CN114038968B - N-GaN层的粗化方法、芯片及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种N‑GaN层的粗化方法、芯片及其制作方法。上述N‑GaN层的粗化方法，其包括以下步骤：采用紫外吸收剂对所述N‑GaN层进行预处理，形成预处理表面；在所述预处理表面形成纳米微球掩膜层；在所述纳米微球掩膜层的掩膜作用下对所述N‑GaN层进行干法蚀刻，形成粗化表面。本发明提供的上述粗化方法有效解决了现有技术中采用湿法蚀刻N‑GaN层时存在的蚀刻过程不稳定的问题，粗化表面均匀可控，因此最终生产的垂直LED芯片的亮度稳定、波动小，相应也有利于提升芯片的出光效率。
Description
技术领域
本发明涉及芯片制造技术领域，尤其涉及一种N-GaN层的粗化方法、芯片及其制作方法。
背景技术
在目前垂直LED芯片制造中，通常需要对N-GaN层(N型氮化镓层)进行表面粗化处理，这是提高芯片亮度的有效手段。较为成熟的N-GaN层粗化工艺如下：采用氢氧化钾对N-GaN层表面进行湿法蚀刻来达到粗化的目的。
然而，湿法蚀刻过程存在不稳定的缺陷，经常会导致粗化无序，倾斜角度不可控，最终会导致生产的垂直LED芯片的亮度波动性较大。
基于以上原因，有必要提供一种更稳定可控的N-GaN层粗化方法，以便减少最终垂直LED芯片的亮度波动。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种N-GaN层的粗化方法、芯片的制作方法，旨在解决现有技术中采用湿法蚀刻N-GaN层时存在的蚀刻过程不稳定，从而导致芯片亮度波动的问题。
一种N-GaN层的粗化方法，其包括以下步骤：采用紫外吸收剂对所述N-GaN层进行预处理，形成预处理表面；在所述预处理表面形成纳米微球掩膜层；在所述纳米微球掩膜层的掩膜作用下对所述N-GaN层进行干法蚀刻，形成粗化表面。
本发明提供的以上方法中，先采用紫外吸收剂对N-GaN层进行了表面预处理。该过程能够降低N-GaN层的表面接触角，使其表面形成氧化层和超亲水表面。其次，本发明在预处理后的N-GaN层表面设置了纳米微球掩膜层，由于预处理表面具有较强的亲水能力，因此纳米微球掩膜层能够在其上均匀覆盖、稳定存在，形成纳米微球稳定、紧密排布的单层微球层。在后续的干法蚀刻过程中，纳米微球作为掩膜试剂，能够配合干法蚀刻在N-GaN层表面形成粗化表面。此期间，由于纳米微球的阻挡，N-GaN层表面能够形成锥形或六角形纳米结构的粗糙化结构，且形成的侧壁角度均匀可控，因此极大地改善了湿法蚀刻的不稳定问题，且利用纳米微球的粒径大小即可调控粗化表面侧壁角度的大小。而且，随着干法蚀刻的进行，纳米微球和紫外吸收剂也逐渐被刻蚀去除，免除了后续的去除工序，简化了流程。
总之，本发明提供的上述粗化方法有效解决了现有技术中采用湿法蚀刻N-GaN层时存在的蚀刻过程不稳定的问题，粗化表面均匀可控，因此最终生产的垂直LED芯片的亮度稳定、波动小，相应也有利于提升芯片的出光效率。
可选地，所述紫外吸收剂包括但不限于2,4-二羟基二苯甲酮、2-羟基-4-甲氧基二苯甲酮、邻羟基苯甲酸苯酯中的一种或多种。采用以上类型的紫外吸收剂对N-GaN层表面进行预处理，能够进一步提升预处理效果，有利于进一步改善N-GaN层表面的亲水性，从而使得后续形成的纳米微球掩膜层更为稳定，且促使纳米微球在表面更均匀地铺展。在此基础上，经干法蚀刻形成的粗化表面更为均匀，对于最终垂直LED芯片的亮度稳定性和出光效率具有更好的促进作用。
可选地，所述预处理的步骤包括：将所述紫外吸收剂溶解于有机溶剂中，形成溶液；将所述溶液涂布在所述N-GaN层表面，然后烘干，形成所述预处理表面。如此，能够将紫外吸收剂更均匀地涂布在N-GaN层表面以更好地改善其亲水性，促使后续形成更稳定的纳米微球掩膜层，对于最终粗糙化表面的规整性有更好的促进作用。可选地，所述溶液中所述紫外吸收剂的浓度为0.1～10wt％。
可选地，所述有机溶剂选自醇类溶剂和/或酮类溶剂。采用醇类溶剂和酮类溶剂，能够是紫外吸收剂充分溶解，形成更加均匀的溶液，有利于进一步改善表面预处理效果。
可选地，所述纳米微球掩膜层的成分为无机非金属纳米微球。利用这样的无机非金属纳米微球，在干法蚀刻过程中起到更好的掩膜作用，因此在N-GaN层表面形成的粗化结构具有更完整的锥形或六角形纳米结构，更有利于提高粗化表面的均匀性。与此同时，随着蚀刻的进行，微球本身也能够被蚀刻去除，从而不会残留在表面，更有利于提高粗化方法的便捷性。
可选地，所述无机非金属纳米微球包括但不限于SiO2纳米微球、TiO2纳米微球、SiC纳米微球中的一种或多种。选用上述几种无机非金属纳米微球，能够在预处理表面形成更稳定的掩膜层，更有利于提高粗化表面的均匀性。具体地，由于预处理表面具有较强的亲水能力，以上无机陶瓷纳米微球能够在其上均匀覆盖、稳定存在，形成纳米微球稳定、紧密排布的单层微球层。除此以外，上述无机陶瓷纳米颗粒在干法蚀刻的过程中，其被蚀刻的速度与N-GaN层粗糙化的速度更相适应，一方面能够形成粗化结构更加规整的粗糙表面，一方面又得以被充分蚀刻清除，不会在表面残留，因此更适宜作为纳米微球掩膜层的材料。
可选地，形成所述纳米微球掩膜层的步骤包括：将所述无机非金属纳米微球配制成分散液；将所述分散液涂布在所述预处理表面，烘干，形成所述纳米微球掩膜层。将无机非金属纳米微球配成分散液后涂布在预处理表面，微球能够在其表面更均匀地铺展。
可选地，所述分散液中所述无机非金属纳米微球的浓度为2～20wt％。将浓度控制在以上范围内，更有利于纳米微球形成单层的、紧密排列的掩膜层，对于改善粗化效果具有更好的促进作用。
可选地，配制所述分散液的过程中，同时向其中加入表面活性剂。表面活性剂能够对无机非金属纳米微球进行表面改性，使其与预处理表面之间形成更好地结合，从而能够进一步改善掩膜层的均匀性和稳定性，对于粗化表面的均匀性有更好的促进作用，从而有利于进一步提高垂直LED芯片的发光稳定性。
可选地，所述无机非金属纳米微球的粒径为100～900nm。采用以上粒径的无机非金属纳米微球，能够形成侧壁角度更为适宜的粗化表面，从而更有利于改善垂直LED芯片的发光效率。
可选地，所述干法蚀刻采用电感耦合等离子体蚀刻。
基于同样的发明构思，本发明还提供了一种芯片的制作方法，所述芯片包括N-GaN层，其中，所述制作方法包括采用上述粗化方法对所述N-GaN层进行粗化的步骤。如前文所述，本发明提供的以上方法中，先采用紫外吸收剂对N-GaN层进行了表面预处理。该过程能够降低N-GaN层的表面接触角，使其表面形成氧化层和超亲水表面。其次，本发明在预处理后的N-GaN层表面设置了纳米微球掩膜层，由于预处理表面具有较强的亲水能力，因此纳米微球掩膜层能够在其上均匀覆盖、稳定存在。在后续的干法蚀刻过程中，纳米微球作为掩膜试剂，能够配合干法蚀刻在N-GaN层表面形成粗化表面。此期间，由于纳米微球的阻挡，N-GaN层表面能够形成锥形或六角形纳米结构的粗糙化结构，且形成的侧壁角度均匀可控，因此极大地改善了湿法蚀刻的不稳定问题，且利用纳米微球的粒径大小即可调控粗化表面侧壁角度的大小。而且，随着干法蚀刻的进行，纳米微球和紫外吸收剂也逐渐被刻蚀去除，免除了后续的去除工序，简化了流程。
总之，本发明提供的上述粗化方法有效解决了现有技术中采用湿法蚀刻N-GaN层时存在的蚀刻过程不稳定的问题，粗化表面均匀可控，因此最终生产的垂直LED芯片的亮度稳定、波动小，相应也有利于提升芯片的出光效率。
基于同样的发明构思，本发明还提供了一种芯片，所述芯片包括N-GaN层、多量子阱层、P-GaN层、N电极、P电极，所述N电极与所述N-GaN层电连接，所述P电极与所述P-GaN层电连接；其中，所述N-GaN层具有粗化结构，所述粗化结构采用上述的粗化方法制作得到。由于采用了以上粗化方法，N-GaN层的粗化表面较为均匀，使得芯片的亮度稳定、波动小，且具有更好的出光效率。
可选地，所述芯片为垂直LED芯片。
附图说明
图1为根据本发明一种实施例中芯片的结构示意图；
图2为根据本发明一种实施例中在N-GaN层表面形成纳米微球掩膜层后的示意图；
图3为本发明实施例1中粗化处理后的N-GaN层表面SEM图。
附图标记说明：
10-衬底；20-P型金属层；30-ITO层；40-P-GaN层；50-多量子阱层；60-具有粗化表面的N-GaN层；60’-N-GaN层；70-纳米微球掩膜层。
具体实施方式
为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳实施方式。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本申请的公开内容理解的更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本申请。
垂直LED芯片中的N-GaN层通常需要进行表面粗化处理，以提高芯片亮度。然而，正如背景技术部分所描述的，湿法蚀刻过程存在不稳定的缺陷，经常会导致粗化无序，倾斜角度不可控，最终会导致生产的垂直LED芯片的亮度波动性较大。为了解决这一问题，本发明提供了一种新的更稳定可控的N-GaN层粗化方法，以便减少最终垂直LED芯片的亮度波动，提高芯片的发光效率。
根据本发明的一方面，提供了一种N-GaN层的粗化方法，其包括以下步骤：采用紫外吸收剂对所述N-GaN层进行预处理，形成预处理表面；在所述预处理表面形成纳米微球掩膜层；在所述纳米微球掩膜层的掩膜作用下对所述N-GaN层进行干法蚀刻，形成粗化表面。
本发明提供的以上方法中，先采用紫外吸收剂对N-GaN层进行了表面预处理。该过程能够降低N-GaN层的表面接触角，使其表面形成氧化层和超亲水表面。其次，本发明在预处理后的N-GaN层表面设置了纳米微球掩膜层，由于预处理表面具有较强的亲水能力，因此纳米微球掩膜层能够在其上均匀覆盖、稳定存在，形成纳米微球稳定、紧密排布的单层微球层。在后续的干法蚀刻过程中，纳米微球作为掩膜试剂，能够配合干法蚀刻在N-GaN层表面形成粗化表面。此期间，由于纳米微球的阻挡，N-GaN层表面能够形成锥形或六角形纳米结构的粗糙化结构，且形成的侧壁角度均匀可控，因此极大地改善了湿法蚀刻的不稳定问题，且利用纳米微球的粒径大小即可调控粗化表面侧壁角度的大小。而且，随着干法蚀刻的进行，纳米微球和紫外吸收剂也逐渐被刻蚀去除，免除了后续的去除工序，简化了流程。
总之，本发明提供的上述粗化方法有效解决了现有技术中采用湿法蚀刻N-GaN层时存在的蚀刻过程不稳定的问题，粗化表面均匀可控，因此最终生产的垂直LED芯片的亮度稳定、波动小，相应也有利于提升芯片的出光效率。
在一些实施方式中，所述紫外吸收剂包括但不限于2,4-二羟基二苯甲酮、2-羟基-4-甲氧基二苯甲酮、邻羟基苯甲酸苯酯中的一种或多种。采用以上类型的紫外吸收剂对N-GaN层表面进行预处理，能够进一步提升预处理效果，有利于进一步改善N-GaN层表面的亲水性，从而使得后续形成的纳米微球掩膜层更为稳定，且促使纳米微球在表面更均匀地铺展。在此基础上，经干法蚀刻形成的粗化表面更为均匀，对于最终垂直LED芯片的亮度稳定性和出光效率具有更好的促进作用。
具体的处理过程中，可将上述紫外吸收剂配制成溶液，然后涂布在N-GaN层表面，并保持一定时间，然后烘干即可。具体的溶液浓度和保持时间可以调整，比如配制成质量浓度0.1～10％的水溶液，保持时间在5～20min。为使紫外吸收剂更好的溶解，可以采用有机溶剂，比如包括但不限于醇类溶剂和/酮类溶剂。醇类溶剂可选自甲醇、乙醇、丙醇中的一种或多种，酮类溶剂可选自丙酮和/或丁酮。
以上预处理步骤之后，由于N-GaN层表面具有了良好的亲水性，因此后续纳米微球能够在其表面形成更稳定的纳米微球掩膜层。在具体的干法蚀刻过程中，蚀刻气体在纳米微球的阻挡作用下沿微球之前的缝隙进入从而完成蚀刻，因微球在预处理表面的均匀分布，使得这些缝隙分布更为均匀，蚀刻气体的进入量和进入角度也较为均匀，从而有效改善了蚀刻的稳定性和均匀性。与此同时，蚀刻气体也会逐渐将纳米微球蚀刻清除，待粗化结束后，纳米微球和紫外吸收剂也被蚀刻掉，而不会形成残留。出于进一步发挥以上功效的目的，在一些实施方式中，所述纳米微球掩膜层的成分为无机非金属纳米微球。利用这样的无机非金属纳米微球，在干法蚀刻过程中起到更好的掩膜作用，因此在N-GaN层表面形成的粗化结构具有更完整的锥形或六角形纳米结构，更有利于提高粗化表面的均匀性。与此同时，随着蚀刻的进行，微球本身也能够被蚀刻去除，从而不会残留在表面，更有利于提高粗化方法的便捷性。
示例性地，所述无机非金属纳米微球包括但不限于SiO2纳米微球、TiO2纳米微球、SiC纳米微球中的一种或多种。选用上述几种无机非金属纳米微球，能够在预处理表面形成更稳定的掩膜层，更有利于提高粗化表面的均匀性。具体地，由于预处理表面具有较强的亲水能力，以上无机陶瓷纳米微球能够在其上均匀覆盖、稳定存在，形成纳米微球稳定、紧密排布的单层微球层。除此以外，上述无机陶瓷纳米颗粒在干法蚀刻的过程中，其被蚀刻的速度与N-GaN层粗糙化的速度更相适应，一方面能够形成粗化结构更加规整的粗糙表面，一方面又得以被充分蚀刻清除，不会在表面残留，因此更适宜作为纳米微球掩膜层的材料。
具体的无机非金属纳米微球可通过干法涂布、湿法涂布等方式设置在预处理表面形成纳米微球掩膜层。在一些实施方式中，形成所述纳米微球掩膜层的步骤包括：将所述无机非金属纳米微球配制成分散液；将所述分散液涂布在所述预处理表面，烘干，形成所述纳米微球掩膜层。将无机非金属纳米微球配成分散液后涂布在预处理表面，微球能够在其表面更均匀地铺展。
为了使无机非金属纳米微球在预处理表面更为密集地单层排布，可以对分散液的具体浓度进行调整，比如，优选将分散液的质量浓度控制在2～20％。具体的分散液可以采用去离子水即可。
在一些优选的实施方式中，配制所述分散液的过程中，同时向其中加入表面活性剂。表面活性剂能够对无机非金属纳米微球进行表面改性，使其与预处理表面之间形成更好地结合，从而能够进一步改善掩膜层的均匀性和稳定性，对于粗化表面的均匀性有更好的促进作用，从而有利于进一步提高垂直LED芯片的发光稳定性。具体的表面活性剂包括但不限于有机醇类或酯类，比如乙醇、丙醇、醋酸乙酯、醋酸丁酯等，加入量也可根据无机非金属纳米微球的分散液的浓度进行调整，比如控制分散液中表面活性剂的质量浓度在2～20％为宜。
在实际操作过程中，纳米微球的粒径越大，掩膜层中纳米微球之间的缝隙越大，干法蚀刻后形成的表面粗糙程度越高；相反地，纳米微球的粒径越小，掩膜层中纳米微球之间的缝隙越小，干法蚀刻后形成的表面粗糙程度越低。在一些实施方式中，所述无机非金属纳米微球的粒径为100～900nm。采用以上粒径的无机非金属纳米微球，能够形成侧壁角度更为适宜的粗化表面，从而更有利于改善垂直LED芯片的发光效率。
上述干法蚀刻的方式可采用本领域的常用方式，比如电感耦合等离子体蚀刻(ICP蚀刻)等。具体的蚀刻气体可采用Cl2、BCl3、F2、CF4、O2等。在实际干法蚀刻过程中，蚀刻气体的流量为40～200sccm，射频功率为100～1000W，蚀刻压力为5～25mTorr，蚀刻温度为30～80℃。
基于同样的发明构思，本发明还提供了一种芯片的制作方法，所述芯片包括N-GaN层，其中，所述制作方法包括采用上述粗化方法对所述N-GaN层进行粗化的步骤。如前文所述，本发明提供的以上方法中，先采用紫外吸收剂对N-GaN层进行了表面预处理。该过程能够降低N-GaN层的表面接触角，使其表面形成氧化层和超亲水表面。其次，本发明在预处理后的N-GaN层表面设置了纳米微球掩膜层，由于预处理表面具有较强的亲水能力，因此纳米微球掩膜层能够在其上均匀覆盖、稳定存在。在后续的干法蚀刻过程中，纳米微球作为掩膜试剂，能够配合干法蚀刻在N-GaN层表面形成粗化表面。此期间，由于纳米微球的阻挡，N-GaN层表面能够形成锥形或六角形纳米结构的粗糙化结构，且形成的侧壁角度均匀可控，因此极大地改善了湿法蚀刻的不稳定问题，且利用纳米微球的粒径大小即可调控粗化表面侧壁角度的大小。而且，随着干法蚀刻的进行，纳米微球和紫外吸收剂也逐渐被刻蚀去除，免除了后续的去除工序，简化了流程。
总之，本发明提供的上述粗化方法有效解决了现有技术中采用湿法蚀刻N-GaN层时存在的蚀刻过程不稳定的问题，粗化表面均匀可控，因此最终生产的垂直LED芯片的亮度稳定、波动小，相应也有利于提升芯片的出光效率。
此外，本发明还提供了一种芯片，该芯片包括N-GaN层、多量子阱层、P-GaN层、N电极、P电极，N电极与N-GaN层电连接，P电极与P-GaN层电连接；其中，N-GaN层具有粗化结构，粗化结构采用上述粗化方法制作得到其。该芯片具有亮度稳定、波动小的优势，且具有更好的出光效率。
可选地，所述芯片为垂直LED芯片。以该垂直LED芯片为例，其结构如图1所示，由下至上依次包括衬底10；P型金属层20(P-Metal层)、ITO层30(氧化铟锡层)、P-GaN层40(P型氮化镓层)、多量子阱层50(WQM层)、具有粗化表面的N-GaN层60(具有粗化表面的N型氮化镓层)。此外，图中未示出的实施方式中，该垂直LED芯片还包括位于N-GaN层一侧的与之电连接的N电极，以及位于衬底一侧的与P-GaN层电连接的P电极。
除N-GaN层的粗化采用本发明上述方法以外，其他功能层诸如P型金属层20、ITO层30、P-GaN层40、多量子阱层50的制作方法采用本领域惯常使用的方法即可，然后可使用本领域常用方法在多量子阱层50上方形成N-GaN层60’(如图2所示)，最后经上述粗化处理，即可形成该垂直LED芯片。具体地，比如采用以下工序：在蓝宝石上形成外延层，所述外延层包括P-GaN层、多量子阱层、N-GaN层，在外延层上进行ITO蒸镀、光刻、ITO腐蚀、P-金属层蒸镀、与衬底键合、激光剥离蓝宝石，形成包含P型金属层20、ITO层30、P-GaN层40、多量子阱层50和N-GaN层60’的结构。
待N-GaN层60’形成之后，即可采用以上粗化方法对该N-GaN层60’进行粗化处理，比如：先采用紫外吸收剂对其进行表面预处理，形成预处理表面。其次，配制无机非金属纳米微球的分散液，其中添加有表面活性剂；将该分散液涂布在N-GaN层60’表面，烘干，以在N-GaN层60’表面形成纳米微球掩膜层70，如图2所示；最后，通过ICP干法蚀刻，将蚀刻气体同向纳米微球掩膜层70，使其进入缝隙对N-GaN层60’表面进行干法蚀刻，最终形成图1所示的垂直LED芯片。
以下列举具体实施例1证明上述有益效果：
实施例1
将紫外光吸收剂2,4-二羟基二苯甲酮配制成质量浓度0.5％的乙醇溶液，然后将其涂布在N-GaN层表面，保持10min后，烘干形成预处理表面；将粒径为200～500nm的SiO2纳米微球、表面活性剂醋酸乙酯及去离子水混合并分散，形成纳米微球质量浓度5％、表面活性剂质量浓度5％的分散液，将其涂布至预处理表面，然后烘干，以在预处理表面形成纳米微球掩膜层；采用ICP干法蚀刻方式，将蚀刻气体Cl2通向纳米微球掩膜层并对下方的N-GaN层表面进行粗化处理，期间控制蚀刻气体的流量为100sccm，射频功率为500W，蚀刻压力为10mTorr，蚀刻温度为40℃。经表征，能够形成粗化均匀，各蚀刻点呈锥形或六角形结构的粗化表面，见图3。与湿法蚀刻相比，该实施例中N-GaN层粗化后的光输出效率可提升5～10％。
当然，除了Micro-LED，其他发光器件诸如LED、OLED、Mini-LED等，只要涉及N-GaN层表面粗化的器件均可采用本发明提供的上述粗化方法进行N-GaN层表面粗化，以改善其粗化均匀度，进而提高出光效果，并提高器件的发光性能。
应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。
Claims (7)
1.一种N-GaN层的粗化方法，其特征在于，包括以下步骤：
采用紫外吸收剂对所述N-GaN层进行预处理，形成预处理表面；所述紫外吸收剂选自2,4-二羟基二苯甲酮、2-羟基-4-甲氧基二苯甲酮、邻羟基苯甲酸苯酯中的一种或多种；
在所述预处理表面形成纳米微球掩膜层；所述纳米微球掩膜层的成分为无机非金属纳米微球，形成所述纳米微球掩膜层的步骤包括：将所述无机非金属纳米微球配制成分散液；将所述分散液涂布在所述预处理表面，烘干，形成所述纳米微球掩膜层；
在所述纳米微球掩膜层的掩膜作用下对所述N-GaN层进行干法蚀刻，形成粗化表面。
2.如权利要求1所述的N-GaN层的粗化方法，其特征在于，所述预处理的步骤包括：
将所述紫外吸收剂溶解于有机溶剂中，形成溶液；
将所述溶液涂布在所述N-GaN层表面，然后烘干，形成所述预处理表面。
3.如权利要求2所述的N-GaN层的粗化方法，其特征在于，所述有机溶剂选自醇类溶剂和/或酮类溶剂。
4.如权利要求1所述的N-GaN层的粗化方法，其特征在于，所述无机非金属纳米微球选自SiO2纳米微球、TiO2纳米微球、SiC纳米微球中的一种或多种。
5.如权利要求1所述的N-GaN层的粗化方法，其特征在于，配制所述分散液的过程中，同时向其中加入表面活性剂。
6.一种芯片的制作方法，所述芯片包括N-GaN层，其特征在于，
所述制作方法包括采用权利要求1至5中任一项所述的粗化方法对所述N-GaN层进行粗化的步骤。
7.一种芯片，所述芯片包括N-GaN层、多量子阱层、P-GaN层、N电极、P电极，所述N电极与所述N-GaN层电连接，所述P电极与所述P-GaN层电连接；其特征在于，所述N-GaN层具有粗化结构，所述粗化结构采用权利要求1至5中任一项所述的粗化方法制作得到。
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