CN114018184A - 陶瓷片碎裂检测系统、方法、装置及相关设备 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种陶瓷片碎裂检测系统、方法、装置及相关设备,属于碎片检测技术领域,该陶瓷片碎裂检测系统、方法、装置及相关设备通过对陶瓷片的边缘位置信息进行检测,从而在边缘位置信息发生变化时,确认陶瓷片存在碎裂风险,提醒用户对应的陶瓷片可能破碎,指导用户在不拆卸功率半导体器件的情况下确定功率半导体器件陶瓷片碎裂情况,从而提高变流器的使用安全性以及使用效率,节约人力。
Description
技术领域
本发明属于碎片检测技术领域,具体涉及一种陶瓷片碎裂检测系统、方法、装置及相关设备。
背景技术
功率半导体器件在电力设备的电能变换和控制电路大功率的方面具有重要地位,例如,可以应用在功率板中构成变流器的一部分。而变流器中,主要的功率半导体器件多为IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管)或MOS管等。IGBT等功率半导体器件在运行中会产生热量,变流器在对其散热时,通常采用在背部涂抹散热膏后通过矽胶片放置于散热器表面的方法。但是,由于矽胶片导热系数较低,使得散热效果欠佳。
为了提升散热效果,相关技术中,采用陶瓷片作为功率半导体器件的散热材料,陶瓷片具有导热系数高、散热效果好的功能。但是,由于陶瓷片硬度不高,所以在紧固功率半导体器件螺钉或运输等的过程中由于颠簸可能会出现碎裂,而一般陶瓷片安装在变流器内部,要检查是否出现陶瓷片碎裂需要将每个功率半导体器件拆卸下来,此过程相当繁琐。
因此,如何便捷检测陶瓷片是否碎裂,成为现有技术中亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明提供了一种陶瓷片碎裂检测系统、方法、装置及相关设备,以解决现有技术中检查是否出现陶瓷片碎裂需要将每个功率半导体器件拆卸下来,过程繁琐、耗费人力的技术问题。
本发明提供的技术方案如下:
一方面,一种陶瓷片碎裂检测系统,用于对陶瓷片的碎裂情况进行检测,所述检测系统,包括:控制组件和设置在所述陶瓷片外部的位置检测装置;所述控制组件与所述位置检测装置相连;
所述位置检测装置,用于检测所述陶瓷片的边缘位置信息,并将所述边缘位置信息发送至所述控制组件;
所述控制组件,用于接收所述边缘位置信息,在所述边缘位置信息发生变化时,确认所述陶瓷片存在碎裂风险。
可选的,所述位置检测装置,包括:超声波探测器,或,边缘控制器。
可选的,所述超声波探测器,设置于所述陶瓷片的正上方;或,
所述边缘控制器,设置于所述陶瓷片的边缘位置。
可选的,还包括:设置在所述陶瓷片外部的变量检测装置,所述变量检测装置与所述控制组件相连;
所述变量检测装置用于检测所述陶瓷片的预设变量信息,并将所述预设变量信息发送至所述控制组件;
所述控制组件用于接收所述预设变量信息,并在所述预设变量信息发生改变时,触发所述位置检测装置检测所述陶瓷片的边缘位置信息,以在所述边缘位置信息发生变化时,确认所述陶瓷片存在碎裂风险。
可选的,所述变量检测装置,包括:压力检测组件,或,温度检测组件。
可选的,所述压力检测组件设置于所述陶瓷片的底部;或,
所述温度检测组件设置于所述陶瓷片的外部。
又一方面,一种陶瓷片碎裂检测方法,应用于上述任一所述的陶瓷片碎裂检测系统,所述方法,包括:
接收陶瓷片的边缘位置信息;
在所述边缘位置信息发生变化时,确认所述陶瓷片存在破碎风险。
可选的,所述接收陶瓷片的边缘位置信息,包括:
接收预设变量信息;
在所述预设变量信息发生改变时,触发所述位置检测装置检测所述陶瓷片的边缘位置信息,以接收所述陶瓷片的边缘位置信息。
又一方面,一种陶瓷片碎裂检测装置,包括:接收模块和确定模块;
所述接收模块,用于接收陶瓷片的边缘位置信息;
所述确定模块,用于在所述边缘位置信息发生变化时,确认所述陶瓷片存在破碎风险。
又一方面,一种陶瓷片碎裂检测设备,包括:处理器,以及与所述处理器相连接的存储器;
所述存储器用于存储计算机程序,所述计算机程序至少用于执行上述任一项所述的陶瓷片碎裂检测方法;
所述处理器用于调用并执行所述存储器中的所述计算机程序。
又一方面,一种功率板,包括:功率半导体器件、陶瓷片和上述任一所述的陶瓷片碎裂检测系统;所述陶瓷片设置在所述功率半导体器件的底部,所述陶瓷片用于对所述功率半导体器件散热;所述陶瓷片碎裂检测系统用于对陶瓷片的碎裂情况进行检测。
可选的,所述功率板包括散热器;所述散热器上设置有:散热器沟槽;所述陶瓷片放置于所述散热器沟槽中。
又一方面,一种变流器,包括:上述任一所述的功率板。
本发明的有益效果为:
本发明实施例提供的陶瓷片碎裂检测系统、方法、装置及相关设备,通过设置位置检测装置,对陶瓷片的边缘位置信息进行检测,从而使得控制组件在边缘位置信息发生变化时,确认陶瓷片存在碎裂风险,提醒用户对应的陶瓷片可能破碎,指导用户在不拆卸功率半导体器件的情况下确定功率半导体器件陶瓷片是否出现碎裂,从而提高变流器的使用安全性以及使用效率,节约人力。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种陶瓷片碎裂检测系统的结构示意图;
图2为本发明实施例提供的又一种陶瓷片碎裂检测系统的结构示意图;
图3为本发明实施例提供的又一种陶瓷片碎裂检测系统的结构示意图;
图4为本发明实施例提供的又一种陶瓷片碎裂检测系统的结构示意图;
图5为本发明实施例提供的一种陶瓷片碎裂检测方法的流程示意图;
图6为本发明实施例提供的一种陶瓷片碎裂检测装置的结构示意图;
图7为本发明实施例提供的一种陶瓷片碎裂检测设备的结构示意图。
附图标记:A-控制组件;B-陶瓷片;C-功率半导体器件;D-散热器;11-超声波探测器;12-边缘控制器;21-压力检测组件;22-温度检测组件;61-接收模块;62-确定模块;71-处理器;72-存储器。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将对本发明的技术方案进行详细的描述。显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所得到的所有其它实施方式,都属于本发明所保护的范围。
采用氮化硅陶瓷片作为IGBT散热材料,具有导热系数高、散热效果好的功能。由于陶瓷片硬度不高,所以在紧固IGBT螺钉或运输等的过程中由于颠簸可能会出现碎裂,而一般陶瓷片安装在变流器内部,要检查是否出现陶瓷片碎裂需要将每个IGBT拆卸下来,此过程相当繁琐。
基于此,本发明实施例提供一种陶瓷片碎裂检测系统、方法、装置及相关设备。
实施例一:
本发明实施例提供一种陶瓷片碎裂检测系统。
图1为本发明实施例提供的一种陶瓷片碎裂检测系统的结构示意图,本发明实施例提供的陶瓷片碎裂检测系统,用于对陶瓷片的碎裂情况进行检测,参阅图1,本发明实施例提供的检测系统,包括:控制组件A和设置在陶瓷片B外部的位置检测装置;控制组件A与位置检测装置相连。其中,位置检测装置,用于检测陶瓷片的边缘位置信息,并将边缘位置信息发送至控制组件;控制组件,用于接收边缘位置信息,在边缘位置信息发生变化时,确认陶瓷片存在碎裂风险。
其中,陶瓷片设置在功率半导体器件C的底部,用于对功率半导体器件进行散热。例如,功率半导体器件可以为IGBT,陶瓷片对IGBT散热。陶瓷片可以为矩形,也可以为圆形,本实施例中不做具体限定,以陶瓷片为矩形为例,对方案进行说明。图1中的陶瓷片为碎裂陶瓷片。
在一些实施例中,可选的,位置检测装置,包括:超声波探测器,或,边缘控制器。
在一些实施例中,可选的,超声波探测器,设置于陶瓷片的正上方;边缘控制器,设置于陶瓷片的边缘位置。
其中,参阅图1,位置检测装置可以为超声波探测器11,超声波探测器可以设置在陶瓷片的正上方。例如,在变流器中,陶瓷片设置在IGBT底部,对IGBT散热,可以将超声波探测器安装在变流器中IGBT的正上方,超声波探测器检测陶瓷片的四条边的位置信息,控制组件接收陶瓷片的四条边的位置信息,当四条边中任一位置信息发生变化时,说明陶瓷片发生了移动,确认该陶瓷片存在碎裂风险。
图2为本发明实施例提供的又一种陶瓷片碎裂检测系统的结构示意图。
其中,参阅图2,位置检测装置可以为边缘控制器12,边缘控制器可以设置于陶瓷片的边缘位置。例如,可以将边缘控制器设置在陶瓷片的四条边处,在每条边设置一个边缘控制器,用于限定陶瓷片四条边的位置,边缘控制器检测陶瓷片四条边的位置信息,控制组件接收陶瓷片的四条边的位置信息,当四条边中任一位置信息发生变化时,说明陶瓷片发生了移动,确认该陶瓷片存在碎裂风险。
本实施例中,控制组件可以为单片机芯片、PLC等,控制组件可以设置在变流器的主控板上,也可以根据需求进行设定,本实施例中不做具体限定。
本发明实施例提供的陶瓷片碎裂检测系统,通过设置位置检测装置,对陶瓷片的边缘位置信息进行检测,从而使得控制组件在边缘位置信息发生变化时,确认陶瓷片存在碎裂风险,提醒用户对应的陶瓷片可能破碎,指导用户在不拆卸IGBT的情况下确定IGBT陶瓷片是否出现碎裂,从而提高变流器的使用安全性以及使用效率,节约人力。
实施例二:
基于一个总的发明构思,本发明实施例还提供又一种陶瓷片碎裂检测系统。
在上述实施例的基础上,本发明实施例提供的陶瓷片碎裂检测系统,还包括:设置在陶瓷片外部的变量检测装置,变量检测装置与控制组件相连。变量检测装置用于检测陶瓷片的预设变量信息,并将预设变量信息发送至控制组件;控制组件用于接收预设变量信息,并在预设变量信息发生改变时,触发位置检测装置检测陶瓷片的边缘位置信息,以在边缘位置信息发生变化时,确认陶瓷片存在碎裂风险。
图3为本发明实施例提供的又一种陶瓷片碎裂检测系统的结构示意图;图4为本发明实施例提供的又一种陶瓷片碎裂检测系统的结构示意图。
在一些实施例中,可选的,参阅图3和图4,变量检测装置,可以包括:压力检测组件21,或,温度检测组件22。
在一些实施例中,可选的,压力检测组件设置于陶瓷片的底部;温度检测组件设置于陶瓷片的外部。
本实施例中,通过位置检测装置对陶瓷片的边缘位置信息进行检测,从而确定陶瓷片是否存在碎裂风险。而在紧固IGBT固定螺钉时或变流器在发生颠簸如在进行运输时,IGBT陶瓷片存在碎裂发风险,实时检测陶瓷片的边缘位置信息会损耗位置检测装置,为了解决该技术问题,本发明实施例设置变量检测装置,在变量检测装置检测到预设变量信息发生改变时,触发位置检测装置进行陶瓷片的边缘位置信息的检测,减小了位置检测装置的损耗情况。
其中,参阅图3,变量检测装置可以为压力检测组件21,预设变量信息可以为压力信息。压力检测组件可以为压力传感器,压力检测组件设置在陶瓷片的底部,用于检测陶瓷片受到的压力信息,并将检测到的压力信息发送给控制组件。压力传感器的个数可以为多个,每个压力传感器按照矩阵排列,如,参阅图3,压力传感器的个数为9个,9个压力传感器分为3行3列进行排列。控制组件接收压力信息,当压力信息发生变化时,控制组件触发位置检测装置检测陶瓷片的边缘位置信息,在边缘位置信息发生改变时,说明陶瓷片发生了移动,确认该陶瓷片存在碎裂风险。
其中,参阅图4,变量检测装置可以为温度检测组件22,预设变量信息可以为温度信息。温度检测组件可以为热电偶,温度检测组件设置在陶瓷片的外部,如,设置在陶瓷片的四周,在具体的变流器中,可以在每一个IGBT的周围放置热电偶,热电偶检测IGBT使用时候的温度信息,并将温度信息发送至控制组件。控制组件在收到温度信息后,将温度信息与同工况下的设定温度信息进行对比,当确定温度信息与预设温度信息存在不同时,控制组件触发位置检测装置检测陶瓷片的边缘位置信息,在边缘位置信息发生改变时,说明陶瓷片发生了移动,确认该陶瓷片存在碎裂风险。
值得说明的是,位置检测装置和变量检测装置可以根据需求进行自由选择,本实施例中不做限定,图3和图4为对两种组合的示例图。
本发明实施例提供的陶瓷片碎裂检测系统,通过设置变量检测装置,在变量检测装置检测到预设变量信息发生改变时,触发位置检测装置进行陶瓷片的边缘位置信息的检测,减小了位置检测装置的损耗情况。通过设置位置检测装置,对陶瓷片的边缘位置信息进行检测,从而使得控制组件在边缘位置信息发生变化时,确认陶瓷片存在碎裂风险,提醒用户对应的陶瓷片可能破碎,指导用户在不拆卸IGBT的情况下确定IGBT陶瓷片是否出现碎裂,从而提高变流器的使用安全性以及使用效率,节约人力。
实施例三:
基于一个总的发明构思,本发明实施例还提供一种陶瓷片碎裂检测方法。
图5为本发明实施例提供的一种陶瓷片碎裂检测方法的流程示意图,本发明实施例提供的陶瓷片碎裂检测方法,应用于上述任一实施例记载的陶瓷片碎裂检测系统,参阅图5,本发明实施例提供的方法,可以包括以下步骤:
S1、接收陶瓷片的边缘位置信息;
S2、在边缘位置信息发生变化时,确认陶瓷片存在破碎风险。
在一些实施例中,可选的,接收陶瓷片的边缘位置信息,包括:
接收预设变量信息;
在预设变量信息发生改变时,触发位置检测装置检测陶瓷片的边缘位置信息,以接收陶瓷片的边缘位置信息。
关于上述实施例中的方法,其中各个步骤执行操作的具体过程已经在有关该系统的实施例中进行了详细描述,此处将不做详细阐述说明。
本发明实施例提供的陶瓷片碎裂检测方法,通过接收陶瓷片的边缘位置信息;在边缘位置信息发生变化时,确认陶瓷片存在破碎风险。本发明通过对陶瓷片的边缘位置信息进行检测,从而在边缘位置信息发生变化时,确认陶瓷片存在碎裂风险,提醒用户对应的陶瓷片可能破碎,指导用户在不拆卸IGBT的情况下确定IGBT陶瓷片是否出现碎裂,从而提高变流器的使用安全性以及使用效率。
实施例四:
基于一个总的发明构思,本发明实施例还提供一种陶瓷片碎裂检测装置。
图6为本发明实施例提供的一种陶瓷片碎裂检测装置的结构示意图,本发明实施例提供的陶瓷片碎裂检测装置,应用于上述任一实施例记载的陶瓷片碎裂检测系统,参阅图6,本发明实施例提供的装置,可以包括以下结构:接收模块61和确定模块62。
其中,接收模块61,用于接收陶瓷片的边缘位置信息;
确定模块62,用于在边缘位置信息发生变化时,确认陶瓷片存在破碎风险。
在一些实施例中,可选的,接收模块62,用于接收预设变量信息;在预设变量信息发生改变时,触发位置检测装置检测陶瓷片的边缘位置信息,以接收陶瓷片的边缘位置信息。
关于上述实施例中的装置,其中各个模块执行操作的具体方式已经在有关该系统的实施例中进行了详细描述,此处将不做详细阐述说明。
本发明实施例提供的陶瓷片碎裂检测装置,通过接收陶瓷片的边缘位置信息;在边缘位置信息发生变化时,确认陶瓷片存在破碎风险。本发明通过对陶瓷片的边缘位置信息进行检测,从而在边缘位置信息发生变化时,确认陶瓷片存在碎裂风险,提醒用户对应的陶瓷片可能破碎,指导用户在不拆卸IGBT的情况下确定IGBT陶瓷片是否出现碎裂,从而提高变流器的使用安全性以及使用效率,节约人力。
实施例五:
基于一个总的发明构思,本发明实施例还提供一种陶瓷片碎裂检测设备。
图7为本发明实施例提供的一种陶瓷片碎裂检测设备的结构示意图,参阅图7,本发明实施例提供的陶瓷片碎裂检测设备,包括:处理器71,以及与处理器相连接的存储器72;
存储器72用于存储计算机程序,计算机程序至少用于执行上述任一实施例记载的陶瓷片碎裂检测方法;
处理器71用于调用并执行存储器中的计算机程序。
实施例六:
基于一个总的发明构思,本发明实施例还提供一种功率板。
本发明实施例提供的功率板,可以包括:功率半导体器件、陶瓷片和上述任一实施例记载的陶瓷片碎裂检测系统;陶瓷片设置在功率半导体器件的底部,陶瓷片用于对功率半导体器件散热;陶瓷片碎裂检测系统用于对陶瓷片的碎裂情况进行检测。
其中,功率半导体器件可以为IGBT,陶瓷片为散热陶瓷片。
例如,陶瓷片可以为氮化硅陶瓷片。
在一些实施例中,可选的,功率板可以包括散热器,在散热器上设置:散热器沟槽;陶瓷片放置于散热器沟槽中。
其中,散热器沟槽可以为在散热器上设置沟槽,用于存储IGBT的散热陶瓷片。例如,散热沟槽可以为矩形,也可以为圆形,根据散热陶瓷片的形状进行设定,本实施例中不做具体限定。
例如,参阅图3和图4,散热沟槽3可以设置为矩形;散热沟槽设置在散热器D上。
实施例七:
基于一个总的发明构思,本发明实施例还提供一种变流器。
本发明实施例提供的变流器,包括上述任一实施例记载的功率板。
其中,变流器可以为光伏变流器。
以上所述,仅为本发明的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
可以理解的是,上述各实施例中相同或相似部分可以相互参考,在一些实施例中未详细说明的内容可以参见其他实施例中相同或相似的内容。
需要说明的是,在本发明的描述中,术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性。此外,在本发明的描述中,除非另有说明,“多个”的含义是指至少两个。
流程图中或在此以其他方式描述的任何过程或方法描述可以被理解为,表示包括一个或更多个用于实现特定逻辑功能或过程的步骤的可执行指令的代码的模块、片段或部分,并且本发明的优选实施方式的范围包括另外的实现,其中可以不按所示出或讨论的顺序,包括根据所涉及的功能按基本同时的方式或按相反的顺序,来执行功能,这应被本发明的实施例所属技术领域的技术人员所理解。
应当理解,本发明的各部分可以用硬件、软件、固件或它们的组合来实现。在上述实施方式中,多个步骤或方法可以用存储在存储器中且由合适的指令执行系统执行的软件或固件来实现。例如,如果用硬件来实现,和在另一实施方式中一样,可用本领域公知的下列技术中的任一项或他们的组合来实现:具有用于对数据信号实现逻辑功能的逻辑门电路的离散逻辑电路,具有合适的组合逻辑门电路的专用集成电路,可编程门阵列(PGA),现场可编程门阵列(FPGA)等。
本技术领域的普通技术人员可以理解实现上述实施例方法携带的全部或部分步骤是可以通过程序来指令相关的硬件完成,所述的程序可以存储于一种计算机可读存储介质中,该程序在执行时,包括方法实施例的步骤之一或其组合。
此外,在本发明各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理模块中,也可以是各个单元单独物理存在,也可以两个或两个以上单元集成在一个模块中。上述集成的模块既可以采用硬件的形式实现,也可以采用软件功能模块的形式实现。所述集成的模块如果以软件功能模块的形式实现并作为独立的产品销售或使用时,也可以存储在一个计算机可读取存储介质中。
上述提到的存储介质可以是只读存储器,磁盘或光盘等。
在本说明书的描述中,参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中,对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且,描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例,可以理解的是,上述实施例是示例性的,不能理解为对本发明的限制,本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。
Claims (13)
1.一种陶瓷片碎裂检测系统,其特征在于,用于对陶瓷片的碎裂情况进行检测,所述检测系统,包括:控制组件和设置在所述陶瓷片外部的位置检测装置;所述控制组件与所述位置检测装置相连;
所述位置检测装置,用于检测所述陶瓷片的边缘位置信息,并将所述边缘位置信息发送至所述控制组件;
所述控制组件,用于接收所述边缘位置信息,在所述边缘位置信息发生变化时,确认所述陶瓷片存在碎裂风险。
2.根据权利要求1所述的检测系统,其特征在于,所述位置检测装置,包括:超声波探测器,或,边缘控制器。
3.根据权利要求2所述的检测系统,其特征在于,所述超声波探测器,设置于所述陶瓷片的正上方;或,
所述边缘控制器,设置于所述陶瓷片的边缘位置。
4.根据权利要求1所述的检测系统,其特征在于,还包括:设置在所述陶瓷片外部的变量检测装置,所述变量检测装置与所述控制组件相连;
所述变量检测装置用于检测所述陶瓷片的预设变量信息,并将所述预设变量信息发送至所述控制组件;
所述控制组件用于接收所述预设变量信息,并在所述预设变量信息发生改变时,触发所述位置检测装置检测所述陶瓷片的边缘位置信息,以在所述边缘位置信息发生变化时,确认所述陶瓷片存在碎裂风险。
5.根据权利要求4所述的检测系统,其特征在于,所述变量检测装置,包括:压力检测组件,或,温度检测组件。
6.根据权利要求5所述的检测系统,其特征在于,所述压力检测组件设置于所述陶瓷片的底部;或,
所述温度检测组件设置于所述陶瓷片的外部。
7.一种陶瓷片碎裂检测方法,其特征在于,应用于权利要求1-6任一所述的陶瓷片碎裂检测系统,所述方法,包括:
接收陶瓷片的边缘位置信息;
在所述边缘位置信息发生变化时,确认所述陶瓷片存在破碎风险。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述接收陶瓷片的边缘位置信息,包括:
接收预设变量信息;
在所述预设变量信息发生改变时,触发位置检测装置检测所述陶瓷片的边缘位置信息,以接收所述陶瓷片的边缘位置信息。
9.一种陶瓷片碎裂检测装置,其特征在于,包括:接收模块和确定模块;
所述接收模块,用于接收陶瓷片的边缘位置信息;
所述确定模块,用于在所述边缘位置信息发生变化时,确认所述陶瓷片存在破碎风险。
10.一种陶瓷片碎裂检测设备,其特征在于,包括:处理器,以及与所述处理器相连接的存储器;
所述存储器用于存储计算机程序,所述计算机程序至少用于执行权利要求7~8任一项所述的陶瓷片碎裂检测方法;
所述处理器用于调用并执行所述存储器中的所述计算机程序。
11.一种功率板,其特征在于,包括:功率半导体器件、陶瓷片和权利要求1-6任一所述的陶瓷片碎裂检测系统;所述陶瓷片设置在所述功率半导体器件的底部,所述陶瓷片用于对所述功率半导体器件散热;所述陶瓷片碎裂检测系统用于对陶瓷片的碎裂情况进行检测。
12.根据权利要求11所述的功率板,其特征在于,所述功率板包括散热器;所述散热器上设置有:散热器沟槽;所述陶瓷片放置于所述散热器沟槽中。
13.一种变流器,其特征在于,包括权利要求11-12任一所述的功率板。
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