CN114035699A - Led触摸芯片及其制备方法和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种LED触摸芯片，其包括：衬底基板、触摸屏结构以及LED灯珠结构，其中，所述触摸屏结构设置于所述衬底基板上，用于为所述LED触摸芯片提供触摸功能，所述LED灯珠结构设置于所述触摸屏结构内，用于提供发光显示功能；所述触摸屏结构具有容置腔，所述LED灯珠结构设置于所述容置腔内，所述LED灯柱结构露出所述容置腔，以发出所需的光线。从而实现提高触摸屏灵敏度、降低触摸屏成本、减小屏外框厚度以及增加屏抗干扰性的效果。本发明还提供了一种LED触摸芯片的制备方法和一种具有该LED触摸芯片的显示装置。

Description

LED触摸芯片及其制备方法和显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种LED触摸芯片、一种LED触摸芯片的制备方法以及具有该LED触摸芯片的显示装置。
背景技术
目前，发光二极管(Light Emitting Diode，LED)因其高亮度、低热量、长寿命、节能环保等优点，在显示领域中得到了广泛的应用。随着显示技术的不断发展，图像的分辨率越来越高，LED屏幕的点间距越来越小，从而产生了Mini LED和Mirco LED技术。由于MiniLED和Mirco LED具有亮度高、色域广、刷新率快等优点使其在高端显示行业更具有优势，例如应用于会议一体机、广告牌等显示装置。此类显示装置在应用中一般需要有触摸功能，其通常采用红外线触摸屏固定在LED显示屏的边框上，红外线触摸屏利用X、Y方向上的红外线矩阵来检测并定位用户的触摸手势。
然而，采用上述红外线触摸屏实现触摸功能会出现灵敏度差、操作上出现延迟，以及容易受外界光线影响、怕强光干扰等问题。而且，该红外线触摸屏作为一个单独模块，往往需要采用多个辅助固定件才能固定在LED显示屏上，但这也直接增加了结构的复杂度、整个显示装置的尺寸以及产品的成本。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种LED触摸芯片、一种具有该LED触摸芯片的显示装置以及一种LED触摸芯片的制备方法，其旨在解决现有技术中存在的LED触摸屏灵敏度差、操作上出现延迟、容易受外界光线影响、怕强光干扰，以及产品结构复杂以及整体尺寸较大等问题。
一种LED触摸芯片，其包括：衬底基板、触摸屏结构以及LED灯珠结构，其中，所述触摸屏结构设置于所述衬底基板上，用于为所述LED触摸芯片提供触摸功能，所述LED灯珠结构设置于所述触摸屏结构内，用于提供发光显示功能；所述触摸屏结构具有容置腔，所述LED灯珠结构设置于所述容置腔内，所述LED灯柱结构露出所述容置腔，以发出所需的光线。
上述LED触摸芯片中，所述LED触摸芯片能够实现提高触摸屏灵敏度、降低触摸屏成本、减小屏外框厚度以及增加屏抗干扰性的效果。
可选地，所述触摸屏结构包括第一电极层、第一绝缘层、第二电极层、第二绝缘层、第三电极层、第三绝缘层和第四绝缘层；所述第一电极层设置于所述衬底基板上，所述第一绝缘层同时设置于所述第一电极层上和所述衬底基板上，所述第二电极层设置于所述第一绝缘层上，所述第二绝缘层同时设置于所述第二电极层上和所述第一绝缘层上，所述第三电极层设置于所述第二绝缘层上，所述第三绝缘层的一部分设置于所述第三电极层上，另外部分设置于第二绝缘层上，所述第四绝缘层设置于所述第三绝缘层上，且所述第四绝缘层上开设有所述容置腔。
可选地，所述触摸屏结构还包括第一触摸电极以及第二触摸电极，所述第一触摸电极依次穿过所述第四绝缘层、所述第三绝缘层、所述第二绝缘层和所述第一绝缘层与所述第一电极层电性连接，所述第二触摸电极依次穿过所述第四绝缘层、所述第三绝缘层和所述第二绝缘层与所述第二电极层电性连接。
可选地，所述LED灯珠结构包括第一半导体层、多量子阱发光层、第二半导体层、第四电极层和第五绝缘层；所述第一半导体层设置于所述第三绝缘层上，所述多量子阱发光层设置于所述第一半导体层上，所述第二半导体层设置于所述多量子阱发光层上，所述第四电极层设置于所述第二半导体层上，所述第五绝缘层同时设置于所述第四电极层上和所述第二半导体层上。
可选地，所述LED灯珠结构还包括第一LED灯珠电极以及第二LED灯珠电极，所述第一LED灯珠电极依次穿过所述第五绝缘层和所述第四电极层与所述第二半导体层电性连接，所述第二LED灯珠电极与所述第一LED灯柱电极间隔设置，且所述第二LED灯珠电极依次穿过所述第五绝缘层、所述第四电极层、所述第二半导体层和所述多量子阱发光层与所述第一半导体层电性连接。
可选地，所述第一电极层和所述第二电极层的材料均为铟锡氧化物，所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述第三绝缘层均为透明且不具有导电性能的材料形成，所述第一触摸电极以及第二触摸电极由导电材料形成。
可选地，所述第三电极层处于空悬状态。
可选地，所述第四绝缘层和所述第五绝缘层均为分布式布拉格反射镜。
上述LED触摸芯片解决LED触摸屏灵敏度差、操作上出现延迟、容易受外界光线影响、怕强光干扰，以及产品结构复杂以及整体尺寸较大等问题，实现了提高触摸屏灵敏度、降低触摸屏成本、减小屏外框厚度以及增加屏抗干扰性的效果。
基于同样的发明构思，本申请还提供显示装置，其包括上述的LED触摸芯片。
上述显示装置中，所述LED触摸芯片能够实现提高触摸屏灵敏度、降低触摸屏成本、减小屏外框厚度以及增加屏抗干扰性的效果。
基于同样的发明构思，本申请还提供一种LED触摸芯片的制备方法，所述制备方法包括：提供一衬底基板；于所述衬底基板上生长电极层；于所述电极层上生长发光层；于所述发光层上依次生长所述第四电极层、第五绝缘层以及第四绝缘层；同时制作第一触摸电极、第二触摸电极、第一LED灯珠电极和第二LED灯珠电极，其中，所述第一触摸电极与所述第一电极层电性连接，所述第二触摸电极与所述第二电极层电性连接，所述第一LED灯珠电极与所述第二半导体层电性连接，以及所述第二LED灯珠电极与所述第一半导体层电性连接。
上述LED触摸芯片解决LED触摸屏灵敏度差、操作上出现延迟、容易受外界光线影响、怕强光干扰，以及产品结构复杂以及整体尺寸较大等问题，实现了提高触摸屏灵敏度、降低触摸屏成本、减小屏外框厚度以及增加屏抗干扰性的效果。
附图说明
图1为本申请实施例公开的一种LED触摸芯片的结构示意图；
图2为图1所示LED触摸芯片的具体结构示意图；
图3为本申请实施例公开的一种LED触摸芯片的正视图；
图4为本申请实施例公开的一种LED触摸芯片的制备方法的流程示意图；
图5为图4所示制备方法中步骤S20形成的对应结构的示意图；
图6为图4所示制备方法中步骤S20的流程示意图；
图7为图4所示制备方法中步骤S30形成的对应结构的示意图；
图8为图4所示制备方法中步骤S30的流程示意图；
图9为图4所示制备方法中步骤S40形成的对应结构的示意图；
图10为图4所示制备方法中步骤S40的流程示意图。
附图标记说明：
100-LED触摸芯片；
110-触摸屏结构；
120-LED灯珠结构；
1102-容置腔；
111-第一电极层；
112-第一绝缘层；
113-第二电极层；
114-第二绝缘层；
115-第三电极层；
116-第三绝缘层；
117-第四绝缘层；
118-第一触摸电极；
119-第二触摸电极；
121-第一半导体层；
122-多量子阱发光层；
123-第二半导体；
124-第四电极层；
125-第五绝缘层；
126-第一LED灯珠电极；
127-第二LED灯珠电极；
130-触摸电容区；
10-衬底基板；
20-电极层；
30-发光层；
S10-S50-LED触摸芯片的制备方法的步骤；
S21-S26-电极层的制备方法的步骤；
S31-S33-发光层的制备方法的步骤；
S41-S43-第四电极层、第五绝缘层以及第四绝缘层的制备方法的步骤。
具体实施方式
为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳实施方式。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本申请的公开内容理解的更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本申请。
随着显示技术的不断发展，图像的分辨率越来越高，LED屏幕的点间距越来越小，从而产生了Mini LED和Mirco LED技术。由于Mini LED和Mirco LED具有亮度高、色域广、刷新率快等优点使其在高端显示行业更具有优势，例如应用于会议一体机、广告牌等显示装置。此类显示装置在应用中一般需要有触摸功能，其通常采用红外线触摸屏固定在LED显示屏的边框上，红外线触摸屏利用X、Y方向上的红外线矩阵来检测并定位用户的触摸手势。然而，采用上述红外线触摸屏实现触摸功能会出现灵敏度差、操作上出现延迟，以及容易受外界光线影响、怕强光干扰等问题。而且，该红外线触摸屏作为一个单独模块，往往需要采用多个辅助固定件才能固定在LED显示屏上，但这也直接增加了结构的复杂度、整个显示装置的尺寸以及产品的成本。因此，如何解决LED触摸屏灵敏度差、操作上出现延迟、箱体外壳厚且笨重，并且容易受外界光线影响、怕强光干扰等是亟需解决的问题。
基于此，本申请希望提供一种能够解决上述技术问题的方案，可以解决LED触摸屏灵敏度差、操作上出现延迟、容易受外界光线影响、怕强光干扰，以及产品结构复杂以及整体尺寸较大等问题，其详细内容将在后续实施例中得以阐述。
本申请方案的详细阐述LED触摸芯片、LED触摸芯片的制备方法和显示装置。
请参阅图1，其为本申请实施例公开的一种LED触摸芯片的结构示意图。如图1所示，本申请提供一种LED触摸芯片100，其包括衬底基板(图未示)、触摸屏结构110以及LED灯珠结构120。其中，所述触摸屏结构110设置于所述衬底基板上，用于为所述LED触摸芯片100提供触摸功能，所述LED灯珠结构120设置于所述触摸屏结构110内，并露出所述触摸屏结构110，用于提供发光显示功能。具体为，所述触摸屏结构110具有容置腔1102，所述容置腔1102的尺寸和形状与所述LED灯珠结构120的尺寸和形状相匹配。所述LED灯珠结构120设置于所述容置腔1102内，所述容置腔1102围设所述LED灯珠结构120的侧面和底面，所述LED灯珠结构120露出所述容置腔1102，以发出所需的光线。
在本申请实施例中，所述LED灯珠结构120可为倒装LED灯柱结构。
请参阅图2，其为图1所示LED触摸芯片的具体结构示意图。如图2所示，所述触摸屏结构110包括第一电极层111、第一绝缘层112、第二电极层113、第二绝缘层114、第三电极层115、第三绝缘层116、第四绝缘层117、第一触摸电极118以及第二触摸电极119。
所述第一电极层111设置于衬底基板上，并通过第一触摸电极118与基板电极(图未示)相连接，其中，连接方式主要通过锡膏打件连接。在本申请实施方式中，所述第一电极层111的材料为铟锡氧化物，且具有较好的透明性和导电性。
所述第一绝缘层112的一部分设置于所述第一电极层111上，另一部分设置于所述衬底基板上。在本申请实施方式中，所述第一绝缘层112为透明且不具有导电性能的材料，例如：树脂。
所述第二电极层113设置于所述第一绝缘层112上，也即为，第一绝缘层112设置于所述第一电极层111与所述第二电极层113之间，用于隔绝所述第一电极层111和第二电极层113，使得所述第一电极层111和第二电极层113之间相互不导通。
在本申请实施方式中，所述第二电极层113的材料为铟锡氧化物，且具有较好的透明性和导电性。
所述第二绝缘层114的一部分设置于所述第二电极层113上，另一部分设置于所述第一绝缘层112上，所述第三电极层115设置于所述第二绝缘层114上。也即为，所述第二绝缘层114设置于所述第二电极层113和第三电极层115之间，用于隔绝所述第二电极层113和第三电极层115，使得所述第二电极层113和第三电极层115之间相互不导通。
在本申请实施方式中，所述第二绝缘层114为透明且不具有导电性能的材料，例如：树脂。
所述第三电极层115设置于所述第二绝缘层114上，用于屏蔽所述第二电极层113对所述LED灯珠结构120中第一半导体层121的信号影响。在本申请实施方式中，所述第三电极层115处于空悬状态，不与其他电极相连接。
所述第三绝缘层116的一部分设置于所述第三电极层115上，另外部分设置于第二绝缘层114上，即所述第三绝缘层116将所述第三电极层115包覆于其内，用于隔绝所述第三电极层115和所述第一半导体层121，使得所述第三电极层115和第一半导体层121之间相互不导通。
在本申请实施方式中，所述第三绝缘层116为透明且不具有导电性能的材料，例如：树脂。
所述第四绝缘层117设置于所述第三绝缘层116上，且所述第四绝缘层117上开设有所述容置腔1102，也即为，所述第四绝缘层117设置于所述第三绝缘层116的周侧边缘处，并与所述第三绝缘层116的周侧对齐，且所述第四绝缘层117位于所述LED灯珠结构120的周侧。也可以描述为，所述第四绝缘层117的内壁与所述第三绝缘层116围成了所述容置腔1102，所述LED灯珠结构120设置于所述第三绝缘层116上，所述第四绝缘层117围设于所述LED灯珠结构120的周侧，即所述LED灯珠结构120设置于所述容置腔1102内。
在本申请实施方式中，所述第四绝缘层125可为分布式布拉格反射镜(Distributed Bragg Reflection，DBR)。
所述第一触摸电极118依次穿过所述第四绝缘层117、所述第三绝缘层116、所述第二绝缘层114和所述第一绝缘层112与所述第一电极层111电性连接。所述第一触摸电极118还与所述基板电极电性连接，也即为，所述第一触摸电极118用于电性连接所述第一电极层111与所述基板电极。在本申请实施方式中，所述第一触摸电极118为具有较好导电性能的材料。所述第一触摸电极118与所述基板电极的连接方式主要通过锡膏打件连接。
所述第二触摸电极119依次穿过所述第四绝缘层117、所述第三绝缘层116和所述第二绝缘层114与所述第二电极层113电性连接。所述第二触摸电极119还与所述基板电极电性连接，也即为，所述第二触摸电极119用于电性连接所述第二电极层113与所述基板电极。在本申请实施方式中，所述第二触摸电极119为具有较好导电性能的材料。所述第二触摸电极119与所述基板电极的连接方式主要通过锡膏打件连接。
在本申请实施方式中，所述LED灯珠结构120包括第一半导体层121、多量子阱发光层122、第二半导体层123、第四电极层124、第五绝缘层125、第一LED灯珠电极126以及第二LED灯珠电极127。
所述第一半导体层121设置于所述第三绝缘层116上，用于提供电子从而与所述第二半导体层123提供的空穴发生复合反应产生光子。在本申请实施方式中，所述第一半导体层121为N型半导体材料，例如，N型氮化镓(GaN)。
所述多量子阱发光层122设置于所述第一半导体层121上，用于提供场所让所述第一半导体层121提供的电子与第二半导体层123提供的空穴发生复合反应产生光子。
所述第二半导体层123设置于所述多量子阱发光层122上，用于提供空穴从而与所述第一半导体层121提供的电子发生复合反应产生光子。在本申请实施方式中，所述第二半导体层123为P型半导体材料，例如，P型氮化镓(GaN)。
所述第四电极层124设置于所述第二半导体层123上，用于发散电场，从而使得所述第二半导体层123的电场更均匀，发光效率更高。
所述第五绝缘层125一部分设置于所述第四电极层124上，另外部分设置于所述第二半导体层123上，即所述第五绝缘层125将所述第四电极层124覆盖于其内。所述第五绝缘层125用于防止电极间相互导通。在本申请实施方式中，所述第五绝缘层125为分布式布拉格反射镜。可以理解的是，在实际制作过程中，所述第四绝缘层117与所述第五绝缘层125可以同时制作，且通过一体成型制成，而在本申请实施例方式中，为了便于描述，将二者根据位置的不同，将其进行划分为不同的绝缘层。
所述第一LED灯珠电极126依次穿过所述第五绝缘层125和所述第四电极层124与所述第二半导体层123电性连接。所述第一LED灯珠电极126还与基板电极电性连接，也即为，所述第一LED灯珠电极126用于电性连接所述第二半导体层123与所述基板电极。
所述第二LED灯珠电极127与所述第一LED灯柱电极126间隔设置，且所述第二LED灯珠电极127依次穿过所述第五绝缘层125、所述第四电极层124、所述第二半导体层123和所述多量子阱发光层122与所述第一半导体层121电性连接。所述第二LED灯珠电极127还与基板电极电性连接，也即为，所述第二LED灯珠电极127用于电性连接所述第一半导体层121与所述基板电极。
请参阅图3，其为本申请实施例公开的一种LED触摸芯片的正视图。为了便于描述，如图3所示的LED触摸芯片100省略了所述LED灯珠结构120、第一绝缘层112、第二绝缘层114、第三电极层115、第三绝缘层116以及第四绝缘层117，仅示出了第一电极层111、第二电极层113、第一触摸电极118以及第二触摸电极119。
如图3所示的LED触摸芯片100进一步包括触摸电容区130，所述触摸电容区130为第一电极层111与第二电极层113的交叠区，所述第一触摸电极118以及第二触摸电极119相对设置于触摸电容区130的相对两侧。其中，所述第一电极层111设置于所述衬底基板上，并通过第一触摸电极118与所述基板电极相连接。所述第二电极层113设置于第一绝缘层112上，并通过第二触摸电极119与基板电极相连接，其中，连接方式主要通过锡膏打件连接。在本申请实施方式中，所述第一电极层111与第二电极层113的材料为均铟锡氧化物，且均具有较好的透明性和导电性。
请参阅图4，其为本申请实施例公开的一种LED触摸芯片的制备方法的流程示意图，所述LED触摸芯片的制备方法用于制备上述图1-2所示实施例中的LED触摸芯片，以达到提高触摸屏灵敏度、降低触摸屏成本、减小屏外框厚度以及增加屏抗干扰性的效果。如图4所示，所述LED触摸芯片的制备方法至少包括以下步骤。
S10、提供一衬底基板10。
具体的，请参阅图5，在本实施例中，所述衬底基板10为后续生长所述LED触摸芯片的层结构做准备。
S20、于所述衬底基板10上生长电极层20。
具体的，请参阅图5，在本申请实施方式中，所述电极层20包括第一电极层111、第一绝缘层112、第二电极层113、第二绝缘层114、第三电极层115以及第三绝缘层116。
在本实施例中，请参阅图6，于所述衬底基板10上生长所述电极层20至少包括以下步骤。
S21、于所述衬底基板10上生长第一电极层111。
所述第一电极层111通过第一触摸电极118与基板电极相连接，其中，连接方式主要通过锡膏打件连接。
在本申请实施例中，所述第一电极层111的材料为铟锡氧化物，且具有较好的透明性和导电性。
S22、于所述第一电极层111和所述衬底基板10上生长第一绝缘层112。
所述第一绝缘层112的一部分生长于所述第一电极层111上，另一部分生长于所述衬底基板上。在本申请实施例中，所述第一绝缘层112为透明且不具有导电性能的材料，例如：树脂。
S23、于所述第一绝缘层112上生长第二电极层113。
所述第一绝缘层112设置于所述第一电极层111与所述第二电极层113之间，用于隔绝所述第一电极层111和第二电极层113，使得所述第一电极层111和第二电极层113之间相互不导通。
在本申请实施方式中，所述第二电极层113的材料为铟锡氧化物，且具有较好的透明性和导电性。
S24、于所述第二电极层113和所述第一绝缘层112上生长第二绝缘层114。
所述第二绝缘层114的一部分生长于所述第二电极层113上，另一部分生长于所述第一绝缘层112上。也即为，所述第二绝缘层114设置于所述第二电极层113和第三电极层115之间，用于隔绝所述第二电极层113和第三电极层115，使得所述第二电极层113和第三电极层115之间相互不导通。在本申请实施方式中，所述第二绝缘层114为透明且不具有导电性能的材料，例如：树脂。
S25、于所述第二绝缘层114上生长第三电极层115。
所述第三电极层115用于屏蔽所述第二电极层113对所述LED灯珠结构120中第一半导体层121的信号影响。在本申请实施方式中，所述第三电极层115处于空悬状态，不与其他电极相连接。
S26、于所述第三电极层115和所述第二绝缘层114上生长第三绝缘层116。
所述第三绝缘层116的一部分生长于所述第三电极层115上，另外部分生长于第二绝缘层114上，即所述第三绝缘层116将所述第三电极层115包覆于其内，用于隔绝所述第三电极层115和第一半导体层121，使得所述第三电极层115和第一半导体层121之间相互不导通。
在本申请实施方式中，所述第三绝缘层116为透明且不具有导电性能的材料，例如：树脂。
在本申请实施方式中，所述第一电极层111、所述第二电极层113以及所述第三电极层115是通过物理气相沉积(Physical Vapour Deposition，PVD)离子镀膜、涂布、曝光、显影、蚀刻等工艺分别生成。所述第一绝缘层112、所述第二绝缘层114以及所述第三绝缘层116是通过化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)镀膜分别生成。
S30、于所述电极层20上生长发光层30。
具体的，请参阅图7，在本申请实施方式中，所述发光层30包括依次层叠生长的第一半导体层121、多量子阱发光层122以及第二半导体123。
在本实施例中，请参阅图8，于所述电极层20上生长所述发光层30至少包括以下步骤。
S31、于所述第三绝缘层116上生长第一半导体层121。
所述第一半导体层121用于提供电子从而与所述第二半导体层123提供的空穴发生复合反应产生光子。在本申请实施方式中，所述第一半导体层121为N型半导体材料，例如，N型氮化镓(GaN)。
S32、于所述第一半导体层121上生长多量子阱发光层122。
所述多量子阱发光层122用于提供场所让所述第一半导体层121提供的电子与第二半导体层123提供的空穴发生复合反应产生光子。
S33、于所述多量子阱发光层122上生长第二半导体层123。
所述第二半导体层123用于提供空穴从而与所述第一半导体层121提供的电子发生复合反应产生光子。在本申请实施方式中，所述第二半导体层123为P型半导体材料，例如，P型氮化镓(GaN)。
S40、于所述发光层30上依次生长所述第四电极层124、第五绝缘层125以及第四绝缘层117。
具体的，请参阅图9和图10，在本实施例中，于所述发光层30上依次生长所述第四电极层124、第五绝缘层125以及第四绝缘层117至少包括以下步骤。
S41、于所述第二半导体层123上生长第四电极层124。
所述第四电极层124用于发散电场，从而使得所述第二半导体层123的电场更均匀，发光效率更高。
S42、于所述第四电极层124上生长第五绝缘层125。
所述第五绝缘层125一部分生长于所述第四电极层124上，另外部分生长于所述第二半导体层123上，即所述第五绝缘层125将所述第四电极层124覆盖于其内。所述第五绝缘层125用于防止电极间相互导通。在本申请实施方式中，所述第五绝缘层125为分布式布拉格反射镜。
S43、于所述第三绝缘层116上生长第四绝缘层117，其中，所述第四绝缘层117上开设有所述容置腔1102。
具体为，所述第四绝缘层117设置于所述第三绝缘层116上，且所述第四绝缘层117上开设有所述容置腔1102，也即为，所述第四绝缘层117与所述第三绝缘层116的周侧对齐，且所述第四绝缘层117位于所述LED灯珠结构120的周侧。也可以描述为，所述第四绝缘层117的内壁与所述第三绝缘层116围成了所述容置腔1102，所述LED灯珠结构120设置于所述第三绝缘层116上，所述第四绝缘层117围设于所述LED灯珠结构120的周侧，即所述LED灯珠结构120设置于所述容置腔1102内。可以理解的是，在实际制作过程中，所述第四绝缘层117与所述第五绝缘层125可以同时制作，且通过一体成型制成，而在本申请实施例方式中，为了便于描述，将二者根据位置的不同，将其进行划分为不同的绝缘层。
S50、同时制作第一触摸电极118、第二触摸电极119、第一LED灯珠电极126和第二LED灯珠电极127，其中，第一触摸电极118与第一电极层111电性连接，第二触摸电极119与第二电极层113电性连接，第一LED灯珠电极126与所述第二半导体层123电性连接，以及第二LED灯珠电极127与所述第一半导体层121电性连接。
具体的，请参阅图2，所述第一触摸电极118依次穿过所述第四绝缘层117、所述第三绝缘层116、所述第二绝缘层114和所述第一绝缘层112与所述第一电极层111电性连接。所述第一触摸电极118还与基板电极电性连接，也即为，所述第一触摸电极118用于电性连接所述第一电极层111与所述基板电极。在本申请实施方式中，所述第一触摸电极118为具有较好导电性能的材料。所述第一触摸电极118与所述基板电极的连接方式主要通过锡膏打件连接。
所述第二触摸电极119依次穿过所述第四绝缘层117、所述第三绝缘层116和所述第二绝缘层114与所述第二电极层113电性连接。所述第二触摸电极119还与基板电极电性连接，也即为，所述第二触摸电极119用于电性连接所述第二电极层113与所述基板电极。在本申请实施方式中，所述第二触摸电极119为具有较好导电性能的材料。所述第二触摸电极119与所述基板电极的连接方式主要通过锡膏打件连接。
所述第一LED灯珠电极126依次穿过所述第五绝缘层125和所述第四电极层124与所述第二半导体层123电性连接。所述第一LED灯珠电极126还与基板电极电性连接，也即为，所述第一LED灯珠电极126用于电性连接所述第二半导体层123与所述基板电极。
所述第二LED灯珠电极127依次穿过所述第五绝缘层125、所述第四电极层124、所述第二半导体层123和所述多量子阱发光层122与所述第一半导体层121电性连接。所述第二LED灯珠电极127还与基板电极电性连接，也即为，所述第二LED灯珠电极127用于电性连接所述第一半导体层121与所述基板电极。
本发明实施例还提供一种显示装置，其包括如上述图1或图2所示实施例中的LED触摸芯片。其中，所述显示装置包括但不局限于：Mini LED面板、Mirco LED面板、手机、平板电脑、导航仪、显示器等任何具有显示功能的电子设备或者部件，本申请对此不作具体限制。
应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种LED触摸芯片，其特征在于，包括：衬底基板、触摸屏结构以及LED灯珠结构，其中：所述触摸屏结构设置于所述衬底基板上，用于为所述LED触摸芯片提供触摸功能，所述LED灯珠结构设置于所述触摸屏结构内，用于提供发光显示功能；所述触摸屏结构具有容置腔，所述LED灯珠结构设置于所述容置腔内，所述LED灯柱结构露出所述容置腔，以发出所需的光线。
2.如权利要求1所述的LED触摸芯片，其特征在于，所述触摸屏结构包括第一电极层、第一绝缘层、第二电极层、第二绝缘层、第三电极层、第三绝缘层和第四绝缘层；所述第一电极层设置于所述衬底基板上，所述第一绝缘层同时设置于所述第一电极层上和所述衬底基板上，所述第二电极层设置于所述第一绝缘层上，所述第二绝缘层同时设置于所述第二电极层上和所述第一绝缘层上，所述第三电极层设置于所述第二绝缘层上，所述第三绝缘层的一部分设置于所述第三电极层上，另外部分设置于第二绝缘层上，所述第四绝缘层设置于所述第三绝缘层上，且所述第四绝缘层上开设有所述容置腔。
3.如权利要求2所述的LED触摸芯片，其特征在于，所述触摸屏结构还包括第一触摸电极以及第二触摸电极，所述第一触摸电极依次穿过所述第四绝缘层、所述第三绝缘层、所述第二绝缘层和所述第一绝缘层与所述第一电极层电性连接，所述第二触摸电极依次穿过所述第四绝缘层、所述第三绝缘层和所述第二绝缘层与所述第二电极层电性连接。
4.如权利要求3所述的LED触摸芯片，其特征在于，所述LED灯珠结构包括第一半导体层、多量子阱发光层、第二半导体层、第四电极层和第五绝缘层；所述第一半导体层设置于所述第三绝缘层上，所述多量子阱发光层设置于所述第一半导体层上，所述第二半导体层设置于所述多量子阱发光层上，所述第四电极层设置于所述第二半导体层上，所述第五绝缘层同时设置于所述第四电极层上和所述第二半导体层上。
5.如权利要求4所述的LED触摸芯片，其特征在于，所述LED灯珠结构还包括第一LED灯珠电极以及第二LED灯珠电极，所述第一LED灯珠电极依次穿过所述第五绝缘层和所述第四电极层与所述第二半导体层电性连接，所述第二LED灯珠电极与所述第一LED灯柱电极间隔设置，且所述第二LED灯珠电极依次穿过所述第五绝缘层、所述第四电极层、所述第二半导体层和所述多量子阱发光层与所述第一半导体层电性连接。
6.如权利要求2所述的LED触摸芯片，其特征在于，所述第一电极层和所述第二电极层的材料均为铟锡氧化物，所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述第三绝缘层均为透明且不具有导电性能的材料形成，所述第一触摸电极以及第二触摸电极由导电材料形成。
7.如权利要求2所述的LED触摸芯片，其特征在于，所述第三电极层处于空悬状态。
8.如权利要求4或5所述的LED触摸芯片，其特征在于，所述第四绝缘层和所述第五绝缘层均为分布式布拉格反射镜。
9.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-8任意一项所述的LED触摸芯片。
10.一种LED触摸芯片的制备方法，用于制造如权利要求1-8任意一项所述的LED触摸芯片，其特征在于，所述制备方法包括：
提供一衬底基板；
于所述衬底基板上生长电极层；
于所述电极层上生长发光层；
于所述发光层上依次生长所述第四电极层、第五绝缘层以及第四绝缘层；
同时制作第一触摸电极、第二触摸电极、第一LED灯珠电极和第二LED灯珠电极，其中，所述第一触摸电极与所述第一电极层电性连接，所述第二触摸电极与所述第二电极层电性连接，所述第一LED灯珠电极与所述第二半导体层电性连接，以及所述第二LED灯珠电极与所述第一半导体层电性连接。
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