CN114093999A - 用于制作光转换层的方法和装置 - Google Patents
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Abstract
本申请涉及显示技术领域，公开了一种用于制作光转换层的方法，包括：在发光单元层的透光区域设置掩膜图形；在发光单元层的未被掩膜图形覆盖的区域设置金属栅格结构。本申请提供的用于制作光转换层的方法，能够为光转换层中的各像素提供有效隔离/支撑，有利于光转换层正常发挥功能，尽量避免光转换效果受到影响。本申请还公开了一种用于制作光转换层的装置。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，例如涉及一种用于制作光转换层的方法和装置。
背景技术
在显示领域，目前通常使用到光转换层，以对显示进行支持。
在实现本公开实施例的过程中，发现相关技术中至少存在如下问题：
尚未出现能够为光转换层中的各像素提供有效隔离/支撑的工艺，不利于光转换层正常发挥功能，影响光转换效果。
发明内容
为了对披露的实施例的一些方面有基本的理解，下面给出了简单的概括。该概括不是泛泛评述，也不是要确定关键/重要组成元素或描绘这些实施例的保护范围，而是作为后面的详细说明的序言。
本公开实施例提供了一种用于制作光转换层的方法和装置，以解决尚未出现能够为光转换层中的各像素提供有效隔离/支撑的工艺，不利于光转换层正常发挥功能，影响光转换效果的技术问题。
本公开实施例提供的用于制作光转换层的方法，包括：
在发光单元层的透光区域设置掩膜图形；
在发光单元层的未被掩膜图形覆盖的区域设置金属栅格结构。
在一些实施例中，设置掩膜图形，可以包括：
在发光单元层设置掩膜层，对掩膜层进行处理以形成掩膜图形。
在一些实施例中，在发光单元层的透光区域设置掩膜图形，可以包括：
在发光单元层的部分或全部透光区域设置掩膜图形。
在一些实施例中，掩膜图形还可以覆盖发光单元层的部分不透光区域。
在一些实施例中，对掩膜层进行处理以形成掩膜图形，可以包括：
去除掩膜层中不用于形成掩膜图形的部分。
在一些实施例中，设置掩膜图形，可以包括：
在发光单元层的出光面设置掩膜图形。
在一些实施例中，设置金属栅格结构，可以包括：
通过物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)、电镀、喷墨打印、涂布、注入、或印刷的方式设置金属栅格结构。
在一些实施例中，设置金属栅格结构，可以包括：
通过电镀的方式设置金属栅格结构。
在一些实施例中，在设置掩膜图形之前，还可以在发光单元层设置电镀种子层。可选地，在设置掩膜图形之后，还可以在发光单元层的未被掩膜图形覆盖的区域设置电镀种子层。
在一些实施例中，在设置掩膜图形之前设置电镀种子层的情况下，在电镀金属栅格结构之后，还可以去除电镀种子层的未电镀有金属栅格结构的部分。
在一些实施例中，还可以在金属栅格结构设置覆盖层。
在一些实施例中，在金属栅格结构设置覆盖层，可以包括：
在金属栅格结构的表面设置覆盖层。
在一些实施例中，设置覆盖层，可以包括：
设置疏水层、亲水层、隔离层中至少之一。
在一些实施例中，设置金属栅格结构，可以包括：
将金属栅格结构设置于掩膜图形的间隙中。
在一些实施例中，掩膜图形可以包含光转换材料。可选地，还可以对掩膜图形进行固化处理。
在一些实施例中，还可以：去除掩膜图形；在金属栅格结构设置光转换材料。
在一些实施例中，设置光转换材料，可以包括：
将光转换材料设置于金属栅格结构的间隙中。
本公开实施例提供的用于制作光转换层的装置，包括处理器和存储有程序指令的存储器，处理器被配置为在执行程序指令时，执行上述的用于制作光转换层的方法。
本公开实施例提供的用于制作光转换层的方法和装置，可以实现以下技术效果：
能够为光转换层中的各像素提供有效隔离/支撑，有利于光转换层正常发挥功能，尽量避免光转换效果受到影响。
以上的总体描述和下文中的描述仅是示例性和解释性的，不用于限制本申请。
附图说明
至少一个实施例通过与之对应的附图进行示例性说明，这些示例性说明和附图并不构成对实施例的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件示为类似的元件，附图不构成比例限制，并且其中：
图1A是本公开实施例提供的用于制作光转换层的方法的流程示意图；
图1B、图1C、图1D是本公开实施例提供的用于制作光转换层的原理示意图；
图2是本公开实施例提供的设置掩膜图形的原理示意图；
图3是本公开实施例提供的设置掩膜图形的另一原理示意图；
图4是本公开实施例提供的设置掩膜图形的另一原理示意图；
图5是本公开实施例提供的设置掩膜图形的另一原理示意图；
图6A、图6B、图6C是本公开实施例提供的设置电镀种子层的原理示意图；
图7是本公开实施例提供的设置电镀种子层的另一原理示意图；
图8是本公开实施例提供的设置覆盖层的原理示意图；
图9A、图9B是本公开实施例提供的设置覆盖层的另一原理示意图；
图10是本公开实施例提供的设置金属栅格结构的原理示意图；
图11是本公开实施例提供的用于制作光转换层的另一原理示意图；
图12是本公开实施例提供的用于制作光转换层的另一原理示意图；
图13是本公开实施例提供的设置光转换材料的原理示意图；
图14是本公开实施例提供的用于制作光转换层的装置的结构示意图。
附图标记：
110：发光单元层；111：发光单元；112：发光单元光隔离结构；113：透光区域；114：不透光区域；120：掩膜图形；130：金属栅格结构；140：掩膜层；X：出光面；150：电镀种子层；160：覆盖层；161：光吸收层；163：光反射层；170：间隙；180：间隙；190：光转换材料；200：用于制作光转换层的装置；210：处理器；220：存储器；230：通信接口；240：总线。
具体实施方式
为了能够更加详尽地了解本公开实施例的特点与技术内容，下面结合附图对本公开实施例的实现进行详细阐述，所附附图仅供参考说明之用，并非用来限定本公开实施例。在以下的技术描述中，为方便解释起见，通过多个细节以提供对所披露实施例的充分理解。然而，在没有这些细节的情况下，至少一个实施例仍然可以实施。在其它情况下，为简化附图，熟知的结构和装置可以简化展示。
参见图1A，本公开实施例提供了一种用于制作光转换层的方法，包括：
S110：在发光单元层的透光区域设置掩膜图形；
S120：在发光单元层的未被掩膜图形覆盖的区域设置金属栅格结构。
这样，金属栅格结构能够为光转换层中的各像素(设置掩膜图形的位置可以用于设置像素，以实现光转换)提供有效隔离/支撑，有利于光转换层正常发挥功能，尽量避免光转换效果受到影响。
参见图1B，在一些实施例中，基于本公开实施例提供的用于制作光转换层的方法，可以在发光单元层110的透光区域113设置掩膜图形120；在发光单元层110的未被掩膜图形120覆盖的区域设置金属栅格结构130。
参见图1C，在一些实施例中，位于虚线箭头上侧的部分从俯视图的角度示例性地示出了金属栅格结构130的整体形状，例如：呈网格状。
参见图1D，在一些实施例中，金属栅格结构130从主视图的角度的形状(例如：图中虚线内的金属栅格结构130的截面形状，以下简称为：金属栅格结构130的形状)可以呈梯形，例如：正梯形。
在一些实施例中，可以根据工艺需求等实际情况确定金属栅格结构130的形状，例如：部分或全部金属栅格结构130的形状可以为矩形、正梯形、倒梯形、三角形，多边形，等。
在一些实施例中，金属栅格结构130可以包含金属，例如：金属栅格结构130中的部分或全部为金属材质。
参见图2，在一些实施例中，设置掩膜图形120，可以包括：
在发光单元层110设置掩膜层140，对掩膜层140进行处理以形成掩膜图形120。
参见图3，在一些实施例中，在发光单元层110的透光区域113设置掩膜图形120，可以包括：
在发光单元层110的部分或全部透光区域113设置掩膜图形120。
在一些实施例中，可以如图1B、图1C、图2中所示，在发光单元层110的全部透光区域113设置掩膜图形120。可选地，可以如图3中所示，在发光单元层110的透光区域113中的部分区域设置掩膜图形120。可选地，在发光单元层110的多个透光区域113中，可以在一部分透光区域113的全部区域设置掩膜图形120，在另一部分透光区域113的部分区域设置掩膜图形120。
参见图4，在一些实施例中，掩膜图形120还可以覆盖发光单元层110的部分不透光区域114。可选地，在发光单元层110的多个不透光区域114中，可以在一部分不透光区域114(例如：不透光区域114的部分区域)设置掩膜图形120，在另一部分不透光区域114不设置掩膜图形120。
在一些实施例中，对掩膜层140进行处理以形成掩膜图形120，可以包括：
去除掩膜层140中不用于形成掩膜图形120的部分。
参见图5，在一些实施例中，设置掩膜图形120，可以包括：
在发光单元层110的出光面X设置掩膜图形120。
在一些实施例中，设置金属栅格结构130，可以包括：
通过PVD、CVD、电镀、喷墨打印、涂布、注入、或印刷等方式设置金属栅格结构130。可选地，上述的注入方式可以为真空注入。可选地，上述的印刷方式可以为丝网印刷。
在一些实施例中，可以根据工艺需求等实际情况确定设置金属栅格结构130的方式。
在一些实施例中，设置金属栅格结构130，可以包括：
通过电镀的方式设置金属栅格结构130。
参见图6A，在一些实施例中，可以在设置掩膜图形120之前，在发光单元层110设置电镀种子层150。
参见图6B，在一些实施例中，可以在设置掩膜图形120之后，在发光单元层110的未被掩膜图形120覆盖的区域设置电镀种子层150。
参见图6C，在一些实施例中，在发光单元层110所包括的多个发光单元111的部分或全部中，相邻的两个发光单元111之间可以设置有发光单元光隔离结构112。可选地，发光单元光隔离结构112可以包含金属，例如：发光单元光隔离结构112中的部分或全部为金属材质。
参见图7，在一些实施例中，在设置掩膜图形120之前设置电镀种子层150的情况下，还可以在电镀金属栅格结构130之后，去除电镀种子层150的未电镀有金属栅格结构130的部分。
参见图8，在一些实施例中，还可以在金属栅格结构130设置覆盖层160。可选地，覆盖层160可以部分或全部包围金属栅格结构130。
在一些实施例中，在金属栅格结构130设置覆盖层160，可以包括：
在金属栅格结构130的表面设置覆盖层160。
在一些实施例中，设置覆盖层160，可以包括：设置疏水层、亲水层、隔离层中至少之一。可选地，设置隔离层，可以包括：设置光隔离层。
参见图9A，在一些实施例中，设置光隔离层，可以包括：设置光吸收层161。
参见图9B，在一些实施例中，设置光隔离层，可以包括：设置光反射层163。可选地，光反射层163的光反射率与金属栅格结构130的光反射率可以相同或不同，例如：光反射层163的光反射率可以高于金属栅格结构130的光反射率。
参见图10，在一些实施例中，设置金属栅格结构130，可以包括：
将金属栅格结构130设置于掩膜图形120的间隙170中。
参见图11，在一些实施例中，掩膜图形120可以包含光转换材料190。可选地，可以对包含光转换材料190的掩膜图形120进行固化处理。可选地，包含光转换材料190的掩膜图形120可以作为像素，以实现光转换。
这样，金属栅格结构130以及包含光转换材料190的掩膜图形120可以形成光转换层。
参见图12，在一些实施例中，还可以包括：去除掩膜图形120；在金属栅格结构130设置光转换材料190。可选地，设置于金属栅格结构130的光转换材料190可以作为像素，以实现光转换。
这样，金属栅格结构130以及设置于金属栅格结构130的光转换材料190可以形成光转换层。
在一些实施例中，掩膜图形120可以包括可形变材料，例如：光刻胶。可选地，掩膜图形120可以包括通常不会发生形变的硬质材料，例如：氧化硅等硅基材料。
参见图13，在一些实施例中，设置光转换材料190，可以包括：
将光转换材料190设置于金属栅格结构130的间隙180中。
参见图14，本公开实施例提供了一种用于制作光转换层的装置200，包括处理器和存储有程序指令的存储器，处理器被配置为在执行程序指令时，执行上述的用于制作光转换层的方法。
在一些实施例中，图14中所示的用于制作光转换层的装置200的结构，可以包括：
处理器(processor)210和存储器(memory)220，还可以包括通信接口(Communication Interface)230和总线240。其中，处理器210、通信接口230、存储器220可以通过总线240完成相互间的通信。通信接口230可以用于信息传输。处理器210可以调用存储器220中的逻辑指令，以执行上述实施例的用于制作光转换层的方法。
此外，上述的存储器220中的逻辑指令可以通过软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。
存储器220作为一种计算机可读存储介质，可用于存储软件程序、计算机可执行程序，如本公开实施例中的方法对应的程序指令/模块。处理器210通过运行存储在存储器220中的程序指令/模块，从而执行功能应用以及数据处理，即实现上述方法实施例中的用于制作光转换层的方法。
存储器220可包括存储程序区和存储数据区，其中，存储程序区可存储操作系统、至少一个功能所需的应用程序；存储数据区可存储根据终端设备的使用所创建的数据等。此外，存储器220可以包括高速随机存取存储器，还可以包括非易失性存储器。
在一些实施例中，发光单元层110所包括的多个发光单元111可以包括：发光二极管(LED)、迷你(Mini)LED、微(Micro)LED中至少之一。可选地，多个发光单元111可以包括除了LED、Mini LED、Micro LED以外的其他发光器件。可选地，可以根据工艺需求等实际情况确定发光单元111的器件类型，例如：LED、Mini LED、Micro LED或其他发光器件。
本公开实施例提供的用于制作光转换层的方法和装置，能够为光转换层中的各像素提供有效隔离/支撑，有利于光转换层正常发挥功能，尽量避免光转换效果受到影响。
本公开实施例提供了一种计算机可读存储介质，存储有计算机可执行指令，该计算机可执行指令设置为执行上述的用于制作光转换层的方法。
本公开实施例提供了一种计算机程序产品，包括存储在计算机可读存储介质上的计算机程序，该计算机程序包括程序指令，当该程序指令被计算机执行时，使上述计算机执行上述的用于制作光转换层的方法。
上述的计算机可读存储介质可以是暂态计算机可读存储介质，也可以是非暂态计算机可读存储介质。
本公开实施例提供的计算机可读存储介质和计算机程序产品，能够为光转换层中的各像素提供有效隔离/支撑，有利于光转换层正常发挥功能，尽量避免光转换效果受到影响。
本公开实施例的技术方案可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括至少一个指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本公开实施例的方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质可以是非暂态存储介质，包括：U盘、移动硬盘、只读存储器(ROM，Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM，Random Access Memory)、磁碟或者光盘等多种可以存储程序代码的介质，也可以是暂态存储介质。
以上描述和附图充分地示出了本公开的实施例，以使本领域技术人员能够实践它们。其他实施例可以包括结构的、逻辑的、电气的、过程的以及其他的改变。实施例仅代表可能的变化。除非明确要求，否则单独的部件和功能是可选的，并且操作的顺序可以变化。一些实施例的部分和特征可以被包括在或替换其他实施例的部分和特征。本公开实施例的范围包括权利要求书的整个范围，以及权利要求书的所有可获得的等同物。当用于本申请中时，虽然术语“第一”、“第二”等可能会在本申请中使用以描述各元件，但这些元件不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一个元件区别开。比如，在不改变描述的含义的情况下，第一元件可以叫做第二元件，并且同样地，第二元件可以叫做第一元件，只要所有出现的“第一元件”一致重命名并且所有出现的“第二元件”一致重命名即可。第一元件和第二元件都是元件，但可以不是相同的元件。而且，本申请中使用的用词仅用于描述实施例并且不用于限制权利要求。如在实施例以及权利要求的描述中使用的，除非上下文清楚地表明，否则单数形式的“一个”(a)、“一个”(an)和“所述”(the)旨在同样包括复数形式。类似地，如在本申请中所使用的术语“和/或”是指包含一个或一个以上相关联的列出的任何以及所有可能的组合。另外，当用于本申请中时，术语“包括”(comprise)及其变型“包括”(comprises)和/或包括(comprising)等指陈述的特征、整体、步骤、操作、元素，和/或组件的存在，但不排除一个或一个以上其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或这些的分组的存在或添加。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个…”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法或者设备中还存在另外的相同要素。本文中，每个实施例重点说明的可以是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分可以互相参见。对于实施例公开的方法、产品等而言，如果其与实施例公开的方法部分相对应，那么相关之处可以参见方法部分的描述。
本领域技术人员可以意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、或者计算机软件和电子硬件的结合来实现。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，可以取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。本领域技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法以实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本公开实施例的范围。本领域技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，上述描述的系统、装置和单元的工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。
本文所披露的实施例中，所揭露的方法、产品(包括但不限于装置、设备等)，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，单元的划分，可以仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另外，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例。另外，在本公开实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。
在附图中，考虑到清楚性和描述性，可以夸大元件或层等结构的宽度、长度、厚度等。当元件或层等结构被称为“设置在”(或“安装在”、“铺设在”、“贴合在”、“涂布在”等类似描述)另一元件或层“上方”或“上”时，该元件或层等结构可以直接“设置在”上述的另一元件或层“上方”或“上”，或者可以存在与上述的另一元件或层之间的中间元件或层等结构，甚至有一部分嵌入上述的另一元件或层。
附图中的流程图和框图显示了根据本公开实施例的系统、方法和计算机程序产品的可能实现的体系架构、功能和操作。在这点上，流程图或框图中的每个方框可以代表一个模块、程序段或代码的一部分，上述模块、程序段或代码的一部分包含至少一个用于实现规定的逻辑功能的可执行指令。在有些作为替换的实现中，方框中所标注的功能也可以以不同于附图中所标注的顺序发生。例如，两个连续的方框实际上可以基本并行地执行，它们有时也可以按相反的顺序执行，这可以依所涉及的功能而定。在附图中的流程图和框图所对应的描述中，不同的方框所对应的操作或步骤也可以以不同于描述中所披露的顺序发生，有时不同的操作或步骤之间不存在特定的顺序。例如，两个连续的操作或步骤实际上可以基本并行地执行，它们有时也可以按相反的顺序执行，这可以依所涉及的功能而定。框图和/或流程图中的每个方框、以及框图和/或流程图中的方框的组合，可以用执行规定的功能或动作的专用的基于硬件的系统来实现，或者可以用专用硬件与计算机指令的组合来实现。
Claims (18)
1.一种用于制作光转换层的方法，其特征在于，包括：
在发光单元层的透光区域设置掩膜图形；
在所述发光单元层的未被所述掩膜图形覆盖的区域设置金属栅格结构。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，设置所述掩膜图形，包括：
在所述发光单元层设置掩膜层，对所述掩膜层进行处理以形成所述掩膜图形。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在发光单元层的透光区域设置掩膜图形，包括：
在所述发光单元层的部分或全部透光区域设置所述掩膜图形。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述掩膜图形还覆盖所述发光单元层的部分不透光区域。
5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，对所述掩膜层进行处理以形成所述掩膜图形，包括：
去除所述掩膜层中不用于形成所述掩膜图形的部分。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，设置所述掩膜图形，包括：
在所述发光单元层的出光面设置所述掩膜图形。
7.根据权利要求1至6任一项所述的方法，其特征在于，设置所述金属栅格结构，包括：
通过物理气相沉积PVD、化学气相沉积CVD、电镀、喷墨打印、涂布、注入、或印刷的方式设置所述金属栅格结构。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，设置所述金属栅格结构，包括：
通过电镀的方式设置所述金属栅格结构。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，还包括：
在设置所述掩膜图形之前，在所述发光单元层设置电镀种子层；或
在设置所述掩膜图形之后，在所述发光单元层的未被所述掩膜图形覆盖的区域设置电镀种子层。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，在设置所述掩膜图形之前设置所述电镀种子层的情况下，还包括：
在电镀所述金属栅格结构之后，去除所述电镀种子层的未电镀有所述金属栅格结构的部分。
11.根据权利要求7至10任一项所述的方法，其特征在于，还包括：在所述金属栅格结构设置覆盖层。
12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，在所述金属栅格结构设置所述覆盖层，包括：
在所述金属栅格结构的表面设置所述覆盖层。
13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，设置所述覆盖层，包括：
设置疏水层、亲水层、隔离层中至少之一。
14.根据权利要求7至10任一项所述的方法，其特征在于，设置所述金属栅格结构，包括：
将所述金属栅格结构设置于所述掩膜图形的间隙中。
15.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述掩膜图形包含光转换材料；
所述方法还包括：对所述掩膜图形进行固化处理。
16.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：
去除所述掩膜图形；
在所述金属栅格结构设置光转换材料。
17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，设置所述光转换材料，包括：
将所述光转换材料设置于所述金属栅格结构的间隙中。
18.一种用于制作光转换层的装置，包括处理器和存储有程序指令的存储器，其特征在于，所述处理器被配置为在执行所述程序指令时，执行如权利要求1至17任一项所述的方法。
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