CN114077159A - 版图的修正方法 - Google Patents

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Abstract

本申请具体涉及一种版图的修正方法，包括：提供初始版图；对所述初始版图进行扩展得到扩展版图；对所述扩展版图进行修正得到修正版图；基于所述修正版图得到目标版图。采用上述实施例中的版图的修正方法对版图修正后，OPC的可靠性更高，关键尺寸均匀，不会引起晶圆上的光刻胶层轮廓的波动，从而确保产品的良率。

Description

版图的修正方法
技术领域
本申请属于半导体技术领域，具体涉及一种版图的修正方法。
背景技术
目前，在对于DRAM(动态随机存取存储器)阵列的版图进行修正时，为节省时间，通常选取一较小尺寸的版图区域进行修正，然后将该版图区域扩展为较大的阵列区域。该较小尺寸的版图区域没有考虑到光学直径的影响(，这将会导致光学邻近修正不准确，从而导致关键尺寸(CD)不均匀或晶圆上的光刻胶轮廓的波动，进而影响产品的良率。
发明内容
基于此，有必要针对上述背景技术中的问题，提供一种能够解决上述问题的版图的修正方法。
本申请提供一种版图的修正方法，包括：
提供初始版图；
对所述初始版图进行扩展得到扩展版图；
对所述扩展版图进行修正得到修正版图；
基于所述修正版图得到目标版图。
采用上述实施例中的版图的修正方法对版图修正后，OPC的可靠性更高，关键尺寸均匀，不会引起晶圆上的光刻胶层轮廓的波动，从而确保产品的良率。
在其中一个实施例中，所述初始版图包括中心版图和周边版图，所述周边版图围绕于所述中心版图单元的外侧。
在其中一个示例中，基于所述周边版图的尺寸与光学直径的关系对所述初始版图进行扩展。
在其中一个实施例中，当所述周边版图的尺寸小于所述光学直径时，对所述中心版图进行二维扩展以及对所述周边版图进行一维扩展得到扩展版图；
所述扩展版图包括所述中心版图以及周边扩展版图，所述周边扩展版图包括扩展的周边版图以及扩展的中心版图。
在其中一个实施例中，所述周边扩展版图的尺寸大于所述光学直径时停止扩展所述初始版图。
在其中一个实施例中，还包括：
对所述扩展版图进行再扩展。
在其中一个实施例中，所述对所述扩展版图进行再扩展，包括：
对所述中心版图进行二维扩展，对所述周边扩展版图进行一维扩展。
在其中一个实施例中，所述对所述扩展版图进行修正得到修正版图，包括：
重构所述扩展版图的层次结构；
对重构后的所述扩展版图进行修正得到修正版图。
在其中一个实施例中，所述重构所述扩展版图的层次结构，包括：
将所述中心版图以及扩展的中心版图重构为二维结构单元阵列，所述二维结构单元阵列具有第一方向和第二方向。
在其中一个实施例中，所述重构所述扩展版图的层次结构，还包括：
将部分所述周边扩展版图重构为二维结构单元阵列。
在其中一个实施例中，所述重构所述扩展版图的层次结构，还包括：
将所述周边扩展版图重构为第一一维单元阵列、第二一维单元阵列以连接版图；所述连接版图位于所述第一一维单元阵列与第二一维单元阵列之间。
在其中一个实施例中，所述二维结构单元阵列具有沿所述第一方向上的第一长度和沿所述第二方向上的第二长度；
所述第一一维单元阵列具有沿第一方向的第一延伸长度且所述第一延伸长度与所述第一长度相同；
所述第二一维单元阵列具有沿第二方向的第二延伸长度且所述第二延伸长度与所述第二长度相同。
在其中一个实施例中，所述基于所述修正版图得到目标版图，包括：
提取所述修正版图的中心版图、所述连接版图以及与所述中心版图对应的部分所述第一一维单元阵列和部分所述第二一维单元阵列并合并组成目标版图。
在其中一个实施例中，还包括：
对所述目标版图进行扩展得到完整版图。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他实施例的附图。
图1为本申请提供的版图的修正方法的流程图。
图2至图8为本申请提供的版图的修正方法中各步骤得到的版图的示意图。
附图标记说明：10、初始版图；101、中心版图；102、周边版图；11、扩展版图；111、周边扩展版图；1111、扩展的周边版图；1112、扩展的中心版图；12、修正版图；121、122、二维结构单元阵列；123、第一一维单元阵列；124、第二一维单元阵列；125、连接版图；13、目标版图；14、完整版图。
具体实施方式
为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳的实施例。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本申请的公开内容的理解更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
在使用本文中描述的“包括”、“具有”、和“包含”的情况下，除非使用了明确的限定用语，例如“仅”、“由……组成”等，否则还可以添加另一部件。除非相反地提及，否则单数形式的术语可以包括复数形式，并不能理解为其数量为一个。
请参阅图1，本申请提供一种版图的修正方法，包括如下步骤：
S11：提供初始版图；
S12：对所述初始版图进行扩展得到扩展版图；
S13：对所述扩展版图进行修正得到修正版图；
S14：基于所述修正版图得到目标版图。
采用上述实施例中的版图的修正方法对版图修正后，OPC的可靠性更高，关键尺寸均匀，不会引起晶圆上的光刻胶层轮廓的波动，从而确保产品的良率。
在步骤S11中，请参阅图1中的S11及图2，提供初始版图10。
在一个示例中，初始版图10包括中心版图101和周边版图102，周边版图102围绕于中心版图单元101的外侧。具体的，本实施例中，初始版图10可以为9单元结构，即如图2所示，中间版图101的数量为一个，即图1中的版图C；周边版图102可以为8个，分别为版图UL、版图L、版图LL、版图B、版图T、版图UR、版图R及版图LR。版图UL、版图L、版图LL、版图B、版图T、版图UR、版图R及版图LR的边界可以均为矩形。
在步骤S12中，请参阅图1中的S12步骤及图3至图4，对初始版图10进行扩展得到扩展版图11。
在一个示例中，基于周边版图102的尺寸与光学直径的关系对初始版图10进行扩展。
在一个示例中，如图3所示，当周边版图102的尺寸小于光学直径时，对中心版图101进行二维扩展以及对周边版图102进行一维扩展得到扩展版图11；扩展版图11包括中心版图101以及周边扩展版图111，周边扩展版图111包括扩展的周边版图1111以及扩展的中心版图1112。周边版图102的尺寸可以理解为周边版图102的外边界至中心版图101的外边界的最小距离。光学直径(OD：Optical Diameter)的大小按照下面的经验公式得出。光学直径的经验公式为：OD＝20(λ/NA)/(1+sigmamax)，若sigmamax＝1，NA＝1.35，λ＝193nm，则OD为1.43um。例如，版图UL、版图L、版图LL、版图B、版图T、版图UR、版图R及版图LR的边界可以均为矩形时，只要版图UL、版图L、版图LL、版图B、版图T、版图UR、版图R和版图LR中任一版图的矩形边界的长或宽小于光学直径，则需要对初始版图10进行扩展得到扩展版图11。在该示例中，中心版图101进行一次二维扩展，且周边版图102进行一维扩展以得到扩展版图11；即扩展版图11中的扩展的中心版图1112包括由中心版图101扩展而得到的八个版图C，扩展的周边版图1111包括一个版图UL、一个版图UR、一个版图LL、一个版图LR、三个版图L、三个版图R、三个版图T及三个版图B。扩展的中心版图1112和扩展的周边版图1111构成新的周边版图，即周边扩展版图111。
具体的，若经过一次扩展得到的如图3的扩展版图11中的周边扩展版图111的尺寸大于光学直径时即停止扩展初始版图10。若经过一次扩展得到的如图3的扩展版图11中的周边扩展版图111的尺寸小于光学直径，则需要对得到的扩展版图11进行再扩展，直至得到的扩展版图11中的周边扩展版图111的尺寸大于光学直径。周边扩展版图111的尺寸可以理解为扩展的中心版图1112和扩展的周边版图1111所构成的新的周边版图的外边界至中心版图101的外边界的最小距离。
在一个示例中，对扩展版图11进行再扩展，包括：对中心版图101进行二维扩展，对周边扩展版图111进行一维扩展，扩展的次数由得到的扩展版图11中的周边扩展版图111的尺寸与光学直径的大小决定，扩展结束后得到的扩展版图11如图4所示。
在步骤S13中，请参阅图1中的S13步骤及图5至图6，对扩展版图11进行修正得到修正版图12。
在一个示例中，步骤S13可以包括如下步骤：
S131：重构扩展版图11的层次结构；
S132：对重构后的扩展版图11进行修正得到修正版图12。
在一个示例中，步骤S131可以包括如下步骤：
将中心版图101以及扩展的中心版图1112重构为二维结构单元阵列121，如图5所示，二维结构单元阵列121具有第一方向和第二方向。
在一个示例中，将中心版图101以及扩展的中心版图1112重构为二维结构单元阵列121之后，步骤S131还包括如下步骤：
将部分周边扩展版图111重构为二维结构单元阵列122，如图5所示。例如，所述二维结构单元阵列122可以为DRAM存储单元阵列区中的有源区阵列。
需要说明的是，图5中各二维结构单元阵列中的方块即为重构前扩展的周边版图1111或扩展的中心版图1112。
具体的，第一方向可以是由图5中的二维结构阵列单元L’至二维结构阵列单元R’的方向，第二方向可以是由图5中的二维结构阵列单元T’至二维结构阵列单元B’的方向。
在另一个示例中，将中心版图101以及扩展的中心版图1112重构为二维结构单元阵列121之后，步骤S131还可以包括如下步骤：
将周边扩展版图111重构为第一一维单元阵列123、第二一维单元阵列124以连接版图125；连接版图125位于第一一维单元阵列123与第二一维单元阵列124之间，如图6所示。图6中的第一一维单元阵列123为二维结构单元CR之间的若干个沿第一方向排布的单元X，第二一维单元阵列124为二维结构单元CR之间的若干个沿第二方向排布的单元Y。具体的，单元X之间的距离可以为基本单元沿的第一方向上的1个周期的间距；单元Y之间的距离可以为基本单元的沿第二方向上的1个周期的间距。例如，基本单元可以为DRAM存储阵列区中的单个有源区。
在一个示例中，二维结构单元阵列121具有沿第一方向上的第一长度和沿第二方向上的第二长度；第一一维单元阵列123具有沿第一方向的第一延伸长度且第一延伸长度与第一长度相同；第二一维单元阵列124具有沿第二方向的第二延伸长度且第二延伸长度与第二长度相同。
需要说明的是，第一一维单元阵列123的第一延伸方向即为若干个单元X的排布方向，第二一维单元阵列124的第二延伸方向即为若干个单元Y的排布方向。
在步骤S132中，可以采用反演光刻技术对重构后的扩展版图11进行修正得到修正版图12。
在步骤S14中，请参阅图1中的S14步骤及图7至图8，基于修正版图12得到目标版图13。
在一个示例中，步骤S14可以包括如下步骤：
提取修正版图12的中心版图101、连接版图125以及与中心版图101对应的部分第一一维单元阵列123和第二一维单元阵列124并合并组成目标版图13，如图7所示。
具体的，得到的目标版图13包括9个二维结构单元阵列，即目标版图13包括如图7中所示的二维结构单元阵列UL”、二维结构单元阵列UR”、二维结构单元阵列LL”、二维结构单元阵列LR”、二维结构单元阵列L”、二维结构单元阵列C”、二维结构单元阵列R”、二维结构单元阵列T”及二维结构单元阵列B”。
在另一个示例中，合并组成目标版图13之后，还可以包括如下步骤：
对目标版图13进行扩展得到完整版图14，完整版图14的图如图8所示。具体的，对修正后的目标版图13的二维结构单元阵列C”进行二维扩展；对二维结构单元阵列L”、二维结构单元阵列R”、二维结构单元阵列T”及二维结构单元阵列B”进行一维扩展，可以根据完整版图的实际大小对目标版图进行扩展直接得到修正后的完整版图，且修正后的完整版图可以保证OPC的修正精度。例如，所述完整版图可以为DRAM存储单元阵列区的全部版图。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (14)

1.一种版图的修正方法，其特征在于，包括：
提供初始版图；
对所述初始版图进行扩展得到扩展版图；
对所述扩展版图进行修正得到修正版图；
基于所述修正版图得到目标版图。
2.根据权利要求1所述的版图的修正方法，其特征在于，
所述初始版图包括中心版图和周边版图，所述周边版图围绕于所述中心版图单元的外侧。
3.根据权利要求2所述的版图的修正方法，其特征在于，
基于所述周边版图的尺寸与光学直径的关系对所述初始版图进行扩展。
4.根据权利要求3所述的版图的修正方法，其特征在于，
当所述周边版图的尺寸小于所述光学直径时，对所述中心版图进行二维扩展以及对所述周边版图进行一维扩展得到扩展版图；
所述扩展版图包括所述中心版图以及周边扩展版图，所述周边扩展版图包括扩展的周边版图以及扩展的中心版图。
5.根据权利要求4所述的版图的修正方法，其特征在于，
所述周边扩展版图的尺寸大于所述光学直径时停止扩展所述初始版图。
6.根据权利要求4-5任一所述的版图的修正方法，其特征在于，还包括：
对所述扩展版图进行再扩展。
7.根据权利要求6所述的版图的修正方法，其特征在于，所述对所述扩展版图进行再扩展，包括：
对所述中心版图进行二维扩展，对所述周边扩展版图进行一维扩展。
8.根据权利要求4所述的版图的修正方法，其特征在于，所述对所述扩展版图进行修正得到修正版图，包括：
重构所述扩展版图的层次结构；
对重构后的所述扩展版图进行修正得到修正版图。
9.根据权利要求4所述的版图的修正方法，其特征在于，
所述重构所述扩展版图的层次结构，包括：
将所述中心版图以及扩展的中心版图重构为二维结构单元阵列，所述二维结构单元阵列具有第一方向和第二方向。
10.根据权利要求9所述的版图的修正方法，其特征在于，
所述重构所述扩展版图的层次结构，还包括：
将部分所述周边扩展版图重构为二维结构单元阵列。
11.根据权利要求9所述的版图的修正方法，其特征在于，所述重构所述扩展版图的层次结构，还包括：
将所述周边扩展版图重构为第一一维单元阵列、第二一维单元阵列以连接版图；所述连接版图位于所述第一一维单元阵列与第二一维单元阵列之间。
12.根据权利要求11所述的版图的修正方法，其特征在于，
所述二维结构单元阵列具有沿所述第一方向上的第一长度和沿所述第二方向上的第二长度；
所述第一一维单元阵列具有沿第一方向的第一延伸长度且所述第一延伸长度与所述第一长度相同；
所述第二一维单元阵列具有沿第二方向的第二延伸长度且所述第二延伸长度与所述第二长度相同。
13.根据权利要求12所述的版图的修正方法，其特征在于，
所述基于所述修正版图得到目标版图，包括：
提取所述修正版图的中心版图、所述连接版图以及与所述中心版图对应的部分所述第一一维单元阵列和部分所述第二一维单元阵列并合并组成目标版图。
14.根据权利要求13所述的版图的修正方法，其特征在于，还包括：
对所述目标版图进行扩展得到完整版图。
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