4导通,则此时目标桥臂为下桥臂SW3,以此类推。
通过该实现方式,可以确定出目标桥臂是否可能会出现桥臂串扰的问题,并据此确定是否需要控制串扰抑制组件动作,避免了出现桥臂串扰问题的出现,其中,本申请所述的桥臂串扰,即指在某一桥臂导通时,其对应的目标桥臂出现误导通的问题。
其中,每个桥臂均包括MOS管,可选地,每个桥臂均选用SiC MOSFET。作为一种实现方式,最大栅极电压公式为:
Figure BDA0003350860680000091
其中,VgsM表示最大栅极电压,vgs(tr)表示周期时间内的栅极与源极之间的电压,Rg表示MOS管的等效电阻,Cgd表示栅极与漏极之间的等效电容,VDC表示输入的直流电压值,tr表示周期时间,Ciss表示MOS管的输入电容,且Ciss=Cgd+Cgs,Cgs表示栅极与源极之间的等效电容。
该最大栅极电压公式可由下分析得出:
在发生桥臂串扰时,非动作桥臂(目标桥臂)的栅极驱动电压为零,MOSFET处于关断状态,忽略关断导纳,即认为ds(off)R,忽略线路杂散电感,可得到目标桥臂的等效简化电路如图4所示。
以栅极与源极之间的电压vgs为0作为零时刻,即vgs(0)=0,分别对图4中回路l1、l2、l3列出基尔霍夫电压方程,分别为:
Figure BDA0003350860680000092
Figure BDA0003350860680000093
Figure BDA0003350860680000094
其中,Cds、Cgs以及Cgd分别源极与漏极、栅极与源极以及栅极与漏极之间的等效电容的电容值,vds(t)、vgs(t)分别表示在t时刻源极与漏极、栅极与源极之间的电压,其为一瞬时值,i1(t)、i2(t)、i3(t)分别表示在t时刻i1、i2以及i3的值,其也为一瞬时值。
将vds(t)线性近似为
Figure BDA0003350860680000101
VDC为输入的直流电压值,以图1为例,VDC即表示左侧直流端的输出电压值。对式(1-3)微分,有
Figure BDA0003350860680000102
由基尔霍夫电路定律,有i1(t)=i3(t)+i4(t),
Figure BDA0003350860680000103
联立式(1-1)、式(1-2)得到:
Figure BDA0003350860680000104
对式(1-4)微分得到:
Figure BDA0003350860680000105
解微分方程式(1-5)得到:
Figure BDA0003350860680000106
式中,Ciss为MOSFET的输入电容,Ciss=Cgd+Cgs;λ是由微分方程初始条件决定的常数,将初始条件vgs(0)=0代入,得
Figure BDA0003350860680000107
代入式(1-6)得到:
Figure BDA0003350860680000108
由于在开通的时间内,vgs(t)单调上升,所以目标桥臂的最大栅源电压VgsM近似在t=tr时刻,代入式(1-7),得到:
Figure BDA0003350860680000111
可以理解地,在上述公式能够确定在某一周期目标桥臂的最大栅源电压VgsM,并且,上述公式中,变量仅为输入的直流电压值VDC与周期时间tr,在获取2个变量后,即可确定出目标桥臂的最大栅极电压。并且,公式中Rg、Cgd、Ciss等参数均与MOS管的类型关联,一旦MOS管的型号确定,则对应的等效电容、等效电阻等参数也确定。
需要说明的是,若某一周期VgsM的值大于栅极电压阈值Vgs(th),则会发生误导通,因此想要有效抑制桥臂串扰,必须设法减小VgsM。其中,栅极电压阈值Vgs(th)也与MOS管的型号关联,在此不做赘述。
因此,当最大栅极电压超过目标桥臂的预设栅极电压阈值时,控制串扰抑制组件动作,进而减小最大栅极电压VgsM的值,以防止目标桥臂发生串扰。
作为第一种实现方式,目标桥臂包括MOS管,请参阅图5,串扰抑制组件包括密勒钳位器,密勒钳位器与MOS管的栅极与源极相连,S106包括:
控制密勒钳位器导通,以防止目标桥臂发生串扰。
其中,密勒钳位器即为一密勒钳位MOS,通过在目标桥臂的栅极与源极之间增加MOS开关,可以有效抑制栅极密勒效应造成的误开通,且对MOS管的开关动作没有影响,方案抑制效果明显。
作为第二种实现方式,串扰抑制组件包括外接电容,外接电容与MOS管连接,控制串扰抑制组件动作,以防止目标桥臂发生串扰的步骤包括:
控制外接电容导通,以防止目标桥臂发生串扰。
如图6所示,根据不同型号功率管,将关断电压从0调整为-1到-5V,相当于将式(1-8)微分方程中初始条件变为Vgs(0)=Vgs(off),其中Vgs(off)<0,则
Figure BDA0003350860680000121
加上Vgs(off),随着λ减小,VgsM也将减小。
作为第三实现方式,串扰抑制组件包括负压关断模块,负压关断模块与MOS管连接,S106包括:
控制负压关断模块导通,以防止目标桥臂发生串扰。
如图7所示,在栅、源极之间外接电容,降低该部位阻抗,抑制电位上升,此外接电容实际上是增大Ciss的大小,从而减小VgsM的值。
可选地,在S104的步骤之后,该方法还包括:
S108,当最大栅极电压小于或等于目标桥臂的预设栅极电压阈值时,控制串扰抑制组件不动作。
通过该设置方式,使得在可能出现串扰问题时,才会控制串扰抑制组件动作,而当未出现串扰问题时,则串扰抑制组件不动作,不会影响目标桥臂的正常工作状态。
基于上述实现方式,请参阅图8,本申请实施例还提供了一种桥臂串扰处理装置200,桥臂串扰处理装置200应用于逆变桥,逆变桥的每一桥臂均连接有串扰抑制组件,装置包括:
数据获取单元210,用于当任一桥臂导通时,获取预设周期内输入的直流电压值。
可以理解地,通过数据获取单元210可执行上述的S102。
数据处理单元220,用于依据所述周期、所述直流电压值以及预设的最大栅极电压公式确定目标桥臂的最大栅极电压,其中,所述目标桥臂与导通的桥臂关联。
可以理解地,通过数据处理单元220可执行上述的S104。
控制单元230,用于当所述最大栅极电压超过所述目标桥臂的预设栅极电压阈值时,控制所述串扰抑制组件动作,以防止所述目标桥臂发生串扰。
可以理解地,通过控制单元230可执行上述的S106。
作为一种实现方式,目标桥臂包括MOS管,最大栅极电压公式为:
Figure BDA0003350860680000131
其中,VgsM表示最大栅极电压,vgs(tr)表示周期时间内的栅极与源极之间的电压,Rg表示MOS管的等效电阻,Cgd表示栅极与漏极之间的等效电容,VDC表示输入的直流电压值,tr表示周期时间,Ciss表示MOS管的输入电容,且Ciss=Cgd+Cgs,Cgs表示栅极与源极之间的等效电容。
当然地,在上述实现方式中的每一步骤均有一对应的功能模块,由于上述实施例已经详细描述,因此在此不再进行赘述。
综上所述,本申请提供了一种桥臂串扰处理方、装置、电子设备及存储介质,该桥臂串扰处理方法应用于逆变桥,逆变桥的每一桥臂均连接有串扰抑制组件,当任一桥臂导通时,获取预设周期内输入的直流电压值,然后依据周期、直流电压值以及预设的最大栅极电压公式确定目标桥臂的最大栅极电压,其中,目标桥臂与导通的桥臂关联,并且当最大栅极电压超过目标桥臂的预设栅极电压阈值时,控制串扰抑制组件动作,以防止目标桥臂发生串扰。由于本申请能够利用获取的周期内输入的直流电压值确定出目标桥臂的最大栅极电压,并据此判断出目标桥臂是否可能出现桥臂串扰,并且在可能出现桥臂串扰时控制串扰抑制组件动作,进而避免了桥臂串扰的发生。并且,当未发生桥臂串扰时,串扰抑制组件处于未动作状态,因此不会影响桥臂的正常工作。
在本申请所提供的实施例中,应该理解到,所揭露的装置和方法,也可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的,例如,附图中的流程图和框图显示了根据本申请实施例的装置、方法和计算机程序产品的可能实现的体系架构、功能和操作。在这点上,流程图或框图中的每个方框可以代表一个模块、程序段或代码的一部分,所述模块、程序段或代码的一部分包含一个或多个用于实现规定的逻辑功能的可执行指令。
也应当注意,在有些作为替换的实现方式中,方框中所标注的功能也可以以不同于附图中所标注的顺序发生。例如,两个连续的方框实际上可以基本并行地执行,它们有时也可以按相反的顺序执行,这依所涉及的功能而定。
也要注意的是,框图和或流程图中的每个方框、以及框图和或流程图中的方框的组合,可以用执行规定的功能或动作的专用的基于硬件的系统来实现,或者可以用专用硬件与计算机指令的组合来实现。
另外,在本申请实施例中的各功能模块可以集成在一起形成一个独立的部分,也可以是各个模块单独存在,也可以两个或两个以上模块集成形成一个独立的部分。
所述功能如果以软件功能模块的形式实现并作为独立的产品销售或使用时,可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解,本申请的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来,该计算机软件产品存储在一个存储介质中,包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机,服务器,或者网络设备等)执行本申请实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括:U盘、移动硬盘、只读存储器、随机存取存储器、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。虽然本发明披露如上,但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,均可作各种更动与修改,因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (10)

1.一种桥臂串扰处理方法,其特征在于,所述桥臂串扰处理方法应用于逆变桥,所述逆变桥的每一桥臂均连接有串扰抑制组件,所述方法包括:
当任一桥臂导通时,获取预设周期内输入的直流电压值;
依据所述周期、所述直流电压值以及预设的最大栅极电压公式确定目标桥臂的最大栅极电压,其中,所述目标桥臂与导通的桥臂关联;
当所述最大栅极电压超过所述目标桥臂的预设栅极电压阈值时,控制所述串扰抑制组件动作,以防止所述目标桥臂发生串扰。
2.如权利要求1所述的桥臂串扰处理方法,其特征在于,所述目标桥臂包括MOS管,所述最大栅极电压公式为:
Figure FDA0003350860670000011
其中,VgsM表示最大栅极电压,vgs(tr)表示周期时间内的栅极与源极之间的电压,Rg表示MOS管的等效电阻,Cgd表示栅极与漏极之间的等效电容,VDC表示输入的直流电压值,tr表示周期时间,Ciss表示MOS管的输入电容,且Ciss=Cgd+Cgs,Cgs表示栅极与源极之间的等效电容。
3.如权利要求1所述的桥臂串扰处理方法,其特征在于,所述目标桥臂包括MOS管,所述串扰抑制组件包括密勒钳位器,所述密勒钳位器与所述MOS管的栅极与源极相连,所述控制所述串扰抑制组件动作,以防止所述目标桥臂发生串扰的步骤包括:
控制所述密勒钳位器导通,以防止所述目标桥臂发生串扰。
4.如权利要求1所述的桥臂串扰处理方法,其特征在于,所述目标桥臂包括MOS管,所述串扰抑制组件包括外接电容,所述外接电容与所述MOS管连接,所述控制所述串扰抑制组件动作,以防止所述目标桥臂发生串扰的步骤包括:
控制所述外接电容导通,以防止所述目标桥臂发生串扰。
5.如权利要求1所述的桥臂串扰处理方法,其特征在于,所述目标桥臂包括MOS管,所述串扰抑制组件包括负压关断模块,所述负压关断模块与所述MOS管连接,所述控制所述串扰抑制组件动作,以防止所述目标桥臂发生串扰的步骤包括:
控制所述负压关断模块导通,以防止所述目标桥臂发生串扰。
6.如权利要求1所述的桥臂串扰处理方法,其特征在于,在所述确定目标桥臂的最大栅极电压的步骤之后,所述方法还包括:
当所述最大栅极电压小于或等于所述目标桥臂的预设栅极电压阈值时,控制所述串扰抑制组件不动作。
7.一种桥臂串扰处理装置,其特征在于,所述桥臂串扰处理装置应用于逆变桥,所述逆变桥的每一桥臂均连接有串扰抑制组件,所述装置包括:
数据获取单元,用于当任一桥臂导通时,获取预设周期内输入的直流电压值;
数据处理单元,用于依据所述周期、所述直流电压值以及预设的最大栅极电压公式确定目标桥臂的最大栅极电压,其中,所述目标桥臂与导通的桥臂关联;
控制单元,用于当所述最大栅极电压超过所述目标桥臂的预设栅极电压阈值时,控制所述串扰抑制组件动作,以防止所述目标桥臂发生串扰。
8.如权利要求7所述的桥臂串扰处理装置,其特征在于,所述目标桥臂包括MOS管,所述最大栅极电压公式为:
Figure FDA0003350860670000031
其中,VgsM表示最大栅极电压,vgs(tr)表示周期时间内的栅极与源极之间的电压,Rg表示MOS管的等效电阻,Cgd表示栅极与漏极之间的等效电容,VDC表示输入的直流电压值,tr表示周期时间,Ciss表示MOS管的输入电容,且Ciss=Cgd+Cgs,Cgs表示栅极与源极之间的等效电容。
9.一种电子设备,其特征在于,包括:
存储器,用于存储一个或多个程序;
处理器;
当所述一个或多个程序被所述处理器执行时,实现如权利要求1-6中任一项所述的方法。
10.一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,其特征在于,该计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1-6中任一项所述的方法。
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