CN114031113A - 一种疏水性Cu12Sb4S13纳米片的可控制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种疏水性Cu12Sb4S13纳米片的可控制备方法，其成分制备包括：氯化亚铜，分析纯，主要含量大于99％，三氯化锑，分析纯，主要含量大于99％，油胺，甘油，硫粉，分析纯，主要含量大于99％，四氯乙烯，氮气。本发明还涉及上述成分制备疏水性Cu12Sb4S13纳米片的方法。本发明实用性强，可广泛应用于疏水材料领域。
Description
技术领域
本发明涉及纳米材料领域，具体涉及一种疏水性Cu12Sb4S13纳米片的制备方法。
背景技术
表面疏水技术是一种具有较高适用价值的基础技术，现代疏水材料的兴起是有由于受到自然界的启发，如荷叶等植物，由于具有疏水性，故具有自清洁、耐污性等特性。疏水材料由于其固有特性导致其拥有广阔的应用前景。金属表面防锈处理是很多大型工程中的重要环节，现阶段金属防锈方式一般为在金属表面涂抹机油、凡士林、油漆或者覆盖塑料等耐腐蚀非金属材料，或者采用电镀一些不易被锈蚀的金属，如：锌、锡、铬等金属，这些金属由于容易氧化而形成稳定的氧化膜而防止锈蚀，还有烤蓝等方法。但是上述方法都有相应的缺点，如：在进行烤蓝防锈处理时由于需要加热，易导致工件发生变形；在电镀金属时如果工件表面有氧化膜则会导致锌的正常沉积。附着性好的疏水材料可以稳定附着在被保护工件表面，将工件与水隔离开，达到防锈的目的。疏水材料还可以广泛应用于防结冰、防污、减阻、防锈领域等。
现阶段制备疏水材料的方法有静电纺丝法、层层组装法、电化学沉积法等，但此几类制备疏水材料的方法比较复杂、制备所需时间长、且材料的大小尺寸无法控制。
发明内容
针对以上问题，本发明提出一种疏水性Cu12Sb4S13纳米片可控制备方法。
本发明采取的技术方案为：
步骤一：准备以下药品：氯化亚铜，分析纯，主要含量大于99％，三氯化锑，分析纯，主要含量大于99％，油胺，甘油，硫粉，分析纯，主要含量大于99％，四氯乙烯，氮气；
步骤二：在手套箱中称取0.6g氯化亚铜和0.5g三氯化锑倒入三颈瓶中，并在三颈瓶中迅速加入50mL油胺和50mL甘油；
步骤三：在三颈瓶中通入氮气，并在三颈瓶中插入温度计至液面以下，使用电热套将三颈瓶中液体加热至90℃并保持30min；
步骤四：30min后，将温度升高至140℃并迅速加入0.2g硫粉，保持温度60min；
步骤五：60min后将温度升高至设定温度并再保持60min，所述设定温度为200℃-260℃；
步骤六：60min后，将加热设备关闭，使混合物温度自然冷却到室温。冷却到室温后，将混合物倒入无水乙醇中并离心清洗干净，最后将得到的Cu12Sb4S13纳米片保存在四氯乙烯中。
技术效果
使用简单的化学合成方法，通过改变反应条件即可制备得到尺寸可控的疏水性Cu12Sb4S13纳米片。此种合成方式操作简单，其合成效率及产物纯度远高于有机合成方法，且成功率高，产量高。所得到的Cu12Sb4S13纳米片可用于作为各种材料表面作为疏水涂层，且其具有较高的附着力，与金属等基体具有较好的结合强度，未来在水力发电机疏水涂层上具有较大的应用潜力。
附图说明
图1为本发明制备得到的Cu12Sb4S13纳米片XRD表征图谱。
图2为实施例1制备得到的Cu12Sb4S13纳米片电镜扫描分析图。
图3为实施例2制备得到的Cu12Sb4S13纳米片电镜扫描分析图。
图4为实施例3制备得到的Cu12Sb4S13纳米片电镜扫描分析图。
图5为本发明制备得到的Cu12Sb4S13纳米片的水接触角示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明做进一步说明：
实施例1：
如图1所示，本发明提出的Cu12Sb4S13纳米片包括以下制备步骤：
步骤一：氯化亚铜，分析纯，主要含量大于99％，三氯化锑，分析纯，主要含量大于99％，硫粉，分析纯，主要含量大于99％，无水乙醇，分析纯，主要含量大于99％，四氯乙烯，油胺，甘油，氮气。
步骤二：步骤二：在手套箱中称取0.6g氯化亚铜和0.5g三氯化锑倒入三颈瓶中，并在三颈瓶中迅速加入50mL油胺和50mL甘油。
步骤三：在三颈瓶中通入氮气，并在三颈瓶中插入温度计至液面以下，使用电热套将三颈瓶中液体加热至90℃并保持30min。
步骤四：30min后，将温度升高至140℃并迅速加入0.2g硫粉，保持温度60min。
步骤五：60min后将温度升高至设定温度并再保持60min，所述设定温度为220℃。
步骤六：60min后，将加热设备关闭，使混合物温度自然冷却到室温。冷却到室温后，将混合物倒入无水乙醇中并离心清洗干净，最后将得到的Cu12Sb4S13纳米片保存在四氯乙烯中。
本实施例制备得到的Cu12Sb4S13纳米片尺寸在10nm-50nm之间，TEM图像见图2。
实施例2：
如图2所示，本发明提出的Cu12Sb4S13纳米片包括以下制备步骤：
步骤一：氯化亚铜，分析纯，主要含量大于99％，三氯化锑，分析纯，主要含量大于99％，硫粉，分析纯，主要含量大于99％，无水乙醇，分析纯，主要含量大于99％，四氯乙烯，油胺，甘油，氮气。
步骤二：在手套箱中称取0.6g氯化亚铜和0.5g三氯化锑倒入三颈瓶中，并在三颈瓶中迅速加入50mL油胺和50mL甘油。
步骤三：在三颈瓶中通入氮气，并在三颈瓶中插入温度计至液面以下，使用电热套将三颈瓶中液体加热至90℃并保持30min。
步骤四：30min后，将温度升高至140℃并迅速加入0.2g硫粉，保持温度60min。
步骤五：60min后将温度升高至设定温度并再保持60min，所述设定温度为240℃。
步骤六：60min后，将加热设备关闭，使混合物温度自然冷却到室温。冷却到室温后，将混合物倒入无水乙醇中并离心清洗干净，最后将得到的Cu12Sb4S13纳米片保存在四氯乙烯中。
本实施例制备得到的Cu12Sb4S13纳米片尺寸在50nm-100nm之间，TEM图像见图3。
实施例3：
如图3所示，本发明提出的Cu12Sb4S13纳米片包括以下制备步骤：
步骤一：氯化亚铜，分析纯，主要含量大于99％，三氯化锑，分析纯，主要含量大于99％，硫粉，分析纯，主要含量大于99％，无水乙醇，分析纯，主要含量大于99％，四氯乙烯，油胺，甘油，氮气。
步骤二：在手套箱中称取0.6g氯化亚铜和0.5g三氯化锑倒入三颈瓶中，并在三颈瓶中迅速加入50mL油胺和50mL甘油。
步骤三：在三颈瓶中通入氮气，并在三颈瓶中插入温度计至液面以下，使用电热套将三颈瓶中液体加热至90℃并保持30min。
步骤四：30min后，将温度升高至140℃并迅速加入0.2g硫粉，保持温度60min。
步骤五：60min后将温度升高至设定温度并再保持60min，所述设定温度为260℃。
步骤六：60min后，将加热设备关闭，使混合物温度自然冷却到室温。冷却到室温后，将混合物倒入无水乙醇中并离心清洗干净，最后将得到的Cu12Sb4S13纳米片保存在四氯乙烯中。
本实施例制备得到的Cu12Sb4S13纳米片尺寸在100nm-200nm之间，TEM图像见图4。
本发明制备的Cu12Sb4S13纳米片的XRD图谱见图1。图1中各衍射峰的位置和相对强度均与Cu12Sb4S13纳米片的XRD图谱相匹配。
图5为水与Cu12Sb4S13纳米片材料的接触角示意图，从图中可以看出其接触角超过90°，有良好的疏水效果。
本发明实施例1～3制备得到的Cu12Sb4S13纳米片的形貌结构进行了表征，表征结果见图2～4。图2～4的结果说明了：控制不同的反应条件，可以得到颗粒尺寸在10～200nm之间的Cu12Sb4S13纳米片；单一条件下，纳米片的尺寸较为均匀，具有较好的单分散性，没有团聚现象。
以上对本发明及其实施方式进行了举例描述，这种描述没有限制性，附图中所示的也只是本发明的实施方式之一，实际的实施内容并不局限于此。总而言之如果本领域的普通技术人员受其启示，在不脱离本发明创造宗旨的情况下，不经创造性的设计出与该技术方案相似的实施方式及实施例，均应属于本发明的保护范围。
Claims (1)
1.一种疏水性Cu12Sb4S13纳米片的可控制备方法，其特征在于包括以下制备步骤：
步骤一：准备以下药品：氯化亚铜，分析纯，主要含量大于99％，三氯化锑，分析纯，主要含量大于99％，油胺，甘油，硫粉，分析纯，主要含量大于99％，四氯乙烯，氮气；
步骤二：在手套箱中称取0.6g氯化亚铜和0.5g三氯化锑倒入三颈瓶中，并在三颈瓶中迅速加入50mL油胺和50mL甘油；
步骤三：在三颈瓶中通入氮气，并在三颈瓶中插入温度计至液面以下，使用电热套将三颈瓶中液体加热至90℃并保持30min；
步骤四：30min后，将温度升高至140℃并迅速加入0.2g硫粉，保持温度60min；
步骤五：60min后将温度升高至设定温度并再保持60min，所述设定温度为200℃-260℃；
步骤六：60min后，将加热设备关闭，使混合物温度自然冷却到室温。冷却到室温后，将混合物倒入无水乙醇中并离心清洗干净，最后将得到的Cu12Sb4S13纳米片保存在四氯乙烯中。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116409995A (zh) * | 2023-04-13 | 2023-07-11 | 合肥工业大学 | 一种高纯Cu12Sb4S13热电材料的制备方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102849685A (zh) * | 2012-08-16 | 2013-01-02 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 控制晶相合成带隙可调的单分散Cu2ZnSn(S1-xSex)4纳米晶的方法 |
| CN104894635A (zh) * | 2015-04-27 | 2015-09-09 | 武汉理工大学 | 尺寸可控的铜锑硫纳米晶材料及其制备方法 |
| CN105460975A (zh) * | 2015-12-07 | 2016-04-06 | 武汉理工大学 | Cu12Sb4S13纳米晶材料的可控制备方法 |
| CN110092418A (zh) * | 2019-06-10 | 2019-08-06 | 重庆文理学院 | 一种三元铜基硫化物半导体纳米材料的制备方法 |
| CN111498895A (zh) * | 2020-05-12 | 2020-08-07 | 浙江工业大学 | 一种Cu2-xS纳米片晶体结构的调控方法 |
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2021
- 2021-12-10 CN CN202111502254.XA patent/CN114031113A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102849685A (zh) * | 2012-08-16 | 2013-01-02 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 控制晶相合成带隙可调的单分散Cu2ZnSn(S1-xSex)4纳米晶的方法 |
| CN104894635A (zh) * | 2015-04-27 | 2015-09-09 | 武汉理工大学 | 尺寸可控的铜锑硫纳米晶材料及其制备方法 |
| CN105460975A (zh) * | 2015-12-07 | 2016-04-06 | 武汉理工大学 | Cu12Sb4S13纳米晶材料的可控制备方法 |
| CN110092418A (zh) * | 2019-06-10 | 2019-08-06 | 重庆文理学院 | 一种三元铜基硫化物半导体纳米材料的制备方法 |
| CN111498895A (zh) * | 2020-05-12 | 2020-08-07 | 浙江工业大学 | 一种Cu2-xS纳米片晶体结构的调控方法 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| CHENG ZHANG ET AL.,: "Cu12Sb4S13 nanocrystals as absorbers for a diode-pumped Tm, La:CaF2 2 μm Q-switched laser", 《OPTICS COMMUNICATIONS 》, pages 125281 - 1 * |
| JOEL VAN EMBDEN ET AL.,: "Near-Infrared Absorbing Cu12Sb4S13 and Cu3SbS4 Nanocrystals: Synthesis, Characterization, and Photoelectrochemistry", 《JOURNAL OF THE AMERICAN CHEMICAL SOCIETY》, vol. 135, pages 11562, XP055231557, DOI: 10.1021/ja402702x * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116409995A (zh) * | 2023-04-13 | 2023-07-11 | 合肥工业大学 | 一种高纯Cu12Sb4S13热电材料的制备方法 |
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