CN114079224B - 光学元件和晶圆级光学模块 - Google Patents
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Abstract
本发明提出一种光学元件和晶圆级光学模块。光学元件包括第一基板、第二基板、第一光学膜层、第二光学膜层和间隙物。第一光学膜层设置在第一基板上并具有第一表面和多个第一光学微结构。这些第一光学微结构设置在第一表面上。第二光学膜层设置在第二基板上并具有第二表面和多个第二光学微结构。第二表面与第一表面相对设置。这些第二光学微结构设置在第二表面上。这些第一光学微结构在第一基板上的正交投影不重叠于这些第二光学微结构在第一基板上的正交投影。间隙物设置在第一基板和第二基板之间。一种采用光学元件的晶圆级光学模块亦被提出。
Description
技术领域
本发明涉及光学元件和光学模块,尤其涉及光学元件和晶圆级光学模块。
背景技术
近年来,随着模块微型化的需求以及电子产品低价化的趋势,晶圆级模块(WLM)技术引起了人们的关注。晶圆级模块技术主要是利用晶圆级制造技术来最小化电子产品的体积并降低其成本。举例来说,相较于传统的镜头模块,采用上述技术所制造的晶圆级光学(WLO)镜头模块可具有较小的体积,且适于应用在例如智能手机、平板电脑等可携式电子产品的相机模块中。
然而,随着人们对于电子产品的光学功能性的需求不断增长,晶圆级光学模块所配置的光学组件(例如,点阵投影器、泛光照明器和近接感测器)数量势必增加。也因此,增加了晶圆级光学模块的结构复杂性,致使晶圆级光学模块的微型化变得更加困难。
发明内容
本发明的其中一个目的在于提供一种具有多功能的光学元件。
本发明的另一个目的在于提供一种具有高整合度及功能性较佳的晶圆级光学模块。
本发明的光学元件,包括第一基板、第二基板、第一光学膜层、第二光学膜层以及间隙物。第二基板与第一基板相对设置。第一光学膜层设置在第一基板上并具有第一表面和多个第一光学微结构。这些第一光学微结构设置在第一表面上。第二光学膜层设置在第二基板上并具有第二表面和多个第二光学微结构。第二表面与第一表面相对设置。这些第二光学微结构设置在第二表面上。这些第一光学微结构在第一基板上的正交投影不重叠于这些第二光学微结构在第一基板上的正交投影。间隙物设置在第一基板和第二基板之间。
在本发明的一实施例中,上述的光学元件的间隙物连接在第一光学膜层和第二光学膜层之间。第一表面、第二表面以及间隙物定义出光学元件的腔体,且这些第一光学微结构和这些第二光学微结构设置在腔体内。
在本发明的一实施例中,上述的光学元件还包括折射率匹配层。折射率匹配层设置在第一基板和第一光学膜层之间。
在本发明的一实施例中,上述的光学元件还包括缓冲层。缓冲层设置在第二基板和第二光学膜层之间。
在本发明的一实施例中,上述的光学元件的第一光学膜层在第一基板上的正交投影不重叠于第二光学膜层在第一基板上的正交投影。
在本发明的一实施例中,上述的光学元件的第一光学膜层在平行于第一基板的方向上重叠于第二光学膜层。
在本发明的一实施例中,上述的光学元件还包括缓冲层。缓冲层设置在第二基板和第二光学膜层之间。缓冲层在第二基板上的正交投影不重叠于第一光学膜层在第二基板上的正交投影。
在本发明的一实施例中,上述的光学元件的间隙物连接在第一基板和第二基板之间。第一基板、第二基板和间隙物定义出光学元件的腔体,且第一光学膜层和第二光学膜层设置在腔体内。
在本发明的一实施例中,上述的光学元件的间隙物连接在第一光学膜层与第二基板之间。第一光学膜层、第二基板以及间隙物定义出光学元件的腔体。这些第一光学微结构与这些第二光学膜层设置在腔体内,且第二光学膜层不重叠于这些第一光学微结构。
本发明的晶圆级光学模块,包括光学元件和光发射器。光学元件设置在光发射器的光路上。光学元件包括第一基板、第二基板、第一光学膜层、第二光学膜层和间隙物。第二基板与第一基板相对设置。第一光学膜层设置在第一基板上并具有第一表面和多个第一光学微结构。这些第一光学微结构设置在第一表面上。第二光学膜层设置在第二基板上并具有第二表面和多个第二光学微结构。第二表面与第一表面相对设置。这些第二光学微结构设置在第二表面上。这些第一光学微结构在第一基板上的正交投影不重叠于这些第二光学微结构在第一基板上的正交投影。间隙物设置在第一基板和第二基板之间。光发射器具有至少两个发光元件。此至少两个发光元件的其中一者重叠于这些第一光学微结构,且此至少两个发光元件的其中另一者重叠于这些第二光学微结构。
在本发明的一实施例中,上述的晶圆级光学模块的至少两个发光元件是垂直共振腔面射型激光阵列。
在本发明的一实施例中,上述的晶圆级光学模块的光发射器还包括控制电路板。控制电路板电连接至此至少两个发光元件。此至少两个发光元件被控制电路板独立地控制。
在本发明的一实施例中,上述的晶圆级光学模块的间隙物连接在第一光学膜层和第二光学膜层之间。第一表面、第二表面以及间隙物定义出光学元件的腔体。这些第一光学微结构以及这些第二光学微结构设置在腔体内。
在本发明的一实施例中,上述的晶圆级光学模块的光学元件还包括折射率匹配层。折射率匹配层设置在第一基板和第一光学膜层之间。
在本发明的一实施例中,上述的晶圆级光学模块的光学元件还包括缓冲层。缓冲层设置在第二基板和第二光学膜层之间。
在本发明的一实施例中,上述的晶圆级光学模块的第一光学膜层在第一基板上的正交投影不重叠于第二光学膜层在第一基板上的正交投影。
在本发明的一实施例中,上述的晶圆级光学模块的第一光学膜层在平行于第一基板的方向上重叠于第二光学膜层。
在本发明的一实施例中,上述的晶圆级光学模块的光学元件还包括缓冲层。缓冲层设置在第二基板和第二光学膜层之间。缓冲层在第二基板上的正交投影不重叠于第一光学膜层在第二基板上的正交投影。
在本发明的一实施例中,上述的晶圆级光学模块的间隙物连接在第一基板和第二基板之间。第一基板、第二基板和间隙物定义出光学元件的腔体。第一光学膜层和第二光学膜层设置在腔体内。
在本发明的一实施例中,上述的晶圆级光学模块的间隙物连接在第一光学膜层和第二基板之间。第一光学膜层、第二基板和间隙物定义出光学元件的腔体。这些第一光学微结构与这些第二光学微结构设置在腔体内。第二光学膜层不重叠于这些第一光学微结构。
基于上述,在本发明的一实施例的光学元件和晶圆级光学模块中,两个光学膜层设置在两个基板之间。通过间隙物的设置,两个基板之间因设有间隙物而具有间隙。每个光学膜层具有设置在间隙中的多个光学微结构。两个光学膜层的其中一者的多个光学微结构不重叠于两个光学膜层的其中另一者的多个光学微结构,从而使光学元件具有更多的光学功能。也因此,可以提高晶圆级光学模块的整合度。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合所附附图作详细说明如下。
附图说明
图1是根据本发明的第一实施例的晶圆级光学模块的示意性截面图。
图2是图1中的晶圆级光学模块的示意性俯视图。
图3是根据本发明的第二实施例的光学元件的示意性截面图。
图4是根据本发明的第三实施例的光学元件的示意性截面图。
图5是根据本发明的第四实施例的光学元件的示意性截面图。
图6是根据本发明的第五实施例的光学元件的示意性截面图。
图7是根据本发明第六实施例的光学元件的示意性截面图。
图8是根据本发明另一实施例的晶圆级光学模块的示意性截面图。
图9是图8中的晶圆级光学模块的示意性俯视图。
附图标记如下:
1、2:晶圆级光学模块
100、100A、100B、100C、100D、100E:光学元件
101:第一基板
102:第二基板
110、110A、110B、110C:第一光学膜层
110s:第一表面
120、120A、120B:第二光学膜层
120s:第二表面
125、125A、125B:缓冲层
130、130A、130B、130C、130D:间隙物
135、135A:折射率匹配层
200、200A:光发射器
210:控制电路板
220、221、222、220A、221A、221B、222A、222B:发光元件
230:接垫
240:接合线
CA、CA-A、CA-B、CA-C:腔体
E1:第一电极
E2:第二电极
ES:外延结构
EA1、EA2、EA11、EA12、EA21、EA22:出光孔
LB1、LB2、LB11、LB12、LB21、LB22:光束
MS1:第一光学微结构
MS2:第二光学微结构
OR1:第一光学区域
OR2:第二光学区域
X、Y、Z:方向
具体实施方式
在下列较佳实施例的详细描述中,参考了构成实施例一部分的所附附图,并且,在附图中,以示出可以实践本发明的特定实施例的方式来呈现。在这方面,方向性术语诸如“顶部”、“底部”、“前面”、“背面”等是参考所描述的附图的方向来使用的。本发明的部件可以许多不同的方向定位。如此一来,方向性术语是用于说明的目的,绝不是限制性的。另一方面,附图仅是示意性的,并且为了清楚起见可能放大了部件的尺寸。应当理解,在不脱离本发明的范围的情况下,可以利用其他实施例并且可以进行结构上的改变。另外,应当理解,本文所使用的措词和术语是出于描述的目的,而不应被视为限制。本文中“包括”、“包含”或“具有”及其变体的使用意在涵盖其后列出的项目及其等同物以及其他项目。除非另有限制,否则本文中的术语“连接”、“耦接”和“安装”及其变体被广义地使用,并且涵盖直接的和间接的连接、耦接和安装。同样地,本文中的术语“面对”、“面向”及其变体被广义地使用并涵盖直接的和间接的面对,并且,本文中的“相邻于”及其变体被广义地使用并涵盖直接的和间接的“相邻于”。因此,本文中面向“B”组件的“A”组件的描述可能包含“A”组件直接面对“B”组件或有一个或多个其他组件位于“A”组件和“B”组件之间的情况。此外,本文中“邻近”“B”组件的“A”组件的描述可能包含以下情况:“A”组件直接“邻近”“B”组件或是有一个或多个其他组件在“A”组件与“B”组件之间。因此,本质上将附图以及描述认为是说明性的而不是限制性的。
图1是根据本发明的第一实施例的晶圆级光学模块的示意性截面图。图2是图1中的晶圆级光学模块的示意性俯视图。特别说明的是,为清楚呈现与说明起见,图2省略了图1的间隙物130、第一电极E1、第二电极E2、外延结构ES、控制电路板210、接垫230和接合线240的示出。
请参照图1和图2,晶圆级光学模块1包括光学元件100和光发射器200。光学元件100设置在光发射器200的光路上。具体而言,光发射器200具有多个出光孔,例如,出光孔EA1和出光孔EA2。光学元件100与这些出光孔重叠。举例来说,在本实施例中,光学元件100具有第一光学区域OR1和第二光学区域OR2。应注意的是,第一光学区域OR1和第二光学区域OR2分别重叠于光发射器200的出光孔EA1和出光孔EA2。
详细而言,光学元件100包括第一基板101、第二基板102、第一光学膜层110和第二光学膜层120。第二基板102与第一基板101相对设置。第一光学膜层110和第二光学膜层120分别设置在第一基板101和第二基板102上。第一基板101和第二基板102的材料包括玻璃、石英或聚合物材料(例如,聚碳酸酯或丙烯酸),但本发明不限于此。第一光学膜层110和第二光学膜层120的材料包括光固化材料(例如,紫外线固化树脂)、热固化材料或其组合,但本发明不限于此。
进一步而言,第一光学膜层110具有第一表面110s和多个第一光学微结构MS1。第一光学微结构MS1设置在第一表面110s上。第二光学膜层120具有第二表面120s和多个第二光学微结构MS2。第二光学膜层120的第二表面120s与第一光学膜层110的第一表面110s相对设置。第二光学微结构MS2设置在第二表面120s上。在本实施例中,光学元件100的第一光学区域OR1是由第一光学微结构MS1所定义出,而光学元件100的第二光学区域OR2是由第二光学微结构MS2所定义出。
举例来说,本实施例的第一光学微结构MS1是从第一表面110s凸出的条状图案。这些条状图案沿着方向X排列并在方向Y上延伸,其中方向X相交于方向Y。然而,本发明不限于此。根据其他实施例,第一光学微结构MS1在第一表面110s上的正交投影可以是同心圆图案。在本实施例中,在方向X上的条状图案的宽度或相邻的两条状图案之间的间距可以在0.2微米至200微米的范围内,但本发明不限于此。
另一方面,第二光学微结构MS2是从第二表面120s凹陷的凹透镜结构。这些凹透镜结构在第二表面120s上的正交投影轮廓为圆形。第二光学微结构MS2沿着方向X和方向Y排列成多行和多列。也就是说,第二光学微结构MS2以阵列形式排列在第二表面120s上,但本发明不限于此。根据其他实施例,第二光学微结构MS2也可以蜂巢状的方式设置。在本实施例中,凹透镜结构的宽度或相邻的两凹透镜结构之间的间距可以在15微米至55微米的范围内,但本发明不限于此。
在本实施例中,第一光学膜层110的第一光学微结构MS1的形成可以通过在热固化胶层上的热压成型工艺来实现,而第二光学膜层120的第二光学微结构MS2的形成可以通过在光固化胶层上的压印工艺来实现。热固化胶层和光固化胶层的涂覆工艺可包括喷涂(spraying)工艺、旋涂(spin-coating)工艺或涂布(dispensing)工艺。然而,本发明不限于此。在其他实施例中,第一光学膜层110的材料和第二光学膜层120的材料也可根据光学元件的实际光学设计及/或工艺需求而调整为相同的材料。应当理解的是,第一光学膜层110和第二光学膜层120的形成方法也可根据光学膜层的材料选择和光学微结构的实际设计条件进行调整。
需说明的是,在图2的实施例中,第一光学微结构MS1的数量和第二光学微结构MS2的数量分别是以五个和九个为例进行示范性地说明,并不表示本发明以附图公开内容为限制。在其他实施例中,第一光学微结构MS1的数量和第二光学微结构MS2的数量也可以根据光学元件的实际设计需求而调整。
光发射器200包括控制电路板210和两个发光元件220(例如,发光元件221和发光元件222)。这些发光元件220设置在控制电路板210上并且电耦合至控制电路板210。控制电路板210具有多个接垫230,且这两个发光元件220各自通过接合线240电连接到接垫230。应注意的是,这些发光元件220可被控制电路板210独立地控制。需说明的是,在本实施例中,发光元件220的数量是以两个为例进行示范性地说明,并不表示本发明以附图公开内容为限制。在其他实施例中,发光元件220的数量也可根据实际的光学设计而调整为两个以上。
详细而言,发光元件220具有第一电极E1、第二电极E2和外延结构ES。第一电极E1和第二电极E2分别设置在外延结构ES的相对两侧。在本实施例中,第一电极E1可以是环形结构,并定义出光发射器200的出光孔。举例来说,发光元件221的第一电极E1和发光元件222的第一电极E1可分别定义出光发射器200的出光孔EA1和出光孔EA2。发光元件221和发光元件222可被控制电路板210独立地控制并分别发出光束LB1和光束LB2。
自出光孔EA1射出的光束LB1被传递至第一光学微结构MS1。自出光孔EA2射出的光束LB2被传递至第二光学微结构MS2。从另一观点来说,光学元件100的第一光学区域OR1(或第一光学微结构MS1)不能被从出光孔EA2出射的光束LB2照射,且光学元件100的第二光学区域OR2(或第二光学微结构MS2)不能被从出光孔EA1出射的光束LB1照射。
值得注意的是,通过第一光学膜层110的第一光学微结构MS1在第一表面110s的法线方向(例如方向Z)上不重叠于第二光学膜层120的第二光学微结构MS2,可使光学元件100具有更多的光学功能。也因此,还可以提升晶圆级光学模块1的整合度(integrationdegree)。
举例来说,第一光学微结构MS1的光学功能可以类似于绕射光学元件(DOE)的光学功能,且发光元件221和第一光学微结构MS1的组合可以是泛光照明器(floodilluminator)。另一方面,第二光学微结构MS2的光学功能可以类似于复眼透镜(fly-eyelens)的光学功能,且发光元件222和第二光学微结构MS2的组合可以是点阵投影器(dotprojector)。也就是说,本实施例的晶圆级光学模块1可以是3D感测器模块,但本发明不限于此。
在本实施例中,发光元件220可以是垂直共振腔面射型激光(vertical cavitysurface emitting laser,VCSEL)。在其他实施例中,两个以上的发光元件220可以形成VCSEL阵列。然而,本发明不限于此。根据其他实施例,发光元件220也可以是微发光二极管(micro-LED)或次毫米发光二极管(mini-LED)。
在本实施例中,发光元件220的外延结构ES彼此连接。也就是说,发光元件221的外延结构ES和发光元件222的外延结构ES可以形成在同一个外延基板(例如,GaAs基板或蓝宝石基板)上,但本发明不限于此。
进一步而言,光学元件100还包括间隙物130。间隙物130设置在第一基板101和第二基板102之间。在本实施例中,间隙物130连接在第一光学膜层110和第二光学膜层120之间。第一光学膜层110的第一表面110s、第二光学膜层120的第二表面120s以及间隙物130定义出光学元件100的腔体CA。也就是说,可以通过间隙物130控制第一光学膜层110和第二光学膜层120之间的间隙。值得一提的是,通过将第一光学膜层110的第一光学微结构MS1和第二光学膜层120的第二光学微结构MS2设置在腔体CA内,可避免在制造晶圆级光学模块1的过程中损坏光学膜层的光学微结构。换句话说,可以提升光学元件100(或晶圆级光学模块1)的生产良率。举例来说,间隙物130可以是胶带(adhesive tape),但本发明不限于此。
在下文中,提供了其他实施例来详细地解释本发明,其中,相同的部件将由相同的元件符号来表示,并且将省略对相同技术内容的描述。对于省略的部分,请参考前述实施例,而不在下文中赘述。
图3是根据本发明的第二实施例的光学元件的示意性截面图。请参照图3,本实施例的光学元件100A与图1的光学元件100之间的差异在于:光学元件的组成不同。在本实施例中,光学元件100A还包括折射率匹配层135和缓冲层125。折射率匹配层135设置在第一基板101和第一光学膜层110A之间。缓冲层125设置在第二基板102和第二光学膜层120之间。由于第一光学膜层110A具有高折射率(例如,折射率大于1.7),因此可通过配置折射率匹配层135来抑制光束(如图1的光束LB1与光束LB2)在第一基板101与第一光学膜层110A之间的界面反射。在本实施例中,第一光学微结构MS1在方向X上的宽度或相邻的两个第一光学微结构MS1在方向X上的间距可小于1.5微米。
另一方面,通过缓冲层125的配置,可以提升光学元件100A在热循环测试(thermalcycle test)下的可靠度。也就是说,可以增加光学元件100A对反复性热/冷冲击的耐受力。然而,本发明不限于此,在其他实施例中,光学元件100A也可以仅具有折射率匹配层135和缓冲层125中的一个。
图4是根据本发明的第三实施例的光学元件的示意性截面图。请参照图4,本实施例的光学元件100B与图3的光学元件100A之间的差异在于:光学元件的配置方式不同。在本实施例中,间隙物130A连接在折射率匹配层135和第二基板102之间。折射率匹配层135、第二基板102和间隙物130A定义出光学元件100B的腔体CA-A,且第一光学膜层110B、第二光学膜层120A和缓冲层125A设置在腔体CA-A内。
特别说明的是,第一光学膜层110B在第一基板101上的正交投影不重叠于第二光学膜层120A在第一基板101上的正交投影。举例来说,相较于图3的光学元件100A,光学元件100B的制造过程还可进一步包括激光切割步骤。在组装本实施例的光学元件100B之前,必须针对各光学膜层进行激光切割工艺。举例来说,在经由一次的激光切割步骤去除如图3中的第一光学膜层110A重叠于第二光学区域OR2的部分后形成本实施例的第一光学膜层110B,并且在经由另一次的激光切割步骤去除如图3中的第二光学膜层120重叠于第一光学区域OR1的部分后形成本实施例的第二光学膜层120A,但本发明不限于此。
进一步而言,在第一光学膜层110B的激光切割工艺中,折射率匹配层135仍然保留与第二光学区域OR2重叠的部分。相反地,在第二光学膜层120A的激光切割工艺中,如图3中的缓冲层125重叠于第一光学区域OR1的部分也一并被去除并形成本实施例的缓冲层125A。也就是说,缓冲层125A不重叠于第一光学膜层110B。然而,本发明不限于此,在其他实施例中,也可以在第一光学膜层110B的激光切割工艺中同时去除折射率匹配层135重叠于第二光学区域OR2的部分。
图5是根据本发明的第四实施例的光学元件的示意性截面图。请参照图5,本实施例的光学元件100C与图4的光学元件100B之间的差异在于:光学元件的配置方式不同。具体而言,光学元件100C的间隙物130B与图4的间隙物130A相比具有较小的厚度,使得第一光学膜层110B在平行于第一基板101的方向(例如方向X)上与第二光学膜层120A重叠。据此,可进一步缩减光学元件100C的整体厚度。
图6是根据本发明的第五实施例的光学元件的示意性截面图。请参照图6,本实施例的光学元件100D与图3的光学元件100A之间的差异在于:光学元件的配置方式不同。在本实施例中,间隙物130C直接连接在第一基板101和第二基板102之间。第一基板101、第二基板102和间隙物130C定义出光学元件100D的腔体CA-B,且第一光学膜层110C、第二光学膜层120B、缓冲层125B和折射率匹配层135A设置在腔体CA-B内。
举例来说,在经由一次的激光切割步骤去除如图3中的第一光学膜层110A重叠于间隙物130C的预定区域的部分后形成本实施例的第一光学膜层110C,而在经由另一次的激光切割步骤去除如图3中的第二光学膜层120重叠于间隙物130C的预定区域的部分后形成本实施例的第二光学膜层120B,但本发明不限于此。
图7是根据本发明第六实施例的光学元件的示意性截面图。请参照图7,本实施例的光学元件100E与图4的光学元件100B之间的差异在于:光学膜层的配置方式不同。在本实施例中,间隙物130D连接在第一光学膜层110和第二基板102之间。第一光学膜层110、第二基板102和间隙物130D定义出光学元件100E的腔体CA-C,且多个第一光学微结构MS1、第二光学膜层120A和缓冲层125A设置在腔体CA-C内。
在本实施例中,光学元件100E的制造过程可以仅包括一个激光切割工艺。举例来说,可在经由激光切割步骤去除如图3中的第二光学膜层120重叠于第一光学区域OR1以及间隙物130D的预定区域的部分后形成本实施例的第二光学膜层120A,但本发明不限于此。根据其他实施例,也可仅针对第一光学膜层110进行激光切割工艺以去除第一光学膜层110重叠于第二光学区域OR2以及间隙物130D的预定区域的部分。
图8是根据本发明另一实施例的晶圆级光学模块的示意性截面图。图9是图8中的晶圆级光学模块的示意性俯视图。特别说明的是,为了清楚呈现及说明起见,图9省略了图8的间隙物130、第一电极E1、第二电极E2、外延结构ES、控制电路板210、接垫230以及接合线240的示出。
请参照图8和图9,本实施例的晶圆级光学模块2与晶圆级光学模块1之间的差异在于:光发射器的配置方式不同。具体而言,重叠于各光学区域的发光元件220A数量可多于图1中重叠于各光学区域的发光元件220数量。举例来说,在本实施例中,光发射器200A具有八个发光元件220A。一部分的发光元件220A(例如,发光元件221A和发光元件221B)重叠于第一光学区域OR1,而另一部分的发光元件220A(例如,发光元件222A和发光元件222B)重叠于第二光学区域OR2。从另一观点来说,第一光学区域OR1和第二光学区域OR2各自重叠于光发射器200A的四个出光孔。
由于本实施例的光发射器200A相似于图1的光发射器200,因此详细的说明请参考前述实施例的相关段落,于此不再赘述。举例来说,在本实施例中,出光孔EA11、出光孔EA12、出光孔EA21以及出光孔EA22可分别由发光元件221A的第一电极E1、发光元件221B的第一电极E1、发光元件222A的第一电极E1以及发光元件222B的第一电极E1来定义。这些发光元件220A可被控制电路板210独立地控制并发射光束。
举例来说,自出光孔EA11发射的光束LB11以及自出光孔EA12发射的光束LB12被传递至第一光学微结构MS1的不同部分。同样地,自出光孔EA21发射的光束LB21以及自出光孔EA22发射的光束LB22被传递至第二光学微结构MS2的不同部分。在本实施例中,光学元件100的第一光学区域OR1与第二光学区域OR2各自可被所选择的至少一发光元件220A局部地照射。因此,晶圆级光学模块2可以根据所要照射的物体或投影表面的位置来决定需被使能的发光元件220A数量以达到节能的效果。从另一观点来说,晶圆级光学模块2的操作灵活度也可以获得改善。
综上所述,在本发明的一实施例的光学元件和晶圆级光学模块中,两个光学膜层设置在两个基板之间。通过间隙物的设置,两个基板之间因设有间隙物而具有间隙。每个光学膜层具有设置在间隙中的多个光学微结构。两个光学膜层的其中一者的多个光学微结构不重叠于两个光学膜层的其中另一者的多个光学微结构,从而使光学元件具有更多的光学功能。也因此,可以提高晶圆级光学模块的整合度。
对于本领域的技术人员将显而易见的是,在不脱离本发明的范围或精神的情况下,可以对所公开的实施例进行各种修改和变化。鉴于前述内容,旨在使本公开涵盖落入所附权利要求及其等同物的范围内的修改和变型。
Claims (20)
1.一种光学元件,包括:
一第一基板;
一第二基板,与该第一基板相对设置;
一第一光学膜层,设置在该第一基板上,该第一光学膜层具有一第一表面和多个第一光学微结构,多个所述第一光学微结构设置在该第一表面上;
一第二光学膜层,设置在该第二基板上,该第二光学膜层具有一第二表面和多个第二光学微结构,该第二表面与该第一表面相对设置,多个所述第二光学微结构设置在该第二表面上,其中多个所述第一光学微结构在该第一基板上的正交投影不重叠于多个所述第二光学微结构在该第一基板上的正交投影;以及
一间隙物,设置在该第一基板与该第二基板之间。
2.如权利要求1所述的光学元件,其中该间隙物连接在该第一光学膜层和该第二光学膜层之间,该第一表面、该第二表面以及该间隙物定义出该光学元件的一腔体,且多个所述第一光学微结构以及多个所述第二光学微结构设置在该腔体内。
3.如权利要求1所述的光学元件,还包括:
一折射率匹配层,设置在该第一基板与该第一光学膜层之间。
4.如权利要求3所述的光学元件,还包括:
一缓冲层,设置在该第二基板与该第二光学膜层之间。
5.如权利要求1所述的光学元件,其中该第一光学膜层在该第一基板上的正交投影不重叠于该第二光学膜层在该第一基板上的正交投影。
6.如权利要求5所述的光学元件,其中该第一光学膜层在平行于该第一基板的一方向上重叠于该第二光学膜层。
7.如权利要求5所述的光学元件,还包括:
一缓冲层,设置在该第二基板与该第二光学膜层之间,且该缓冲层在该第二基板上的正交投影不重叠于该第一光学膜层在该第二基板上的正交投影。
8.如权利要求1所述的光学元件,其中该间隙物连接在该第一基板以及该第二基板之间,该第一基板、该第二基板以及该间隙物定义出该光学元件的一腔体,该第一光学膜层以及该第二光学元件膜设置在该腔体内。
9.如权利要求1所述的光学元件,其中该间隙物连接在该第一光学膜层以及该第二基板之间,该第一光学膜层、该第二基板以及该间隙物定义出该光学元件的一腔体,多个所述第一光学微结构与该第二光学膜层设置在该腔体内,且该第二光学膜层不重叠于多个所述第一光学微结构。
10.一种晶圆级光学模块,包括:
一光学元件,包括:
一第一基板;
一第二基板,与该第一基板相对设置;
一第一光学膜层,设置在该第一基板上,该第一光学膜层具有一第一表面与多个第一光学微结构,多个所述第一光学微结构设置在该第一表面上;
一第二光学膜层,设置在该第二基板上,该第二光学膜层具有一第二表面与多个第二光学微结构,该第二表面与该第一表面相对设置,多个所述第二光学微结构设置在该第二表面上,多个所述第一光学微结构在该第一基板上的正交投影不重叠于多个所述第二光学微结构在该第一基板上的正交投影;以及
一间隙物,设置在该第一基板以及该第二基板之间;以及
一光发射器,具有至少两个发光元件,其中该光学元件设置在该光发射器的光路上,该至少两个发光元件的其中一者重叠于多个所述第一光学微结构,且该至少两个发光元件的其中另一者重叠于多个所述第二光学微结构。
11.如权利要求10所述的晶圆级光学模块,其中该至少两个发光元件是垂直共振腔面射型激光阵列。
12.如权利要求10所述的晶圆级光学模块,其中该光发射器还包括:
一控制电路板,电连接至该至少两个发光元件,其中该至少两个发光元件被该控制电路板独立地控制。
13.如权利要求10所述的晶圆级光学模块,其中该间隙物连接在该第一光学膜层与该第二光学膜层之间,该第一表面、该第二表面以及该间隙物定义出该光学元件的一腔体,且多个所述第一光学微结构以及多个所述第二光学微结构设置在该腔体内。
14.如权利要求10所述的晶圆级光学模块,其中该光学元件还包括:
一折射率匹配层,设置在该第一基板与该第一光学膜层之间。
15.如权利要求14所述的晶圆级光学模块,其中该光学元件还包括:
一缓冲层,设置在该第二基板与该第二光学膜层之间。
16.如权利要求10所述的晶圆级光学模块,其中该第一光学膜层在该第一基板上的正交投影不重叠于该第二光学膜层在该第一基板上的正交投影。
17.如权利要求16所述的晶圆级光学模块,其中该第一光学膜层在平行于该第一基板的一方向上重叠于该第二光学膜层。
18.如权利要求16所述的晶圆级光学模块,其中该光学元件还包括:
一缓冲层,设置在该第二基板与该第二光学膜层之间,且该缓冲层在该第二基板上的正交投影不重叠于该第一光学膜层在该第二基板上的正交投影。
19.如权利要求10所述的晶圆级光学模块,其中该间隙物连接于该第一基板与该第二基板之间,该第一基板、该第二基板以及该间隙物定义出该光学元件的一腔体,且该第一光学膜层与该第二光学膜层设置在该腔体内。
20.如权利要求10所述的晶圆级光学模块,其中该间隙物连接于该第一光学膜层与该第二基板之间,该第一光学膜层、该第二基板以及该间隙物定义出该光学元件的一腔体,多个所述第一光学微结构与多个所述第二光学微结构设置在该腔体内,且该第二光学膜层不重叠于多个所述第一光学微结构。
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Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000019307A (ja) * | 1998-04-30 | 2000-01-21 | Seiko Epson Corp | マイクロレンズアレイ基板の製造方法、マイクロレンズアレイ基板、液晶パネル用対向基板、液晶パネル、投射型表示装置および柱付きマイクロレンズ基板 |
WO2009077802A1 (en) * | 2007-12-18 | 2009-06-25 | Nokia Corporation | Exit pupil expanders with wide field-of-view |
CN103336398A (zh) * | 2012-10-25 | 2013-10-02 | 友达光电股份有限公司 | 液晶透镜、应用其的显示装置及显示装置的驱动方法 |
CN105514138A (zh) * | 2014-10-08 | 2016-04-20 | 株式会社日本显示器 | 显示装置及其制造方法 |
WO2017118087A1 (zh) * | 2016-01-08 | 2017-07-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及显示装置 |
CN106950630A (zh) * | 2017-05-22 | 2017-07-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种光栅及立体显示装置 |
WO2017201784A1 (zh) * | 2016-05-26 | 2017-11-30 | 武汉华星光电技术有限公司 | 透镜光栅、3d显示器及电子装置 |
WO2019129798A1 (en) * | 2017-12-29 | 2019-07-04 | Universiteit Gent | Temperature insensitive filter |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6952301B2 (en) * | 1995-06-19 | 2005-10-04 | Reflectivity, Inc | Spatial light modulators with light blocking and absorbing areas |
US6635941B2 (en) | 2001-03-21 | 2003-10-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Structure of semiconductor device with improved reliability |
JP4826362B2 (ja) | 2006-06-28 | 2011-11-30 | 東京エレクトロン株式会社 | マイクロレンズの形成方法 |
JP5024992B2 (ja) * | 2007-02-02 | 2012-09-12 | 株式会社ジャパンディスプレイセントラル | 表示装置 |
CN101990711B (zh) * | 2007-11-27 | 2017-05-17 | 新加坡恒立私人有限公司 | 密封的透镜叠组 |
DE102008019600B4 (de) * | 2008-04-18 | 2021-03-04 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Optische Vorrichtung in gestapelter Bauweise und Verfahren zur Herstellung derselben |
KR101118533B1 (ko) * | 2009-09-28 | 2012-03-12 | 서울대학교산학협력단 | 발광장치에 사용되는 복합필름, 발광장치 및 그 제조방법 |
KR20110051612A (ko) * | 2009-11-10 | 2011-05-18 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
SG186214A1 (en) | 2010-06-14 | 2013-01-30 | Heptagon Micro Optics Pte Ltd | Method of manufacturing a plurality of optical devices |
TWI707483B (zh) | 2012-07-17 | 2020-10-11 | 新加坡商新加坡恒立私人有限公司 | 發射可變強度分布的光線的光電模組 |
TW201417250A (zh) * | 2012-07-17 | 2014-05-01 | 海特根微光學公司 | 光學模組,特別是光電模組,及其製造方法 |
TWI627761B (zh) * | 2012-07-17 | 2018-06-21 | 新加坡恒立私人有限公司 | 用以感測一量度的感測器模組,其應用器具,其製造方法,裝置的製造方法,及包含光譜計模組的裝置 |
TWI486623B (zh) * | 2012-10-05 | 2015-06-01 | Himax Tech Ltd | 晶圓級鏡頭、鏡頭片及其製造方法 |
TWI650851B (zh) | 2013-12-10 | 2019-02-11 | 新加坡商新加坡恒立私人有限公司 | 晶圓級光學模組及其製造方法 |
US9482796B2 (en) * | 2014-02-04 | 2016-11-01 | California Institute Of Technology | Controllable planar optical focusing system |
TW201531777A (zh) * | 2014-02-07 | 2015-08-16 | Chunghwa Picture Tubes Ltd | 透明顯示裝置 |
US10886420B2 (en) | 2016-04-08 | 2021-01-05 | Ams Sensors Singapore Pte. Ltd. | Thin optoelectronic modules with apertures and their manufacture |
TWM542153U (zh) * | 2016-11-28 | 2017-05-21 | 凌巨科技股份有限公司 | 凹面顯示器 |
US11353626B2 (en) * | 2018-02-05 | 2022-06-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Meta illuminator |
-
2020
- 2020-08-11 US US16/990,980 patent/US11808959B2/en active Active
- 2020-09-22 TW TW109132704A patent/TWI747513B/zh active
-
2021
- 2021-02-07 CN CN202110168262.9A patent/CN114079224B/zh active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000019307A (ja) * | 1998-04-30 | 2000-01-21 | Seiko Epson Corp | マイクロレンズアレイ基板の製造方法、マイクロレンズアレイ基板、液晶パネル用対向基板、液晶パネル、投射型表示装置および柱付きマイクロレンズ基板 |
WO2009077802A1 (en) * | 2007-12-18 | 2009-06-25 | Nokia Corporation | Exit pupil expanders with wide field-of-view |
CN103336398A (zh) * | 2012-10-25 | 2013-10-02 | 友达光电股份有限公司 | 液晶透镜、应用其的显示装置及显示装置的驱动方法 |
CN105514138A (zh) * | 2014-10-08 | 2016-04-20 | 株式会社日本显示器 | 显示装置及其制造方法 |
WO2017118087A1 (zh) * | 2016-01-08 | 2017-07-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及显示装置 |
WO2017201784A1 (zh) * | 2016-05-26 | 2017-11-30 | 武汉华星光电技术有限公司 | 透镜光栅、3d显示器及电子装置 |
CN106950630A (zh) * | 2017-05-22 | 2017-07-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种光栅及立体显示装置 |
WO2019129798A1 (en) * | 2017-12-29 | 2019-07-04 | Universiteit Gent | Temperature insensitive filter |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11808959B2 (en) | 2023-11-07 |
TWI747513B (zh) | 2021-11-21 |
TW202206883A (zh) | 2022-02-16 |
US20220050234A1 (en) | 2022-02-17 |
CN114079224A (zh) | 2022-02-22 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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GR01 | Patent grant | ||
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