CN114089608B - 拼接工艺中的修正方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种拼接工艺中的修正方法，获取套准精度数据，套准精度数据包括套准标记和套准补值时所需的运算文件；根据套准精度数据模拟整合得到一个die图形，其中die图形由多个曝光区域拼接形成，die图形上包括套准标记的信息；在每个曝光区域均生成多组标记，得到套准精度模拟数据；根据套准精度模拟数据对需进行单独补正的曝光区域进行拼接和套准的修正。通过本发明提供的套准数据处理方法进行补值，不需要增加额外的测试光罩，同时可以满足背照式图像传感器工艺对每个曝光区域单独补正时补值的要求，产品拼接和套准均控制在规格范围之内。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种拼接工艺中的修正方法。
背景技术
在CMOS图像传感器(CIS)领域，使用拼接技术工艺可以制作出尺寸大于26mmX33mm 的芯片。拼接(stitching)可以有效的监控大尺寸芯片内相邻曝光区域的对齐，套准则是监控不同曝光层之间的对准。
为生产大尺寸的芯片，就需要使用拼接技术，把设计的图形分区，依次曝光，然后拼接起来。例如，要生产一个约35mm*50mm的芯片，因为光刻机的像场限制，一次曝光最大26*33mm，无法曝出一个die的尺寸35mm*50mm的图像传感器。可以把这个图像传感器分成4块，每块的尺寸小于26*33mm，4块曝光后连接在一起，形成35mm*50mm大小的die。
大尺寸图像传感器经过多次不同的区域曝光后进行拼接，两块相邻的区域并不是独立工作，需要有图形相互连接，这和我们传统的曝光方法相邻曝光单元之间是以切割道相互连接有差异，需要实现无缝拼接。为确认拼接的准确性，需要在拼接处摆放拼接标记用于测量；但图像传感器内部不能够摆放标记，故所有的拼接和套准标记都摆放在最外围切割道上。通过拼接量测值的大小来判断拼接的好坏，值越小拼接越好；完美拼接的拼接量测值为0。
现有技术中，通过出版测试光罩，在die内部增加多组拼接和套准标记，用测试光罩进行曝光计算出拼接和套准修正的补值，然后用该补值来进行产品上拼接和套准的修正。
存在问题：
1.测试光罩的出版，以及相应的测试光罩光刻工艺，大大的增加了生产成本；
2.测试光罩只能离线监控，时效性和准确性差，产品返工率高。
而在大尺寸背照式图像传感器(BSI)拼接工艺中，背照式图像传感器(BSI)特有的晶圆键合工艺会造成晶圆形变，需要对每个曝光区域单独补正(correction perexposure，CPE)，测试光罩能否满足要求未知，同一光刻层内的拼接和不同光刻层间的套准修正更为困难，需要一种新型的修正方法来满足实际的生产需求。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种拼接工艺中的修正方法，用于解决现有技术中大尺寸背照式图像传感器拼接工艺中，测试光罩能否满足要求未知，同一光刻层内的拼接和不同光刻层间的套准修正困难的问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种拼接工艺中的修正方法，包括：
步骤一、获取套准精度数据，所述套准精度数据包括置于切割道的套准标记和套准补值时所需的运算文件；
步骤二、根据所述套准精度数据模拟整合得到一个die图形，其中所述die图形由多个曝光区域拼接形成,，以及设置在曝光区域最外围的切割道，所述die图形上包括所述套准标记的信息；
步骤三、在每个所述曝光区域中的所述切割道上均生成多组标记，得到套准精度模拟数据；
步骤四、根据所述套准精度模拟数据对需进行单独补正的曝光区域进行拼接和套准的修正。
优选地，步骤三的所述多组标记包括x*y个标记点，其中x和y分别依次定义为所述切割道上的行和列中的所述标记点数量。
优选地，所述标记点行和列中的数量均大于或等于三。
优选地，步骤一中的套准补值时所需的运算文件包括CPE6 terms。
优选地，步骤一中的所述套准标记包括拼接外框标记、拼接内框标记、旋转外框标记、旋转内框标记和套准精度标记。
优选地，步骤四中的对需进行单独补正的曝光区域进行拼接和套准的修正方法，需满足所述套准标记和所述多组标记的连续性。
优选地，步骤四中的对需进行单独补正的曝光区域进行拼接和套准的修正方法，需满足套准补值时所需的运算文件正常工作。
如上所述，本发明的拼接工艺中的修正方法，具有以下有益效果：
通过本发明提供的套准数据处理方法进行补值，不需要增加额外的测试光罩，同时可以满足背照式图像传感器工艺对每个曝光区域单独补正时补值的要求，产品拼接和套准均控制在规格范围之内。
附图说明
图1显示为本发明提供的方法流程示意图；
图2显示为现有技术提供的拼接效果示意图；
图3显示为现有技术提供的套准效果示意图；
图4显示为本发明提供的拼接效果示意图；
图5显示为本发明提供的套准效果示意图；
图6显示为本发明提供的约35mm*50mm大尺寸拼接图像传感器曝光示意图。
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
请参阅图1，本发明提供一种拼接工艺中的修正方法，包括：
步骤一，获取套准精度数据，套准精度数据为现有技术中的数据，套准精度数据包括套准标记和套准补值时所需的运算文件，现有技术中的套准数据包括曝光区域，各种不同的套准标记设置在曝光区域外围的切割道处，套准补值时所需的运算文件运算文件为套准过程中所需的逻辑控制文件；
在一种可能的实施方式中，步骤一中的套准补值时所需的运算文件包括CPE6terms，其中CPE6 terms指每个曝光区域单独补正时所需的6项参数。
在一种可能的实施方式中，在现有技术中的套准精度数据中，步骤一中的套准标记包括拼接外框标记，拼接内框标记，旋转外框标记，旋转内框标记和套准精度标记，拼接外框标记和拼接内框标记为同一光刻层内的拼接识别标记，套准精度标记为同光刻层间的套准识别标记，其均设置于切割道上。
步骤二，请参阅图6提供的一种实施例，根据套准精度数据中的曝光区域分布情况和套准标记分布情况，模拟整合得到一整个die图形，其中die图形由多个曝光区域拼接形成，die 图形上包括套准标记的信息，其步骤一中的各种套准标记也对应在die图形上的切割道区域；
步骤三，在每个曝光区域均生成多组标记，其中多组标记为增加的套准精度标记，得到包括增加的套准精度标记的套准精度模拟数据；
在一种可能的实施方式中，步骤三的多组标记包括设在在切割道区域上的x*y个标记点，其中x和y分别定义为行和列中的标记点数量。
在一种可能的实施方式中，标记点行和列中的数量均大于等于三。
步骤四，根据套准精度模拟数据对需进行单独补正的曝光区域进行拼接和套准的修正。
在一种可能的实施方式中，步骤四中的对需进行单独补正的曝光区域进行拼接和套准的修正方法，需满足套准标记和多组标记的连续性，使得在进行拼接和套准时，能够提高其识别进度，避免拼接套准精度降低。
在一种可能的实施方式中，步骤四中的对需进行单独补正的曝光区域进行拼接和套准的修正方法，需满足套准补值时所需的运算文件正常工作，使得不同的die按预设程序拼接。
在一种可能的实施方式中，相对于图2和图3中的拼接和套准表现，在采用本申请提供的修正方法后，得到如图4和图5中的拼接和套准表现，其精确度大幅提高，产品拼接和套准均控制在规格范围之内。
需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
综上所述，本发明提供的套准数据处理方法进行补值，不需要增加额外的测试光罩，同时可以满足背照式图像传感器工艺对每个曝光区域单独补正时补值的要求，产品拼接和套准均控制在规格范围之内。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。
Claims (7)
1.一种拼接工艺中的修正方法，其特征在于，至少包括：
步骤一、获取套准精度数据，所述套准精度数据包括置于切割道的套准标记和套准补值时所需的运算文件；
步骤二、根据所述套准精度数据模拟整合得到一个die图形，其中所述die图形由多个曝光区域拼接形成，以及设置在曝光区域最外围的切割道，所述die图形上包括所述套准标记的信息；
步骤三、在每个所述曝光区域中的切割道上均生成多组标记，所述多组标记为增加的套准精度标记，得到套准精度模拟数据；
步骤四、根据所述套准精度模拟数据对需进行单独补正的曝光区域进行拼接和套准的修正。
2.根据权利要求1所述的拼接工艺中的修正方法，其特征在于：步骤三的所述多组标记包括x*y个标记点，其中x和y分别依次定义为所述切割道上的行和列中的标记点数量。
3.根据权利要求2所述的拼接工艺中的修正方法，其特征在于：所述标记点数量均大于或等于三。
4.根据权利要求1所述的拼接工艺中的修正方法，其特征在于：步骤一中所需的运算文件为CPE6 terms。
5.根据权利要求1所述的拼接工艺中的修正方法，其特征在于：步骤一中的所述套准标记包括拼接外框标记、拼接内框标记、旋转外框标记、旋转内框标记和套准精度标记。
6.根据权利要求1所述的拼接工艺中的修正方法，其特征在于：步骤四中的对需进行单独补正的曝光区域进行拼接和套准的修正方法满足所述套准标记和所述多组标记的连续性。
7.根据权利要求1所述的拼接工艺中的修正方法，其特征在于：步骤四中的对需进行单独补正的曝光区域进行拼接和套准的修正方法满足套准补值时所需的运算文件正常工作。
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