CN114094044A - 极片和电池 - Google Patents
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Abstract
本申请提供一种极片和电池,极片包括集流体、第一活性物质层和第二活性物质层,集流体包括相对设置的第一功能表面和第二功能表面,第一活性物质层位于第一功能表面上,第二活性物质层位于第二功能表面上;第一活性物质层设置有凹槽,凹槽的槽底壁为第一功能表面;凹槽在集流体上的投影,位于第二活性物质层在集流体的投影内;凹槽的边缘处设置有缺口,缺口沿极片的厚度方向贯穿极片的边缘。在形成缺口的同时,缺口处的集流体边缘的毛刺被去除。因此,本申请提供的极片和电池,能够减少暴露的集流体处的毛刺,提高电池的安全性。
Description
技术领域
本申请涉及电池技术领域,尤其涉及一种极片和电池。
背景技术
锂离子电池具有容量大、体积小、重量轻和绿色环保等优点,已广泛应用于数码电子产品和电动汽车等行业中。
相关技术中,极片可以包括集流体和活性物质层,活性物质层设置在集流体的相对两个表面上。通过在极片上设置空箔区,将部分集流体的两个相对表面暴露,以将极耳焊接在暴露的集流体上。集流体可以通过极耳与外部的电路结构电性连接。
然而,上述集流体的空箔区处毛刺较多,对电池的安全性造成影响。
发明内容
鉴于上述问题,本申请实施例提供一种极片和电池,能够减少集流体空箔区处的毛刺,提高电池的安全性。
为了实现上述目的,本发明本申请实施例提供如下技术方案:
本申请实施例的第一方面提供一种极片包括:集流体、第一活性物质层和第二活性物质层,集流体包括相对设置的第一功能表面和第二功能表面,第一活性物质层位于第一功能表面上,第二活性物质层位于第二功能表面上;
第一活性物质层设置有凹槽,凹槽的槽底壁为第一功能表面;
凹槽在集流体上的投影,位于第二活性物质层在集流体的投影内;
凹槽的边缘处设置有缺口,缺口沿极片的厚度方向贯穿极片的边缘。
本实施例提供的极片,通过在极片上的暴露出的集流体的边缘处设置缺口,以去除至少部分暴露出的毛刺,减少毛刺的数量,降低毛刺对其外部的结构膜层的影响,提高电池的安全性。
在一种可能的实现方式中,缺口沿极片的长度方向具有延伸长度,远离凹槽的中心一侧的缺口的延伸长度,大于靠近凹槽的中心一侧的缺口的延伸长度。
在一种可能的实现方式中,缺口内壁面包括依次连接的第一内壁段、第二内壁段和第三内壁段,第一内壁段和第二内壁段之间,以及第二内壁段和第三内壁段之间为圆角。
在一种可能的实现方式中,缺口为梯形,沿凹槽的中心至缺口的中心方向,第一内壁段与第三内壁段之间的距离逐渐增大;
和/或,缺口为矩形,沿凹槽的中心至缺口的中心方向,第一内壁段与第三内壁段之间的距离相等。
在一种可能的实现方式中,缺口为半圆形,沿凹槽的中心至缺口的中心方向,缺口的延伸长度逐渐增大。
在一种可能的实现方式中,还包括极耳,极耳与凹槽中的第一功能表面焊接并形成焊印,至少部分焊印位于极耳的背离集流体一侧的面上,且朝背离集流体的方向凸起形成第一凸起。
在一种可能的实现方式中,沿集流体的厚度方向,焊印贯穿极耳,且焊印位于集流体的厚度方向上靠近极耳的部分区域内;
或,沿集流体的厚度方向,焊印贯穿极耳和集流体,位于集流体的远离极耳一侧的焊印朝向背离极耳的一侧凸起形成第二凸起,第二活性物质层覆盖第二凸起;
或,焊印包括外缘部和中间部,外缘部环设在中间部的外侧;
沿集流体的厚度方向,中间部贯穿极耳,且中间部位于集流体的厚度方向上靠近极耳的部分区域内;
沿集流体的厚度方向,外缘部贯穿极耳和集流体,位于集流体的远离极耳一侧的外缘部朝向背离极耳的一侧凸起形成第二凸起,第二活性物质层覆盖第二凸起。
在一种可能的实现方式中,极耳的远离集流体一侧的面上覆盖有保护层,且保护层完全覆盖凹槽。
在一种可能的实现方式中,圆角的半径的范围为2mm-20mm。
在一种可能的实现方式中,沿极片的长度方向,缺口的长度为凹槽的长度的0.8倍-1.2倍;
和/或,沿极片的宽度方向,缺口的长度为凹槽的长度的0.01倍-0.3倍;
和/或,沿极片的长度方向,位于缺口内的极耳与缺口内壁面的最小间距,为极耳宽度的0.2倍-0.5倍;
和/或,焊印的中心至焊印的外边缘之间的距离范围为0.05mm-2.5mm;
和/或,第一凸起的凸起高度小于等于0.1mm;
和/或,凹槽沿极片的宽度方向的长度范围为1mm-40mm;
和/或,凹槽沿极片的长度方向的长度范围为1mm-30mm;
和/或,凹槽的槽深范围为0.01mm-0.2mm。
本申请实施例的第二方面提供一种电池,包括上述第一方面中的极片。
本实施例提供的电池,电池包括极片,通过在极片上的暴露出的集流体的边缘处设置缺口,以去除至少部分暴露出的毛刺,减少毛刺的数量,降低毛刺对其外部的结构膜层的影响,提高电池的安全性。
本申请的构造以及它的其他发明目的及有益效果将会通过结合附图而对优选实施例的描述而更加明显易懂。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作以简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的一种极片的剖视图;
图2为本申请实施例提供的一种极片的俯视图;
图3为本申请实施例提供的另一种极片的俯视图;
图4为本申请实施例提供的一种缺口的俯视图;
图5为本申请实施例提供的另一种缺口的俯视图;
图6为本申请实施例提供的另一种缺口的俯视图;
图7为本申请实施例提供的另一种缺口的俯视图;
图8为本申请实施例提供的另一种缺口的俯视图。
附图标记说明:
100-极片;
11-集流体;
12-活性物质层;
121-凹槽;
20-极耳;
40-保护层;
50-缺口;
51-第一内壁段;
52-第二内壁段;
53-第三内壁段。
具体实施方式
相关技术中,极片可以包括集流体和活性物质层,活性物质层覆盖在集流体的相对两个表面上。其中,极片的集流体与极耳电性连接。可以在极片上设置空箔区,即将集流体部分区域的相对两个表面的活性物质层去除,以将集流体的相对两个表面暴露出来,形成空箔区,空箔区用于焊接极耳。
然而,在极片裁切过程中,容易在集流体的裁切边缘产生毛刺。当集流体的相对两个表面都覆盖有活性物质层时,毛刺被活性物质层覆盖,不会对极片外部的结构膜层造成影响。当在极片上设置空箔区时,集流体暴露,使得集流体边缘处的毛刺暴露,毛刺容易刺穿与之相邻的结构膜层,导致电池的正负极短路,影响电池的安全性。
针对上述技术问题,本申请实施例提供了一种极片和电池,通过在极片上的暴露出的集流体的边缘处设置缺口,以去除至少部分暴露出的毛刺,减少毛刺的数量,降低毛刺对其外部的结构膜层的影响,提高电池的安全性。
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
本申请实施例提供一种极片100,如图1所示,极片100包括集流体11和活性物质层12,极片100可以是负极片或正极片。
具体的,可以根据对集流体11以及各个活性物质层12的材料的具体选择而确定。例如,当集流体11为铝箔、活性物质层12的材料为三元材料或磷酸铁锂等正极活性材料时,极片100为正极片;正极片上的活性物质层12为正极活性物质层。当集流体11为铜箔、活性物质层12的材料为石墨、硅基等负极活性材料时,极片100为负极片,负极片上的活性物质层12为负极活性物质层。
其中,集流体11包括相对设置的两个功能表面,集流体11的功能表面是指用于涂覆活性物质层12的集流体11中最大且相对的两个表面。本申请极片100中的活性物质层12可以仅涂覆于集流体11的一个功能表面,或者同时涂覆在集流体11的两个功能表面。
如图2所示,极片100的其中一个功能表面的活性物质层12设有凹槽121,凹槽121暴露集流体11的部分该功能表面。凹槽121可以通过清洗将活性物质层12对应部分去除,以露出集流体11而形成。由于凹槽121处的活性物质层12被去除,可以降低凹槽121处极片100的厚度。
清洗方式可以为激光清洗、机械清洗或者发泡胶清洗等方式,本申请对清洗方式不做限制。
具体的,两个功能表面可以包括第一功能表面和第二功能表面,活性物质层12包括第一活性物质层和第二活性物质层,第一活性物质层位于第一功能表面上,第二活性物质层位于第二功能表面上。例如,可以在第一活性物质层或第二活性物质中设置凹槽121。
本申请以在第一活性物质层中设置凹槽121为例进行说明。
凹槽121位于第一活性物质层,凹槽121的槽底壁为第一功能表面。极耳20与凹槽121暴露的第一功能表面电性连接。
极耳20与集流体11在连接处形成焊接区,焊接区中可以具有多个焊印,多个焊印间隔设置。形成单个焊印所输入的能量较小,可以降低对焊接区附近的活性物质层12的影响。
如图1所示,极耳20远离集流体11一侧的表面上覆盖有保护层40,保护层40可以避免极耳20与集流体11形成的焊接毛刺刺穿极片100外部的结构膜层,导致对电池的性能或安全性造成影响。另外,保护层40对极耳20具有固定作用,进一步将极耳20固定在极片100上。
其中,保护层40可以完全覆盖凹槽121,以避免凹槽121处的毛刺对电池安全性的影响。
如图1所示,与凹槽121正对的第二活性物质层未被去除而得到保留,此时,凹槽121在集流体11上的投影,位于第二活性物质层在集流体11上的投影内。即凹槽121背面的第二活性物质层未被去除,集流体11的暴露面积较小,极片100的活性较高。
如图3所示,极片100的边缘设置有缺口50,缺口50为图3中虚线方框中所示。缺口50位于凹槽121的槽口边缘,且缺口50贯穿极片100的沿厚度方向的相对两个表面,即缺口50处的集流体11和活性物质层12均被去除,缺口50沿极片100的厚度方向贯穿极片100的边缘。
这样,在形成缺口50的同时,缺口50处的集流体11边缘的毛刺被去除,从而减少凹槽121处暴露的集流体11的边缘的毛刺,降低毛刺对其外部的结构膜层的影响,提高电池的安全性。
需要说明的是,极片100的长度方向即图3中的X方向;极片100的宽度方向可图3中的Y方向。本申请实施例中的宽度方向和长度方向仅是为了描述方便,并不意味对任何尺寸的限制。例如,宽度可能大于、小于或等于长度。
如图4所示,缺口50沿极片100的长度方向具有延伸长度a,远离凹槽121的中心一侧的缺口50的延伸长度a,大于靠近凹槽121的中心一侧的缺口50的延伸长度a。如此,远离凹槽121的中心一侧的缺口50的延伸长度a较长,可以去除较多集流体11边缘的毛刺。靠近凹槽121的中心一侧的缺口50的延伸长度a较短,可以保留较多的集流体11,使得集流体11与极耳20之间可以接触的面积较大,以增加两者的连接强度。
一些实施例中,如图4-图7所示,缺口50可以为四边形,例如,缺口50可以为矩形或者梯形。
如图6所示,缺口50内壁面包括依次连接的第一内壁段51、第二内壁段52和第三内壁段53,第一内壁段51和第三内壁段53为沿极片100长度方向间隔设置的两个内壁段,第二内壁段52为沿极片100长度方向延伸的内壁段。
如图6和图7所示,第一内壁段51和第二内壁段52之间,以及第二内壁段52和第三内壁段53之间为圆角。这样,缺口50在圆角处的延伸长度a较其余部分短,可以保留较多的集流体11。另外,将相邻两个内壁段之间的拐角设置成圆角,可以降低两个内壁段拐角处的应力。
具体的,圆角的半径的范围可以为2mm-20mm。例如,圆角的半径可以为2mm、5mm、10mm、15mm或20mm等,本申请实施例对此不做限制。如此,当圆角的半径处于该范围时,圆角处的受力较为均匀。
在将缺口50设置为梯形的实施方式中,如图5和图7所示,沿凹槽121的中心至缺口50的中心方向,第一内壁段51与第三内壁段53之间的距离逐渐增大。
在将缺口50设置为矩形的实施方式中,如图4和图6所示,沿凹槽121的中心至缺口50的中心方向,第一内壁段51与第三内壁段53之间的距离相等。可以理解的是,此时,第一内壁段51与第三内壁段53之间的距离相等,该距离并不包括圆角处。
一些实施例中,如图8所示,缺口50可以为半圆形,沿凹槽121的中心至缺口50的中心方向,缺口50的延伸长度逐渐增大。这样,缺口50的内壁面为完整的弧面过渡,内壁面整体受力较为均匀。
如图4所示,沿极片100的长度方向X,缺口50的长度(即最长的延伸长度a)为凹槽121的长度b的0.8倍-1.2倍,即缺口50的最长的延伸长度a与b的比值的范围可以为0.8-1.2。从而可以避免缺口50的长度过小,集流体11边缘的毛刺剩余较多,对电池的安全性造成影响。又能避免缺口50的长度过大,去除的活性物质层12较多,对电池的能量密度影响较大。例如,该比值可以为0.8、0.9、1.0、1.1或1.2等,本申请实施例对此不做限制。
继续如图4所示,沿极片100的宽度方向Y,缺口50的长度c为凹槽121的长度d的0.01倍-0.3倍。即c与d的比值的范围可以为0.01-0.3。从而可以避免缺口50过小,无法有效的去除毛刺。又能避免缺口50过大,去除的活性物质层12较多,对电池的能量密度影响较大。例如,c与d的比值可以为0.01、0.05、0.1、0.15、0.2或0.3等,本申请实施例对此不做限制。
如图5所示,沿极片100的长度方向X,位于缺口50内的极耳20与缺口50内壁面的最小间距w1,为极耳20宽度w2的0.2倍-0.5倍。即w1与w2的比值的范围可以为0.2-0.5。当w1与w2的比值处于该范围时,极耳20焊接时对缺口50处的活性物质层12影响较小,另外,极耳20与集流体11之间的连接面积较大。例如,w1与w2的比值可以为0.2、0.3、0.4或0.5等,本申请实施例对此不做限制。
一些实施例中,极片100的背离极耳20一侧的面上覆盖有绝缘胶层,绝缘胶层覆盖缺口50的全部口边缘。这样,可以对极耳20朝向集流体11的一侧起到保护作用。
缺口50的深度范围可以为0.5mm-5mm。即集流体11与两侧的活性物质层12的总厚度可以为0.5mm-5mm。例如,缺口50的深度可以为0.5mm、1mm、2mm、3mm或5mm,本申请实施例对此不做限制。
以下对极耳20与集流体11形成的焊印进行详细的说明。
至少部分焊印位于极耳20的背离集流体11一侧的面上,且朝背离集流体11的方向凸起形成第一凸起,凹槽121在集流体11上的投影,位于第二活性物质层在集流体11的投影内。
一些示例中,在设置有凹槽121的极片100中,沿集流体11的厚度方向,焊印贯穿极耳20,且焊印位于集流体11的厚度方向上靠近极耳20的部分区域内。此时,焊印形成在极耳20背离集流体11的一侧,而集流体11的背离极耳20一侧的面没有形成焊印,集流体11的背离极耳20一侧的面为平面。这样,焊印对第二活性物质层影响较小。
另一些示例中,在设置有凹槽121的极片100中,沿集流体11的厚度方向,焊印贯穿极耳20和集流体11。此时,在极耳20背离集流体11一侧的面上,以及集流体11背离极耳20一侧的面上均能够观察到焊印。其中,位于集流体11背离极耳20一侧的焊印被第二活性物质层覆盖,能够减小焊印对该侧的隔膜的影响。位于集流体11背离极耳20一侧的焊印朝向背离极耳20的一侧凸起,从而形成第二凸起。
其他一些示例中,在设置有凹槽121的极片100中,在一个焊印中,焊印中的部分贯穿极耳20和集流体11;焊印中的另一部分贯穿极耳20且位于集流体11的厚度方向上靠近极耳20的部分区域内。例如,焊印包括外缘部和中间部,外缘部环设在中间部的外侧。沿集流体11的厚度方向,外缘部贯穿极耳20和集流体11,位于集流体11背离极耳20一侧的外缘部朝向背离极耳20的一侧凸起。此时,在集流体11背离极耳20一侧的面上能够观察到焊印的外缘部。位于集流体11背离极耳20一侧的外缘部朝向背离极耳20的一侧凸起,从而形成第二凸起。其中,位于集流体11背离极耳20一侧的外缘部被第二活性物质层覆盖,能够减小外缘部对该侧的隔膜的影响。
沿集流体11的厚度方向,中间部贯穿极耳20,且中间部位于集流体11的厚度方向上靠近极耳20的部分区域内。此时,在集流体11背离极耳20一侧的面上无法观察到焊印的中间部。
第一凸起的凸起的高度为小于等于0.1mm。例如,第一凸起的凸起高度可以0.01mm、0.03mm、0.05mm、0.07mm、0.09mm或0.1mm等,本实施例对此不做限制。从而可以避免第一凸起过高,容易在电池中刺破与之相邻的隔膜,导致电池的正负极短路。
在每个焊印中,焊印中心至焊印外边缘之间的距离范围可以为0.05mm-2.5mm。例如,该距离可以为0.05mm、0.25mm、0.5mm、1mm、1.5mm或2.5mm等,本实施例对此不做限制。从而可以避免焊印过小,焊印处的极耳20与集流体11之间接触面积过小,无法形成有效的焊接拉力,焊接强度较低。又能避免焊印过大,形成焊印所输入的能量较高,对活性物质层12造成影响。
一些实施例中,凹槽121的深度范围为0.01mm-0.2mm。例如,凹槽121的深度可以为0.01mm、0.03mm、0.04mm、0.05mm、0.07mm、0.1mm或0.2mm。从而可以避免活性物质层12过薄,电池的能量密度较低。又能避免活性物质层12过厚,靠近集流体11表面的活性物质层12不能得到利用,活性物质层12中的活性物质利用率较低。
凹槽121沿极片100的宽度方向的长度范围可以为1mm-40mm。例如该长度可以为1mm、2mm、5mm、10mm、15mm、20mm、30mm或40mm等。从而可以避免该长度过小,导致极耳20与集流体11之间的可连的面积较小。又能避免该长度过大,活性物质层12去除较多,对电池的能量密度造成较大影响。
凹槽121沿极片100的长度方向的长度范围可以为1mm-30mm。例如该长度可以为1mm、2mm、5mm、10mm、15mm、20mm、25mm或30mm等。其原理与沿宽度方向的长度值类似,不再赘述。
可以实现的是,凹槽121可以靠近极片100的宽度方向的边缘设置,且凹槽121的靠近该边缘的一侧为敞口。即凹槽121靠近该边缘的外侧没有活性物质层12,凹槽121远离该边缘的外侧设置有活性物质层12。沿极片100的宽度方向,凹槽121的长度小于集流体11的长度。
本申请实施例还提供一种电池,电池中可以包括电芯,该电芯可以包括至少两个相互叠设且极性相反的极片100,极性相反的极片100分别形成电池的正极片和电池的负极片。为了避免正负极片之间短路,每相邻两个极片100之间设置有隔膜,极性相反的极片100通过隔膜电性隔离。至少其中一个极片100可以为上述实施例中的极片100。
至少两个极片100可以包括第一极片和第二极片,第一极片和第二极片的极性相反,且第一极片和第二极片相互叠设。
具体的,第一极片可以为正极片,第二极片可以是负极片;或者,第一极片可以为负极片,第二极片可以是正极片,此处不做限制。
一些示例中,电芯可以为卷绕式的电芯。其中,第一极片和第二极片均为一个,依次叠设的第一极片、隔膜和第二极片绕卷绕中心卷绕,并形成卷绕结构。
另一些示例中,电芯可以为叠片式的电芯。其中,第一极片为多个,第二极片为多个,多个第一极片和多个第二极片沿同一方向依次交错层叠设置,且每相邻的第一极片和第二极片之间设置有隔膜,以使第一极片和第二极片之间电性绝缘。
这里需要说明的是,本申请实施例涉及的数值和数值范围为近似值,受制造工艺的影响,可能会存在一定范围的误差,这部分误差本领域技术人员可以认为忽略不计。
最后应说明的是:以上各实施例仅用以说明本申请的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述各实施例对本申请进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的范围。
Claims (11)
1.一种极片,其特征在于,包括:集流体、第一活性物质层和第二活性物质层,所述集流体包括相对设置的第一功能表面和第二功能表面,所述第一活性物质层位于所述第一功能表面上,所述第二活性物质层位于所述第二功能表面上;
所述第一活性物质层设置有凹槽,所述凹槽的槽底壁为所述第一功能表面;
所述凹槽在所述集流体上的投影,位于所述第二活性物质层在所述集流体的投影内;
所述凹槽的边缘处设置有缺口,所述缺口沿所述极片的厚度方向贯穿所述极片的边缘。
2.根据权利要求1所述的极片,其特征在于,所述缺口沿所述极片的长度方向具有延伸长度,远离所述凹槽的中心一侧的所述缺口的延伸长度,大于靠近所述凹槽的中心一侧的所述缺口的延伸长度。
3.根据权利要求1所述的极片,其特征在于,所述缺口的内壁面包括依次连接的第一内壁段、第二内壁段和第三内壁段,所述第一内壁段和第二内壁段之间,以及所述第二内壁段和第三内壁段之间为圆角。
4.根据权利要求3所述的极片,其特征在于,所述缺口为梯形,沿所述凹槽的中心至所述缺口的中心方向,所述第一内壁段与所述第三内壁段之间的距离逐渐增大;
和/或,所述缺口为矩形,沿所述凹槽的中心至所述缺口的中心方向,所述第一内壁段与所述第三内壁段之间的距离相等。
5.根据权利要求2所述的极片,其特征在于,所述缺口为半圆形,沿所述凹槽的中心至所述缺口的中心方向,所述缺口的所述延伸长度逐渐增大。
6.根据权利要求1-5任一所述的极片,其特征在于,还包括极耳,所述极耳与所述凹槽中的所述第一功能表面焊接并形成焊印,至少部分所述焊印位于所述极耳的背离所述集流体一侧的面上,且朝背离所述集流体的方向凸起形成第一凸起。
7.根据权利要求6所述的极片,其特征在于,沿所述集流体的厚度方向,所述焊印贯穿所述极耳,且所述焊印位于所述集流体的厚度方向上靠近所述极耳的部分区域内;
或,沿所述集流体的厚度方向,所述焊印贯穿所述极耳和所述集流体,位于所述集流体的远离所述极耳一侧的所述焊印朝向背离所述极耳的一侧凸起形成第二凸起,所述第二活性物质层覆盖所述第二凸起;
或,所述焊印包括外缘部和中间部,所述外缘部环设在所述中间部的外侧;沿所述集流体的厚度方向,所述中间部贯穿所述极耳,且所述中间部位于所述集流体的厚度方向上靠近所述极耳的部分区域内;沿所述集流体的厚度方向,所述外缘部贯穿所述极耳和所述集流体,位于所述集流体的远离所述极耳一侧的所述外缘部朝向背离所述极耳的一侧凸起形成第二凸起,所述第二活性物质层覆盖所述第二凸起。
8.根据权利要求6所述的极片,其特征在于,所述极耳的远离所述集流体一侧的面上覆盖有保护层,且所述保护层完全覆盖所述凹槽。
9.根据权利要求3或4所述的极片,其特征在于,所述圆角的半径的范围为2mm-20mm。
10.根据权利要求6所述的极片,其特征在于,沿极片的长度方向,所述缺口的长度为所述凹槽的长度的0.8倍-1.2倍;
和/或,沿所述极片的宽度方向,所述缺口的长度为所述凹槽的长度的0.01倍-0.3倍;
和/或,沿所述极片的长度方向,位于所述缺口内的所述极耳与所述缺口内壁面的最小间距,为所述极耳宽度的0.2倍-0.5倍;
和/或,所述焊印的中心至所述焊印的外边缘之间的距离范围为0.05mm-2.5mm;
和/或,所述第一凸起的凸起高度小于等于0.1mm;
和/或,所述凹槽沿所述极片的宽度方向的长度范围为1mm-40mm;
和/或,所述凹槽沿所述极片的长度方向的长度范围为1mm-30mm;
和/或,所述凹槽的槽深范围为0.01mm-0.2mm。
11.一种电池,其特征在于,包括上述权利要求1-10中任一项所述的极片。
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